用集成电路设计数字模拟电路芯片
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设计目的:
1.掌握CMOS反相器和两级CMOS运算放大器的电路图基本原理。
2.熟练掌握并运用tanner作图软件。
3. 基本能根据仿真图对电路进行基本分析
一.CMOS反相器
1.工作原理
1).基本电路结构
2).开启电压|UTP|=UTN,且小于VDD。当uI= UIL=0V时,VTN截止,VTP导通,
uO = UOH≈VDD当uI =UIH = VDD ,VTN导
通,VTP截止,uO =UOL≈0V
3.)工作特点
VTP和VTN总是一管导通而另一管截止,流过
VTP和VTN的静态电流极小(纳安数量级),因而
CMOS反相器的静态功耗极小。这是CMOS电路最
突出的优点之一。
2.用Tanner仿真
1)cmos反相器电路图
2)反相器
瞬时分析
生成t-spice文件如下:
进行仿真:
仿真状态窗口:
仿真结果报告文件:
3)反
相器
瞬时
分析
在
W-Ed
it中
观看
仿真
结果
4)反相
器直流
分析在
W-Edit
中观看
仿真结
果
3.用Tanner画CMOS反相器版图
二.两级CMOS运算放大器设计
设计原理分析:
单级有源负载差动放大器的增益一般可达几十到几百倍左右。但作为运算放大器,这个增益是不够的,因此还需要多级级联。下面我们来分析两级CMOS运算放大器。
两级CMOS运算放大器的基本电路图如下:
V 9
V 3U r
I D3
I D1
V 1
V 4U i
I D4I D2V 2
V 5
U DD
Ïàλ²¹³¥C c
A
U o
I SS
V 8
V 7
V 6
U SS
图一 电路图
下面我们根据题设指标,tanner 下进行仿真,并进行分析: 已知: K N=μn C ox=25 μA /V2, K P=μpCox=12.5 μA /V2, Cc=5 pF ,功耗Pm ≤10 mW ,U DD=9 V , λN=0.01 V-1,λP=0.015 V-2,U TH=1V 。
要求:Aud>5000,单位增益带宽GB=3MHz ,压摆率SR=2V/us 。 1. 根据总功率Pm=10mW ,Udd=9V ,可求出允许总电流I=Pm/Udd=1100uA
2. 根据压摆率SR=2V/us,算出第一级偏置电流Iss.
SR=Io1(max)/Cc ,Io1=Id4-Id2=Id1-Id2,Id1最大值为Iss,Id2最小值为0,故Io1(max)=Iss 。Iss=SR*Cc=10uA 。 区Iss=100uA,Id1q=Id2=50uA.
£«
£U o
C c
I o1
压摆率计算
3. 根据对单位增益带宽的要求,计算差动放大器MOS 的宽长比。
由图一可知,加了密勒补偿C c 后, 由于密勒等效电容对带宽的影响远大于MOS 管极间电容的影响, 所以, MOS 管极间电容的影响可以忽略不计, 那么该电路的高频小信号等效电路如图2 所示。
g m1U
1
R o1U 1
g m5U
1
C c
R o2U o
图二 高频小信号等效电路
用密勒等效原理作单向化近似如图三所示,其中密勒等效电容C m 为 C m ≈(g m5R o2)C c 显然C m 引入的是整个电路的主极点, 也就决定了整个电路的单位增益带宽。
设C m 引入主极点, 则根据图三, 输出电压U o(j ω)为
Uo(j ω) = —g m5R o2U1(j ω)
g m1R o1
U i
R o1
U 1
g m5U
1
C m R o2~
£«£
£«
£
U o
C c
图三 单向化模型
该式忽略了输出回路时常数的影响
所以
单位增益
代入C m=(g m5R o2)C c 得
式中, g m1为差分对管跨导
题目要求: ωGB=2π·GB=2π×3 MHz 代入上式, 算出V1、 V2的宽长比为
1
11111
)
()(o m i o m R C j j U R g j U ωωω+=1
2
15111)()(o m o o m m i o u R C j R R g g j U j U A ωωω+-==1
)
(12
12121=+=
o m G B o o m m u R C R R g g A ωc
m GB
C g 1
≈ωQ
D N Q D ox n m I L W K I L W C g 11
11
1
122⎪⎭⎫ ⎝⎛=
=
μ
得到两级运算放大器设计图表如下
在Tanner 中的仿真:
首先在S-Edit 中画出电路的仿真图,按照上表中MOS 管的宽长比,电压,功耗,进行设置。
()55.3105025102109)2(102526612
2242
21=⨯⨯⨯⨯⨯⨯⨯⨯==⎪
⎭⎫ ⎝⎛=⎪⎭⎫ ⎝⎛--+-πωDIQ
N GB c I K C L W L
W