第四章习题解答(模电康第五版)精品PPT课件
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康华光《电子技术基础-模拟部分》（第5版）笔记和课后习题（含考研真题）..
目 录第1章 绪 论1.1 复习笔记1.2 课后习题详解1.3 名校考研真题详解第2章 运算放大器2.1 复习笔记2.2 课后习题详解2.3 名校考研真题详解第3章 二极管及其基本电路3.1 复习笔记3.2 课后习题详解3.3 名校考研真题详解第4章 双极结型三极管及放大电路基础4.1 复习笔记4.2 课后习题详解4.3 名校考研真题详解第5章 场效应管放大电路5.1 复习笔记5.2 课后习题详解5.3 名校考研真题详解第6章 模拟集成电路6.1 复习笔记6.2 课后习题详解6.3 名校考研真题详解第7章 反馈放大电路7.1 复习笔记7.2 课后习题详解7.3 名校考研真题详解第8章 功率放大电路8.1 复习笔记8.2 课后习题详解8.3 名校考研真题详解第9章 信号处理与信号产生电路9.1 复习笔记9.2 课后习题详解9.3 名校考研真题详解第10章 直流稳压电源10.1 复习笔记10.2 课后习题详解10.3 名校考研真题详解第11章 电子电路的计算机辅助分析与设计第1章 绪 论1.1 复习笔记一、电子系统与信号电子系统指若干相互连接、相互作用的基本电路组成的具有特定功能的电路整体。
信号是信息的载体，按照时间和幅值的连续性及离散性可把信号分成4类：①时间连续、数值连续信号，即模拟信号；②时间离散、数值连续信号；③时间连续、数值离散信号；④时间离散、数值离散信号，即数字信号。
二、信号的频谱任意满足狄利克雷条件的周期函数都可展开成傅里叶级数(含有直流分量、基波、高次谐波)，从这种周期函数中可以取出所需要的频率信号，过滤掉不需要的频率信号，也可以过滤掉某些频率信号，保留其它频率信号。
幅度频谱：各频率分量的振幅随频率变化的分布。
相位频谱：各频率分量的相位随频率变化的分布。
三、放大电路模型信号放大电路是最基本的模拟信号处理电路，所谓放大作用，其放大的对象是变化量，本质是实现信号的能量控制。
放大电路有以下4种类型：1．电压放大电路电路的电压增益为考虑信号源内阻的电压增益为2．电流放大电路电路的电流增益为考虑信号源内阻的电压增益为3．互阻放大电路电路的互阻增益为4．互导放大电路电路的互导增益为四、放大电路的主要性能指标1输入电阻：输入电压与输入电流的比值，即对输入为电压信号的放大电路，R i越大越好；对输入为电流信号的放大电路，R i越小越好。
《电子技术基础(第五版)》电子课件第四章教程文件
V相 uV 2U2 sin(t 2π / 3) V相电位最高，V2导通
在t2～t3时间内 uL=uV
W相 uW 2U2 sin(t 2π / 3) W相电位最高，V3导通 在t3～t4时间内 uL=uW
第四章 直流稳压电源
（2）有关计算公式
1） 整流输出电压平均值
UL 1.17U2
2） 二极管平均电流
t
2 3
t
o uD
o1
2U2
2 3
t
2 3
t
第四章 直流稳压电源
简化画法
+
~
u2
iL
+ RL uL
习惯画法
第四章 直流稳压电源
二、三相整流电路
1、三相半波整流电路
（1）电路组成和工作原理
当输出功率较 大时，若采用 单相整流电路
必然会造成三相 电网的不平衡
t1
t2
t3
t4
uL 共阳极接法
第四章 直流稳压电源
3、整流二极管的主要参数
（1）反向工作峰值电压URWM
2U 2
o iF=iL
o uD
o
2U 2
2 3 t 2 3 t 2 3 t 2 3 t
第四章 直流稳压电源
2、单相桥式整流电路
（1） 工作原理
输入正半周
V4 u1 u2
V3
V1
RL
V2
输入负半周
V4
V1
u1
u2
V3
V2
iL + uL
iL +
RLuL
u2
2U 2
o
2U2 uL
o
iF=iL
第四章模电幻灯片
(2) 双端输出时，理想情况下，KCMR → ；单端输
出时，共模抑制比不如双端输出高。
(3) 单端输出时，可以选择从不同的三极管输出， 而使输出电压与输入电压反相或同相。
(4) 单端输出时，由于引入很强的共模负反馈，两 个管子仍基本工作在差分状态。
(5) 单端输出时， Rid 2(R + rbe)。
(1) 静态工作点； (2) 差模电压放大倍数； (3) 输入、输出电阻。
在上述这些措施中，采用差动放大电路是目前应 用最广泛的能有效抑制零漂的方法。下面将对这种方法 作重点介绍。
4.1.2 基本差动放大电路
用三端器件组成的差分式放大电路
2. 有关概念
根据 vid=vi1vi2
vi c=12(vi 1vi 2)
有
vi1
=vic
vid 2
vi2
=vic
vid 2
共模信号相当于两个输入
v o1 2 v i1
1 2
Avd
Rc 2 rbe
接入负载时
Avd
=
β(Rc //RL) 2rbe
3. 主要指标计算 （1）差模情况
<C> 单端输入 ro re
等效于双端输入
指标计算与双端 输入相同。
Hale Waihona Puke 3. 主要指标计算（2）共模情况
<A> 双端输出 共模信号的输入使两管集
电极电压有相同的变化。
所以 vocvoc 1voc 20
入信号及负
载的两端均
不接地的情
况。
差分输入 单端输出
1. Ad 约为 双端输出时 的一半。
2. 由于引 入共模负反 馈，仍有较 高的KCMR。
3.适用于将 双端输入转 换为单端输 出。
出时，共模抑制比不如双端输出高。
(3) 单端输出时，可以选择从不同的三极管输出， 而使输出电压与输入电压反相或同相。
(4) 单端输出时，由于引入很强的共模负反馈，两 个管子仍基本工作在差分状态。
(5) 单端输出时， Rid 2(R + rbe)。
(1) 静态工作点； (2) 差模电压放大倍数； (3) 输入、输出电阻。
在上述这些措施中，采用差动放大电路是目前应 用最广泛的能有效抑制零漂的方法。下面将对这种方法 作重点介绍。
4.1.2 基本差动放大电路
用三端器件组成的差分式放大电路
2. 有关概念
根据 vid=vi1vi2
vi c=12(vi 1vi 2)
有
vi1
=vic
vid 2
vi2
=vic
vid 2
共模信号相当于两个输入
v o1 2 v i1
1 2
Avd
Rc 2 rbe
接入负载时
Avd
=
β(Rc //RL) 2rbe
3. 主要指标计算 （1）差模情况
<C> 单端输入 ro re
等效于双端输入
指标计算与双端 输入相同。
Hale Waihona Puke 3. 主要指标计算（2）共模情况
<A> 双端输出 共模信号的输入使两管集
电极电压有相同的变化。
所以 vocvoc 1voc 20
入信号及负
载的两端均
不接地的情
况。
差分输入 单端输出
1. Ad 约为 双端输出时 的一半。
2. 由于引 入共模负反 馈，仍有较 高的KCMR。
3.适用于将 双端输入转 换为单端输 出。
《电子技术基础(第五版)》电子课件第四章
~
+ u2
C1
C2
RL
L 对交流感抗很大
RLC- 型滤波电路
第四章 直流稳压电源
四、电子滤波电路
R
RC-π型滤波电路中，R越大，滤波效果越好， + 但同时在R上产生的电压损失也越大.
+ ui RP -
V C1 C2 C2 C1
++
RLRL uo uo -
解决思路：
当三极管工作在放大状态时，c与e间的直流电 阻RCE较小，而交流电阻rce却很大.
t1
t2
t3
t4
uL 共阳极接法
采用三相整流电 路
T 一个周期出现三个波头
自然换相点
第四章 直流稳压电源
L + - u R
L
T
N
K
V1 V2 V3
T L1 L2 L3
N
-
RL
+
K V4 V5 V6
L1 L2 L3 二次相电压有效值为 U相 V相 W相
U V W
iL
U V W
共阴极接法 U 2 ，其表达式为： U相电位最高，V1导通 在t1～t2时间内 uL=uU
(１)尽管交流电压的大小和方向随时间不断变 化，但只要二极管正极的电位高于负极的电位，二 极管就导通，导通后流过负载的电流方向是不变的， 负载上得到的是脉动的直流电. (２)若需负的直流电源，电路形式同上，只需 把其中的二极管的两个管脚极性颠倒一下即可.
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第四章 直流稳压电源
§4-2
整流器件的选用
解:
整流二极管的工作电流 变压器二次绕组的相电压
IF
1 450 150 A 3 IL 3
模电课件第四章集成运算放大电路
第四章 集成运算放大电路
§4.1集成运算放大电路概述 一、集成运放的电路结构特点
集成运算放大电路：高电压放大倍数的直接耦合多级放大电路。
2019/7/28
模电课件
二、集成运放的电路组成
1、输入级：运算放大器的输入级通常是差分放大电路，其主 要功能是抑制共模干扰和温漂，双极型运放中差分管通常采 用CC-CB复合管，以便拓展通频带。 2、中间级：电压放大，要求：放大倍数要尽可能大，通常采 用共201射9/7/2或8 共源电路，并采用恒模电流课源件 负载和复合管以增加电压 放大倍数。
工作在放大状态。
当T0与 T1特性参数完全一致时，由U BE0 = U BE1可推得
IB0 = IB1 = IB IC0 = IC1 = Io 由基极输入回路得，
Io
IR
VCC
U BE R
I0 2IB
I0
2
I0
所以，I0
1 1 2
IR
基准电流
输出电流
当
时，I0 IR 。
在集成运放电路中通常只能制作小容量（几十pF）电容，不能 制作大201容9/7/量28 电解电容，级间通常模采电课用件 直接耦合。
四、以电流源为有源负载的放大电路
在集成运放的共射（共源）放大电路中，为了提高电压放大 倍数，常用电流源电路取代Rc （或Rd ），这样在电源电压不 变的情况下，既获得合适的静态电流，又可以得到很大的等效 的Rc（或 Rd ）。
（1） 运放电路的结构分解 输入级是一个差动放大电路，主要由T1、T3（共集-共基组合）
和T2、T4组成。中间放大级由T16、T17、T13组成共集—共射电路； 输出级由T14、T18 、 T19组成互补输出电路。
§4.1集成运算放大电路概述 一、集成运放的电路结构特点
集成运算放大电路：高电压放大倍数的直接耦合多级放大电路。
2019/7/28
模电课件
二、集成运放的电路组成
1、输入级：运算放大器的输入级通常是差分放大电路，其主 要功能是抑制共模干扰和温漂，双极型运放中差分管通常采 用CC-CB复合管，以便拓展通频带。 2、中间级：电压放大，要求：放大倍数要尽可能大，通常采 用共201射9/7/2或8 共源电路，并采用恒模电流课源件 负载和复合管以增加电压 放大倍数。
工作在放大状态。
当T0与 T1特性参数完全一致时，由U BE0 = U BE1可推得
IB0 = IB1 = IB IC0 = IC1 = Io 由基极输入回路得，
Io
IR
VCC
U BE R
I0 2IB
I0
2
I0
所以，I0
1 1 2
IR
基准电流
输出电流
当
时，I0 IR 。
在集成运放电路中通常只能制作小容量（几十pF）电容，不能 制作大201容9/7/量28 电解电容，级间通常模采电课用件 直接耦合。
四、以电流源为有源负载的放大电路
在集成运放的共射（共源）放大电路中，为了提高电压放大 倍数，常用电流源电路取代Rc （或Rd ），这样在电源电压不 变的情况下，既获得合适的静态电流，又可以得到很大的等效 的Rc（或 Rd ）。
（1） 运放电路的结构分解 输入级是一个差动放大电路，主要由T1、T3（共集-共基组合）
和T2、T4组成。中间放大级由T16、T17、T13组成共集—共射电路； 输出级由T14、T18 、 T19组成互补输出电路。
模拟电子技术-康光华(第五版)第四章讲解
c
一起， iC iB
3）饱和压降UCES：
UCES随iC的增大而略有增大，
典型值：UCES=0.3V
4）临界饱和：集电结零偏，uCE=uBE
ICn2
iB b
ICP iCn1
N
RC
iB1
P
Rb
EC
EB
iEP
e
iEn iE
N
3、截止区： 发射结反偏，集电结反偏
饱 和
uBE<0， uBC<0
区
iC 临界饱和线 放大区
NPN管 : UC UB U E
PNP管 : UC U B U E
C
E
7.5V
B
3.5V
3.2V
1、基极电位UB居中； 2、发射结压降: |UBE| = 0.7（0.6）V （硅管）
|UBE| = 0.2（0.3）V （锗管）
3、NPN管的集电极电位UC最高，发射极电位UE最低；
PNP管的集电极电位UC最低，发射极电位UE最高；
结构：由两个PN结和三个杂质半导体区域组成。 有两个基本类型： NPN型
PNP型
1)NPN 型
三个区域：
B 基极
发射区（E区）：高渗杂
基 区（B区） ：薄、低渗杂
集电区（C区） ：渗杂适中
C 集电极
集电区N 基区 P 发射区 N+
集电结 发射结
两个PN结：
E 发射极
发射结（BE结） 集电结（CB结）
b + iB u-BE
c
iC +
uCE
iE -
e
PCM——pC的平均值不允许超
过极限值。
4、极限参数： 3) 反向击穿电压
第四章习题解答(模电康第五版)
1
0.5 0
20
iB 10μA
1
2
3
4
5
6 vCE V
回主页 总目录 章目录 上一页 下一页 退出
Rb
VCC VBEQ I BQ
6 0.7 20 10
6
265k
⑶由交流负载线知交流输出范围为0.8～4.5V，故最大 不失真幅度为 4.5 3 1.5V ⑷基极正弦电流的最大幅值为 I Bmax 20μA
ii
ib
I2
Rb2
Re
I EQ
Rs
vi + vs
Rb1 Rb2 rbe
ib
+
Rc
vo RL
- -
Ri
小信号等效电路
直流通路
Ro
回主页 总目录 章目录 上一页 下一页 退出
I EQ I CQ 2.4mA VBQ VBEQ Re I EQ 0.7 2 103 2.4 10 3 5.5V
vi
Rb1 Rb2 Re1 ie
Rc RL vo
vs
- -
回主页 总目录 章目录 上一页 下一页 退出
Av
vo vi
ib Rc // RL ib rbe ie Re1
3.3 5.1
ib RL
'
ib rbe 1 ib Re1
RL
'
rbe 1 Re1
Rb2 Rb1 Rb2 20 Rb1 20
VBQ
VCC
VCC Rb1
VBQ
I1 R c
I BQ I CQ VEQ
5.5
0.5 0
20
iB 10μA
1
2
3
4
5
6 vCE V
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Rb
VCC VBEQ I BQ
6 0.7 20 10
6
265k
⑶由交流负载线知交流输出范围为0.8～4.5V，故最大 不失真幅度为 4.5 3 1.5V ⑷基极正弦电流的最大幅值为 I Bmax 20μA
ii
ib
I2
Rb2
Re
I EQ
Rs
vi + vs
Rb1 Rb2 rbe
ib
+
Rc
vo RL
- -
Ri
小信号等效电路
直流通路
Ro
回主页 总目录 章目录 上一页 下一页 退出
I EQ I CQ 2.4mA VBQ VBEQ Re I EQ 0.7 2 103 2.4 10 3 5.5V
vi
Rb1 Rb2 Re1 ie
Rc RL vo
vs
- -
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Av
vo vi
ib Rc // RL ib rbe ie Re1
3.3 5.1
ib RL
'
ib rbe 1 ib Re1
RL
'
rbe 1 Re1
Rb2 Rb1 Rb2 20 Rb1 20
VBQ
VCC
VCC Rb1
VBQ
I1 R c
I BQ I CQ VEQ
5.5
模拟电子康5版课件第四讲
iC
vCE = 0V vCE ≥ 1V
iB
vBE - e VBB 共射极放大电路
b +
c+
vCE
VCC
①截止区
②非线性区
③线性区(放大区) 线性区(放大区)
NPN共射输入特性曲线的特点描述 共射输入特性曲线的特点描述 共射输入特性曲线
(1)当vCE=0V时,相当于正向偏置的两个二极管并联, 当 =0V时 相当于正向偏置的两个二极管并联, 所以与PN PN结的正向特性相似 所以与PN结的正向特性相似 ≥1V的特性曲线比 =0V的右移 原因: 的右移. (2) vCE≥1V的特性曲线比vCE=0V的右移.原因: vCE≥1V时集电结反偏,集电结吸引自由电子的能力增 ≥1V时集电结反偏 时集电结反偏, 从发射区注入的自由电子更多地流向集电区, 强,从发射区注入的自由电子更多地流向集电区,对 即发射区发射的自由电子数一定) 应于相同的vBE (即发射区发射的自由电子数一定) , 流向基极的电流减小, 流向基极的电流减小,曲线右移 >1V与 =1V的曲线非常接近 的曲线非常接近, (3) vCE>1V与vCE=1V的曲线非常接近,可以近似认 为重合 (4)有一段死区 (5)非线性特性 温度上升, (6)温度上升,曲线左移 陡峭上升部分可以近似认为是直线, (7)陡峭上升部分可以近似认为是直线,即iB与vBE 成正比( 放大状态时,NPN的 PNP的 成正比(8)放大状态时,NPN的vBE =0.7V, PNP的vBE =-0.2V
基区 发射结(Je) 发射结 集电结(Jc) 集电结 基极,用B或b表示(Base) 基极
三极管符号
结构特点(对 型均适用) 结构特点 对NPN PNP型均适用 型均适用
发射区的掺杂浓度最高; 发射区的掺杂浓度最高; 集电区掺杂浓度低于发射区,且面积大; 集电区掺杂浓度低于发射区,且面积大; 基区很薄,一般在几个微米至几十个微米, 基区很薄,一般在几个微米至几十个微米,且 掺杂浓度最低. 掺杂浓度最低.
vCE = 0V vCE ≥ 1V
iB
vBE - e VBB 共射极放大电路
b +
c+
vCE
VCC
①截止区
②非线性区
③线性区(放大区) 线性区(放大区)
NPN共射输入特性曲线的特点描述 共射输入特性曲线的特点描述 共射输入特性曲线
(1)当vCE=0V时,相当于正向偏置的两个二极管并联, 当 =0V时 相当于正向偏置的两个二极管并联, 所以与PN PN结的正向特性相似 所以与PN结的正向特性相似 ≥1V的特性曲线比 =0V的右移 原因: 的右移. (2) vCE≥1V的特性曲线比vCE=0V的右移.原因: vCE≥1V时集电结反偏,集电结吸引自由电子的能力增 ≥1V时集电结反偏 时集电结反偏, 从发射区注入的自由电子更多地流向集电区, 强,从发射区注入的自由电子更多地流向集电区,对 即发射区发射的自由电子数一定) 应于相同的vBE (即发射区发射的自由电子数一定) , 流向基极的电流减小, 流向基极的电流减小,曲线右移 >1V与 =1V的曲线非常接近 的曲线非常接近, (3) vCE>1V与vCE=1V的曲线非常接近,可以近似认 为重合 (4)有一段死区 (5)非线性特性 温度上升, (6)温度上升,曲线左移 陡峭上升部分可以近似认为是直线, (7)陡峭上升部分可以近似认为是直线,即iB与vBE 成正比( 放大状态时,NPN的 PNP的 成正比(8)放大状态时,NPN的vBE =0.7V, PNP的vBE =-0.2V
基区 发射结(Je) 发射结 集电结(Jc) 集电结 基极,用B或b表示(Base) 基极
三极管符号
结构特点(对 型均适用) 结构特点 对NPN PNP型均适用 型均适用
发射区的掺杂浓度最高; 发射区的掺杂浓度最高; 集电区掺杂浓度低于发射区,且面积大; 集电区掺杂浓度低于发射区,且面积大; 基区很薄,一般在几个微米至几十个微米, 基区很薄,一般在几个微米至几十个微米,且 掺杂浓度最低. 掺杂浓度最低.
模电第四章3(第五版)——康华光.ppt
.
Re
. r be Ib
Re
Rcb
+5V
+ . Rc + Vo . _
Vo _
极性错
3
Vi1 + _ + _ Vi2
Vo
+ . Vi _
Re
Rc
+ . Vo _
3
4
16
第三章 三极管及放大电路基础 例：Vo的波形出现下列三种情况。说明各是什么失真？应调节什么 参数才能使失真改善？如果电路改为 PNP 管电路，这三种情况各是 vo 什么失真？ v i
T
vs
vBE
vCE v o
RL
4kΩ
共射极放大电路
ib
vce Rc RL vo
ic i b
rbe Rc RL vo
vi
Rb
交流等效电路
微变等效电路
12
放大电路如图所示。已知BJT的 ß =40， Rb=300k ， Rc=2k， VCC= +12V，求： （1）放大电路的Q点。 （2）Av、Ri、Ro （3） 若RL开路，Av如何变化
ib 0
Ro = Rc
β ib 0
9
4.3.2 小信号模型分析法
第三章 三极管及放大电路基础
3. 小信号模型分析法的适用范围 放大电路的输入信号幅度较小，BJT工作在其V－T特性 曲线的线性范围（即放大区）内。H参数的值是在静态工作 点上求得的。所以，放大电路的动态性能与静态工作点参数 值的大小及稳定性密切相关。 优点： 分析放大电路的动态性能指标(Av 、Ri和Ro等)非常方便， 且适用于频率较高时的分析。 缺点： 在BJT与放大电路的小信号等效电路中，电压、电流等 电量及BJT的H参数均是针对变化量(交流量)而言的，不能用 来分析计算静态工作点。
模拟电子康5版课件第四讲
实例
手机中的电容触摸屏，利用了电容器原理 实现触摸感应；汽车中的点火线圈，利用 大容量电容器产生高电压点火。
耦合器
利用电容器将信号从一个电路耦合到另一 个电路。
储能
利用大容量电容器储存电能，用于短时大 电流放电。
调谐器
利用电容器与电感器配合实现信号的调谐 。
05 电感器
电感器的定义与分类
总结词
电感器是一种储能元件，能够将电能转换为磁能并存 储起来。根据工作频率、用途和制作材料的不同，电 感器可分为多种类型。
详细描述
电感器是一种电子元件，通过电流产生磁场，从而将电 能转换为磁能并存储起来。电感器通常由线圈绕在磁芯 上制成，其工作原理是基于电磁感应定律。根据不同的 分类标准，电感器可分为多种类型。例如，按工作频率 可分为高频电感器和低频电感器；按用途可分为通用电 感器和专用电感器；按制作材料可分为空心电感器、铁 氧体电感器和铜线电感器等。
模拟电路的应用与实例
总结词
模拟电路广泛应用于通信、音频处理、图像处理、控制 系统等领域。实例包括音频放大器、滤波器、稳压电源 等。
详细描述
模拟电路具有广泛的应用领域，包括通信、音频处理、 图像处理、控制系统等。在通信领域，模拟电路用于调 制解调、滤波和放大信号；在音频处理领域，模拟电路 用于音频信号的放大和处理；在图像处理领域，模拟电 路用于图像信号的采集、处理和显示；在控制系统领域 ，模拟电路用于信号的转换、放大和处理。
要求较高的场合尤为重要。
电阻器的应用与实例
总结词
电阻器在各种电子设备和电路中都有广泛的应用，如 信号处理、电源控制和安全保护等。
详细描述
在信号处理电路中，电阻器用于衰减或放大信号，以 实现信号的调整和控制。在电源控制电路中，电阻器 用于限流和分压，保证电源的稳定输出。在安全保护 电路中，电阻器用于防止电流过大或过热，保护电路 和设备的安全。例如，在LED灯中，电阻器用于限制 电流，防止电流过大导致LED灯烧毁。在电源插头中 ，电阻器用于防止电流过大，保护用户安全。
电子技术基础模拟部分(第五版)康华光总复习课件
vi 2
5 4
vi1
2vi 2
18
二、习题
习题2.4.6 加减运算电路如图所示，求输出电压：vo的表达式。
令 vi1= vi2 = vi4 =0,
R1 40kΩ
R6
vi1
vi2 vi3
R2 25kΩ R3 10kΩ
–
vn
+
vp
vi4
R4 20kΩ
vo''
(1
R6 ) R1 // R2
R4 // R5 R3 R4 // R5
（2）同相输入加法运算电路
RP R11 // R12 // R RN R1 // Rf
uo
(1
Rf R1
)( RP R11
ui1
RP R12
ui2 )
当 RP = RN时，
uo
Rf R1
ui1
Rf R2
ui2
3、减法运算电路
RP R2 // R3 RN R1 // Rf
uo
(1
Rf R1
二、习题
习题2.4.6 加减运算电路如图所示，求输出电压vo的表达式。
解： 利用“虚短”、“虚断” 和叠加
R1 40kΩ
R6
vi1
原理 令 vi3= vi4 =0, 可看作是求和电路
vi2 vi3
R2 25kΩ R3 10kΩ
–
vn
+
vp
R4 20kΩ
vi4
R5
30kΩ
vo
vo'
R6 R1
vi1
R6 R2
iE
–
静态分析： 直流通路
IBQ
VCC Rb
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饱和区：VCE≤VCES ；
截止区：VBE＜0.6～0.7V；
其中VCES≈1V。
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P188页4.3.5 电路如图，该电路的交、直流负载线绘 于下图中，试求：⑴电源电压VCC，静态电流IBQ、ICQ 和管压降VCEQ的值；⑵电阻Rb、Rc的值；⑶输出电压 的最大不失真幅度；⑷要使该电路能不失真地放大，
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⑵简化H参数小信号等效电路
ib
ic
⑶
rbe
rbb'
1
26mV IEQ mA
Rs
+
vs
200 1 50 26 863 -
2
+
vi Rb rbe
ib Rc
-
简化H参数小信号等效电路
+
vo
-
⑷
Av
vo vi
ib Rc // RL
ib rbe
RL'
rbe
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Rb
VCC VBEQ I BQ
6 0.7 20 106
265k
⑶由交流负载线知交流输出范围为0.8～4.5V，故最大
不失真幅度为 4.5 3 1.5V
⑷基极正弦电流的最大幅值为 IBmax 20μA
iC mA 3 2.5 2 1.5
Q
1 0.5
解：⑴由直流通路得
I BQ
VCC
VBEQ Rb
Rbபைடு நூலகம்
300k
Cb1+
Rc
4k
12 0.7 300103 40μA
Rs
500+
vs
ICQ IBQ 50 40μA 2mA —
+ 50μF
vi
—
VCC
12V
+Cb2
50μF +
vo
—
VCEQ VCC ICRC 12 2 103 4 103 4V
Rc rbe
100
+ Cb1 vi
vo RL
Rc
100rbe
100 750 20
3.75 k
—
—
VCEQ VCC ICQ RC 12 1103 3.75103 8.25V
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P190页4.4.3 射极偏置电路如图，已知β= 60。⑴用
估算法求Q点；⑵求输入电阻rbe；⑶用小信号模型分
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P186页4.2.1 试分析图示各电路对正弦交流信号有无 放大作用，并简述理由（设各电容的容抗可忽略）。
解：
+
vi
—
Rc T+ vo VCC
—
Rb
+
+ Cb1 vi
—
Rc
+
VCC
T Cb2 +
vo
—
Vbe = -VCC＜0，vi 被VCC短 Rb、Rc 偏置正确，电容隔 接，故无交流放大作用。 直，故有交流放大作用。
析法求电压增益Av；⑷电路其他参数不变，如果要使
VCEQ= 4V，问上偏流电阻为多大？
解：⑴由直流通路得 VBQ
50 40 30
20 iB 10μA
Rb
+
+ Cb1 vi
—
Rc
+
VCC
T Cb2 +
vo RL
—
0 1 2 3 4 5 6 vCE V
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P188页4.3.9 单管放大电路如图，已知BJT的电流放
大系数β=50。⑴估算Q点；⑵画出简化H参数小信号
等效电路；⑶估算BJT的输入电阻rbe；⑷如输出端接 入4kΩ的电阻负载，计算Av = vo/vi 及 Avs = vo/vs 。
P185页4.1.1 测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、 C的对地电位分别为VA=-9V，VB=-6V，VC=-6.2V，试 分析A、B、C中哪个是基极b、发射极e、集电极c，并 说明此BJT是NPNPNP
对于NPN管（硅管）：|Vbe|=0.7V，Vc＞Vb＞Ve ； 对于PNP管（锗管）：|Vbe|=0.2V，Vc＜Vb＜Ve 。 该BJT为PNPA为集电极c，B为发射极e，C为基 极b。
β= 20。若要求Av ≥100，ICQ=1mA，试确定Rb、Rc的
值，并计算VCEQ。设RL=∞。
解：由直流通路得 Rb VCC
rbe
200
1
26mV IEQ mA
VBEQ I BQ
200 1 20 26 750
1
12 1103
Rb
+
240k 20
Rc
+
VCC
T Cb2 +
Av
Rc // RL rbe
IBQ 20μA , ICQ 1mA , VCEQ 3V
⑵
Rc
VCC VCEQ I CQ
63 1103
3k
iC mA 3 2.5 2 1.5
Q
1 0.5
50 40 30
20 iB 10μA
Rb
+
+ Cb1 vi
—
Rc
+
VCC
T Cb2 +
vo RL
—
0 1 2 3 4 5 6 vCE V
50
4 4 103 44 863
116
300103 863
Avs
vo vs
vo vi
vi vs
Av
Rb // rbe Rb // rbe Rs
116
300103 863
300 103 300 103
863 863
500
73
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P188页4.3.10 放大电路如图，已知VCC=12V，BJT的
P186页4.2.3 测量某硅BJT各电极对地的电压值如下， 试判断管子工作在什么区域。
（a）VC=6V，VB=0.7V，VE=0V 放大区 （b）VC=6V，VB=2V，VE=1.3V 放大区 （c）VC=6V，VB=6V，VE=5.4V 饱和区 （d）VC=6V，VB=4V，VE=3.6V 截止区 （e）VC=3.6V，VB=4V，VE=3.4V 饱和区 解：放大区：VBE≥0.6～0.7V，VCE＞VCES ；
基极正弦电流的最大幅值是多少？
iC mA 3 2.5 2 1.5
Q
1 0.5
50 40 30
20 iB 10μA
Rb
+
+ Cb1 vi
—
Rc
+
VCC
T Cb2 +
vo RL
—
0 1 2 3 4 5 6 vCE V
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解：⑴由直流通路得直流负载线方程 VCC ICRC VCE IC 0 时，VCC VCE ，由直流负载线知VCC VCE 6V
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Rb
+
vi
Rc
+T Cb1
VCC
+
Cb2 +
vo
—
—
Rc +Cb1
+
T
+ Cb1 vi
Rb
—
VBB
+
vo VCC
—
Cb1 割断直流通路，故无 交流放大作用。
VCC反接，Vc＜Ve，Vce ＜0.3V时进入饱和区，故 无交流放大作用。
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