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电子书阅读器下载书的操作规程
电子书阅读器下载书的操作规程电子书阅读器已成为现代人获取知识和享受阅读的重要工具。
通过电子书阅读器，我们可以随时随地获取喜欢的图书，并且可以将大量的书籍存储于一个小巧的设备中。
为了帮助您更好地使用电子书阅读器下载书籍，下面是一份操作规程，详细介绍了下载电子书的步骤。
一、选择合适的电子书阅读器在开始下载电子书之前，首先需要选择一款合适的电子书阅读器。
市面上有许多不同品牌和型号的电子书阅读器供选择。
您可以根据自己的需求和预算，选择一款适合您的阅读器。
二、连接电子书阅读器与电脑1. 使用USB数据线将电子书阅读器与电脑连接起来。
2. 确保电子书阅读器的电源已打开，并处于可供连接状态。
三、寻找电子书资源网站1. 打开您习惯访问的浏览器程序。
2. 在搜索引擎中输入关键词"电子书下载"或者"电子书资源网站"。
3. 根据搜索结果，点击进入一个可信赖的电子书资源网站。
四、浏览并选择合适的电子书1. 在电子书资源网站上，您可以通过分类、关键词或作者来寻找感兴趣的电子书。
2. 点击电子书的标题或封面，进入电子书的详细页面。
3. 在详细页面上，您可以阅读该电子书的简介、评价和相关信息。
4. 确认您要下载该电子书后，查找下载按钮或链接。
五、确认下载方式大多数电子书资源网站提供多种下载方式，如PDF格式、EPUB格式等。
请根据您的阅读器支持的格式，选择合适的下载方式。
六、开始下载电子书1. 点击下载按钮或链接后，等待下载页面加载完毕。
2. 在下载页面上，选择您要下载的电子书的格式（如PDF或EPUB）。
3. 点击下载按钮开始下载电子书文件。
七、将电子书导入到电子书阅读器1. 下载完成后，找到您下载的电子书文件，通常会保存在您的电脑的默认下载文件夹中。
2. 右键点击电子书文件，并选择“复制”选项。
3. 打开您的电子书阅读器，找到存储电子书的文件夹或者目录。
4. 在电子书阅读器的文件夹或目录中，右键点击空白处，并选择“粘贴”选项。
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如何下载电子书到手机
如何下载电子书到手机在现代社会中，我们处处都离不开智能手机。
无论是学习、工作还是娱乐，手机都成为了我们的得力助手。
阅读电子书也是人们日常生活中的一项重要活动，它不仅提供了便利的阅读方式，还可以节省空间和资源。
本文将介绍如何下载电子书到手机，让您随时随地都能愉快地享受阅读的乐趣。
第一步：选择合适的电子书应用要下载电子书到手机，首先需要选择一款合适的电子书应用程序。
在市场上，有许多知名的电子书应用可供选择，例如：Kindle、iBooks、Google Play Books等。
这些应用都提供了大量的电子书资源，并且支持多种不同的平台和文件格式，因此您可以根据自己的需求选择其中之一。
第二步：下载并安装电子书应用打开应用商店（如App Store或Google Play Store），在搜索栏中输入您选择的电子书应用的名称，然后点击搜索。
找到应用后，点击“下载”按钮，等待应用下载并安装完成。
安装完成后，点击应用图标启动应用程序。
第三步：注册或登录账号在首次使用电子书应用时，通常需要注册一个新账号或使用已有账号进行登录。
请按照应用程序的提示完成注册或登录过程，并确保提供准确的个人信息。
这将帮助您管理您的电子书收藏，并与其他设备同步。
第四步：浏览电子书库登录后，您将进入应用的主界面。
通常会有一个电子书库或书架，其中展示了各种分类的电子书资源。
浏览电子书库时，您可以通过关键字搜索、分类筛选或热门推荐来快速找到您感兴趣的电子书。
第五步：选择并下载电子书当您找到一本感兴趣的电子书时，点击书籍封面或标题以查看详细信息。
在电子书的详细页面中，您通常可以找到该书的简介、作者、评分和评论等信息。
如果您决定下载阅读，点击相应按钮即可开始下载。
第六步：管理和阅读电子书一旦下载完成，您可以在书架或个人图书馆中找到已下载的电子书。
点击书籍封面或标题即可打开电子书，并开始阅读。
电子书应用通常提供了各种个性化的阅读设置，例如：字体、字号、背景颜色等，让您根据自己的需求进行调整。
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电子图书馆中电子书籍的下载操作
电子图书馆中电子书籍的下载操作在现代科技的发展下，纸质书籍逐渐被电子书籍所取代。
电子图书馆成为越来越多读者获取知识和阅读的主要途径之一。
然而，对于一些新手用户来说，可能对电子书籍的下载操作不太了解。
本文将详细介绍在电子图书馆中下载电子书籍的操作方法。
1. 登录电子图书馆账户首先，你需要拥有一个电子图书馆的账户。
如果还没有账户，你需要先注册一个。
通常，电子图书馆的注册过程类似于其他网站的注册，需要提供一些个人信息，并根据要求设置账户密码。
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怎样下载电子书到手机上 怎么下载电子书教程
怎样下载电子书到手机上？怎样下载电子书教程发布时间：2011-11-29 06:11作者：电脑百事网原创来源：30903 次阅读现在移动设备使用越来越多，并且多数移动设备都支持小说阅读，这也导致了不手手机小说用户，MP3小说用户，使用手机或移动设备看小说已经是再平常不过的事情了，不过笔者发现依然有不少朋友不知道怎样下载电子书，下面编辑来与新手朋友介绍下。
怎样下载电子书到手机上？这个问题看似简单，但对很多菜鸟朋友来说可还真不知道，要么不知道怎么去下载，要么找不到下载地方。
其实下载电子书到手机主要有2种方法，一是使用手机网络登陆wap 小说站去下载，另外就是去电脑上下载，然后移动到手机上。
不过编辑建议用电脑下载，因为使用电脑下载小说不仅可以下载到更多优质小说，并且免费，而不需要手机流量，毕竟对于长篇小说来说使用手机wap网址下载需要浪费不少手机流量。
下面以从电脑中下载到手机为例。
第一步：将手机用数据线分别将手机与电脑的USB插孔相连，也可以使用读卡器。
之后我们就可以进入我的电脑中即可看到多了一个可移动磁盘，这个就是你手机的存储卡，如下图：手机存储卡位置如上图，点击可移动磁盘进入就可以看到我们手机存储卡里都有哪些文件夹了，一般不同手机文件夹名称有所不同，有的以中文命名，有的以英文命名，下面以笔者手机为例，里面是以中文名称命名的，如下图，很明显就看到有一个“我的电子书”文件夹，如下图：找到电子书文件夹如上图，以笔者手机为例，放置电子书的文件夹为“我的电子书”我们之后只要将电子书下载放进这个文件夹即可。
这里需要注意的是不同手机里面文件夹的命名是不一样的，有的是英文，那么电子书文件夹一般为E-book或者mybook 或者book等字样的文件一般就是电子书文件夹，下载的电子书必须放置在对应文件夹中，不然你手机很难找到，这点大家需要注意。
知道了电子书放置的位置，就好办，下面只需要去下载放入即可。
第二步：电子书的下载网上下载电子书的网站有很多，您可以百度搜索“电子书”或进入网址导航找电子书网站。
Contents
Centro de Investigaci´o n y de Estudios Avanzados del IPN Departamento de Ingenier´ıa El´e ctrica2nd International Conference on Electrical and Electronics Engineering(ICEEE)XI Conference on Electrical Engineering(CIE2005)Mexico City,MexicoSeptember7-9,2005Final Program&Abstract BookThis book was elaborated using L A T E X2e. CINVESTAV,August2005ContentsMessage from the conference chair4 Message from the Head of the EED5 2nd ICEEE-CIE Organizing Committee7 Topic Chairs8 Reviewers9 Final Program11 Courses19 Round table sessions21 General Information21 Keynote Speakers22 Plenary Conferences Abstracts23 Abstract Book27 Autor Index63Message from the conference chairWe begin our joint Conference,namely ICEEE-CIE2005,with the desire to meet col-leagues and friends from Mexico and abroad.We mean students,professors and pro-fessionals that design,develop and propose technological and engineering solutions for electrical and electronics systems,whether as research work or immediate application. Certainly,this Conference is an opportunity to do so.It is worth pointing out that it is the second time this technical forum is presented as an international event and whose diffusion has been excellent due to the means of the prestigious institution:the Institute of Electrical and Electronics Engineers,IEEE.In this respect,we are also grateful to Cinvestav by its support providing facilities andfinances.Looking at the ICEEE-CIE2005program,we can mention that the technical topics cover a wide spectrum of areas,namely in computer science,bioelectronics,communica-tion systems,solid-state electronics,VLSI design,electronic materials and mechatronics. They reflect modern engineering techniques and methods,which belong to those proposed by experienced experts that work in academia,laboratories and industry,in collaboration with students and specialized technicians.In summary,we are going to witness relevant results that might help ours,fulfilling the early objectives of this Conference.We realize that the quality of the selected papers for oral presentation is high due in part to the participation of foreign reviewers,who kindly accepted the silent task of eval-uating the original manuscripts in collaboration with national ones.We recognize that the participation of keynote speakers is a cornerstone on which this Conference builds its success.In particular,five full professors,each one invited by the Sections of the host Electrical Engineering Department,enhance this issue.Some words for visitors from abroad follow.Mexico is a modern Spanish-speaker coun-try,where the friendship is a distinctive gesture that foreigners always appreciate,there-fore,this event is a vehicle to try.Our city,which is taken into account as the largest in the world,is also warm even though its thoughtful people and Cinvestav is not the exception to the rule.In the context of both the initial preparation and thefinal process of setting details of the Conference,we want to thank to Mrs.Carmen Quintero,Judith Esparza,Anabel D´ıaz,Miguel-Angel Velasco,Emilio Espinosa,Gabriel Vega Mart´ınez and student Victor Ponce for offering their timely and valuable skills.Finally,on behalf of the ICEEE-CIE2005organizing committee I welcome to everyone attending this fruitful three-day academic meeting.Likewise,enjoy your stay in our city! Sincerely,Felipe G´o mez-Casta˜n edaICEEE-CIE2005Conference Chair.Message from the Head of the EEDDear Coleagues:On behalf of the Electrical Engineering Department(EED)at the Center of Research and Advanced Studies(Cinvestav),it is my privilege to welcome you to the Second In-ternational Conference on Electrical and Electronics Engineering(ICEEE)and the XI Conference on Electrical Engineering(CIE).This occasion is quite special since we are celebrating eleven years of the CIE which has been organized as an annual event by the EED.Furthermore,we are initiating today a new adventure:The ICEEE organized for the this time in the EED’s Mexico city main campus.As you know,this time our venue is M´e xico,City where we expect an intensive interaction among scholars and electrical engineering practitioners from all over the world,especially,from the Americas.One of the main objectives of the ICEEE is to provide a forum to spread and promote the disciplines cultivated by the EED,namely:Bioelectronics,Communications,Com-puter Science,Mechatronics and Solid State Electronics.Likewise,this event represents an opportunity to make known scientific and technological contributions achieved by other Mexican institutes.Throughout its forty two years of existence and as its most important reason to be, the EED faculty has strived to promote science and technology in Mexico.Such task has not been only limited to pure academic developments but also has decisively con-tributed to improvements and developments in a variety of national industry products and applications.That is why the ICEEE and CIE-2005conferences have always had the presence of industry representatives whose participation we welcome.In this sense,the ICEEE comes to crown and consecrate the entire academic and research efforts of the EED faculty during all these years.Given the rich diversity of Electrical Engineering disciplines cultivated by the EED,an international and national committee in different specialties was assembled together to perform a rigorous review process of the submitted papers.In this way,we are in the position to guarantee both,the quality of the conference and the benefit that all delegates can obtain from attending our ICEEE/CIEEE-2005conference.Attendees willfind that there is a lot to learn from the scientific and technological exchange to be provided by this forum.Assistance willfind an opportunity to increase their awareness of nowadays most relevant electrical engineering problems.For all the aforementioned,this even constitutes a high priority means to promote the technological advanced of our countries.Another milestone achieved recently by Cinvestav was our graduate student number 5324.Out of this number,the EED alone has contributed with824graduated students,be-ing the highest number ever obtained by any Electrical Engineering post-graduate school in Mexico.Finally,on behalf of all the faculty member of the EED,I would like to thank all those who have worked so hard to make these conferences possible.Particularly,we are grateful to our director,Rosalinda Contreras,to IEEE and to our sponsors for all the support given to us towards the organization of this event.We hope that you will enjoy the Conferences and that you willfind some free time to relax and get to know the Mexico city.Ernesto SuasteHead of the EED2nd ICEEE-CIE Organizing Committee Dr.Felipe G´o mez-Casta˜n eda(Conference Chairman)Dr.Carlos Alvarado-Serrano(Proceedings Editor)Dr.Rafael Castro-Linares(Tutorials)Dr.Luis Gerardo de la Fraga(Technical Program)Dr.Felipe Alejandro Cruz-P´e rez(Advertising)Dr.Ernesto Suaste-G´o mez(Industrial Relations and Exhibit)Dra.Xiaoou Li Zhang(Logistics)Technical SupportJudith Esparza(System and On-Line Submission)Ma.del Carmen Quintero(Administrative Assistant)Ricardo G´o mez(Exhibiting Assistant)Conference Management System CINVESTAV(On-Line Paper Submission and Reviewing System)Topic Chairs Bioengineering and Medical Electronics Electrical PowerElectronic CircuitsCarlos Alvarado SerranoCINVESTAV-IPN. Communication SystemsMauricio Lara-Barr´o nCINVESTAV-IPN.Computer ScienceXiaoou Li ZhangCINVESTAV-IPN.Solid-State Electronics and VLSI Semiconductor MaterialsMar´ıa de la Luz Olvera-AmadorCINVESTAV-IPN.Automatic Control and Mechatronics Rafael Castro-LinaresCINVESTAV-IPN.ReviewersAbraham Claudio S´a nchez.........................................CENIDET,M´e xico Aldo Orozco...............................................CINVESTAV-IPN,M´e xico Alfonso Guti´e rrez Aldana...........................................CIC-IPN,M´e xico Andr´e s Iv´a n Oliva Arias...................................CINVESTAV-IPN,M´e xico Ante Salcedo Gonz´a lez.................................................ITAM,M´e xico Antonio F Mondragon Torres..............................Texas Instruments,U.S.A. Arturo Escobosa...........................................CINVESTAV-IPN,M´e xico Arturo Hern´a ndez Aguirre............................................CIMAT,M´e xico Arturo Morales-Acevedo...................................CINVESTAV-IPN,M´e xico Arturo Veloz Guerrero...................................................Intel,M´e xico Arturo Vera Hern´a ndez....................................CINVESTAV-IPN,M´e xico Carlos A.Coello Coello....................................CINVESTAV-IPN,M´e xico Carlos Alberto Cruz Villar.................................CINVESTAV-IPN,M´e xico Carlos Alvarado Serrano...................................CINVESTAV-IPN,M´e xico Carlos Arist´o teles De La Cruz Blas...........Universidad P´u blica de Navarra,Espa˜n a Christopher Druzgalski...............................................CSULB,U.S.A. Claude Moog........................................................IRCCyN,France David H.Covarrubias Rosales.......................................CICESE,M´e xico Demetrio Villanueva Ayala.................................CINVESTAV-IPN,M´e xico Deni L.Torres Rom´a n.....................................CINVESTAV-IPN,M´e xico Dominique boratoire LSR Logiciels Systemes Resea,France Edgar Ch´a vez.............Universidad Michoacana de San Nicol´a s de Hidalgo,M´e xico Eduardo Moreno.............................................ICIMAF,CITMA,Cuba Ernesto Suaste.............................................CINVESTAV-IPN,M´e xico Felipe Alejandro Cruz P´e rez...............................CINVESTAV-IPN,M´e xico Felipe G´o mez Casta˜n eda...................................CINVESTAV-IPN,M´e xico Fernando Ram´ırez Mireles.............................................ITAM,M´e xico Francisco Javier Garc´ıa Ugalde................Facultad de Ingenier´ıa,UNAM,M´e xico Francisco J.Garc´ıa S´a nchez....................Universidad Sim´o n Bol´ıvar,Venezuela Francisco J.Ruiz-S´a nchez..................................CINVESTAV-IPN,M´e xico Francisco Rodr´ıguez-Henr´ıquez.............................CINVESTAV-IPN,M´e xico Gabriel Romero Paredes Rubio............................CINVESTAV-IPN,M´e xico Giselle M.Galv´a n-Tejada..................................CINVESTAV-IPN,M´e xico Guang-Bin Huang.......................Nanyang Technological University,Singapore Guillermo Morales-Luna...................................CINVESTAV-IPN,M´e xico Henri Huijberts................................University of London,United Kingdom Horacio Soto Ortiz..................................................CICESE,M´e xico Ieroham Baruch...........................................CINVESTAV-IPN,M´e xico Isaac Rudomin.................................................ITESM-CEM,M´e xico Javier E.Gonz´a lez Villarruel.........................................ITESM,M´e xico Jes´u s Carrillo L´o pez...........................................BUAP,Puebla,M´e xico Joaquin Alvarez.....................................................CICESE,M´e xico Jorge Carlos Mex Perera.........................ITESM,Campus Monterrey,M´e xicoJos´e Alfredo´Alvarez-Ch´a vez.............University of Southampton,United Kingdom Jos´e Luis Medina Monroy...........................................CICESE,M´e xico Jos´e Luis Ramos Quirarte........................Universidad de Guadalajara,M´e xico Jos´e Miguel Rocha P...............Freescale Semiconductor,Motorola Puebla,M´e xico Jose Rosario Gallardo Lopez.........................................CICESE,M´e xico Juan Humberto Sossa Azuela.......................................CIC-IPN,M´e xico Juan Manuel Hern´a ndez Cid..........................................ITESO,M´e xico Luis Gerardo de la Fraga...................................CINVESTAV-IPN,M´e xico Manuel Duarte-Mermoud.................................Universidad de Chile,Chile Maria De La Luz Olvera Amador..........................CINVESTAV-IPN,M´e xico Mariano Aceves Mijares......................................INAOE,Puebla,M´e xico Mario Alfredo Reyes Barranca.............................CINVESTAV-IPN,M´e xico Mauricio Lara.............................................CINVESTAV-IPN,M´e xico Mauricio Ortega L´o pez....................................CINVESTAV-IPN,M´e xico M´a ximo L´o pez-L´o pez......................................CINVESTAV-IPN,M´e xico MengChu Zhou...........................................................NJIT,USA Miguel´Angel Le´o n Ch´a vez....................................BUAP,Puebla,M´e xico Miguel Garc´ıa-Rocha......................................CINVESTAV-IPN,M´e xico Mohamed Moustafa Abd-El Aziz Moustafa.......The Cabinet-Information&DecisionSupport.Egypt Oscar Castillo...............................Instituto Tecnol´o gico de Tijuana,M´e xico Oscar D´ıaz...................................University of the Basque Country,Spain Pablo Rogelio Hern´a ndez Rodr´ıguez........................CINVESTAV-IPN,M´e xico Rafael Castro-Linares......................................CINVESTAV-IPN,M´e xico Ram´o n Mart´ın Rodr´ıguez Dagnino...............ITESM,Campus Monterrey,M´e xico Ram´o n Parra Michel............................ITESM Campus Guadalajara,M´e xico Ram´o n Pe˜n a Sierra........................................CINVESTAV-IPN,M´e xico Ricardo G´o mez Villanueva.................................CINVESTAV-IPN,M´e xico Roberto Mu˜n oz Guerrero..................................CINVESTAV-IPN,M´e xico Rodolfo Quintero Romo....................................CINVESTAV-IPN,M´e xico Rogelio Alc´a ntara Silva.......................Facultad de Ingenier´ıa,UNAM,M´e xico Valeri Kontorovich Mazover................................CINVESTAV-IPN,M´e xico Vicente Parra Vega........................................CINVESTAV-IPN,M´e xico Xiaoou Li..................................................CINVESTAV-IPN,M´e xico Yasuhiro Matsumoto.......................................CINVESTAV-IPN,M´e xicoFinal ProgramWednesday7,September2005Auditory Room1Room2 8:309:30Registration9:309:50Opening Ceremony10:0011:00PLE1EP11SSE1111:0011:30Break Break Break11:3012:30CS1EP12SSE1212:3013:30CS1MEC11BIO1113:3015:00Lunch Lunch Lunch15:0016:00CS2MEC12BIO1216:0017:00CS2COM1BIO217:0018:00-COM1BIO218:00-Welcome cocktailThrusday8,September2005Auditory Room1Room2 9:0010:00COM2SSE2BIO3 10:0011:00PLE2SSE2BIO3 11:0011:30Break Break Break 11:3012:30PLE3COM3EP2 12:3013:30Round-T1COM3EP2 13:3015:00Lunch Lunch Lunch 15:0017:00CS31MEC21EP3 17:0017:30Break Break–17:3018:10CS32MEC22–Friday9,September2005Auditory Room1Room2 9:0010:00–EC1SEM1 10:0011:00PLE4EC1SEM1 11:0011:30Break Break Break 11:3012:30PLE5EC2SEM2 12:3014:00Round-T2EC2SEM2 14:00-Closing CeremonySymbol list:PLE PlenaryBIO Bioengineering and Medical ElectronicsCOM Communication SystemsCS Computer ScienceSSE Solid-State Electronics and VLSIMEC Mechatronics and Automatic ControlEC Electronic CircuitsSEM Semiconductor MaterialsEP Electrical PowerRound-T Round Table1CS1Computer ScienceWednesday11:30-13:30AuditoryChair:Dr.Luis Gerardo de la Fraga..................1.111:30-11:50.An Algorithm for Reduct of Boolean Functions Basedon Primes (27)1.211:50-12:10.A Virtual Machine for the Ambient Calculus (27)1.312:10-12:30.Algorithms for Robust Graph Coloring on Paths (27)1.412:30-12:50.Animation of Deformable Objects Built with SimplexMeshes (27)1.512:50-13:10.Mathematical Tools for Speeding Up the Determina-tion of Configurations of the n-Dimensional Orthogonal Pseudo-Polytopes (28)1.613:10-13:30.Non-Linear Filters for colour imaging implemented byDSP (28)2CS2Computer ScienceWednesday15:00-17:00AuditoryChair:Dra.Xiaoou Li...........................2.115:00-15:20.Environmental Sounds Recognition System Using theSpeech Recognition System Techniques (28)2.215:20-15:40.Analysis of Audio Watermarking Schemes (29)2.315:40-16:00.Wavelet Domain Statistical Order Filter using the Tri-State Median Filter Algorithm (29)2.416:00-16:20.Analysis of a DFT-Based Watermarking Algorithm..292.516:20-16:40.Implementation of Artificial Neural Networks for Recog-nition of Target and Clutter Images (30)2.616:40-17:00.SIMD Architecture for Image Segmentation using So-bel Operators Implemented in FPGA Technology (30)3CS31Computer ScienceThursday15:00-17:00AuditoryChair:Dr.Arturo D´ıaz P´e rez.......................3.115:00-15:20.Mobile RFID Reader with Database Wireless Synchro-nization (30)3.215:20-15:40.Experimental Analysis of Wireless Propagation Modelswith Mobile Computing Applications (31)3.315:40-16:00.Performance Analysis of the Confidentiality SecurityService in the IEEE802.11using WEP,AES-CCM,and ECC (31)3.416:00-16:20.A Tool for Analysis of Internet Metrics (31)3.516:20-16:40.A Library Framework for the POSIX Application-Defined Scheduling Proposal (31)3.616:40-17:00.Dynamic invocation of Web services by using aspect-oriented programming (32)4CS32Computer ScienceThursday17:30-18:10AuditoryChair:Dr.Arturo D´ıaz P´e rez.......................4.117:30-17:50.LIDA/REC Visual Language for Databases interfacePostgreSQL (32)4.217:50-18:10.Aspect-Oriented Web Services Orchestration (33)5COM1Communication SystemsWednesday16:00-18:00Room1Chair:Dr.Aldo Gustavo Orozco Lugo.................5.116:00-16:20.Adaptive Echo Canceller Using a Modified LMS Algo-rithm (33)5.216:20-16:40.The Universality of the Prolate Spheroidal Wave Func-tions for Channel Orthogonalization and its Modeling (33)5.316:40-17:00.On the generalized and modified Suzuki model(GMSM):approximations and level crossing statistics (34)5.417:00-17:20.On MIMO Space-Time Coded Systems:Unleashingthe Spatial Domain (34)5.517:20-17:40.On the design of an FPGA-Based OFDM modulatorfor IEEE802.11a (34)5.617:40-18:00.DSP Digital Modulation Software Implementation andRF Impairments Analysis (35)6COM2Communication SystemsThursday9:00-10:00AuditoryChair:Dr.Javier Gonz´a lez........................6.19:00-9:20.State of the Art in Ultra-Wideband Antennas (35)6.29:20-9:40.Design and Simulation of a1to14GHz BroadbandElectromagnetic Compatibility DRGH Antenna (35)6.39:40-10:00.RF System Concepts Applied to Digital Wireless Re-ceivers Design Based on wireless standards (36)7COM3Communication SystemsThursday11:30-13:30Room1Chair:Dra.Giselle Galv´a n Tejada...................7.111:30-11:50.Design of a Backup Wireless Network for the Depart-ment of Electrical Engineering of CINVESTAV-IPN (36)7.211:50-12:10.Cell Planning Based on the WiMax Standard for HomeAccess:A Practical Case (36)7.312:10-12:30.Performance Analysis of an All-Optical WavelengthConverter Using a Semiconductor Optical Amplifier Simulator (37)7.412:30-12:50.Quasi Mobile IP-based Architecture for Seamless In-terworking between WLAN and GPRS Networks (37)7.512:50-13:10.Design and Verification Based on Assertions:SomeStatistics (37)7.613:10-13:30.Traffic Analysis for IP Telephony (38)8BIO11Bioengineering and Medical ElectronicsWednesday12:30-13:30Room2Chair:Dr.Pablo Rogelio Hern´a ndez Rodr´ıguez...........8.112:30-12:50.A Microprocessor-Based System for Pulse-Echo Over-lap Measurement of Ultrasonic Velocity (38)8.212:50-13:10.Rotation Effects of an Axicon Ultrasonic Transducerwhen Measuring a Blood Flow Rate (38)8.313:10-13:30.Experimental Estimation of Acoustic Attenuation andDispersion (38)9BIO12Bioengineering and Medical ElectronicsWednesday15:00-16:00Room2Chair:Dr.Pablo Rogelio Hern´a ndez Rodr´ıguez...........9.115:00-15:20.New X-wave Solutions of Isotropic/Homogenous ScalarWave Equation (39)9.215:20-15:40.Feasibility study of using ultrasonic transducer borderwaves for centering hydrophones in ultrasonicfield characterization399.315:40-16:00.ELF magneticfields generator,variable in intensityand frequency for biological applications (39)10BIO2Bioengineering and Medical ElectronicsWednesday16:00-18:00Room2Chair:Dr.Roberto Mu˜n oz Guerrero..................10.116:00-16:20.Automatic Detection of ECG Ventricular ActivityWaves using Continuous Spline Wavelet Transform (40)10.216:20-16:40.Crayfish Brain States Characterization with WaveletTransform (40)10.316:40-17:00.Measurement of Skin-Electrode Impedance for a12-lead Electrocardiogram (41)10.417:00-17:20.Cancer Model Identification Via Sliding Mode andDifferential Neural Networks (41)10.517:20-17:40.Experimental Seat for the Study of the Effects of Ran-dom Pneumatic Stimulation for the Prevention of Pressure Ulcers.41 11BIO3Bioengineering and Medical ElectronicsThursday9:00-11:00Room2Chair:Dr.Arturo Vera Hern´a ndez...................11.19:00-9:20.Foveal model of artificial retina with phototransistors inDarlington configuration in the high-resolution region (42)11.29:20-9:40.Distributed Retinal Stimulation Model Based on Adap-tive System (42)11.39:40-10:00.Chromatic Pupillary Response in Diabetic Patients (42)11.410:00-10:20.Neuro Tracking Control for Glucose-Insulin InteractionModel (43)11.510:20-10:40.PVDF Strength Sensor for Biomechanical Analysis inMice (43)11.610:40-11:00.Conception and Realization of a3D Dynamic Sensoras a Tool in Human Walking Study (43)12MEC11Mechatronics and Automatic ControlWednesday12:30-13:30Room1Chair:Dr.Gerardo Silva Navarro....................12.112:30-12:50.New Results on the Energy-Based Control of SeriesResonant Inverters (44)12.212:50-13:10.Modeling and Controller Design of a Magnetic Levita-tion System (44)12.313:10-13:30.Global observability and detectability analysis for aclass of nonlinear models of biological processes with bad inputs..44 13MEC12Mechatronics and Automatic ControlWednesday15:00-16:00Room1Chair:Dr.Gerardo Silva Navarro....................13.115:00-15:20.On New Passivity Property:Review and Extension toMechanical Rotational Systems (44)13.215:20-15:40.Fault Detection Using Dynamic Principal ComponentAnalysis by Average Estimation (45)14MEC21Mechatronics and Automatic ControlThursday15:20-17:00Room1Chair:ardo Aranda Bricaire..................14.115:20-15:40.Stability of a diamond-type quasipolynomial family..4514.215:40-16:00.Lyapunov Matrices for Time Delay Systems (45)14.316:00-16:20.Lyapunov Matrices for Neutral Type Time Delay Sys-tems (45)14.416:20-16:40.Solving the Coupled Riccati Equation for the N-PlayersLQ Differential Game (46)14.516:40-17:00.Improving Stability and Performance in a GeneralizedMinimum Variance Controller using Dynamic Pole Assignment (46)15MEC22Mechatronics and Automatic ControlThursday17:30-18:50Room1Chair:Dr.Vicente Parra Vega......................15.117:30-17:50.Stable Task Space Neurocontroller for Robot Manipu-lators without Jacobian Matrix (46)15.217:50-18:10.New Position Controllers for Robot Manipulators (46)15.318:10-18:30.A design strategy of discrete event controllers for au-tomated manufacturing systems (47)15.418:30-18:plexity and Path Planning for a car-like robot..47 16SSE11Solid-State Electronics and VLSIWednesday10:00-11:00Room2Chair:Dr.Alfredo Reyes Barranca...................16.110:00-10:20.Morphological effects and their relation with the elec-trical resistivity measured during the initial stages of growth ofAu/glas (47)16.210:20-10:40.Charging/discharging effects in nc-Si/SiO2superlat-tice prepared by LPCVD (48)16.310:40-11:00.Effect of Nitrogen in the Photoluminescence of SiliconRich Oxidefilms prepared by LPCVD (48)17SSE12Solid-State Electronics and VLSIWednesday11:30-12:30Room2Chair:Dr.Alfredo Reyes Barranca...................17.111:30-11:50.SnO2,SnO2/Ag and Ag/SnO2Thin Films used asPropane Sensors (48)17.211:50-12:10.Two-Dimensional Nonlinear Spin-Dipole Waves in theMillimeter Wave Range (48)18SSE2Solid-State Electronics and VLSIThursday9:00-11:00Room1Chair:Dr.Jos´e A.Moreno Cadenas..................18.19:00-9:20.Polyimide Passivation Approaches on Double-Mesa Thyris-tors (49)18.29:20-9:40.A Low-Power Bootstrapped CMOS Full Adder (49)18.39:40-10:00.An Improved EKV Model for Partially Depleted SOIDevices (49)18.410:00-10:20.Macromodel for CMOS Photogate-Type Active PixelSensors (50)18.510:20-10:40.Linear theory of the thermoelectric cooling based onthe Peltier effect (50)18.610:40-11:00.Fuzzy Equalizer in VLSI (50)18.711:00-11:20.1-D BJT Parameter Extraction for Cuasi-3D Simula-tion of Four-Layer Devices (50)19EP11Electrical PowerWednesday10:00-11:00Room1Chair:Ing.Jos´e A.Urbano Castel´a n..................19.110:00-10:20.Modeling of the Circuit Parameters of an Induction De-vice for Heating of a Non-Magnetic Conducting Cylinder by Meansof a Travel (51)19.210:20-10:ing Edsa on Radial Primary Feeder Capacitor Sizeand Location Simulation (51)19.310:40-11:00.A Complex Fault-Tolerant Power System Simulation.51 20EP12Electrical PowerWednesday11:30-12:30Room1Chair:Ing.Jos´e A.Urbano Castel´a n..................20.111:30-11:50.Internal Winding Faults in Three-Phase Five-LimbTransformer (52)20.211:50-12:10.Analysis of the generator-transformer interaction inthe abc reference (52)21EP2Electrical PowerThursday11:30-13:30Room2Chair:Dr.Francisco Ru´ız S´a nchez...................21.111:30-11:50.Dinamics of Solar-Powerwd Fractional Horse PowerMotor (52)21.211:50-12:10.Sliding Mode Observer-Based Control for a Series Ac-tive Filter (53)21.312:10-12:30.Fuzzy Logic Enhanced Speed Control System of a VSI-Fed Three Phase Induction motor (53)21.412:30-12:50.Intelligent Control of the Regenerative Braking in anInduction Motor Drive (53)21.512:50-13:10.Analysis of Propulsion Systems in Electric Vehicles..54 22EP3Electrical PowerThursday15:20-17:00Room2Chair:To be defined............................22.115:20-15:40.Electrical Network Simulation for Increasing Quality.5422.215:40-16:00.A trust-region algorithm based on global SQP for re-active power optimization (54)22.316:00-16:20.Stability Analysis of Power Market with Bounded Ra-tionality Cournot Game (54)22.416:20-16:40.A RBFN Hierarchical Clustering Based Network Parti-tioning Method for Zonal Pricing (55)23EC1Electronic CircuitsFriday9:40-11:00Room1Chair:Dr.Hildeberto Jard´o n Aguilar.................23.19:40-10:00.MMIC Differential Amplifier Implementation Based onRF&MW Analytical Tools (55)23.210:00-10:20.900MHz band class E PA using high voltage n-channeltransistors in standard CMOS technology (56)23.310:20-10:40.Efficient Design Approach for a SiGe HBT OscillatorIncorporating Reflection Sapphire Loaded Cavity Resonator (56)。
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DS90LV048A
DS90LV048A3V LVDS Quad CMOS Differential Line ReceiverGeneral DescriptionThe DS90LV048A is a quad CMOS flow-through differential line receiver designed for applications requiring ultra low power dissipation and high data rates.The device is de-signed to support data rates in excess of 400Mbps (200MHz)utilizing Low Voltage Differential Signaling (LVDS)technology.The DS90LV048A accepts low voltage (350mV typical)dif-ferential input signals and translates them to 3V CMOS out-put levels.The receiver supports a TRI-STATE ®function that may be used to multiplex outputs.The receiver also supports open,shorted and terminated (100Ω)input fail-safe.The re-ceiver output will be HIGH for all fail-safe conditions.The DS90LV048A has a flow-through pinout for easy PCB layout.The EN and EN *inputs are ANDed together and control the TRI-STATE outputs.The enables are common to all four re-ceivers.The DS90LV048A and companion LVDS line driver (eg.DS90LV047A)provide a new alternative to high power PECL/ECL devices for high speed point-to-point interface applications.Featuresn >400Mbps (200MHz)switching ratesn Flow-through pinout simplifies PCB layout n 150ps channel-to-channel skew (typical)n 100ps differential skew (typical)n 2.7ns maximum propagation delay n 3.3V power supply designn High impedance LVDS inputs on power down n Low Power design (40mW 3.3V static)n Interoperable with existing 5V LVDS driversn Accepts small swing (350mV typical)differential signal levelsn Supports open,short and terminated input fail-safe n Conforms to ANSI/TIA/EIA-644Standardn Industrial temperature operating range (-40˚C to +85˚C)nAvailable in SOIC and TSSOP packageConnection DiagramFunctional DiagramENABLESINPUTS OUTPUT EN EN*R IN+−R IN−R OUT HL or OpenV ID ≥0.1V H V ID ≤−0.1V L Full Fail-safe OPEN/SHORT or TerminatedHAll other combinations of ENABLE inputs X ZTRI-STATE ®is a registered trademark of National Semiconductor Corporation.Dual-in-LineDS100888-1Order Number DS90LV048ATM,DS90LV048ATMTCSee NS Package Number M16A,MTC16July 1999DS90LV048A 3V LVDS Quad CMOS Differential Line Receiver©1999National Semiconductor Corporation Absolute Maximum Ratings(Note1)If Military/Aerospace specified devices are required, please contact the National Semiconductor Sales Office/ Distributors for availability and specifications.Supply Voltage(V CC)−0.3V to+4V Input Voltage(R IN+,R IN−)−0.3V to3.9V Enable Input Voltage(EN,EN*)−0.3V to(V CC+0.3V) Output Voltage(R OUT)−0.3V to(V CC+0.3V) Maximum Package Power Dissipation+25˚CM Package1025mW MTC Package866mW Derate M Package8.2mW/˚C above+25˚C Derate MTC Package 6.9mW/˚C above+25˚C Storage Temperature Range−65˚C to+150˚C Lead Temperature Range Soldering(4sec.)+260˚C Maximum Junction Temperature+150˚C ESD Rating(Note10)(HBM,1.5kΩ,100pF)≥10kV (EIAJ,0Ω,200pF)≥1200VRecommended Operating ConditionsMin Typ Max Units Supply Voltage(V CC)+3.0+3.3+3.6V Receiver Input Voltage GND+3.0V Operating Free AirTemperature(T A)−4025+85˚CElectrical CharacteristicsOver Supply Voltage and Operating Temperature ranges,unless otherwise specified.(Notes2,3)Symbol Parameter Conditions Pin Min Typ Max Units V TH Differential Input High Threshold V CM=+1.2V,0.05V,2.95V(Note13)R IN+,+100mV V TL Differential Input Low Threshold R IN−−100mV VCMR Common-Mode Voltage Range VID=200mV pk to pk(Note5)0.1 2.3V I IN Input Current V IN=+2.8V V CC=3.6V or0V−10±5+10µAV IN=0V−10±1+10µAV IN=+3.6V V CC=0V-20±1+20µA V OH Output High Voltage I OH=−0.4mA,V ID=+200mV R OUT 2.7 3.3VI OH=−0.4mA,Input terminated 2.7 3.3VI OH=−0.4mA,Input shorted 2.7 3.3V V OL Output Low Voltage I OL=2mA,V ID=−200mV0.050.25V I OS Output Short Circuit Current Enabled,V OUT=0V(Note11)−15−47−100mA I OZ Output TRI-STATE Current Disabled,V OUT=0V or V CC−10±1+10µAV IH Input High Voltage EN,EN*2.0V CC VV IL Input Low Voltage GND0.8V I I Input Current V IN=0V or V CC,Other Input=V CC orGND−10±5+10µA V CL Input Clamp Voltage I CL=−18mA−1.5−0.8V I CC No Load Supply CurrentReceivers EnabledEN=V CC,Inputs Open V CC915mA I CCZ No Load Supply Current EN=GND,Inputs Open15mAReceivers DisabledSwitching CharacteristicsOver Supply Voltage and Operating Temperature ranges,unless otherwise specified.(Notes3,4,7,8)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Units t PHLD Differential Propagation Delay High to Low C L=15pF 1.2 2.0 2.7ns t PLHD Differential Propagation Delay Low to High V ID=200mV 1.2 1.9 2.7ns t SKD1Differential Pulse Skew|t PHLD−t PLHD|(Note6)(Figure1and Figure2)00.10.4ns t SKD2Differential Channel-to-Channel Skew;same device(Note7)00.150.5ns t SKD3Differential Part to Part Skew(Note8) 1.0ns t SKD4Differential Part to Part Skew(Note9) 1.5ns t TLH Rise Time0.5 1.0ns t THL Fall Time0.35 1.0ns 2Switching Characteristics(Continued)Over Supply Voltage and Operating Temperature ranges,unless otherwise specified.(Notes3,4,7,8)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Units t PHZ Disable Time High to Z R L=2kΩ814nst PLZ Disable Time Low to Z C L=15pF814nst PZH Enable Time Z to High(Figure3and Figure4)914nst PZL Enable Time Z to Low914nsf MAX Maximum Operating Frequency(Note14)All Channels Switching200250MHzNote1:“Absolute Maximum Ratings”are those values beyond which the safety of the device cannot be guaranteed.They are not meant to imply that the devices should be operated at these limits.The table of“Electrical Characteristics”specifies conditions of device operation.Note2:Current into device pins is defined as positive.Current out of device pins is defined as negative.All voltages are referenced to ground unless otherwise speci-fied.Note3:All typicals are given for:V CC=+3.3V,T A=+25˚C.Note4:Generator waveform for all tests unless otherwise specified:f=1MHz,Z O=50Ω,t r and t f(0%to100%)≤3ns for R IN.Note5:The VCMR range is reduced for larger VID.Example:if VID=400mV,the VCMR is0.2V to2.2V.The fail-safe condition with inputs shorted is not supported over the common-mode range of0V to2.4V,but is supported only with inputs shorted and no external common-mode voltage applied.A VID up to V CC−0V may be applied to the R IN+/R IN−inputs with the Common-Mode voltage set to V CC/2.Propagation delay and Differential Pulse skew decrease when VID is increased from 200mV to400mV.Skew specifications apply for200mV≤VID≤800mV over the common-mode range.Note6:t SKD1is the magnitude difference in differential propagation delay time between the positive going edge and the negative going edge of the same channel Note7:t SKD2,Channel-to-Channel Skew is defined as the difference between the propagation delay of one channel and that of the others on the same chip with any event on the inputs.Note8:t SKD3,part to part skew,is the differential channel-to-channel skew of any event between devices.This specification applies to devices at the same V CC, and within5˚C of each other within the operating temperature range.Note9:t SKD4,part to part skew,is the differential channel-to-channel skew of any event between devices.This specification applies to devices over recommended operating temperature and voltage ranges,and across process distribution.t SKD4is defined as|Max−Min|differential propagation delay.Note10:ESD Rating:HBM(1.5kΩ,100pF)≥10kVEIAJ(0Ω,200pF)≥1200VNote11:Output short circuit current(I OS)is specified as magnitude only,minus sign indicates direction only.Only one output should be shorted at a time,do not exceed maximum junction temperature specification.Note12:C L includes probe and jig capacitance.Note13:V CC is always higher than R IN+and R IN−voltage.R IN−and R IN+are allowed to have a voltage range−0.2V to V CC−VID/2.However,to be compliant with AC specifications,the common voltage range is0.1V to2.3VNote14:f MAX generator input conditions:t r=t f<1ns(0%to100%),50%duty cycle,differential(1.05V to1.35V peak to peak).Output criteria:60/40%duty cycle, V OL(max0.4V),V OH(min2.7V),Load=15pF(stray plus probes).Parameter Measurement InformationDS100888-3FIGURE1.Receiver Propagation Delay and Transition Time Test CircuitDS100888-4FIGURE2.Receiver Propagation Delay and Transition Time Waveforms3Parameter Measurement Information(Continued)Typical ApplicationApplications InformationGeneral application guidelines and hints for LVDS drivers and receivers may be found in the following application notes:LVDS Owner’s Manual (lit #550062-001),AN808,AN977,AN971,AN916,AN805,AN903.LVDS drivers and receivers are intended to be primarily used in an uncomplicated point-to-point configuration as is shown in Figure 5.This configuration provides a clean signaling en-vironment for the fast edge rates of the drivers.The receiver is connected to the driver through a balanced media which may be a standard twisted pair cable,a parallel pair cable,or simply PCB traces.Typically,the characteristic impedance ofthe media is in the range of 100Ω.A termination resistor of 100Ω(selected to match the media),and is located as close to the receiver input pins as possible.The termination resis-tor converts the driver output (current mode)into a voltage that is detected by the receiver.Other configurations are possible such as a multi-receiver configuration,but the ef-fects of a mid-stream connector(s),cable stub(s),and other impedance discontinuities as well as ground shifting,noise margin limits,and total termination loading must be taken into account.DS100888-5C L includes load and test jig capacitance.S 1=V CC for t PZL and t PLZ measurements.S 1=GND for t PZH and t PHZ measurements.FIGURE 3.Receiver TRI-STATE Delay Test CircuitDS100888-6FIGURE 4.Receiver TRI-STATE Delay WaveformsBalanced SystemDS100888-7FIGURE 5.Point-to-Point Application4Applications Information(Continued)The DS90LV048A differential line receiver is capable of de-tecting signals as low as100mV,over a±1V common-mode range centered around+1.2V.This is related to the driver off-set voltage which is typically+1.2V.The driven signal is cen-tered around this voltage and may shift±1V around this cen-ter point.The±1V shifting may be the result of a ground potential difference between the driver’s ground referenceand the receiver’s ground reference,the common-mode ef-fects of coupled noise,or a combination of the two.The ACparameters of both receiver input pins are optimized for arecommended operating input voltage range of0V to+2.4V(measured from each pin to ground).The device will operatefor receiver input voltages up to V CC,but exceeding V CC willturn on the ESD protection circuitry which will clamp the busvoltages.The DS90LV048A has a flow-through pinout that allows foreasy PCB layout.The LVDS signals on one side of the de-vice easily allows for matching electrical lengths of the differ-ential pair trace lines between the driver and the receiver aswell as allowing the trace lines to be close together to couplenoise as common-mode.Noise isolation is achieved with theLVDS signals on one side of the device and the TTL signalson the other side.Power Decoupling Recommendations:Bypass capacitors must be used on power e highfrequency ceramic(surface mount is recommended)0.1µFand0.001µF capacitors in parallel at the power supply pinwith the smallest value capacitor closest to the device supplypin.Additional scattered capacitors over the printed circuitboard will improve decoupling.Multiple vias should be usedto connect the decoupling capacitors to the power planes.A10µF(35V)or greater solid tantalum capacitor should beconnected at the power entry point on the printed circuitboard between the supply and ground.PC Board considerations:Use at least4PCB layers(top to bottom);LVDS signals,ground,power,TTL signals.Isolate TTL signals from LVDS signals,otherwise the TTLmay couple onto the LVDS lines.It is best to put TTL andLVDS signals on different layers which are isolated by apower/ground plane(s)Keep drivers and receivers as close to the(LVDS port side)connectors as possible.Differential Traces:Use controlled impedance traces which match the differen-tial impedance of your transmission medium(ie.cable)andtermination resistor.Run the differential pair trace lines asclose together as possible as soon as they leave the IC(stubs should be<10mm long).This will help eliminate re-flections and ensure noise is coupled as common-mode.Infact,we have seen that differential signals which are1mmapart radiate far less noise than traces3mm apart sincemagnetic field cancellation is much better with the closertraces.In addition,noise induced on the differential lines ismuch more likely to appear as common-mode which is re-jected by the receiver.Match electrical lengths between traces to reduce skew.Skew between the signals of a pair means a phase differ-ence between signals which destroys the magnetic field can-cellation benefits of differential signals and EMI will result.(Note the velocity of propagation,v=c/Er where c(thespeed of light)=0.2997mm/ps or0.0118in/ps).Do not relysolely on the autoroute function for differential traces.Care-fully review dimensions to match differential impedance andprovide isolation for the differential lines.Minimize the num-ber or vias and other discontinuities on the line.Avoid90˚turns(these cause impedance discontinuities).Use arcs or45˚bevels.Within a pair of traces,the distance between the two tracesshould be minimized to maintain common-mode rejection ofthe receivers.On the printed circuit board,this distanceshould remain constant to avoid discontinuities in differentialimpedance.Minor violations at connection points are allow-able.Termination:Use a termination resistor which best matches the differen-tial impedance or your transmission line.The resistor shouldbe between90Ωand130Ω.Remember that the currentmode outputs need the termination resistor to generate thedifferential voltage.LVDS will not work without resistor termi-nation.Typically,connecting a single resistor across the pairat the receiver end will suffice.Surface mount1%to2%resistors are best.PCB stubs,component lead,and the distance from the termination to thereceiver inputs should be minimized.The distance betweenthe termination resistor and the receiver should be<10mm(12mm MAX)Probing LVDS Transmission Lines:Always use high impedance(>100kΩ),lowcapacitance(<2pF)scope probes with a wide bandwidth(1GHz)scope.Improper probing will give deceiving results.Cables and Connectors,General Comments:When choosing cable and connectors for LVDS it is impor-tant to remember:Use controlled impedance media.The cables and connec-tors you use should have a matched differential impedanceof about100Ω.They should not introduce major impedancediscontinuities.Balanced cables(e.g.twisted pair)are usually better thanunbalanced cables(ribbon cable,simple coax.)for noise re-duction and signal quality.Balanced cables tend to generateless EMI due to field canceling effects and also tend to pickup electromagnetic radiation a common-mode(not differen-tial mode)noise which is rejected by the receiver.For cable distances<0.5M,most cables can be made towork effectively.For distances0.5M≤d≤10M,CAT3(cat-egory3)twisted pair cable works well,is readily availableand relatively inexpensive.Fail-Safe Feature:The LVDS receiver is a high gain,high speed device thatamplifies a small differential signal(20mV)to CMOS logiclevels.Due to the high gain and tight threshold of the re-ceiver,care should be taken to prevent noise from appearingas a valid signal.The receiver’s internal fail-safe circuitry is designed tosource/sink a small amount of current,providing fail-safeprotection(a stable known state of HIGH output voltage)forfloating,terminated or shorted receiver inputs.1.Open Input Pins.The DS90LV048A is a quad receiverdevice,and if an application requires only1,2or3re-ceivers,the unused channel(s)inputs should be leftOPEN.Do not tie unused receiver inputs to ground orany other voltages.The input is biased by internal highvalue pull up and pull down resistors to set the output toa HIGH state.This internal circuitry will guarantee aHIGH,stable output state for open inputs. 5Applications Information(Continued)2.Terminated Input.If the driver is disconnected (cable unplugged),or if the driver is in a TRI-STATE or power-off condition,the receiver output will again be in a HIGH state,even with the end of cable 100Ωtermination resis-tor across the input pins.The unplugged cable can be-come a floating antenna which can pick up noise.If the cable picks up more than 10mV of differential noise,the receiver may see the noise as a valid signal and switch.To insure that any noise is seen as common-mode and not differential,a balanced interconnect should be used.Twisted pair cable will offer better balance than flat rib-bon cable.3.Shorted Inputs.If a fault condition occurs that shortsthe receiver inputs together,thus resulting in a 0V differ-ential input voltage,the receiver output will remain in a HIGH state.Shorted input fail-safe is not supported across the common-mode range of the device (GND to 2.4V).It is only supported with inputs shorted and no ex-ternal common-mode voltage applied.External lower value pull up and pull down resistors (for a stronger bias)may be used to boost fail-safe in the presence of higher noise levels.The pull up and pull down resistors should be in the 5k Ωto 15k Ωrange to minimize loading and waveform distortion to the driver.The common-mode bias point should be set to approximately 1.2V (less than 1.75V)to be compatible with the internal circuitry.Pin DescriptionsPin Description2,3,6,7R IN+Non-inverting receiver input pin 1,4,5,8R IN−Inverting receiver input pin 10,11,14,R OUTReceiver output pin1516ENReceiver enable pin:When EN is low,the receiver is disabled.When EN is high and EN*is low or open,the receiver is enabled.If both EN and EN*are open circuit,then the receiver is disabled.9EN*Receiver enable pin:When EN*is high,the receiver is disabled.When EN*is low or open and EN is high,the receiver isenabled.If both EN and EN*are open circuit,then the receiver is disabled.13V CC Power supply pin,+3.3V ±0.3V 12GNDGround pinOrdering InformationOperating Package Type/Order NumberTemperature Number −40˚C to +85˚C SOP/M16A DS90LV048ATM −40˚C to +85˚CTSSOP/MTC16DS90LV048ATMTC Typical Performance CurvesOutput High Voltage vs Power Supply VoltageDS100888-12Output Low Voltage vs Power Supply VoltageDS100888-13 6Typical Performance Curves(Continued)Output Short Circuit Current vsPower Supply VoltageDS100888-14Output TRI-STATE Current vsPower Supply VoltageDS100888-15Differential Transition Voltage vsPower Supply VoltageDS100888-16Power Supply Currentvs FrequencyDS100888-17Power Supply Current vsAmbient TemperatureDS100888-18Differential Propagation Delay vsPower Supply VoltageDS100888-19 7Typical Performance Curves(Continued)Differential Propagation Delay vs Ambient TemperatureDS100888-20Differential Propagation Delay vs Differential Input VoltageDS100888-21Differential Propagation Delay vs Common-Mode Voltage DS100888-22Differential Skew vs Power Supply VoltageDS100888-23Differential Skew vs Ambient Temperature DS100888-24Transition Time vs Power Supply VoltageDS100888-25 8Typical Performance Curves(Continued)Transition Time vsAmbient TemperatureDS100888-269Physical Dimensions inches(millimeters)unless otherwise noted16-Lead(0.150"Wide)Molded Small Outline Package,JEDECOrder Number DS90LV048ATMNS Package Number M16A10Physical Dimensions inches(millimeters)unless otherwise noted(Continued)LIFE SUPPORT POLICYNATIONAL’S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF THE PRESIDENT AND GENERAL COUNSEL OF NATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION.As used herein:1.Life support devices or systems are devices orsystems which,(a)are intended for surgical implantinto the body,or(b)support or sustain life,andwhose failure to perform when properly used inaccordance with instructions for use provided in thelabeling,can be reasonably expected to result in asignificant injury to the user.2.A critical component is any component of a lifesupport device or system whose failure to performcan be reasonably expected to cause the failure ofthe life support device or system,or to affect itssafety or effectiveness.National SemiconductorCorporationAmericasTel:1-800-272-9959Fax:1-800-737-7018Email:support@National SemiconductorEuropeFax:+49(0)180-5308586Email:europe.support@Deutsch Tel:+49(0)180-5308585English Tel:+49(0)180-5327832Français Tel:+49(0)180-5329358Italiano Tel:+49(0)180-5341680National SemiconductorAsia Pacific CustomerResponse GroupTel:65-2544466Fax:65-2504466Email:sea.support@National SemiconductorJapan Ltd.Tel:81-3-5639-7560Fax:81-3-5639-7507 16-Lead(0.100"Wide)Molded Thin Shrink Small Outline Package,JEDECOrder Number DS90LV048ATMTCNS Package Number MTC16DS90LV048A3VLVDSQuadCMOSDifferentialLineReceiver National does not assume any responsibility for use of any circuitry described,no circuit patent licenses are implied and National reserves the right at any time without notice to change said circuitry and specifications.。
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基于大概念的小学语文单元整体教学设计策略研究——以统编版小学语文五年级上册第一单元为例
基于大概念的小学语文单元整体教学设计策略研究——以统编版小学语文五年级上册第一单元为例
毛晨媛;钟惊雷
【期刊名称】《教师》
【年(卷),期】2024()11
【摘要】大概念统摄下的大单元教学是当下学校教育变革的热点话题,教师需从育人的角度整体思考教学组织逻辑。
文章以统编版小学语文五年级上册第一单元为例,用大概念统摄语文要素学习,提出聚焦单元要素,提炼单元大概念、紧扣单元主题,架构大任务体系、勾连真实生活,设计单元活动、规划评价体系,提升评价质量,以整体性搭建大单元教学的实践路径。
【总页数】3页(P18-20)
【作者】毛晨媛;钟惊雷
【作者单位】湖州师范学院
【正文语种】中文
【中图分类】G623.2
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4.基于学
习任务群的小学语文单元教学策略探讨——以“统编版”小学语文五年级上册第三单元教学为例
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下载最新电子书的最佳途径
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“三角形的内角和”教学设计
教学目标：
1让学生通过计算、操作、比较、归纳，发现“三角形内角和是180°”，并能应用这一知识进行解释和简单应用。
2培养学生主动探索、动手操作的能力。
发展学生的空间观念和初步的逻辑思维能力，向学生渗透“转化”的数学思想。
教学重点：
让学生经历“三角形内角和是180°”这一知识形成、发展和应用的全过程。
教学难点：
三角形内角和是180°的探索和验证。
学具准备：
一个直角三角形，一个锐角三角形，一个钝角三角形。
教具准备：
实物投影仪，课件。
教学过程：
一、巧设悬念，引发探究
1谈话引入：同学们，这节课我们先来做一个“猜一猜”的游戏，好吗?
2猜一猜：老师这儿有三个信封，谁能很快地猜出每个信封里分别装的是什么三角形吗?你是怎么想的?
课件出示三个信封：A信封装一个直角三角形，露出一个直角；B信封装一个钝角三角形，露出一个钝角；C信封装直角三角形、钝角三角形、锐角三角形各一个，这三个三角形有一个锐角是相等的，并重叠在一起，露出这三个重叠在一起的锐角。
3师(激疑)：同学们猜对了!为什么有一个角是直角的三角形就是直角三角形?为什么有一个角是钝角的三角形就是钝角三角形?为什么三个角都是锐角的三角形才是锐角三角形?在一个直角三角形中，最多有几个直角?在一个钝角三角形中，最多有几个钝角?这节课，我们就来研究这方面的知识。
(板书课题：三角形的内角和)
[设计意图：“猜谜”游戏既复习了所学知识。
从中提出问题，又引出新课，给新知探索赋予了新的意义。
探索发现三角形的内角和是180°，不仅是为了得出结论，也是为了解决提出的问题，有机地沟通了知识前后间的联系，激发了学生求知的欲望，调动了学生学习的积极性。
]
二、自主探索，合作交流
(一)自由探讨，进行猜想
1看了课题，你想提出什么问题?(什么是三角形的内角?内角和是什么意思?三角形的内角和是多少度?学习三角形的内角和有什么作用?……)
2理解“内角”、“内角和”的定义。
谈话：什么是内角呢?这是大家都有的三角尺。
谁能来指一指每块三角尺的内角?(课件演示一副三角尺中每块三角尺的三个内角)
谈话：这三个角在三角形内，是三角形的3个内角。
你知道什么是内角和吗?每块三角尺的3个内角和各是多少度呢?
学生回答后，师追问：你是怎么想的?
谈话：既然三角尺的3个内角和是180°，由此我们猜测，是不是——(板书：猜想) (是不是其他三角形的内角和也是180°?是不是所有的三角形内角和都是180°?)
[设计意图：让学生看课题提出问题，意在培养学生的问题意识。
同时。
借助学生熟悉的三角尺进行探究，既为学生扫清概念形成上存在的障碍，又引发学生猜想，培养了学生的联想能力。
]
(二)实验交流，探究验证
1谈话：一个个验证太麻烦了，根本验证不完，怎么办呢?(分类验证)哪类三角形的内角和，比较容易运用我们学过的知识进行证明呢?你们有没有办法证明直角三角形的内角和是1800呢?可独立思考，也可以和周围的同学讨论。
(学生实验验证直角三角形的内角和是180°)
学生交流实验方案，边口述边用投影仪展示操作过程。
(1)量角的方法。
(学生汇报时可能出现三角形的三个内角和不是180°，师可追问：有没有其他办法证明三角形的内角和是180°呢?请大家想一想，根据180°，你能联想到我们以前学过的什么知识呢?你能不能想想办法把三个内角和转化一下。
看看它是否能得到180°吗?你有不同的方法吗?)
(2)折拼的方法。
(3)撕拼的方法。
(4)推理的方法。
师：为什么用量角的方法，得到的三角形内角和不正好是180°呢?(测量时不够准确。
量角器精确度不够，有误差)
小结：不管是折拼、撕拼的方法，还是推理的方法，都利用了我们以前学过的知识。
看来。
我们在遇到一个新的问题时，可以联系学过的知识来思考，这样往往能较快。