电子技术基础l练习习题答案
电子技术基础练习题库及答案
电子技术基础练习题库及答案一、单选题(共70题,每题1分,共70分)1、本征半导体温度升高后,两种载流子浓度仍然相等。
A、✔B、×正确答案:A2、单相半波整流电路,负载电阻RL=750W,变压器次级电压有效值,U2=20V,则输出电压平均值U0为。
A、18VB、20VC、9V正确答案:C3、PN结两端加正向电压时,那么参加导电的是()A、少数载流子。
B、既有多数载流子又有少数载流子。
C、多数载流子。
正确答案:C4、符号IB表示三极管基极电流的()A、直流分量。
B、交流分量。
C、直流分量和交流分量之和。
正确答案:A5、在晶体三极管放大电路中,当输入电流一定时,若静态工作点设置太低,将产生()A、截止失真。
B、放大失真。
C、饱和失真。
正确答案:A6、三端集成稳压器cw7812的输出电压是()A、5VB、9VC、12V正确答案:C7、测得在放大状态的三极管的三个管角电位分别是15.5v,6v,6.7v,则该三极管类型是()A、npn型硅管。
B、npn型锗管C、PnP型锗管正确答案:A8、稳压管的稳压区是指其工作在()的区域。
A、正向导通。
B、反向击穿。
C、反向截止。
正确答案:B9、在由运放组成的电路中运放工作在非线性状态的电路是。
()A、差值放大器。
B、反相放大器。
C、电压比较器。
正确答案:C10、组合逻辑电路的输出与电路的原状态()A、无关B、有关C、不一定正确答案:B11、组合电路的特点是任意时刻的输出与电路的原状态有关。
A、×B、✔正确答案:A12、下列三种电路中,输入电阻最大的电路是()A、共集放大电路。
B、共射放大电路。
C、共基放大电路。
正确答案:A13、最常用的显示器件是()数码显示器。
A、七段B、五段C、九段正确答案:A14、逻辑代数运算于普通代数运算结果()A、相同B、不想同C、有的相同,有的不相同。
正确答案:C15、非门的逻辑功能是()A、有0出0。
全1出1。
B、有1出1。
《电子技术基础》试题及参考答案
《电子技术基础》习题答案一、单选题1抑制零点漂移的最有效的电路是(A )A、差分放大电路B、阻容耦合电路C、直接耦合电路D、功放电路2要增大放大电路的输入电阻时,应引入(C )反馈A、电压反馈B、电流反馈C、串联负反馈D、并联负反馈3构成计数器的基本电路是(D)。
A.或非门B.与非门C.与或非门D.触发器4放大器功率放大倍数为100,问功率增益是多少分贝(B)。
A.10dBB.20dBC.30dBD.40dB5八输入端的编码器按二进制数编码时,输出端的个数是(B)。
A.2个B.3个C.4个D.8个6编码器、译码器为(A)。
A.组合逻辑电路B.时序逻辑电路C.A和B7单相桥式整流滤波电路中,若变压器副绕组电压有效值为10V,而测得输出电压为14.1V,则说明:(B )A、电容开路 B 负载开路 C 电容击穿 D 二极管损坏8要减小放大电路的输入电阻时,应引入(D )反馈。
A、电压反馈B、电流反馈C、串联负反馈D、并联负反馈9理想二极管在单相桥式整流电路(电阻负载)中承受的最大反向电压是(C)。
A.大于B.小于C.等于D.大于,小于210单相半波整流电路输出电压平均值U0= (A )A、0.45U2B、0.9U2C、1.1U2D、1.2U211利用二极管进行偏置的OTL电路是( C)A、甲类功率放大器B、乙类功率放大器C、甲乙类功率放大器12实验中如果测得二极管的正反向电阻都很小,则该二极管( C)A、正常B、内部断路C、已被击穿D、以上都不是13所谓机器码是指(B)。
A.计算机内采用的十六进制码B.符号位数码化了的二进制数码C.带有正负号的二进制数码D.八进制数14集成运放一般分为两个工作区,它们分别是(B)。
A.正反馈与负反馈B.线性与非线性C.虚断和虚短15在反馈放大电路中,若反馈信号与净输入信号作用于同一个节点,且瞬时极性相同,则属于(B )A、负反馈B、正反馈C、无法判断16一共射极放大电路的NPN三极管工作在饱和导通状态,其发射结电压和集电结电压分别为(B)。
电子技术基础习题答案解析
第1章检测题(共100分,120分钟)一、填空题:(每空0.5分,共25分)1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为自由电子,少数载流子为空穴,不能移动的杂质离子带正电。
P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为空穴,少数载流子为自由电子,不能移动的杂质离子带负电。
2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。
三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。
3、PN结正向偏置时,外电场的方向与内电场的方向相反,有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移;PN结反向偏置时,外电场的方向与内电场的方向一致,有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散,这种情况下的电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散,N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。
扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区,其方向由N区指向P区。
空间电荷区的建立,对多数载流子的扩散起削弱作用,对少子的漂移起增强作用,当这两种运动达到动态平衡时,PN结形成。
5、检测二极管极性时,需用万用表欧姆挡的R×1K档位,当检测时表针偏转度较大时,与红表棒相接触的电极是二极管的阴极;与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。
检测二极管好坏时,两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时,说明二极管已经被击穿;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经绝缘老化。
6、单极型晶体管又称为场效应(MOS)管。
其导电沟道分有N沟道和P沟道。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管,正常工作应在特性曲线的反向击穿区。
8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空,务必将各电极短接。
二、判断正误:(每小题1分,共10分)1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。
(错)2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。
电子技术基础习题答案解析
电子技术基础习题答案解析第1章检测题(共100分,120分钟)一、填空题:(每空分,共25分)1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为自由电子,少数载流子为空穴,不能移动的杂质离子带正电。
P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为空穴,少数载流子为自由电子,不能移动的杂质离子带负电。
2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。
三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。
3、PN结正向偏置时,外电场的方向与内电场的方向相反,有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移;PN结反向偏置时,外电场的方向与内电场的方向一致,有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散,这种情况下的电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散,N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。
扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区,其方向由N区指向P区。
空间电荷区的建立,对多数载流子的扩散起削弱作用,对少子的漂移起增强作用,当这两种运动达到动态平衡时,PN结形成。
5、检测二极管极性时,需用万用表欧姆挡的R×1K档位,当检测时表针偏转度较大时,与红表棒相接触的电极是二极管的阴极;与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。
检测二极管好坏时,两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时,说明二极管已经被击穿;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经绝缘老化。
6、单极型晶体管又称为场效应(MOS)管。
其导电沟道分有N 沟道和P沟道。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管,正常工作应在特性曲线的反向击穿区。
8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空,务必将各电极短接。
二、判断正误:(每小题1分,共10分)1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。
电子技术基础l练习习题答案 (1)
第1章检测题(共100分,120分钟)一、填空题:(每空0.5分,共25分)1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为自由电子,少数载流子为空穴,不能移动的杂质离子带正电。
P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为空穴,少数载流子为自由电子,不能移动的杂质离子带负电。
2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。
三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。
3、PN结正向偏置时,外电场的方向与内电场的方向相反,有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移;PN结反向偏置时,外电场的方向与内电场的方向一致,有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散,这种情况下的电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散,N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。
扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区,其方向由N区指向P区。
空间电荷区的建立,对多数载流子的扩散起削弱作用,对少子的漂移起增强作用,当这两种运动达到动态平衡时,PN 结形成。
5、检测二极管极性时,需用万用表欧姆挡的R×1K档位,当检测时表针偏转度较大时,与红表棒相接触的电极是二极管的阴极;与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。
检测二极管好坏时,两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时,说明二极管已经被击穿;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经绝缘老化。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管,正常工作应在特性曲线的反向击穿区。
二、判断正误:(每小题1分,共10分)1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。
(错)2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。
(对)3、用万用表测试晶体管时,选择欧姆档R×10K档位。
电子技术基础习题答案
电子技术基础习题答案前言电子技术是现代社会非常重要的一项技术,也是许多工程领域不可或缺的技能。
学习电子技术需要大量的练习和实践,只有通过练习才能深刻理解和掌握相关知识。
本文将提供一些电子技术基础习题的答案,供学生们参考和练习。
习题答案1. 带有负电荷的粒子在电场中受到力的作用方向是什么?答:带有负电荷的粒子在电场中会受到向电场正方向的力的作用。
2. 系统中两个电差同向的电动势相等,此时电流大小为多少?答:此时电流大小为0。
3. 电压和电势有什么区别?答:电压是两个电势差的表现,电势是场控制下电荷的能力。
4. 等效电路中的等效电阻如何计算?答:等效电路中的等效电阻是指在等效电路中取代多个独立电阻,使其电学性质与原电路相同的电阻。
计算等效电阻需要使用串联和并联公式。
5. 什么是放大器?答:放大器是一种用来放大电信号的电路,它可以增加电信号的电压、电流或功率,起到放大信号的作用。
6. 如何计算电荷的单位?答:电荷的单位是库仑(C),1库仑等于1安的电流在1秒钟内通过一定截面的导体产生的电荷量。
7. 什么是导体?答:导体是指能够传递电流的物质,通常具有低电阻、高导电性、易受到外加电势的作用等特性。
8. 什么是虚地?答:虚地是指在电路中有一个虚拟的电势连接点,通常使用符号GND表示。
在实际电路中,这个电势连接点并不与地之间真正连接,而是作为一个参考点使用,将各个电路元件的电势值与其比较。
9. 如何计算电场强度?答:电场强度是指单位正电荷在电场中所受到的力的大小,计算公式为E=F/q,其中E表示电场强度,F表示电场中受到的力,q表示电荷量。
10. 什么是半导体?答:半导体是一种介于导体和绝缘体之间的物质,具有在一定温度下电导率介于导体和绝缘体之间的特性。
半导体在现代电子技术中有着非常重要的应用价值。
以上是一些电子技术基础习题的答案,希望能帮助学生们加深对相关知识的理解。
电子技术是一个广泛而又有挑战性的学科,在学习过程中需要大量的实际练习和实践。
电子技术基础l练习习题答案 (1)教学文案
第1章检测题(共100分,120分钟)一、填空题:(每空0.5分,共25分)1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为自由电子,少数载流子为空穴,不能移动的杂质离子带正电。
P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为空穴,少数载流子为自由电子,不能移动的杂质离子带负电。
2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。
三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。
3、PN结正向偏置时,外电场的方向与内电场的方向相反,有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移;PN结反向偏置时,外电场的方向与内电场的方向一致,有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散,这种情况下的电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散,N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。
扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区,其方向由N区指向P区。
空间电荷区的建立,对多数载流子的扩散起削弱作用,对少子的漂移起增强作用,当这两种运动达到动态平衡时,PN 结形成。
5、检测二极管极性时,需用万用表欧姆挡的R×1K档位,当检测时表针偏转度较大时,与红表棒相接触的电极是二极管的阴极;与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。
检测二极管好坏时,两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时,说明二极管已经被击穿;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经绝缘老化。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管,正常工作应在特性曲线的反向击穿区。
二、判断正误:(每小题1分,共10分)1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。
(错)2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。
(对)3、用万用表测试晶体管时,选择欧姆档R×10K档位。
《电子技术基础》作业参考答案
《电子技术基础》作业一.电路如图所示:1、请计算该电路的静态工作点Q ;112:b B a b R Q V V R R =⋅+ B BE E e V V I R -= c E I I ≈ c B I I β= c B I I β-= 12////b b be Rin R R γ= o c R R =2、 请画出该电路的微变等效电路图;3、请计算该电路的输入电阻Ri;输出电阻Ro;12////b b be Rin R R γ= o c R R =二.电路如图所示,试判断:1.该电路的反馈类型; 答:该反溃为电压串联页反溃2.该反馈稳定什么输出量,该反馈对输入输出电阻有什么影响。
答:该反溃稳定输出电压,该反溃减少输出电阻,增大输入电阻三.电路如图所示:a) 请画出该电路的差模单边等效电路并计算差模输入电阻Rid ,输出电阻Rod ; 22(//)b be Rid R γ= 2c Rod R =b) 请画出该电路的共模单边等效电路并计算共模输入电阻Ric ,输出电阻Roc ;12(//)ic b be R R γ= 2c Rod R =c) 请计算该电路的差模电压放大倍数Aud , cud beR A βγ=-d) 共模电压放大倍数Auc 。
四.电路如图所示,请分析输入与输出之间的关系。
o12o if V V R R -= 12f o i R V V R =- 1o o V V = 2f o i R V V R =- 五.请分析下列电路,试分析:1.该电路中二极管的作用;该电路中的二极管给12,V V2.计算该电路的最大输出功率。
答:222(182max 8a a a L L LV V V Po R R R ===六.请判断该波形描述何种电路元件。
结型N 沟道场效应管七.请分析下列电路图,试判断:1.该电路的反馈类型;答:A 图为电压串联页反溃 B 图为电流并联页反溃 2.该反馈稳定什么输出量,该反馈对输入输出电阻有什么影响。
电子技术基础试题及答案
电子技术基础试题及答案一、单项选择题(每题2分,共20分)1. 在数字电路中,逻辑“与”门的输出为“1”的条件是:A. 所有输入都为“1”B. 至少有一个输入为“0”C. 至少有一个输入为“1”D. 所有输入都为“0”答案:A2. 下列哪个元件不是半导体器件?A. 二极管B. 三极管C. 电容D. 场效应管答案:C3. 在模拟电路中,放大器的增益通常指的是:A. 输入电压与输出电压之比B. 输入电流与输出电流之比C. 输入功率与输出功率之比D. 输出电压与输入电流之比答案:A4. 以下哪种波形不是周期性波形?A. 正弦波B. 方波C. 锯齿波D. 随机噪声答案:D5. 在数字电路中,逻辑“或”门的输出为“0”的条件是:A. 所有输入都为“1”B. 所有输入都为“0”C. 至少有一个输入为“1”D. 至少有一个输入为“0”答案:B6. 以下哪种材料通常用于制作二极管的PN结?A. 硅B. 铜C. 铁D. 铝答案:A7. 一个理想的运算放大器具有以下哪个特性?A. 有限的输入阻抗B. 有限的输出阻抗C. 无限的输入阻抗D. 无限的输出阻抗答案:C8. 在数字电路中,D触发器的输出状态取决于:A. 当前时钟脉冲B. 上一个时钟脉冲C. 初始状态D. 外部输入答案:B9. 以下哪种波形的频率是固定的?A. 正弦波B. 随机噪声C. 锯齿波D. 方波答案:A10. 在模拟电路中,滤波器的作用是:A. 放大信号B. 抑制噪声C. 产生振荡D. 转换信号答案:B二、多项选择题(每题3分,共15分,每题至少有两个正确选项)1. 下列哪些元件可以用于整流电路?A. 二极管B. 三极管C. 电容D. 电感答案:A D2. 在数字电路中,下列哪些逻辑门可以实现逻辑“与”功能?A. 与门B. 或门C. 非门D. 异或门答案:A3. 以下哪些因素会影响二极管的正向导通电压?A. 材料B. 温度C. 电流D. 反向电压答案:A B C4. 在模拟电路中,以下哪些元件可以用于信号放大?A. 运算放大器B. 电阻C. 电容D. 二极管答案:A D5. 以下哪些波形属于非周期性波形?A. 正弦波B. 方波C. 锯齿波D. 随机噪声答案:D三、填空题(每题2分,共20分)1. 在数字电路中,逻辑“非”门的输出是输入的________。
电路与电子技术基础第1章习题参考答案
《电路与电子技术基础》习题一参考解答
第4页
U3+U9=11(V) 根据后 3 个方程无法求出其余的 3 个电压,并且在后 3 个方程中有两个方程是相同的, 因此只有两个独立方程,用两个方程解出 3 个未知量有无穷解。 1-11 电路如题图 1-3 所示,采用关联得参考方向,且已知下列各支路电流:I1=2A, I4=5A,I7=–5A 以及 I10=–3A。其他各支路电流是否都能确定?试尽可能多地确定各未知 电流。 解:各支路电流采用关联参考方向,因此不在图中标出电流方向。除已知电流之外, 还需求解 6 个未知电流。在图中标出节点 a、b、c、d、e、f。 对 f 节点 –I9–I10–I4=0 代入数据得 I9=-2(A) 对 a 节点 I1+I5+I7=0 代入数据得 I5=3(A) 对其余的 4 个节点列出节点方程,必然有一个方程不独立,即 3 个独立方程要解出 4 个未知量,其有无穷多解。 1-12 220V、40W 的灯泡显然比 2.5V、0.3A 的小电珠亮 的多。求 40W 灯泡额定电流和小电珠的额定功率。我们能不 + 电 能说瓦数大的灯泡,所以它的额定电流也大? 流 0.5Ω 10V 表 答:40W 的灯泡的额定电流为
P 1000 = = 4.55A U 220 1-4 某电流表的量程为 10mA.当某电阻两端的电压为 8V 时,通过的电流为 2mA.如 果给这个电阻两端加上 50V 的电压,能否用这个电流表测量通过这个电阻的电流? 解:根据电阻两端压降和流过电阻中的电流,由欧姆定理可以确定电阻的值为: U 8 R= = = 4 (kΩ) I 2 × 10 −3 如果给电阻上加 50V 的电压,流过电阻的电流为: U 50 I= = = 12.5 (mA) R 4 × 10 3 电流表的量程为 10mA,也就是允许通过的最大电流为 10mA,显然不能使用该电流表 测量通过流过该电阻的电流。 1-5 在电路中已经定义了电流、电压的实际方向,为什么还要引入参考方向?参考方 向与实际方向有何区别和联系? 答:在求解电路参数时,对于稍微复杂的电路,必须列方程求解,列出方程又必须知 道电流、电压的方向,为此,引入电流、电压参考方向,根据参考方向列出电路方程,利用 方程求出电路参数,若结果为负,表明实际的方向与参考方向相反,若结果为正,表明参考 方向就是实际方向。 1-6 如何计算元件的吸收功率?如何从计算结果判断该元件为有源元件或无源元件? 答:在关联参考方向下: P = UI ;在非关联参考方向下: P = −UI 。在此前提下,当 P>0 时为吸收功率。若 P<0 为有源元件,否则为无源元件。 1-7 标有 10kΩ(称为标称值) 、1/4W(额定功率)的金属膜电阻,若使用在直流电路 中,试问其工作电流和电压不能超过多大数值? I=
电子技术基础考试题含参考答案
电子技术基础考试题含参考答案一、单选题(共70题,每题1分,共70分)1.直接耦合放大器的低频特性比阻容耦合放大器的()A、相同B、差C、好正确答案:C2.对运算放大器进行调零是由于()A、存在输入失调电流。
B、存在输入失调电压。
C、存在输入偏置电压。
正确答案:B3.本征半导体温度升高后,两种载流子浓度仍然相等。
A、✔B、×正确答案:A4.一个异步三位二进制加法计数器,当第四个cp脉冲过后,计算器状态变为()A、101B、100C、010正确答案:B5.静态工作点,简称()A、P点B、O点C、Q点6.接负载后,放大电路的放大倍数要()A、减小。
B、不变。
C、增大。
正确答案:A7.组合逻辑电路有若干个输入端,只有一个输出端。
A、✔B、×正确答案:B8.组合逻辑电路中一般应有JK触发器。
A、×B、✔正确答案:A9.用真值表表示逻辑函数缺乏直观性。
A、×B、✔正确答案:A10.三端集成稳压器cw7906的输出电压是()A、-9VB、-12VC、-6V正确答案:C11.射极跟随器实质是共集电级放大电路。
A、✔B、×12.CH7555是一种典型的cm os集成定时器。
A、✔B、×正确答案:A13.晶体管在大电流工作时遂IC的增加β值将()A、增加。
B、下降。
C、不变。
正确答案:B14.多谐振荡器是一种无稳态触发器。
A、✔B、×正确答案:A15.直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。
A、×B、✔正确答案:B16.逻辑代数运算中,A+A=()A、2AB、AC、A2正确答案:B17.将二进制数11011写成十六进制数应是()A、33B、1BC、1A正确答案:B18.集成运放电路是一个集成的多级放大电路。
A、✔B、×正确答案:A19.时序逻辑电路分析的关键是求出状态方程和状态转换真值表才可画出时序图。
A、✔B、×正确答案:A20.桥式整流电容滤波电路输出电压的平均值,UO=()A、U2B、0.9U2C、1.2U2正确答案:C21.硅二极管()用作开关元件。
电子技术基础习题答案
中等职业教育电类专业规划教材电子技术基础练习册习题答案丛书主编程周主编范国伟副主编袁洪刚关越主审任小平Publishing House of Electronics Industry北京 BEIJING《电子技术基础练习册》习题答案范国伟袁洪刚关越编写第一篇模拟电子技术基础第1章半导体二极管和三极管1.1 半导体的基本知识一、填空题1、(自由电子、空穴、N型半导体、P型半导体);(掺杂半导体导电粒子)2、(电子、空穴)3、(电子型半导体、五价元素、电子、空穴)4、(三价元素、空穴、自由电子)5、(单向导电性、正极、负极、反向电压、反向偏置)6、(较大、导通、很小、截止)二、判断题1、×2、√3、×4、×5、×三、选择题1、C、2、B、3、C四、问答题1、答:PN结的主要特性是单向导电性,即PN结在加上正向电压时,通过PN结的正向电流较大,正向电阻较小,PN结处于导通状态;PN结在加上反向电压时,通过PN结的反向电流较小,反向电阻较大,PN结处于截止状态。
1.2 半导体二极管一、填空题1、(单向导电性、正极或阳极、负极或阴极、V、)2、(硅管、锗管、点接触型、面接触型、检波二极管、开关二极管)3、(单向导电性、0.5、0.2、0.7、0.3)4、(最大正向电流I FM、最大反向工作电压U RM、最大反向电流I RM、一半或三分之一)5、(硅、稳压、锗、开关、硅、整流、锗、普通;)6、(过热烧毁、反向击穿)二、判断题1、×2、√3、×4、×5、×6、×三、选择题1、C2、B3、C4、B5、C6、A7、C四、问答题1、 答:(1)N 型锗材料普通二极管;(2)N 型锗材料开关二极管;(3)N 型硅材料整流二极管; (4)N 型硅材料稳压二极管;2、 答:不能,因为1.5伏的的干电池会使流过二极管的电流很大,可能烧坏二极管。
电子技术基础知识练习题与答案
电子技术基础知识练习题与答案电子技术基础知识练习题与答案电子技术是根据电子学的原理,运用电子元器件设计和制造某种特定功能的电路以解决实际问题的科学,包括信息电子技术和电力电子技术两大分支。
下面跟着小编来看看电子技术基础知识练习题与答案吧!希望对你有所帮助。
一、基础知识。
1.按照调制方式分类,光调制可以分为:强度调制、相位调制、波长调制、频率调制、偏振调制。
2.半导体激光器发光是由能带之间的电子空穴对复合产生的。
3.激励过程是使半导体中的载流子过程从平衡态激发到非平衡态。
4.固体激光器是以固体为工作物质的激光器,也就是以掺杂的离子型绝缘晶体和玻璃为工作物质。
5.光纤传感器中常用的光电探测器:光电二极管、光电倍增管、光敏电阻。
6.红外探测器的响应波长范围参数指探测器电压响应率与入射的红外波长之间的关系。
7.光子探测原理是指利用半导体在入射光的照射下产生光子效应。
8.利用温差电势制成的红外探测器称为热电偶。
9.红外辐射在大气中传播时由于大气中水分子、蒸汽等吸收和散射使辐射在传播过程中衰减。
10.当红外辐射照在热敏电阻上时,使温度上升,内部粒子无规则运动加剧,自由电子数随温度而上升,所以电阻会减小。
11.辐射出射度:辐射体单位面积向半空间发出的辐射通量。
12.光电磁是利用光生伏特效应将光能变成电能。
13.任何物质只要温度高于0K就会向外辐射能量。
14.红外无损检测是通过测量热流或热量来检测。
15.内光电探测器可分为光电导、光伏特、光电磁三种探测器。
16.红外探测器的性能参数:电压响应率、噪声等效功率、时间常数。
17.光束扫描根据其应用的目的可分为模拟扫描和数字扫描。
模拟扫描用于显示,数字扫描用于光存储。
18.固体摄像器件主要有:CCD、CMOS、CID。
19.声光相互作用分为:拉曼—纳斯衍射和布喇格衍射。
20.磁光效应:外加磁场作用引起材料光学各向异性的现象。
D的基本功能:电荷存储、电荷转移。
按结构分为线阵CCD和面阵CCD。
电子技术基础习题带答案
理论测验一、单项选择题:1.不属于对助焊剂的要求的是 CA、常温下必须稳定,熔点应低于焊料B、在焊接过程中具有较高的活化性,较低的表面张力,粘度和比重应小于焊料C、绝缘差、无腐蚀性、残留物无副作用,焊接后的残留物难清洗D、不产生有刺激性的气味和有害气体,熔化时不产生飞溅或飞沫2.松香酒精溶液的松香和酒精的比例为 BA、1:3B、3:1C、任何比例均可3.烙铁头按照材料分为合金头和纯铜头,使用寿命长的烙铁头是 AA、合金头B、纯铜头4.焊接一般电容器时,应选用的电烙铁是 AA、 20W内热式B、35W内热式C、60W外热式D、100W外热式5.150W外热式电烙铁采用的握法是 BA、正握法B、反握法C、握笔法6.印刷电路板的装焊顺序正确的是 CA、二极管、三极管、电阻器、电容器、集成电路、大功率管,其它元器件是先小后大;B、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管,其它元器件是先大后小;C、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管,其它元器件是先小后大;D、电阻器、二极管、三极管、电容器、集成电路、大功率管,其它元器件是先大后小; 7.在更换元器件时就需要拆焊,属于拆焊用的工具的是 AA、电烙铁、铜纺织线、镊子B、电烙铁、铜纺织线、螺丝刀C、电烙铁、镊子、螺丝刀D、铜纺织线、镊子、螺丝刀二、多项选择题1.焊点出现弯曲的尖角是由于 ABA、焊接时间过长,烙铁撤离方向不当B、焊剂太多,烙铁撤离方向不当C、电烙铁功率太大造成的D、电烙铁功率太小造成的2.焊接一只低频小功率三极管应选用的电烙铁是 AA、20W内热式B、35W内热式C、50W外热式D、75W外热式3.75W外热式电烙铁 BA、一般做成直头,使用时采用握笔法B、一般做成弯头,使用时采用正握法C、一般做成弯头,使用时采用反握法D、一般做成直头,使用时采用正握法4.下列电烙铁适合用反握法的是 DA、20WB、35WC、60WD、150W5.20W内热式电烙铁主要用于焊接 DA、8W以上电阻B、大电解电容器C、集成电路D、以上答案都不对6.焊点表面粗糙不光滑 BA、电烙铁功率太大或焊接时间过长B、电烙铁功率太小或焊丝撤离过早C、焊剂太多造成的D、焊剂太少造成的7.电烙铁“烧死”是指 CA、烙铁头不再发热B、烙铁头粘锡量很多,温度很高C、烙铁头氧化发黑,烙铁不再粘锡D、烙铁头内电热丝烧断,不再发热8.一般电烙铁有三个接线柱,其中一个是接金属外壳的,接线时应 BA、用三芯线将外壳保护接地B、用三芯线将外壳保护接零C、用两芯线即可,接金属外壳的接线柱可空着9.所谓夹生焊是指 CA、焊料与被焊物的表面没有相互扩散形成金属化合物B、焊料依附在被物的表面上,焊剂用量太少C、焊件表面晶粒粗糙,锡未被充分熔化;三、判断题1.在检测电阻的时候,手指可以同时接触被测电阻的两个引线,人体电阻的接入不会影响测量的准确性; ×2.在应用SMT的电子产品中分为两种安装方式:完全表面安装和混合安装; √3.笔握法适用于小功率的电烙铁焊接印制板上的元器件; √4.焊接时每个焊点一次焊接的时间应该是3~5秒; ×四、简答题:1.在焊接过程中,助焊剂的作用是什么答:1除去氧化物;为了使焊料与工件表面的原子能充分接近,必须将妨碍两金属原子接近的氧化物和污染物去除,助焊剂正具有溶解这些氧化物、氢氧化物或使其剥离的功能;2防止工件和焊料加热时氧化;焊接时,助焊剂先于焊料之前熔化,在焊料和工件的表面形成一层薄膜,使之与外界空气隔绝,起到在加热过程中防止工件氧化的作用; 3降低焊料表面的张力;使用助焊剂可以减小熔化后焊料的表面张力,增加其流动性,有利于浸润;2.怎样做可以避免烙铁头烧死,烙铁不再粘锡答:烙铁头不粘锡主要是其温度过高,表面氧化所致,首先要在烙铁加热后在松香里反复摩擦去掉氧化皮,再沾上焊锡就可以了;3.电烙铁的握法有哪几种正握法主要适用于什么场合答:电烙铁的握法有正握、反握和笔握;正握法适于中等功率烙铁或带弯头电烙铁的操作;4.电子产品组装时,元件安装有哪些标准答:1元件器的标志方向应按照图纸规定的要求,安装后能看清元件上的标志;若装配图上没有指明方向,则应使标记向外易于辨认,并按从左到右、从下到上的顺序读出;2元器件的极性不得装错,安装前应套上相应的套管;3安装高度应符合规定要求,同一规格的元器件应尽量安装在同一高度上;4安装顺序一般为先低后高,先轻后重,先易后难、先一般元器件后特殊元器件;5元器件在印制电路板上的分布应尽量均匀、疏密一致,排列整齐美观;不允许斜排、立体交叉和重叠排列;6元器件外壳和引线不得相碰,要保证1mm左右的安全间隙,无法避免时,应套绝缘套管;7元器件的引线直径与印制电路板焊盘孔径应有~0.4mm的合理间隙;8MOS集成电路的安装应在等电位工作台上进行,以免产生静电损坏器件,发热元件不允许贴板安装,较大的元器件的安装应采取绑扎、粘固等措施;5.电子产品装配工艺文件包括哪几部分答:、由四个部分组成:企业区分代号、该工艺文件的编制对象设计文件的十进分类编号、工艺文件简号以及区分号;理论测验一、判断题:1. 逻辑变量的取值,1比0大; ×2. 因为逻辑表达式A+B+AB=A+B成立,所以AB=0成立; ×3.在时间和幅度上都断续变化的信号是数字信号,语音信号不是数字信号; ×4.组合逻辑电路的特点是具有记忆功能×5.只用与非门不能实现Y=A B+BC; × 6译码显示器既要完成译码功能,还有将译码后的结果或数据显示出来; √7.优先编码器对同时输入的信号中只对优先级别最高的一个信号编码; √8.半导体数码管采用共阴极方式时,译码器输出低电平驱动相应的二极管发光; ×9.同或门的逻辑功能是“相同出0,相异出1”; ×10.译码器的功能是将二进制数码还原成给定的信息; √二、填空题1.有一数码,作为自然二进制数时,它相当于十进制数 147 ;2.优先编码器允许同时输入两个以上的编码信号,但工作时只对优先级别高的输入信号进行编码,其余的输入信号可看成无效信号 ;3.客观事物的最基本的逻辑关系有_与逻辑、_或逻辑和_非_逻辑三种;个“1”连续进行非运算,其结果是 0 ;与非门多余的输入端应接高电平 ;6.同或门和异或门的关系可以用非逻辑关系表示;7.对TTL与非门闲置端不用的处理方法是悬空 ;8.组合逻辑电路的设计步骤是根据实际要求的逻辑关系建立真值表、由真值表写出逻辑表达式、化简逻辑表达式、画逻辑电路图 ;9.译码显示器是先将输入的二进制码译码成十进制数的信号,再利用译码输出驱动显示数字;三、选择题:1.十进制整数转换成二进制整数一般采用 B 方法;A. 除2取整法B. 除2取余法C. 乘2取整法D. 除10取余法2.当A = B = 0时,能实现Y = 1的逻辑运算是 C ;A.Y = AB B.Y = A+B C.Y A B=+=+D.Y A B 3.二进制的减法运算法则是 D ;A.逢二进一B.逢十进一C.借一作十D.借一作二4.MOS或门的多余输入端应 C ;A.悬空B.接高电平C.接低电平D.高低电平均可5.组合逻辑电路应该由哪种器件构成 C ;A.触发器B.计数器C.门电路D.振荡器6.三位二进制编码器输出与输入端的数量分别为 B ;A.3个和2个B.3个和8个C.8个和3个D.2个和3个7.七段显示译码器,当译码器七个输出端状态为abcdefg = 0110011时,高电平有效,输入一定为 C ;A.0011 B.0110 C.0100 D.0101 8.下列门电路,不属于基本门电路 D ;A.与门B.或门C.非门D.与非门9.组合逻辑电路的特点有 A ;A.电路某时刻的输出只决定于该时刻的输入B.含有记忆元件C.输出、输入间有反馈通路D.电路输出与以前状态有关10.TTL逻辑电路是以 A 为基础的集成电路;A.三极管B.二极管C.场效应管D.不能确定四、问答题:1. 十进制转换成二进制的具体转换方法是什么答:十进制数的整数部分采用“除2取余法”;小数部分采用“乘2取整法”;2. 分别描述异或门和同或门的逻辑功能,并说明他们之间的关系;答:异或门的逻辑功能是:同为0,异为1;同或门的逻辑功能是:同为1,异为0;异或逻辑和同或逻辑之间是非逻辑关系;3.简述图7-4中与发光二极管串联电阻的作用,如果将电阻值更换为100kΩ,则发光二极管还能正常发光吗为什么答:电路中与发光二极管串联的的电阻起到分压作用;如果将阻值更换为100kΩ,会导致电流过小,使二极管不能正常发光;4.译码的含义是什么为什么说译码是编码的逆过程译码器和编码器在电路组成上有什么不同答:译码的含义是把某种输入代码翻译成一个相应的信号输出;由于编码是将各种输入信息编成二进制代码输出,所以说译码是编码的逆过程;编码器电路有n2个输入端,则有n个输出端;而译码器电路有n个输入端,则有n2个输出端;理论测验一、判断题:1.脉冲技术现在已经广泛应用于电子计算机、自动控制、遥控遥测、电视、雷达和广播通讯等许多领域; √2.正弦波属于脉冲波的特殊形式; ×3.矩形波是脉冲波的常用波形之一,理想的矩形波都有一个上升边沿和下降边沿,中间为平顶部分; √电路中电容器的充电速度与R和C的大小有关,放电的速度取决于时间常数√积分电路的工作特点是对脉冲信号起到“突出恒定量,压低变化量”的作用;√微分电路的工作特点是对脉冲信号起到“突出变化量,压低恒定量”; √7.多谐振荡器是一种能自动反复输出矩形脉冲的自激振荡电路,并且含有丰富的多次谐波; √8.施密特触发器广泛用于将连续变化的波形,如三角波、正弦波等变换成矩形波;√9.A/D转换器是用来通过一定的电路将模拟量转变为数字量;模拟量可以是电压、电流等电信号,也可以是压力、温度、湿度、位移、声音等非电信号; √10. 数/模转换器DAC的主要性能参数是分辨率、线性误差、建立时间、温度灵敏度和输出电平; √二、填空题1.电阻R和电容C构成的简单电路叫RC电路,常用于脉冲波形变换的电路是RC微分电路和 RC积分电路;2. 微分电路是脉冲电路中常用的一种波形变换电路,能把矩形脉冲波变换成一对正、负极性的尖峰脉冲波;3. 积分电路也是脉冲电路中常用的一种波形变换电路,能把矩形脉冲波变换成三角波,也叫锯齿波;4.触发器的两种输出状态是高电平或低电平,如果其中一个是稳定状态而另一个是暂稳状态,这种触发器称为单稳态触发器 ;5.常用的集成施密特触发器有两种类型,一种是 TTL 施密特触发器,另一种是CMOS 施密特触发器;6. 单稳态触发器不仅能用于延时电路,而且可以把不规则的波形变换成幅度和宽度都相等的脉冲形;7 多谐振荡器工作时,不需要外加触发信号,电路的输出状态会在高低电平两种状态间反复不停地翻转,没有稳定的状态,所以又称无稳态电路;;三、选择题:1.脉冲数字系统中,经常要处理脉冲的产生、延时、整形等问题,而实现这些功能的电路有 ABC ;A、多谐振荡器B、单稳态触发器C、施密特触发器D、正弦波发生器2.下列集成电路中属于单稳态触发器的是 ABC ;A、CT74121B、CT74LS123C、CT74122D、NE5553. 下列集成电路属于CMOS型施密特触发器组件的是 AD ;A、CC40106B、CT74LS132C、CT7414D、CC40934.把经过计算机分析处理的数字信号转换成模拟信号,去控制执行机构的器件,称为数模转换器,即 B 转换器;A、A/DB、D/AC、TTLD、CMOS5.A/D转换后,输出的数字信号可以有ABCD 等;A、8位B、10位C、12位D、16位6.555定时器是一种数字与模拟混合型的中规模集成电路,应用广泛;外加电阻、电容等元件可以构成ABC等典型电路;A、多谐振荡器B、单稳电路C、施密特触发器D、稳压器四、问答题:1.什么是脉冲信号矩形波的主要参数是什么答:脉冲指含有瞬间突然变化、作用时间极短的电压或电流称为脉冲信号;矩形波的主要参数如下: 1 脉冲幅度Vm 2 上升时间tr 3 下降时间tf 4 脉冲宽度tp 5 脉冲周期T;2. 简述555定时器引脚功能答:1 8脚是集成电路工作电压输入端,电压为5~18V;2 1脚为地;32脚为触发输入端;43脚为输出端;5 6脚为阈值端;64脚是复位端;75脚是控制端;87脚称放电端;3. 555定时器可以构成的常见电路是那三种,各有什么特点答:555定时器可以构成的常见电路有单稳态触发器、多谐振荡器和施密特触发器;多谐振荡器的特点:无外输入信号、外围有RC元件、且6、2端短接在一起;单稳态触发器的特点:有一外输入信号、外围有RC元件、6、2端分开且分别与它们连接;施密特触发器的特点:外围没有RC元件、6、2短接、并引入外输入信号;4. A/D和D/A转换各是什么意思答: A/D转换是指将模拟量转变为数字量;D/A转换是指将数字量转换成模拟量;理论测验一、判断题:1.触发器属于组合逻辑电路;×2.触发器具有两个状态,一个是现态,另一个是次;×3.时钟脉冲的作用是使触发器翻转;×4.主从JQ触发器和边沿JK触发器的逻辑功能相同;×5.基本RS触发器可以由两个或非门交叉耦合构成;√6. 即使电源关闭,移位寄存器中的内容也可以保持下去;√7. 所有的触发器都能用来构成计数器和移位寄存器;×8.移位寄存器74LS194可串行输入并行输出,但不能串行输入串行输出;×9. 同步计数器的计数速度比异步计数器快;√10.移位寄存器只能串行输入;×二、填空题1. 基本RS触发器,当、都接高电平时,该触发器具有_ 保持功能;2.同步RS触发器状态的改变与同步信号CP 同步;3.时序电路通常包组合电路和存储电路两个组成部分;4.主从触发器是一种能防止空翻的触发器;触发器是在JK触发器基础上,增加一个与非门,把J和K两个输入端合为一个输入端D 组成的;6.仅具有“置0”、“置1”功能的触发器叫 T触发器 ;7.时序电路的次态输出不仅与即时输入有关,而且还与现态有关;8.在一个CP脉冲作用期间,触发器状态产生二次或多次翻转称__空翻_现象;9.JK触发器的逻辑功能为_置0 、_置1_、_翻转_和_保持_;10.将JK触发器的两个输入端接在一起,就构成了__D__触发器,其逻辑功能为__置0__和_置1_;三、选择题:1. R-S型触发器不具有 B 功能;A. 保持B. 翻转C. 置1D. 置02. 触发器的空翻现象是指 CA.一个时钟脉冲期间,触发器没有翻转;B.一个时钟脉冲期间,触发器只翻转一次C.一个时钟脉冲期间,触发器发生多次翻转D.每来2个时钟脉冲,触发器才翻转一次3. 下列触发器中不能用于移位寄存器的是 C ;触发器触发器 C.基本RS触发 D.负边沿触发D触发器4.触发器是一种 B ;A、单稳态电路B、双稳态电路C、无稳态电路5.下面4种触发器中,抗干扰能力最强的是 CA.同步D触发器B.主从JK触发器C.边沿D触发器D.同步RS触发器6. 对于JK触发器,若希望其状态由0转变为1,则所加激励信号是 D=0X =X0 =X1 =1X7.仅具有保持和翻转功能的触发器是 DA.JK触发器 B;RS触发器 C;D触发器 D;T触发器8.对于JK触发器,输入J=0,K=1,CP时钟脉冲作用后,触发器的Q n+1应为AA.0 B.1 C.可能为0,也可能为1 D. 与Q n 有关四、问答题:1.怎样实现普通机械式开关的防抖功能答:用两个按键S1、S2、CD4011等构成了一个无抖动开关;电路如图所示;用集成块CD4011内部的两个与非门连接成一个基本RS触发器,当按钮开关S3、S2闭合时可使RS触发器复位端R和置位端S的电平变为0,断开时可使R、S的电平变为1;通过S3、S2可给RS触发器设置输入状态,从而决定输出状态;当S3闭合、S2断开时,R=0,S=1,触发器的输出端Q=0,LED2不会点亮,当S3断开、S2闭合时,R=1,S=0,触发器的输出端Q=1,LED2点亮;当S3、S2都断开时,R=S=1,触发器的输出端Q保持原来的状态即R=S=1之前的那个状态,输出端Q的电平变化,相当于开关的闭合和断开;这种闭合与断开是无抖动的可用示波器在测试点P3观察Q端的电平变化,是矩形波;2.怎样由JK触发器构成D触发器答:在JK触发器的基础上,增加一个与非门把J、K两个输入端合为一个输入端D,CP为时钟脉冲输入端;这样,就把JK触发器转换成了D触发器;3.什么是触发器的空翻现象答:在一个时钟脉冲周期中,触发器发生多次翻转的现象叫做空翻;4.查阅资料,画出用D触发器构成一个4位右移寄存器的原理图,并说明工作过程;答:用D触发器构成的四位移位寄存器,当CP上升沿同时作用于所有触发器时,触发器输入端的状态都为现态;于是,CP上升沿到达之后,各触发器按状态函数进行状态转换;输人代码DI存人触发器F0,Q1按Q0原来状态翻转,Q2按Q1原来状态翻转、Q3按Q2原来状态翻转;总的看来,移位寄存器中的代码依次右移了一位;可见,经过4个CP信号后,串行输入的四位代码全部移入了移位寄存器,并在四个输出端得到并行输出代码;利用移位寄存器可实现代码的串行—并行转换;若再加4个CP信号,寄存器中的四位代码还可以从串行端依次输出;。
电子技术基础模拟练习题及参考答案
电子技术基础模拟练习题及参考答案一、单选题(共70题,每题1分,共70分)1.一只四输入端或非门,使其输出为1的输入变量取值组合有()种A、8B、15C、1正确答案:C2.组合逻辑电路有若干个输入端,只有一个输出端。
A、×B、✔正确答案:A3.用三极管构成的门电路称为()门电路。
A、MOC型B、TTL型C、CMOS型正确答案:B4.共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时,应该()偏置电阻。
A、减小。
B、增大C、保持。
正确答案:A5.共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是()A、相位差90°。
B、同相位。
C、相位差180°。
正确答案:C6.设计一个同步十进制加法计数器需要三个触发器就可以。
A、✔B、×正确答案:B7.理想运算放大器的输出电阻为()A、无穷B、不定正确答案:B8.下列逻辑代数运算法则中,错误的是()A、A(B+C)=AB+ACB、A+(B+C)=(A+B)+CC、A+BC=(A+B)C正确答案:C9.半导体导电能力()导体。
A、等于B、小于C、大于正确答案:B10.与非门的逻辑功能是。
A、全高为高。
B、全低为高。
C、部分高为高。
正确答案:B11.逻辑代数运算中1+1=()A、3B、2C、1正确答案:C12.从射极输出器的交流通路看他是一个共()电路。
A、集电极。
B、基极C、发射极。
正确答案:A13.RS出发去具有()种逻辑功能。
A、3B、1C、2正确答案:A14.逻辑代数运算于普通代数运算结果()A、不想同B、有的相同,有的不相同。
C、相同正确答案:B15.测得在放大状态的三极管的三个关脚电压分别是,-0.7,-1,-6责-0.7对应的是()A、基极B、发射极。
C、集电极。
正确答案:B16.一个平衡PN结用导线将p区和n区连起来而导线中()A、有瞬间微弱电流。
B、有微弱电流。
C、无电流。
正确答案:C17.半导体材料有()种A、2B、1C、3正确答案:A18.三端集成稳压器w7805的输出电压是()A、5VB、9VC、12V正确答案:A19.在截止区三极管()电流放大作用。
(完整版)电子技术基础(含答案)
《电子技术基础》课程习题集西南科技大学成人、网络教育学院版权所有习题【说明】:本课程《电子技术基础》(编号为08001)共有单选题,简答题,计算题1,作图题1,作图题2,计算题2,分析题,化简题等多种试题类型,其中,本习题集中有[计算题2,作图题2]等试题类型未进入。
一、单选题1.测得NPN三极管的三个电极的电压分别是U B=1.2V,U E=0.5V,U C=3V,该三极管处在()状态。
A. 击穿B. 截止C. 放大D. 饱和2.二极管的主要特性是()。
A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性3.在N型半导体中()。
A.只有自由电子B.只有空穴C.有空穴也有电子D.没有空穴也没有自由电子4.三极管的两个PN结都正偏,则晶体三极管的状态是()。
A.放大B.饱和C.截止D.倒置5.工作在放大状态的某三极管,当输入电流I B=10μA时,I C=1mA;而I B=20μA时,I C=1.8mA,则该三极管的交流电流放大系数为()。
A.50B.80C.100D.1806.稳压管的稳压是其工作在()。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿区D.正向死区7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V,则该管为()。
A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管8.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。
A. 温度B. 掺杂工艺C. 杂质浓度D. 晶体缺陷9.测得NPN型硅三极管三个电极电位分别为:U B=2.8V,U E=2.1V,U C=3.6V,则该管处于()状态。
A.饱和B.截止C.放大D.击穿10. P型半导体中的自由电子浓度()空穴浓度。
A.大于B.小于C.等于D.大于或等于11. N型半导体是在纯净的本征半导体中加入()。
A.自由电子B.空穴C.硼元素D.磷元素12.三极管工作在放大区的条件是()。
A.发射结正偏,集电结正偏B.发射结反偏,集电结正偏C.发射结正偏,集电结反偏D.发射结反偏,集电结反偏13.下列关于半导体的说法正确的是()。
电子技术基础l练习习题答案 (1)
第1章检测题(共100分,120分钟)一、填空题:(每空0.5分,共25分)1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为自由电子,少数载流子为空穴,不能移动的杂质离子带正电。
P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为空穴,少数载流子为自由电子,不能移动的杂质离子带负电。
2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。
三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。
3、PN结正向偏置时,外电场的方向与内电场的方向相反,有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移;PN结反向偏置时,外电场的方向与内电场的方向一致,有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散,这种情况下的电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散,N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。
扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区,其方向由N区指向P区。
空间电荷区的建立,对多数载流子的扩散起削弱作用,对少子的漂移起增强作用,当这两种运动达到动态平衡时,PN 结形成。
5、检测二极管极性时,需用万用表欧姆挡的R×1K档位,当检测时表针偏转度较大时,与红表棒相接触的电极是二极管的阴极;与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。
检测二极管好坏时,两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时,说明二极管已经被击穿;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经绝缘老化。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管,正常工作应在特性曲线的反向击穿区。
二、判断正误:(每小题1分,共10分)1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。
(错)2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。
(对)3、用万用表测试晶体管时,选择欧姆档R×10K档位。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
第1章检测题(共100分,120分钟)一、填空题:(每空0、5分,共25分)1、 N型半导体就是在本征半导体中掺入极微量得互价元素组成得。
这种半导体内得多数载流子为自由电子,少数载流子为空穴,不能移动得杂质离子带正电。
P型半导体就是在本征半导体中掺入极微量得亠二价元素组成得。
这种半导体内得多数载流子为空穴,少数载流子为自由电子,不能移动得杂质离子带负电。
2、三极管得内部结构就是由发射区、基区、集电区区及发射结与集电结组成得。
三极管对外引出得电极分别就是发射极、基极与集电极。
3、 PN结正向偏置时,外电场得方向与内电场得方向相反,有利于务数载流子得扩散运动而不利于少数载流子得漂移;PN结反向偏置时,外电场得方向与内电场得方向一致,有利于少子得漂移运动而不利于多子得扩散,这种情况下得电流称为反向饱与电流。
4、PN结形成得过程中,P型半导体中得多数载流子由P向N区进行扩散.N型半导体中得多数载流子由N向P区进行扩散。
扩散得结果使它们得交界处建立起一个空间电荷区,苴方向由丄_区指向卫区。
空间电荷区得建立,对多数载流子得扩散起削弱作用,对少子得漂移起增强作用,当这两种运动达到动态平衡时,PN结形成。
5、检测二极管极性时,需用万用表欧姆挡得EilJJ档位,当检测时表针偏转度较大时,与红表棒相接触得电极就是二极管得卫L极;与黑表棒相接触得电极就是二极管得陛_极。
检测二极管好坏时,两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时,说明二极管已经被击穿;两表棒位巻调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经绝缘老化。
7、稳压管就是一种特殊物质制造得而接触型硅晶体二极管,正常工作应在特性曲线得反向击穿区。
二、判断正误:(每小题1分,共10分)1、 P型半导体中不能移动得杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。
(错)2、自由电子载流子填补空穴得“复合”运动产生空穴载流子。
(对)3、用万用表测试晶体管时,选择欧姆档RxlOK档位。
(错)4、PN结正向偏置时,其内外电场方向一致。
(PN结反向偏置时,其内外电场方向一致)5、无论在任何情况下,三极管都具有电流放大能力。
6、双极型晶体管就是电流控件,单极型晶体管就是电压控件。
7、二极管只要工作在反向击穿区,一定会被击穿。
8、当三极管得集电极电流大于它得最大允许电流I CM时,该管必被击穿。
(错)9、双极型三极管与单极型三极管得导电机理相同。
10、双极型三极管得集电极与发射极类型相同,因此可以互换使用。
(错)三、选择题:(每小题2分,共20分)1、单极型半导体器件就是(C )。
A、二极管;B、双极型三极管;C、场效应管;D、稳压管。
2、P型半导体就是在本征半导体中加入微量得(A )元素构成得。
A、三价;B、四价;C、五价;D、六价。
3、稳压二极管得正常工作状态就是(C )。
A、导通状态;B、截止状态;C、反向击穿状态;D、任意状态。
4、用万用表检测某二极管时,发现其正、反电阻均约等于1KQ,说明该二极管(C )。
A、已经击穿;B、完好状态;C、内部老化不通;D、无法判断。
5、P N结两端加正向电压时,其正向电流就是(A )而成。
A、多子扩散;B、少子扩散;C、少子漂移;D、多子漂移。
6、测得NPN型三极管上务电极对地电位分别为V E=2.1V.V B=2.8VV C=4. 4V. 说明此三极管处在(A )。
A、放大区;B、饱与区;C、截止区;D、反向击穿区。
7、绝缘栅型场效应管得输入电流(C )。
A、较大;B、较小;C、为零;D、无法判断。
8、正弦电流经过二极管整流后得波形为(C )。
A、矩形方波;B、等腰三角波;C、正弦半波;D、仍为正弦波。
9 三极管超过C )所示极限参数时,必定被损坏。
A、集电极最大允许电流/CM;B、集一射极间反向击穿电压(/(BRK.W;C、集电极最大允许耗散功率PcM;D、管子得电流放大倍数。
10、若使三极管具有电流放大能力,必须满足得外部条件就是(C )A、发射结正偏、集电结正偏;B、发射结反偏、集电结反偏;C、发射结正偏、集电结反偏;D、发射结反偏、集电结正偏。
3、图1-29所示电路中,已知民5V,V,二极管为理想元件(即认为正向导通时电阻/?=0,反向阻断时电阻/?=8),试画出“o得波形。
答:分析:根据电路可知・'"l u t>E时,•极管导通“尸几比閔’ MKI 1-29//,<£时二极管截止时上尸£所以则得波形图如下图所示:第2章检測题(共100分.120分钟)一、填空题:(每空0、5分,共21分)1、基本放大电路得三种组态分别就是:共发射极放大电路、共集电极放大电路与共基极放大电路。
2、放大电路应遵循得基本原则就是:发射结正偏;集电结反偏。
3、将放大器细血—得全部或部分通过某种方式回送到输入端,这部分信号叫做反馈信号。
使放大器净输入信号减小,放大倍数也减小得反馈,称为卫_反馈;使放大器净输入信号增加,放大倍数也增加得反馈,称为正反馈。
放大电路中常用得负反馈类型有电乐串联负反馈、电流串联负反馈、电用并联负反馈与电流并联负反馈。
7、反馈电阻/?匕得数值通常为几「至几千欧,它不但能够对直流信号产生负反馈作用,同样可对交流信号产生卫2逊作用,从而造成电压增益下降过多。
为了不使交流信号削弱,一般任R E得两端并联…个约为儿I •微法得较大射极旁路电容C E。
8、放大电路有两种工作状态,当他=0时电路得状态称为旦态,有交流信号⑷输入时,放大电路得工作状态称为动态。
在动态情况下,晶体管各极电压、电流均包含卫汇分量与交流分量。
放大器得输入电阻越厶,就越能从前级信号源获得较大得电信号;输出电阻越王,放大器带负载能力就越强。
二、判断下列说法得正确与错误:(每小题1分,共19分)1、放大电路中得输入信号与输出信号得波形总就是反相关系。
(错)2、放大电路中得所有电容器,起得作用均为通交隔直。
(对)3、射极输岀器得电压放大倍数等于1,因此它在放大电路中作用不大。
(错)4、分压式偏置共发射极放大电路就是一种能够稳左静态工作点得放大器。
(对)5、设置静态工作点得目得就是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。
(对)6、晶体管得电流放大倍数通常等于放大电路得电压放大倍数。
(错)7、微变等效电路不能进行静态分析,也不能用于功放电路分析。
(对)8、共集电极放大电路得输入信号与输出信号,相位差为180°得反相关系。
(错)9、微变等效电路中不但有交流疑,也存在直流量。
(错)10、基本放大电路通常都存在零点漂移现象。
(对)11、普通放大电路中存在得失真均为交越失真。
(错)12、差动放大电路能够有效地抑制零漂,因此具有很髙得共模抑制比。
(对)13、放大电路通常工作在小信号状态下,功放电路通常工作在极限状态下。
(对)14、输出端交流短路后仍有反馈信号存在,可断左为电流负反馈。
(对)15、共射放大电路输出波形出现上削波,说明电路出现了饱与失真。
(锚)16、放大电路得集电极电流超过极限值九皿就会造成管子烧损。
(错)17、共模信号与差模信号都就是电路传输与放大得有用信号。
(错)18、采用适当得静态起始电压,可达到消除功放电路中交越失真得目得。
(对)19、射极输出器就是典型得电压串联负反馈放大电路。
(对)三、选择题:(每小题2分洪20分)1、基本放大电路中,经过晶体管得信号有(C)。
A、直流成分;B、交流成分;C、交直流成分均有。
2、基本放大电路中得主要放大对象就是(B)。
A、直流信号;B、交流信号;C、交宜流信号均有。
3、分压式偏程得共发射极放大电路中,若吟点电位过高,电路易出现(B)。
A、截止失真;B、饱与失真;C、晶体管被烧损。
4、共发射极放大电路得反馈元件就是(B)。
A、电阻心;B、电阻屜C、电阻&。
5、功放首先考虑得问题就是(A)。
A、管子得工作效率;B、不失真问题;C、管子得极限参数。
6、电压放大电路首先需要考虑得技术指标就是(A)。
A、放大电路得电压增益;B、不失真问题;C、管子得工作效率。
7、射极输出器得输出电阻小,说明该电路得(A)A、带负载能力强;B、带负载能力差;C、减轻前级或信号源负荷。
8、功放电路易岀现得失真现象就是(C)。
A、饱与失真;B、截止失真;C、交越失真。
9、基极电流巾得数值较大时,易引起静态工作点0接近(B)。
A、截止区;B、饱与区;C、死区。
10、射极输出器就是典型得(C)。
A、电流串联负反馈;B、电压并联负反馈;C、电压串联负反馈。
四、简答题:(共23分)1、共发射极放大器中集电极电阻起得作用就是什么?(3分)答:Rc起得作用就是把晶体管得电流放大转换成放大器得电压放大。
第4童「检测题…(&砂JL1皿分锂)一. 填空题(每空0. 5分,共25分)1、在时间上与数值上均作连续变化得电信号称为_1拟_信号;在时间上与数值上离散得信号叫做数字信号。
2、在正逻辑得约宦下,"1”表示高电平,“0”表示低电平。
3、数字电路中,输入信号与输出信号之间得关系就是昱生关系■所以数字电路也称为逻辑电路。
在逻辑关系中,最基本得关系就是与逻辑、或逻辑与非逻辑。
5、8421 BCD码与2421码就是有权码;余3码与格雷码就是无权码。
9、8421 BCD码就是最常用也就是最简单得一种BCD代码,各位得权依次为£_、4 、2、丄。
8421 BCD码得显著特点就是它与二进制数码得4位等值0〜9完全相同。
11、逻辑代数得基本定律有分配律、结合律、交换律、反演律与非非律。
12、最简与或表达式就是指在表达式中或项最少,且仃项也最少。
13、卡诺图就是将代表最小项得小方格按相邻原则排列而构成得方块图。
卡诺图得画图规则:任意两个几何位置相邻得最小项之间,只允许一位变慣得取值不同。
14、在化简得过程中,约朿项可以根据需要瞧作“1”或“0”°二、判断正误题(每小题1分,共8分)1、输入全为低电平“0”,输出也为“0”时,必为“与”逻借关系。
(错)2、或逻辑关系就是"有0岀0,见1出1”。
(错)3、8421 BCD码、2421 BCD码与余3码都属于有权码。
(错)4、二进制计数中各位得基就是2,不同数位得权就是2得幕。
(对)5、格雷码相邻两个代码之间至少有一位不同。
(错)6、就是逻辑代数得非非定律。
(错)7、卡诺图中为1得方格均表示一个逻辑函数得最小项。
(对)8、原码转换成补码得规则就就是各位取反、末位再加1。
(对)三、选择题(每小题2分,共12分)1、逻辑函数中得逻借“与”与它对应得逻辑代数运算关系为(B )。
A、逻借加B、逻辑乘C、逻辑非2、、十进制数100对应得二进制数为(C )oA、 B、 C、 D、3、与逻辑式表示不同逻辑关系得逻辑式就是(B )。