模拟电子技术基础课件(第五版)

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电子技术基础(模拟部分)第五版

电子技术基础(模拟部分)第五版

2V2 sin td (t)
IL= VL /RL ≈ 0.45 V2 / RL
7
二极管上的平均电流及承受的最高反向电压:
vD
Ta
D
iL vD
v1
v2
RL vL
0
2
t
b
VDRM
二极管上的平均电流: ID = IL 承受的最高反向电压: VDRM= 2V2
8
*二、全波整流电路
Ta
D1
+ – + –
I2 =1.5 IL =1.5×200=300 mA 这样就对电源变压器的绕制提出了依据。
43
10.2 串联式稳压电路
引起输出电压变化的原因是负载电流的变化和输入电压的变化
稳压电路的作用:
交流 整流
脉动
滤波 有波纹的 稳压 直流
电压
直流电压
直流电压
电压
44
稳压电源类型:
常用稳压电路 (小功率设备)
对谐波分量: f 越高,XL 越大,电压大部分降在XL上。 因此,在输出端得到比较平滑的直流电压。
当忽略电感线圈的直流电阻时,输出平均电压 约为: VL=0.9V2
34
特点:
VL
(1)电感滤波电路的外特性是很平坦 0.9V2
的,UL随IL增大而略有下降的原因是 输出电流增大时,整流电路的内阻和 电感的整流电阻压降也略有增加的缘 故。
S定义:整流输出电压的基波峰值VL1M与VL平均值之比。 S越小越好。
用傅里叶级数对全波整流的输出 vo 展开:
vL =
2V2
2
4
3
cos 2t
4
15
cos 4t
4
35

模电第五版完整课件

模电第五版完整课件
8
Байду номын сангаас
法拉第1791年9月22日生在一个手工工人家庭,21岁时 当上了戴维的助手。法拉第所研究的课题广泛多样,按编 年顺序排列,有如下各方面:铁合金研究(1818-1824); 氯和碳的化合物(1820);电磁转动(1821);气体液化 (1823,1845);光学玻璃(1825-1831);苯的发明 (1825);电磁感应现象(1831);不同来源的电的同一 性(1832);电化学分解(1832年起);静电学,电介质 (1835年起);气体放电(1835年);光、电和磁(1845 年起);抗磁性(1845年起);“射线振动思想”(1846 年起);重力和电(1849年起);时间和磁性(1857年起) 1821年他研究了奥斯特发现的电流的磁作用,作出了一 项重大发现:磁作用的方向是与产生磁作用的电流的方向 垂直的。法拉第还制成了一种电动机,证明了导线在恒定 磁场内的转动。 法拉第坚信,电与磁的关系必须被推广,如果电流能 产生磁场,磁场也一定能产生电流。法拉第为此冥思苦想 了十年。他做了许多次实验结果都失败了。直到1831年年 底,他才取得了巨大的突破,他发明最原始的发电机。奠
CTGU
Fundamental of Electronic Technology
1
CTGU
Fundamental of Electronic Technology
2
1.1 课程慨述 1.2 电子学发展史 1.3 信号的传输与电子系统 1.4 放大电路的基本知识
1.5 学习方法与要求
3
1.1 课程慨述
电子学是一项迷人 的领域,发展速度日 新月异,未来的机遇 一如既往,建议投身 其中,从头做起。
13
电子技术是十九世纪末、二十世纪初开始发展 起来的新兴技术,二十世纪发展最迅速,应用最广 泛,成为近代科学技术发展的一个重要标志。电子 计算机发展经历的四个阶段恰好能够充分说明电子 技术发展的四个阶段的特性 第一代(1946~1957年)是电子计算机,它的基本电 子元件是电子管,运算速度为每秒几千次~几万次 第二代(1958~1970年)是晶体管计算机。 第三代(1963~1970年)是集成电路计算机。开始采 用性能更好的半导体存储器,运算速度提高到每秒 几十万次基本运算。 第四代(1971年~日前)是大规模集成电路计算机。 运算速度可达每秒几百万次,甚至上亿次基本运算。

模拟电子技术第五版课件

模拟电子技术第五版课件

其最小值也只能为0,即IC的最大电流为:
I VCC UCE S 12V 6mA
CM
R
2k
c
此时,Q(120uA,6mA,0V),PPT学由 习交流于 IBICM 所以BJT工作在饱和区。
19
2.3 放大电路的交流通路
2.3.1 画交流通路的原则
画出下图的交流通路
• 直流电源:内阻为零,相 当于短路
当 iC 0 时,uCEVCC
当 uCE0 时,iC VRCcC
T
图 2.2.1 基本共射放大电路
PPT学习交流
26
输出回路 输出特性
iC 0,uCE VCC
uCE
0,iC
VCC RC
直流负载线
Q
PPT学习交流
由静态工作点 Q 确 定 的 ICQ 、 UCEQ 为静态值。
27
【例】图示单管共射放大电路及特性曲线中,已知
PPT学习交流
18
例题
放大电路如图所示。已知BJT
的 ß=80, Rb=300k, Rc=2k, VCC= +12V,(求1):放大电路的Q点。此时BJT
工作在哪个区域?
(2)当Rb=100k时,放大电路的Q点。此 时BJT工作在哪个区域?(忽略BJT的饱
和压降)
解:(1)
共射极放大电路
IBQ VCC R UBE3 120V 0 4ku 0AICIB8 04u 0A 3.2mA b
PPT学习交流
14
常见的共射放大电路
1.直接耦合共射放大电路 静Q点的计算
Rb2 Rb1
T
V U U
I CC
BEQ
BEQ
BQ
R
R

《模拟电子技术基础》(第五版)华成英 1-半导体基础知识.ppt

《模拟电子技术基础》(第五版)华成英 1-半导体基础知识.ppt
动,有利于漂移运动,形成漂 移电流。由于电流很小,故可 近似认为其截止。
华成英
四、PN 结的电容效应
1. 势垒电容
PN结外加电压变化时,空间电荷区的宽度将发 生变化,有电荷的积累和释放的过程,与电容的充放 电相同,其等效电容称为势垒电容Cb。
2. 扩散电容
PN结外加的正向电压变化时,在扩散路程中载 流子的浓度及其梯度均有变化,也有电荷的积累和释 放的过程,其等效电容称为扩散电容Cd。
对于小功率晶体管,UCE大于1V的一条输入特性曲 线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。
华成英
2. 输出特性
iC f (uCE ) IB
对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。
饱和区
iC
放大区
为什么uCE较小时iC随uCE变 化很大?为什么进入放大状态
曲线几乎是横轴的平行线?
iB
iC iB
最大集电 极电流
c-e间击穿电压
最大集电极耗散功 率,PCM=iCuCE
安全工作区
华成英
讨论一
2.7
PCM iCuCE
uCE=1V时的iC就是ICM
iC iB
U CE
U(BR)CEO
由图示特性求出PCM、ICM、U (BR)CEO 、β。
华成英
讨论二:利用Multisim测试晶体管的输出特性
华成英
二、杂质半导体
1. N型半导体
5
多数载流子
空穴比未加杂质时的数目 多了?少了?为什么?
杂质半导体主要靠多数载 流子导电。掺入杂质越多,多 子浓度越高,导电性越强,实 现导电性可控。
磷(P)
华成英
2. P型半导体
3
硼(B)

电子技术基础_第五版(模拟部分)第一章

电子技术基础_第五版(模拟部分)第一章
不同,产生的失真。
32
1.5 放大电路的主要性能指标
5. 非线性失真
由元器件非线性特性引 起的失真。
非线性失真系数:

Vo2k
k2 100%
Vo1
VO1是输出电压信号基波分量的有
效值,Vok是高次谐波分量的有效值,k
为正整数。
end
33
Avo ——负载开路时的电压增益
Ro ——从负载端看进去的放大
电路的输出电阻
戴维宁等效
Ri ——输入电阻
20
1.4 放大电路模型
由输出回路得 则电压增益为
vo

AVOvi
RL Ro RL
AV

vo vi

Avo
RL Ro RL
由此可见 RL
Av 即负载的大小会影响增益的大小
要想减小负载的影响,则希望…? (考虑改变放大电路的参数)
– 基本电路:单管(三种接法)、差分、互补输出级
– 基本方法:等效电路法、图解法
• 反馈
– 概念:反馈、正反馈与负反馈、直流反馈与交流反馈、电压反馈与
电流反馈、串联反馈与并联反馈
– 判断方法
– 深度负反馈放大倍数的估算方法
– 交流负反馈对放大电路性能的影响及引入反馈的方法
– 负反馈放大电路的稳定性及消除振荡的方法
–实验方法
• 常用电子仪器的使用方法 • 电子电路的测试方法 • 故障的判断与排除方法 • EDA软件的应用方法
–上好理论-EDA-实践三个台阶
5
课程在本科生素质教育中的作用
一个电路从信号输入、中间的处理到最后的
• 由于电子技术基础输出课,程各的级基之础间的性增和益广分泛配性、参,数使设之置在、逻

模拟电子技术基础(第五版)新-ppt课件

模拟电子技术基础(第五版)新-ppt课件
19
3.2.1 载流子的漂移与扩散
漂移运动: 在电场作用引起的载流子的运动称为漂移运动。
扩散运动: 由载流子浓度差引起的载流子的运动称为扩散
运动。
20
3.2.2 PN结的形成
因浓度差 多子扩散 形成空间电荷区
促使少子漂移 阻止多子扩散
扩散到对方的载流子在P区和N区的交界处附近被相互中 和掉,使P区一侧因失去空穴而留下不能移动的负离子, N区一侧因失去电子而留下不能移动的正离子。这样在 两种半导体交界处逐渐形成由正、负离子组成的空间电 荷区(耗尽层) 。由于P区一侧带负电, N区一侧带正电, 所以出现了方向由N区指向P区的内电场
束缚电子同时受两个原子的约束,如果没有足 够的能量,不易脱离轨道。
因此,在绝对温度T=0K (-273 oC) 时,由于 共价键中的电子被束缚着,本征半导体中没有自由电子, 不导电。只有在激发下,本征半导体才能导电。
7
3、电子与空穴
当导体处于热
力学温度0oK时,
导体中没有自由电
子。当温度升高或
受到光的照射时,
向电流突然快速增加, 此现象称为PN结的反向 击穿。
它的耗散功率时, PN结将发生热 击穿。这时PN结的电流和温度之 间出现恶性循环,最终将导致PN 结烧毁。
热击穿——不可逆
雪崩击穿 齐纳击穿
电击穿——可逆
31
3.2.5 PN结的电容效应
(1) 扩散电容CD
是由多数载流子在扩散过程中积累而引起的。
(2) PN结加反向电压时
外加的反向电压方向 与PN结内电场方向相同, 加强了内电场。内电场对 多子扩散运动的阻碍增强, 扩散电流大大减小。此时 PN结区的少子在内电场的 作用下形成的漂移电流大 于扩散电流,可忽略扩散 电流, PN结呈现高阻性。

模拟电子技术基础(第五版)

模拟电子技术基础(第五版)
输入输出回路没有公共端
实用文档
1.5 放大电路的主要性能指标
1.用文档
1.5 放大电路的主要性能指标
2. 输出电阻
vt
R o
vs 0,RL
it
注意:输入、输出电阻为交流电阻
实用文档
1.5 放大电路的主要性能指标
3. 增益
反映放大电路在输入信号控制下,将供电电源能量转
实用文档
模拟集成电路的特点:
•电阻值不能很大,精度较差,阻值一般在几十欧至几 十千欧。需要大电阻时,通常用恒流源替代; • 电容利用PN结结电容,一般不超过几十pF。需要大 电容时,通常在集成电路外部连接。不能制电感,级 与级之间用直接耦合; • 二极管用三极管的发射结代。比如由NPN型三极管 短路其中一个PN结构成。
由元器件非线性特性引 起的失真。
非线性失真系数:
Vo2k
k2 100%
Vo1
Vo1 是 输 出 电 压 信 号 基 波 分 量 的有效值,Vok是高次谐波分量的有 效值,k为正整数。
实用文档
end
2.1 集成电路运算放大器 2.2 理想运算放大器 2.3 基本线性运放电路 2.4 同相输入和反相输入放大电
1.4 放大电路模型
2. 放大电路模型
A. 电压放大模型
A vo ——负载开路时的
电压增益
R i ——输入电阻
R o ——输出电阻
由输出回路得
vo
Avovi
RL Ro RL
则电压增益为
Av
vo vi
Avo
RL Ro RL
由此可见 RL
Av 即负载的大小会影响增益的大小
要想减小负载的影响,则希望…? (考虑改变放大电路的参数)

模拟电子技术基础课件(第五版)

模拟电子技术基础课件(第五版)

幅度谱
相位谱
1.2 信号的频谱
C. 非周期信号
傅里叶变换:
周期信号 非周期信号
离散频率函数 连续频率函数
非周期信号包含了所有可能的频
率成分(0 ≤ )
通过快速傅里叶变换(FFT) 可迅速求出非周期信号的频谱函 数。
气温波形 气温波形的频谱函数(示意图)
1.3 模拟信号和数字信号
模拟信号:在时间和幅值上都是连续的信号。 数字信号:在时间和幅值上都是离散的信号。
四种增益
Av

vo vi
Ai

io ii
Ar

vo ii
其中 Av、Ai 常用分贝(dB)表示。
电压2 增 l0gA 益 v (dB)
电 流增 2l0gA 益 i (dB )
Ag

io vi
功率 1l增 0 g A P 益 (dB)
1.5 放大电路的主要性能指标
4. 频率响应
A.频率响应及带宽
模拟集成电路的特点:
•电阻值不能很大,精度较差,阻值一般在几十欧至几 十千欧。需要大电阻时,通常用恒流源替代;
• 电容利用PN结结电容,一般不超过几十pF。需要大 电容时,通常在集成电路外部连接。不能制电感,级 与级之间用直接耦合;
• 二极管用三极管的发射结代。比如由NPN型三极管 短路其中一个PN结构成。
理想运放工作在线性区的几个重要法则:
(1) V+ = V– 虚短
∵集成运放工作在线性区时有:
例2.2.1 电路如图2.1.3所示,运放的开环电压增益 Avo=2×105,输入电阻ri=0.6MΩ,电源电压V+=+12V,V-=12V。 (1)试求当vo=±Vom=±12V时输入电压的最小幅值vP-vN=? 输入电流ii=? (2)画出传输特性曲线vo=f(vP-vN)。说明运放的两个区域。

模拟电子技术基础(第五版)新 康华光 课件(1)

模拟电子技术基础(第五版)新 康华光 课件(1)

2. 抑制零点漂移原理 温度变化和电源电压波
动,都将使集电极电流产
生变化。且变化趋势是相 同的, 其效果相当于在两个输 入端加入了共模信号。
2. 抑制零点漂移原理
这一过程类似于分压式射极 偏置电路的温度稳定过程。所
以,即使电路处于单端输出方
式时,仍有较强的抑制零漂能 力。
iC1
iC1 iE1 温度 iC2 iE2
接入负载时
β (R c //R L) A v d = 2 r be
3. 主要指标计算
(1)差模情况
<C> 单端输入
r r o e
6.1 模拟集成电路中的直流偏置技术 6.2 差分式放大电路 6.3 差分式放大电路的传输特性 6.4 集成电路运算放大器 6.5 实际集成运算放大器的主要参数和对应 用电路的影响
6.1 模拟集成电路中 的直流偏置技术
6.1.1 BJT电流源电路
1. 镜像电流源 3. 高输出阻抗电流源
2. 微电流源
4. 组合电流源
6.1.2 FET电流源
1. MOSFET镜像电流源
2. MOSFET多路电流源
3. JFET电流源
6.1.1 BJT电流源电路
1. 镜像电流源
T1、T2的参数全同 即β1=β2,ICEO1=ICEO2
IE2 = IE1 V =V BE2 BE1
IC2 = IC1
当BJT的β较大时,基极电流IB可以忽略
V V ( V ) V V CC BE E E CC E E Io=IC2≈IREF= R R
代表符号
6.1.1 BJT电流源电路
1. 镜像电流源 动态电阻
iC 1 2 r ( ) o IB2 v CE 2

电子技术基础模拟部分(第五版)康华光总复习课件

电子技术基础模拟部分(第五版)康华光总复习课件

vi 2
5 4
vi1
2vi 2
18
二、习题
习题2.4.6 加减运算电路如图所示,求输出电压:vo的表达式。
令 vi1= vi2 = vi4 =0,
R1 40kΩ
R6
vi1
vi2 vi3
R2 25kΩ R3 10kΩ

vn
+
vp
vi4
R4 20kΩ
vo''
(1
R6 ) R1 // R2
R4 // R5 R3 R4 // R5
(2)同相输入加法运算电路
RP R11 // R12 // R RN R1 // Rf
uo
(1
Rf R1
)( RP R11
ui1
RP R12
ui2 )
当 RP = RN时,
uo
Rf R1
ui1
Rf R2
ui2
3、减法运算电路
RP R2 // R3 RN R1 // Rf
uo
(1
Rf R1
二、习题
习题2.4.6 加减运算电路如图所示,求输出电压vo的表达式。
解: 利用“虚短”、“虚断” 和叠加
R1 40kΩ
R6
vi1
原理 令 vi3= vi4 =0, 可看作是求和电路
vi2 vi3
R2 25kΩ R3 10kΩ

vn
+
vp
R4 20kΩ
vi4
R5
30kΩ
vo
vo'
R6 R1
vi1
R6 R2
iE

静态分析: 直流通路
IBQ
VCC Rb
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模拟集成电路的特点:
•电阻值不能很大,精度较差,阻值一般在几十欧至几 十千欧。需要大电阻时,通常用恒流源替代;
• 电容利用PN结结电容,一般不超过几十pF。需要大 电容时,通常在集成电路外部连接。不能制电感,级 与级之间用直接耦合; • 二极管用三极管的发射结代。比如由NPN型三极管 短路其中一个PN结构成。
集成运放的工作区域
uO
线性区域:
输出电压与其两个输入端的电压 之间存在线性放大关系,即
+UOM
uP-uN
-UOM
u Aod (uP uN )
O
Aod为差模开环放大倍数
非线性区域:
输出电压只有两种可能的情况: +UOM或-UOM
UOM为输出电压的饱和电压。
例2.2.1 电路如图2.1.3所示,运放的开环电压增益 Avo=2×105,输入电阻ri=0.6MΩ,电源电压V+=+12V,V-=12V。 (1)试求当vo=±Vom=±12V时输入电压的最小幅值vP-vN=? 输入电流ii=? (2)画出传输特性曲线vo=f(vP-vN)。说明运放的两个区域。
图2.1.2 运算放大器的代表符号 (a)国家标准规定的符号 (b)国内外常用符号
▷表示信号从左(输入端)向右(输出端)传输的方向。
2. 运算放大器的电路模型
通常: 开环电压增益 Avo的105 (很高)
输入电阻
ri 106Ω (很大)
输出电阻
ro 100Ω (很小)
图2.1.3 运算放大器的电路模型
P N O vo
当vo=±Vom=±12V时
vP vN
12V /(2 105 ) 60 A
ii (vP vN ) / ri
图2.1.3 运算放大器的电路模型
60 A /(0.6 106 )
100 pA
例2.2.1 电路如图2.1.3所示,运放的开环电压增益Avo=2×105,输入 电阻ri=0.6MΩ,电源电压V+=+12V,V-=-12V。 (2)画出传输特性曲线vo=f(vP-vN)。说明运放的两个区域。
图2.2.1 运放的简化电路模型
理想:ri≈∞ ro≈0 Avo→∞ vo=Avo(vp-vn)
三、理想运放的非线性工作区
uO +UOM
理想特性
O
u+u
UOM
图 7.1.3 集成运放的电压传输特性
工程上理想运放的参数
1.差模电压放大倍数Avd=,实际上Avd≥80dB即可。
2.差模输入电阻Rid=,实际上Rid比输入端外电路的 电阻大2~3个量级即可。 3.输出电阻Ro= 0,实际上Ro比输入端外电路的电阻 小1~2个量级即可。
理想运算放大器的特性
(1)虚短(vp≈vn,或vid=vp-vn≈0)
由于运放的电压放大倍数很大,一般都在80 dB以 上。而运放的输出电压是有限的,一般在10 V~14 V。 因此运放的差模输入电压不足1 mV,两输入端近似等 电位,相当于 “短路”。开环电压放大倍数越大,两 输入端的电位越接近相等。
2. 中间级:多采用有源负载的共射极放大电路,有源 负载及复合管可提高电压增益。 3. 输出级:互补对称功放。
4. 偏置电路:用以供给各级直流偏置电流,由各种电 流源电路组成。
集成运算放大器的符号
vN或v–:反相输入端,信号从此端输入(vP=0),输出信 号和输入信号反相。
vP或v+:同相输入端,信号从此端输入(vN=0) ,输出信 号和输入信号同相。 vO:输出端。 vN vN vO vO vP vP
1.4 放大电路模型
A. 电压放大模型
另一方面,考虑到 输入回路对信号源的 衰减 有 vi
Ri vs Rs Ri
要想减小衰减,则希望…?
Ri Rs
理想情况
Ri
1.4 放大电路模型
B. 电流放大模型
Ais ——负载短路时的
电流增益 由输出回路得
Ro io Ais ii Ro RL
图2.1.3 运算放大器的电路模型
例2.2.1 电路如图2.1.3所示,运放的开环电压增益Avo=2×105,输入 电阻ri=0.6MΩ,电源电压V+=+12V,V-=-12V。 (1)试求当vo=±Vom=±12V时输入电压的最小幅值vP-vN=? 输入电流ii=? 解:由 v v v / A
时域
A. 正弦信号
v( t ) Vm sin(ω0 t θ )
T 2π
0
0 2πf 0
1.2 信号的频谱
1. 电信号的时域与频域表示
B. 方波信号
满足狄利克雷条件,展开成 傅里叶级数
方波的时域表示
v( t )
VS 2VS 1 1 (sin ω0 t sin3ω0 t sin5ω0 t ) 2 π 3 5 VS 其中 0 2 π ——直流分量 T 2
运算放大器外形图
2.1 集成电路运算放大器
1. 集成电路运算放大器的内部组成单元
集成运算放大器是一种高电压增益,高输入电阻和 低输出电阻的多级直接耦合放大电路。
图2.1.1 集成运算放大器的内部结构框图
V ,V , vP , vN , vO
运算放大器方框图 1. 输入级:均采用差动放大电路组成,可减小温度漂 移的影响,提高整个电路共模抑制比。
2.2 理想运算放大器
1. vo的饱和极限值等于运放 的电源电压V+和V-
2. 运放的开环电压增益很高 若(vP-vN)>0 则 vO= +Vom=V+ 若(vP-vN)<0 则 vO= –Vom=V-
3. 若V-< vO <V+ 则 (vP-vN)0 4. 输入电阻ri的阻值很高 使 iP≈ 0、iN≈ 0 5. 输出电阻很小, ro ≈ 0
3. 增益
反映放大电路在输入信号控制下,将供电电源能量 转换为输出信号能量的能力。
四种增益
vo Av vi
io Ai ii
vo Ar ii
io Ag vi
其中 Av、Ai 常用分贝(dB)表示。
电压增益 20 lg Av 电流增益 20 lg Ai
(dB) (dB)
功率增益 10 lg AP
幅度谱
相位谱
1.2 信号的频谱
C. 非周期信号
傅里叶变换: 周期信号 非周期信号 离散频率函数 连续频率函数
气温波形
非周期信号包含了所有可能的频 率成分(0 ≤ ) 通过快速傅里叶变换(FFT) 可迅速求出非周期信号的频谱函 数。
气温波形的频谱函数(示意图)
1.3 模拟信号和数字信号
模拟信号:在时间和幅值上都是连续的信号。 数字信号:在时间和幅值上都是离散的信号。 处理模拟信号的电子电路称为模拟电路。
2VS ——基波分量 π 2VS 1 ——三次谐波分量 π 3
1.2 信号的频谱
2. 信号的频谱
频谱:将一个信号分解为正弦信号的集合,得到其正弦信号幅值和相位 随角频率变化的分布,称为该信号的频谱。
B. 方波信号
VS 2VS 1 1 v( t ) (sin ω0 t sin3ω0 t sin5ω0 t ) 2 π 3 5
则电流增益为
io Ro Ai Ais ii Ro RL Rs i i is Rs Ri
由此可见
RL
Ai
要想减小负载的影响,则希望…? 由输入回路得
Ro RL
理想情况 Ro
要想减小对信号源的衰减,则希望…? Ri Rs 理想情况 Ri 0
1.4 放大电路模型
Ri ——输入电阻
Ro ——输出电阻
RL 由输出回路得 vo Avovi Ro RL vo RL 则电压增益为 Av Avo vi Ro RL
由此可见
RL
Av
即负载的大小会影响增益的大小
要想减小负载的影响,则希望…? (考虑改变放大电路的参数)
Ro RL
理想情况 Ro 0
vO=Avo(vP-vN)
( V-< vO <V+ )
注意输入输出的相位关系
2. 运算放大器的电路模型
当Avo(vP-vN) V+ 时 vO= V+ 当Avo(vP-vN) V-时 vO= V-
电压传输特性 vO= f (vP-vN)
线性范围内 vO=Avo(vP-vN) Avo——斜率
电路模型中的输出电压不可能超越正负电源的电压值
“虚短”是指在分析运算放大器处于线性状态时, 可把两输入端视为等电位,这一特性称为虚假短路, 简称虚短。显然不能将两输入端真正短路。
(2)虚断(ip=-in = (vp-vn) / ri ≈0)
由于运放的差模输入电阻很大,一般都在1 M 以上。因此流入运放输入端的电流往往不足1 A, 远小于输入端外电路的电流。故通常可把运放的两 输入端视为开路,且输入电阻越大,两输入端越接 近开路。 “虚断”是指在分析运放处于线性状态时, 可以把两输入端视为等效开路,这一特性称为虚假 开路,简称虚断。显然不能将两输入端真正断路。
(dB)
1.5 放大电路的主要性能指标
4. 频率响应
A.频率响应及带宽
在输入正弦信号情况下,输出随输入信号频率连续变化的稳态 响应,称为放大电路的频率响应。
电压增益可表示为
Vo ( j) Av ( j) Vi ( j) Vo ( j ) [ o ( ) i ( )] ( j ) V
Vo1 是输出电压信号基波分量的 有效值,Vok是高次谐波分量的有效 值,k为正整数。
end
2.1 集成电路运算放大器 2.2 理想运算放大器 2.3 基本线性运放电路 2.4 同相输入和反相输入放大电 路的其他应用
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