《半导体物理》讲义:第二章 晶格振动和晶格缺陷

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半导体物理学-半导体中杂质和缺陷能级模板

半导体物理学-半导体中杂质和缺陷能级模板
称电子为多数载流子,简称多子,空穴为少 数载流子,简称少子。
2.1 硅、锗晶体中的杂质能级
n 2.1.3 受主杂质 受主能级
Si
+
Si
Si
Si
B-
Si
Si
Si
Si
受 主 掺 杂(掺硼)
硼原子接受一个电子后, 成为带负电的硼离子, 称为负电中心(B- ) 。 带负电的硼离子和带正 电的空穴间有静电引力 作用,这个空穴受到硼 离子的束缚,在硼离子 附近运动。
2.1 硅、锗晶体中的杂质能级
深能级杂质产生多次电离:
3)III族元素硼、铝、镓、铟、铊在锗和硅中各产生1个 浅受主能级,而铝在硅中,还能产生1个施主能级。
4)IV族元素碳在硅中产生1个施主能级,而锡和铅在硅 中产生1个施主能级和1个受主能级。
5)V族元素磷、砷、锑在硅和锗中各产生一个浅施主 能级。
2.1 硅、锗晶体中的杂质能级
n 2.1.2 施主杂质、施主能级 多余的电子束缚在正电中心,但这种束缚很弱
很小的能量就可使电子摆脱束缚,成为在晶格中导 电的自由电子,而Ⅴ族原子形成一个不能移动的 正电中心。
硅、锗中的Ⅴ族杂质,能够释放电子而产生导电 电子并形成正电中心,称为施主杂质或N型杂质, 掺有N型杂质的半导体叫N型半导体。施主杂质未 电离时是中性的,电离后成为正电中心。
mn* 0.12m0
2.1 硅、锗晶体中的杂质能级
n 晶体内杂质原子束缚的电子与类氢模型相比:
m0mn*, mp*; 0 r0
施主杂质的电离能: E D8m r2n *q 0 24 h2m m 0 n *E r2 01.6 3m m 0n *r2
Si: mn* 0.26m0 r 12 ED0.02e5V

半导体物理学-第二章-半导体中的杂质和缺陷

半导体物理学-第二章-半导体中的杂质和缺陷

m* mo
1
r2
moq4
8
2 o
h2
m* mo
1
r2
E0
施主杂质电离能
ED
mn*q 4
8
r2
2 0
h
2
mn* m0
E0
2 r
受主杂质电离能
E A
m*p q 4
8
r2
2 0
h
2
m*p m0
E0
2 r
对于Si中的P原子,剩余电子的运动半径 约为24.4 Å: ( r )Si 12 me* 0.26mo
剩余电子本质上是 在晶体中运动
对于Si、Ge掺P
m* eSi
0.26m0 ,
m* eGe
0.12m0 rSi 12, rGe 16, r2 100
Ec ED Ev
施主能级靠近导带底部
ED
me* mo
1
r2
E0
ED,Si 0.025 eV ED,Ge 0.064 eV
估算结果与实测值有 相同的数量级
b:替位式杂质 特点:杂质原子的大小与被替代的晶格原子大小
可以相比,价电子壳层结构比较相近,Ⅲ和Ⅴ族元 素在Si,Ge中都是替位式
单位体积中的杂质原子数称为杂质浓度
A: 间隙式→杂质位于间隙
位置。
Si
Li:0.068nm
B:替位式→杂质占据格点 Si
位置。大小接近、电子
壳层结构相近
Si
Si:r=0.117nm B:r=0.089nm P:r=0.11nm
主要内容
§2-1 元素半导体中的杂质能级
1. 浅能级杂质能级和杂质电离; 2. 浅能级杂质电离能的计算; 3. 杂质补偿作用 4. 深能级杂质的特点和作用

半导体物理学第二章

半导体物理学第二章
当III族杂质和V族杂质掺入III-V族化合物中时,实验中测 不到杂质的影响,因为它们没有在禁带中引入能级。
但有些V族元素的取代会产生能级,此能级为等电子能级, 效应称之为“等电子杂质效应”:杂质电子与基质原子 的价电子数量相等。替代格点原子后,仍为电中性。但 是,原子序数不同导致了原子的“共价半径”和“电负 性”不同,即对电子的束缚能力不同于格点原子,能俘 获电荷成为带电中心,形成电子陷阱或正电荷陷阱。该 陷阱俘获载流子后,又能俘获相反符号的电荷,形成 “束缚激子”。这种束缚激子在间接带隙半导体制成了 发光器件中起主要作用。
间隙原子和空位这两种点缺陷受温度影响较大,为热缺 陷,它们不断产生和复合,直至达到动态平衡,总是同 时存在的。
ED
m
* n
m0
E0
2 r
E 0 1.6 3 e,V 对 S:ir 1 2
mn * 0.26m0,ED0.26 12 213.60.02456eV mn * 0.4m0,ED0.412123.60.0378eV
由实验知,Si中施主电离能在 0.044 e0V.067 ,所以后者接近实验值。
2.1.5 杂质的补偿作用
质m等0 效玻尔半径

r
h2 r 0
q
2
m
* n
r0rh2 q2mn*
r
m0 mn*
r0
• 受主电离能
同理
EA
m*p E0
m0 r 2
例题
• 硅中掺入某种施主杂质,设其电子有效质
量 mn* 0.,2计6m算0 电离能为多少?若
,其电
离能m又n*为 0多.4少m0?这两种值中哪一种更接近实验值?
• 解答:利用类氢原子模型:

《半导体物理》讲义:第二章 晶格振动和晶格缺陷

《半导体物理》讲义:第二章 晶格振动和晶格缺陷

第二章 晶格振动和晶格缺陷在上一章中,我们把组成晶体的原子或离子看成是固定不动的,都处在其平衡位置上。

实际晶体中的原子却是不停地在其平衡位置附近做热振动的,并且随着温度的升高,振动会不断加剧。

这种热振动也称晶格振动,它会破坏晶格的周期性,在晶格中造成缺陷,从而对半导体的性质产生重要影响。

实际三维晶体中原子的振动现象很复杂,在这里我们只分析一维晶体(单原子和双原子链)的振动,然后将所得到的规律和结论推广到三维晶体中。

§2-1 一维均匀线的振动为研究一维原子链的振动,首先复习一下一维均匀线中弹性波(纵波)的传播现象。

设均匀线的质量密度为ρ,弹性模量为K ,又设线上每一点只能沿线本身的方向(纵向)运动,如图2-1所示。

若在线元x ∆上施加一作用力,它将引起x 点的纵向位移u (x )。

此时在x处的相对伸长(即形变)为xux e ∂∂=)(,在x x ∆+处的形变则为x xux e x x e ∆∂∂+=∆+22)()(。

根据胡克定律(Hooke's law ),此时在线元x ∆上的作用力为[]x xuK x e x x e K F x ∆∂∂=-∆+=∆22)()( (2-1)此作用力还可表示为线元质量x ∆ρ乘上加速度22tu∂∂,即22tux F x∂∂∆=∆ρ (2-2)从而有 22tu ∂∂=22222x u x u K ∂∂=∂∂υρ (2-3)式中,ρυK=是弹性波的传播速度(声波速度),与振动频率无关。

(2-3)式称线性振动方程,其解为具有如下形式的简谐波[])(ex p ),(t qx i A t x u ω-= (2-4)式中,A 为振幅,πνω2=为角频率,ν为振动频率,λπ2=q 为波矢(波数λ1π2⨯)。

由于波速λνυ=,从而有q υλπυπνω===/22 (2-5) 即ω与波矢q 成正比。

q 的绝对值可取∞→0,因而振动频率也可取∞→0,且与q 是一一对应的。

半导体物理 第2章 杂质和缺陷

半导体物理 第2章 杂质和缺陷
13824010???氢原子基态电子的电离能?当n1和无穷时?考虑到晶体中正负电荷处于介电常数0r的介质中且在周期势场中运动电子的质量要用有效质量所以有2202r4n8hqmed?2r00p2202r4p8aemmhqme?施主杂质电离能
第2章 半导体中杂质和缺陷
2.1 硅锗晶体中的杂质能级
实际晶体与理想本征晶体的区别
导电类型:施、受主 能级位置:浅、深能级
2.1.2施主杂质 (浓度:ND)、施主能级
V族元素在硅锗中是体 位式掺杂,如掺磷原子, 形成共价键后,剩余一 个价电子。
磷原子很容易失去多余的一个电子而成为带正电的磷离子 (P+),磷离子称为正电中心(不能移动)。 杂质电离:多余的一个电子挣脱杂质原子的束缚称为导电 电子的过程称为杂质电离。称此类杂质为施主杂质或n型杂 质。 硅、锗中的
考虑到晶体中正、负电荷处于介电常数ε=ε0εr的
介质中,且在周期势场中运动,电子的质量要用有效 质量所以有 施主杂 质电离 能:
* mn q 4 ED 2 2 2 8 r 0 h
* mn E 0 E D m0 r2
m0 q 4 E0 2 2 8 0 h
(2.2)
受主杂质电离能:

由于库仑力的排斥作用, 后获得电子的电离能大 于先获得电子的电离能。 即EA3>EA2>EA1。 金在Ge中ED、EA3、EA2、 EA1四个孤立能级。
2.2 III-V族化合物 (略)--自习
2.3缺陷、位错能级
2.3.1点缺陷
1. 热缺陷(由温度决定)
晶格原子吸收热能后挤入晶格间隙,产生间隙原子,原来位 置称为空位。间隙原子与空位不断产生与复合,最后达到热平衡 (a).弗伦克尔缺陷

《半导体物理》讲义

《半导体物理》讲义

晶体结构晶格§1晶格相关的基本概念1.晶体:原子周期排列,有周期性的物质。

2.晶体结构:原子排列的具体形式。

3.晶格:典型单元重复排列构成晶格。

4.晶胞:重复性的周期单元。

5.晶体学晶胞:反映晶格对称性质的最小单元。

6.晶格常数:晶体学晶胞各个边的实际长度。

7.简单晶格&复式晶格:原胞中包含一个原子的为简单晶格,两个或者两个以上的称为复式晶格。

8.布拉伐格子:体现晶体周期性的格子称为布拉伐格子。

(布拉伐格子的每个格点对应一个原胞,简单晶格的晶格本身和布拉伐格子完全相同;复式晶格每种等价原子都构成和布拉伐格子相同的格子。

)9.基失:以原胞共顶点三个边做成三个矢量,α1,α2,α3,并以其中一个格点为原点,则布拉伐格子的格点可以表示为αL=L1α1 +L2α2 +L3α3 。

把α1,α2,α3 称为基矢。

10.平移对称性:整个晶体按9中定义的矢量αL 平移,晶格与自身重合,这种特性称为平移对称性。

(在晶体中,一般的物理量都具有平移对称性)11.晶向&晶向指数:参考教材。

(要理解)12.晶面&晶面指数:参考教材。

(要理解)立方晶系中,若晶向指数和晶面指数相同则互相垂直。

§2金刚石结构,类金刚石结构(闪锌矿结构)金刚石结构:金刚石结构是一种由相同原子构成的复式晶格,它是由两个面心立方晶格沿立方对称晶胞的体对角线错开1/4长度套构而成。

常见的半导体中Ge,Si,α-Sn(灰锡)都属于这种晶格。

金刚石结构的特点:每个原子都有四个最邻近原子,它们总是处在一个正四面体的顶点上。

(每个原子所具有的最邻近原子的数目称为配位数)每两个邻近原子都沿一个<1,1,1,>方向,处于四面体顶点的两个原子连线沿一个<1,1,0>方向,四面体不共顶点两个棱中点连线沿一个<1,0,0,>方向。

金刚石结构的密排面:{1,1,1} 晶面的原子都按六方形的方式排列。

《半导体物理学》【ch02】导体中杂质和缺陷能级 教学课件

《半导体物理学》【ch02】导体中杂质和缺陷能级 教学课件

硅、锗晶体中的杂质能级
04 浅能级杂质电离能的简单计算
2.1.4浅能级杂质电离能的简单计算
上述类型的杂质的电离能很小,电子或空穴受到正电中心或负电中心的束缚很微弱,可以利 用类氢模型来估算杂质的电离能。如前所述,当硅、锗中掺入V族杂质(如磷原子〉时,在 施主杂质处于束缚态的情况下,这个磷原子将比周围的硅原子多一个电子电荷的正电中心和 一个束缚着的价电子。这种情况好像在硅、锗晶体中附加了一个“氢原子”,于是可以用氢 原子模型估计△En的数值。氢原子中电子的能量Ew是
硅、锗晶体中的杂质能级
01 替位式杂质和间隙式杂质
2.1.1替位式杂质和间隙式杂质
位于立方体某顶角的圆球中心与距离此顶角为1/4体对角线长度处的圆球中心间的距离为两球的 半径之和2r。它应等于边长为α的立方体的体对角线长度√3a的1/4,因此,圆球的半径r=√3a/8。 8个圆球的体积除以晶胞的体积为
硅、锗晶体中的杂质能级
02 施主杂质、施主能级
2.1.2施主杂质、施主能级
硅、锗晶体中的杂质能级
03 受主杂质、受主能级
2.1.3受主杂质、受主能级
现在以硅晶体中掺入硼为例说明III族杂质的作用。一个硼原子占据了硅原子的位置。硼原子有3 个价电子,当它和周围的4个硅原子形成共价键时,还缺少一个电子,必须从别处的硅原子中夺 取一个价电子,于是在硅晶体的共价键中产生了一个空穴。而硼原子接受一个电子后,成为带 负电的硼离子也),称为负电中心。带负电的硼离子和带正电的空穴间有静电引力作用,所以 这个空穴受到硼离子的束缚,在硼离子附近运动。
硅、锗晶体中的杂质能级
02 施主杂质、施主能级
2.1.2施主杂质、施主能级
但是,这种束缚作用比共价键的束缚作用弱得多,只要很小的能量就可以使它挣脱束缚,成 为导电电子并在晶格中自由运动,这时磷原子就成为少了一个价电子的磷离子(P+),它是一 个不能移动的正电中心。上述电子脱离杂质原子的束缚成为导电电子的过程称为杂质电离。 使这个多余的价电子挣脱束缚成为导电电子所需要的能量称为杂质的电离能,用△ED表示。 实验测量表明,V族杂质元素在硅、锗中的电离能很小,在硅中为0.04~0.05eV,在锗中约 为0.01eV,比硅、锗的禁带宽度Eg小得多。

半导体物理学——半导体中的杂质和缺陷能级

半导体物理学——半导体中的杂质和缺陷能级

半导体物理学黄整半导体与理想情况的偏离晶格原子是振动的材料含杂质晶格中存在缺陷¾点缺陷(空位、间隙原子)¾线缺陷(位错)¾面缺陷(层错)2极微量的杂质和缺陷就能对半导体材料的物理性质和化极微量的杂质和缺陷,就能对半导体材料的物理性质和化学性质产生决定性的影响,同时也严重影响半导体器件的质量。

¾1个B原子/ 105个Si原子→室温下电导率提高1000倍一般的硅平面器件要求2¾般的硅平面器件要求Si单晶的位错密度低于1000/cm 半导体与理想情况偏离的原因理论分析认为理论分析认为:杂质和缺陷的存在使周期性排列原子所产生的周期性势场受到破坏受到破坏。

在禁带中引入了能级,允许电子在禁带中存在,从而使半3导体的性质发生改变。

(b )晶胞中所有Si 原子占据晶胞体积的百分比)1133)r a a =×=解:(a (2484(b )33833rππ×==34%16a间隙式杂质、替位式杂质间隙式杂质替位式杂质杂质原子位于晶格原子间的间隙位置,杂质原子位于晶格原子间的间隙位置称为间隙式杂质。

¾间隙式杂质原子一般比较小,如Si、Ge、GaAs材料中的离子锂(0.68Å)。

杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处,称为替位式杂质。

¾替位式杂质原子的大小和价电子壳层结构要求与被取代的晶格原子相近。

如Ⅲ、Ⅴ要求与被取代的晶格原子相近如ⅢⅤ族元素在Si、Ge晶体中都为替位式杂质。

5间隙式杂质替位式杂质单位体积中的杂质原子数称为杂质浓度6半导体的掺杂施主:向半导体中提供导电的电子,并成为带正电离子的杂质原子称为施主。

如Si中的P和AsE AsDE ΔDE C杂质能级施主杂质电离能VE 施主能级7N 型半导体受主:能够向半导体提供导电的空穴,并成为带负电离子的杂质原子称为受主。

如Si中的BCE BE 受主杂质电离能VE AAE ΔP 型半导体受主能级8Ⅲ、Ⅴ族杂质在Si 、Ge 晶体中分别为受主和施主杂质,它们在禁带中引入了能级;受主能级比价带顶高ΔE ,施主能级;受能级价带顶高A 施能级比导带底低ΔE D ,均为浅能级,这两种杂质称为浅能级杂质硼铝碳硅氮磷种杂质称为浅能级杂质。

半导体物理:第二章 半导体中杂质和缺陷能级

半导体物理:第二章 半导体中杂质和缺陷能级

2.1 硅、锗晶体中的杂质能级
2.1.3 受主杂质 受主能级
受主杂质
硼原子电离生成空穴
空穴
2.1 硅、锗晶体中的杂质能级
2.1.3受主杂质、受主能级
空穴束缚在Ⅲ族原子附近,但这种束缚很弱 很小的能量就可使空穴摆脱束缚,成为在晶格中自由运动的
导电空穴,而Ⅲ族原子形成一个不能移动的负电中心。 硅、锗中的Ⅲ族杂质,能够接受电子而在价带中产生空穴,
第二章半导体中的杂质和缺陷能级
2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的杂质能级 2.3 缺陷和位错的能级
2.1 硅、锗晶体中的杂质能级
2.1.1 替位式杂质 间隙式杂质
杂质原子进入半导体硅后,只可能以两种方式存 在。一种方式是杂质原子位于晶格原子间的间隙 位置,常称为间隙式杂质;另一种方式是杂质原 子取代晶格原子而位于晶格格点处,常称为替位 式杂质。
m0mn*, mp*; 0 r0
施主杂质的电离能:ED
mn*q 4
8
r2
2 0
h
2
mn* m0
E0
2 r
13.6 mn*
m0
2 r
Si: mn* 0.26m0 r 12 ED 0.025eV
Ge: mn* 0.12m0 r 16 ED 0.0064eV
受主杂质的电离能
E A
mP* q 4
EC EA3 EA2 Ei EA1 ED EV
金在锗中的能级
0.04 0.20
0.15 0.04
2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的杂质能级
1、Ⅱ族元素为受主杂质 铍、镁、锌、镉取代Ⅲ族原子而处
于晶格格点上,引入浅受主能级
GaAs、GaP晶体中受主杂质的电离能

2016 固体与半导体物理 第二章晶格振动

2016 固体与半导体物理 第二章晶格振动

<q≤

a
max

max
(2)色散关系的对称性
( q ) ( q)
(3)长波极限
A:色散关系
sin
q 0,布区中心
qa qa 2 2

m a q
- /a
O
/a
q

<
B:相速度
2 v p a m q 2 q
c a 弹性模量
, 入射光
, 出射光
q,q 声子
产生 吸收
q q
(2)测定格波的色散关系 (q) (3)解释晶格比热、热膨胀等问题。
有非零解,系数行列式为零
m 2 2 2 cos(qa)
2
2 cos(qa) 0 2 M 2
(M m) M 2 m2 2Mm cos(2qa) Mm
(M m) M 2 m2 2Mm cos(2qa) Mm (1)长波极限
四. 三维晶格振动的格波数
三维 N个原胞 每个原胞有n个原子 每个原子的自由度为3
共有Nn个原子
晶体内原子的总自由度数为3Nn
(1)波矢数(q的取值数)=原胞数N (2)格波支数=原胞内原子的自由度数3n 声学支数=原子自由度数 (3)总格波数=晶体内原子的总自由度数3Nn 3Nn个格波(振动模式)是独立的也是分立的
2 2
简谐近似
恢复力:
U U F ( 2 ) a r
2
力常数
第n个原子受到n-1个原子和n+1个原子的作用力分别为
Fn 1 ( xn xn 1 ) Fn 1 ( xn xn 1 )

半导体物理第二章半导体中杂质和缺陷能级

半导体物理第二章半导体中杂质和缺陷能级

0 0r
m0 me*
a*
h 2 r 0 e2me*
0.53
m0 me*
r
(A)
~25A
硅-硅间距~5.4A
杂质的补偿作用 (A)ND>NA时: n型半导体
因 EA 在 ED 之下 ,
施填E主D充上与E的A受上束主的缚先空电相位子互,首“先即抵
消”,
剩余的束缚电子再电
EA
离到导带上。
有效的施主浓度 ND*=ND-NA
105硅原子中掺1个硼原子,则比单纯硅晶的电导率增加了103倍
本章目的:介绍杂质和缺陷的基本概念
杂质
与组成晶体材料的元素不同的其他 化学元素
❖ 形成原因
▪ 原材料纯度不够 ▪ 制作过程中有玷污 ▪ 人为的掺入
金刚石结构中,密堆积时,原子占晶格体积比? 8个原子,r=?
占体积比?
~34%
分类(1):按杂质原子在晶格中所处位置分
ED=Ec-E库伦 (在禁带中) ED<<Eg
分立的能级 因为杂质含量低,不能共有化运动
中性态
未电离杂质中电子脱离原 子束缚而成为导电电子的过程
T≠0 K (热激发)
杂质电离能
杂质电离时所需要的最少能量 ΔED=Ec-ED,一般来说ΔED <<Eg
❖ 施主杂质和受主杂质为半导体材料提供载流子
▪ 施主杂质为导带提供电子 (掺施主杂质的半导体为n型半导体) ▪ 受主杂质为价带提供空穴 (掺受主杂质的半导体为p型半导体)
n型半导体:电子的数目远大于空穴的数目(或者说以电子导电为主)
p型半导体:空穴的数目远大于电子的数目(或者说以空穴导电为主)
本征半导体:没有掺杂的半导体

半导体物理课件:第二章 半导体中杂质和缺陷能级

半导体物理课件:第二章  半导体中杂质和缺陷能级

2020/9/30
33
2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级
掺Si的GaAs一般表现为n型。这
是 因 为 掺 入 的 Si 大 部 分 占 据 Ga
2020105族杂质在硅锗中电离时能够施放电子而产生导电电子并形成正电中心称它们为施主杂质或n型杂质上述电子脱离杂质原子的束缚成为导电电子的过程称为杂质电离使个多余的价电子挣脱束缚成为导电电子所需要的能量称为杂质电离能施主杂质电离后成为不可移动的带正电的施主离子同时向导带提供电子使半导体成为电子导电的n型半导体
2020/9/30
20
2.1 硅、锗晶体中的杂质能级
5. 杂质的补偿作用
▪ 如果在半导体中既掺入施主杂质,又掺入受主杂 质,施主杂质和受主杂质具有相互抵消的作用, 称为杂质的补偿作用。
▪ 从价键角度理解:
施主周围有多余的价电子,受主周围缺少价电子, 施主多余的价电子正好填充受主周围的空缺,使 价键饱和,这个时候系统的能量降低,处于稳定 状态。
2020/9/30
18
2.1 硅、锗晶体中的杂质能级
▪ 类氢模型
En
m0q4
8 02 h2 n2
E0 E1 E 13.6eV
m0 mn* r
ED
mn* m0
E0
r2
EA
m*p m0
E0
r2
mn*电导有效质量
1 mn*

1 3
[
1 ml
2 mt
]
m
*电导有效质量
p
1 mp*

1 3
[
1 m pl
2 ]
m ph
可得同一个数量级 ED 0.025eV(Si)
ED 0.0064eV(Ge)

第二章 半导体中的杂志和缺陷

第二章   半导体中的杂志和缺陷

硅、锗在T=0K 时的Eg为1.170eV和0.7437eV
How to calculate it?
浅施主杂质电离能的计算(类氢原子模型)
( 1) : 氢 原 子 中 的 电 子 的 运 动 轨 道 半 径为: 2
εrεoh 2 rH = n 2 moπ q
+
n=1 为基态电 子的运动轨迹
Si 中受正电中心 P 束缚的电子的运动轨道半 径,考虑正负电荷处在介电常数不同的介质 中以及晶格周期性势场的影响
本征半导体(intrinsic)能带:
Eg
没有 能级
实际半导体(extrinsic):
1、晶体中晶格位置的原子在平衡位置振动
点缺陷 空位 位错 层错
缺陷的出现:
线缺陷 面缺陷
2、和晶体基质原子不同的杂质原子的存在
无意掺杂 源材料和工艺 有目的控制 材料性质
杂质的出现:
有意掺杂
杂质和缺陷对能带结构的影响: 在半导体的禁带中引入杂质或缺陷能级 影响半导体的电、光性质。
4.杂质的补偿作用
半导体中同时存在施主和受主杂质,施主和 受主之间有互相抵消的作用
(1)ND>NA
Ec ED 电离施主 电离受主
Ev
n=ND-NA
此时半导体为n型半导体
(2) ND<NA
Ec 电离施主 电离受主 EA Ev ED
p=NA- ND 此时半导体为p型半导体
(3) ND≈NA 杂质的高度补偿
对上述氢原子模型修正
修正
(ε r )Si ε o h 2 r = n * 2 me π q
2
(ε r ) Si = 12
m e = 0.4 m o
*
电子基态的运动半径为:

半导体物理2013(第二章)剖析

半导体物理2013(第二章)剖析

§2.1.2 施主杂质 施主能级
施主杂质 V族元素在硅、锗中电离时能够释放电子而产 生导电电子并形成正电中心,称此类杂质为 施主杂质或n型杂质。
小概念:施主电离 束缚态和电离态 施主电离能 施主能级 n型半导体
§2.1.2 施主杂质 施主能级
以硅中掺磷P为例: 磷原子占据硅原子的位置。磷 其中四个价电子与周围的四个硅 原于形成共价键,还剩余一个多 余的价电子,束缚在正电中心P +的周围。价电子只要很少能量 就可挣脱束缚,成为导电电子在 晶格中自由运动这时磷原子就成 为少了一个价电子的磷离子P+, 它是一个不能移动的正电中心。
§2.2.1 点缺陷
点缺陷对半导体性质的影响: 1)缺陷处晶格畸变,周期性势场被破坏,致使
在禁带中产生能级。 2)点缺陷对材料的导电类型起一定的作用 3)热缺陷能级大多为深能级,在半导体中起复
合中心作用,使非平衡载流子浓度和寿命降低。 4)空位缺陷有利于杂质扩散 5)对载流子有散射作用,使载流子迁移率和寿
实际材料中 1、总是有杂质、缺陷,使周期场破坏,在杂
质或缺陷周围引起局部性的量子态——对应 的能级常常处在禁带中,对半导体的性质起 着决定性的影响。 2、杂质电离提供载流子。
晶体中杂质来源 由于纯度有限,半导体原材料所含有的杂质 半导体单晶制备和器件制作过程中的污染 为改变半导体的性质,在器件制作过程中有目
§2.1.7 化合物半导体中的杂质能级
Ⅵ族杂质:与Ⅴ族晶格原子的价电子数相近, 在Ⅲ-Ⅴ族化合物中取代Ⅴ族晶格原子,与周 围晶格原子形成共价键后多余一个价电子,易 失去这个价电子成为施主杂质,一般引入浅施 主能级,如GaAs中的S、Se。可作为n型掺杂 剂。
Ⅳ族杂质:既可以取代Ⅲ族晶格原子起施主作 用,又可以取代Ⅴ族晶格原子起受主作用,从 而在Ⅲ-Ⅴ族化合物中引入双重能级——双性 行为。

半导体物理(朱俊)第二章 半导体中的杂质和能级缺陷

半导体物理(朱俊)第二章  半导体中的杂质和能级缺陷
对应金在锗中的四个能级,一个施主,三个受主能级
例2:Au(Ⅰ族)在Si中
EC EA ED EV
两个深杂质 能级,真正 对少子寿命 起控制作用 的是最靠近 禁带中部的 受主能级 0.54eV。
其它两个可能的受主能级目前还没有测量到。
6.Si、Ge 元素半导体中的缺陷
(空位、自间隙原子)
(1)空位 (1) 空位
●受主杂质- Ⅱ族元素
Ⅱ族元素(Zn、Be、Mg、Cd、Hg) 在GaAs中通常都取代Ⅲ族元素Ga原子 的晶格位置,由于Ⅱ族原子比Ⅲ族原子 少一个价电子,因此Ⅱ族元素杂质在 GaAs中通常起受主作用,均为 浅受主 。
常用掺Zn或Cd以获得Ⅲ-Ⅴ族化合物p型半导体
● 两性杂质- Ⅳ族元素
Ⅳ 族 元 素 杂 质 ( Si、Ge、Sn、Pb) 在 GaAs中的作用比较复杂,可以取代Ⅲ族的 Ga,也可以取代Ⅴ族的As,甚至可以同时 取代两者,因此Ⅳ族杂质不仅可以起施主作 用和受主作用,还可以起中性杂质作用。 例如,在掺Si浓度小于1×1018cm-3时,Si全 部取代Ga位而起施主作用,这时掺Si浓度和 电子浓度一致;而在掺Si浓度大于1018cm-3 时,部分Si原子开始取代As 位,出现补偿 作用,使电子浓度逐渐偏低。
硅、锗在T=0K 时的Eg为1.170eV和0.7437eV
浅施主杂质电离能的计算(类氢原子模型):
(1):氢原子中的电子的运动轨道半 径为: 2
εrεo h 2 rH = n 2 moπ q
+
n=1 为基态电子的运动轨迹
Si 中受正电中心 P 束缚的电子的运动轨道半 径,考虑正负电荷处在介电常数不同的介质 中以及晶格周期性势场的影响:
原因:杂质原子的电子壳层结构、杂质原子的大 小以及杂质在半导体晶格中的位置等原因,而导 致杂质的多能级结构。

固体电子学 第二章 晶格振动和晶体的缺陷

固体电子学 第二章 晶格振动和晶体的缺陷

力学量连续取值
(n=0,1,2…..)
即能量只能取一些分立值。
对于一维简单格子的情况,只考虑最近邻粒子间的相互作用, 则晶体的势能为:
动能为:
U
2
(n 1 -n)2
n
T 1
2
n
mn2
势能函数包含有依赖于两原子坐标的交叉项,在处理多自由度的 振动问题时,往往引入新的坐标---正则坐标:
它与原坐标的关系:
A
1
2
m
2 A
相邻两种不同原子的振幅都有相同的正号或负 号,即对于声学波,相邻原子都是沿着一个方向振 动的。
当 q 0时 , A 0, 则 ( B / A ) 1。 于是原子的位移变成
x2n x2n1
对长声学波,原胞内不同原子以相同的振幅和位 相作整体运动,其振动概况如图所示。
的一维复式格子,如图所示。
设相邻两个不 同原子构成一个 分子,分子内两
AB
b
a
原子平衡位置的间距为b,恢复力常数为β1 ;两分 子间两原子对应的恢复力常数为β2 。质量为 m 的 原子位于...2n-1,2n+1,2n+3...各点,质量为 M 的原子位于...2n-2,2n,2n+1...各点。
若只考虑相邻原子的相互作用,则第 2n+1 个原
* 相隔一个晶格常数a 的同种原子,位相差为qn。
把上式代入动力学方程,整理后得
1 2 M 2
A
1
e iqa
2
B0
1 2e iqa A 1 2 m 2 0
若A、B 有非零解,则其系数行列式必零,即
1 2 M 2 1 2eiqa
由此可以解得
a
1

晶格振动对晶体的热导率的晶格缺陷效应

晶格振动对晶体的热导率的晶格缺陷效应

晶格振动对晶体的热导率的晶格缺陷效应晶体的热导率是指物质在温度梯度下传导热量的能力。

晶格振动是晶体热传导的主要机制之一,而晶格缺陷则会对晶体的热导率产生影响。

本文将探讨晶格振动对晶体热导率的晶格缺陷效应。

1. 晶格振动与热导率晶体的热导率主要受到晶格振动的影响。

晶格振动是指晶体中原子或离子在其平衡位置附近发生的振动运动,其振动形式可以是平动、转动或者伸缩振动。

晶格振动的频率和振幅决定了晶体的热导率大小。

2. 晶格缺陷的种类与效应晶格缺陷是指晶体中存在的原子、离子或分子位置的非理想性。

晶格缺陷可以分为点缺陷、线缺陷和面缺陷。

点缺陷包括空位、间隙原子和杂质原子,线缺陷包括晶体中的位错,面缺陷包括晶界和孪晶。

晶格缺陷对晶体热导率的影响主要有两个方面。

一方面,晶格缺陷能够散射晶格振动的能量,增加热阻。

另一方面,晶格缺陷会改变晶格振动的传播方式,从而影响能量的传递效率。

3. 点缺陷对热导率的影响点缺陷是晶体中最简单的缺陷形式,对热导率的影响较为复杂。

在点缺陷中,空位和间隙原子可以降低热导率,因为它们能够散射晶格振动。

而杂质原子的影响则取决于杂质的种类和浓度。

有些杂质原子能够散射晶格振动,因此降低热导率;而有些杂质原子可能增加了晶格的复杂度,从而增加了热导率。

4. 线缺陷对热导率的影响线缺陷包括晶体中的位错,其对热导率的影响也比较复杂。

位错可以作为散射中心,降低热导率。

另一方面,位错也会影响晶格振动的传播路径,从而影响能量的传递效率。

5. 面缺陷对热导率的影响面缺陷包括晶界和孪晶。

晶界是晶体中两个不同晶格的交界处,而孪晶则是晶体中两个具有不同取向但具有相同晶格结构的区域。

晶界和孪晶都会影响晶格振动的传播方式,从而对热导率产生影响。

6. 控制晶格缺陷的方法控制晶格缺陷是提高晶体热导率的重要途径之一。

通过控制晶体生长条件,可以减小晶格缺陷的生成。

此外,通过控制杂质原子的浓度和分布,也可以改变晶体中的晶格缺陷情况。

2012半导体物理第二章-1

2012半导体物理第二章-1

(2-1)
2 2 电离能E0=E 无穷-E 1=(m0 q 4 )/( 8ε0 h )
=13. 6eV
此数值显然太大,半导体中应考虑 相对介电常数εr . 杂质应处于介电常数为 ε=ε0 εr 介质 中 , 负电荷所受吸引力衰减 为原来1/εr . 束缚能量为原来的 1/
2 r
电子在周期势场中运动,应用有效质量代替

mE m
* p 0 2 0r
(2-3)
锗、硅的相对介电常数ε r 分别为16,12。 锗Δ Ε D =0.05mn*/m0 硅Δ ED =0.1mn* /m0 而mn*/m0 ,mn* /m0 小于1.硅锗中杂质电离能 肯定小于0.1eV和0.05eV. 受主杂质讨论相同.显而易件是浅能级杂质.
离化态时
受主杂质向价带提供空穴而成为负电中心
施主杂质向导带提供电子而成为正电中心
浅能级杂质 硅、锗中的Ⅲ 、V族杂质的电离能都很小,所以受 主能级很接近于价带顶,施主能级很接近于导带底。
这些杂质能级称为浅能级,产生浅能级的杂质称为 浅能级杂质。
室温下,晶格原子热振动的能量会传递给电子, 可使硅、锗中的Ⅲ、Ⅴ族杂质几乎全部离化.
这个多余的价电子挣脱束缚成为导电电子所 需要的能量称为杂质电离能,用Δ ED示。
V族杂质元素在硅、锗中的电离能很小,在硅中约 为0.04-0.05eV,在锗中约为0.01eV,比硅、锗的禁带宽 度Eg小得多,如表2-1所示:
V族杂质在硅、锗中电离时,能够施放电子而 产生导电电子形成正电中心,称它们为施主杂质或 n型杂质。
纯净半导体中掺入受主杂质后,受主杂质电离,使 价带中的导电空穴增多,增强了半导体的导电能力,把主 要依靠空穴导电的半导体称为空穴型或p型半导体。
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第二章 晶格振动和晶格缺陷在上一章中,我们把组成晶体的原子或离子看成是固定不动的,都处在其平衡位置上。

实际晶体中的原子却是不停地在其平衡位置附近做热振动的,并且随着温度的升高,振动会不断加剧。

这种热振动也称晶格振动,它会破坏晶格的周期性,在晶格中造成缺陷,从而对半导体的性质产生重要影响。

实际三维晶体中原子的振动现象很复杂,在这里我们只分析一维晶体(单原子和双原子链)的振动,然后将所得到的规律和结论推广到三维晶体中。

§2-1 一维均匀线的振动为研究一维原子链的振动,首先复习一下一维均匀线中弹性波(纵波)的传播现象。

设均匀线的质量密度为ρ,弹性模量为K ,又设线上每一点只能沿线本身的方向(纵向)运动,如图2-1所示。

若在线元x ∆上施加一作用力,它将引起x 点的纵向位移u (x )。

此时在x处的相对伸长(即形变)为xux e ∂∂=)(,在x x ∆+处的形变则为x xux e x x e ∆∂∂+=∆+22)()(。

根据胡克定律(Hooke's law ),此时在线元x ∆上的作用力为[]x xuK x e x x e K F x ∆∂∂=-∆+=∆22)()( (2-1)此作用力还可表示为线元质量x ∆ρ乘上加速度22tu∂∂,即22tux F x∂∂∆=∆ρ (2-2)从而有 22tu ∂∂=22222x u x u K ∂∂=∂∂υρ (2-3)式中,ρυK=是弹性波的传播速度(声波速度),与振动频率无关。

(2-3)式称线性振动方程,其解为具有如下形式的简谐波[])(ex p ),(t qx i A t x u ω-= (2-4)式中,A 为振幅,πνω2=为角频率,ν为振动频率,λπ2=q 为波矢(波数λ1π2⨯)。

由于波速λνυ=,从而有q υλπυπνω===/22 (2-5) 即ω与波矢q 成正比。

q 的绝对值可取∞→0,因而振动频率也可取∞→0,且与q 是一一对应的。

(2-5)式也称波的色散关系。

***胡克定律:是力学基本定律之一,适用于一切固体材料的弹性形变。

它指出:在弹性限度内,物体的形变与引起形变的外力成正比。

这个定律是英国科学家胡克提出的,所以叫做胡克定律。

(罗伯特·胡克,英国科学家,又译罗伯特·虎克(Robert Hooke ,1635年7月18日-1703年3月3日),英国博物学家,发明家。

1635年7月18日生于英国怀特岛的弗雷斯沃特村,1703年3月3日卒于伦敦。

在物理学研究方面,他提出了描述材料弹性的基本定律-胡克定律,在机械制造方面,他设计制造了真空泵,显微镜和望远镜,并将自己用显微镜观察所得写成《显微术》一书,细胞一词即由他命名。

在新技术发明方面,他发明的很多设备至今仍然在使用。

除去科学技术,胡克还在城市设计和建筑方面有着重要的贡献。

但由于与牛顿的争论导致他去世后少为人知。

胡克也因其兴趣广泛,贡献重要而被某些科学史家称为“伦敦的莱奥纳多(达芬奇)”)§2-2 一维单原子链的振动晶体由周期性排列的原子构成。

由于晶体微观结构的这种不连续性,使得晶体中原子的振动具有与连续媒质弹性振动不同的特点。

由于原子之间的相互作用,在晶体中每个原子的振动并不是彼此孤立的,而是一个原子的振动要依次传递给其他原子。

晶体中的原子振动,总体而言,也是以波的形式在晶体中传播的。

这种晶体中的原子振动波称格波。

下面分析由质量为m 、间距为a (晶格常数)的同种原子构成的一维单原子链的晶格振动。

如图2-2所示,假设第n 个原子的位移为u n 。

如果这个原子偏离平衡位置不远,则其受到的相互作用力可认为是准弹性的,并与原子间距的变化成比例。

因此,在忽略包括次近邻以外原子的作用后,n 原子所受到的作用力F n 为n-1和n+1两个最近邻原子的作用力之和,即)2()()(1111n n n n n n n n u u u u u u u F -+=---=-+-+βββ (2-6)式中,β称准弹性力常数且a K /=β,即a K β=,K 为弹性模量。

于是,第n 个原子的运动方程可写为=22dtu d m n)2(11n n n u u u -+-+β (2-7)该方程的解为简谐波[])(ex p t qna i A u n ω-= (2-8) 将(2-8)代入(2-7)得)2(2-+=--iqa iqa e e m βω=[]2sin 4)cos 1(22qaqa ββ-=-- 从而有 2sin 422qam βω= (2-9) 于是得 2sin 2sin )(22/1qaqa m m ωβω== (2-10)式中,2/1)/(2m m βω=为最大振动角频率。

(2-10)式即为一维单原子链的色散关系,也称频谱分布。

从而一维单原子链中准弹性波的传播速度为λπβπλπωλνλυa m sin )/(22/1=== (2-11) 与波长有关。

一维单原子链的格波(简谐波)具有以下性质:1.所有原子都以相同的角频率ω和振幅A 作简谐振动;2.各原子之间有一均匀变化的位相差。

位相差的大小由原子之间的距离a 和波长q πλ2=决定。

近邻原子间的位相差为a a q λπ2=; 3.如果两个波矢'q q 和之间存在以下关系l aq q π2'+= (l 为任意整数) (2-12) 则相应于这两个波矢的格波所引起的原子振动是相同的。

**因为,对于'q 格波,原子振动为[][]t)-ex p )2ex p()(ex p 2(ex p 'ωπωωπqna A nl i t qna i A t na l a q i A u n ()=-=⎥⎦⎤⎢⎣⎡-+= =u n (2-13)与波矢为q 的格波所引起的原子的振动相同。

因此,当q 在2π/a 的范围内变化时,能够给出所有的独立格波。

为了明确起见,通常限制 aq a ππ<≤-(2-14)波矢q 的这一变化范围,称为第一布里渊区。

格波之所以具有上述性质,是因为晶体中的原子不是连续分布,而是周期排列的。

由于q 在aaππ和-之间取值,故当aq π=max 时,相应的格波波长最小,为a q 22maxmin ==πλ。

这个结果的物理意义λ=6a(q=2π/6a)λ=6a/7(q=7*2π/6a)λ=2a(q=π/a)是很清楚的。

因为在晶格中不可能存在半波长比晶格常数a小的格波。

图2-3中,画出了)6(62aaq==λπ和)2(aaq==λπ的两个格波。

而)7/6(62*7aaq==λπ的简谐波与aq62π=的格波相差aπ2,但半波长小于a,故不属于格波。

图2-3 一维单原子链中不同波长的格波§2-3 一维双原子链的振动如图2-4所示,假设在质量为m1和m2的两种原子组成的晶格常数为a的一维晶体中,分别用序列号'n和"n标志第n个原胞中的m1和m2原子,用'nu和"nu表示'n和"n原子的位移,并认为相邻原子之间的准弹性力常数β相等,则可仿照一维单原子链情况,写出以下两种原子的运动方程'"1"2'212(nnnn uuudtudm-+=-β))2("''12"22nnnn uuudtudm-+=+β(2-15)上述方程的解为[])(ex p1'tqnaiAunω-=[])(ex p 2"t qna i A u nω-= 3,2,1,0±±±=n (2-16) 将(2-16)代入(2-15)得0)1()2(2121=+---A e A m iqa βωβ0)2()1(2221=--+A m A e iqa ωββ (2-17) 这是一个二元线性齐次联立方程组。

若要A 1和A 2不同时为零,则其系数行列式必等于零。

即)2()1()1()2(2221ωβββωβm e e m iqa iqa -++--=0 (2-18) 利用qa e e iqa iqa cos 2=+-和2sin 2cos 12qaqa =-,可得 02sin 422212221214=++-qam m m m m m βωβω (2-19)从而有⎥⎦⎤⎢⎣⎡-+=2sin 112222021qa r ωω⎥⎦⎤⎢⎣⎡--=2sin 112222022qa r ωω (2-20) 式中,212122m m m m +=βω,221212)(4m m m m r +=。

由(2-20)可知,每个q 对应两个ω(负ω无意义)。

因此,在原胞中有两个原子的一维晶体中有两支振动波(格波),其中频率较高者与晶体的光学性质有关,通常称光学波。

而频率较低者则与宏观弹性波(声波)有密切关系,通常称声学波。

图2-5给出了一维双原子链振动频率与波矢之间的色散关系。

下面讨论两种极端情况,即对波长最长和最短的格波进行讨论。

1)对q=0和q=π/a 有01)0(ωω= , 201112)(r a -+=ωπω0)0(2=ω , 202112)(r a --=ωπω (2-21)从而有 )0()()()0(22101ωπωπωωω〉〉〉=aa =0 (2-22)2)对无限长波长声学波,0)0(2=ω,从而由(2-16)和(2-17)式有121"'==A Au u nn (2-23)即此时两个原子的位移相同。

这意味着无限长声学波中,两个原子的振动是同步的,并在任何时刻它们偏离平衡位置的方向相同,与弹性波类似,故称其为声学波。

3)对无限长波长光学波,最大频率01)0(ωω=。

根据(2-16)和(2-17)式有: 1221"'m mA A u u n n -== (2-24)因此,在无限长光学波中,同一原胞中的两个原子反向位移,位相相反,质量中心不动,即0"2'1=+n nu m u m 。

如果原胞由两个符号不同的离子组成,它们的反位相振动将导致原胞电偶极矩的变化,从而引起红外光的吸收和发射,故称其为光学波。

4)对较长波长格波,即q 较小时,有22sin qaqa ≈,从而(2-20)式中的根号项可展成级数,结果对光学波有:)321(22201q a r -≈ωω (2-25) 当0→q 时,光学波的相速度∞→=qf 1ωυ,而群速度0162201→-==q a r dq d g ωωυ. 而对声学波则有:q q m m araq υβωω=+=≈)(2412102 (2-26) 式中,a K /2=β。

上式表明,对于长声学波,振动频率正比于声速ρβυKm m a=+=)(221且相速度与群速度均等于声速,即:υυυ==g f 。

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