金刚石线切割
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江西金葵能源科技有限公司简介
江西金葵能源科技有限公司是中国专业的太阳能单晶和晶片制造商，专注于高品质太阳能晶片的设计、开发、制造及销售。我们是中国首批能够大规模使用金刚石线生产156毫米×156毫米的单晶太阳能晶片以及厚度约为170微米的单晶太阳能晶片的制造商之一。
2010年，随着对高质量太阳能产品的需求日益增长，金葵能源科技有限公司进入到光伏产业。我们成功地利用与国外先进技术企业以及国内科研机构的合作，从而能够为客户提供高质量低成本的产品。
我们相信，要在太阳能行业长期取得成功主要取决于产品质量和成本竞争力，归根结底在于采用卓越的制造工艺，因此我们致力于新技术开发使用和持续改进计划,由于采用了世界最先进的金钢石线切割技术，工作效率高，用完后经简单处理后就能达到排放标准，硅屑可以回收利用，所以将大幅降低每瓦对硅料的使用。
金葵能源科技有限公司生产基地位于江西萍乡，本项目工程建设需要占地300亩，一期专门从事单晶硅拉棒和切片，产能计划为860MW。二期建设多晶铸锭，电池片、电池组件产能。计划产能为120MW；整个项目计划于2012年7月份完成，伴随着产能计划的完成，我们的目标是扩大在全球范围内的客户群基础,可以为人类提供可持续发展的,高效稳定的清洁能源!
PV 产业链流程
硅棒
切断
多晶开方滚
电池
硅片
组件切割
地址：江西省萍乡市安源经济转型产业基地重庆路1号
附1：太阳能单晶硅准方棒规格
编号NO.项目ITEMS规格SPECIFICATIONS单位UNITS
1 拉制方式Growing Method CZ
2 材料Material单晶硅Monocrystalline Silicon
3 导电类型&掺杂剂Type & Dopant P/B or P/Ga
4 硅片尺寸Wafer Size125*125±0.5\156*156±0.
5 mm
5 直径Diameter150±0.5\200±0.5 mm
6 垂直度Perpendicularity90±0.3 °
7 长度Length100 8 电阻率Resistivity A: 0.5 ≤ρ < 3 B: 3 ≤ρ < 6 Ω·cm 9 少子寿命Minority Carrier Life≥ 10 μs 10 晶向Orientation＜100＞±2.0 ° 11 位错密度Dislocation Density≤ 3000 pcs/cm2 12 氧含量Oxygen Content≤ 1*10 18 (ASTM F121-83) atoms/cm3 13 碳含量Carbon Content≤ 5*10 16 (ASTM F123-83) atoms/cm3 硅片型号尺寸(mm)Dimension Wafer Type A B C D Max Min Max Min Max Min Max Min 125 I 125.5 124.5 150.5 149.5 84 82 31 29 125 II 125.5 124.5 165.5 164.5 109 107 13 11 156 I 156.5 155.5 200.5 199.5 126 124 23 21 156 II 156.5 155.5 203.5 202.5 131 129 19 17 附图1Figure 1, Cross Section 附 2. 太阳能单晶硅准方片 NO. ITEMS SPECIFICATIONS UNITS 1 拉制方式Growing Method CZ 2 材料Material单晶硅Monocrystalline Silicon 3 导电类型&掺杂剂Type & Dopant P/B or P/Ga 4 硅片尺寸Wafer Size 125*125±0.5\156*156±0.5 （见附图1）\(See Figure 1) mm 5 直径Diameter 150±0.5\200±0.5 mm 6 垂直度Perpendicularity 90±0.3 ° 7 厚度Thickness 200±20 μm 8 总厚度变化TTV ≤ 30 μm 9 电阻率Resistivity ≥ 10 μs 10 少子寿命Minority Carrier Life ≥ 10 μs 11 晶向Orientation ＜100＞±2.0 ° 12 位错密度Dislocation Density ≤ 3000 pcs/cm2 13 氧含量Oxygen Content ≤ 1*1018 (ASTM F121-83) atoms/cm3 14 碳含量Carbon Content ≤ 5*1016 (ASTM F123-83) atoms/cm3 15 崩边Edge Defect 深度Depth ≤ 0.3mm, 长度Length ≤ 0.5mm (最多2处) (Max 2 pieces) 16 沾污Contamination Area无None 17 线痕Saw Mark ≤ 20 μm 18 翘曲度≤ 50 μm 硅片型号尺寸(mm) Wafer Type Dimension A B C D Max Min Max Min Max Min Max Min 125 I 125.5 124.5 150.5 149.5 84 82 31 29 125 II 125.5 124.5 165.5 164.5 109 107 13 11 156 I 156.5 155.5 200.5 199.5 126 124 23 21 156 II 156.5 155.5 203.5 202.5 131 129 19 17 附图1Figure 1