小型常用晶闸管数据查询
晶闸管的各项参数指标精
如何形象理解晶闸管的各项参数对于大多数从事电力电子整机和器件的技术人员来说，晶闸管的各项参数的真正含义理解起来是很困难的事，如果单从字面去理解需要十几年甚至几十年才能有正确的认识，而且需要大量的实践经验作依托，没有足够的临场经验可能永远也无法理解其真正的含义。
本人从事电力电子整机技术工作十几年，主要接触过的产品有中频电源、整流器、逆变及整流焊机、直流调速电源、变频调速电源、控温装置、开关电源等，之后又从事电力电子器件的技术工作十几年，主要是器件产品测试仪表的制作、维修、管理等工作，通过测试仪表的这些工作（因为制作仪表、维修仪表必须掌握器件各参数的标准，否则无法做出合格的仪器仪表）让我对晶闸管各项参数的标准有了新的认识，并且将整机技术与器件技术融为一体，由此总结出一套适合所有从事电力电子整机和器件技术人员正确、形象理解晶闸管各项参数的方法，稍微有一些电常识的人利用此方法很短时间内就可以从一名普通技术人员上升为高级设计者，本方法形象生动、通俗易懂、老少皆宜、一经理解终身不忘。
我们知道电荷的移动形成电流、水分子的移动形成水流，要想使电荷移动必须有电压差、要想使水分子移动必须有水位差，由此可以看出，电流可以形象地理解为水流；控制水流要有阀门、控制电流也必须要有“阀门”这个“阀门” 我们就用晶闸管。
水路由水流和阀门构成、电路由电流和晶闸管构成，通过阀门控制水流的大小、有无，通过晶闸管控制电流的大小、有无，可见二者的基础理论基本是一样的，因此我们就可以把电路形象地理解为水路，更确切的说就是可以把晶闸管形象的理解为阀门。
阀门的原理很简单，一种是调节阀门，通过调节阀门可以控制水流的大小；一种是通断阀门，通过阀门可以控制水流的有无。
阀门是我们的日常用品，每天都要接触，因此对于大多数人来说理解阀门的工作原理是很容易的事情。
而且阀门作为一种产品自然有其制作标准，也需有各项参数指标，只要理解了这些参数指标的含义，然后把他们“照抄照搬”到理解晶闸管中就可以了，就是说如想了解晶闸管的参数含义直接套用阀门的参数指标的含义就实现。
晶闸管的主要参数
晶闸管的主要参数晶闸管的主要电参数有正向转折电压VBO、正向平均漏电流IFL、反向漏电流IRL、断态重复峰值电压VDRM、反向重复峰值电压VRRM、正向平均压降VF、通态平均电流IT、门极触发电压VG、门极触发电流IG、门极反向电压和维持电流IH等。
（一）正向转折电压VBO晶闸管的正向转折电压VBO是指在额定结温为100℃且门极（G）开路的条件下，在其阳极（A）与阴极（K）之间加正弦半波正向电压、使其由关断状态转变为导通状态时所对应的峰值电压。
（二）断态重复峰值电压VDRM断态重复峰值电压VDRM，是指晶闸管在正向阻断时，允许加在A、K（或T1、T2）极间最大的峰值电压。
此电压约为正向转折电压减去100V后的电压值。
（三）通态平均电流IT通态平均电流IT，是指在规定环境温度和标准散热条件下，晶闸管正常工作时A、K（或T1、T2）极间所允许通过电流的平均值。
（四）反向击穿电压VBR反向击穿电压是指在额定结温下，晶闸管阳极与阴极之间施加正弦半波反向电压，当其反向漏电电流急剧增加时反对应的峰值电压。
（五）反向重复峰值电压VRRM反向重复峰值电压VRRM，是指晶闸管在门极G断路时，允许加在A、K极间的最大反向峰值电压。
此电压约为反向击穿电压减去100V后的峰值电压。
（六）正向平均电压降VF正向平均电压降VF也称通态平均电压或通态压降VT，是指在规定环境温度和标准散热条件下，当通过晶闸管的电流为额定电流时，其阳极A与阴极K之间电压降的平均值，通常为0.4~1.2V。
（七）门极触发电压VGT门极触发VGT，是指在规定的环境温度和晶闸管阳极与阴极之间为一定值正向电压的条件下，使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需要的最小门极直流电压，一般为1.5V左右。
(八)门极触发电流IGT门极触发电流IGT，是指在规定环境温度和晶闸管阳极与阴极之间为一定值电压的条件下，使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需要的最小门极直流电流。
系列可控硅查询表
常用单向可控硅
使用说明：
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参数实例：
97A6 双向触发三极闸流晶体管
用途：主要用于变频电路及调光、调速电路等。
封装形式：TO-92(T2GT1)
极限值：(Ta=25℃)
参数名称符号额定值单位
断态重复峰值电压VDRM 400 V
VRRM 400 V
通态平均电流IT(AV) 1 A
通态（不重复）浪涌电流ITSM 10 A
控制极平均功率耗散PG(AV) 0.1 W
最高结温Tj 110 ℃
贮存温度Tstg -40~110 ℃
电特性：(Ta=25℃)
参数名称符号测试条件最小值最大值单位
断态重复峰值电流IDRM VDRM=400V,G断开- 1 mA
IRRM VRRM=400V,G断开- 1 mA
通态峰值电压VTM IT=1A - 1.5 V
维持电流IH VD=12V,IGT=0.1A - 50 mA
控制极触发电流ⅠIGT VD=12V
RL=100Ω - 5 mA
Ⅱ- 5 mA
Ⅲ- 5 mA
Ⅳ- 10 mA
控制极触发电压ⅠVGT VD=12V
RL=100Ω - 2 V
Ⅱ- 2 V
Ⅲ- 2 V
Ⅳ- 2.5 V
常用双向可控硅。
赛米控丹佛斯 分立晶闸管 SKT 100 数据表
Stud ThyristorLine ThyristorSKT 100Features∙Hermetic metal case with glass insulator∙Threaded stud ISO M12 x 1,75 or ½” - 20 UNF 2A∙Interchangeable withinternational standard case Typical Applications *∙DC motor control(e.g. for machine tools)∙Controlled rectifiers(e.g. for battery charging)∙AC controllers(e.g. for temperature control) ∙Recommended snubbernetwork e.g. for V RMS≤ 400 V: R= 47 Ω/10 W, C = 0,22 µF1) Mounting with grease-like thermal compound or joint contact compound2) M12 x 1,75 is standard, “UNF” shou ld be added in description for ½” - 20 2A thread.e.g.: SKT 100/08 D UNFSKTV RSMVV RRM, V DRMVI TRMS = 175 A (maximum value for continuous operation)I TAV = 100 A (sin. 180; T c = 85 °C)500 400 SKT 100/04 D900 800 SKT 100/08 D1300 1200 SKT 100/12 E1500 1400 SKT 100/14 E1700 1600 SKT 100/16 E1900 1800 SKT 100/18 ESymbol Condition Values Units I TAVI DI RMSsin. 180 ; T C = 100 (85) °C2 x P1/120; T a = 50 °C; B2/B62 x P1/120F; T a = 40 °C; B2/B62 x P1/120; T a = 45 °C; W1C74 (100)125 / 176182 / 250146AAAA I TSM T vj = 25 °C ; 10 ms 2000 AT vj = 130 °C ; 10 ms 1750 A i2t T vj = 25 °C ; 8,3...10 ms 20000 A2s T vj = 130 °C ; 8,3...10 ms 15300 A2s V T T vj = 25 °C, I T = 300 A max. 1,75 V V T(TO)T vj = 130 °C max. 1 V r T T vj = 130 °C max. 2,4 mΩI DD; I RD T vj = 130 °C; V RD = V RRM; V DD = V DRM max. 30 mA t gdt grT vj = 25 °C; I G = 1A; di G/d t = 1 A/µsV D = 0,67 * V DRM12µsµs (d i/d t)cr(d V/d t)crt qI HI LT vj = 130 °CT vj = 130 °C; D (E)T vj = 130 °CT vj = 25 °C; typ. / maxT vj = 25 °C; typ. / maxmax. 50500 (1000)100150 / 250300 / 600A/µsV/µsµsmAmA V GTI GTV GDI GDT vj = 25 °C; d.c.T vj = 25 °C; d.c.T vj = 130 °C; d.c.T vj = 130 °C; d.c.min. 3min. 150max. 0,25max. 10VmAVmA R th(j-c)R th(j-c)R th(j-c)R th(c-s)T vjT stgcont.sin. 180rec. 1200,250,280,310,08-40...+130-55...+150K/WK/WK/WK/W°C°C V isol- V~ M S M12 or ½” - 20 UNF 10 Nm M12 or ½” - 20 UNF (lubricated)1)7,5 Nm a 5 * 9,81 m/s2 m approx. 100 g Case B5Fig. 1L Power dissipation vs. on-state current Fig. 2 Rated on-state current vs. case temperature Fig. 4 Transient thermal impedance vs. time Fig. 1R Power dissipation vs. ambient temperature Fig. 3 Recovered charge vs. current decrease Fig. 5 Thermal resistance vs. conduction angleFig. 6 On-state characteristicsFig. 7 Power dissipation vs. on-state current Fig. 8 Surge overload current vs. timeFig. 9 Gate trigger characteristicsDimensions in mmCase B5 (IEC 60191-2: A12MA, A12U; JEDEC: TO-209 (TO94))*IMPORTANT INFORMATION AND WARNINGSThe specifications of SEMIKRON products may not be considered as guarantee or assurance of product characteristics ("Beschaffenheitsgarantie"). The specifications of SEMIKRON products describe only the usual characteristics of products to be expected in typical applications, which may still vary depending on the specific application. Therefore, products must be tested for the respective application in advance. Application adjustments may be necessary. T he user of SEMIKRON products is responsible for the safety of their applications embedding SEMIKRON products and must take adequate safety measures to prevent the applications from causing a physical injury, fire or other problem if any of SEMIKRON product s become faulty. The user is responsible to make sure that the application design is compliant with all applicable laws, regulations, norms and standards. Except as otherwise explicitly approved by SEMIKRON in a written document signed by authorized representatives of SEMIKRON, SEMIKRON products may not be used in any applications where a failure of the product or any consequences of the use thereof can reasonably be expected to result in personal injury. No representation or warranty is given and no liability is assumed with respect to the accuracy, completeness and/or use of any information herein, including without limitation, warranties of non-infringement of intellectual property rights of any third party. SEMIKRON does not assume any liability arising out of the applications or use of any product; neither does it convey any license under its patent rights, copyrights, trade secrets or other intellectual property rights, nor the rights of others. SEMIKRON makes no representation or warranty of non-infringement or alleged noninfringement of intellectual property rights of any third party which may arise from applications. Due to technical requirements our products may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the nearest SEMIKRON sales office. This document supersedes and replaces all information previously supplied and may be superseded by updates. SEMIKRON reserves the right to make changes.。
晶闸管
晶闸管1、认识1.1 晶闸管的表示方法晶闸管是晶体闸流管(Thyristor)的简称，俗称可控硅，它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。
它有三个极：阳极（A）、阴极（K）和门极（或控制极）（G）。
电力电子上常用的单向晶闸管KP5A/1000V 作为整流器件。
电子学上常用2P4M。
双向晶闸管的三个极分别为：第一阳极A1，第二阳极A2和控制极G。
1.2 晶闸管的种类1）按关断、导通及控制方式分类晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管（单向晶闸管）、双向晶闸管、逆导晶闸管、门极关断晶闸管（GTO）、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管等多种。
2）按引脚和极性分类晶闸管按其引脚和极性可分为二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管。
3）按封装形式分类晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。
其中，金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种。
4）按电流容量分类晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、中功率晶闸管和小功率晶闸管三种。
通常，大功率晶闸管多采用金属壳封装，而中、小功率晶闸管则多采用塑封或陶瓷封装。
5）按关断速度分类晶闸管按其关断速度可分为普通晶闸管和高频（快速）晶闸管。
下图是晶闸管的电路图形符号和晶闸管的外形。
1.3 晶闸管的工作原理1.3.1 晶闸管工作电路的组成晶闸管在工作过程中，它的阳极A和阴极K与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路，晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路。
1.3.2 晶闸管的工作条件1）晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受何种电压，晶闸管都处于关断状态。
2）晶闸管承受正向阳极电压时，仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才能导通。
3）晶闸管在导通情况下，只要有一定的正向阳极电压，不论门极电压如何，晶闸管保持导通，即晶闸管导通后，门极失去作用。
常用晶体管参数查询91756精品
常用晶体管参数查询Daten ohne Gewahr2N109 GE-P 35V 0.15A 0.165W | 2N1304 GE-N 25V 0.3A 0.15W 10MHz 2N1305 GE-P 30V 0.3A 0.15W 5MHz | 2N1307 GE-P 30V 0.3A 0.15W B>602N1613 SI-N 75V 1A 0.8W 60MHz | 2N1711 SI-N 75V 1A 0.8W 70MHz2N1893 SI-N 120V 0.5A 0.8W | 2N2102 SI-N 120V 1A 1W <120MHz2N2148 GE-P 60V 5A 12.5W | 2N2165 SI-P 30V 50mA 0.15W 18MHz 2N2166 SI-P 15V 50mA 0.15W 10MHz | 2N2219A SI-N 40V 0.8A 0.8W 250MHz 2N2222A SI-N 40V 0.8A 0.5W 300MHz | 2N2223 2xSI-N 100V 0.5A 0.6W >50 2N2223A 2xSI-N 100V 0.5A 0.6W >50 | 2N2243A SI-N 120V 1A 0.8W 50MHz2N2369A SI-N 40V 0.2A .36W 12/18ns | 2N2857 SI-N 30V 40mA 0.2W >1GHz2N2894 SI-P 12V 0.2A 1.2W 60/90ns | 2N2905A SI-P 60V 0.6A 0.6W 45/100 2N2906A SI-P 60V 0.6A 0.4W 45/100 | 2N2907A SI-P 60V 0.6A 0.4W 45/100 2N2917 SI-N 45V 0.03A >60Mz | 2N2926 SI-N 25V 0.1A 0.2W 300MHz 2N2955 GE-P 40V 0.1A 0.15W 200MHz | 2N3019 SI-N 140V 1A 0.8W 100MHz2N3053 SI-N 60V 0.7A 5W 100MHz | 2N3054 SI-N 90V 4A 25W 3MHz2N3055 SI-N 100V 15A 115W 800kHz | 2N3055 SI-N 100V 15A 115W 800kHz 2N3055H SI-N 100V 15A 115W 800kHz | 2N3251 SI-P 50V 0.2A 0.36W2N3375 SI-N 40V 0.5A 11.6W 500MHz | 2N3439 SI-N 450V 1A 10W 15MHz2N3440 SI-N 300V 1A 10W 15MHz | 2N3441 SI-N 160V 3A 25W POWER2N3442 SI-N 160V 10A 117W 0.8MHz | 2N3495 SI-P 120V 0.1A 0.6W >150MHz 2N3502 SI-P 45V 0.6A 0.7W 200MHz | 2N3553 SI-N 65V 0.35A 7W 500MHz2N3571 SI-N 30V 0.05A 0.2W 1.4GHz | 2N3583 SI-N 250/175V 2A 35W >10MHz 2N3632 SI-N 40V 0.25A 23W 400MHz | 2N3646 SI-N 40V 0.2A 0.2W2N3700 SI-N 140V 1A 0.5W 200MHz | 2N3707 SI-N 30V 0.03A 0.36W 100MHz 2N3708 SI-N 30V 0.03A 0.36W 80MHz | 2N3716 SI-N 100V 10A 150W 4MHz2N3725 SI-N 80V 0.5A 1W 35/60ns | 2N3740 SI-P 60V 4A 25W >4MHz2N3741 SI-N 80V 4A 25W >4MHz | 2N3742 SI-N 300V 0.05A 1W >30MHz 2N3767 SI-N 100V 4A 20W >10MHz | 2N3771 SI-N 50V 30A 150W POWER2N3772 SI-N 100V 20A 150W POWER | 2N3773 SI-N 160V 16A 150W POWER2N3792 SI-P 80V 10A 150W 4MHz | 2N3819 N-FET 25V 20mA 0.36W2N3820 P-FET 20V 15mA 0.36W | 2N3821 N-FET 50V 2.5mA 0.3W2N3824 N-FET 50V 10mA 0.3W <250E 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60V 0.15A 0.4W B>120 | 2SC1827 SI-N 100V 4A 30W 10MHz2SC1832 N-DARL 500V 15A 150W B>10 | 2SC1841 SI-N 120V 0.05A 0.5W2SC1844 SI-N 60V 0.1A 0.5W 100MHz | 2SC1845 SI-N 120V 0.05A 0.5W2SC1846 SI-N 120V 0.05A 0.5W | 2SC1847 SI-N 50V 1.5A 1.2W2SC1855 SI-N 20V 20mA 0.25W 550MHz | 2SC1871 SI-N 450V 15A 150W <1/3us 2SC1879 N-DARL+D 120V 2A 0.8W B>1 | 2SC1890 SI-N 90V 0.05A 0.3W 200MHz 2SC1895 SI-N 1500V 6A 50W 2MHz | 2SC1906 SI-N 19V 0.05A 0.3W2SC1907 SI-N 30V 0.05A 1100MHz | 2SC1913 SI-N 150V 1A 15W 120MHz2SC1914 SI-N 90V 50mA 0.2W 150MHz | 2SC1921 SI-N 250V 0.05A 0.6W2SC1922 SI-N 1500V 2.5A 50W | 2SC1923 SI-N 30V 20mA 10mW 550MHz 2SC1929 SI-N 300V 0.4A 25W 80MHz | 2SC1941 SI-N 160V 50mA 0.8W2SC1944 SI-N 80V 6A PQ=16W | 2SC1945 SI-N 80V 6A 20W2SC1946A SI-N 35V 7A 50W | 2SC1947 SI-N 35V 1A 4W/175MHz2SC1953 SI-N 150V 0.05A 1.2W 70MHz | 2SC1957 SI-N 40V 1A 1.8W/27MHz2SC1959 SI-N 30V 0.5A 0.5W 200MHz | 2SC1967 SI-N 35V 2A 8W 470MHz2SC1968 SI-N 35V 5A 3W 470MHz | 2SC1969 SI-N 60V 6A 20W2SC1970 SI-N 40V 0.6A 5W | 2SC1971 SI-N 35V 2A 12.5W2SC1972 SI-N 35V 3.5A 25W | 2SC1975 SI-N 120V 2A 3.8W 50MHz2SC1980 SI-N 120V 20mA 0.25W 200MHz | 2SC1984 SI-N 100V 3A 30W B=7002SC1985 SI-N 80V 6A 40W 10MHz | 2SC2023 SI-N 300V 2A 40W 10MHz2SC2026 SI-N 30V 0.05A 0.25W | 2SC2027 SI-N 1500/800V 5A 50W2SC2036 SI-N 80V 1A PQ=1..4W | 2SC2053 SI-N 40V 0.3A 0.6W 500MHz 2SC2055 SI-N 18V 0,3A 0,5W | 2SC2058 SI-N 40V 0.05A 0.25W2SC2060 SI-N 40V 0.7A 0.75W 150MHz | 2SC2061 SI-N 80V 1A 0.75W 120MHz2SC2068 SI-N 300V 0.05A 95MHz | 2SC2073 SI-N 150V 1.5A 25W 4MHz2SC2078 SI-N 80V 3A 10W 150MHz | 2SC2086 SI-N 75V 1A 0.45W/27MHz2SC2092 SI-N 75V 3A 5W 27MHz | 2SC2094 SI-N 40V 3.5A PQ>15W 175MHz 2SC2097 SI-N 50V 15A PQ=85W | 2SC2120 SI-N 30V 0.8A 0.6W 120MHz2SC2122 SI-N 800V 10A 50W | 2SC2166 SI-N 75V 4A 12.5W RFPOWER 2SC2168 SI-N 200V 2A 30W 10MHz | 2SC2200 SI-N 500V 7A 40W 1US2SC2209 SI-N 50V 1.5A 10W 150MHz | 2SC2216 SI-N 45V 50mA 0.3W 300MHz 2SC2228 SI-N 160V 0.05A 0.75W >50 | 2SC2229 SI-N 200V 50mA 0.8W 120MHz 2SC2230 SI-N 200V 0.1A 0.8W 50MHz | 2SC2233 SI-N 200V 4A 40W 8MHz2SC2235 SI-N 120V 0.8A 0.9W 120MHz | 2SC2236 SI-N 30V 1.5A 0.9W 120MHz 2SC2237 SI-N 35V 2A PQ>7.5W 175MHz | 2SC2238 SI-N 160V 1.5A 25W 100MHz 2SC2240 SI-N 120V 50mA .3W 100MHz | 2SC2261 SI-N 180V 8A 80W 15MHz2SC2267 SI-N 400/360V 0.1A 0.4W | 2SC2270 SI-N 50V 5A 10W 100MHz2SC2271 SI-N 300V 0.1A 0.9W 50MHz | 2SC2275 SI-N 120V 1.5A 25W 200MHz 2SC2283 SI-N 38V 0.75A 2.8W(500MHz | 2SC2287 SI-N 38V 1.5A 7.1W 175MHz 2SC2295 SI-N 30V 0.03A 0.2W 250MHz | 2SC2307 SI-N 500V 12A 100W 18MHz2SC2308 SI-N 55V 0.1A 0.2W 230MHz | 2SC2310 SI-N 55V 0.1A 0.2W 230MHz 2SC2312 SI-N 60V 6A 18.5W/27MHz | 2SC2314 SI-N 45V 1A 5W2SC2320 SI-N 50V 0,2A 0,3W | 2SC2329 SI-N 38V 0.75A 2W 175MHz2SC2331 SI-N 150V 2A 15W POWER | 2SC2333 SI-N 500/400V 2A 40W2SC2334 SI-N 150V 7A 40W POWER | 2SC2335 SI-N 500V 7A 40W POWER2SC2336B SI-N 250V 1.5A 25W 95MHz | 2SC2344 SI-N 180V 1.5A 25W 120MHz 2SC2347 SI-N 15V 50mA 250mW 650MHz | 2SC2362 SI-N 120V 50mA 0.4W 130MHz 2SC2363 SI-N 120V 50mA 0.5W 130MHz | 2SC2365 SI-N 600V 6A 50W POWER2SC2369 SI-N 25V 70mA 0.25W 4.5GHz | 2SC2383 SI-N 160V 1A 0.9W 100MHz2SC2389 SI-N 120V 50mA 0.3W 140MHz | 2SC2407 SI-N 35V 0.15A 0.16W 500MHz 2SC2412 SI-N 50V 0.1A 180MHz | 2SC2433 SI-N 120V 30A 150W 80MHz2SC2440 SI-N 450V 5A 40W | 2SC2458 SI-N 50V 0.15A 0.2W 80MHz 2SC2466 SI-N 30V 0.05A 2.2GHz | 2SC2482 SI-N 300V 0.1A 0.9W 50MHz 2SC2485 SI-N 100V 6A 70W 15MHz | 2SC2486 SI-N 120V 7A 80W 15MHz2SC2491 SI-N 100V 6A 40W 15MHz | 2SC2497 SI-N 70V 1.5A 5W 150MHz2SC2498 SI-N 30V 0.05A 0.3W 3.5GHz | 2SC2508 SI-N 40V 6A 50W 175MHz2SC2510 SI-N 55V 20A 250W(28MHz) | 2SC2512 SI-N 30V 50mA 900MHz TUNE 2SC2516 SI-N 150V 5A 30W <0.5/2us | 2SC2517 SI-N 150V 5A 30W <0.5/2us 2SC2538 SI-N 40V 0.4A 0.7W | 2SC2539 SI-N 35V 4A 17W 175MHz2SC2542 SI-N 450V 5A 40W | 2SC2547 SI-N 120V 0.1A 0.4W2SC2551 SI-N 300V 0.1A 0.4W 80MHz | 2SC2552 SI-N 500V 2A 20W2SC2553 SI-N 500V 5A 40W 1us | 2SC2562 SI-N 60V 5A 25W 0.1us2SC2563 SI-N 120V 8A 80W 90MHz | 2SC2570A SI-N 25V 70mA 0.6W2SC2579 SI-N 160V 8A 80W 20MHz | 2SC2581 SI-N 200V 10A 100W2SC2590 SI-N 120V 0.5A 5W 250MHz | 2SC2592 SI-N 180V 1A 20W 250MHz2SC2603 SI-N 50V 0.2A 0.3W | 2SC2610 SI-N 300V 0.1A 0.8W 80MHz 2SC2611 SI-N 300V 0.1A 0.8W 80MHz | 2SC2621E SI-N 300V 0.2A 10W >50MHz 2SC2625 SI-N 450V 10A 80W | 2SC2630 SI-N 35V 14A 100W2SC2631 SI-N 150V 50mA 0,75W 160MHz | 2SC2632 SI-N 150V 50mA 1W 160MHz2SC2634 SI-N 60V 0.1A 0.4W 200MHz | 2SC2653 SI-N 350V 0.2A 15W >50MHz 2SC2654 SI-N 40V 7A 40W | 2SC2655 SI-N 50V 2A 0.9W 0.1us2SC2656 SI-N 450V 7A 80W <1.5/4.5 | 2SC2660 SI-N 200V 2A 30W 30MHz。
项目一(2)晶闸管的特性及参数
3) 通态（峰值）电压UTM —— 晶闸管通以某一规定倍数的额定通态平均 电流时的瞬态峰值电压（一般为2V）。
通常取晶闸管的UDRM和URRM中较小的标值作为该器件的额定电压。选用 时，额定电压要留有一定裕量,一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受 峰值电压23倍。
➢ 4) 浪涌电流ITSM
——指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定结温的不重 复性最大正向过载电流
电力电子装置安装与调试
晶闸管的主要参数
3、动态参数
（1）晶闸管的开通时间tgt与关断时间 tq 开通与关断时间的含义如前所述
（2）断态电压临界上升率du/dt 指在额定结温和门极开路的情况下，不导致晶闸管从断态到 通态转换的外加电压最大上升率。
➢ 随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低 ➢ 导通后的晶闸管特性和二极管的正向特性相仿 ➢ 晶闸管本身的压降很小，在1V左右 ➢ 导通期间，如果门极电流为零，并且阳极电流降至接近于零
的某一数值IH以下，则晶闸管又回到正向阻断状态。IH称为维 持电流。
电力电子装置安装与调试
➢ 晶闸管上施加反向电压时，伏安特性类似二极管的反向特性 ➢ 晶闸管的门极触发电流从门极流入晶闸管，从阴极流出 ➢ 阴极是晶闸管主电路与控制电路的公共端 ➢ 门极触发电流也往往是通过触发电路在门极和阴极之间施加触
Kf IAV 1.57 IT(AV)
例：当三个不同的电流波形，分别流经额定电流为 IT(AV)= 100A的晶闸管时，其允许的电流平均值为IAV不 同。
电力电子装置安装与调试
晶闸管的主要参数
各种晶闸管(可控硅)地检测方法
各种晶闸管(可控硅)的检测方法1．单向晶闸管的检测(1)判别各电极：根据普通晶闸管的结构可知，其门极G与阴极K极之间为一个PN结，具有单向导电特性，而阳极A与门极之间有两个反极性串联的PN结。
因此，通过用万用表的R×100或R×1 k Q档测量普通晶闸管各引脚之间的电阻值，即能确定三个电极。
具体方法是：将万用表黑表笔任接晶闸管某一极，红表笔依次去触碰另外两个电极。
若测量结果有一次阻值为几千欧姆(kΩ)，而另一次阻值为几百欧姆(Ω)，则可判定黑表笔接的是门极G。
在阻值为几百欧姆的测量中，红表笔接的是阴极K，而在阻值为几千欧姆的那次测量中，红表笔接的是阳极A，若两次测出的阻值均很大，则说明黑表笔接的不是门极G，应用同样方法改测其他电极，直到找出三个电极为止。
也可以测任两脚之间的正、反向电阻，若正、反向电阻均接近无穷大，则两极即为阳极A和阴极K，而另一脚即为门极G。
普通晶闸管也可以根据其封装形式来判断出各电极。
例如：螺栓形普通晶闸管的螺栓一端为阳极A，较细的引线端为门极G，较粗的引线端为阴极K。
平板形普通晶闸管的引出线端为门极G，平面端为阳极A，另一端为阴极K。
金属壳封装(T0—3)的普通晶闸管，其外壳为阳极A。
塑封(T0—220)的普通晶闸管的中间引脚为阳极A，且多与自带散热片相连。
图1为几种普通晶闸管的引脚排列。
(2)判断其好坏：用万用表R×1 kΩ档测量普通晶闸管阳极A与阴极K之间的正、反向电阻，正常时均应为无穷大(∞)；若测得A、K之间的正、反向电阻值为零或阻值均较小，则说明晶闸管内部击穿短路或漏电。
测量门极G与阴极K之间的正、反向电阻值，正常时应有类似二极管的正、反向电阻值(实际测量结果要较普通二极管的正、反向电阻值小一些)，即正向电阻值较小(小于2 kΩ)，反向电阻值较大(大于80 kΩ)。
若两次测量的电阻值均很大或均很小，则说明该晶闸管G、K极之间开路或短路。
晶闸管、二极管主要参数及其含义
通态峰值电流ITM等于器件ITAV；
通态电流下降率di/dt=-20A/μs；
6．断态重复峰值（漏）电流IDRM
反向重复峰值（漏）电流IRRM
为晶闸管在阻断状态下，承受断态重复峰值电压VDRM和反向重复峰值电压VRRM时，流过元件的正反向峰值漏电流。该参数在器件允许工作的最高结温Tjm下测出。
7．通态峰值电压VTM(晶闸管)
正向峰值电压VFM(整流管)
指器件通过规定正向峰值电流IFM(整流管)或通态峰值电流ITM(晶闸管)时的峰值电压，也称峰值压降。该参数直接反映了器件的通态损耗特性，影响着器件的通态电流额定能力。
12．结壳热阻Rjc
指器件在规定条件下，器件由结至壳流过单位功耗所产生的温升。结壳热阻反映了器件的散热能力，该参数也直接影响着器件的通态额定性能。一般制造商产品手册中对平板式器件给出了双面冷却下的稳态热阻值，对半导体功率模块，给出了单面散热时的热阻值。用户须注意，平板式器件的结壳热阻直接受安装条件的影响，只有按手册中推荐的安装力安装，才能保证器件的结壳热阻值满足要求。
1．正向平均电流IF(AV)(整流管)
通态平均电流IT(AV)(晶闸管)
是指在规定的散热器温度THS或管壳温度TC时,允许流过器件的最大正弦半波电流平均值。此时，器件的结温已达到其最高允许温度Tjm。用户使用中应根据实际通态电流和散热条件来选择合适型号的器件。
2．正向方均根电流IF（RMS）(整流管)
4．断态不重复峰值电压VDSM
晶闸管简介
晶闸管简介晶闸管（Thyristor ）是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅；它是一种大功率、可以控制其导通截止的半导体，具有弱电控制强电的特点， 1957年美国通用电器公司开发出世界上第一款晶闸管产品，并于1958年将其商业化；晶闸管是PNPN 四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和门极; 晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。
一、晶闸管的结构晶闸管是一种具有三个PN 结、三个电极（阳极A 、阴极K 和控制极或称为门极G ）的PNPN 四层半导体器件。
图1-1是晶闸管内部管芯结构图。
晶闸管的外形有螺旋式、平板式和普通三极管模样的三足式。
螺旋式的螺旋一端是阳极，螺纹用于固定散热器，细引线所在的电极是控制极，余下的那个电极就是阴极。
平板式的上、下两面金属体是阳极和阴极，凹面用于嵌入各自的散热片，中间的细引出电极是控制极。
图1-2是晶闸管的符号和外形。
图1-1 晶闸管内部管芯结构图 a)A G P 1N 1P 2N 2J 1J 2J3b ） c ）12二、晶闸管和导电特性在图1-3所示电路中，当将开关S 1上，即在晶闸管的阳极与阴极之间加上正向电压U AK （简称U A ）时，由于晶闸管内部两个等效三极管V 1和V 2均无基极电流而处于截止，所示此时晶闸管是截止的。
在上述基础上，再将开关S 2接通，在晶闸管控制极和阴极之间加上正向电压U GK （简称触发电压U G ），使V 2的发射极处于正偏，并产生基极电流I B2，有I B2就有I C2，I C2有I B1，故V 1管也处于导通状态 ，于是等效电路内部产生如下正反馈过程：U G ↑→I B 2↑→I C2↑→I B1↑→I C1↑→I B 2↑循环结果，使V 1 、V 2很快达到饱和状态，晶闸管迅。
导通后晶闸管阳极与阴极之间的管压降仅有1V 左右。
晶闸管(可控硅)参数符号说明
晶闸管(可控硅)参数符号说明以下参数符号说明的1～11符合1985年颁布的国家标准GB4940-851、断态及反向重复峰值电压VDRM和VRRM控制极断路，在一定的温度下，允许重复加在管子上的正向电压为断态重复峰值电压，用VDRM表示。
这个数值是不重复峰值电压VDSM的90％，而不重复峰值电压即为正向伏安特性曲线急剧弯曲点所决定的断态峰值电压。
反向重复峰值电压用VRRM表示，它也是在控制极开路条件下，规定一定的温度，允许重复加在管子上的反向电压，同样，VRRM为反向不重复峰值电压VRSM的90％。
“重复”是指重复率为每秒50次．持续时间不大于10ms。
VDRM和VRRM随温度的升高而降低，在测试条件中，将对温度作严格的规定。
生产厂把VDRM和VRRM中较小的一个数值作为管子的额定电压。
2、断态漏电流IDRM和反向漏电流IRRM对应VDRM和VRRM的漏电流为断态漏电流和反向漏电流，分别用IDRM 和IRRM表示。
这个数值用峰值表示。
3、额定通态电流IT在环境温度为40℃和规定的冷却条件下，在单相工频(即50Hz)正弦半波电路中，导通角为不小于170°，负载为电阻性，当结温稳定且不超过额定结温时，管子所允许的最大通态电流为额定通态电流。
这个值用平均值和有效值分别表示。
4、通态电压VTM在规定环境温度和标准散热条件下，管子在额定通态电流IT时所对应的阳极和阴极之间的电压为通态电压，即一般称为管压降。
此值用峰值表示。
这是一个很重要的多数，晶闸管导通时的正向损耗主要由IT与VTM之积决定，希望VTM越小越好。
5、维持电流IH在室温下，控制极开路，晶闸管被触发导通后，维持导通状态所必须的最小电流。
也就是说，在室温下，在控制极回路通以幅度和宽度都足够大的脉冲电流，同时在阳极和阴极之间加上电压，使管子完全开通。
然后去掉控制极触发信号，缓慢减小正向电流，管子突然关断前瞬间的电流即为维持电流。
6、控制极触发电流IGT和触发电压VGT在室温条件下，晶闸管阳极和阴极间施加6v或12v的直流电压，使管子完全开通所必须的最小控制极直流电流为控制极触发电流IGT。
晶闸管的检测
不同晶闸管的检测方式介绍〔一〕单向晶闸管的检测1．判别各电极根据普通晶闸管的结构可知,其门极G与阴极K极之间为一个PN结,具有单向导电特性,而阳极A与门极之间有两个反极性串联的PN结.因此,通过用万用表R×100A 或R×1k档测量普通晶闸管各引脚之间的电阻值,即能确定三个电极.具体方法是：将万用表黑表笔任接晶闸管某一极,红表笔依次去触碰另外两个电极.若测量结果有一次阻值为几千欧姆〔kΩ〕,而另一次阻值为几百欧姆〔Ω〕,则可判定黑表笔接的是门极G.在阻值为几百欧姆的测量中,红表笔接的是阴极K,而在阻值为几千欧姆的那次测量中,红表笔接的是阳极A,若两次测出的阻值均很大,则说明黑表笔接的不是门极G,应用同样方法改测其它电极,直到找出三个电极为止.也可以测任两脚之间的正、反向电阻,若正、反向电阻均接近无穷大,则两极即为阳极A和阴极K,而另一脚即为门极G.普通晶闸管也可以根据其封装形式来判断出各电极.例如：螺栓形普通晶闸管的螺栓一端为阳极A,较细的引线端为门极G,较粗的引线端为阴极K.平板形普通晶闸管的引出线端为门极G,平面端为阳极A,另一端为阴极K.金属壳封装〔TO–3〕的普通晶闸管,其外壳为阳极A.塑封〔TO–220〕的普通晶闸管的中间引脚为阳极A,且多与自带散热片相连.图8-15为几种普通晶闸管的引脚排列.2．判断其好坏用万用表R×1k档测量普通晶体管阳极A与阴极K之间的正、反向电阻,正常时均应为无穷大〔∞〕若测得A、K之间的正、反向电阻值为零或阻值较小,则说明晶闸管内部击穿短路或漏电.测量门极G与阴极K之间的正、反向电阻值,正常时应有类似二极管的正、反向电阻值〔实际测量结果较普通二极管的正、反向电阻值小一些〕,即正向电阻值较小〔小于2 kΩ〕,反向电阻值较大〔大于80 kΩ〕.若两次测量的电阻值均很大或均很小,则说明该晶闸管G、K极之间开路或短路.若正、反电阻值均相等或接近,则说明该晶闸管已失效,其G、K极间PN结已失去单向导电作用.测量阳极A与门极G之间的正、反向电阻,正常时两个阻值均应为几百千欧姆〔kΩ〕或无穷大,若出现正、反向电阻值不一样〔有类似二极管的单向导电〕,则是G、A极之间反向串联的两个PN结中的一个已击穿短路.3．触发能力检测对于小功率〔工作电流为5A以下〕的普通晶闸管,可用万用表R×1档测量.测量时黑表笔接阳极A,红表笔接阴极K,此时表针不动,显示阻值为无穷大〔∞〕.用镊子或导线将晶闸管的阳极A与门极短路〔见图8-16〕,相当于给G极加上正向触发电压,此时若电阻值为几欧姆至几十欧姆〔具体阻值根据晶闸管的型号不同会有所差异〕,则表明晶闸管因正向触发而导通.再断开A极与G极的连接〔A、K极上的表笔不动,只将G极的触发电压断掉〕,若表针示值仍保持在几欧姆至几十欧姆的位置不动,则说明此晶闸管的触发性能良好. 对不求甚解作电流在5A以上的中、大功率普通晶闸管,因其通态压降VT、维持电流IH与门极触发电压VG均相对较大,万用表R×1档所提供的电流偏低,晶闸管不能完全导通,故检测时可在黑表笔端串接一只200Ω可调电阻和1~3节1.5V干电池〔视被测晶闸管的容量而定,其工作电流大于100A的,应用3节1.5V干电池〕,如图8-17所示.也可以用图8-18中的测试电路测试普通晶闸管的触发能力.电路中,VT为被测晶闸管,HL为6.3V指示灯〔手电筒中的小电珠〕,GB为6V电源〔可使用4节1.5V干电池或6V稳压电源〕,S为按钮,R为限流电阻.当按钮S未接通时,晶闸管VT处于阻断状态,指示灯HL不亮〔若此时HL亮,则是VT击穿或漏电损坏〕.按动一下按钮S后〔使S接通一下,为晶闸管VT的门极G提供触发电压〕,若指示灯HL一直点亮,则说明晶闸管的触发能力良好.若指示灯亮度偏低,则表明晶闸管性能不良、导通压降大〔正常时导通压降应为1V左右〕.若按钮S接通时,指示灯亮,而按钮断开时,指示灯熄灭,则说明晶闸管已损坏,触发性能不良.〔二〕双向晶闸管的检测1．判别各电极用万用表R×1或R×10档分别测量双向晶闸管三个引脚间的正、反向电阻值,若测得某一管脚与其它两脚均不通,则此脚便是主电极T2.找出T2极之后,剩下的两脚便是主电极T1和门极G3.测量这两脚之间的正反向电阻值,会测得两个均较小的电阻值.在电阻值较小〔约几十欧姆〕的一次测量中,黑表笔接的是主电极T1,红表笔接的是门极G.螺栓形双向晶闸管的螺栓一端为主电极T2,较细的引线端为门极G,较粗的引线端为主电极T1.金属封装〔TO–3〕双向晶闸管的外壳为主电极T2.塑封〔TO–220〕双向晶徊管的中间引脚为主电极T2,该极通常与自带小散热片相连.图8-19是几种双向晶闸管的引脚排列.2．判别其好坏用万用表R×1或R×10档测量双向晶闸管的主电极T1与主电极T2之间、主电极T2与门极G之间的正、反向电阻值,正常时均应接近无穷大.若测得电阻值均很小,则说明该晶闸管电极间已击穿或漏电短路.测量主电极T1与门极G之间的正、反向电阻值,正常时均应在几十欧姆〔Ω〕至一百欧姆〔Ω〕之间〔黑表笔接T1极,红表笔接G极时,测得的正向电阻值较反向电阻值略小一些〕.若测得T1极与G极之间的正、反处电阻值均为无穷大,则说明该晶闸管已开路损坏.3．触发能力检测对于工作电流为8A以下的小功率双向晶闸管,可用万用表R×1档直接测量.测量时先将黑表笔接主电极T2,红表笔接主电极T1,然后用镊子将T2极与门极G短路,给G极加上正极性触发信号,若此时测得的电阻值由无穷大变为十几欧姆〔Ω〕,则说明该晶闸管已被触发导通,导通方向为T2→T1.再将黑表笔接主电极T1,红表笔接主电极T2,用镊子将T2极与门极G之间短路,给G极加上负极性触发信号时,测得的电阻值应由无穷大变为十几欧姆,则说明该晶闸管已被触发导通,导通方向为T1→T2.若在晶闸管被触发导通后断开G极,T2、T1极间不能维持低阻导通状态而阻值变为无穷大,则说明该双向晶闸管性能不良或已经损坏.若给G极加上正〔或负〕极性触发信号后,晶闸管仍不导通〔T1与T2间的正、反向电阻值仍为无穷大〕,则说明该晶闸管已损坏,无触发导通能力.对于工作电流以8A以上的中、大功率双向晶闸管,在测量其触发能力时,可先在万用表的某支表笔上串接1~3节1.5V干电池,然后再用R×1档按上述方法测量.对于耐压为400V以上的双向晶闸管,也可以用220V交流电压来测试其触发能力与性能好坏.图8-20是双向晶闸管的测试电路.电路中,EL为60W/220V白炽灯泡,VT为被测双向晶闸管,R为100Ω限流电阻,S为按钮.将电源插头接入市电后,双向晶闸管处于截止状态,灯泡不亮〔若此时灯泡正常发光,则说明被测晶闸管的T1、T2极之间已击穿短路；若灯泡微亮,则说明被测晶闸管漏电损坏〕.按动一下按钮S,为晶闸管的门极G提供触发电压信号,正常时晶闸管应立即被触发导通,灯泡正常发光.若灯泡不能发光,则说明被测晶闸管内部开路损坏.若按动按钮S时灯泡点亮,松手后灯泡又熄灭,则表明被测晶闸管的触发性能不良.〔三〕门极关断晶闸管的检测1．判别各电极门极关断晶闸管三个电极的判别方法与普通晶闸管相同,即用万用表的R×100档,找出具有二极管特性的两个电极,其中一次为低阻值〔几百欧姆〕,另一次为阻值较大.在阻值小的那一次测量中,红表笔接的是阴极K,黑表笔接的是门极G,剩下的一只引脚为阳极A.2．触发能力和关断能力的检测可关断晶闸管触发能力的检测方法与普通晶闸管相同.检测门极关断晶闸管的关断能力时,可先按检测触发能力的方法使晶闸管处于导通状态,即用万用表R×1档,黑表笔接阳极A,红表笔接阴极K,测得电阻值为无穷大.再将A极与门极G短路,给G极加上正向触发信号时,晶闸管被触发导通,其A、K极间电阻值由无穷大变为低阻状态.断开A极与G极的短路点后,晶闸管维持低阻导通状态,说明其触发能力正常.再在晶闸管的门极G与阳极A之间加上反向触发信号,若此时A极与K极间电阻值由低阻值变为无穷大,则说明晶闸管的关断能力正常,图8-21是关断能力的检测示意图.也可以用图8-22所示电路来检测门极关断晶闸管的触发能力和关断能力.电路中,EL为6.3V 指示灯〔小电珠〕,S为转换开关,VT为被测晶闸管.当开关S关断时,晶闸管不导通,指示灯不亮.将开关S的K1触点接通时,为G极加上正向触发信号,指示灯亮,说明晶闸管已被触发导通.若将开关S断开,指示灯维持发光,则说明晶闸管的触发能力正常.若将开关S的K2触点接通,为G极加上反向触发信号,指示灯熄灭,则说明晶闸管的关断能力正常.〔四〕温控晶闸管的检测1．判别各电极温控晶闸管的内部结构与普通晶闸管相似,因此也可以用判别普通晶闸管电极的方法来找出温控晶闸管的电极.2．性能检测温控晶闸管的好坏也可以用万用表大致测出来,具体方法可参考普通晶闸管的检测方法.图8-23是温控晶闸管的测试电路.电路中,R是分流电阻,用来设定晶闸管VT的开关温度,其阻值越小,开关温度设置值就越高.C为抗干扰电容,可防止晶闸管VT误触发.HL为6.3V指示灯〔小电珠〕,S为电源开关.接通电源开关S后,晶闸管VT不导通,指示灯HL不亮.用电吹风"热风档〞给晶闸管VT加温,当其温度达到设定温度值时,指示灯亮,说明晶闸管VT已被触发导通.若再用电吹风"冷风〞档给晶闸管VT降温〔或待其自然冷却〕至一定温度值时,指示灯能熄灭,则说明该晶闸管性能良好.若接通电源开关后指示灯即亮或给晶闸管加温后指示灯不亮、或给晶闸管降温后指示灯不熄灭,则是被测晶闸管击穿损坏或性能不良.〔五〕光控晶闸管的检测用万用表检测小功率光控晶闸管时,可将万用表置于R×1档,在黑表笔上串接1~3节1.5V干电池,测量两引脚之间的正、反向电阻值,正常时均应为无穷大.然后再用小手电筒或激光笔照射光控晶闸管的受光窗口,此时应能测出一个较小的正向电阻值,但反向电阻值仍为无穷大.在较小电阻值的一次测量中,转业有笔接的是阳极A,红表笔接的是阴极K.也可用图8-24中电路对光控晶闸管进行测量.按通电源开关S,用手电筒照射晶闸管VT的受光窗口、为其加上触发光源〔大功率光控晶闸管自带光源,只要将其光缆中的发光二极管或半导体激光器加上工作电压即可,不用外加光源〕后,指示灯EL应点亮,撤离光源后指示灯EL 应维持发光.若接通电源开关S后〔尚未加光源〕,指示灯EL即点亮,则说明被测晶闸管已击穿短路.若接通电源开关、并加上触发光源后,指示灯EL仍不亮,在被测晶闸管电极连接正确的情况下,则是该晶闸管内部损坏.若加上触发光源后,指示灯发光,但取消光源后指示灯即熄灭,则说明该晶闸管触发性能不良.〔六〕BTG晶闸管的检测1．判别各电极根据BTG晶闸管的内部结构可知,其阻极A、阴极K之间和门极G、阴极K之间均包含有多个正、反向串联有PN结,而阳极A与门极G之间却只有一个PN结.因此,只要用万用表测出A极和G极即可.将万用表置于R×1k档,两表笔任接被测晶闸管的某两个引脚〔测其正、反向电阻值〕,若测出某对引脚为低阻值时,则黑表笔接的阳极A,而红表笔接的是门极G,另外一个引脚即是阴极K.2．判断其好坏用万用表R×1k档测量BTG晶闸管各电极之间的正、反向电阻值.正常时,阳极A与阴极K之间的正、反向电阻均为无穷大；阳极A与门极G之间的正向电阻值〔指黑表笔接A极时〕为几百欧姆至几千欧姆,反向电阻值为无穷大.若测得某两极之间的正、反向电阻值均很小,则说明该晶闸管已短路损坏.3．触发能力检测将万用表置于R×1档,黑表笔接阳极A,红表笔接阴极K,测得阻值应为无穷大.然后用手指触摸门极G,给其加一个人体感应信号,若此时A、K之间的电阻值由无穷大变为低阻值〔数欧姆〕,则说明晶闸管的触发能力良好.否则说明此晶闸管的性能不良. 〔七〕逆导晶闸管的检测1．判别各电极根据逆导晶闸管内部结构可知,在阳极A与阴极K之间并接有一只二极管〔正极接K极〕,而门极G与阴极K之间有一个PN结,阳极A与门极之间有多个反向串联有PN结.用万用表R×100档测量各电极之间的正反向电阻值时,会发发有一个电极与另外两个电极之间正、反向测量时均会有一个低阻值,这个电极就是阴极K.将黑表笔接阴极K,红表笔依次去触碰另外两个电极,显示为低阻值的一次测量中,红表笔接的是阳极A.再将红表笔接阴极K,黑表笔依次触碰另外两电极,显示低阻值的一次测量中,黑表笔接的便是门极G.2．测量其好坏用万用表R×100或R×1k档测量反向导通晶闸管的阳极A与阴极K之间的正、反向电阻值,正常时,正向电阻值〔黑表笔接A极〕为无穷大,反向电阻值为几百欧姆至几千欧姆〔用R×1k档测量为7kΩ左右,用R×100档测量为900Ω左右〕.若正、反向电阻值均为无穷大,则说明晶闸管内部并接的二极管已开路损坏.若正反向电阻值为很小,则是晶闸管短路损坏.正常时反向导通晶闸管的阳极A与门极G之间的正、反向电阻值均为无穷大.若测得A、G 极之间的正、反向电阻值均很小,则说明晶闸管的A、G极之间击穿短路.正常时反向导通晶闸管的门极G与阴极K之间的正向电阻值〔黑表笔接G极〕为几百欧姆至几千欧姆,反向电阻值为无穷大.若测得其正、反向电阻值均为无穷大或均很小,则说明该晶闸管G、K极间已开路或短路损坏.3．触发能力检测反向导通晶闸管的触发能力的检测方法与普通晶闸管相同.用万用表R×1档,黑表笔接阳极A,红表笔接阴极K〔大功率晶闸管应在黑表笔或红表笔上串接1~3节1.5V 干电池〕,将A、G极间瞬间短路,晶闸管即能被触发导通,万用表上的读数会由无穷大变为低阻值.若不能由无穷大变为低阻值,则说明被测晶闸管的触发能力不良.〔八〕四端晶闸管的检测1．判别各电极四端晶闸管多采用金属壳封装,图8-25是其管脚排列底视图.从管键〔管壳上的凸起处〕开始看,顺时针方向依次为阴极K,阴极门极GK、阳极门极GA、阳极A. 2．判断其好坏用万用表R×1k档,分别测量四端晶闸管各电极之间的正、反电阻值.正常时,阳极A与阳极门极GA之间的正向电阻值〔黑表笔接A极〕为无穷大,反向电阻值为4~12kΩ；阳极门极GA与阴极门极GK之间的正向电阻值〔黑表笔接GA〕为无穷大,反向电阻值为2~10 kΩ；阴极K与阴极控制极GK之间的正向电阻值〔黑表笔接K〕为无穷大,反向电阻值为4~12 kΩ.若测得某两极之间的正、反向电阻值均较小或均为无穷大,则说明该晶闸管内部短路或开路. 3．触发能力检测用万用表R×1k档,黑表笔接随时随地极A,红表笔接阴极K,此时电阻值为无穷大.若将K极与阳极门极GA瞬间短路、给GA极加上负触发脉冲电压时,A、K极间电阻值由无穷大迅速变为低阻值,则说明该晶闸管GA极的触发能力良好.断开黑表笔后,再将其与阳极A连接好,红表笔仍接阴极K,万用表显示阻值为无穷大.若将A 极与GK极瞬间短路,给GK极加上正向触发电压时,晶闸管A、K极之间的电阻值由无穷大变为低阻值,则可判定该晶闸管GK极的触发能力良好.若将K、GA极或A、GA极短路时,A、K极之间的电阻值极仍为无穷大,则说明该晶闸管内部开路损坏或性能不良.4．关断性能检测在四端晶闸管被触发导通状态时,若将阳极A与阳极门极GA或阴极K与阴极门极GK瞬间短路,A、K极之间的电阻值由低阻值变为无穷大,则说明被测晶闸管的关断性能良好.5．反向导通性能检测分别将晶闸管的阳极A与阳极门极GA、阴极K与阴极门极短接后,用万用表R×1k档、黑表笔接A极,红表笔接K极,正常时阻值应为无穷大；再将两笔对调测量,K、A极间正常电阻值应为低阻值〔数千欧姆〕.。
可控硅的查看办法阅历
可控硅的查看办法阅历可控硅的查看办法阅历可控硅（SCR）世界通用称谓为Thyyistoy，中文简称晶闸管。
它能在高电压、大电流条件下作业，具有耐压高、容量大、体积小等利益，它是大功率开关型半导体器材，广泛运用在电力、电子线路中。
1.可控硅的特性可控硅分单向可控硅、双向可控硅。
单向可控硅有阳极A、阴极K、操控极G三个引出脚。
双向可控硅有榜首阳极A1（T1），第二阳极A2（T2）、操控极G三个引出脚。
只需当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压，一同操控极G与阴极间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。
此刻A、K间呈低阻导通状况，阳极A与阴极K间压降约1V。
单向可控硅导通后，操控器G即便失掉触发电压，只需阳极A和阴极K之间仍坚持正向电压，单向可控硅持续处于低阻导通状况。
只需把阳极A电压撤除或阳极A、阴极K间电压极性发作改动（沟通过零）时，单向可控硅才由低阻导通状况改换为高阻截止状况。
单向可控硅一旦截止，即便阳极A和阴极K间又从头加上正向电压，仍需在操控极G和阴极K间有从头加上正向触发电压方可导通。
单向可控硅的导通与截止状况恰当于开关的闭合与断开状况，用它可制成无触点开关。
双向可控硅榜首阳极A1与第二阳极A2间，不论所加电压极性是正向仍是反向，只需操控极G和榜首阳极A1间加有正负极性纷歧样的触发电压，就可触发导通呈低阻状况。
此刻A1、A2间压降也约为1V。
双向可控硅一旦导通，即便失掉触发电压，也能持续坚持导通状况。
只需当榜首阳极A1、第二阳极A2电流减小，小于坚持电流或A1、A2间当电压极性改动且没有触发电压时，双向可控硅才切断，此刻只需从头加触发电压方可导通。
2.单向可控硅的查看。
万用表选电阻R*1Omega;挡，用红、黑两表笔别离测恣意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此刻黑表笔的引脚为操控极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。
此刻将黑表笔接已差异了的阳极A，红表笔仍接阴极K。