清华大学微纳电子系课程

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清华大学微电子系工硕课题介绍

清华大学微电子系工硕课题介绍

课题介绍微电子与纳电子学系2013级工程硕士双选专用清华大学微电子与纳电子学系2013年12月有招生需求导师名单-------------------------------------------------------白国强(设计室)蔡坚、王谦(器件室)陈虹(设计室)陈炜(器件室)池保勇(设计室)邓宁(器件室)方华军(器件室)付军(集成室)姜汉钧(设计室)李福乐(设计室)李树国(设计室)李翔宇(设计室)李宇根(设计室)李兆麟(信研院)梁仁荣(集成室)刘雷波(CAD室)刘振宇(信研院)麦宋平(深研院)潘立阳(集成室)钱鹤(CAD室)任天令、杨轶(器件室)王敬(集成室)王晓红(器件室)王燕(CAD室)王喆垚(器件室)王志华、王自强(设计室)魏少军(CAD室)乌力吉(设计室)吴华强(工艺平台)伍冬(集成室)伍晓明(工艺平台)谢丹(器件室)谢翔(设计室)许军(集成室)叶佐昌(CAD室)尹首一(CAD室)岳瑞峰(器件室)张春(设计室)张进宇(CAD室)张雷(CAD室)刘泽文(器件室)何虎(设计室)北京朗波芯微技术有限公司课题介绍白国强一、招生老师联系信息E-mail: baigq@电话:62794391(O),136********办公室:主楼9区104二、招生人数:2-3名三、课题介绍课题一:(1)课题名称:面向低资源移动终端应用的新型公钥密码算法的集成电路实现技术研究。

(2)课题来源:国家自然科学基金重点项目“面向低资源移动终端的高效新型公钥密码芯片的理论与关键技术研究”。

(3)课题简介:受移动终端(如手机)硬件资源十分有限的限制,现有公钥密码算法,包括RSA算法和ECC算法很难直接应用于移动终端。

为解决这一问题,近年来多变量公钥密码学受到广泛关注,成为研究热点之一。

本课题研究内容是“面向低资源移动终端的高效新型公钥密码芯片的理论与关键技术研究”项目中的一部分内容,将以集成电路方式设计、实现基于多变量的新型公钥密码芯片。

清华大学微电子器件与电路课件——张进宇ch101

清华大学微电子器件与电路课件——张进宇ch101
(3) 随着发射结正向偏置电压的不断增加,BJT器件 的集电极电流和VR也将不断增加,这也就意味着集 电结上的反向偏置电压在不断地下降,当集电极电 流达到足够大时,将会使得集电结由反偏变为零偏 甚至正偏,此时BJT即进入饱和工作模式(saturation mode,饱和区) 。
28
10.1.2 BJT电流的简化表达式
由上述分析可见,发射极电流成分iE2实际上也是基极 电流的一个组成部分,基极电流的另一个组成部分则
是基区中的多子空穴与电子的复合电流iBb,这二者都 与exp(vBE/Vt)成正比,因此BJT器件的集电极电流与 基极电流之比也为常数,即:
IC
IB
(10.6)
首先我们将通过简化的分析来获得npn-BJT中各个端 点电流与端点电压之间的关系,从而得到BJT基本放 大作用原理的物理图像,然后我们再给出详细的推导 过程。 一个处于正向放大模式BJT器件内部各区域中的少数 载流子浓度分布如下页图10.7所示。 从图中可见,理想情况下基区中少数载流子电子的浓 度分布为线性分布,即基区中没有载流子的复合。 由发射区注入过来的电子扩散通过基区,然后被集电 结空间电荷区中的电场拉向集电区,形成集电极电流
nB0
exp
vBE Vt
(10.1)
其中ABE为发射结面积,nB0为热平衡条件下基区中的
电子浓度,电子沿着+x方向流动,因此电流沿着x方
向,如果只考虑电流大小,则有:
iC
IS
exp
vBE Vt
(10.2)
25
10.1.2 BJT电流的简化表达式
由(10.2)式可见,BJT器件的集电极电流受发射结上 外加电压的控制,即:BJT中流过一个端点的电流取 决于另外两个端点上的外加电压,此即双极型晶体管 的放大作用。

清华大学电子系本科生课表

清华大学电子系本科生课表

清华大学电子系本科生课表
下文为大家整理带来的清华大学电子系本科生课表,希望内容对您有帮助,感谢您得阅读。

清华大学电子系本科生课表星期一星期二星期三星期四星期五星期六星期日第1节数据库(孙甲松;任选;全周;六教6C101)计算机网络(李风华;限选;全周;六教6C201)微机原理(马洪兵;限选;全周;五教5202)电动力学(孙长征;必修;全周;技科楼3217)第2节数字信号处理(张旭东;必修;全周;美院C528)通信电路(李国林;必修;全周;六教6A018)图像信息原理(谭耀麟;限选;全周;六教6A016)微机原理(马洪兵;限选;全周;五教5102)第3节第4节电动力学(孙长征;必修;全周;技科楼3217)三年级男生击剑(刘爽;全周;综合馆)第5节第6节基于FPGA的可编程片上系统设计(李山山;任选;前八周;六教6B113)科技写作(宋韬;任选;全周;六教6A105)。

清华大学微电子所 数字集成系统 第四讲

清华大学微电子所 数字集成系统 第四讲

混合使用硬件描述语言、卡诺图、状态电路设计覆盖了系统级的算法描述直至综合使用各种方法设计微代码式控制电
在使用本节讨论的电路设计方法之前,电路设计者必须对设计指标要求仔细分
电路的输出完全由电路当前的输入信号可以用组合逻辑实现电路,并不意味着有可能对同一个电路既可以用组合逻辑
对于对于对于对于
硬件设计过程的一步变量个数较少时,设计变量个数较多时
实例:二进制比较器
根据真值表就可以直接得到组合逻辑电把真值表中所有乘积项相加,就可以完电路可能非常不经济。

在变量个数不大

实例:串
状态转换图直观地给出了状态之间的转状态转换表则采用表格的方式列出了状
状态
状态
状态
状态
状态
状态转换图中离开一个节点的所有支路例:状态。

半导体存储器_课程设计讲解

半导体存储器_课程设计讲解

半导体存储器技术 潘立阳 清华大学微纳电子学系
11
Athena-介绍
二维工艺仿真器 能够模拟工艺过程
Diffusion Oxidation Implantation Etching Deposition CMP ………………
输出器件物理结构、掺杂分布
半导体存储器技术 潘立阳 清华大学微纳电子学系
Deckbuild:交互式运行环境 Tonyplot:交互式图形环境
半导体存储器技术 潘立阳 清华大学微纳电子学系
4
Silvaco Tutorial
§5.4.1 Introduction §5.4.2 Getting Started §5.4.3 Athena §5.4.4 Atlas §5.4.5 Tonyplot
Athena-输入文件结构
go athena # line x loc=0.00 spac=0.10 …………………… # init silicon orientation=100 c.phos=1e15 # diffus time=60 temp=1100 weto2 press=1.00 …………………… # structure mirror left # electrode name=gate x=0.0 y=0.0 …………………… # struct outfile=0d18.str #
例子:
etch poly right p1.x=0.09 etch oxide all
半导体存储器技术 潘立阳 清华大学微纳电子学系
21
Athena-基本语句(8)
镜像语句:
基本语法:
structure mirror left|right
电极语句:
基本语法:

清华大学MEMS课程讲义

清华大学MEMS课程讲义

z.wang@3/65微电子学研究所5/65微电子学研究所Institute o f Microelectronics目前尚未完全清楚: 氧和硅原子间的分子间作用力Where dose H 2O go?Escapes from the interface or remains there?其他微加工技术三维MEMS 结构工艺集成封装键合(Anodic Bonding)硅和含钠玻璃接触后,施加电压和一定温度微电子学研究所11/65微电子学研究所Institute o f Microelectronics1 2 3 1) How to etch?2) Double-side litho?15/65微电子学研究所Institute o f Microelectronicsbformung (molding)模铸2. 显影4. 金属模6. 脱模Mould cavityResist structurePlastic structure5. 模铸3. 电铸1. 光刻Plastic (moulding compound)Metal Resist structure Electrical conductive base plateBase plateAbsorber structure Maskmembrane Resist 其他微加工技术三维MEMS 工艺集成封装LIGA17/65微电子学研究所Institute o f Microelectronics其他微加工技术三维MEMS结构工艺集成封装软光刻技术软光刻soft lithography定义:掩膜版为软性材料对比于mask分类微接触印刷PDMSSU -8硅PE 薄膜玻璃玻璃(a)(b)(c)(d)(e)(f)制造并硅烷化母版二氧化硅或光刻胶等在母板上灌注PDMS固化并释放PDMSPDMS 变形下垂粘附衬底压印与热压ResonatorTweezer 镊子体微加工工艺集成P1增加时敏感元件的形状低压腔玻璃基底双膜片结构支承梁压力入口固定梁顶角上方集成电极41/65微电子学研究所Institute o f Microelectronics其他微加工技术三维MEMS结构工艺集成微加工工艺集成表面微加工工艺集成微电子学研究所Institute o f MicroelectronicsCMOS表面微加工区硅衬底SiN SiO2牺牲层多晶硅结构层(a)填充SiO2,CMP平整(b) (c)刻蚀SiO2,释放结构(d)53/65微电子学研究所Institute o f Microelectronics59/65微电子学研究所Institute o f Microelectronics其他微加工技术三维MEMS结构工艺集成封装MEMS封装。

清华大学MEMS课程讲义

清华大学MEMS课程讲义


压阻系数:单位应力引起的相对电阻率变化量
14/46
微电子学研究所 Institute of Microelectronics
简介
敏感机理
压力传感器
加速度传感器
微陀螺
其他传感器
压阻效应

单晶硅的电阻率相对变化量
0 0 ⎤ ⎡ T1 ⎤ ⎡ d1 ⎤ ⎡ Δρ1 ⎤ ⎡π 11 π 12 π 12 0 ⎢d ⎥ ⎢ Δρ ⎥ ⎢π ⎢ ⎥ 0 0 ⎥ ⎢ 2⎥ ⎢ 2 ⎥ ⎢ 12 π 22 π 12 0 ⎥ ⎢T2 ⎥ ⎢ d3 ⎥ 1 ⎢ Δρ3 ⎥ ⎢π 12 π 12 π 11 0 0 0 ⎥ ⎢T3 ⎥ ⎢ ⎥= ⎢ ⎥=⎢ ⎥⎢ ⎥ d ρ 0 0 0 π 0 0 Δ ρ 4 4 44 0 ⎢ ⎥ ⎢ ⎥ ⎢ ⎥ ⎢T4 ⎥ ⎢d ⎥ ⎢ Δρ ⎥ ⎢ 0 0 0 0 π 44 0 ⎥ ⎢T5 ⎥ ⎢ 5⎥ ⎢ 5⎥ ⎢ ⎥⎢ ⎥ d ρ 0 0 0 0 0 π Δ ⎢ ⎢ ⎥ ⎢ ⎥ 44 ⎥ ⎦⎢ ⎣ 6⎦ ⎣ 6⎦ ⎣ ⎣T6 ⎥ ⎦
简介
敏感机理
压力传感器
加速度传感器
微陀螺
其他传感器
传感器的分类

根据敏感器件

电容传感器 谐振传感器 压阻传感器 压电传感器 隧道传感器 机械(力学) 热 电 磁 辐射 化学传感器
7/46
微电子学研究所 Institute of Microelectronics

根据输入量

其他传感器
压阻效应

平面应力的压阻变化
T3 = T4 = T5 = 0
′ − ρ0 ΔR ρ11 ′ T1′ + π 12 ′ T2′ + π 16 ′ T6′ = π l Tl + π tTt + π sTs = = π 11 R0 ρ0

清华大学微电子硕士研究生培养课程设置

清华大学微电子硕士研究生培养课程设置

一、简介我所研究生培养一级学科名称为电子科学与技术,二级学科名称为微电子学与固体电子学。

研究方向有以下五个方面:微/纳电子器件及系统;集成电路与系统;集成电路工艺与纳米加工技术;半导体器件物理与CAD;纳电子学与量子信息技术。

我所研究生课程共设置27门二、课程设置研究生课程共设置27门,本年度已开课程23门。

具体内容介绍如下:课程编号:71020013 课程名称:半导体器件物理进展任课教师:许军内容简介:半导体复杂能带结构与晶体对称性分析;载流子散射理论与强场热载流子输运;短沟MOS器件物理;异质结构物理与异质结器件;半导体的光电子效应与发光;非晶半导体与器件。

课程编号:71020023 课程名称:数字大规模集成电路任课教师:周润德内容简介:VLSI小尺寸器件的模型和物理问题;MOS数字VLSI的原理、结构和设计方法;VLSI电路中的时延及各种时钟技术;VLSI的同步时钟和异步时钟系统;逻辑和存储器的VLSI系统设计方法及VLSI的并行算法和体系结构。

课程编号:71020033 课程名称:模拟大规模集成电路任课教师:李福乐王志华内容简介:本课程是在本科课程《模拟电子电路》、《模拟集成电路分析与设计》之后的专业课程。

目的是学习模拟集成电路的设计规律和方法,增加设计出电路的可制造性,提高一次性设计成功的可能性。

课程内容包括:器件模型与电路仿真、模拟集成电路单元、放大器设计、高性能放大器、比较器、A/D与D/A 变换电路、芯片的输入与输出、可制造性与可测试性、版图与封装等。

课程编号:71020043 课程名称:数字VLSI系统的高层次综合任课教师:魏少军内容简介:VHDL语言简介,设计流程,行为描述与仿真,行为描述与目标结构的匹配,数据通道设计,控制器设计,测试向量生成,系统验证;行为设计和数据通道与控制器的设计与优化;综合VHDL描述,算子调度,资源分配,寄存器优化,控制码生成,控制器结构选择,状态化简。

清华大学微电子本科生培养课程设置

清华大学微电子本科生培养课程设置

一、简介微纳电子系本科生一级学科名称为电子科学与技术,二级学科名称为微电子学。

二、课程设置课程编号:30260093 课程名称:固体物理学课程属性:专业核心课开课学期:09秋任课教师:王燕内容简介:固体物理学是固体材料和固体器件的基础。

该课程主要研究晶体的结构及对称性,晶体中缺陷的形成及特征,晶格动力学,能带理论的基础知识以及晶体中的载流子输运现象等。

是微纳电子专业的核心课。

课程编号:40260103 课程名称:数字集成电路分析与设计课程属性:专业核心课开课学期:09秋任课教师:吴行军内容简介:本课程从半导体器件的模型开始, 然后逐渐向上进行, 涉及到反相器, 复杂逻辑门 (NAND , NOR , XOR , 功能模块(加法器,乘法器,移位器,寄存器和系统模块(数据通路,控制器,存储器的各个抽象层次。

对于这些层次中的每一层,都确定了其最主要的设计参数,建立简化模型并除去了不重要的细节。

课程编号:40260173 课程名称:数字集成电路分析与设计(英课程属性:专业核心课开课学期:09秋任课教师:刘雷波内容简介:数字集成电路的分析与设计,包括:CMOS 反相器、组合和时序逻辑电路分析与设计、算术运算逻辑功能部件、半导体存储器的结构与实现、互连线模型与寄生效应的分析。

并介绍常用数字集成电路的设计方法和流程。

课程编号:30260072 课程名称:微电子工艺技术课程属性:专业核心课开课学期:09秋任课教师:岳瑞峰内容简介:本课程授课目的是使学生掌握微电子制造的各单项工艺技术, 以及亚微米 CMOS 集成电路的工艺集成技术。

本课程讲授微电子制造工艺各单项工艺的基本原理(包括氧化、扩散、离子注入、薄膜淀积、光刻、刻蚀、金属化工艺等,并介绍常用的工艺检测方法和 MEMS 加工技术、集成电路工艺集成技术和工艺技术的发展趋势等问题。

另通过计算机试验,可学习氧化、扩散、离子注入等工艺设备的简单操作和模拟。

课程编号:40260054 课程名称:半导体物理与器件课程属性:专业核心课开课学期:09春任课教师:许军内容介绍:主要讲授半导体材料的基本物理知识,半导体器件的工作原理以及现代半导体器件的新进展。

清华大学微电子与纳电子学本科课程介绍

清华大学微电子与纳电子学本科课程介绍

微电子与纳电子学系00260011 晶体管的发明和信息时代的诞生1学分16学时The Invention of Transistors and the Birth of Information Age晶体管的发明,是二十世纪最重要的科技进步。

晶体管及以晶体管核心的集成电路是现代信息社会的基础,对社会的进步起着无以伦比的作用。

晶体管的发明,源于19世纪末20世纪初物理学、电子学以及相关技术科学的迅速成熟。

晶体管的发明造就了一大批物理学家、工程师。

晶体管的发明,也随之产生了许多著名的研究机构与重要的公司,如贝尔实验室、仙童公司、Intel等都与晶体管的发明密切相关。

“以铜为鉴,可正衣冠;以古为鉴,可知兴替;以人为鉴,可明得失”。

晶体管发明作为现代科技史上的重大事件发生过鲜为人知的重要经验和教训,涉及科研管理、人才和科学方法等诸多方面,可以从成功和失败两个方面为后人提供十分重要的借鉴与启示。

本课程试图从晶体管的发明到信息社会的诞生,探讨技术革命和创新的方向,为大学低年级学生将来从事科学研究建立正确的思想观。

所讨论的课题包括,科学预见和准确选题的重要性、科学研究的方法、放手研究的政策、知人善任和合理配备专业人才等。

00260051 固体量子计算器件简介1学分16学时Introduction to Solid-State Quantum Computing Devices作为量子力学和信息学的交叉,量子信息学是最近二十多年迅速发展起来的新兴学科,量子信息处理技术能够完成许多经典信息技术无法实现的任务。

比如,一旦基于量子信息学的量子计算机得以实现,其在几分钟内就可解决数字计算机几千年才能解决的问题,那么用它就可及时地破解基于某些数学问题复杂性假定之上的传统保密通信的密钥,从而对建立于经典保密系统行业的信息安全构成根本性的威胁。

这种新兴技术的实现可以直接地应用于国防,政治,经济和日常生活。

本课程在此大的学术背景下展开,主要介绍最有希望成为量子比特的固体量子相干器件的基本原理和目前的研究状况,以及如何用这些器件实现量子计算。

清华大学集成电路先进制造本科主干课程

清华大学集成电路先进制造本科主干课程

清华大学集成电路先进制造本科主干课程微纳电子学系集成电路工程领域(全日制工程硕士专业学位研究生)一、培养目标和要求集成电路工程领域培养集成电路设计与应用高级工程技术人才和集成电路制造、测试、封装、材料与设备的高级工程技术人才。

集成电路工程领域的工程硕士要求具备本领域扎实的基础理论和宽广的专业知识以及管理知识,较为熟练地掌握一门外国语,掌握解决集成电路工程问题的先进技术方法和现代技术手段,具有创新意识和独立承担解决工程技术或工程管理等方面实际问题的能力。

二、培养方式及学习年限工程硕士生根据培养方式不同分为两大类:1.参加全国硕士研究生统一考试,按照清华大学分数线由清华大学研究生院统一录取的“全日制”工程硕士生;或从应届本科毕业生中,按照清华大学免试推荐录取原则,经免试推荐择优录取的“全日制”工程硕士生。

学习年限一般为2~3年,论文工作时间从开题报告之日起至完成学位论文申请答辩之日止一般不少于一年。

三、适用领域集成电路工程领域。

四、学分要求攻读工程硕士专业学位的研究生,需获得学位要求学分不少于32,其中考试学分不少于22。

具体如下:1、必修课程不少于23学分2、选修课程不少于6学分3、必修环节3学分五、课程设置(一)必修课程(不少于23学分,其中考试学分不少于20学分)1、自然辩证法概论(60680021)1学分(考试)2、外国语(60648003)3学分(考试)(专业外语不再单列,将融入基础外语中的科技外语阅读部分)3、文献检索与论文写作(82558001)1学分(考查)4、学科前沿讲座(69998012)2学分(考查)5、基础理论课(不少于4学分)z随机过程(60230014)4学分(考试)z工程硕士数学(60428004)4学分(考试)z运筹学(60428084)4学分(考试)经导师同意的工学硕士生培养方案中列出的其他数学课程。

6、专业基础和专业课(至少选12学分)z数字大规模集成电路(71020023)3学分(考试)z模拟大规模集成电路(71020033)3学分(考试)z集成电路的计算机辅助设计(ICCAD)(71020053)3学分(考试)z数字集成系统设计(70260013)3学分(考试)z微处理器结构及设计(81020022)2学分(考试)z大规模集成电路测试方法学概论(81020032)2学分(考试)z微电子封装技术(81020042)2学分(考试)z微机电系统(MEMS)(81020062)2学分(考试)zVLSI数字信号处理(81020082)2学分(考试)z集成电路制造工艺及设备(71020062)2学分(考试)z集成电路设计与方法(81020142)2学分(考试)研究生制定培养计划时必须参照当年的开课目录选课。

清华大学微电子系工硕课题介绍

清华大学微电子系工硕课题介绍

课题介绍微电子与纳电子学系2013级工程硕士双选专用清华大学微电子与纳电子学系2013年12月有招生需求导师名单-------------------------------------------------------白国强(设计室)蔡坚、王谦(器件室)陈虹(设计室)陈炜(器件室)池保勇(设计室)邓宁(器件室)方华军(器件室)付军(集成室)姜汉钧(设计室)李福乐(设计室)李树国(设计室)李翔宇(设计室)李宇根(设计室)李兆麟(信研院)梁仁荣(集成室)刘雷波(CAD室)刘振宇(信研院)麦宋平(深研院)潘立阳(集成室)钱鹤(CAD室)任天令、杨轶(器件室)王敬(集成室)王晓红(器件室)王燕(CAD室)王喆垚(器件室)王志华、王自强(设计室)魏少军(CAD室)乌力吉(设计室)吴华强(工艺平台)伍冬(集成室)伍晓明(工艺平台)谢丹(器件室)谢翔(设计室)许军(集成室)叶佐昌(CAD室)尹首一(CAD室)岳瑞峰(器件室)张春(设计室)张进宇(CAD室)张雷(CAD室)刘泽文(器件室)何虎(设计室)北京朗波芯微技术有限公司课题介绍白国强一、招生老师联系信息E-mail: baigq@电话:62794391(O),136********办公室:主楼9区104二、招生人数:2-3名三、课题介绍课题一:(1)课题名称:面向低资源移动终端应用的新型公钥密码算法的集成电路实现技术研究。

(2)课题来源:国家自然科学基金重点项目“面向低资源移动终端的高效新型公钥密码芯片的理论与关键技术研究”。

(3)课题简介:受移动终端(如手机)硬件资源十分有限的限制,现有公钥密码算法,包括RSA算法和ECC算法很难直接应用于移动终端。

为解决这一问题,近年来多变量公钥密码学受到广泛关注,成为研究热点之一。

本课题研究内容是“面向低资源移动终端的高效新型公钥密码芯片的理论与关键技术研究”项目中的一部分内容,将以集成电路方式设计、实现基于多变量的新型公钥密码芯片。

清华大学MEMS课程讲义

清华大学MEMS课程讲义

z.wang@
3/46微电子学研究所
Institute o f Microelectronics MUMPs 表面微加工的应用

多晶硅1
多晶硅2
支撑臂硅衬底
铰链固定点
(c)
(d)
(e)
(f)
Question: 顶层压应力如何变形?
顶层拉应力如何变形?
顶层拉应力
17/46微电子学研究所
Institute o f Microelectronics
19/46微电子学研究所
Institute o f Microelectronics
Clamped-clamped beams (bridges)
微电子学研究所
Microelectronics
)3x
23/46
简介表面微加工技术MUMPs 表面微加工的应用薄膜应力
微电子学研究所Institute o f Microelectronics
33/46Institute o
35/46Institute o
(d)
梳状叉指电容:静电驱动,电容检测,谐振工作,应用广泛
39/46微电子学研究所
简介表面微加工技术MUMPs 表面微加工的应用
表面微加工的应用
0.3 µm PSG on top (for doping purpose)
41/46微电子学研究所
Institute o f Microelectronics 表面微加工的应用
应用
43/46微电子学研究所
Institute o f Microelectronics
表面微加工的应用
Hinge。

北大微电子

北大微电子

清华大学微电子所研究生课程一、简介我所研究生一级学科名称为电子科学与技术,二级学科名称为微电子学与固体电子学。

研究方向有以下四个方面:微/纳电子器件及微系统;系统的芯片集成;微/纳米工艺学;微/纳器件和系统的CAD方法。

我所现有博士生导师13名;研究生课程共设置19门;目前在校学生数:博士生77人;硕士生:235人(包括工程硕士125人)。

2005年度录取人数:博士生14人;硕士生102人。

2005年度毕业人数:博士生8人;硕士生33人。

二、博士生导师情况介绍姓名职称研究方向李志坚院士教授半导体新器件、器件物理和器件模型、微电子机械系统陈弘毅教授超大规模集成电路设计技术(多媒体数字信号处理、算法的VLSI实现和系统的芯片集成技术)周润德教授超大规模集成电路设计技术(微处理器与嵌埋式系统设计,加密算法,低压,低功耗电路设计)许军教授SiGe/Si微波功率HBT器件与集成电路以及超高速应变硅MOS器件刘理天教授半导体新器件、器件物理和器件模型、微电子机械系统魏少军教授超大规模集成电路设计技术(多媒体数字信号处理、算法的VLSI实现和系统的芯片集成技术)陈炜教授纳米加工、纳米电子器件、超导量子器件和量子计算实现孙义和教授超大规模集成电路设计技术(多媒体DSP技术、VLSI测试方法和可测性设计、网络安全)陈培毅教授半导体新器件、器件物理和器件模型、新型半导体材料余志平教授半导体器件和电路计算机模拟(包括亚100nm硅CMOS器件模型;纳电子器件量子输运模型;基于版图和衬底耦合的RF(射频)电路分析,验证软件和电路单元自动生成。

王志华教授模拟与数模混合集成电路设计,生物与医疗微系统芯片设计,射频电子标签电路技术,集成电路设计方法学任天令教授新型微电子器件、微电子机械系统(MEMS)、新型半导体存储器、纳电子与自旋电子学王燕教授纳电子器件的量子输运模型,化合物半导体器件和电路计算机模拟三、课程设置本年度共开设研究生课程23门,新开课4门。

清华大学微电子本科生培养课程设置

清华大学微电子本科生培养课程设置

一、简介微纳电子系本科生一级学科名称为电子科学与技术,二级学科名称为微电子学。

二、课程设置课程编号:30260093 课程名称:固体物理学课程属性:专业核心课开课学期:09秋任课教师:王燕内容简介:固体物理学是固体材料和固体器件的基础。

该课程主要研究晶体的结构及对称性,晶体中缺陷的形成及特征,晶格动力学,能带理论的基础知识以及晶体中的载流子输运现象等。

是微纳电子专业的核心课。

课程编号:40260103 课程名称:数字集成电路分析与设计课程属性:专业核心课开课学期:09秋任课教师:吴行军内容简介:本课程从半导体器件的模型开始, 然后逐渐向上进行, 涉及到反相器, 复杂逻辑门 (NAND , NOR , XOR , 功能模块(加法器,乘法器,移位器,寄存器和系统模块(数据通路,控制器,存储器的各个抽象层次。

对于这些层次中的每一层,都确定了其最主要的设计参数,建立简化模型并除去了不重要的细节。

课程编号:40260173 课程名称:数字集成电路分析与设计(英课程属性:专业核心课开课学期:09秋任课教师:刘雷波内容简介:数字集成电路的分析与设计,包括:CMOS 反相器、组合和时序逻辑电路分析与设计、算术运算逻辑功能部件、半导体存储器的结构与实现、互连线模型与寄生效应的分析。

并介绍常用数字集成电路的设计方法和流程。

课程编号:30260072 课程名称:微电子工艺技术课程属性:专业核心课开课学期:09秋任课教师:岳瑞峰内容简介:本课程授课目的是使学生掌握微电子制造的各单项工艺技术, 以及亚微米 CMOS 集成电路的工艺集成技术。

本课程讲授微电子制造工艺各单项工艺的基本原理(包括氧化、扩散、离子注入、薄膜淀积、光刻、刻蚀、金属化工艺等,并介绍常用的工艺检测方法和 MEMS 加工技术、集成电路工艺集成技术和工艺技术的发展趋势等问题。

另通过计算机试验,可学习氧化、扩散、离子注入等工艺设备的简单操作和模拟。

课程编号:40260054 课程名称:半导体物理与器件课程属性:专业核心课开课学期:09春任课教师:许军内容介绍:主要讲授半导体材料的基本物理知识,半导体器件的工作原理以及现代半导体器件的新进展。

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微电子与纳电子学系00260011 晶体管的发明和信息时代的诞生 1学分 16学时The Invention of Transistors and the Birth of Information Age晶体管的发明,是二十世纪最重要的科技进步。

晶体管及以晶体管核心的集成电路是现代信息社会的基础,对社会的进步起着无以伦比的作用。

晶体管的发明,源于19世纪末20世纪初物理学、电子学以及相关技术科学的迅速成熟。

晶体管的发明造就了一大批物理学家、工程师。

晶体管的发明,也随之产生了许多著名的研究机构与重要的公司,如贝尔实验室、仙童公司、Intel等都与晶体管的发明密切相关。

“以铜为鉴,可正衣寇;以古为鉴,可知兴替;以人为鉴,可明得失”。

晶体管发明作为现代科技史上的重大事件发生过鲜为人知的重要经验和教训,涉及科研管理、人才和科学方法等诸多方面,可以从成功和失败两个方面为后人提供十分重要的借鉴与启示。

本课程试图从晶体管的发明到信息社会的诞生,探讨技术革命和创新的方向,为大学低年级学生将来从事科学研究建立正确的思想观。

所讨论的课题包括,科学预见和准确选题的重要性、科学研究的方法、放手研究的政策、知人善任和合理配备专业人才等。

00260051 固体量子计算器件简介 1学分 16学时Introduction to solid-state quantum computing devices作为量子力学和信息学的交叉,量子信息学是最近二十多年迅速发展起来的新兴学科,量子信息处理技术能够完成许多经典信息技术无法实现的任务。

比如,一旦基于量子信息学的量子计算机得以实现,其在几分钟内就可解决数字计算机几千年才能解决的问题,那么用它就可及时地破解基于某些数学问题复杂性假定之上的传统保密通信的密钥,从而对建立于经典保密系统行业的信息安全构成根本性的威胁。

这种新兴技术的实现可以直接地应用于国防,政治,经济和日常生活。

本课程在此大的学术背景下展开,主要介绍最有希望成为量子比特的固体量子相干器件的基本原理和目前的研究状况,以及如何用这些器件实现量子计算。

00260061 量子信息处理的超导实现 1学分 16学时Quantum information process and its implemention with superconducting devices基于半导体集成电路的经典信息处理技术已渗透到我们生活的各个方面,信息处理器件,例如个人电脑和手机,为我们生活质量的提高提供了强有力的技术支持。

但是经典信息处理技术的继续发展面临着技术上的瓶颈,其性能很难在现有技术路线上继续提高。

一种新型的完全基于量子力学原理的量子信息处理技术,有望提高信息处理的效率并解决一些经典信息处理技术无法解决的问题。

量子信息处理技术的成功实施,将为我们提供绝对保密的量子通信技术和高效的量子计算机。

本课程将学习量子信息处理的基本原理;超导材料的基本特性以及利用超导器件实现量子信息处理的原理与方法。

通过文献调研和小组讨论等方式了解利用超导器件实现量子信息处理的最新进展和面临的挑战,探讨可能的解决方案。

00260071 智能传感在社会生活中的应用 1学分 16学时Smart Sensing in Social Activities智能传感已经深入到社会生活的每个领域,深刻地影响着我们的社会组织方式和行为方式。

本课程采用视频、图片等多媒体方式,以活泼生动地方式,向具有不同专业背景的学生深入浅出地讲述智能传感器及其在社会和生活中的应用。

例如,在文化与智能传感器章节中,结合大家熟知的电影形象《指环王》中的“咕噜”,介绍智能运动传感器在电影制作中的应用;结合《机械战警》中的形象,介绍脑机接口传感器在脑神经科学研究及帕金森症等疾病治疗中的应用。

在传感器与智能交通章节中,介绍汽车中种类繁多的传感器对未来无人驾驶汽车的作用。

在传感器与智能家居章节中,介绍iphone手机中集成的多种传感器,及其功能扩展。

在传感器与现代国防章节中,结合南斯拉夫亚炸馆事件,介绍控制炸弹穿透多层建筑后再爆炸的加速度传感器,以及给炮弹装上“眼睛”的惯性传感器组合。

在传感器的形成艺术章节中,介绍防尘保护到只露出眼睛的技术人员在超净工厂中制造集成传感器的方法等等。

通过该课程的学习,学生将了解现代智能传感器的基本原理、分类、以及在建筑、安全、环境、现代艺术、军事等领域中所发挥的特殊作用。

30260032 MEMS与微系统 2学分 32学时MEMS and MicrosystemsMEMS与微系统是一门前沿交叉学科,将对生物医学、汽车、仪器、化学能源、通讯、纳米科学、航空航天、等领域产生重大影响。

本课程将在讲授MEMS多学科基础知识的基础上,系统讲述微机电系统的设计及加工技术,包括微电子机械系统原理、设计方法、体和表面微加工技术,以及微电子机械系统在生物医学、汽车、化学能源、通信等领域的应用。

主要采用讲授的方式完成。

重点内容包括微系统的基本力学和建模方法、表面微加工和体微加工技术、微型传感器原理及设计制造、微型执行器、RF MEMS典型器件、光学MEMS 的分析与设计、微流体与芯片实验室、BioMEMS等。

30260063 微电子器件与电路 3学分 48学时Microelectronic Devices and Circuits本课程内容涵盖微电子学专业所需掌握的主要基础知识,包括半导体材料与集成电路制造工艺的简单介绍、然后再学习半导体物理基本知识、重点讨论pn结二极管、双极型晶体管和MOS场效应晶体管等半导体器件的结构、制备与工作原理,最后还将介绍微电子器件的最新进展以及集成电路的分析与设计技术。

通过本课程的学习,学生将对微电子专业从物理到电路有一个全面的了解,重点在掌握半导体器件的工作原理及在集成电路中的应用。

还将了解微电子的应用领域及研究热点、学科方向与发展趋势等内容。

微电子专业的学生在本课程的基础上,能顺利进入后续课程的学习。

对于非微电子专业的学生,本课程将为其进入微电子学研究领域或与微电子学相关的交叉学科,打下一个初步扎实的基础。

30260072 微电子工艺技术 2学分 32学时Microelectronics Fabrication Technology本课程主要讲授硅集成电路制造的工艺。

首先,在介绍单晶硅的生长、晶园的制备以及集成电路制造污染控制方法和制造环境后,重点学习微电子制造工艺各单项工艺的基本原理(包括氧化、扩散、离子注入、薄膜淀积、快速退火、光刻、刻蚀、金属化工艺等),并了解常用的工艺检测方法、集成电路工艺集成技术和工艺技术的发展趋势等。

其次,课外通过计算机模拟试验,学习氧化、扩散、离子注入等工艺设备的简单操作和模拟方法。

第三,课外组织观看工艺录像,并到微电子学研究所集成电路试验线参观进行现场讲解。

30260093 固体物理学 3学分 48学时Solid State Physics固体物理学是固体材料和固体器件的基础。

该课程主要研究晶体的结构及对称性,晶体中缺陷的形成及特征,晶格动力学,能带理论的基础知识以及晶体中的载流子输运现象等。

是微纳电子专业的核心课。

30260103 半导体物理学 3学分 48学时Semiconductor Physics主要讲授半导体材料的基本物理知识,半导体器件基本结构的工作原理。

主要内容包括:半导体材料基本性质(能带结构),半导体中的电子态和平衡载流子统计,载流子的输运过程(非平衡载流子,过剩载流子的产生和复合,载流子的漂移、扩散,散射,热载流子效应,电流连续性方程),PN同质和异质结、金属-半导体接触的电学特性,MOS结构物理,半导体基本光电特性30260133 电子学基础 3学分 48学时Fundamentals of Electronics本课程主要内容:电路原理部分包括电路基础、电路分析方法、正弦量与频率分析、一阶二阶瞬态等内容。

电子电路部分包括集成电路工艺流程与MOS晶体管的IV特性、共源放大器、共栅放大器和源级跟随器、电流镜和电流源、差分放大器、反馈分析与频率补偿、运算放大器与应用电路、双极型电路基础等内容。

40260012 量子信息学引论 2学分 32学时Introduction to Quantum Information Science量子信息学是运用量子力学基本原理进行信息的编码、通信与处理的新兴交叉学科。

本课程深入浅出地介绍量子信息科学领域的主要思想与方法,一方面提供理解量子信息学所需的物理、数学、计算机科学的知识背景,另一方面使大家理解并掌握本领域的基本工具与结果。

具体内容分为八章。

第一章介绍量子信息学的历史发展和基本概念,突出一些重要的待解决的问题。

第二章深入介绍量子信息学所需的量子力学的基本概念。

第三章深入介绍量子信息学所需的计算机科学的基本概念,如图灵机、线路、计算资源的量化、计算复杂性等。

第四章描述量子计算所需的基本元件和许多基本操作。

第五章讲解量子富立叶变换及其在因数分解与离散对数问题中的应用,并解释这些结果对于密码学的重要性。

第六章对量子搜索算法进行扼要的讲解。

第七章采用实验中已经成功实现的例子,讲解量子计算机的一般设计原则与物理实现的满意判据。

第八章讲解量子信息学的最新进展. 内容以同学们的报告为主。

40260033 模拟集成电路分析与设计 3学分 48学时Analysis and Design of Analog Integrated Circuits本课程介绍模拟集成电路的分析与设计方法,引导和帮助学生学习基础电路理论,实现简单的模拟集成电路。

课程可分成3个部分:分别是电路理论知识、电路仿真和版图介绍。

课程以讲述电路理论为主,通过电路仿真对电路理论加以验证和应用,最后介绍版图、流片方面的内容,使学生对全定制集成电路的设计流程有一个初步的了解。

本课程先讲述器件模型,它是模拟集成电路设计的基础。

然后说明基本电路的分析和设计方法,它是课程的主要内容。

围绕如何设计和使用运算放大器,分析构成运算放大器的单管放大电路、差分电路、电流源及电流镜;讲解运算放大器在使用中涉及的反馈理论和反馈系统的频率补偿方法;研究两个重要的电路指标——噪声和非线性失真;介绍以运放为基础的开关电容电路。

此外将介绍有关电路仿真和版图的基础知识。

通过这样的课程安排,希望学生能掌握分析电路的方法、完成运算放大器的设计。

40260043 超大规模集成电路CAD 3学分 48学时Very Large Scale Integrated Circuit CAD课程内容主要为集成电路计算机辅助设计技术,要求掌握原理和EDA设计方法。

具体内容包括:VLSI CAD 基本算法;仿真方法;高层次综合;逻辑综合;形式验证;测试方法;物理设计-版图分割、布局布线、压缩。

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