2章离子源

为了克服上述缺点，把PF装置产生的放射性核束注入 到储存环中去，进行进一步加工或者加以冷却，以改 善束流品质(即束流发射度和能量分辨)，或者进一步加 速或减速以满足物理实验的要求。在线同位素分离法 应用几十MeV到1GeV能量的强流(几百µA～mA)的轻 粒子束打厚靶，通过各种核反应产生放射性核素。为 了使奇异核素能迅速地从靶中扩散出来并从表面解吸， 靶必须运行在非常高的温度下(1300℃－2000℃)，为 避免靶材料在这样高的温度下气化和升华，要求它必 须是具备低蒸汽压的耐高温材料。一般来说，奇异核 素产生的几率为10-3量级。从厚靶中扩散出来的奇异核 素是中性原子，必须首先将它们在离子源中离化为离 子才能对之分析加速以供物理实验用。离子源必须有 较高的电离效率；低的发射度；离子源必须能在高温 下运行。适宜于在线同位素分离器的离子源有表面电 离源， ECR源和气体放电型离子源等
2，电子回旋共振离子源（ECR）
基于磁场中电子回旋共振，微波加热电离的磁约束等离子体离子源。 ECR条件为BC＝0.0357f (T/GHz)，式中f为微波频率，BC为磁场强度。 它可分为产生高电荷态离子的ECR离子源（f>2.45 GHZ）和产生强 流单电荷离子的微波离子源（f≤2.45GHz）。两者磁场结构也不同。前者 按最小磁场原理，由轴向磁镜场叠加径向多极场而成，使放电室中央的 磁场强度最小，室壁附近最强，其间存在一个闭合的ECR等磁场面。最 高场强越高越有利于高电荷态离子的产生，因此有的采用超导磁场结构。 微波离子源是简单的螺旋管磁镜场。当磁场强度略高于共振值，结 合高气压条件（>1Pa）实现不完全共振加热，可以更有效吸收微波能量， 从而达到1013／cm3的电子密度，引出很强离子流。这时微波窗的位置和 结构是影响离子源性能和寿命的关健问题。
4，双等离子体离子源 duoplasmatron ion sour来自百度文库e
• 带有两级放电（等离子体）的电子碰撞型强流气体离子源。在 阴 极 、 中 间 电 极 之 间 较 高 气 压 （ ~3×10 － 2 Torr ） 较 低 电 压 （~10V）条件下，维持气体放电产生低密度阴极等离子体。 • 它通过中间电极孔道的几何箍缩和磁场箍缩，进入二级放电， 在中间电极和阳极之间较低气压（~2×10 －3 Torr）较高电压 （ ~80V ） 和 强 磁 场 （ <0.1T ） 条 件 下 形 成 高 密 度 等 离 子 体 （~1014／cm3）。然后在加速电场作用下从阳极孔直接引出离 子束；或者从阳极一膨胀杯引出。后者有助于束流形成和传输。 最大正离子流强达100mA。 • 利用偏轴引出技术，从双等离子体源可引出负离子束。该源优 点是结构紧凑通用性好，束流强而品质好；缺点是灯丝寿命常 受限制。
7，溅射离子源 sputtering ion source
利用阴极溅射现象产生固体离子的离子源。它 是产生负重离子的主要离子源，可分为离子束溅 射负离子源和等离子体溅射负离子源两种结构。 米德尔顿（Middleton）等发展的通用型负离子源 是前者的典型。它由钽丝组成的圆柱形表面电离 器产生5－10 KeV, 5-15 mA 的Cs+ 束轰击溅射靶， 同时有足量铯原子喷射靶的表面，降低其功函数。 这样可得到数百微安的各种重负离子，如Pt-, Cu-, Au-, Si-, C- 等达到150－300µA。
10，放射性核束离子源
Radioactive Nuclear Beam Ion Source
产生放射性核束的设备。一般采取两种不同的方法，即弹核 碎裂法(PF法)和在线同位素法(ISOL法)。利用中能或高能 重离子束(50MeV/u～1GeV/u)打薄的核靶，炮弹核发生碎 裂，产生所需要的放射性核，并以与炮弹核相近的速度向 前方飞出。利用分离和输运系统，经过收集分离和纯化并 形成束流。由于一般中、高能重离子束流较弱(1011 ～ 1012 粒子/秒)只能用薄靶，而且弹核碎裂的开放反应道很 多，产生指定放射性核的截面小，固放射性核束流强度低， 目前一般在108 粒子/秒以下。而且，PF法的放射性束流 纯度低，束流品质差，束流能量固定，其每个核子能量与 初级重离子束能量相近，很难用于低能核物理研究。
• 冷阴极材料以Ti钛、Ta钽为 好。 • 热阴极有：热灯丝、间接加 热块状阴极(Ta 、W)及等离 子 体 自 热 阴 极 （ Ta 、 LaB6 等）。 • 热阴工作允许低孤压大弧流， 有利于产生高电荷态离子。 • 冷阴极的典型离子流为 ≤5mA • 热阴极PIG源的典型离子流 为≤100mA， • 最高电荷态分别为xe13+氙和 Xe16 ＋ 。利用溅射电极容易 获得高电荷态金属离子 • PIG源多才多艺，广泛用于 各类重离子加速器和离子束 设备。它的主要缺点是束流 品质欠佳和高功率下寿命短。
又 名 PIG 离 子 源 ， 因 与 F.M.Penning发明和Philips 公司制造电离规Ionization Gauge相关的首字母缩写 词PIG而得名。 它的基本组成是处在 轴向磁场中的一个管形空 心阳极及一对阴极。两阴 极同轴放置在阳极两端， 其中一个为主要电子源称 为阴极，另一个与它构成 轴向静电电子阱称为反阴 极。
第二章，离子源 ion source
1，引言
使中性原子、分子或原子团簇电离，并从中引出离子束的 装置。它是各种类型的离子加速器、质谱仪、电磁同位 素分离器、离子注入机、离子束刻蚀装置、离子束薄膜 沉积装置、离子束分析装置、离子推进器以及受控热核 聚变装置的中性束注入器等设备的不可缺少的部件，且 对整体结构与性能起着决定性作用. 所有离子源都包含 • 1. 放电室、 • 2. 放电物质与功率的导入元件、 • 3. 维持放电稳定和离子寿命的约束电场或磁场结构， • 4. 离子引出 • 5。 抽气系统 等五大部分。
6，高频离子源 RF ion source
• 利用低压气体中高频放电现象的等离子体离子源。它的基本结 构包含放电管（石英或派勒克司玻璃管）、高频功率耦合回路、 进气管和离子引出系统。许多源都有10-3－10-2 T的磁场（纵 向场、横向场或多极会切场）以提高等离子体密度并改善其分 布。源的典型工作参数为气压10-3－10-2 Torr 高频振荡器频率 1－100 MHz、功率几百瓦。RF离子源按高频功率耦合方式分 为电容耦合型和电感耦合型。后者居多，一般将RF线圈放在 放在电管外面，近来也采用天线结构装入放电室内。RF离子 源最大优点是结构简单、无灯丝，因而寿命长和等离子体中杂 质元素少。它适用包括氧的所有气体，在加速器和半导体工业 中广泛应用。它利用栅网引出结构可制成大面积（如φ10cm） 大束流（如300mA）适用于离子推进器和中性束注入器。此 外 ， 已 经 发 展 新 型 RF 会 切 场 离 子 源 ， 可 引 出 H- 离 子 束 （~40mA）和金属Cu+离子。
9，电子枪 electron gun
• 产生电子并从中引出电子束的器件或装置。它是阴极射线管、电 视机显像管、电子显微镜、电子束加工装置和电子加速器等装置 不可缺少的部件。它在真空条件下工作。根据不同用途，要求提 供电子束达到的参数包括能量、功率、流强、束斑尺寸和密度分 布等差别很大，已有众多类型电子枪。它们一般由阴极、聚束极 和阳极构成。阴极产生电子又称电子源，分为热发射、场致发射、 等离子体阴极等各种类型。电子在阳极与阴极间高电场作用下加 速达到所需能量并通过阳极孔引出，聚束极用以控制电子束流密 度和流强。此外，光阴极和微波阴极是为电子直线加速器研究的 新一代电子枪。
按照产生离子的不同方法（电子碰撞电离、热表面 电离、粒子束表面轰击电离、场致发射电离等）， 各种应用所需离子束的基本特征（种类：质子 （氘）、重离子、团簇离子、极化离子、放射性离子； 电荷态：正、负离子，高电荷态离子；束流参数：能 量、流强、发射度、能散度、束径等） 离子源结构中主要元件的特征（阴极：冷阴极、热 阴极、空心阴极、等离子体阴极等；约束场：永磁体、 超导磁场、磁镜场、会切场、均匀磁场、静电阱等； 放电功率源：射频、微波、电子束等；引出结构：轴 向或侧向、膨胀杯、多孔、多电极等）， 已经研制、生产出很多类型的离子源，形成不同系列和 名称。
基于静电约束，用 高密度载能电子束产 生高电荷态离子的装 置。它由电子枪产生 一束细长的具有确定 能量的高密度强流电 子束，被一强的螺旋 管磁场聚焦，沿束形 成负空间电荷静电离 子阱，以捕获正离子 并使离子逐级电离， 直至达到受电子能量 限制的最高电荷态， 然后改变轴上电位分 布而引出离子。
EBIS装置由超高真空室、电子枪、漂浮管、 电子收集器、离子引出器、聚焦磁场以及工作气体或 外注入低电荷态离子源等组成。它的电离特性主要由 电子的能量、流强密度和束的长度决定。EBIS的电 子束长度约1m，当它短到1cm左右则称谓EBIT （Electron Bean Ion Trap，电子束离子阱）。后者已 有引出U92＋的记录！不同装置的 电子束能量范围为2~200keV 聚焦束流密度为 102－103A/cm2， 磁场强度为1－5T。 按其磁场结构可分为 “低温EBIS”和“室温EBIS”， 前者采用超导螺旋管， 后者则为普通磁体。
标准型离子源结构示意图
微波窗不 真空密封， 经济安全 线圈地电位，位置可调，可 优化场形 三电极 引出系 统，简 单
不同材料内 衬，增加质 子比
真空隔离 高压，方 便调整。
离子源实验台架
微波系统及标准型离子源
励磁线圈
紧凑型离子源与各种形式放电室
3，电子束离子源 electron beam ion source（EBIS）
注明结构名称12345
说明溅射离子源工作过程
AMS用什么离子源
5，潘宁离子源 penning ion source
• 阴极发射的电子受磁场 约束并在静电阱中振荡， 发生碰撞电离形成高密 度等离子体。
• 它可以从阳极侧边开孔或反阴极中心开孔 在吸极电场作用下引出离子，分别称为径 向或轴向引出离子源。阴极引出离子密度 高，阳极引出高电荷态离子比例高。 • 按阴极结构可分为冷阴极和热阴极PIG源。 前者结构简单，但是弧压高（>1KV）影响 寿命，需冷却阴极或限制平均弧功率。
试题
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 按照加速电场和粒子轨道的形态，加速器可以分为 那四大类? 为什么把1 GeV作为中能与高能之分界? 加速器家族的发展分为哪三个根系? 加速器家族的发展分为哪三个根系? Cockcroft & Walton ; Van de Graff; Lawrence; Kerst;Kapchinskii各发明了什么加速器? PET是什么意思,主要应用什么放射性核,什么加速器 生产? Blagg peak是什么意思? 加速器对燃煤烟气的辐照处理的脱硫脱硝的过程,要 求加速器的种类和指标.
8，表面电离离子源 surface ionization ion source
• 利用表面电离现象，从高温金属表面蒸发、电离所吸收的原子 或分子使其成为离子的装置。它分为产生正离子和负离子两种 离子源。 • 正离子离子源适合电离具有低电离电位（≤5eV）的元素，如 一些碱金属、碱土金属和稀士金属元素；同时高温电离器需要 采用具有高功函数的材料，如钨、铼、铱或沸石（zeolite）。 • 负离子离子源适合电离具有高电子亲和势 (≥1.8eV) 的元素， 如卤素元素；高温电离器材料则要求其功函数低，如钨表面涂 一层单原子铯，铂表面涂碳或LaB6。 • 表面电离离子源的优点是引出离子的发射面稳定和元素选择性 好，且适合通常比较困难处理的碱金属和卤素元素。其缺点是 适用离子种类有限和热耗散太大。