晶体二极管的等效电阻

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交流电阻:rD=26mV/ IQ (mA)
uD
uD 注意:交流电阻rD与其静态工作点Q有关。
说明:二极管正偏时, rD很小(几至几十欧姆) 二极管反偏时,rD很大(几十千至几兆欧姆)。
41/65 结论: PN结具有单向导电性
硅: UD≈0.7 V 锗: UD≈0.3 V
问题解答:电阻R的作用是 限制回路电流,避免二极 管电流过大而烧毁。
RD

UQ IQ
40/65 2.交流电阻rD的计算方法
ui
RL
ED
D
定义:rD

duD diD
I IQ

ΔuD ΔiD
iD IQ
iD ISeuD UT
gD

diD duD
I IQ
IQ UT
iD
Q
iD
rD

1 gD

duD duD
I IQ
UT IQ
室温(T=300K)下,UT=26mV。
IQ
uD
D
UQ uD 硅管UQ≥0.7V, 锗管UQ≥0.3V。
38/65
直流电阻的求解方法:借助于静态工作点Q(IQ,UQ)来求。
方法一:解析法
列写二极管电流方程和电路方程:
iD IS (euD UT 1) uD ED -iD RL
解方程组,得到二极管静态工作电 流IQ和电压UQ,二极管直流电阻为
晶体二极管的等效电阻
37/65
2.2.3 二极管的等效电阻
非线性电阻 用直流电阻 (也称静态电阻)和交流电阻 (又称动态电阻或微变电阻)来描述二极 管的电阻特性。
1.直流(静态)电阻RD的计算方法
定义
二极管两端的直流电压与电流之比 RD

UQ IQ
iD iD IS (euD UT 1) iD
工程分析方法:
回路方程:ID

EБайду номын сангаас
UD R
制作单位:北京交通大学电子信息工程学院 《模拟电子技术》课程组
RD

UQ IQ
iD
RL
uD D
ED
39/65 方法二:图解法
直流负载线与伏安 特性曲线的交点
由电路可列出方程:
iD

ED uD RL
在二极管特性曲线上绘 制直流负载线,其中两 个坐标点:
iD
RL
ED/RL iD uD D
ED
IQ
Q
uD
UQ ED
uD=0 iD=ED/RL
iD=0 uD=ED
由静态工作点Q点得IQ和UQ,从而求出直流电阻
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