0.2%酒石酸溴莫尼定滴眼液的降眼压作用
【结构设计】大神解读——0.2V0调整
大神解读——0.2V0调整看到有人问为什么0.2V0是取结构底部而不是每层的剪力,并且不是少数人对此有疑惑,因此HiStruct将对此问题进行详细分析,以加深大家对框架剪力墙结构的理解.首先,来看看规范是如何执行这个内力调整的：根据高规和抗规的规定：抗震设计时,框架-剪力墙结构中剪力墙的数量必须满足一定要求.这就是说,在地震作用时剪力墙作为第一道防线承担了大部分的水平力.但这并不意味着框架部分可以设计得很弱.相反,框架部分作为第二道防线必须具备一定的抗侧力能力,这就需要在计算时,对框架部分所承担的剪力进行调整.在高规中,对Vf<0.2V0的楼层,设计时Vf取 1.5Vf,max和0.2V0的较小值.V0为地震作用产生的结构底部总剪力,Vf,max为各层框架所承担的总剪力中的最大值.这种调整方法对于框架柱沿竖向的数量变化不大的情况是合适的,但是对于那些框架柱沿竖向的数量变化较大的建筑,这样调整会造成上部楼层框架柱所承担的剪力明显偏大,是不合理的.因此,高规规定：对框架柱数量从下至上分段有规律变化的结构,当Vf<0.2V0时,V0应取每段最下一层结构对应于地震作用标准值的总剪力；Vf,max应取每段中对应于地震作用.其次,理解为什么要进行框架部分的内力调整我想几乎所有的结构工程师都大概的知道这是为了保证框架作为结构二道防线之用.那么详细分析起来会是如何呢？首先来看典型框架剪力墙的内力分配图（此图为解析推导,与实际情况稍有出路,可以参考理论推导的假设,但是基本规律是合适的）.由图可见在结构的底部剪力墙需承担大部分的内力,变形上是剪力墙小而框架大,因此剪力墙在此部分起到主导的作用,即第一道防线,若在外力作用下剪力墙屈服则将转移很大的内力给框架,此时只按弹性分析设计出来的框架将无法承担这部分由墙转移出来的作用而破坏,因此我们需要提高底部区域框架的设计内力以实现它的二道防线功能.那么对于结构的上部区域是否还是这样的情况呢？那就不是了,顶部区域框架可能承担超过层剪力的作用而剪力墙的内力则反向与外力作用相同,因此在上部（尤其是顶部）区域,框架剪力=外力+墙剪力！而变形上框架小剪力墙大,此时实际上框架起到主导作用,是框架在帮剪力墙,那么两道防线的概念则发生了转移,因此在框架剪力墙结构的顶部区域也需要加强框架.第三,对于普通的框架剪力墙结构而言,执行了规范的规定会出现什么结果？应该分两种情况讨论,第一种情况,当1.5Vf,max<0.2V0时,整个框架结构的内力调整由1.5Vf,max控制,这时对于顶部区域而言就会出现内力调整系数过大的情况,于是就要执行规范关于分段采用Vf,max的规定,而如果结构中不存在高规规定的可分段条件,是否还可以分段呢？在结构的概念上是可以的,或者比如stawe限制2为上限,但是考虑到框架剪力墙结构的顶部区域需要加强框架,且规范要求为“应”,因此这样的设计在概念上并无过错只是偏保守.第二种情况,当1.5Vf,max>0.2V0时,框架剪力墙结构中底部区域的内力调整由0.2V0控制,中部区域不需要调整,上部区域由0.2V0控制,此时也出现了对于顶部区域而言就会出现内力调整系数过大的情况,这种情况下调整框架的内力在结构概念上就意义就不清晰了,因此HiStruct建议,此时若调整系数很大则可直接采用“2”的调整系数,但是一般情况下既然1.5Vf,max>0.2V0则说明框架部分其实也不太弱,即顶部按0.2V0的调整系数一般不会太大,可以设计下来.在规范尚未明确可以分段采用V0时,也考虑框架剪力墙结构的顶部区域需要加强框架,因此从安全性的角度出发,规范的规定还是老实执行为好.第四,特殊情况下的一些内力调整措施实际结构设计存在一些特殊的情况,HiStruct举一些例子供大家参考,其实只要真实的理解了框架剪力墙结构,那么概念设计和抗震措施上需要加强之处自然也就水落石出了.（1）带加强层的框筒结构,这种情况下加强层附近框架内力一般有较大突变,Vf,max可不需要按照此处采用,而要从整体概念上把握,但是由于规范对加强层处的设计无具体规定,因为还是建议适当加强.（2）混合结构,见规范的规定,适当提高要求.（3）框肢柱,见规范要求.（4）结构有明显的规律性分段如竖向构件减数,立面缩进,转换等,可考虑分段调整,但要强调整体把握.（5）少量较大框架柱,由于建筑布置等原因,可能框架柱较少,若要突破规范就要提方案审查,可参考少量框肢柱的内力调整规定或更强措施.最后,结语其实只有真正理解了框架剪力墙结构体系,在理论依据和结构概念设计的基础上,可深入理解规范条文,面对结构设计中千变万化的特殊情况时,具体问题具体分析,那么设计思路和加强措施也就水到渠成.HiStruct注：感谢okok论坛的sh0315兄提供很多有用的信息,如下：蔡益燕《双重体系中框架的剪力分担率》、胡庆昌《钢筋混凝土框剪结构抗震设计若干问题的探讨》、黄吉锋,李云贵,邵弘,陈岱林的《高层建筑抗震设计中两种剪力调整的讨论》你可以参考下.另外最新的《高层建筑钢-混凝土混合结构设计规程》(CECS230:2008)对于混合结构的框架-剪力墙和框架-核心筒结构框架部分的剪力就是以第i楼层的总地震层剪力的10%~18%（具体数值详本规范）来规定的.这本规范依据钱嫁茹、魏勇、蔡益燕、郁银泉、申林《钢框架-混凝土核心筒结构框架地震设计剪力标准值研究》（《建筑结构》2008年第3期）的研究而得来.陈富生、邱国桦、范重《高层建筑钢结构设计》P278页“框架总剪力的最小值”一段的论述也可以参考.我的感觉是从这些论文来看,取0.2倍基底总剪力似乎不妥,加之1.5Vf,max似乎概念更加模糊,设计大师胡庆昌的那篇文章应该很明确.相关论文下载如下：<双重体系中框架的剪力分担率>,<钢筋混凝土框剪结构抗震设计若干问题的探讨>,<高层建筑抗震设计中两种剪力调整的讨论>HiStruct尝试对论文进行一些分析：首先,看蔡益燕老师的文章,请大家首先要注意一点的是它将注意力放在钢框架剪力墙和框架核心筒结构中讨论,做过设计的朋友都知道这两个结构体系,底部框架部分分担的剪力比别说0.25Vi,0.2Vi了,就是0.1Vi都很难实现（Vi为层剪力）,这种情况下的一种观点（可以算上我）是认为0.1Vi都实现不了,就不应该叫做双重抗侧力体系；而另一种观点就是可以继续调整,那么怎么调整？用文章中提到了美国人的方法？--蔡益燕老师也说去掉核心筒之后剩下的框架如何保持结构稳定性还是个问题,更别提接下来的计算了和复核0.25V0了！HiStruct所知在国外的设计中强调抗力体系的概念,比如一个结构中抗侧力体系和抗竖向力体系是可以独立设计的,但是需要强调的是如果按照此文中的方法做,把核心筒去掉,剩下一个“独立”的外框架,怎么计算？如果想不通那么一定是咱们都没理解美国人的意思.为什么不回过头来反思,难道我们一定要按照美国人的思路来做吗？他们一定就对了吗？难道我们自己就不能主动去理解这个结构体系了？希望大家也都反思一下,其实pkpm专家的论文就值得读.话说回来在这之前我就看到过类似蔡老师提到的美国人的做法,就是胡老师文中提到的Dr.S.K.Ghosh的解释,只是我也一开始也不解,导致后来不想去解,那么各位中国的结构工程师们看完这些美国人的说法之后都打算怎么猜他们的意思呢？HiStruct推荐可以去读一篇文章《采用ETABS及美国规范设计境外某高层建筑结构的体会》易勇张蜀泸刘兰花冯远(中国建筑西南设计研究院有限公司).其次,请注意上述文章都是基于钢框架为主的,那么如果框架采用混凝土或者型钢混凝土呢？还能照搬这些专家们的意见吗？各位自己思考吧,本博客上关于框架剪力墙结构框架内力调整设计建议的文章,绝大部分是基于我觉得还不错的一些教材的资料,需要强调的是这些说法都不是普适性的理论.第三,在第一次做超高层框架核心筒结构的时候,HiStruct进行了大量的分析计算以了解框架剪力墙这个结构体系,因为是年轻人,所以在面对有争议的问题时,我更相信的是自己亲自弄出来的结论,当然那些自己做过的体会不是一篇博文就能说得清楚,其实调整系数这个问题在我的脑子中就是一个概念设计的强化措施而已,实际上抗震审查的专家有可能要求我们做得比规范严格得多,但是只要是概念朝着更安全的方向,就至少不是一种消极的态度.你可以把它做得很保守或者由于限额设计的要求要做的很经济,但是不管怎么样,建议各位自己心里一定要有个“数”.注：国外的做法可以参考,但是不建议照搬.今天翻了一下方鄂华老师的书,其中关于美国规范框架剪力墙双重体系的理解说得很好,记录下来供各位参考：地震作用下,当框架部分的设计层剪力不小于该层总剪力25%时作为双重体系,双重体系可认为具有很高的延性,即可以多折减设计地震力.而当框架负担的水平力小于25%时,美国规范的对策是(1)减小它的延性系数,即相对的提高设计地震力；(2)并且要求只考虑剪力墙或筒体独立承担100%的剪力(框架部分还按计算比例,不用调整),此时认为结构只是单重体系.由此可见方老师的说法与蔡、胡老师等,角度完全不同.HiStruct认为方老师的说法好理解,也更合理.赵西安老师的书上提到中国规范的0.2V0和1.5Vf,max双控是60-70年代提出的,当时主要是针对规则的结构体系,但是随着社会的发展,楼越来越高,体型越来越复杂,所以规范也跟着变化出现了分段调整的做法,并且这些内力调整的方法也在不断的探讨和更新.静力分析表明,对于框架剪力墙的中部和上部而言,一般框架部分的分担力比较大（可以超过0.2甚至0.25的每层地震力）,其实中部区域,框架一般会出现Vf,max,但是也不足以撼动剪力墙的主导地位,即框架还是须作为第二道防线之用,上部区域一般框架作用越来越大,所以框架很可能转为第一道防线,因此有观点认为此时框架（中上部）可不再调整了（比如建议用每层Vi来调整内力的观点,本质上就是不需要调中上部框架的内力）,HiStruct认为要不要做内力调整还是需要根据结构的具体受力情况而定,如讨论[1]中所叙述的.另,请大家注意的是,事实上很多的弹塑性时程分析都表明,尤其是超高层结构,受高阶振型的影响,顶部区域的核心筒或剪力墙通常是薄弱部位（由于设计墙厚等原因,很可能比底部更早屈服破坏）,这也就是HiStruct一直在强调虽然顶部框架在静力计算下主导,但是也要适当提高设计内力的根本原因,因为此时框架并不会早于墙而破坏！当然地震作用下的实际情况如何无法说清楚,不过做强剪力墙或者做强框架是必要的.再往下看结构的下部区域,其实对于框架剪力墙的下部区域而言采用Vi和采用V0差别并不会很大,采用V0相对更保守一点.HiStruct注：这段时间连续发出几篇文章,希望能将框架剪力墙结构体系的认识和设计体会说得清楚一些.新的抗震设计规范审查稿GB50011-20XX已经出来,从中可以发现变化之处有很多,HiStruct推荐各位好好读读,其中就包括了咱们一直有争议的框架剪力墙结构框架内力调整方法.具体的新条文和说明如下：6.2.13钢筋混凝土结构抗震计算时,尚应符合下列要求：1.侧向刚度沿竖向分布基本均匀的框架-抗震墙结构和框架-核心筒结构,任一层框架部分按侧向刚度分配的地震剪力应乘以增大系数,其值不宜小于 1.15且不应小于结构底部总地震剪力的20％和按框架–抗震墙结构、框架-核心筒结构侧向刚度分配的框架部分各楼层地震剪力中最大值1.5倍二者的较小值.…………[说明]：本条有两处修改,其一,关于普通的框架-抗震墙结构的剪力调整系数,其二,少墙框架的计算.按照框剪结构多道防线的概念设计要求,墙体是第一道防线,设防烈度、罕遇地震下先于框架破坏,由于塑性内力重分布,框架部分按侧向刚度分配的剪力必须加大；即使按框架与抗震墙协同工作分析,结构上部1/3~1/2的楼层,框架部分按侧向刚度分配的楼层剪力可能大于墙体,也应考虑内力重分布适当增大.我国80年代1/3比例的空间框剪结构模型反复荷载试验及试验模型的弹塑性分析表明：保持楼层侧向位移协调的情况下,弹性阶段框架仅承担不到5%的总剪力；随着墙体开裂,框架承担的剪力逐步增大；当墙体端部的纵向钢筋开始受拉屈服时,框架承担大于20%总剪力；墙体压坏时框架承担大于33%的总剪力.2001版的规定与89版的规定相同,多遇地震下弹性阶段20%的总剪力,当结构在罕遇地震下墙体损坏导致的墙体与框架之间地震剪力重分布,则框架承担的剪力远大于20%.因此,继续保持2001版的规定是最低的要求,本次修订拟明确：“任一层框架部分按侧向刚度分配的地震剪力应乘以增大系数”.89版、2001版增大系数的规定,取较小值是为了避免仅有少量框架的框剪结构的框架调整系数过大,但当上部楼层按刚度分配大于总剪力20%时不需调整,没有体现多道防线,故拟增加按刚度分配的 1.15倍考虑多道防线.近来有一种意见,认为上部各层的框架部分只需承担不少于本层剪力的20%.只在剪力墙结构体系中设置个别框架(仍作为剪力墙体系看待)的情况是合适的；对一般的框剪体系,则这种观点忽略了剪力墙与框架变形特征的不同和协同工作的计算结果,忽视了多道防线的要求,故不予采纳.HiStruct解读：首先,框架部分的最小剪力调整系数1.15正如条文[说明]中所解释的一样,规范审查稿否定了那一种认为上部各层的框架部分只需承担不少于本层剪力的20%（25%）,而不必再调整的意见,给出的解释是“没有体现多道防线”和“忽略了剪力墙与框架变形特征的不同和协同工作”.HiStruct前面所分析的主要认为框剪结构中上部框架部分可能已经转为结构第一阶段的主要受力部分,并且由于高阶振型的影响（反应谱可能估算不足）,上部的墙体也容易开裂,继续转移内力,还是需要强调框架后备作用,因此上部框架也必须调整.因此同意审查稿的方法,从总体上对于外框架内力调整系数提出了下限值.其次,89和2001规范此条规定的试验和理论结果80年代1/3比例的空间框剪结构模型反复荷载试验及试验模型的弹塑性分析的结论是咱们国家89和2001规范的条文依据,这与美国UBC的结论稍有不同,但也近似.并且近年来很多超高层的弹塑性分析表明,框架-核心筒结构按照弹性刚度分配,外框架底部实际上难以分担到很多剪力,一般5%-10%,甚至更低都有,但是随着核心筒的开裂损伤,底部外框架所承担的剪力迅速增加,当墙体端部的纵向钢筋开始受拉屈服时达到20%左右是完全有可能的,并且从大震下的破坏分析来看,外框架一般最晚开始屈服,且进入塑性的水平并不高,实际上合理的设计是可以起到二道防线的作用,当然前提就是刚度不足,要用强度来补,内力调整系数不应有上限！STAWE设置2为上限的做法不合理.第三,其他一些双重体系的内力调整规定6.6.3板柱-抗震墙结构的抗震计算,应符合下列要求：1.房屋高度大于24m时,抗震墙应承担结构的全部地震作用；房屋高度不大于24m时,抗震墙宜承担全部地震作用.各层板柱和框架部分的地震剪力,除满足按侧向刚度分配值外,应能承担不少于本层地震作用（？）的20%且不小于最大计算层剪力的 1.2倍.6.7.1框架-核心筒结构应符合下列要求：2.除加强层及其相邻上下层外的任一楼层,框架按其侧向刚度分配的最大地震剪力,不宜小于整个结构总地震剪力的15%（？）.8.2.3.3钢框架-支撑结构的斜杆可按端部铰接杆计算；框架部分按刚度分配计算得到的地震层剪力应乘以增大系数.其值不小于 1.15且不小于结构总地震剪力25%和框架部分计算最大层剪力1.8倍的较小值.[说明]：本款修订依据多道防线的概念设计,框架-支撑体系中,支撑框架是第一道防线,在强烈地震中支撑先屈服,内力重分布使框架部分承担的地震剪力必需增大,二者之和应大于弹性计算的总剪力；如果调整的结果框架部分承担的地震剪力不适当增大,则不是“双重体系”而是按刚度分配的结构体系.美国IBC规范中,这两种体系的延性折减系数是不同的,适用高度也不同.日本在钢支撑-框架结构设计中,去掉支撑的纯框架按总剪力的40%设计,远大于25%总剪力.因此,建议,即使框架部分按计算分配的剪力大于结构总剪力的25%,也至少按框架最大计算层剪力的1.15倍调整,以实现一定的二道防线.近来,有一种意见认为,1997UBC规定双重体系的框架部分应至少承担底部总剪力的25%,2000IBC改为框架部分应至少承担设计力(design forces)的25%,且按刚度分配.咨询美方来华专家的意见,认为设计力是指层剪力,因此建议本款改为框架部分只承担不小于本层地震剪力的25%.这种意见忽略了多道防线的重要概念,也不符合纯框架与支撑框架二者变形协同工作的分析结果,对于大震下的结构是不安全的,故未采纳.G2.3.2钢框架部分按刚度计算分配的地震剪力,不宜小于结构总地震剪力的12%（？）.[说明]：本条规定了钢框架-钢筋混凝土核心筒结构体系设计中不同于混凝土结构、钢结构的一些基本要求：1.近年来的试验和计算分析,对钢框架部分应承担的最小地震作用有些新的认识：框架部分承担一定比例的地震作用是非常重要的,如果钢框架部分按计算分配的地震剪力过少,则混凝土墙体、筒体的受力状态和地震下的表现与普通钢筋混凝土结构几乎没有差别,甚至混凝土墙体更容易破坏.清华大学土木系选择了一幢国内的钢框架-混凝土核心筒结构,变换其钢框架部分和混凝土核心筒的截面尺寸,并将它们进行不同组合,分析了共20个截面尺寸互不相同的结构方案,进行了在地震作用下的受力性能研究和比较,提出了钢框架部分剪力分担率的设计建议.考虑钢框架-钢筋混凝土核心筒的总高度大于普通的钢筋混凝土框架-核心筒房屋,为给混凝土墙体楼有一定的安全储备,按钢框架分配的地震剪力乘以增大系数1.8后稍大于总地震剪力20%,则得到本条推荐的钢框架按刚度分配的最小地震作用.G2.4.2钢框架部分除伸臂加强层及相邻楼层外的任一楼层按计算分配的地震剪力应乘以不小于1.15的增大系数,且不小于结构总地震剪力的25%和最大楼层地震剪力1.8倍二者的较小值.由地震作用产生的该楼层框架各构件的剪力、弯矩和轴力（？）计算值均应进行相应调整.[说明]：本条规定了抗震计算中,不同于钢筋混凝土结构的要求：1.混合结构的阻尼比,取决于混凝土结构和钢结构在总变形能中所占比例的大小.采用振型分解反应谱法时,不同振型的阻尼比可能不同.当简化估算时,可取0.045.2.根据多道抗震防线的要求,钢框架部分应按其刚度承担一定比例的楼层地震力.按美国IBC2006规定,凡在设计时考虑提供所需要的抵抗地震力的结构部件所组成的体系均为抗震结构体系.其中,由剪力墙和框架组成的结构有以下三类：①双重体系是“抗弯框架(moment frame)具有至少提供抵抗25%设计力(design forces)的能力,而总地震抗力由抗弯框架和剪力墙按其相对刚度的比例共同提供”；由中等抗弯框架和普通剪力墙组成的双重体系,其折减系数R=5.5,不许用于加速度大于0.20g的地区.②在剪力墙-框架协同体系中,“每个楼层的地震力均由墙体和框架按其相对刚度的比例并考虑协同工作共同承担”；其折减系数也是R=5.5,但不许用于加速度大于0.13g的地区.③当设计中不考虑框架部分承受地震力时,称为房屋框架(building frame)体系；对于普通剪力墙和建筑框架的体系,其折减系数R=5,不许用于加速度大于0.20g的地区.关于双重体系中钢框架部分的剪力分担率要求,美国UBC85已经明确为“不少于所需侧向力的25%”,在UBC97是“应能独立承受至少25%的设计基底剪力”.我国在2001抗震规范修订时,第8章多高层钢结构房屋的设计规定是“不小于钢框架部分最大楼层地震剪力的1.8倍和25%结构总地震剪力二者的较小值”.因此,在保持规范延续性的基础上,本条拟规定调整后钢框架承担的剪力至少增加15%HiStruct注：由于结构体系的不同,抗震设计规范审查稿中,对于外框架（外支撑）提出了不同的内力条件系数和条件,但是HiStruct认为除了6.2.13条外,其中依然有些内力调整系数的用词和调整方法不统一,且有些控制调整系数的依据也不足.。
中国_76061190_其他非合金铝矩形板、片,厚度超过0.2毫米(2003-2013)出口量及出口额
数据样本如下： 出口额_月度_基础 值 单位 2013年12月 2013年11月
2013年10月 …… 2013年01月 2012年12月 2012年05月 …… …… 2003年09月 …… 2003年01月 XX 美元 2013年10月 XX 2013 美元年10月 XX 美元 XX 美元 XX 美元 XX 美元 XX 美元 XX 美元 XX 美元 XX 美元 XX 美元 XXX 千克 XX 千克 XX 千克 XX 千克 XX 千克 XX 千克 XX 千克 XX 双 XX 双 XX 双
1778717.00 公斤 1966015.00 公斤 2204924.00 公斤 2629452.00 公斤 2385413.00 公斤 2353821.00 公斤 2256871.00 公斤 2401606.00 公斤 2663238.00 公斤 2466422.00 公斤 2736120.00 公斤 3559980.00 公斤 3289406.00 公斤 1949106.00 公斤 3202845.00 公斤 4201573.00 公斤 4137119.00 公斤 4639497.00 公斤 4861695.00 公斤 6356384.00 公斤 6115261.00 公斤 5319985.00 公斤 6536749.00 公斤 6248136.00 公斤 4626192.00 千克 4760192.00 千克
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中国_76069100_其他非合金铝板、片及带,厚度超过0.2毫米(2003-2013)出口量及出口额
数据样本如下： 出口额_月度_基础 值 单位 2013年12月 2013年11月
2013年10月 …… 2013年01月 2012年12月 2012年05月 …… …… 2003年09月 …… 2003年01月 XX 美元 2013年10月 XX 2013 美元年10月 XX 美元 XX 美元 XX 美元 XX 美元 XX 美元 XX 美元 XX 美元 XX 美元 XX 美元 XX 美元 出口数量_月度_基 础值 单位 XX 千克 XX 千克 XX 千克 XX 千克 XX 千克 XX 千克 XX 千克 XX 千克 XX 千克 XX 双 XX 双 XX 双
1145534.50 美元 1916165.90 美元 1847217.00 美元 1027848.00 美元 3056613.20 美元 3693985.00 美元 3109901.00 美元 3240765.00 美元 1873389.00 美元 3523256.00 美元 2550653.00 美元 2897559.00 美元 3199010.00 美元 1276712.00 美元 3184786.00 美元 3107868.00 美元 3573707.00 美元 4955682.00 美元 2876707.00 美元 3990126.00 美元 3806154.00 美元 3252249.00 美元 3628318.00 美元 3241711.00 美元 3563662.00 美元 7112739.00 美元
出口数量_月度_基础值 单位 302948.00 公斤 251213.00 公斤 435324.00 公斤 652425.00 公斤 435619.00 公斤 64432.00 公斤 174851.00 公斤 87621.00 公斤 121029.00 公斤 289966.00 公斤 86258.00 公斤 163282.00 公斤 184722.00 公斤 110384.00 公斤 291152.00 公斤 490945.00 公斤 280218.00 公斤 439903.00 公斤 395038.00 公斤 425453.00 公斤 375777.00 公斤 786755.00 公斤 767198.00 公斤 774615.00 公斤
0.2V0调整
框架剪力墙结构0.2V0和Vf,max内力调整的概念和设计建议有人问为什么0.2V0是取结构底部而不是每层的剪力，并且不是少数人对此有疑惑，因此HiStruct 将对此问题进行详细分析，以加深大家对框架剪力墙结构的理解。
首先，来看看规范是如何执行这个内力调整的：根据高规和抗规的规定：抗震设计时，框架-剪力墙结构中剪力墙的数量必须满足一定要求。
这就是说，在地震作用时剪力墙作为第一道防线承担了大部分的水平力。
但这并不意味着框架部分可以设计得很弱。
相反，框架部分作为第二道防线必须具备一定的抗侧力能力，这就需要在计算时，对框架部分所承担的剪力进行调整。
在高规中，对Vf <0.2V0的楼层，设计时Vf 取 1.5Vf,max和0.2V0 的较小值。
V0为地震作用产生的结构底部总剪力，Vf,max为各层框架所承担的总剪力中的最大值。
这种调整方法对于框架柱沿竖向的数量变化不大的情况是合适的，但是对于那些框架柱沿竖向的数量变化较大的建筑，这样调整会造成上部楼层框架柱所承担的剪力明显偏大，是不合理的。
因此，高规规定：对框架柱数量从下至上分段有规律变化的结构，当Vf<0.2V0 时，V0应取每段最下一层结构对应于地震作用标准值的总剪力；Vf,max 应取每段中对应于地震作用。
其次，理解为什么要进行框架部分的内力调整，我想几乎所有的结构工程师都大概的知道这是为了保证框架作为结构二道防线之用。
那么详细分析起来会是如何呢？首先来看典型框架剪力墙的内力分配图（此图为解析推导，与实际情况稍有出路，可以参考理论推导的假设，但是基本规律是合适的）。
由图可见在结构的底部剪力墙需承担大部分的内力，变形上是剪力墙小而框架大，因此剪力墙在此部分起到主导的作用，即第一道防线，若在外力作用下剪力墙屈服则将转移很大的内力给框架，此时只按弹性分析设计出来的框架将无法承担这部分由墙转移出来的作用而破坏，因此我们需要提高底部区域框架的设计内力以实现它的二道防线功能。
2屈服强度的测定
二、屈服强度σ0.2的测定一、概述金属材料的屈服点（屈服强度）是工程实际中广泛应用的一个重要强度性能指标。
对于没有明显屈服现象的金属材料，通常固定以产生0.2%残余应变时的应力（称为规定残余伸长应力）作为这类材料的屈服点，故又称为名义屈服极限、屈服强度等，用σ0.2表示。
二、实验目的：1.学会测定无明显屈服阶段材料的名义屈服极限的原理和方法；2.测定45钢的规定残余伸长应力σ0.2；3.学习试验机和相关仪器的操作使用。
三、实验仪器，材料：电子万能试验机，引伸计，游标卡尺，拉伸试样四、实验原理国标GB228-87《金属拉伸试验方法》规定，σ0.2表征试样卸除拉伸力后，其标距部分的残余伸长达到规定的原始标距长度的0.2%时的应力，简称为规定残余伸长应力。
表达式为：σr0.2=F r0.2A0⁄式中，F r0.2为规定产生0.2%的残余伸长力，A0为试样平行长度部分的原始横截面面积。
金属材料规定残余伸长应力σ0.2和屈服点一样，表征材料开始塑性变形时的应力。
其测试方法可分为图解法和引伸计（卸力）法。
1、图解法测σ0.2时，需要借助试验机上的自动绘图装置做出载荷F与伸长△L的关系曲线图。
如图1所示。
为了确保其测量精度，要求力轴每毫米所代表的应力一般不大于10N/mm2 ，曲线的高度应使F r出于力轴量程的1/2以上。
伸长放大倍数的选择应使图中的OC段的长度不小于5mm。
然后，在绘出的F-△L曲线图上，自弹性直线段与伸长轴的交点O起，在伸长轴上截取一相应于规定非比例伸长的OC段，即OC=L r×K×0.2%=KL rεr其中L r为图1 图解法测定σ0.2引伸计标距，K为引伸计放大倍数，εr为残余伸长应变，即等于0.2%。
然后过C点做弹性直线段的平行线CA交曲线于A点，则A点对应的拉力F r即为所测规定残余伸长相对应的F r0.2。
根据F r0.2可计算出规定残余伸长应力σ0.2。
此法是一次加载后，即可求出σ0.2，但要求有高精度的自动测绘设备，例如电子万能试验机（力传感器、位移传感器及记录绘图装置等）才能保证其测量精度要求。
0.2mm考核标准
满分值
100 20 2 3 2 3 4 4 2 30 10 10 10 5 15 6 5 4 20 20 10
扣分记录
0.2mm样品考核表
煤样制备
1、制样操作 ⑴操作前准备 更换工作服和专用鞋 明确制样方案 根据制样要求熟悉检查设备、场地、工具 检查磅秤、台秤的零点 询问煤样是否达到空气干燥状态 称量检查样品质量 检查样品标签、核对煤样的煤种，称量记录总样质量 ⑵样品制备过程 制粉前用磁铁将煤样中铁屑吸去 破碎操作：操作符合下列要求不扣分：①设备选取使用正确 ②设备清扫干净，清扫时断电 ③时间控制合理设备无粘堵；出现不符合上述任一条要求现象扣3分/次。 筛分操作：操作符合下列要求不扣分：①设备清扫干净 ②标准筛选取使用正确；③筛分彻底 每出现不符合上述任一条要求现象扣3分/次。 ⑶样品制备完毕：制样后清扫场地，工具归位 2、样品标签 填写完整：信息量足够写标签内容完整如下不扣分：煤样名称、制样时间、煤样编码、样品重量、 煤的品种、制样人员。每少一项扣1分。 在煤样达到空气干燥状态后，装入煤样瓶中，不得超过瓶子的3/4 记录清晰：不涂改，正确更改，数据保留位数合理。 3、样品重量 称量0.2mm样品重量，损失煤样量小于1%合格，1%<损失量<2%扣10分。损失量>2%扣20分。 4、时间(30min),完扣1分
浅谈框架-剪力墙结构中0.2V0调整的具体应用
浅谈框架-剪力墙结构中0.2V0调整的具体应用牟京芳（中国建筑标准设计研究院北京 100044）1 问题的提出和分析根据《高层建筑混凝土结构技术规程》（简称高规）和《建筑抗震设计规范》（简称抗规）的规定：抗震设计时，框架-剪力墙结构中剪力墙的数量必须满足一定要求。
这就是说，在地震作用时剪力墙是作为第一道防线承担了大部分的水平力。
但这并不意味着框架部分可以设计得很弱。
相反，框架部分作为第二道防线必须具备一定的抗侧力能力，这就需要在计算时，对框架部分所承担的剪力进行调整。
在91版的高规（JGJ3－91）中，对V f <0.2V0的楼层，设计时V f取1.5V f,max和0.2V0 的较小值。
V0为地震作用产生的结构底部总剪力，V f,max为各层框架所承担的总剪力中的最大值。
这种调整方法对于框架柱沿竖向的数量变化不大的情况是合适的，但是对于那些框架柱沿竖向的数量变化较大的建筑，这样调整会造成上部楼层框架柱所承担的剪力明显偏大，是不合理的。
因此，02版高规（JGJ3－2002）8.1.4条规定：对框架柱数量从下至上分段有规律变化的结构，当V f<0.2V0时，V0应取每段最下一层结构对应于地震作用标准值的总剪力；V f,max 应取每段中对应于地震作用标准值且未经调整的各层框架承担的地震总剪力中的最大值。
对框架柱数量沿竖向变化更复杂的情况，还应专门研究框架柱剪力的调整方法。
2 工程实例西安某医院，建筑面积60000m2。
主楼地下2层，地上26层，高98.85m；裙房地下2层，地上7层，高度28.3m。
主楼和裙房均采用全现浇框架-剪力墙结构，基础为普通钢筋混凝土灌注桩。
抗震设防烈度为8度，Ⅱ类场地。
采用SATWE软件计算，并用ETABS 软件进行复核。
工程平面见图1, 2。
计算时嵌固部位定在±0.000处。
结果表明，框架柱的倾覆弯矩百分比各层均小于50%，基本在10%～35%之间，这说明剪力墙的数量满足高规的要求。
0.2井喷事故案例
83年 29日 50分起油管时 分起油管时， 沙层组的天然气抽喷 抽喷， 83年4月29日0：50分起油管时，将S2沙层组的天然气抽喷， 抽油杆喷出，井口失控。从表层周围窜水喷气， 抽油杆喷出，井口失控。从表层周围窜水喷气，井口周围很 快形成直径20多米大坑 采油厂组织多次抡装井口， 快形成直径20多米大坑，采油厂组织多次抡装井口，企图强 20多米大坑， 行压井均未成功。 行压井均未成功。
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处理井喷失控的基本做法
救援井压井止喷法 当地面压井无效时， 就必须钻救援井。 当地面压井无效时 ， 就必须钻救援井 。 以胜利油田打救援井制服永69－ 井井 以胜利油田打救援井制服永 － 1井井 喷为例
永69-1井（喷井） 井 喷井）
主季风方向
0
永69-1救援井 救援井
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处理井喷失控的基本做法 剖面设计： ②. 剖面设计： 采用达到喷层最短距离的剖面设 使施工周期尽可能短。 计，使施工周期尽可能短。 (考虑喷层渗透性) 考虑喷层渗透性) ③.轨迹控制精度要高（打准） 轨迹控制精度要高（打准） 老井全井井斜数据弄清， 并计 老井全井井斜数据弄清 ， 算出喷井在S25的空间位置 的空间位置。 算出喷井在 S25 的空间位置 。 进行 磁偏角的校正。 磁偏角的校正。 及时测量轨迹数据， 及时测量轨迹数据 ， 及时调整 井眼轨迹。 井眼轨迹。 November 5, 2011
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处理井喷失控的基本做法
1、69－1井井喷简况： 69－ 井井喷简况： 69－ 井位于胜利油田永68 68－ 断块， 永69－1井位于胜利油田永68－1断块，80 日完井。 年9月5日完井。 井深1630.25m 完钻地层为S 井深1630.25m，完钻地层为S3段。 1630 井身结构： 井身结构： 表层下深53 17m 53. 103/8〞表层下深53.17m 5 1 / 2〞 油 层 套 管 72mm 1582.69m 水泥返高900 mm× 900m J55×7.72mm×1582.69m×水泥返高900m
变形0.2%点
变形0.2%点
0.2指的是0.2%偏移点，是材料在拉伸过程中发生塑性变形的起始点。
在应力-应变曲线上，0.2%偏移点是指应变增加0.2%时，应力开始增加的点。
对于没有明显屈服阶段的塑性材料，如铜和铝等，没有屈服点可以用来确定屈服强度，因此通常会使用0.2%偏移点来确定材料的屈服强度。
通常，0.2%偏移点是通过拉伸试验来测量的，可以用来评估材料的塑性变形能力和强度。
如果应力一直增加而没有出现明显的屈服阶段，可以在应变增加0.2%的位置上测量材料的应力值作为屈服点。
这个方法是通过偏移材料的弹性区域来确定屈服点，因为塑性材料的弹性区域很小，而屈服点是材料开始产生塑性变形的地方，因此需要使用一种能够准确确定屈服点的方法。
0.2化成分数
0.2化成分数
0.2化成分数是：五分之一。
解析：首先将0.2化成分母为10的分数，然后找出公约数进行约分即可。
0.2=2/10（化成分母为10的分数）=（2÷2）/（10÷2）（用公约数2进行约分）=1/5
分数化小数：
（1）、分数化为纯循环小数。
一个最简分数能化为纯循环小数的充分必要条件是分母的质因数里没有2和5，其循环节的位数等于能被该最简分数的分母整除的最小的形式的数中9的个数。
（2）、分数化为混循环小数。
一个最简分数能化为混循环小数的充分必要条件是分母既含有质因数2或5，又含有2和5以外的质因数。
二进制与十进制的转换
一、正整数的十进制转换二进制：要点：除二取余，倒序排列解释：将一个十进制数除以二，得到的商再除以二，依此类推直到商等于一或零时为止，倒取将除得的余数，即换算为二进制数的结果例如把52换算成二进制数，计算结果如图：52除以2得到的余数依次为：0、0、1、0、1、1，倒序排列，所以52对应的二进制数就是110100。
由于计算机内部表示数的字节单位都是定长的，以2的幂次展开，或者8位，或者16位，或者32位....。
于是，一个二进制数用计算机表示时，位数不足2的幂次时，高位上要补足若干个0。
本文都以8位为例。
那么：(52)10=(00110100)2二、负整数转换为二进制要点：取反加一解释：将该负整数对应的正整数先转换成二进制，然后对其“取补”，再对取补后的结果加1即可例如要把-52换算成二进制：1.先取得52的二进制：001101002.对所得到的二进制数取反：110010113.将取反后的数值加一即可：11001100即：(-52)10=(11001100)2三、小数转换为二进制要点：乘二取整，正序排列解释：对被转换的小数乘以2，取其整数部分(0或1)作为二进制小数部分，取其小数部分，再乘以2，又取其整数部分作为二进制小数部分，然后取小数部分，再乘以2，直到小数部分为0或者已经去到了足够位数。
每次取的整数部分，按先后次序排列，就构成了二进制小数的序列例如把0.2转换为二进制，转换过程如图：0.2乘以2，取整后小数部分再乘以2，运算4次后得到的整数部分依次为0、0、1、1，结果又变成了0.2，若果0.2再乘以2后会循环刚开始的4次运算，所以0.2转换二进制后将是0011的循环，即：(0.2)10=(0.0011 0011 0011 .....)2循环的书写方法为在循环序列的第一位和最后一位分别加一个点标注四、二进制转换为十进制：整数二进制用数值乘以2的幂次依次相加，小数二进制用数值乘以2的负幂次然后依次相加！比如将二进制110转换为十进制：首先补齐位数，00000110，首位为0，则为正整数，那么将二进制中的三位数分别于下边对应的值相乘后相加得到的值为换算为十进制的结果如果二进制数补足位数之后首位为1，那么其对应的整数为负，那么需要先取反然后再换算比如11111001，首位为1，那么需要先对其取反，即：-0000011000000110,对应的十进制为6，因此11111001对应的十进制即为-6换算公式可表示为:11111001=-00000110=-6如果将二进制0.110转换为十进制：将二进制中的三位数分别于下边对应的值相乘后相加得到的值为换算为十进制的结果。
0.2与0.2S的区别
电流互感器额定二次电流的确定，应保证其在正常运行中的实际负荷达到额定值的60%左右，至少应不小于30%。
当实际负荷电流小于30%时，应采用二次绕组具有抽头的多变比电流互感器，或0.5S，0.2S级电流互感器。
带S级的如0.2S和0.5S级电流互感器着重用于与特殊电度表连接，这些电度表在0.05—6A之间，及额定电流5A的1%—120%之间的某一电流下能够准确
计量。
0.2S和0.2级都是同一精度的CT。
但S级在轻负载（<10%)时一样可以达到精度要求，不带S级的CT要在负载达到30%时才能达到精度要求！特别是0.2S 级主要用于负荷变动范围比较大，而有时又几乎空载的场合。
换句话说，0.2级的电流互感器当电路中电流达到额定电流的10%以上时能达到0.2的准确度等级，而宽量程的0.2S级电流互感器当电路中电流达到1%以上时就能达到0.2的
准确度等级！
请参看GB1208—2006中对S级的界定：0.2S级在1%额定电流时误差不能超过正负0.75%，而0.2级在5%额定电流时的电流误差不能超过正负0.75%。
s表示小电流情况下保持测量精度。
”虽然0.2和0.2S的是一个精度等级，但是在小电流时，0.2级的互感器就不能保证精度。
零点2毫米参照物
零点2毫米参照物
0.2毫米差不多有两根头发絲那么粗。
我们知道，米、分米、厘米、毫米、微米等都是长度单位，它们每相邻两个长度之间都是十进制的。
0.2毫米的长度就是2微米。
一微米相当于一根头发的粗，2微米就相当于2根头发絲那么粗。
0.2毫米相当于2到4根头发。
每根头发的直径是0.05至0.1，也就是说0.2毫米，相当于2到4根的头发。
毫米又称公厘，是长度单位和降雨量单位
英文缩写MM，十毫米相当于一厘米，长度单位是指丈量空间距离上的基本单元，是人类为了规范长度而制定的基本单位。
0.2mm有0.0002米深
0.2毫米(mm)=0.0002米
mm是单位毫米，是0.001米。
毫米，又称公厘（或公釐），是长度单位和降雨量单位，英文缩写mm。
10毫米相当于1厘米，100毫米相当于1分米,1000毫米相当于1米（此即为毫的字义）。
关于毫米的进率：
1毫米=0.1厘米；1mm=0.1cm
=0.01分米；=0.01dm
=0.001米；=0.001m
=0.000001千米=0.000001km = 1 000 微米(μm)
=1 000 000纳米（nm）。
GD25Q32_Rev0.2
FEATURES◆ 32M-bit Serial Flash ◆Program/Erase Speed-4096K-byte -Page Program time: 0.7ms typical-256 bytes per programmable page -Sector Erase time: 50ms typical-Block Erase time: 0.2/0.28s typical◆Standard, Dual, Quad SPI -Chip Erase time: 20s typical-Standard SPI: SCLK, CS#, SI, SO, WP#, HOLD#-Dual SPI: SCLK, CS#, IO0, IO1, WP#, HOLD# ◆Flexible Architecture-Quad SPI: SCLK, CS#, IO0, IO1, IO2, IO3 -Sector of 4K-byte-Block of 32/64k-byte◆High Speed Clock Frequency-100MHz for fast read with 30PF load ◆Low Power Consumption-Dual I/O Data transfer up to 160Mbits/s -20mA maximum active current-Quad I/O Data transfer up to 320Mbits/s -5uA maximum power down current◆Software/Hardware Write Protection ◆ Advanced security Features(1)-Write protect all/portion of memory via software -16-Bit Customer ID-Enable/Disable protection with WP# Pin -Security Architecture-Top or Bottom, Sector or Block selection -4*256-Byte Security Registers With OTP Lock◆Single Power Supply Voltage ◆ Minimum 100,000 Program/Erase Cycles-Full voltage range:2.7~3.6VNote: 1.Please contact Gigadevice for details.GENERAL DESCRIPTIONThe GD25Q32 (32M-bit) SPI flash supports the standard Serial Peripheral Interface (SPI), and supports the Dual/Quad SPI: Serial Clock, Chip Select, Serial Data I/O0 (SI), I/O1 (SO), I/O2 (WP#), and I/O3 (HOLD#). The Dual I/O data is transferred with speed of 160Mbits/s and the Quad I/O & Quad output data is transferred with speed of 320Mbits/s.CONNECTION DIAGRAMCS# SOVSSVCCH OLD#SCLKSI8–LEAD SOP/DIPPIN DESCRIPTIONPin Name I/O DescriptionCS# I Chip Select InputSO (IO1) I/O Data Output (Data Input Output 1)WP# (IO2) I/O Write Protect Input (Data Input Output 2) VSS GroundSI (IO0) I/O Data Input (Data Input Output 0)SCLK I Serial Clock InputHOLD# (IO3) I/O Hold Input (Data Input Output 3)Supply VCC PowerMEMORY ORGANIZATIONGD25Q32Each device has Each block has Each sector has Each page hasbytes 4M 64/32K 4K 25616K 256/128 16 - pagessectors 1024 16/8 - -blocks 64/128 - - -UNIFORM BLOCK SECTOR ARCHITECTUREGD25Q32 64K Bytes Block Sector Architecturerange Block Sector Address1023 3FF000H 3FFFFFH63…… …… ……1008 3F0000H 3F0FFFH1007 3EF000H 3EFFFFH62…… …… ……3E0FFFH992 3E0000H…… …… ……………… …… ………… …… ………… …… ……………… …… ………… …… ……02FFFFH47 02F000H2…… …… ……020FFFH32 020000H01FFFFH31 01F000H1…… …… ……010FFFH16 010000H00FFFFH15 00F000H…… …… ……000FFFH0 000000HDEVICE OPERATIONSPI ModeStandard SPIThe GD25Q32 features a serial peripheral interface on 4 signals bus: Serial Clock (SCLK), Chip Select (CS#), Serial Data Input (SI) and Serial Data Output (SO). Both SPI bus mode 0 and 3 are supported. Input data is latched on the rising edge of SCLK and data shifts out on the falling edge of SCLK.Dual SPIThe GD25Q32 supports Dual SPI operation when using the “Dual Output Fast Read” and “Dual I/O Fast Read” (3BH and BBH) commands. These commands allow data to be transferred to or from the device at two times the rate of the standard SPI. When using the Dual SPI command the SI and SO pins become bidirectional I/O pins: IO0 and IO1.Quad SPIThe GD25Q32 supports Quad SPI operation when using the “Quad Output Fast Read”,” Quad I/O Fast Read”, “Quad I/O Word Fast Read” (6BH, EBH, E7H) commands. These commands allow data to be transferred to or from the device at four times the rate of the standard SPI. When using the Quad SPI command the SI and SO pins become bidirectional I/O pins: IO0 and IO1, and WP# and HOLD# pins become IO2 and IO3. Quad SPI commands require the non-volatile Quad Enable bit (QE) in Status Register to be set.HoldThe HOLD# signal goes low to stop any serial communications with the device, but doesn’t stop the operation of write status register, programming, or erasing in progress.The operation of HOLD, need CS# keep low, and starts on falling edge of the HOLD# signal, with SCLK signal being low (if SCLK is not being low, HOLD operation will not start until SCLK being low). The HOLD condition ends on rising edge of HOLD# signal with SCLK being low (If SCLK is not being low, HOLD operation will not end until SCLK being low).The SO is high impedance, both SI and SCLK don’t care during the HOLD operation, if CS# drives high during HOLD operation, it will reset the internal logic of the device. To re-start communication with chip, the HOLD# must be at high and then CS# must be at low.Figure1. Hold ConditionData ProtectionThe GD25Q32 provide the following data protection methods:◆ Write Enable (WREN) command: The WREN command is set the Write Enable Latch bit (WEL). The WEL bit willreturn to reset by the following situation:-Power-Up-Write Disable (WRDI)-Write Status Register (WRSR)-Page Program (PP)-Sector Erase (SE) / Block Erase (BE) / Chip Erase (CE)◆ Software Protection Mode: The Block Protect (BP4, BP3, BP2, BP1, BP0) bits define the section of the memoryarray that can be read but not change.◆ Hardware Protection Mode: WP# going low to protected the BP0~BP4 bits and SRP0~1 bits.◆ Deep Power-Down Mode: In Deep Power-Down Mode, all commands are ignored except the Release from DeepPower-Down Mode command.Table1.0 GD25Q32 Protected area size (CMP=0)Status Register Content Memory ContentBP4 BP3 BP2 BP1 BP0 Blocks Addresses Density PortionX X 0 0 0 NONE NONE NONENONE1/640 0 0 0 1 63 3F0000H-3FFFFFH 64KB Upper1/32Upper0 0 0 1 0 6263 3E0000H-3FFFFFH 128KBto1/16Upper63 3C0000H-3FFFFFH 256KB0 0 0 1 1 60to63 380000H-3FFFFFH 512KB1/8Upperto0 0 1 0 0 5663 300000H-3FFFFFH 1MB Upper1/4to0 0 1 0 1 4863 200000H-3FFFFFH 2MB Upper1/2to0 0 1 1 0 321/640 1 0 0 1 0 000000H-00FFFFH 64KB Lower0 1 0 1 0 01/321 000000H-01FFFFH 128KB Lowerto1/163 000000H-03FFFFH 256KB Lower0 1 0 1 1 0to1/87 000000H-07FFFFH 512KB Lowerto0 1 1 0 0 015 000000H-0FFFFFH 1MB Lower1/4to0 1 1 0 1 031 000000H-1FFFFFH 2MB Lower1/2to0 1 1 1 0 063 000000H-3FFFFFH 4MB ALLtoX X 1 1 1 0Block1 0 0 0 1 63 3FF000H-3FFFFFH 4KBTopBlock1 0 0 1 0 63 3FE000H-3FFFFFH 8KB TopBlock1 0 0 1 1 63 3FC000H-3FFFFFH 16KB TopBlock1 0 1 0 X 63 3F8000H-3FFFFFH 32KB TopBlock1 0 1 1 0 63 3F8000H-3FFFFFH 32KB Top1 1 0 0 1 0 000000H-000FFFH 4KB BottomBlockBlock1 1 0 1 0 0 000000H-001FFFH 8KB BottomBlock1 1 0 1 1 0 000000H-003FFFH 16KB Bottom1 1 1 0 X 0 000000H-007FFFH 32KB BottomBlockBlock1 1 1 1 0 0 000000H-007FFFH 32KB BottomTable1.0 GD25Q32 Protected area size (CMP=1)Status Register Content Memory ContentBP4 BP3 BP2 BP1 BP0 Blocks Addresses Density PortionX X 0 0 0 ALL 000000H-3FFFFFH 4MB ALL62 000000H-3EFFFFH 4032KB Lower63/64to0 0 0 0 1 061 000000H-3DFFFFH 3968KB Lower31/32to0 0 0 1 0 059 000000H-3BFFFFH 3840KB Lower15/16to0 0 0 1 1 055 000000H-37FFFFH 3584KB Lower7/8to0 0 1 0 0 047 000000H-1FFFFFH 3MB Lower3/4to0 0 1 0 1 031 000000H-1FFFFFH 2MB Lower1/2to0 0 1 1 0 063 010000H-3FFFFFH 4032KB Upper63/64to0 1 0 0 1 163 020000H-3FFFFFH 3968KB Upper31/32to0 1 0 1 0 263 040000H-3FFFFFH 3840KB Upper15/16to0 1 0 1 1 463 080000H-3FFFFFH 3584KB Upper7/8to0 1 1 0 0 83/463 100000H-3FFFFFH 3MB Upperto0 1 1 0 1 161/263 200000H-3FFFFFH 2MB Upper0 1 1 1 0 32toNONE X X 1 1 1 NONE NONE NONEL-1023/102462 000000H-3FEFFFH 4092KB1 0 0 0 1 0toL-511/51262 000000H-3FDFFFH 4088KBto1 0 0 1 0 062 000000H-3FBFFFH 4080KB L-255/256to1 0 0 1 1 062 000000H-3F7FFFH 4064KB L-127/1281 0 1 0 X 0to62 000000H-3F7FFFH 4064KB L-127/128to1 0 1 1 0 063 001000H-3FFFFFH 4092KB U-1023/1024to1 1 0 0 1 163 002000H-3FFFFFH 4088KB U-511/512to1 1 0 1 0 1U-255/25663 004000H-3FFFFFH 4080KB1 1 0 1 1 1to63 008000H-3FFFFFH 4064KBU-127/128to1 1 1 0 X 1U-127/12863 008000H-3FFFFFH 4064KB1 1 1 1 0 1toStatus RegisterS15 S14 S13 S12 S11 S10 S9 S8 Reserved CMPReserved Reserved ReservedLBQESRP1S7 S6 S5 S4 S3 S2 S1 S0 SRP0 BP4 BP3 BP2 BP1 BP0 WEL WIPThe status and control bits of the Status Register are as follows: WIP bit.The Write In Progress (WIP) bit indicates whether the memory is busy in program/erase/write status register progress. When WIP bit sets to 1, means the device is busy in program/erase/write status register progress, when WIP bit sets 0, means the device is not in program/erase/write status register progress. WEL bit.The Write Enable Latch (WEL) bit indicates the status of the internal Write Enable Latch. When set to 1 the internal Write Enable Latch is set, when set to 0 the internal Write Enable Latch is reset and no Write Status Register, Program or Erase command is accepted. BP4, BP3, BP2, BP1, BP0 bits.The Block Protect (BP4, BP3, BP2, BP1, BP0) bits are non-volatile. They define the size of the area to be software protected against Program and Erase commands. These bits are written with the Write Status Register (WRSR) command. When the Block Protect (BP4, BP3, BP2, BP1, BP0) bits are set to 1, the relevant memory area (as defined in Table1).becomes protected against Page Program (PP), Sector Erase (SE) and Block Erase (BE) commands. The Block Protect (BP4, BP3, BP2, BP1, BP0) bits can be written provided that the Hardware Protected mode has not been set. The Chip Erase (CE) command is executed, only if the Block Protect (BP2, BP1, BP0) bits are 0. SRP1, SRP0 bits.The Status Register Protect (SRP1 and SRP0) bits are non-volatile Read/Write bits in the status register. The SRP bits control the method of write protection: software protection, hardware protection, power supply lock-down or one time programmable protection. SRP1 SRP0 #WP Status Register Description 0 0 X Software Protected The Status Register can be written to after a Write Enable command, WEL=1.(Default)0 1 0Hardware ProtectedWP#=0, the Status Register locked and can not be written to.0 1 1 Hardware UnprotectedWP#=1, the Status Register is unlocked and can be written toafter a Write Enable command, WEL=1. 1 0 X Power Supply Lock-Down(1)Status Register is protected and can not be written to again until the next Power-Down, Power-Up cycle.1 1 X One Time Program(1)Status Register is permanently protected and can not be written to. NOTE:1. When SRP1, SRP0= (1, 0), a Power-Down, Power-Up cycle will change SRP1, SRP0 to (0, 0) state.QE bit.The Quad Enable (QE) bit is a non-volatile Read/Write bit in the Status Register that allows Quad operation. When the QE bit is set to 0 (Default) the WP# pin and HOLD# pin are enable. When the QE pin is set to 1, the Quad IO2 and IO3 pins are enabled. (The QE bit should never be set to 1 during standard SPI or Dual SPI operation if the WP# or HOLD# pins are tied directly to the power supply or ground)LB bit.The LB bit is a non-volatile One Time Program (OTP) bit in Status Register (S10) that provide the write protect control and status to the Security Registers. The default state of LB is 0, the security registers are unlocked. LB can be set to 1 individually using the Write Register instruction. LB is One Time Programmable, once it’s set to 1, the Security Registers will become read-only permanently.CMP bitThe CMP bit is a non-volatile Read/Write bit in the Status Register (S14). It is used in conjunction the BP4-BP0 bits to provide more flexibility for the array protection. Please see the Status registers Memory Protection table for details. The default setting is CMP=0.COMMANDS DESCRIPTIONAll commands, addresses and data are shifted in and out of the device, beginning with the most significant bit on the first rising edge of SCLK after CS# is driven low. Then, the one-byte command code must be shifted in to the device, most significant bit first on SI, each bit being latched on the rising edges of SCLK.See Table2, every command sequence starts with a one-byte command code. Depending on the command, this might be followed by address bytes, or by data bytes, or by both or none. CS# must be driven high after the last bit of the command sequence has been shifted in. For the command of Read, Fast Read, Read Status Register or Release from Deep Power-Down, and Read Device ID, the shifted-in command sequence is followed by a data-out sequence. CS# canbe driven high after any bit of the data-out sequence is being shifted out.For the command of Page Program, Sector Erase, Block Erase, Chip Erase, Write Status Register, Write Enable, Write Disable or Deep Power-Down command, CS# must be driven high exactly at a byte boundary, otherwise the command is rejected, and is not executed. That is CS# must driven high when the number of clock pulses after CS# being driven low is an exact multiple of eight. For Page Program, if at any time the input byte is not a full byte, nothing will happen and WEL will not be reset.Table2. CommandsCommand Name Byte 1 Byte 2 Byte 3 Byte 4 Byte 5 Byte 6 n-BytesWrite Enable 06HWrite Disable 04HRead Status Register 05H (S7-S0) (continuous) Read Status Register-1 35H (S15-S8) (continuous) Write Status Register 01H (S7-S0) (S15-S8)Read Data 03H A23-A16 A15-A8 A7-A0 (D7-D0) (Next byte) (continuous) FastRead 0BH A23-A16 A15-A8 A7-A0 dummy (D7-D0) (continuous)Dual Output Fast Read 3BH A23-A16A15-A8 A7-A0 dummy (D7-D0)(1) (continuous)Dual I/O Fast Read BBH A23-A8(2) A7-A0M7-M0(2)(D7-D0)(1)(continuous)Quad Output Fast Read 6BH A23-A16A15-A8 A7-A0 dummy (D7-D0)(3) (continuous)Quad I/O Fast Read EBH A23-A0M7-M0(4)dummy(5) (D7-D0)(3)(continuous)Quad I/O Word Fast Read(7)E7H A23-A0M7-M0(4)dummy(6) (D7-D0)(3)(continuous)Continuous Read Reset FFHPage Program 02 H A23-A16 A15-A8 A7-A0 (D7-D0) Next byteQuad Page Program 32H A23-A16 A15-A8 A7-A0 (D7-D0)(3)Sector Erase 20H A23-A16 A15-A8 A7-A0Block Erase(32K) 52H A23-A16 A15-A8 A7-A0Block Erase(64K) D8H A23-A16 A15-A8 A7-A0Chip Erase C7/60 HProgram/EraseSuspend75HProgram/Erase Resume 7AHDeep Power-Down B9HRelease From DeepPower-Down, AndRead Device IDABH dummy dummy dummy (ID7-ID0) (continuous)Release From DeepPower-DownABHManufacturer/ Device ID 90H dummy dummy 00H (M7-M0)(ID7-ID0)(continuous)High Performance Mode A3H dummy dummy dummyRead Identification 9FH (M7-M0) (ID15-ID8)(ID7-ID0) (continuous)Erase Security Registers(8)44H A23-A16A15-A8 A7-A0Program SecurityRegisters(8)42H A23-A16 A15-A8 A7-A0 (D7-D0) (D7-D0)Read SecurityRegisters(8)48H A23-A16 A15-A8 A7-A0 dummy (D7-D0) NOTE:1. Dual Output dataIO0 = (D6, D4, D2, D0)IO1 = (D7, D5, D3, D1)2. Dual Input AddressIO0 = A22, A20, A18, A16, A14, A12, A10, A8 A6, A4, A2, A0, M6, M4, M2, M0IO1 = A23, A21, A19, A17, A15, A13, A11, A9 A7, A5, A3, A1, M7, M5, M3, M13. Quad Output DataIO0 = (D4, D0, …..)IO1 = (D5, D1, …..)IO2 = (D6, D2, …..)IO3 = (D7, D3,…..)4. Quad Input AddressIO0 = A20, A16, A12, A8, A4, A0, M4, M0IO1 = A21, A17, A13, A9, A5, A1, M5, M1IO2 = A22, A18, A14, A10, A6, A2, M6, M2IO3 = A23, A19, A15, A11, A7, A3, M7, M35. Fast Read Quad I/O DataIO0 = (x, x, x, x, D4, D0,…)IO1 = (x, x, x, x, D5, D1,…)IO2 = (x, x, x, x, D6, D2,…)IO3 = (x, x, x, x, D7, D3,…)6. Fast Word Read Quad I/O DataIO0 = (x, x, D4, D0,…)IO1 = (x, x, D5, D1,…)IO2 = (x, x, D6, D2,…)IO3 = (x, x, D7, D3,…)7. Fast Word Read Quad I/O Data: the lowest address bit must be 0.8. Security Registers Address:Security Register: A23-A16=00000000b, A14-A10=0000b, A9-A0= Address;Table of ID Definitions:GD25Q32Operation Code M7-M0 ID15-ID8 ID7-ID09FH C8 40 1690H C8 15ABH 15Write Enable (WREN) (06H)The Write Enable (WREN) command is for setting the Write Enable Latch (WEL) bit. The Write Enable Latch (WEL) bit must be set prior to every Page Program (PP), Sector Erase (SE), Block Erase (BE), Chip Erase (CE) and Write Status Register (WRSR) command. The Write Enable (WREN) command sequence: CS# goes low Æ sending the Write Enable command Æ CS# goes high.Write Disable (WRDI) (04H)The Write Disable command is for resetting the Write Enable Latch (WEL) bit. The Write Disable command sequence: CS# goes lowÆSending the Write Disable command ÆCS# goes high. The WEL bit is reset by following condition: Power-up and upon completion of the Write Status Register, Page Program, Sector Erase, Block Erase and Chip Erase commands.Read Status Register (RDSR) (05H or 35H)The Read Status Register (RDSR) command is for reading the Status Register. The Status Register may be read at any time, even while a Program, Erase or Write Status Register cycle is in progress. When one of these cycles is in progress, it is recommended to check the Write In Progress (WIP) bit before sending a new command to the device. It is also possible to read the Status Register continuously. For command code “05H”, the SO will output Status Register bits S7~S0. The command code “35H”, the SO will output Status Register bits S15~S8.Figure4. Read Status Register Sequence DiagramWrite Status Register (WRSR) (01H)The Write Status Register (WRSR) command allows new values to be written to the Status Register. Before it can be accepted, a Write Enable (WREN) command must previously have been executed. After the Write Enable (WREN) command has been decoded and executed, the device sets the Write Enable Latch (WEL).The Write Status Register (WRSR) command has no effect on S15~S10, S1 and S0 of the Status Register. CS# must be driven high after the eighth or sixteen bit of the data byte has been latched in. If not, the Write Status Register (WRSR) command is not executed. If CS# is driven high after eighth bit of the data byte, the QE and SRP1 bits will be cleared to 0. As soon as CS# is driven high, the self-timed Write Status Register cycle (whose duration is t W) is initiated. While the Write Status Register cycle is in progress, the Status Register may still be read to check the value of the Write In Progress (WIP) bit. The Write In Progress (WIP) bit is 1 during the self-timed Write Status Register cycle, and is 0 when it is completed. When the cycle is completed, the Write Enable Latch (WEL) is reset.The Write Status Register (WRSR) command allows the user to change the values of the Block Protect (BP4, BP3, BP2, BP1, BP0) bits, to define the size of the area that is to be treated as read-only, as defined in Table1. The Write Status Register (WRSR) command also allows the user to set or reset the Status Register Protect (SRP1 and SRP0) bits in accordance with the Write Protect (WP#) signal. The Status Register Protect (SRP1 and SRP0) bits and Write Protect (WP#) signal allow the device to be put in the Hardware Protected Mode. The Write Status Register (WRSR) command is not executed once the Hardware Protected Mode is entered.Figure5. Write Status Register Sequence DiagramRead Data Bytes (READ) (03H)The Read Data Bytes (READ) command is followed by a 3-byte address (A23-A0), each bit being latched-in during the rising edge of SCLK. Then the memory content, at that address, is shifted out on SO, each bit being shifted out, at a Max frequency f R, during the falling edge of SCLK. The first byte addressed can be at any location. The address is automatically incremented to the next higher address after each byte of data is shifted out. The whole memory can, therefore, be read with a single Read Data Bytes (READ) command. Any Read Data Bytes (READ) command, while an Erase, Program or Write cycle is in progress, is rejected without having any effects on the cycle that is in progress.Read Data Bytes At Higher Speed (Fast Read) (0BH)The Read Data Bytes at Higher Speed (Fast Read) command is for quickly reading data out. It is followed by a 3-byte address (A23-A0) and a dummy byte, each bit being latched-in during the rising edge of SCLK. Then the memory content, at that address, is shifted out on SO, each bit being shifted out, at a Max frequency f C, during the falling edge of SCLK. The first byte addressed can be at any location. The address is automatically incremented to the next higher address after each byte of data is shifted out.Figure7. Read Data Bytes at Higher Speed Sequence DiagramDual Output Fast Read (3BH)The Dual Output Fast Read command is followed by 3-byte address (A23-A0) and a dummy byte, each bit being latched in during the rising edge of SCLK, then the memory contents are shifted out 2-bit per clock cycle from SI and SO. The command sequence is shown in followed Figure8. The first byte addressed can be at any location. The address is automatically incremented to the next higher address after each byte of data is shifted out.Figure8. Dual Output Fast Read Sequence DiagramQuad Output Fast Read (6BH)The Quad Output Fast Read command is followed by 3-byte address (A23-A0) and a dummy byte, each bit being latched in during the rising edge of SCLK, then the memory contents are shifted out 4-bit per clock cycle from IO3, IO2, IO1 and IO0. The command sequence is shown in followed Figure9. The first byte addressed can be at any location. The address is automatically incremented to the next higher address after each byte of data is shifted out.Dual I/O Fast Read (BBH)The Dual I/O Fast Read command is similar to the Dual Output Fast Read command but with the capability to input the 3-byte address (A23-0) and a “Continuous Read Mode” byte 2-bit per clock by SI and SO, each bit being latched in during the rising edge of SCLK, then the memory contents are shifted out 2-bit per clock cycle from SI and SO. The command sequence is shown in followed Figure10. The first byte addressed can be at any location. The address is automatically incremented to the next higher address after each byte of data is shifted out. To ensure optimum performance the High Performance Mode (HPM) command (A3H) must be executed once, prior to the Dual I/O Fast Read command.Dual I/O Fast Read With “Continuous Read Mode”The Dual I/O Fast Read command can further reduce command overhead through setting the “Continuous Read Mode” bits (M7-0) after the input 3-byte address (A23-A0). If the “Continuous Read Mode” bits (M7-0) =AXH, then the next Dual I/O Fast Read command (after CS# is raised and then lowered) does not require the BBH command code. The command sequence is shown in followed Figure11. If the “Continuous Read Mode” bits (M7-0) are any value other than AXH, the next command requires the first BBH command code, thus returning to normal operation. A “Continuous Read Mode” Reset command can be used to reset (M7-0) before issuing normal command.Quad I/O Fast Read (EBH)The Quad I/O Fast Read command is similar to the Dual I/O Fast Read command but with the capability to input the 3-byte address (A23-0) and a “Continuous Read Mode” byte and 4-dummy clock 4-bit per clock by IO0, IO1, IO3, IO4, each bit being latched in during the rising edge of SCLK, then the memory contents are shifted out 4-bit per clock cycle from IO0, IO1, IO2, IO3. The command sequence is shown in followed Figure12. The first byte addressed can be at any location. The address is automatically incremented to the next higher address after each byte of data is shifted out. The Quad Enable bit (QE) of Status Register (S9) must be set to enable for the Quad I/O Fast read command. To ensure optimum performance the High Performance Mode (HPM) command (A3H) must be executed once, prior to the Quad I/O Fast Read command. Quad I/O Fast Read With “Continuous Read Mode”The Quad I/O Fast Read command can further reduce command overhead through setting the “Continuous Read Mode” bits (M7-0) after the input 3-byte address (A23-A0). If the “Continuous Read Mode” bits (M7-0) =AXH, then the next Quad I/O Fast Read command (after CS# is raised and then lowered) does not require the EBH command code. The command sequence is shown in followed Figure13. If the “Continuous Read Mode” bits (M7-0) are any value other than AXH, the next command requires the first EBH command code, thus returning to normal operation. A “Continuous Read Mode” Reset command can be used to reset (M7-0) before issuing normal command.Figure13. Quad I/O Fast Read Sequence Diagram (M7-0= AXH)Quad I/O Word Fast Read (E7H)The Quad I/O Word Fast Read command is similar to the Quad I/O Fast Read command except that the lowest address bit (A0) must equal 0 and only 2-dummy clock. The command sequence is shown in followed Figure14. The first byte addressed can be at any location. The address is automatically incremented to the next higher address after each byte of data is shifted out. The Quad Enable bit (QE) of Status Register (S9) must be set to enable for the Quad I/O Word Fast read command. To ensure optimum performance the High Performance Mode (HPM) command (A3h) must be executed once, prior to the Quad I/O Word Fast Read command.Quad I/O Word Fast Read With “Continuous Read Mode”The Quad I/O Word Fast Read command can further reduce command overhead through setting the “Continuous Read Mode” bits (M7-0) after the input 3-byte address (A23-A0). If the “Continuous Read Mode” bits (M7-0) =AXH, then the next Quad I/O Word Fast Read command (after CS# is raised and then lowered) does not require the E7H command code. The command sequence is shown in followed Figure15. If the “Continuous Read Mode” bits (M7-0) are any value other than AXH, the next command requires the first E7H command code, thus returning to normal operation. A “Continuous Read Mode” Reset command can be used to reset (M7-0) before issuing normal command.Figure15. Quad I/O Word Fast Read Sequence Diagram (M7-0= AXH)Page Program (PP) (02H)The Page Program (PP) command is for programming the memory. A Write Enable (WREN) command must previously have been executed to set the Write Enable Latch (WEL) bit before sending the Page Program command.The Page Program (PP) command is entered by driving CS# Low, followed by the command code, three address bytes and at least one data byte on SI. If the 8 least significant address bits (A7-A0) are not all zero, all transmitted data that goes beyond the end of the current page are programmed from the start address of the same page (from the address whose 8 least significant bits (A7-A0) are all zero). CS# must be driven low for the entire duration of the sequence. The Page Program command sequence: CS# goes low Æ sending Page Program command Æ 3-byte address on SI Æ at least 1 byte data on SI Æ CS# goes high. The command sequence is shown in Figure16. If more than 256 bytes are sent to the device, previously latched data are discarded and the last 256 data bytes are guaranteed to be programmed correctly within the same page. If less than 256 data bytes are sent to device, they are correctly programmed at the requested addresses without having any effects on the other bytes of the same page. CS# must be driven high after the eighth bit of the last data byte has been latched in; otherwise the Page Program (PP) command is not executed.As soon as CS# is driven high, the self-timed Page Program cycle (whose duration is t PP) is initiated. While the Page Program cycle is in progress, the Status Register may be read to check the value of the Write In Progress (WIP) bit. The Write In Progress (WIP) bit is 1 during the self-timed Page Program cycle, and is 0 when it is completed. At some unspecified time before the cycle is completed, the Write Enable Latch (WEL) bit is reset.A Page Program (PP) command applied to a page which is protected by the Block Protect (BP4, BP3, BP2, BP1, BP0) is not executed.。
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序号 对应IP补丁ID补丁名称管理员描述1172.24.0.100MS12-020KB2621440刘津伟修复远程桌面允许远程执行代码的漏洞的补丁2172.24.0.100MS08-040KB941203刘津伟Microsoft SQL Server 中的漏洞可能允许特权提升3172.24.0.126MS12-020KB2621440周爱凤修复远程桌面允许远程执行代码的漏洞的补丁4172.24.0.131MS12-020KB2621440张云修复远程桌面允许远程执行代码的漏洞的补丁5172.24.0.132MS12-020KB2621440张云修复远程桌面允许远程执行代码的漏洞的补丁6172.24.0.133MS12-020KB2621440张云修复远程桌面允许远程执行代码的漏洞的补丁7172.24.0.137MS12-020KB2621440黄海红修复远程桌面允许远程执行代码的漏洞的补丁8172.24.0.137MS12-020KB2621440黄海红修复远程桌面允许远程执行代码的漏洞的补丁9172.24.0.145MS12-020KB2621440姜旭修复远程桌面允许远程执行代码的漏洞的补丁10172.24.0.146MS12-020KB2621440黄海红修复远程桌面允许远程执行代码的漏洞的补丁11172.24.0.146MS12-070KB2716436黄海红修复SQL Server 允许特权提升的漏洞的补丁12172.24.0.168MS12-020KB2621440黄海红修复远程桌面允许远程执行代码的漏洞的补丁13172.24.0.168MS09-017KB957789黄海红ice PowerPoint 中的漏洞可能允许14172.24.0.168MS09-02769602/KB969603/KB96黄海红全漏洞，当打开经过恶意修改的文15172.24.0.168MS09-02169680/KB969681/KB96黄海红个安全漏洞，当打开经过恶意修改的16172.24.0.168MS09-60黄海红17172.24.0.168MS09-067KB973475/KB973593黄海红记录的iCache值查找对象列表，对18172.24.0.168MS10-045KB980373/KB980376黄海红fice Outlook 中的漏洞可能允许19172.24.0.168MS10-056KB2251399/KB2251419黄海红Office Word 中的漏洞可能允许远20172.24.0.168MS10-057KB2264403黄海红xcel PivotTable缓存数据记录解析21172.24.0.168MS10-064KB2288953黄海红fice Outlook 中的漏洞可能允许22172.24.0.168MS10-0794911/KB2344993/KB23黄海红ft Word 中的漏洞可能允许远程执23172.24.0.168MS10-080KB2288613/KB2288621黄海红icrosoft Excel 远程代码执行漏洞24172.24.0.168MS10-088KB2413304黄海红PowerPoint PP7X32.DLL记录解析25172.24.0.168MS08-014KB949029黄海红rosoft Excel允许远程代码执行漏26172.24.0.168MS08-072KB957173黄海红Office Word 中的漏洞可能允许远27172.24.0.168MS08-026KB951207黄海红Microsoft Word 存在远程代码28172.24.0.168MS07-014KB929434黄海红rosoft Word 允许远程执行代码漏29172.24.0.168MS05-023KB890169黄海红ft Word 中的漏洞可能导致远程执30172.24.0.168MS08-015KB949031黄海红rosoft Outlook含远程代码执行漏31172.24.0.168MS09-062KB957488黄海红G、TIFF、BMP等图形文件时存在多32172.24.0.168MS11-017KB2508062黄海红面客户端中的漏洞可能允许远程执33172.24.0.168MS11-021KB2489279黄海红t Excel 中的漏洞可能允许远程执34172.24.0.168MS11-022KB2489283黄海红一个漏洞,在打开恶意修改的文件时35172.24.0.168MS11-023KB2489293黄海红t Office 中的漏洞可能允许远程36172.24.0.168MS11-025KB2500212黄海红础类 (MFC) 库中的漏洞可能允许37172.24.0.168MS11-035KB2524426黄海红WINS 中的漏洞可能允许远程执行38172.24.0.168MS11-036KB2545814黄海红t PowerPoint 中的漏洞可能允许远39172.24.0.168MS11-045KB2537146黄海红安全漏洞,在打开恶意修改的文件40172.24.0.168MS11-054KB2555917黄海红核模式驱动程序中的漏洞可能允许补丁更新列表。
0.2mm走线能承受的电流
0.2mm走线能承受的电流
0.2mm走线的承受电流是由多个因素决定的，包括走线材料、走线宽度、环境温度、走线长度等。
下面我将从不同角度来回答这个问题。
1. 走线材料，走线材料的导电性能是影响承受电流的关键因素之一。
常见的走线材料包括铜、铝等。
铜具有较好的导电性能，因此相同宽度的铜走线可以承受更大的电流。
2. 走线宽度，走线的宽度也是影响承受电流的重要因素。
一般来说，走线宽度越宽，其承受的电流能力越大。
因此，0.2mm宽度的走线相对较窄，其承受电流能力可能较低。
3. 环境温度，环境温度也会对走线的承受电流能力产生影响。
高温环境会导致走线的温度升高，从而降低其导电性能，进而影响其承受电流能力。
4. 走线长度，走线长度也会对承受电流能力产生影响。
较长的走线长度会增加电阻，从而导致电流损失，降低其承受电流能力。
总体来说，0.2mm走线的承受电流能力可能较低。
如果需要承受较大电流，可以考虑增加走线宽度、选择更好的导电材料，或者采取其他增强走线的措施，如增加走线层数、使用铜箔等。
需要注意的是，以上回答仅供参考，具体的承受电流能力还需根据具体情况进行实际测试和计算。
投诉管理培训20120803 V0.2For TL
正常维权
法律方式
媒体方式
捣乱方式
投诉处理的底线
消协不受理下列投诉：
（一）经营者之间的争议； （二）没有明确的被诉方；
1，邮政法，速递管理办法 2，中华人民共和国消费者权益保障法
1、被诉方无法查找 2、被诉方地址不详
（三）经营者事前已向消费者真实地说明商品存在瑕疵等情况；
（四）争议双方达成和解（调解）协议并已履行，且无新理由和相关依据的； （五）因投资、再生产等需要引发的争议； （六）消费者提供不出任何必要证据的； 1、商品超出三包期或保质期，被诉方已不 再负有违约责任 2、无购物凭证 3、消费者无法证实权益受到侵害 （七）有关行政部门、仲裁机构或法院已受理、处理的； （八）法律、法规或政策明确规定应由指定部门处理的；
投诉不会没有
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投诉是企业改 进的机遇！ 也是员工展现 才华的机会。
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建立一个让顾客100%满意的 公司，也就让你获得了100% 的 投资回报。
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logic basic 2 v0.2
Min.
Typ.
Max.
200
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5
20
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10
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50
20
-
-
Unit
ns
ns
ns
ns
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ns
21
ns
5.3 时序参数
6.例 6800 并行接口时序 (write operation)
RS SFRADR[3:0]
R/W
E
DB0 ~ DB7
tAS tRE
Symbol tCYCE tWHE tRE, tFE
3
5.1 模块规划
1. 模块规划考虑的问题:
a. 定义模块 (功能,接口). b. 定义子模块 (功能,主要接口信号). c. 定义主要组合信号和时序信号,明确其含义,
画出其时序. (好的时序是事先规划出来的,先有图再有实现) d. 初步简化,考虑成本. e. 关键路径初步判断,明确后续时序的关注重点, 必要时增加流水线.
29
Pulse Synchronizer Timing
5.4 同步电路
跨时钟域的处理: 握手协议
Data Path Design Using Handshake
30
5.4 同步电路
跨时钟域的处理: 握手协议
Data Path Timing Using Full Handshake
Full Handshake Flow
8
5.3 时序参数
1. clock skew b. 影响时钟偏差的主要有以下几个因素：
用于连接时钟树的连线 时钟树的拓扑结构 时钟的驱动 时钟线的负载 时钟的上升及下降时间 时钟叶接点输入的第一级门的翻转点电压差