CAK45型有失效率等级的片式固体电解质钽电容器
松填CA45型钽电容规格 中文版
标称电容量 （CR） μF ≤1.0 1.5~68 100~220 330~470
680~1000
表3 电容量变化范围% -55℃ 85℃ 125℃
±10 ±10 ±12 ±12
±12
±15 ±15
电容器的高低温特性
最大值
损耗角正切%
-55℃
85℃
125℃
6
6
8
8
10
10
12
12
15
15
漏电流 μA
E
22
C B/A/P C B/A C
B/A
C
B/A
D
C/B
E
C/D
E
33
C B/A/P C B/A E D/C/B/A E C/B/D E
C/D
E
D/C
E
47
E/C B/A/P C
B/A
D
C/B
D
C/B
E
C/D E
D
E
68
E/C B/A
D C/B/A D
C/B
D
C/B
E
D
E
D
100
C
B/A E B/C/D E D/C/B E
, 25℃) (Ω)
max. Max max.
10 VOLT RATING AT +85℃ 6.3 VOLT RATING AT +125℃)
TCSC106*010# C
10
1.0 6
3.0
TCSB106*010# B
10
1.0 6
6.0
TCSA106*010# A
10
10 VOLT RATING AT +85℃ 6.3 VOLT RATING AT +125℃)
钽电容 category voltage 意思
一、概述钽电容是一种广泛应用于电子设备中的重要元件，其在电子产品中起到承载电压、储存电荷和滤波等关键作用。
在不同的应用场景下，钽电容的电压级别会有所不同，因此有关钽电容的分类和电压级别成为了工程师和科研人员关注的焦点。
本文将深入探讨钽电容的分类和电压级别，旨在帮助读者更加全面地了解钽电容的相关知识。
二、钽电容的分类钽电容根据其结构和材料特性可以分为固体钽电容和液态钽电容两大类。
1. 固体钽电容固体钽电容是将钽粉末经过成型、烧结和电镀等工艺制成，具有体积小、容量大、工作稳定等特点，因此在电子产品中得到了广泛的应用。
固体钽电容按照不同的电极结构又可以分为金属阳极钽电容和导电高聚物阳极钽电容两种。
金属阳极钽电容具有电容量大、漏电流小等特点，适用于高频、大电流等工作环境；导电高聚物阳极钽电容则具有体积小、温度漂移小等特点，适用于空间受限或工作环境苛刻的场景。
2. 液态钽电容液态钽电容是采用固态电解质的电容器，其主要特点是具有高电容量和低ESR值，能够在高频率下工作。
而且液态钽电容具有极低的漏电流且容量稳定性好，适用于高频、大电流等要求严格的场景。
三、钽电容的电压级别钽电容的电压级别是指其能够承受的最大工作电压，通常以电容器标称电压的倍数来表示。
一般来说，钽电容的电压级别包括以下几种：1. 低压钽电容（LV）低压钽电容的额定电压一般在25V以下，适用于电子产品中对电压要求较低的场景，如无线终端、平板电脑、数码相机等。
2. 中压钽电容（MV）中压钽电容的额定电压一般在25V-50V范围内，适用于对电压要求适中的场景，如笔记本电脑、电视机等。
3. 高压钽电容（HV）高压钽电容的额定电压一般在50V以上，适用于对电压要求较高的场景，如电源供应模块、车载电子产品等。
四、结论钽电容作为电子产品中不可或缺的元件，其分类和电压级别对于产品的性能和稳定性具有重要意义。
通过了解钽电容的分类和电压级别，可以更好地选择适合不同场景需求的钽电容元件，从而提高产品的性能和可靠性。
(整理)钽质电容介绍
一、钽电容介绍钽电容是由稀有金属钽加工而成，先把钽磨成微细粉，再与其它的介质一起经烧结而成。
目前的工艺有干粉成型法和湿粉成型法两种。
钽电容由于金属钽的固有本性，具有稳定好、不随环境的变化而改变、能做到容值很大等特点，在某些方面具有陶瓷电容不可比较的一些特性，因此在很多无法使用陶瓷电容的电路上钽电容被广泛采用。
目前全球主要有以下几个品牌的钽电容：A VX、KEMET、VISHAY、NEC，其中A VX 和VISHAY的产量最大，而且质量最好。
虽然是个简单的概念，不过一写成洋文，就变得不容易理解了。
ESR，是Equivalent Series Resistance三个单词的缩写，翻译过来就是“等效串连电阻”。
理论上，一个完美的电容，自身不会产生任何能量损失，但是实际上，因为制造电容的材料有电阻，电容的绝缘介质有损耗，各种原因导致电容变得不“完美”。
这个损耗在外部，表现为就像一个电阻跟电容串连在一起，所以就起了个名字叫做“等效串连电阻”。
ESR的出现导致电容的行为背离了原始的定义。
比如，我们认为电容上面电压不能突变，当突然对电容施加一个电流，电容因为自身充电，电压会从0开始上升。
但是有了ESR，电阻自身会产生一个压降，这就导致了电容器两端的电压会产生突变。
无疑的，这会降低电容的滤波效果，所以很多高质量的电源啦一类的，都使用低ESR的电容器。
同样的，在振荡电路等场合，ESR也会引起电路在功能上发生变化，引起电路失效甚至损坏等严重后果。
所以在多数场合，低ESR的电容，往往比高ESR的有更好的表现。
不过事情也有例外，有些时候，这个ESR也被用来做一些有用的事情。
比如在稳压电路中，有一定ESR的电容，在负载发生瞬变的时候，会立即产生波动而引发反馈电路动作，这个快速的响应，以牺牲一定的瞬态性能为代价，获取了后续的快速调整能力，尤其是功率管的响应速度比较慢，并且电容器的体积/容量受到严格限制的时候。
这种情况见于一些使用mos管做调整管的三端稳压或者相似的电路中。
片式钽电容器的性能选择
T/R组件用片式钽电容器的性能选择T/R组件是相控阵雷达射频电路的最重要组成部分,雷达发射出去的不同频率的照射电磁波就是由此产生. 因为电磁波的强度和可以探测的距离成正比,因此,不同探测距离要求的T/R组件要求的发射功率也不一样. 当功率较高的电磁波按照一定频率进行照射时,瞬间需要的电功率很高, 因此,每一个T/R组件模块里必须使用一定数量的电容器作为瞬时补偿电源.由于极短时间内的功率密度要求巨大[一个脉冲],因此,无法使用单一功率电源给所有T/R组件供电.只能使用多只电容器并联组合作为二级瞬时电源来使用.能够满足T/R组件里容量和体积比要求的电容器,必须能够同时保证环境温度大幅度变化和可靠性要求较高时,电容器的性能不能有明显变化.这样, 目前能够达到此体积和功率要求及温度特性和可靠性要求的,只有片式钽电容器可以做到.作为T/R组件里的瞬时电源使用的片式钽电容器, 必须满足不同温度时大功率充放电时仍然具有非常高的可靠性,否则非常容易导致价格昂贵的T/R组件整体失效.为了保证大功率的T/R组件的工作可靠,使用在此电路的片式钽电容器必须达到如下性能要求;一. 该电容器必须具有尽可能低的直流漏电流;钽电容器的漏电流和实际耐压及其绝缘电阻之间存在如下数学关系;I=UR/R上式是欧姆定律的数学表达式,但是,对于钽电容器, I表示的是该产品的实际漏电流而不是导体中通过的电流,UR是该产品的实际耐压而不是电路中实际施加的电压,R是该产品的实际绝缘电阻而不是该产品的电阻. 这些实际内容上的区别非常重要.从上式中,我们可以推导出这样的规律;当漏电流偏大时,产品的实际绝缘电阻就会下降,同时,该产品的实际耐压也会下降.同样的道理,如果实际漏电流较小的产品,其绝缘电阻也将较高,其实际耐压也会更高. 此规律在高温时对钽电容器的可靠性意义重大; 当高温时该产品的实际漏电流较大时,其实际耐压就会大幅度下降,因此,高温时钽电容器的失效率就高得多. 因此,对钽电容器的可靠性影响最大的参数就是该产品的漏电流大小,特别是高温时该产品的漏电流变化率高低可以直接成为该产品可靠性高低的最主要的判定参数.在使用电压较高时,片式钽电容器的漏电流偏大的产品在进行频繁的大功率放电时会出现爆炸失效现象.作为T/R组件中的瞬时电源,为了保证电磁波发射的功率强度足够[可以探测的距离和强度成正比],施加到电容器上和电容器放电时的功率均较大,此时,如果漏电流偏大,非常容易导致击穿瞬间发生,从而造成该T/R组件功能失效.制约片式钽电容器的漏电流大小的条件主要是电容器生产厂家的工艺技术水平,在此方面,各家片式钽电容器生产商的实际生产水平相差巨大.但由于GJB-2283-95的标准对漏电流的要求较宽,因此,从简单的测试看,好象那家公司都能够生产出合乎标准的片式钽电容器,而实际却不竟然,各家生产出的相同规格的片式钽电容器的实际漏电流水平和可靠性水平相差非常大.如果使用厂家只是通过形式化的简单测试,根本发现不了其中的差别.因此,不断的失效问题就一直在困扰着电容器使用者.钽电容器在实际制造过程中，由于使用的原材料性能差异和工艺水平不同以及装备性能的不同，批量生产出的产品的性能尽管都符合标准规定，但实际上不同生产厂家生产的产品的性能存在明显的质量差异。
振华新云电子 片式固体电解质钽电容器CA45A-P-10V-10 F-K 规格书说明书
片式固体电解质钽电容器规格书新云型号：CA45A-P-10V-10μF-K1. 产品特点该产品为模压封装、片式引出，具有密封性好、重量轻、电性能优良、稳定可靠等特点。
适用于移动通讯、摄像机、程控交换机、计算机、汽车电子等各种电子设备的直流或脉动电路。
2. 产品型号及编码说明CA45A- P - 10v - 10μF - K型号壳号额定电压标称电容量容量偏差K：±10％3. 产品外形及尺寸：见图1及表1图1 电容器外形尺寸图表1 电容器的外形尺寸单位：mm4．电性能参数4.1 工作温度范围：-55℃～125℃；85℃以上施加降额电压。
4.2 标称电容量允许偏差（25℃，120Hz）：K：±10%；4.3 主要电性能参数：见表2表2 电性能参数表Array 5.标志5.1标志内容5.2 标志说明（举例）：见图2。
6. 产品外观质量6.1 产品本体应无针眼、缺角、缺块、发黑、漏封、裂纹、引出片断裂等现象。
6.2 产品标志：应清晰、完整、正确；无重影、漏打等现象。
7.包装7.1 产品编带的尺寸及卷绕方向：见图3、图4、表3。
注：用户未要求时，编带卷绕方向通常按左旋卷绕方向。
7.2包装数量：（1）商标及正极标识（2）标称电容量（3）额定工作电压106A 容量标识正极及电压标识图4 编带卷绕方向表 3 编带尺寸单位：mm8 应用指南8.1室温电性能的测量8.1.1 电容量(C)和损耗角正切(tg δ)的测量●施加电压： 直流偏压：U-=2.20 -1.0V ；交流偏压（有效值）的范围：U ～=1.00-0.5V●测量时，确保电容器正、负极的接法正确，否则读数会产生较大的偏差。
8.1.2漏电流（I ）的测量●施加电压：额定电压测量时，应串联1000Ω的保护电阻。
施加额定电压后3至5分钟，漏电流指针稳定后读数。
●测量漏电流时，严禁将产品的正、负极接反，如不慎接反，该只电容器应报废，即使电性能仍合格，也不能再使用。
片式固体钽电容-概述说明以及解释
片式固体钽电容-概述说明以及解释1.引言1.1 概述片式固体钽电容是一种新型的电子元件，具有优异的性能和广泛的应用前景。
它采用固态钽作为正极材料，相比传统的电解式铝电容，片式固体钽电容具有更高的电容密度、更低的ESR值、更好的抗漏电流能力和更长的使用寿命。
本文将通过对片式固体钽电容的原理、优点和应用领域进行详细介绍，探讨其在电子领域中的重要性和发展前景。
1.2 文章结构本文主要分为引言、正文和结论三部分。
1. 引言部分将介绍固体钽电容的概念和重要性，以及本文的研究目的和意义。
2. 正文部分将详细阐述片式固体钽电容的原理、优点和应用领域，为读者提供全面的了解。
3. 结论部分将对本文内容进行总结，并展望片式固体钽电容未来的发展前景和应用价值。
1.2 文章结构部分的内容1.3 目的:本文旨在深入探讨片式固体钽电容的原理、优点和应用领域，希望通过对这一电子元件的全面介绍，让读者对片式固体钽电容有更加深刻的理解和认识。
同时，我们也将讨论片式固体钽电容的发展前景，展望其在未来的应用和发展方向，为读者提供对这一领域的深入洞察和未来发展的展望。
通过本文的阐述，希望能够为相关领域的研究者和工程师提供启发和参考，推动片式固体钽电容技术的进步和发展。
2.正文2.1 片式固体钽电容的原理片式固体钽电容的原理部分:片式固体钽电容是一种电子元件，它的工作原理是基于固体电容器的电荷存储和释放。
在片式固体钽电容中，其基本结构包括钽质阳极、氧化层作为介质和导电性良好的负极。
当电压施加在钽电容上时，电荷会在钽电容的阳极和氧化层之间存储，并在需要时释放出来。
钽电容的阳极通常由纯钽制成，由于钽金属的高化学稳定性和良好的导电性，使得钽电容具有较高的容量、频率响应和稳定性。
氧化层在片式固体钽电容中起到重要的电介质作用，它能够阻止阳极和阴极之间的电荷直接接触，从而确保电容器的正常工作。
总的来说，片式固体钽电容的原理是通过在钽质阳极和氧化层之间存储和释放电荷来实现电容效应，从而实现电子元件在电路中的功能。
片式固体电解质钽电容器常见的失效方式
片式固体电解质钽固定电容器常见的失效方式1、过压失效钽电容器使用在电路中时，在正常的工作电压以外，还要受到浪涌电压和电流的冲击。
因此，工作时时实际加在产品上的电压=浪涌电压+工作电压+交流纹波电压。
由于使用电路中的阻抗不一样，因此，当电路阻抗较低时，实际的浪涌电压在瞬间可以达到1.5-2.5倍的稳态工作电压。
因此，使用在低阻抗电路中时，考虑到开关瞬间的浪涌冲击电压会远超过产品容许承受的电压冲击，因此稳态的工作电压不能超过额定值的1/3。
否则，产品就非常容易出现瞬间的过压而击穿。
因此，在电路设计时必须为不断产生的浪涌留出电压余量。
在具体使用时，由于电路产生的热量积聚，产品工作时环境温度有可能达到50度以上，因此实际使用电压必须考虑到温度升高会导致产品的漏电流增加的问题。
因此实际使用电压应该更低。
在不同温度下产品应该使用的工作电压和失效率关系如下；由于钽电容器漏电流随温度的增加而增加。
工作在温度较高时，最大工作电压Vmax必须降额，合适的降额幅度可以从下面的公式中求得：式1：Vmax=( 1-(T-85)/125)×VR这里：T 是要求的工作温度值得注意的是上述公式只适用于高阻抗电路。
同时上述公式并没有考虑交流分量和浪涌的影响，因此当使用温度较高时，必须使用更大的降额电压才电阻能稳定可靠地工作如果只强调温度和电压，固体钽电容器的现场故障率可以从下面的表达式中计算出来：λ=λ0(V/V0)3×2(T-T0)/10这里：λ：实际工作条件下的故障率。
T：温度V：实际使用电压λ0：额定负载下的故障率。
(1% /1000h)T0：温度V0：额定电压测试条件：温度：85 ℃电压：额定电压Rs：3Ω[要求的线路保护电阻]不同的使用电压和不同的工作温度与产品的额定电压会导致出现不同的寿命，其计算方法如下；相同规格产品高温时使用电压不同时产生的漏电流不同，其产品失效率MTBF[式中的F]的计算见下式3：式中：F U：工作电压和额定电压的修正系数=U1/U R（U1为实际工作电压）F T：工作温度的修正系数=T1/T2（T1实际工作温度，T2为容许的最大工作温度85℃）F R：电路总电阻F B：基本的失效率（钽电容器的基本失效率是1%/1000小时）F的单位小时从上式中可看出，如果一个产品的工作温度较低，使用的电压也较低，那么它的失效率就非常低。
CA45 型片式固体电解质钽电容器 技术手册
特征与用途 Characteristics and Usage主要技术性能 Main Technical Performance■ 模压封装、密封性好、片式、体积小、重量轻、极性电 容器；■ 电性能优良、稳定可靠、等效于VISHAY公司293D型；■ 适用于移动通讯、摄像机、程控交换机、计算机、汽车 电子等各种电子设备的表面贴装直流或脉动电路。
□ Molded, good sealability, chip, small profile, light weight, polarized capacitor.□ Good electrical performance, stable and reliable, equivalent to 293D of VISHAY.□ The product is suitable to surface mounted direct current or pulsating circuit in various electronic equipments for mobile communication, vidicon, program controlled exchanger, computer, and auto electronics.■ 温度范围：-55℃～125℃（＞85℃时，施加降额电压使用）；■ 额定电压、降额电压、标称电容量：见表2；■ 电容量允许偏差：±10%、±20%；■ 高低温特性：见表2；■ 外形尺寸及外壳代号：见图1和表1。
□ Temperature range: -55℃~125℃（when above 85℃, derated voltage is applied）□ Rated voltage, derated voltage and rated capacitance see Table 2. □ Capacitance tolerance: ±10%；±20%；□ Characteristic at low and high temperature: see table 2 □ Physical dimension and case code: see Figure 1 and table 1.Type CA45 Chip Solid Electrolytic Tantalum Capacitor执行标准Executive Standard：Q/MM82A-2010标志 MARKING:外壳代号Case code 外形尺寸 mm Physical dimension新云XinYunEIA L W HL 1W 1M A 3216-18 3.2±0.2 1.6±0.2 1.6±0.20.65±0.2 1.2±0.2 1.0±0.2B3528-21 3.4±0.2 2.6±0.2 1.9±0.20.70±0.22.0±0.21.2±0.2C 6032-28 5.8±0.3 3.2±0.3 2.5±0.3 1.35±0.2 2.2±0.2 1.45±0.2E (D)* 7343-317.3±0.3 4.3±0.3 2.8±0.3 1.35±0.2 3.0±0.2 1.6±0.2H(E、X)**7343-437.3±0.34.3±0.34.1±0.3 1.35±0.2 3.0±0.21.6±0.2表1 电容器的外形尺寸 Table 1 Physical dimension注Note：*E壳等同于KEMET、VISHAY和AVX公司的D壳产品尺寸；The dimension of case E is equal to case D of KEMET, VISHAY and AVX . **H壳等同于KEMET公司的x壳、VISHAY和AVX公司的E壳产品尺寸。
片式钽电解电容器使用技术说明
钽电解电容器使用技术指南一.钽电解电容器性能简要说明钽电容器目前仍然是一种体积容量比最高的电荷能量储存元件,它能够储存的电能量高低取决于介质层的厚度和面积，而它的介质层的介电能力可以达到120KV/mm，它相对的介电常数为27×10-12法拉/米，因此钽电容器可以在很薄的介质层内承受极高的场强，这是它体积容量比较高的根本原因。
它可以储存的电容量C与介质层的厚度d及介质层的面积A之间的关系如下：C=(ε0εr A)/d这里：ε0是真空中的介质常数(8.855×10-12法拉/米)εr是五氧化二钽的相对介质常数=27d 是金属中电介质的厚度(单位是米)C 是电容量，单位法拉A 是表面积，单位是m2钽电容器能够储能是因为其介质层五氧化二钽具有容许交流电通过阻止直流电通过的单向导电性，因此它属于极性电容器，使用和测试时必须特别注意它与叠层陶瓷电容器的区别。
其介质层的形成是基于钽是一种阀金属，在电化学状态下形成的无定型五氧化物具有的单向导电性是它能够成为制造电容器的优良材料的根本原因，它的介质层形成的电化学原理见下化学式。
介质的厚度通过形成（赋能）过程中施加的电压进行控制，最初在酸性溶液中保持直流电流不变，直到达到正确的介质厚度，（即电压达到“赋能”电压），然后转换到电压不变，直到电流衰减接近为零。
下面的化学方程式介绍了该过程。
钽阳极：2Ta→2Ta5+ + 10e-2Ta5+ + 10 OH-→Ta2O5 + 5H2O阴极：10H2O – 10e-→ 5H2 + 10 OH-形成的阳极再通过化学方法，在介质层上沉积一层电子电导型的二氧化锰作为电容器的阴极，这样，电容器的电容量就可以在固态下被引出成为一个可以储藏电能量的元件，制造电容器使用的材料如下：阳极：钽粉和钽丝(Ta)引线保护：垫圈(聚四氟乙烯)介质：五氧化二钽(Ta2O5)阴极：二氧化锰(MnO2)对应电极：碳(C)装配：银胶(Ag) 银浆(Ag)防潮物：硅基材料包封材料：热固环氧树脂包装：塑料载带(聚碳酸酯)、塑料上带(聚酯)、塑料卷盘(聚苯乙烯)无铅引线框架无铅引线框架是铁(Fe)基镍合金，有薄的镍隔离层(Ni) 外镀100% 锡(Sn) 。
固体电解质钽电容器失效率鉴定
０ 引 言
电容 器失 效率 鉴定 方法 包括 指数 鉴定 和威 布尔
鉴定 两种 ， 其 中指 数 鉴 定 法 的适 用 范 围 更 广 ， ＭＩ Ｌ －
较 。本 文对 固体 电解 质钽 电容 器指 数分 布和威 布尔
分布失 效率 鉴定 方案 进行 了研 究 。
Ｓ Ｔ Ｄ － ６ ９ ０ Ｃ 一 １ ９ ９ ３ ， ＧＪ Ｂ ２ ６ ４ ９ —１ ９ ９ ６对 其抽 样 方 案 和 程 序作 出 了详细规 定 ， 而 威 布尔 鉴 定 法 仅 用 于 固体 电解 质钽 电容器 的 失效 率 鉴 定 ， 在 固体 电解 质钽 电
验 证这 两 种鉴定 方法 的正 确性 及可 行性 。但 因与 元
式中： 为 钽 电容器 的失 效率 。
钽 电容器 对应 的可靠 度
Ｒ（ ｔ ）一 １一 Ｆ（ ￡ ）一 ｅ ～ ． （ ２ ）
固体 电解 质钽 电容 器抽样 检 验一般 需要 有很 大数 量 的抽 样数 ” 。当 ”只 样 品 中 不 合 格 数 为 ｒ时 ， 样 品 合格 数 为 一ｒ ，”只 样 品 中 出 现 ｒ只 不 合 格 品 的 概 率
上 第 ３ １ 卷 ２ ０ １ ４年 第 １期
海
航
天
ＡＥＲＯＳＰＡＣＥ Ｓ Ｈ ＡＮＧＨＡＩ
文章编号 ： １ ０ ０ ６ 一 Ｉ ６ ３ ０ （ ２ Ｏ １ ４ ） ０ 卜０ ０ ６ ９ — ０ ４
固体 电解 质 钽 电容 器 失 效 率 鉴定
朱敏蔚 ， 陈 龙
（ 上 海 航 天 技 术 基 础 研 究所 ， 上海 ２ ０ １ １ ０ ９ ）
ｄ ｉ ｓ ｔ ｒ ｉ ｂｕｔ ｉ ｏｎ ｒ ｅ ｓ ｐｅ ｃ ｔ ｉ ｖ ｅ ｌ ｙ ｆ ｏｒ ｓ ｏ ｌ ｉ ｄ ｔ ａ ｎｔ ａ ｌ ｕ ｍ ｃ ａ ｐａ ｃ ｉ ｔ ｏｒ ｓ ｗｅ ｒ ｅ ｓ ｔ ｕ ｄｉ ｅ ｄ ｉ ｎ ｔ ｈ ｉ ｓ ｐａ ｐ ｅ ｒ ． Ｔｈｅ ｐｒ ｉ ｎ ｃ ｉ ｐ ｌ ｅ ｓ ａ ｎ ｄ ｃ ｈａ ｒ ａ ｃ ｔ ｅ ｒ ｉ ｓ ｔ ｉ ｃ ｓ ｏ ｆ ｔ ｈｅ ｔ ｗｏ ｅ ｖａ ｌ ｕａ ｔ ｉ ｏｎ ｍｅ ｔ ｈ ｏ ｄｓ ｗｅｒ ｅ ａ ｎ ａｌ ｙ ｚ ｅ ｄ ． Ｔｈｅ ａ ｐｐ ｌ ｉ ｃ ａ ｂ ｉ ｌ ｉ ｔ ｙ ｏｆ ｔ ｈ ｅ ｔ ｗｏ ｍｅ ｔ ｈｏ ｄｓ ｗａ ｓ ｃ ｏ ｍ ｐａ ｒ ｅ ｄ．
CA45型片式钽电解电容器
CA45 型片式钽电解电容器CA45 Chip Tantalum Capacitor本产品是专为表面贴装要求而设计的片式固体组电解电容器。
有A.B.C.D.E.S六种殻号，与CA42树脂包封产品相比，它具更低的等效串联电阻ESR。
适用于自动表面贴装机。
广泛用于尖端军事、电脑、手机等领域。
本产品执行EIA535BAAC和QC30081、Q/YHC.45-01技术标准。
Solid tantalum chip capacitors designed and manufactured with the demanding requirements of surface mount technology in mind. There are A,B,C,D,E,S six case codes. It has lower ESR Compared with the dipped tantalum capacitors. The product compatible with automatic pick and place equipment. Suitable for minlitary equipment and computer, ceil telephone and other electronic products. Meets the requirements of EIA535BAAC and QC300801, Q/YHC.45-01 standard.主要技术性能 Specifications外形尺寸表 Case size table项目 Item使用温度范围 Operating temperature range （℃）-55 ~ +125（above 85℃, use derated Voltage ）4 ~ 500.1 ~ 470±10%, ±20%I≤0.01C R U R (μA )或0.5μA （取较大值Whichever is greater ）额定电压范围 Rated voltage range （V ）标称电容量范围 Nominal capacitance range （μF ）漏电量 Leakage current （μA ）25℃损耗角正切值 Dissipation factor (tg δ)(20℃,120Hz )温度特性 Temperature characteristics （120Hz ）耐久性 Load life （+85℃）可靠性 Reliability （+85℃）标称电容量允许编差 Capacitance tolerance （%）特性 Characteristics在85℃、0.1Ω/V 串联电阻条件下1000小时失效2%的置信度是60%2% per 1000h at 85℃ with 0.1Ω/V Series Impedance 60% Confidence level.2000小时 2000 hours-55℃容量（μF ）Capacitance （μF ）容量变化（%）Capacitance Change损耗最大值（%）Max D.F （%）漏电流最大值 Max DCL （μA ）≤1.01.5 ~ 68-10-85℃+10-125℃-85℃-125℃-85℃-20℃-55℃-125℃+1261010 l 012 l 0≥100126101246861012D S A B C L 殻号 Case Size2.0 ± 0.23.2 ± 0.23.5 ± 0.26.0 ± 0.37.3 ± 0.3W 1.20 ± 0.21.60 ± 0.22.8 ± 0.23.2 ± 0.34.3 ± 0.3H 1.20 ± 0.21.60 ± 0.21.90 ± 0.22.0 ± 0.32.8 ± 0.3P 0.5 ± 0.30.8 ± 0.30.8 ± 0.31.3 ± 0.31.3 ± 0.3T w 1.2 ± 0.11.2 ± 0.12.2 ± 0.12.2 ± 0.12.4 ± 0.1E7.3 ± 0.34.3 ± 0.34.0 ± 0.31.3 ± 0.32.4 ± 0.1LHPWT wCA45 型片式钽电解电容器CA45 Chip Tantalum Capacitor电容器的额定电压、降额电压、浪涌电压、标称容量和殻号Rated Voltage, Voltage Derating, Surge Voltage and Nominal Capacitance特性曲线 Charcteristic Curve电容器的ESR 值ESR Value of capacitors额定电压（V ）Rated Voltage 浪涌电压（V ）+85℃Surge Voltage 浪涌电压（V ）+125℃Surge Voltage 降额电压（V ）Voltage Derating 0.150.1 4.02.55.03.46.34.08.05.010.06.313.09.016.010.020.012.020.013.026.016.025.016.032.020.035.023.046.026.050.033.065.038.00.220.330.470.681.01.52.23.34.76.8101522334768100150220330470S S A/S A/S A/S B/A B/A B/A C/B C/B D/C D/C D/C D/C D EA/S A/S A/S A/S B/A B/A B/A B/A B/A C/B C/B D/C D E EA/S A/S A/S A/S B/A B/A B/A C/B C/B D/C D/C D D E E EA/S S A/S B/A B/A B/A C/B C/B C D/C D/C D/C D D E ES S A/S A B/A B/A C/B D/C D/C D D D D E/D ES S S S S A/S B C C/B D/C D/C D EE D A A A A B/A B B C C C D/C D ED A B/A B B/A B B C C D/C D D D/C EA A 标称容量（μF ）Cpacitance殻号Case size（标准型/缩小型）（Standard / Extended ）0.150.146.31016202535500.220.330.470.681.01.52.23.34.76.810152233476810015022033047030.025.09/207.5/106.5/7.04/63.5/43.2/3.52.2/2.81.8/2.21.1/1.60.9/1.30.90.90.90.912/259/207.0/126.0/7.04/53/43.3/4.02.5/3.51.8/2.01.6/2.00.9/1.60.140.90.90.914/2510.0/257.0/155.5/104/53/42.0/3.02.2/2.81.8/2.41.1/1.60.9/1.20.90.90.90.90.913/2530.08.0/12.05.5/6.54.5/5.03.5/42.5/3.52.0/2.81.81.1/1.60.9/1.50.9/1.40.90.90.90.925.025.011/209.03.5/5.35/6.52.5/3.02.5/2.81.8/2.00.91.11.30.90.9/0.90.925.025.025.025.025.012/25 6.53.54.5/5.22.0/2.51.5/2.21.30.90.91.015.021.018.024.010/128.012.07.08.05.54.0/4.52.51.42.022.017.0/15.014.07/84.55.02.82.41.4/2.00.91.01.2/1.80.914.010.0（μF ）标称容量Cpacitance （标准型/缩小型）（Standard / Extended ）Ω额定电压（V ） Rated Voltage容量 C A P （%）频率 Frequency 140%120%100%80%60%40%100HZ1KHZ 10KHZ 100KHZ容量与频率的典型曲线Typical capacitance VS. frequency容量变化 C a p a c i t a n c e . %温度 Temperature ℃+15+10+50-5-550-40+40+80+125容量变化与温度的典型曲线Typical capacitance change with temperature漏电流 L e a k a g e C u r r e n t D C L /D C L 25℃温度 Temperature ℃1010.1-550-40-2040602080100125漏电流与温度的关系Typical leakage current change with temperature E S R （Ω）频率 Frequency 1001100.010.1100Hz 1KHz100KHz 10KHz0.1μF 0.33μF 1μF 10μF33μF100μF 330μF1MHz阻抗和esr与频率的典型曲线Frequency dependence of Impedance and ESR阻抗 Impedance （Z ）等效串联电阻 ESRCA45 型片式钽电解电容器CA45 Chip Tantalum Capacitor订货方法 How to order编带包装 Taping and packing 载带包装 Carrier Tape Dimension 单位Unit （mm ）卷盘尺寸 Reel DimensionsM = ±20%K = ±10%容量精度ToleranceM Rated voltage 4V=0046.3V=00610V=01016V=01625V=02535V=03550V=050额定电压DC voltage035T 代表编带B 代表散带T=Tape and reel B=bulk pack包装形式PackagingT 标称容量（pF ）前两位数字是有效数字后一位数字是零的个数105 10x105(pf )Theis Is expressed In Picofarads. The first two digits are the significant figures. The third is the number of zeros to follow.容量Capacitance106型号TYPECA45标记 Marking Specification A 105容量代码 Capacitance code in pF正极 Polarity直流工作电压 DC working voltage G:4V J:6.3V A:10V C:16V D:20V E:25V V:35V T:50V47616V容量代码 Capacitance code in pF正极 Polarity直流工作电压 DC working voltageA 殻号 A SIZE 16V105B 、C 、D 殻号 B 、C 、D SIZE 16V4762.0Φ21±0.5Φ13±0.5Φ178±2.0Φ50m i n2.0±0.5W殻 号Case Size A B C D E SW8.4（+1.50, -0.00）12.4（+2.00, -0.00）12.4（+2.00, -0.00）12.4（+2.00, -0.00）每盘标准数量Qty. per reel20005004002500A ± 0.21.61.93.13.64.74.6B ± 0.22.43.53.86.47.77.6C ± 0.14.04.04.08.08.08.0E ± 0.11.751.751.751.751.751.75F ± 0.13.53.53.55.55.55.5W ± 0.18.08.08.012.012.012.0殻 号Case SizeS A BC D EAEmbossed EFWAnode （+）CB++。
物料优选原则(7类)
电子器件选型指导书目录1101电阻器 (2)1102电容器 (4)1103电感器 (10)1104晶体晶振 (14)1105二极管 (17)1106三极管 (22)可编程器件 (25)1101电阻器金属膜电阻器1.推荐厂家2.选型原则（1）不论那种电阻器，都不能选用边缘极限规格；（2）对于金膜电阻器，1W以下功率优选金属膜电阻，1W及1W以上功率优选金属氧化膜电阻；（3）金属膜电阻器就是在陶瓷骨架表面，经真空高温或烧渗工艺蒸发沉积一层金属膜或合金膜。
由于其电阻体是金属或合金材料，又是在高真空条件下制备的，因而电阻器性能优良。
（4）金属膜电阻器的优点是：精度高、稳定性好、噪声低、电压系数小、体积小、高频特性好，且允许工作环境温度范围大（-55～+125℃）、温度系数低、耐热性好。
常常用作精密和高稳定性的电阻器。
（5）对于金属膜电阻器，优先选择1/4W及1/2W 功率的金属膜电阻器,当对功率、安装空间等无要求时，优选1/4W。
（6）对于金属膜电阻器，1W以下功率的优选±1%精度。
（7）对于金属膜电阻器，±1%精度的电阻器优选E96系列。
（8）对于金属膜电阻器，±5%精度的电阻器优选E24系列。
（9）对于金属膜电阻器，±0.1%精度的高精度电阻器优选E192系列。
（10）对于金属膜电阻器，电阻工作的平均功率必须小于其额定功率值的60%。
金属氧化膜电阻器1.推荐厂家2.选型原则（1）金属氧化膜电阻器的电阻体是沉积在绝缘基体表面上的一层金属氧化物薄膜（在玻璃、瓷器等材料上，通过高温以化学反应形式生成以二氧化锡为主体的金属氧化层）。
由于氧化膜膜层比较厚，因而金属氧化膜电阻器的优点是：耐磨、耐腐蚀、化学性能稳定、寄生电感量小。
（2）对于金属氧化膜电阻器，实际功率等级有1/6W、1/4W、1/2W、1W、2W、3W、5W 等。
（3）对于金属氧化膜电阻器，1W及1W 功率以上的为优选金属氧化膜电阻器。
03_CA45L
额定电压 UR （ V） Rated voltage
降额电压 UC （ V） Derating
浪涌电压 US （ V） Surge voltage
2.5(e) 1.7 3.2
4(G) 2.5 5
Table3 Capacitance and rated voltage by case size
6.3(J)
损耗最大值（％） DF Max.
漏电流最大值（μA） DCL Max.
CR （μF） －55℃
＋85℃ ＋125℃ －55℃
＋25℃
＋85℃ ＋125℃ ＋85℃
＋125℃
≤1.0
6
4
6
6
1.5～68
8
6
8
8
100～220
±10
±10
±12
12
8
330－470
14
12
12
12
10I0
14
14
＞470
226
33
336
47
476
68
686
100
107
150Biblioteka 157220227
330
337
470
477
680
687
1000
108
A A A B B B/C/D C/D D D/E D / (M) E
P P/A P/A P/A P/A/B A/B A/B/C A/B/C A/B/C B/C/D B/C/D B(M)/C/D C/D D/E D/E D/E
(0.075±0.008)
2.5±0.3
(0.098±0.012)
2.8±0.3
(0.110±0.012)
《钽电容器基本知识》PPT课件
至此，固体钽电容器的基本构成已建立。
阳极----钽
介质----Ta2O5氧化膜
钽丝
钽粉
阴极----MnO2
Ta 2O 5
在 MnO2 层表面涂覆导电
MnO2 石墨
石墨和银浆仅起阴极引出
银浆
作用。
➢ 5）装配
气密封固体电解质钽电容器采用铜外壳玻璃粉 绝缘子封装，其外壳为负极（如CA、CA-8等）。
➢ 因构成电解电容器介质的金属氧化膜绝非完美 无缺，其表面或多或少地存在一些孔洞、疵点、 裂缝。电解电容器的漏电流就是通过这些缺陷 的电子电流和离子电流。
➢ 电解电容器的漏电流与电容量大小和施加的电 压有关。
Il = KCU (μA) ➢ 漏电流的大小和所处的环境温度有关。
➢ 电容器漏电流测试时应注意，当电容器施加直流电压 时，可以观察到电流的变化，开始较大，以后随时间 逐渐下降。
a) 电流型失效，常见于电容器的漏电流异常增大，表明 其氧化膜上的缺陷部分恶化，引起介质的漏导增大，最后 导致介质短路。如在充放电频繁的电路中，可能的情况下 应串联保护电阻。当电压一定时，串联电阻越大即Ω/V值 越大，失效率显著减小。美军标MIL-C-39003/6中规定， 在85℃条件下，可串联3Ω电阻，并耐1A电流冲击。
因漏电流测试仪的充电电流较小（＜200mA） 对于容值较大的电容器(尤为液钽)，漏电流需 经缓慢下降才能达稳定值 ，我司工艺规定1min读 数。
➢ 电容量、损耗角正切测试频率为100Hz，测试 仪设置为串联模式。
➢ 钽电容器现行标准：
GJB63B-2001 GJB773A-96 GJB63A/1A-91 SJ50063/3-2002 SJ50733/3-2003 SJ52283/1-96 SJ20208-92 GB/T2693-2001 GB9583-88 GB7215-87 SJ/T10030-91 SJ/T10504-94 QZJ840628
耐压等级最高的电容器
耐压等级最高的片式钽电容器片式钽电容器的阴极采用电子电导型的二氧化锰作为产品阴极，二氧化锰生产的电解电容器具有非常强的自我修补能力，因此，自60年代问世以来，目前为止，它仍然是中高压固体钽电容器最合适的阴极材料。
尽管近些年已经出现了高频阻抗更低的3，4乙烯二氧噻吩[聚噻吩]作阴极的高分子片式钽电容器，但由于高分子阴极的电阻率太低，因此，它不能使用在16V以上的钽电容器上。
在生产二氧化锰作阴极的片式钽电容器时，二氧化锰阴极使用化学分解的方法来制造，由于产品反复经过多次的高温化学分解，因此，在生产结束时，产品的耐压将有大幅度下降。
为了弥补化学分解制造阴极时导致的耐压下降问题，一般在决定产品耐压高低的介质层形成时，必须使用远远高于额定电压的形成电压来形成介质层。
一般使用的介质层形成电压和额定电压的比例为4：1。
也就是说额定电压为50V的产品的介质层形成电压必须达到200V 以上产品的耐压才可以保证。
而由于体积限制，片式钽不同壳号的尺寸采用IEC标准，因此装粉量受到严格限制。
同时，受制于生产钽电容器使用的钽粉生产技术水平的限制，在有限的壳号内，片式钽电容器的最高耐压一般最高只能达到50V的水平。
片式钽最大的使用电路基本上都是高浪涌高纹波的开关电源电路，使用在此类低阻抗电路，使用电压只能达到额定电压的1/3，为存在的浪涌留出足够的余量才可以保证安全和可靠性能够达到整机的可靠性要求。
因此，50V的片式钽在此类电路的上限使用电压不能超过16V，如果电路中的供电电流较小[例如使用电池供电的电路]，使用电压才可以达到额定电压的1/2。
当此类电路的使用电压较高时，特别是高可靠的军用电路，必须使用耐压更高的片式钽电容器才可以达到高可靠要求。
为了达到特殊的军用电路要求，北京718电子有限责任公司专门开发了一种新型的片式钽电容器，此产品使用了最新的高可靠材料和最新的介质层形成技术，产品的耐压可以达到63V以上。
产品的温度特性极为优良，在-55-+125度内，容量变化率在-3-+3%以内。
片式钽电容器介绍和使用注意事项
片式钽电容器介绍和使用注意事项•钽电容器产品介绍01•钽电容器常见失效模式和避免方法02•电容器选型注意事项03片式固体钽电容器的工艺流程钽粉压制 烧结 介质层形成被MnO 2/聚合物涂石墨和银浆装配塑封打标+测试+成型钽块2~10μm1200~2000℃引线 树脂外壳阳极 引线框架阴极介质层阳极MnO 2/聚合体Ta 2O 5 Tantalum阴极材料 介质层 阳极材料Ta 2O 5外装M nE x t e r i o r M n O 2内装Mn Interior MnO 2TaTa 电容器表面断面照片Ta 电容器模拟结构图银浆层表面MnO 2层Ta 电容器断面照片Ta 电容器的内部结构照片片式钽电容器使用材料阳极引线阴极引线 钽丝焊接处垫片银浆石墨导电银胶聚合物(MnO 2)/Ta 2O 5/Ta名称使用材料阳极钽粉和钽丝 介质 五氧化二钽 阴极 聚噻吩、二氧化锰对应电极碳、防潮物（硅基材料）、银浆 装配银胶引线框架 铁镍合金；表面镀锡铋的纯铜 包封材料热固型阻燃环氧树脂钽电容器参数指标——容量（电容量）电荷在电场中会受力而移动，当导体之间有了介质，则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上，造成电荷的累积储存，储存的电荷量则称为电容量；图例为二氧化锰B 壳6.3V100μF 的频率特征曲线0 20 40 60 80 100 120 20853641,5546,629 28,284 120,684 514,933容量C a p a c i t a n c e (μF )频率Frequency(Hz)频率特征曲线Capacitance vs. FrequencyCs(μF)-火炬 Cs(μF)-Afo=1/2πR CC=(ε0εr A)/d正极板(面积A)负极板(面积A) 介质层(介电常数εr ；厚度d)ε0：相对介电常数钽电容器参数指标——损耗（损耗角正切）电容器是一种实际电容器、不是理想电容器，在外施交流电压的作用下，除了会输出一定容量的无功功率Q之外，在电容器的内部介质中、在电容器的极板中、引线等导体中，以及在介质层的漏泄电流等都会产生一定的有功损耗功率P。
电子设备用固定电容器 第15部分：分规范 非固体或固体电解质钽电容器-最新国标
电子设备用固定电容器第15部分：分规范非固体或固体电解质钽电容器1 总则1.1 范围本规范适用于电子设备用极性和双极性的非固体或固体电解质钽电容器。
本规范包括长寿命电容器和通用电容器。
对于特殊用途的电容器可增加附加要求。
本规范包括两个基本小类：小类1：非固体电解质多孔阳极钽电容器小类2：固体电解质多孔阳极钽电容器。
1.2 目的本规范的目的是对这种类型的电容器规定优先额定值和特性，并从IEC 60384-1：2016中选择适用的质量评定程序、试验项目和测量方法，以及给出一般性能要求。
详细规范中引用本分规范的试验严酷度和要求应具有相同或较高的性能水平，降低性能水平是不允许的。
1.3 规范性引用文件下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款。
本规范出版时，所示版本均为有效。
所有规范都会被修订，鼓励根据本规范达成协议的各方研究是否可使用下列文件的最新版本。
IEC和ISO成员国均持有现行有效版本。
IEC 60063 电阻器和电容器的优先数系（IDT GB/T 2471—2024）IEC 60068-1:2013 电工电子产品环境试验 第1部分：总则（IDT GB/T 2421-2020）IEC 60068-2-6 环境试验 第2部分第6章节: 试验—Fc: 振动 (正弦)（IDT GB/T 2423.10—2019）IEC 60068-2-14 环境试验第2部分第14章节: 试验—N: 温度变化（IDT GB/T 2423.22—2012） IEC 61193-2:2007, 质量评估系统-第2部分- 电子元件和包装件检验用抽样方案的选择和使用 GB/T 6346.1—2024 电子设备用固定电容器 第1部分：总规范ISO 3, 优先数 — 优先数系1.4 详细规范中应规定的内容1.4.1 概述详细规范应根据有关的空白详细规范来编写。
详细规范规定的要求不应低于总规范、分规范或空白详细规范。
当包括更严格的要求时，应在详细规范的1.9中列出，并在试验一览表中注明，如：用“*”表示。
电子元器件的质量等级
电子元器件的质量等级汇总整理? ? 张增照1元器件质量保证有关标准 (3)1.1规范 (3)1.2标准 (4)2可靠性表征方式 (5)2.1元件的失效率等级 (5)2.2产品保证等级 (6)3元器件的质量认证 (7)4元器件的质量等级 (8)4.1用于元器件生产控制、选择和采购的质量等级 (8)4.2用于电子设备可靠性预计的质量等级 (10)4.3元器件两种质量等级的比较 (10)5元器件的选用与质量标记 (19)5.1元器件的选用 (19)5.2质量标记 (21)6结束语 (22)元器件质量保证有关标准为了保证军用元器件的质量，我国制订了一系列的元器件标准。
在七十年代末期制订的“七专”7905技术协议和八十年代初期制订的“七专”8406技术条件（以下统称“七专”条件），“七专”技术条件是建立我国军用元器件标准的基础，目前按“七专”条件或其加严条件控制生产的元器件仍是航天等部门使用的主要品种。
（注：“七专”指专人、专机、专料、专批、专检、专技、专卡）根据发展的趋势，“七专”条件将逐步向元器件的**军用标准（GJB）过渡。
因此，以下将主要介绍元器件**军用标准的有关情况。
从八十年代开始，我国军用标准化组织参照美国军用标准（MIL）体系建立了GJB体系，其中元器件的标准有规范、标准、指导性技术文件三种形式：a. 规范—主要包括：元器件的总规范和详细规范，这两种规范统称产品规范。
b.标准—主要包括：试验和测量标准、质量保证大纲和生产线认证标准、元器件材料和零件标准、型号命名标准、文字和图形符号标准等；c. 指导性技术文件—主要包括：指导正确选择和使用元器件的指南、用于电子设备可靠性预计的手册、元器件系列型谱等。
根据我国的具体情况，军标分为**军用标准、行业军用标准、企业军用标准三个级别。
下面对组成**军用元器件标准体系的三种形式：规范、标准和指导性技术文件分别举例作简要的介绍。
1.1规范元器件规范主要包括：元器件的总规范（通用规范）和详细规范两个层次。