场效应管好坏判别 - 360文档中心

判断智能手机电路场效应管的好坏

判断智能手机电路场效应管的好坏
判断智能手机电路中场效应管的好坏，可以采用以下步骤：
1. 外观检查：检查场效应管的封装是否有损坏，标识是否清晰。

2. 极性检查：使用万用表检查场效应管的三个电极（栅极、源极和漏极），以确认其极性。

3. 性能检测：将万用表调至合适的电阻档，对场效应管的三个管脚两两进行测量。

如果测量结果显示两个管脚之间存在阻值，则说明场效应管正常工作。

4. 温升检测：通过红外测温仪或热电偶测量仪测量场效应管的表面温升，以判断其工作状态。

如果温升过高，则可能是由于电流过大或散热不良引起的。

5. 电路连接检测：检查场效应管是否与其他元件正常连接，无短路或断路现象。

6. 故障分析：如果场效应管损坏，可能出现开路、击穿或性能变差等问题。

具体表现为丧失其在电路中的作用、工作点电压变化或整机电流增加等。

通过以上步骤，可以初步判断智能手机电路中场效应管的好坏。

如果仍有问题，建议寻求专业技术人员的帮助。

场效应管好坏的判断方法

场效应管好坏的判断方法摘要：一、场效应管的基本概念二、场效应管好坏的判断方法1.静态参数判断2.动态性能判断3.栅极电阻判断4.漏极电流判断5.线性度判断三、实际应用中的注意事项四、总结正文：场效应管（FET）是一种广泛应用于电子电路中的半导体器件，具有良好的线性度、高输入电阻和低噪声等特点。

在实际应用中，正确判断场效应管的好坏至关重要。

本文将介绍几种判断场效应管好坏的方法。

一、场效应管的基本概念场效应管是依据半导体材料的电子运动方式分类的一种晶体管，它主要由三个区域组成：源极、漏极和栅极。

在栅极与漏极之间存在一个绝缘层，绝缘层上的电压控制着漏极的电流。

根据绝缘层的材料，场效应管可分为金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）、增强型绝缘栅场效应管（EGBT）等。

二、场效应管好坏的判断方法1.静态参数判断静态参数是指场效应管在静态工作状态下的电气特性。

主要包括阈值电压、漏极电流、栅极电阻等。

良品场效应管的静态参数应符合设计要求。

2.动态性能判断动态性能是指场效应管在开关过程中响应速度和稳定性。

可以通过测试场效应管的过渡频率、上升时间、下降时间等指标来判断其动态性能。

优质场效应管的动态性能应较好。

3.栅极电阻判断栅极电阻是场效应管的一个重要指标，它影响着器件的功耗和稳定性。

良品场效应管的栅极电阻应较大。

4.漏极电流判断漏极电流是场效应管在截止状态下流过栅极的电流。

优质场效应管的漏极电流应较小。

5.线性度判断场效应管的线性度是指其在一定范围内输入电压与输出电流的线性关系。

优质场效应管的线性度应较好。

三、实际应用中的注意事项1.选择合适的场效应管类型：根据电路需求，选择合适的场效应管，如MOSFET、EGBT等。

2.注意静态参数：确保选用的场效应管静态参数符合电路设计要求。

3.考虑动态性能：在高速应用场合，应注意场效应管的动态性能。

4.散热设计：场效应管在工作过程中会产生热量，应设计合理的散热结构。

5.电源电压：合理选择电源电压，避免过高的电压导致场效应管损坏。

场效应管怎样测量好坏

场效应管怎样测量好坏?1.结型场效管的判别将万用表置于RXlk档，用黑表笔接触假定为栅极G管脚，然后用红表笔分别接触另两个管脚。

若阻值均比较小(约5'--10欧)，再将红、黑表笔交换测量一次。

如阻值均很大，属N沟道管，且黑表接触的管脚为栅极G，说明原先的假定是正确的。

同样也可以判别出P沟道的结型场效应管。

2.金属氧化物场效应管的判别(1)栅极G的判定用万用表Rxl00挡，测量功率场效应管任意两引脚之间的正、反向电阻值，其中一次测量中两引脚电阻值为数百欧姆，这时两表笔所接的引脚是D极与S极，则另一引脚未接表笔为G极。

(2)漏极D、源极S及类型的判定用万用表RxlokD,挡测量D极与S极之间正、反向电阻值，正向电阻值约为0.2x10kfl，反向电阻值在(5—∞)x10kfl。

在测反向电阻时，红表笔所接引脚不变，黑表笔脱离所接引脚后，与G极触碰一下，然后黑表笔去接原引脚，此时会出现两种可能：若万用表读数由原来较大阻值变为零，则此时红表笔所接为S极，黑表笔所接为D极。

用黑表笔触发G极有效(使功率场效应管D极与S极之间正、反向电阻值均为012)，则该场效应管为N沟道型。

若万用表读数仍为较大值，则黑表笔接回原引脚不变，改用红表笔去触碰G极，然后红表笔接回原引脚，此时万用表读数由原采阻值较大变为0，则此时黑表笔所接为S极，红表笔所接为D极。

用红表笔触发G，极有效，该场效应管为P沟道型。

(3)金属氧化物场效应管的好坏判别用万用表Rxlkll挡去测量场效应管任意两引脚之间的正、反向电阻值。

如果出现两次及两次以上电阻值较小(几乎为0xkll)，则该场效应管损坏；如果仅出现一次电阻值较小(一般为数百欧姆)，其余各次测量电阻值均为无穷大，还需作进一步判断。

用万用表Rxlkfl挡测量D 极与S极之间的正、反电阻值。

对于N沟道管，红表笔接S极，黑表笔先触碰G极后，然后测量D极与S极之间的正、反向电阻值。

若测得正、反向电阻值均为0fl，该管为好的，对于P沟道管，黑表笔接S极，红表笔先触碰G极后，然后测量D极与S极之间的正、反向电阻值，若测得正、反向电阻值均为01l，则该管是好的。

场效应管的检查办法

场效应管的检查办法（1）场效应管损坏的体现办法：通常场效应管损坏有如下景象：短路、开路、蜕变、元件脚开裂等。

（2）场效应管好坏差异。

将指针式万用表拨至R×1k档上，任选两个电极，别离测出其正、反向电阻值。

当某两个电极的正、反向电阻值持平，且为几千欧姆时，则该两个电极别离是漏极D和源极S。

因为对结型场效应管而言，漏极和源极可沟通，剩余的电极必定是栅极G。

也能够将万用表的黑表笔（红表笔也行）恣意触摸一个电极，另一只表笔顺次去触摸别的的两个电极，测其电阻值。

当呈现两次测得的电阻值近似持往常，则黑表笔所触摸的电极为栅极，别的两电极别离为漏极和源极。

若两次测出的电阻值均很大，阐明是PN结的反向，即都是反向电阻，能够断定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，阐明是正向PN结，便是正向电阻，断定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。

若不呈现上述状况，能够沟通黑、红表笔按上述办法进行查验，直到差异出栅极接连。

接着将万用表置于“R×十”或“R×十0”档，丈量源极s与漏极D 之间的电阻，通常在几十欧～几千欧计划（各种纷歧样类型的场效应管，其电阻值是各纷歧样的，详细在手册中可知），假定测得阻值大于正常值，或许是因为内部触摸不良；假定测得阻值是无量大，或许是内部断极。

然后把万用表置于“R×十k”档，再测栅极G1与G2、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无量大，则阐明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则阐明管是坏的。

关于其它场效应管依据相应的构造来查验。

（3）通常损坏的场效应管运用同类型的场效应管更换，假定没有，用一样参数或十分好参数的场效应管更换。

场效应开关管好坏及极性判别方法

场效应开关管好坏及极性判别方法2007-09-24 21:16:56| 分类：默认分类|字号订阅场效应开关管好坏及极性判别方法！判断场效应开关管好坏的方法是：将万用表电阻档量程拨至R×1k档，用黑表笔接D极，红表笔接S极，用手同时触及一下G、D极，场效应开关管应呈瞬时导通状态，即表针摆向阻值较小的位置；再用手触及一下G、S极，场效应开关管应无反应，即表针在回零位置不动；此时即可判断该场效应开关管为好管。

场效应开关管的极性判别方法是：将万用表电阻档量程拨至R×1k档，分别测量三个管脚之间的电阻，若某脚与其他两只引脚之间的电阻值均为无穷大，并且交换表笔后再测仍为无穷大，则此脚为G极，其他两脚为S极和D极；然后用万用表测S极与D极间的电阻一次，交换两表笔后再测一次，其中阻值较低的一次，黑表笔接的是S极，红表笔接的是D极关于《IRF NMOS场效应管管脚的辨识方法》的补充说明关于《IRF NMOS场效应管管脚的辨识方法》的补充说明原文（略加了修饰）：IRF540是NMOS场效应管，中间和散热片相通的是D极，另外两个自然是S和G了。

将S和G 其中之一与D相连，串一数十欧电阻接至+12V电源+极，另一极接+12V电源-极，有电流的话，则前者为G，后者为S；否则相反。

唯一的假设：管子未坏。

如果你的指针万用表有X10K档（6~15V电池供电），则无须+12V电源。

其黑表笔就是表内电源的+极。

用它可以代替上述的电源+电阻+电流表。

只需要记住表针摆动（也就是通常说的有电阻）就是有电流；表针摆动越多（电阻越小）电流就越大。

补充说明：一点没错，场效应管确实是电压控制器件。

但是为什么要在G极接电阻呢？上面提到的加电阻云云，只是为了测试安全的需要。

以上测试的原理很简单，就是：把G和D直接相连，在G、D和S之间加的电压，当G-S之间的控制电压（在这里也就是D-S之间电压）大于NMOS管的导通门限控制电压时，NMOS管的D-S极将有电流出现。

场效应管好坏测量

场效应管好坏测量
1．判定栅极G
将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚ຫໍສະໝຸດ G极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。
2．判定源极S、漏极D
由图1可见，在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。
（5）使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例，该管子加装140×140×4（mm）的散热器后，最大功率才能达到30W。
（6）多管并联后，由于极间电容和分布电容相应增加，使放大器的高频特性变坏，通过反馈容易引起放大器的高频寄生振荡。为此，并联复合管管子一般不超过4个，而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻。�
检查跨导
将万用表置于R×1k（或R×100）档，红表笔接S极，黑表笔接D极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。
注意事项：
（1）VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管，测量时应交换表笔的位置。
（2）有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。
3．测量漏-源通态电阻RDS（on）
将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。
由于测试条件不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。
（3）目前市场上还有一种VMOS管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器使用。例如美国IR公司生产的IRFT001型模块，内部有N沟道、P沟道管各三只，构成三相桥式结构。

如何测试判断场效应管好坏？

如何测试判断场效应管好坏？1、场效应管的检测方法：把数字万用表打到二极管档，用两表笔任意触碰场效应管的三只引脚，好的场效应管在量测的时候只应有一次有读数，而且数值在300--800左右，2、如果在最终测量结果中测的只有一次有读数，并且为0时须万用表短接场效应管的引脚，3、重新测量一次，若又测得一组为300--800左右读数时此管也为好管。

4、将万用表开到二极管档，用万用表的两个表笔量测D、S极和G、S极，看看两极之间的读数是不是很小，如果这个值在50以下，则可以判断为这个效应管已经被击穿场效应管（Field Effect Transistor）又称场效应晶体管，是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。

由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管，[1]它属于电压控制型半导体器件。

主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属- 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。

场效应管具有输入电阻高（10 7～10 15Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。

（1）场效应管是电压控制器件，它通过V GS(栅源电压)来控制I D（漏极电流）；（2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（10 7～10 12Ω）很大。

（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；（5）场效应管的抗辐射能力强；（6）由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。

场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。

更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。

场效应管好坏测量方法

场效应管好坏测量方法场效应管是一种常用的半导体器件，广泛应用于放大、开关、滤波等电路中。

场效应管的好坏直接影响到整个电路的性能，因此对场效应管进行准确的测量和评估是非常重要的。

本文将介绍几种常用的场效应管好坏测量方法，希望能为大家提供一些参考。

首先，我们可以通过静态参数来评估场效应管的好坏。

静态参数包括漏极电流、饱和电流、开启电压等。

通过测量这些参数，我们可以初步了解场效应管的基本性能。

漏极电流是指在一定的栅极电压下，场效应管的漏极-源极间的电流，它反映了场效应管的导通能力。

饱和电流是指在一定的栅极电压下，场效应管的漏极-源极间的最大电流，它反映了场效应管的最大导通能力。

开启电压是指在一定的漏极电流下，场效应管的栅极电压，它反映了场效应管的导通起始点。

通过测量这些参数，我们可以初步判断场效应管的好坏。

其次，我们可以通过动态参数来评估场效应管的好坏。

动态参数包括开关时间、导通电阻、截止频率等。

开关时间是指场效应管从截止到导通或者从导通到截止所需要的时间，它反映了场效应管的开关速度。

导通电阻是指场效应管在导通状态下的电阻大小，它反映了场效应管的导通能力。

截止频率是指场效应管在高频条件下的截止频率，它反映了场效应管在高频条件下的性能。

通过测量这些参数，我们可以更全面地评估场效应管的好坏。

最后，我们可以通过温度特性来评估场效应管的好坏。

温度特性是指场效应管在不同温度下的性能表现。

由于场效应管在实际应用中会受到温度的影响，因此了解场效应管在不同温度下的性能表现对于评估其好坏非常重要。

通过测量场效应管在不同温度下的静态和动态参数，我们可以更准确地评估场效应管的好坏。

综上所述，对场效应管进行好坏测量是非常重要的。

我们可以通过静态参数、动态参数和温度特性来评估场效应管的好坏。

通过准确的测量和评估，我们可以更好地选择和应用场效应管，从而提高电路的性能和稳定性。

希望本文介绍的方法能够帮助大家更好地了解和应用场效应管。

判断场效应管好坏的方法

判断场效应管好坏的方法
这小玩意儿在电子电路里那可老重要啦！那咋判断它好坏呢？先把场效应管从电路中拆下来，用万用表的二极管档去测。

这就好比医生给病人做检查，万用表就是医生的听诊器啥的。

要是测得正反向电阻都很大或者都很小，那可就有点悬啦！这就像一个人走路要么东倒西歪，要么走得太顺溜，肯定有问题呀！
在判断过程中，一定要注意安全哦！可别不小心被电到啦！这就跟你走在路上得小心别摔跤一样。

稳定性也很重要呢，要是一会儿好一会儿坏，那可咋整？就像你心情一会儿好一会儿坏，那多闹心呀！
场效应管的应用场景那可多了去啦！在电源电路、放大电路里都能大显身手。

它的优势也不少呢，比如输入电阻高、噪声小。

这就好比一个优秀的员工，干活又好又不吵不闹，多棒呀！
我给你说个实际案例哈。

有一次，一个电路出问题了，大家都不知道咋回事。

后来一检查，原来是场效应管坏了。

换了个好的场效应管，嘿，电路立马就正常工作啦！这就像一个生病的人，吃了对症的药，马上就好起来了。

所以呀，判断场效应管好坏可得仔细呢！用对方法，注意安全和稳定
性，就能让场效应管在各种电路里好好发挥作用。

如何去判断场效应管的好坏

一、定性判断场效应管的好坏先用万用表R×10kΩ挡(内置有15V电池)，把负表笔(黑)接栅极(G)，正表笔(红)接源极(S)。

给栅、源极之间充电，此时万用表指针有轻微偏转。

再改用万用表R×1Ω挡，将负表笔接漏极(D)，正笔接源极(S)，万用表指示值若为几欧姆，则说明场效应管是好的。

二、判断结型场效应管的电极将万用表拨至R×100档，红表笔任意接一个脚管，黑表笔则接另一个脚管，使第三脚悬空。

若发现表针有轻微摆动，就证明第三脚为栅极。

欲获得更明显的观察效果，还可利用人体靠近或者用手指触摸悬空脚，只要看到表针作大幅度偏转，即说明悬空脚是栅极，其余二脚分别是源极和漏极。

判断理由：JFET的输入电阻大于100MΩ，并且跨导很高，当栅极开路时空间电磁场很容易在栅极上感应出电压信号，使管子趋于截止，或趋于导通。

若将人体感应电压直接加在栅极上，由于输入干扰信号较强，上述现象会更加明显。

如表针向左侧大幅度偏转，就意味着管子趋于截止，漏-源极间电阻RDS增大，漏-源极间电流减小IDS。

反之，表针向右侧大幅度偏转，说明管子趋向导通，RDS↓，IDS↑。

但表针究竟向哪个方向偏转，应视感应电压的极性（正向电压或反向电压）及管子的工作点而定。

注意事项：Ａ、试验表明，当两手与D、S极绝缘，只摸栅极时，表针一般向左偏转。

但是，如果两手分别接触D、S极，并且用手指摸住栅极时，有可能观察到表针向右偏转的情形。

其原因是人体几个部位和电阻对场效应管起到偏置作用，使之进入饱和区。

Ｂ、也可以用舌尖舔住栅极，现象同上。

三、晶体三极管管脚判别三极管是由管芯（两个PN结）、三个电极和管壳组成，三个电极分别叫集电极C、发射极E和基极B，目前常见的三极管有硅平面管和锗合金管两种，每种又有PNP和NPN型两类。

这里向大家介绍如何用万用表测量三极管的三个管脚的简单方法。

１、找出基极对于PNP型三极管，C、E极分别为其内部两个PN结的正极，B极为它们共同的负极，而对于NPN型三极管而言，则正好相反：C、E极分别为两个PN结的负极，而B极则为它们共用的正极，根据PN结正向电阻小反向电阻大的特性就可以很方便的判断基极和管子的类型。

场效应管好坏测量方法

场效应管好坏测量方法场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种常用的半导体器件，广泛应用于放大、开关、调制和其他电路中。

在实际应用中，我们经常需要对场效应管进行好坏测量，以确保电路的正常工作。

本文将介绍场效应管好坏测量的方法，希望能够为大家提供一些帮助。

首先，我们可以通过使用万用表来测试场效应管的好坏。

在测试前，需要将场效应管从电路中取下，并清洁引脚，以确保测试的准确性。

然后，将万用表调至二极管测试档位，分别用红表笔和黑表笔连接场效应管的源极和漏极，观察表笔的指示情况。

如果表笔指示正常，说明场效应管工作正常；如果表笔不指示，说明场效应管可能损坏。

接着，再用表笔连接场效应管的栅极和源极，进行同样的测试。

通过这种方法，我们可以初步判断场效应管的好坏。

除了使用万用表进行测试外，我们还可以利用示波器来测试场效应管的好坏。

示波器可以直观地显示电压和电流的变化情况，对于一些特殊情况下的场效应管好坏测试非常有帮助。

在测试时，将示波器的探头连接到场效应管的源极和漏极，然后将输入信号连接到场效应管的栅极，观察示波器屏幕上的波形变化。

如果波形变化正常，说明场效应管工作正常；如果波形变化异常，说明场效应管可能存在问题。

通过示波器的测试，我们可以更加准确地判断场效应管的好坏。

除了以上介绍的两种方法外，还有一些其他的测试方法可以用来判断场效应管的好坏，比如使用专门的场效应管测试仪器进行测试。

不同的测试方法适用于不同的场合，我们可以根据实际情况选择合适的方法进行测试。

总的来说，场效应管好坏的测量方法有多种，每种方法都有其适用的情况。

在实际工作中，我们可以根据需要选择合适的方法进行测试，以确保场效应管的正常工作。

希望本文介绍的方法能够为大家在实际工作中提供一些帮助。

判断场效应管好坏的方法

判断场效应管好坏的方法用万用表判断场效应管好坏的方法：1、用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。

具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。

当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。

因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。

也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。

当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。

若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结，即是正向电阻，判定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。

若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。

2.万用表二极管导通档测量的方法:使用万用表二极管导通档，从左至右一般都是GDS排列，量最右边管脚S到中间脚D是否正向导通，但不短路，量左边脚G与右边脚S是否相互不导通，如此则为好的N-MOS。

3. 使用数字万用表测量场效应管MOS管场效应管英文缩写为FET。

可分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(MOSFET),我们平常简称为MOS管。

而MOS管又可分为增强型和耗尽型而我们平常主板中常见使用的也就是增强型的MOS管。

下图为MOS管的标识。

我们主板中常用的MOS管GDS三个引脚是固定的，不管是GDSN沟道还是P沟道都一样，把芯片放正，从左到右分别为G极D 极 S极！如下图：用二极管档对MOS管的测量，首先要短接三只引脚对管子进行放电。

1.然后用红表笔接S极，黑表笔接D极。

如果测得有500多的数值，说明此管为N沟道。

2.黑笔不动，用红笔去接触G极测得数值为1。

场效应管好坏的简单判断方法

一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。

具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。

当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。

因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。

也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。

当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。

若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。

若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。

（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。

然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。

要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。

（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。

场效应管好坏判断及替换原则

场效应管好坏判断及替换原则场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种电子器件，可以用来放大电压信号、控制电流流动等。

对于场效应管的好坏判断及替换原则，可以从以下几个方面进行考虑。

首先，好坏判断可以通过检查场效应管的外观和连接情况。

外观检查主要包括观察引脚是否清洁，没有氧化或损坏，以及是否存在明显的烧焦或损坏痕迹。

连接情况检查主要包括检查引脚的焊接是否牢固，是否存在引脚短路或开路等情况。

其次，可以通过使用万用表测量场效应管的参数来判断其好坏。

常用的参数包括漏极电流（IDSS），漏极截止电流（ID(off)），转移导纳（Yfs）等。

如果测量到的参数与规格书中提供的数值相比有明显偏差，可能意味着场效应管出现了故障。

此时可以考虑替换或修理。

进一步，可以通过使用示波器观察场效应管的输入和输出波形来判断其好坏。

例如，通过输入信号的变化观察输出信号的变化是否与预期一致，是否有明显的失真等。

如果出现不正常的波形，可能表明场效应管出现了故障。

最后，替换原则可以遵循以下几点。

首先，可以根据规格书中提供的参数选择与原部件相匹配的替代品。

其次，可以考虑使用同一型号和同一制造商的新设备来替代故障的场效应管。

再次，如果找不到完全匹配的替代品，可以尝试使用参数相似的场效应管来替代。

最后，如果没有合适的替代品，可以考虑使用功能相似的其他类型的晶体管或集成电路来代替。

综上所述，场效应管的好坏判断及替换原则可以通过检查外观、测量参数、观察波形等方面进行判断，同时可以遵循选择匹配的替代品、厂商和型号、寻找参数相似的替代品以及使用功能相似的其他器件等原则进行替换。

测量MOS管好坏方法

一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。

具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。

当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。

因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。

也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。

当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。

若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。

若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。

（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。

然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。

要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。

（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。

测量MOS管好坏方法

一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。

具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。

当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。

因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。

也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。

当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。

若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。

若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。

（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。

然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。

要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。

（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。

场效应管的特点,及管脚极性、好坏的判别

场效应管的特点，及管脚极性、好坏的判别场效应管与三极管相似，但两者的控制特性却截然不同，三极管是电流控制元件，通过控制基极电流达到控制集电极电流或发射极电流的目的，即需要信号源提供一定的电流才能工作，因此，它的输入电阻较低，场应管则是电压控制元件，它的输出电流决定于输入电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，所以，它的输入阻抗很高，此外，场效应管还具有开关速度快、高频特性好、热稳定性好，功率增益大、噪声小等优点，因此，在手机电路中得到了广泛的应用。

场效应管分为普通场效应管和组合场效应管，外观结构和普通三极管及组合三极管相似，维修和代换时应注意区分。

场效应管按其结构的不同可分为结型场效应管和绝缘栅(金属氧化物)场效应管两种类型，其中金属氧化物场效应管在手机中应用最多。

手机使用的金属氧化物功率场效应管，多数采用N沟道场效应管，个别则采用了P沟道场效应管，检修时应加以区分。

1.结型场效管的判别将万用表置于RXlk档，用黑表笔接触假定为栅极G管脚，然后用红表笔分别接触另两个管脚。

若阻值均比较小(约5'--10欧)，再将红、黑表笔交换测量一次。

如阻值均很大，属N沟道管，且黑表接触的管脚为栅极G，说明原先的假定是正确的。

同样也可以判别出P沟道的结型场效应管。

2.金属氧化物场效应管的判别(1)栅极G的判定用万用表Rxl00挡，测量功率场效应管任意两引脚之间的正、反向电阻值，其中一次测量中两引脚电阻值为数百欧姆，这时两表笔所接的引脚是D极与S极，则另一引脚未接表笔为G极。

(2)漏极D、源极S及类型的判定用万用表RxlokD,挡测量D极与S极之间正、反向电阻值，正向电阻值约为0.2x10kfl，反向电阻值在(5—∞)x10kfl。

在测反向电阻时，红表笔所接引脚不变，黑表笔脱离所接引脚后，与G极触碰一下，然后黑表笔去接原引脚，此时会出现两种可能：若万用表读数由原来较大阻值变为零，则此时红表笔所接为S极，黑表笔所接为D极。

场效应管（MOS管）如何判断好坏？

场效应管（MOS管）如何判断好坏？一）结型场效应晶体管的检测1．判别电极与管型用万用表R×100档或R×1k档，用黑表笔任接一个电极，用红表笔依次触碰另外两个电极。

若测出某一电极与另外两个电极的阻值均很大（无穷大）或阻值均较小（几百欧姆至一千欧姆），则可判断黑表笔接的是栅极G，另外两个电极分别是源S和漏极D。

在两个阻值均为高阻值的一次测量中，被测管为P沟道结型场效应晶体管；在两个阻值均为低阻值的一次测量中，被测管为N沟道结型场效应晶体管。

也可以任意测量结型场效应晶体管任意两个电极之间的正、反向电阻值。

若测出某两只电极之间的正、反向电阻均相等，且为几千欧姆，则这两个电极分别为漏极D和源极S，另一个电极为栅极G。

结型场效应晶体管的源极和漏极在结构上具有对称性，可以互换使用。

若测得场效应晶体管某两极之间的正、反向电阻值为0或为无穷大，则说明该管已击穿或已开路损坏。

2．检测其放大能力用万用表R×100档，红表笔接场效应管的源极S，黑表笔接其漏极D，测出漏、源极之间的电阻值RSD后，再用手捏信栅极G，万用表指针会向左或右摆动（多数场效应管的RSD会增大，表针向左摆动；少数场效应管的RSD会减小，表针向右摆动）。

只要表针有较大幅度的摆动，即说明被测管有较大的放大能力。

（二）双栅场效应晶体管的检测1．电极的判别大多数双栅场效应晶体管的管脚位置排列顺序是相同的，即从场效应晶体管的底部（管体的背面）看，按逆时针方向依次为漏极D、源极S、栅极G1和栅极G2。

因此，只要用万用表测出漏极D和源极S，即可找出两个栅极。

检测时，可将万用表置于R×100档，用两表笔分别测任意两引脚之间的正、反向电阻值。

当测出某两脚之间的正、反向电阻均为几十欧姆至几千欧姆（其余各引脚之间的电阻值均为无穷大），这两个电极便是漏极D和源极S，另两个电极为栅极G1和栅极G2。

2．估测放大能力用万用表R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，在测量漏极D与源极S之间的电阻值RSD的同时，用手指捏住两个栅极，加入人体感应信号。

怎样快速判断场效应管的好坏.

如何迅速判断场效应管的利害将指针式万用表拨至“RX1K”档，并电调零。

场效应管带字的一面朝着自己，从左到右挨次为： G （栅极）， D （漏极）， S （源极）。

先将黑表笔接在 G 极上，而后红表笔分别触碰 D 极和 S 极，而后再对调表笔，再测，如这两次测得的结果，都使万用表的指针不动，那么，初步判断这个场效应管是好的。

最后，在将黑表笔接在 D 极，红表笔接在 S 极上，此时，万用表指针应不动；而后再对调表笔，再测，此时，万用表指针应向右摇动。

经过这两次判断，这个场效应管就是好的。

假如所测的结果与上述不符，则这个场效应管就是坏的。

要么是击穿了，要么是性能不好了。

用万用表定性判断场效应管一、定性判断 MOS 型场效应管的利害先用万用表 R×10kΩ挡(内置有 9V 或 15V 电池，把负表笔 (黑接栅极 (G，正表笔 (红接源极 (S。

给栅、源极之间充电，此时万用表指针有稍微偏转。

再改用万用表 R×1Ω挡，将负表笔接漏极 (D，正笔接源极 (S，万用表指示值若为几欧姆，则说明场效应管是好的。

二、定性判断结型场效应管的电极将万用表拨至R×100 档，红表笔随意接一个脚管，黑表笔则接另一个脚管，使第三脚悬空。

若发现表针有稍微摇动，就证明第三脚为栅极。

欲获取更显然的察看成效，还可利用人体凑近或许用手指触摸悬空脚，只需看到表针作大幅度偏转，即说明悬空脚是栅极，其他二脚分别是源极和漏极。

判断原由： JFET 的输入电阻大于100MΩ，而且跨导很高，当栅极开路时空间电磁场很简单在栅极上感觉出电压信号，使管子趋于截止，或趋于导通。

若将人体感觉电压直接加在栅极上，因为输入扰乱信号较强，上述现象会更为显然。

如表针向左边大幅度偏转，就意味着管子趋于截止，漏-源极间电阻 RDS 增大，漏 -源极间电流减小 IDS 。

反之，表针向右边大幅度偏转，说明管子趋势导通，RDS↓，IDS↑。

但表针终究向哪个方向偏转，应视感觉电压的极性（正向电压或反向电压）及管子的工作点而定。

场效应管的替换原则及好坏判断

场效应管的替换原则及好坏判断1.替换场效应管的过程中，需要确保管脚的编号和排列顺序一致，以免导致接线错误。

2.替换时需要注意场效应管的最大耗散功率和最大反向电压的要求。

如果被替换的场效应管的最大耗散功率和最大反向电压与新的场效应管不一致，可能引起过热损坏或者不正常工作。

3.替换时应注意场效应管的参数是否匹配。

参数包括漏源漏极漏漏参数、栅源极极电压、漏源饱和电压等。

4.替换时还应注意场效应管的工作频率范围及开关速度等特性是否与原场效应管一致，以确保替换后电路的稳定性和性能。

1.观察外观：如果外观存在明显的损坏、破裂、焊接开裂等现象，那么场效应管很可能已经损坏。

2.使用多用表进行测试：使用多用表的二极管测试功能，将测试笔接触到场效应管的漏极和源极上，然后观察测试结果。

如果多用表没有显示正常的二极管特性（比如导通或者截止），则场效应管可能损坏。

3.静态工作点测试：通过测量场效应管的漏极和源极之间的电阻值，来判断场效应管的好坏。

正常工作的场效应管漏源电阻应当相对较大，而损坏的场效应管漏源电阻值可能会接近于0。

4.变化输入信号测试：通过在场效应管的栅极上给定不同的输入信号，观察输出信号的变化情况，来判断场效应管的好坏。

如果输出信号没有明显的变化或者变化异常，可能是场效应管损坏。

5.温度测试：如果存在过热现象，比如场效应管表面感觉很热，那么很可能是由于管子内部故障导致的。

6.替换测试：将怀疑损坏的场效应管替换为一个正常工作的场效应管，然后观察替换后电路的性能变化。

如果性能恢复正常，那么可以确定原有的场效应管已经损坏。

总之，通过观察外观、使用测试工具和替换测试等方法，可以判断场效应管的好坏。

如果以上测试方法均指向场效应管存在损坏，那么即可确定场效应管需要更换。