单晶炉技术说明书[1]
DRF-85型单晶炉使用说明书(电气部分)
DRF-85型单晶炉使用说明书(电气部分)目录一.TDR-ADC单晶炉电气控制系统组成 (4)1. 概述 (4)2. TDR-ADC电气控制系统组成及功能 (5)2.1 TDR-ADC晶体生长控制柜 (6)2.1.1 TDR -SLCL(PLC) 晶升埚升速度控制单机 (6)2.1.2 TDR -SRCR晶转埚转速度控制单机 (6)2.1.3 TDR -TEMP温度控制及工控机单机 (7)2.1.4 控制柜继电控制单元 (8)2.1.5 控制柜面板 (8)2.2 加热功率部件 (8)2.2.1 主加热功率部件 (8)2.2.2 辅助加热功率部件(选件) (9)2.3 继电控制 (9)2.3.1 液压系统的继电控制 (9)2.3.2真空机组的继电控制 (9)2.4 辅助控制部分 (9)2.4.1 HX-TDR主机分线盒接口装置 (9)2.4.2 HX-SEED2 引晶装置 (10)2.4.3 TDR -LIN晶升埚升计长板 (10)2.4.4 限位开关 (10)2.4.5 冷却水温度测量 (11)2.4.6 晶体直径测量 (11)3. TDRF-85炉的TDR-ADC电气控制系统接线说明 (11)3.1 TDRF-85炉的晶体生长控制柜接线说明 (11)3.1.1 控制柜内元件接线 (11)3.1.2 控制柜端子排接线 (11)二.TDR-ADC单晶炉电气控制系统安装调试 (23)1. 安装说明 (23)1.1 控制系统配置 (23)1.1.1 TDR -ADC晶体生长控制柜 (23)1.1.2 加热功率部件 (24)1.2 接线说明 (24)1.2.3 主机分线盒接线说明 (25)2. 系统调试 (25)2.1 TDR-ADC晶升埚升速度系统调试 (25)2.1.1 晶升速度调试 (29)2.1.2 埚升速度调试 (31)2.2.1 晶转埚转速度交流伺服电机简介 (34)2.2.2 晶转埚转速度调试 (35)2.3.1 TDR-TEMP温度控制及工控机单机 (36)2.3.3 加热温度控制部分调试 (41)2.4 TDR-ADC继电控制调试 (42)2.4.1真空机组继电控制调试 (42)2.4.2液压系统的继电控制调试 (43)2.5 TDR-ADC水温检测及限位开关调试 (44)2.5.1 冷却水温监测及超温报警 (44)2.5.2 限位开关调试 (44)三。
单晶炉技术说明书
单晶炉技术说明书1000字单晶炉是一种用于生产高品质单晶体的设备,它是半导体产业的重要设备之一。
下面我将为大家介绍单晶炉的技术说明书。
一、单晶炉的结构单晶炉主要由炉体、加热系统、制冷系统、控制系统等组成。
1. 炉体:炉体是单晶炉的主要组成部分,主要由炉体本体、电极、隔热材料和炉内环境构成。
炉体内部需要保持一定的真空或惰性气氛,以确保单晶生长的质量和稳定性。
2. 加热系统:加热系统是单晶炉的关键部分之一,它主要由加热元件、加热源、温度控制等组成。
加热源可以是电阻丝、感应加热、火焰等形式,但大多数单晶炉使用的是电阻丝。
3. 制冷系统:制冷系统是单晶炉的另一个重要部分,它主要用于保持单晶生长的过程,在单晶炉内部形成适宜的温度梯度和温度分布。
制冷系统主要由冷却水系统和压缩机组成。
4. 控制系统:控制系统是单晶炉的核心,它主要由计算机控制系统和温度控制系统组成。
计算机控制系统主要用于控制整个单晶炉的运行和生长过程,包括加热、真空、气氛等参数,而温度控制系统则主要用于精确控制单晶生长过程中的温度。
二、单晶生长过程单晶生长是单晶炉最重要的功能之一,主要通过以下步骤进行:1. 清洗晶体:将要生长的晶体进行表面清洗,去除表面杂质、油脂等污物和氧化物,确保晶体表面的干净度。
2. 落合:将准备好的晶种和熔融的材料放到炉体中,让晶种和熔融材料相遇,然后慢慢拉出晶种,使熔融的材料附着在晶种上。
3. 晶体生长:炉体内部形成的温度梯度和温度分布,使得材料开始在晶种上生长,形成单晶体。
4. 结晶完成:当晶体完成生长后,将晶体缓慢升温,淬火,将单晶从晶棒上取下。
三、单晶生长常见问题及解决办法1. 晶体表面不平整:可能是晶体过快生长,或熔融液中杂质太多。
解决办法:加大温度梯度,降低熔融材料的污染。
2. 晶体裂纹:可能是晶体过快生长,晶体内部应力过大。
解决办法:控制生长速度,减小温度梯度。
3. 不均匀生长:可能是炉内温度不均匀,或者晶种准备不足。
上海汉虹单晶炉说明书
上海汉虹单晶炉说明书目录一.概述: (2)1.1 主要用途和适用范围: (2)1.2 产品特点: (2)1.3 使用条件; (3)二.工作原理与结构特征: (4)2.1 工作原理及其总体结构: (4)2.2 主要部件的结构特征: (5)三.技术特性: (7)3.1 主要性能: (7)四.尺寸和重量: (8)4.1 外形及安装尺寸: (8)4.2 重量: (8)五.安装调整: (8)5.1 设备基础,安装的技术要求: (8)5.2 安装程序及注意事项: (9)5.3 安装、调整后的验收试验项目: (9)5.4 试运行前的准备: (10)六.使用和操作: (10)6.1 使用前的准备和检查: (10)6.2 启动及运行过程中的操作程序: (10) 6.3 运行中的监测和记录: (13)6.4 停机的操作程序、方法及注意事项: (13)七. 故障分析与排除: (13)八安全保护装置及事故处理: (14)8.1 安全保护装置及注意事项: (14)8.2 出现故障时的处理程序和方法: (15)九保养和维护: (15)9.1 日常维护、保养和校准: (15)9.2 检修周期: (18)9.3 正常维修程序: (18)9.4长期停产时的维护和保养: (19)十.运输和贮存: (19)10.1吊装、运输注意事项: (19)10.2贮存条件贮存期限及注意事项: (19)十一.开箱及检验: (19)11.1开箱注意事项: (19)11.2检查内容: (19)十二. 其他: (19)12.1售后服务事项: (19)12.2联系方法: (20)12.3附录一(密封件清单) (21)12.4附录二(易损件清单) (22)12.5附录三(随机附件清单) (23)FT-CZ2008单晶炉使用说明书(机械部分)一.概述:1.1 主要用途和适用范围:单晶炉是生产电子、太阳能及其他高科技行业原材料的重要设备。
FT-CZ2008型是通过引进日本技术,针对太阳能电池市场需求而开发的高性能晶体生长炉。
单晶炉DRF95使用说明书(机械-最新)
机械部分目录
1.
1.1 1.2 1.3 1.4
综述〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃1
7.13 拉晶过程中速度记录曲线出现尖刺 7.14 欧陆表显示断偶(or) 7.15 非故障报警 7.16 加热过程中电流突然下降 7.17 加热电压加至 0V 突然回零 7.18 过流
〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃 〃19
晶体直径(mm) 6″(φ154)
单晶等径尺寸(mm) 1900 1060 1400 900
20″(φ505×375)
90 8″(φ206) 8″(φ206) 10″(φ257)
22″(φ555×400)
120
3
2.设备安装与要求
2.1 设备的工作环境: 本设备应放臵在专用混凝土基础上, 环境条件应选择恒温、恒湿车间。应在清洁、减 振的工作环境中工作,也可选择在与空气中粉尘、振动和冲击波隔离的较好环境中工作。地 面应尽量平整,并有自然排水孔,使清理下的泄水能自然排放及回收处理。 外界突然较强烈的冲击振动,可能会影响晶体的内在质量。 因此, 厂房应尽量选择在避 开震源的地方。当条件限制不能避开时,则要作必要的隔振措施。其具体要求条件为: 室温 相对湿度 外界震源: 205℃ ≤65% 当大于 10HZ 时,振幅值应小于 0.10mm
晶盛单晶炉操作说明
晶盛单晶炉操作说明
1. 简介
本章节将对晶盛单晶炉进行简要的介绍,包括其主要功能和特点。
2. 安全须知
在使用晶盛单晶炉之前,请务必阅读并遵守以下安全须知,以确保您的人身安全和设备正常运行。
3. 设备结构与组成部分
这一章节详细描述了整个设备的结构,并列出了各个组成部分及其作用。
同时还提供了相应图示以便更好地理解。
4. 操作流程步骤
a) 准备工作:在开始操作之前需要做哪些准备工作?
b) 开机启动:如何正确开启电源、控制面板等?注意事项有哪些?
c) 参数设置:如何根据实际需求设置温度、时间等参数?
d) 样品放置与取出方法: 如何正确放置样品到加热台上?怎么才能够安全地从加热台上取下样品?
5. 故障排除指南
如果在使用过程中发生故障或异常情况时,该怎么办呢?这里给出一些建议性内容来帮助用户快速定位和解决问题。
6. 维护与保养
为了确保设备的长期稳定运行,本章节将介绍一些常见的维护与保养方法,并提供相应注意事项。
7. 常见问题及解答
这里了用户在使用晶盛单晶炉过程中经常遇到的一些问题,并给出详尽而简明扼要地回答。
希望能够对您有所帮助。
8. 相关附件
本文档涉及以下附件,请参阅:
- 晶盛单晶炉操作手册.pdf
9. 法律名词及注释
- 单晶:指具有完整、连贯结构并无缺口或杂质等不均匀性存在的物体。
- 熔融法:通过加热原料至其溶点以上使之变成流动状态后再逐渐凝固形成单个大颗粒(即“种子”)以制得高纯度金属产品或合金产品。
单晶炉技术说明书
6.2.籽晶旋转及提升机构的维修
籽晶旋转及提升机构也是单晶炉的关键部件,该部件运行的好坏直接影响单晶的生长。因此,也须重点维护。
卷轮箱是籽晶提升的核心,卷轮箱内的零件一般情况下不得随意拆除,必须拆除时,重新安装时必须保证软轴对中。软轴钢丝绳在使用中不准有死弯现象,并在每次开炉时检查钢丝绳是否烧损,如有烧损应及时修整或更换新的钢丝绳。
氩气纯度:>99.999%
氩气压力:0.05~0.2MPa
氩气流量:100L/min
氩气管道泄漏率:<0.01Pa/min
4.5.泵组系统
泵与主机之间设置有电动阀及除尘器,中间用波纹管连接,以减少振动传递。
泵与主机之间最好设隔断墙、并具备良好的废气排放及防污染工作环境。
5.炉子结构说明
单晶炉包括机架、坩埚驱动装置、主炉室、翻板阀、副炉室、籽晶提升机构、炉体升降驱动装置、真空系统、充气系统及水冷系统等组成。机架由型材焊接而成,是炉子的支撑装置。坩埚驱动装置安装在机架下部的平板上。主炉室固定机架的上平面上,翻板阀连接在主室与副室之间,籽晶提升机构安装在副室上。炉体升降驱动装置安装在机架后侧的立柱上。
3.15.坩埚升速范围:0~2mm/min0~2mm/min
3.16.坩埚快速:≥100mm/min≥100mm/min
3.17.坩埚转速范围:0~20R/min0~20R/min
3.18.籽晶提升有效行程:2900mm3000mm
3.19.坩埚升降有效行程:400mm400mm
3.20.主机占地面积:2500mmX1500mm2000mmX1500mm
松瓷单晶炉使用说明书
松瓷单晶炉使用说明书一、介绍松瓷单晶炉是一种先进的炉具,用于制造高品质的单晶材料。
本说明书将详细介绍松瓷单晶炉的使用方法和操作步骤,以帮助用户正确使用和维护该设备。
二、设备特点松瓷单晶炉具有以下特点: 1. 高温稳定:松瓷单晶炉能够提供稳定的高温环境,以实现单晶材料的高质量生长。
2. 环保节能:松瓷单晶炉采用先进的加热技术和节能设计,具有较高的能源利用率和环保性能。
3. 自动控制:松瓷单晶炉配备智能控制系统,可以实现温度、压力等参数的自动控制和调节。
三、操作步骤3.1 准备工作在使用松瓷单晶炉之前,需完成以下准备工作: 1. 确保炉具周围环境干燥、无可燃物质和易燃易爆物品。
2. 检查电源和电压是否符合要求,确保接地良好。
3. 清洁炉具内外表面,确保无杂质和污垢。
3.2 启动炉具按照以下步骤启动松瓷单晶炉: 1. 打开炉具控制面板电源开关,并确保面板显示正常。
2. 按照操作界面上的提示,设置所需的温度、压力等参数。
3. 按下启动按钮,等待炉具进入工作状态。
3.3 放置试样将待生长的单晶试样轻放到预定位置,避免与炉具接触面直接接触。
确保试样的完整性和良好的适配性,以提高生长质量。
3.4 生长过程监控在整个生长过程中,需要不断监控和调整参数,以确保生长质量。
以下是一些常见的监控要点: 1. 温度控制:根据生长材料的要求,控制炉膛温度在合适的范围内,并保持温度稳定。
2. 压力控制:根据生长材料的需求,控制气氛压力,并定期检查和调整气氛组分。
3. 液位监测:对于液相生长过程,需要定期检查和调整溶液的液位,以保持生长条件稳定。
3.5 停止工作在完成生长过程后,需要正确停止炉具的工作。
按照以下步骤进行: 1. 关闭炉具控制面板电源开关,并断开电源。
2. 等待炉具冷却至安全温度后,进行内外清洁和维护。
四、维护保养为了保证松瓷单晶炉的正常运行和延长使用寿命,需要进行定期的维护保养工作。
以下是一些常见的维护保养事项: 1. 定期清洁:定期清洁炉具内外表面,清除积尘和杂质,确保通风畅通。
晶盛单晶炉操作说明
.全自动单晶炉操作手册REV. MANUAL_ZJS.Z02(TDR80A-ZJS/TDR85A-ZJS/TDR95A-ZJS适用)2009年05月上虞晶盛机电工程有限公司SHANGYU JING SHENG M&E ENGINEERING CO., LTD目录第一章单晶生长条件 (2)1.1 设备要求 (2)1.2 辅料要求 (3)1.3 安全要求 (4)第二章单晶生长标准流程 (5)2.1 拆炉 (5)2.2 装炉 (6)2.3 开始单晶的生长 (8)2.4 抽真空 (9)2.5 检漏 (11)2.6 压力化 (12)2.7 熔料 (13)2.8 稳定化 (15)2.9 熔接 (16)2.10 引晶 (18)2.11 放肩 (19)2.12 转肩 (20)2.13 等径 (21)2.14 收尾 (22)2.15 停炉 (23)第三章单晶生长辅助流程 (24)3.1 中途取晶 (24)3.2 回熔 (26)3.3 煅烧 (26)3.4 大清 (27)3.5 连接部位检查 (27)第四章相机调整与热场温度校正 (28)4.1 相机调整 (28)4.2 热场温度调整 (32)第五章异常情况处理 (33)5.1 断水 (33)5.2 电极故障 (33)5.3 打火 (33)附录故障速查 (34)第一章单晶生长条件1.1 设备要求1.1.1 运行条件(以下以TDR-85A-ZJS炉为例,其余炉型要求参照说明书)(1)冷却水要求水压:炉子进出水压差要求介于2~3公斤之间,真空泵进出水压差要求1.5公斤以上;炉子进水压力不可超过3.5公斤,炉子上冷却水安全阀设置压力6公斤;水流率:炉子和电源要求供水量不低于250升每分钟,单独电源要求供水量不低于20升每分钟;水温:推荐进水温度18~24oC,最大不超过25oC;水质:弱碱性水,PH值6~9;氯离子含量≤10ppm,碳酸钙含量≤50ppm;以纯净软水为好。
单晶炉 SOP系统作业参数说明书
小。
Shutdown
这一步骤是在单晶生长过程完成之后的冷却期。
停炉
Backout
自动煅烧步骤可以去除杂质、清洁热场,这些杂
煅烧
质是在拉晶过程中积累在坩埚壁上的。
4
2.2 初始化设置 SOP 允许使用者输入单晶生长过程的开始信息。在其它生长过程中将会使用
这些参考信息。用这种方法,关于单晶炉的特殊信息就进入了控制柜的软件界面 来分辨炉子的类型。
系统作业参数(SOP)操作手册
目录
第一章 简介
1.1
关于这本手册
1.2
常用文件
1.2.1 菜单命令
1.2.2 参数屏幕
目录
表
1.2.3 命令条
举例
第二章 SOP 内容
2.1 SOP 表
2.2 初始化设置
2.3 抽真空/检漏
2.4 压力化/熔料
2.5 熔料步骤
2.6 稳定化 I
2.7 稳定化/熔接
2.8 引晶
6
2.4 压力化/熔料 在单晶生长过程中,压力化和熔料是两个不同的操作过程,在 SOP 中它们被
合在一起。 压力化——这是熔料前的步骤,在主真空阀打开时,氩气流量被设定到设定
值,压力控制回路起作用,调节流量阀的位置使炉内压力保持在特定的压力设定 值。
熔料——这一缓慢的熔化过程使硅料在坩埚中连续熔化。
5
2.3 抽真空/检漏 在单晶生长的自动操作中,抽真空和检漏是两个不同的步骤,在 SOP 中它们
被和在一起。 抽真空——这一步骤在单晶生长过程开始前抽出炉体中存在的空气。 检漏——在进入熔化过程前,自动关闭主炉室管路阀来监视炉内压力(单位为毫 托)数值的上升幅度来检测在真空密封性能。
单晶炉操作说明
.全自动单晶炉操作手册REV. MANUAL_ZJS.Z02(TDR80A-ZJS/TDR85A-ZJS/TDR95A-ZJS适用)2009年05月上虞晶盛机电工程有限公司SHANGYU JING SHENG M&E ENGINEERING CO., LTD目录第一章单晶生长条件 (2)1.1 设备要求 (2)1.2 辅料要求 (3)1.3 安全要求 (4)第二章单晶生长标准流程 (5)2.1 拆炉 (5)2.2 装炉 (6)2.3 开始单晶的生长 (8)2.4 抽真空 (9)2.5 检漏 (11)2.6 压力化 (12)2.7 熔料 (13)2.8 稳定化 (15)2.9 熔接 (16)2.10 引晶 (18)2.11 放肩 (19)2.12 转肩 (20)2.13 等径 (21)2.14 收尾 (22)2.15 停炉 (23)第三章单晶生长辅助流程 (24)3.1 中途取晶 (24)3.2 回熔 (26)3.3 煅烧 (26)3.4 大清 (27)3.5 连接部位检查 (27)第四章相机调整与热场温度校正 (28)4.1 相机调整 (28)4.2 热场温度调整 (32)第五章异常情况处理 (33)5.1 断水 (33)5.2 电极故障 (33)5.3 打火 (33)附录故障速查 (34)第一章单晶生长条件1.1 设备要求1.1.1 运行条件(以下以TDR-85A-ZJS炉为例,其余炉型要求参照说明书)(1)冷却水要求水压:炉子进出水压差要求介于2~3公斤之间,真空泵进出水压差要求1.5公斤以上;炉子进水压力不可超过3.5公斤,炉子上冷却水安全阀设置压力6公斤;水流率:炉子和电源要求供水量不低于250升每分钟,单独电源要求供水量不低于20升每分钟;水温:推荐进水温度18~24oC,最大不超过25oC;水质:弱碱性水,PH值6~9;氯离子含量≤10ppm,碳酸钙含量≤50ppm;以纯净软水为好。
单晶炉技术说明书
坩埚轴为两段组装空心水冷结构,在轴的下部设有一水套可以引入冷却水。坩埚轴的旋转密封采用磁流体密封,升降密封采用焊接波纹管密封。
坩埚驱动装置包括坩埚的升降、快速升降、及坩埚的旋转驱动。坩埚的升降结构采用滚珠丝杠及双直线导轨导向的结构,系统刚性好,运动精度高。升降运动由直流伺服电机经蜗轮蜗杆减速器、齿形带、諧波减速器减速之后,通过牙嵌式电磁离合器驱动丝杠,由螺母带动升降架升降。快速电机通过蜗轮蜗杆减速后驱动丝杠转动,实现坩埚的快速升降。手动装置通过一对斜齿轮带动丝杠旋转,达到坩埚升降目的。安装在升降支架侧面的旋转电机通过楔形带实现坩埚轴的平稳转动。
3.15.坩埚升速范围:0~2mm/min0~2mm/min
3.16.坩埚快速:≥100mm/min≥100mm/min
3.17.坩埚转速范围:0~20R/min0~20R/min
3.18.籽晶提升有效行程:2900mm3000mm
3.19.坩埚升降有效行程:400mm400mm
3.20.主机占地面积:2500mmX1500mm2000mmX1500mm
炉室结构为顶开式,主炉室和副炉室开启时由螺母丝杠装置实现上移。上升到位后对称旋出,便于机动取出晶体,拆除热场系统和清理炉内各部。
主炉室和副炉室之间,设有翻板阀,可在维持主炉室工艺条件不变的情况下取出晶体,更换籽晶。
3.主要技术数据:9001型1201型
3.1.电源3相380V±10%,50HZ3相380V±10%,50HZ
功率:大于150KW/台
配电盘应装有500V、400A的空气开关,及380V、400A的隔离开关。厂房内不应有会对单晶炉机电系统正常运行造成不良影响的射电干扰和电磁干扰。建议用户为本设备的“热场加热电源”配备谐波抑制装置,以利于提高电能利用效率,减少干扰。
单晶炉 SOP系统作业参数说明书
参数 步骤 时间 坩埚位置 坩埚旋转速率 功率组
说明 表示表中的单独步骤 每一个步骤要求的总时间(min)。 坩埚离加热器顶部的垂直距离(mm)。 坩埚旋转的速度,转/分(rpm). 加热器功率(kw)。 氩气进入炉子的速率,标准升/分钟(splm)。 压力控制回路的压力设定点(Torr)
抽真空/检漏
自动进行抽气和用氩气进行清洗。生长过程中的
检漏步骤在抽真空之后关闭主真空阀,测量炉内
压力上升的速率来检测炉子的真空密封性能。
Pressurization/Meltdown 自动压力化步骤用来使炉子得到一个适合单晶
压力化/熔料
生长的特定压力。自动熔料过程使硅原料缓慢熔
化直到全熔。
Stablization I
在序列表中,参数数据在右侧从头到尾用实际数值表示。
图 2 序列表中的参数显示
2
1.2.3 命令条 命令条被列在几乎所有屏幕的左部,如下图,这些键通常被用来在 SOP 分菜
单和目录窗口之间切换,并随着程序中位置的不同而不同。(命令条必须在程序 被激活时才可用,即打开或新建文件时才可用,否则点击没有反应。)。
7
2.5 熔料步骤 这张表中设定的参数是为了熔化坩埚中的硅料的。
参数 步骤 时间 坩埚位置 功率
图 7 熔料步骤的 SOP 组
说明 表示表中的单独步骤。 每一个步骤的总时间(min)。 坩埚离加热器顶部的垂直距离(mm)。 加热器功率(kw)。
8
2.6 稳定化 I 在硅完全熔化之后,在晶体生长开始之前,熔液温度必须被稳定。这一步 通常在颈部生长前用来稳定炉内的熔液温度。
10
2.8 引晶 这一自动过程开始晶体的颈部生长,按 SOP 设置通过提高速度来减小籽晶直
晶盛单晶炉操作说明
晶盛单晶炉操作说明晶盛单晶炉操作说明一、设备概述晶盛单晶炉是用于单晶硅等材料的生长和烧结过程的设备。
其主要由加热炉体、温度控制系统、气体输送系统、真空系统、气氛控制系统等组成。
本操作说明介绍了晶盛单晶炉的详细操作流程和注意事项。
二、设备准备1.检查炉体外部是否有异物,清理并保持干净。
2.检查气源和真空系统是否正常运行,并确保供气压力和真空度符合要求。
3.检查温度控制系统是否正常运行,并进行相关校准。
三、设备启动1.打开电源开关,启动加热控制系统。
2.打开气源和真空系统的供气阀门,确保气源系统正常供气。
3.检查气源系统和真空系统的压力表,确保供气压力和真空度在正常范围内。
四、设备运行流程1.温度设定:根据工艺要求,在温度控制系统中设定所需的生长温度,并等待炉体温度达到设定温度。
2.晶体装载:将待生长晶体装入炉体,注意避免晶体受损和污染。
3.载台装载:将装有晶体的载台装入炉体,并关闭炉门。
4.生长过程监控:根据生长过程的要求,监控温度、气氛、真空度等参数的变化,并及时调整。
5.结晶结束:根据工艺要求,将生长过程中的温度、气氛等参数依次调整,完成结晶过程,并进行冷却。
6.取出晶体:待冷却结束后,打开炉门,将晶体取出,并注意避免晶体受损。
7.关闭系统:关闭炉体、气源和真空系统,清理设备并保持干净。
五、注意事项1.操作人员应具备相关技术知识和经验,按照操作规程进行操作。
2.在操作过程中,应注意安全,佩戴必要的个人防护装备。
3.操作前应检查设备的工作状态和参数,确保符合要求。
4.操作过程中如有异常或故障,应立即停止操作,并进行排查和维修。
附件:相关附件包括操作规程、设备维护记录等,请查阅。
法律名词及注释:1.《劳动法》:指中华人民共和国的劳动法律法规,保护劳动者的劳动权益。
2.《安全生产法》:指中华人民共和国的安全生产法律法规,保护人员的人身安全和设备的正常运行。
3.《环境保护法》:指中华人民共和国的环境保护法律法规,保护环境的整洁和生态的平衡。
上虞晶盛单晶炉操作说明书
设备要求
运行条件(以下以TDR-85A-ZJS炉为例,其余炉型要求参照说明书)
(1)冷却水要求
水压:炉子进出水压差要求介于2~3公斤之间,真空泵进出水压差要求公斤以上;
炉子进水压力不可超过公斤,炉子上冷却水安全阀设置压力6公斤;水流率:炉子和电源要求供水量不低于250升每分钟,单独电源要求供水量不低于20升每分钟;水温:推荐进水温度18~24oC,最大不超过25oC;
(2)以上操作过程中,要注意人身安全和设备安全!只要存在压砸的可能,禁止人体进入该空间。
打扫炉内卫生
(1)拿石墨器件的时候必须戴上线手套,严禁赤手接触,使用吸尘管道时,要注意防止管道被烫化在石墨件上。石墨件较烫时,不能戴薄膜手套;
(2)清除取晶时可能飞溅在隔离阀装置上的脏物和碎片;
(3)所有石墨件必须彻底打扫干净。干净的标准是:容易取出的石墨部件:导流筒、上下保温盖、上保温筒、三瓣埚、石墨埚托,必须打扫到全部露出石墨的本色,特别是不能留有黄色的挥发物。不容易取出的石墨件:加热器、主保温筒、炉底护盘等等,在大清的时候打扫,仍然要求打扫出石墨的本色。打扫石墨件时,可用百洁布;
(3)装坩埚时要防止将坩埚外壁的石英渣子带入埚中;
(4)若发现石英坩埚异常应及时与工段长或单晶技术主管联系,经判断不能使用后,进行更换;
(5)装完坩埚后,另换薄膜手套,进行装料。
装料
(1)用剪刀把多晶料包装袋沿塑料线剪开,注意外层包装袋不能接触到料;
(2)装料技巧:
a、首先选择小碎块(直径小于20mm)的料铺放到埚底,应尽量铺满坩埚底部;b、选择较小块(直径小于40mm)的料继续装入埚的中下部,中下部的料可以装的紧凑些并且贴近埚壁,但应自然堆砌,不能硬挤。与坩埚内壁接触的料块,应尽量选择具有表面光滑的球型面的料,避免尖锐端对着埚壁。
HX-DRF-85单晶炉电气控制系统说明书。11
使用须知●本说明书专为HX-DRF-85型单晶炉的用户所编写,要熟悉操作HX-DRF-85单晶炉,除了本使用手册外,用户还应熟知HX-DRF-85单晶炉的机械使用说明书。
●对于说明书中没有涉及到的问题或应用户要求专门设计的使用细节,用户应以我们提供的电气图纸资料及培训资料为准。
●本说明书只对公开的用户须知部分进行描述,对于用户拉晶工艺参数的特殊要求,我们负责对用户的拉晶工艺参数保密,而不在使用说明书中描述详细的工艺参数及细节。
●本手册的所有版权归西安恒新自动控制有限公司所有。
其全部或者部分文档或附加的软件,在没有西安恒新自动控制有限公司的书面允诺之前不得以任何形式复制或者拷贝。
1 概述.控制系统的特点 (1)2 控制系统组成及功能说明 (2)2.1 单晶炉电气控制系统组成 (2)2.2 单晶炉电气控制系统功能说明 (2)2.2.1 HX-ADC晶体生长控制柜 (2)2.2.2 HX-P190-0600或HX-P190-1211加热功率柜 (5)2.2.3 其它控制部分 (6)3 HX-ADC单晶炉电气控制系统安装调试 (8)3.1 安装及接线 (8)3.1.1 供电电源 (8)3.1.2 HX-ADC控制柜接线说明 (8)3.1.3 功率柜接线说明 (9)3.2 系统调试 (9)3.2.1 速度系统的调试 (9)3.2.2 温度控制系统调试 (17)4 电气部分常见问题分析处理 (26)4.1 速度系统常见故障及处理 (26)4.1.1 直流电机调速系统 (26)4.1.2 交流电机调速系统: (27)4.2 控温系统常见故障及处理 (27)4.2.1 加热电源柜调试中常见故障 (27)4.2.2 系统投入自动后常见故障 (29)4.2.3 加热过程中,频繁出现“过流” (29)概述1概述·控制系统的特点HX-ADC单晶炉电气控制系统是西安恒新自动控制有限公司集多年单晶炉控制经验之大成,为提拉式单晶炉研制的新一代全自动单晶炉电气控制系统,可满足大直径单晶炉的电气控制要求。
操作说明SOP
单晶炉操作说明书TDR-JN 系列常州江南电力光伏科技股份有限公司目录第1章序言 -----------------------------4第2章运转准备2-1石英坩埚的放置 ----杂剂的添加2-3填入多晶硅原料---------42-4籽晶的放置 -------42-5抽真空准备 ----------52-6设定值的输入 --------5第3章运行程序3-1拉晶程序 -------53-1-1手动控制画面表示的说明 -------53-1-2自动控制画面表示的说明 ----------6 3-2运行程序3-2-1抽真空程序 ---------73-2-2泄漏检查程序 --------83-2-3自动程序的开始 -------83-2-4化料程序 ------93-2-5稳定程序 -----103-2-6引晶程序------113-2-7放肩程序 -----123-2-8转肩程序 ------133-2-9等径程序 --------143-2-10收尾程序 ------153-2-11冷却程序 -------163-2-12晶棒的卸下 ------173-2-13清洁炉腔 ------18第4章其他运行程序4-1 DIP 温度导致的回熔 -----194-2化料功率导致的回熔 -----20石英坩埚的放置①戴好乳胶手套,从箱子里取出石英坩埚。
②拿起坩埚在灯光下观察,确认无裂纹,缺口,小孔,污渍等外观不良事实。
③将石英坩埚放入石墨坩埚后,应注意石英坩埚边缘应与石墨坩埚边缘相平行。
掺杂剂的添加①选取与要结晶的单晶硅类型相吻合的掺杂剂种类,称取相应的重量。
②在石英坩埚内添加掺杂剂。
填入多晶硅原料①右手上戴上棉手套,再戴上3至5副乳胶手套。
左手则戴上一副乳胶手套。
②将原料硅放入石英坩埚底部,逐步向上填补。
・填充操作时,原料硅和石英坩埚的接触面积尽可能小。
・尽量避免石英坩埚与原材料硅的接触,即使有接触,也应避免面接触,而以点接触的形式补充。
单晶炉操作说明
单晶炉操作说明单晶炉操作说明1.介绍本文档为单晶炉操作说明,旨在提供操作指南,确保正确、安全地操作单晶炉。
本文涵盖了单晶炉的基本知识、操作步骤以及相应的安全注意事项。
2.单晶炉基本知识2.1 单晶炉简介单晶炉是一种用于生产单晶材料的设备,通过控制温度和环境条件来实现单晶材料的生长过程。
2.2 单晶炉组成单晶炉主要由以下组件组成:- 加热器:提供所需的加热能量,通常使用电阻加热方式。
- 容纳腔体:用于放置单晶材料和控制生长环境的空间。
- 控制系统:用于监测和控制加热器温度、生长环境等参数的设备。
3.操作步骤3.1 准备工作3.1.1 确保单晶炉设备处于正常工作状态。
3.1.2 检查加热器和温度控制系统的连接情况,确保正常工作。
3.1.3 准备好所需的单晶材料和其他辅助材料。
3.2 开始操作3.2.1 打开单晶炉的电源开关,启动加热器。
3.2.2 设置所需的生长温度,并等待温度达到设定值。
3.2.3 打开单晶材料放置腔体,并将单晶材料小心放置在适当的位置上。
3.2.4 根据需要,设置生长环境(如气体流量、气氛组成等)。
3.2.5 监测生长过程中的温度和其他关键参数,确保生长条件的稳定性。
3.2.6 根据所需的生长时间,保持稳定的生长条件,并监控生长过程。
4.安全注意事项4.1 在操作单晶炉前,确保已经了解并理解相关的安全规定和标准。
4.2 操作单晶炉时,穿戴适当的个人防护装备,如防护服、护目镜等。
4.3 注意避免在单晶炉周围堆放易燃和易爆物品。
4.4 在操作过程中,遵循设备制造商提供的操作指南和注意事项。
5.附件本文档涉及的附件包括:- 单晶炉设备操作手册- 单晶材料生长参数记录表6.法律名词及注释- 单晶材料:具有一个无缺陷晶体结构的材料,通常用于电子器件制造等领域。
- 加热器:一种用电阻加热的设备,用于提供加热能量。
单晶炉操作说明
.全自动单晶炉操作手册REV. MANUAL_ZJS.Z03(TDR-95A/100A/100B-ZJS适用)2010年06月上虞晶盛机电工程有限公司SHANGYU JING SHENG M&E ENGINEERING CO., LTD目录第一章单晶生长条件 (2)1.1 设备要求 (2)1.2 辅料要求 (3)1.3 安全要求 (4)第二章单晶生长标准流程 (5)2.1 拆炉 (5)2.2 装炉 (6)2.3 开始单晶的生长 (8)2.4 抽真空 (9)2.5 检漏 (11)2.6 压力化 (12)2.7 熔料 (13)2.8 稳定化 (15)2.9 熔接 (16)2.10 引晶 (18)2.11 放肩 (19)2.12 转肩 (20)2.13 等径 (21)2.14 收尾 (22)2.15 停炉 (23)第三章单晶生长辅助流程 (24)3.1 中途取晶 (24)3.2 回熔 (26)3.3 煅烧 (26)3.4 大清 (27)3.5 连接部位检查 (27)第四章相机调整与热场温度校正 (28)4.1 相机调整 (28)4.2 热场温度调整 (32)第五章异常情况处理 (33)5.1 断水 (33)5.2 电极故障 (33)5.3 打火 (33)附录故障速查 (34)第一章单晶生长条件1.1 设备要求1.1.1 运行条件(以下以TDR-85A-ZJS炉为例,其余炉型要求参照说明书)(1)冷却水要求水压:炉子进出水压差要求介于2~3公斤之间,真空泵进出水压差要求1.5公斤以上;炉子进水压力不可超过3.5公斤,炉子上冷却水安全阀设置压力6公斤;水流率:炉子和电源要求供水量不低于250升每分钟,单独电源要求供水量不低于20升每分钟;水温:推荐进水温度18~24oC,最大不超过25oC;水质:弱碱性水,PH值6~9;氯离子含量≤10ppm,碳酸钙含量≤50ppm;以纯净软水为好。
连接方式:进出水管与炉子之间采用软连接,防止震动传递到炉子。
松瓷单晶炉使用说明书
松瓷单晶炉使用说明书松瓷单晶炉使用说明书一、产品介绍松瓷单晶炉是一种专业的材料制备设备,主要用于生产单晶材料。
该设备采用高温加热技术,能够精确控制温度和时间,以满足不同材料的生产需求。
二、安装与调试1. 安装前请先检查设备是否完好无损。
2. 将设备放置在平稳的地面上,并连接好电源线。
3. 打开电源开关,进行电气测试,确保所有电气元件正常工作。
4. 进行机械部分的调试,如传动系统、加热系统等。
5. 进行温度控制系统的调试,确保能够精确控制温度。
三、操作流程1. 开机前,请先检查所有操作部件是否正常工作。
2. 打开电源开关,并将温度控制器设置为所需温度。
3. 将待处理的材料放入样品架中,并将样品架放入炉腔内。
4. 关闭炉门,并开始加热过程。
5. 确保在加热过程中始终保持目标温度稳定,避免出现过高或过低的情况。
6. 加热结束后,关闭电源开关,等待设备冷却至室温后方可取出样品。
四、注意事项1. 在操作设备时,请戴好防护手套和眼镜,以避免受到高温伤害。
2. 在加热过程中,请勿将手伸入炉腔内,以避免受到高温灼伤。
3. 请勿在设备上使用任何化学试剂或液体,以免对设备造成损坏。
4. 在使用过程中,如发现任何异常情况,请立即关闭电源开关,并联系专业技术人员进行维修处理。
五、维护保养1. 每次使用完毕后,请进行设备清洁,并检查所有部件是否正常工作。
2. 定期对设备进行检查和维护,并更换损坏的零部件。
3. 请勿在潮湿或易受腐蚀的环境中存放设备,以避免对设备造成损坏。
4. 如长时间未使用该设备,请将其存放在干燥通风的环境中。
六、故障排除1. 如发现温度控制不准确,请检查温度传感器和温度控制器是否正常工作。
2. 如发现加热不均匀,请检查加热元件是否正常工作,并进行调整。
3. 如发现设备无法启动,请检查电源开关和电气元件是否正常工作。
七、技术参数1. 最高温度:1800℃2. 控温精度:±1℃3. 加热方式:电阻加热4. 加热功率:5KW八、结语松瓷单晶炉是一种高端的材料制备设备,具有精准的温度控制和高效的加热能力。
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每次开炉前应检查水路系统是否畅通,水温检测传感器安装是否正常。发现有结垢时应及时清理。在拉晶过程中,若发现水压报警或漏水时要及时采取措施。
真空管道的过滤网每炉要清理一次,抽气管道每20~30炉清理一次。
3.15.坩埚升速范围:0~2mm/min0~2mm/min
3.16.坩埚快速:≥100mm/min≥100mm/min
3.17.坩埚转速范围:0~20R/min0~20R/min
3.18.籽晶提升有效行程:2900mm3000mm
3.19.坩埚升降有效行程:400mm400mm
3.20.主机占地面积:2500mmX1500mm2000mmX1500mm
3.9.主炉室尺寸:φ850×1220mmφ900×1200mm
3.10.旋阀通径:φ260mmφ300mm
3.11.副炉室尺寸:φ260×2270mmφ300×2300mm
3.12.籽晶拉速范围:0~8mm/min0~8mm/min
3.13.籽晶快速:≥400mm/min≥400mm/min
3.14.籽晶转速范围:0~48R/min0~48R/min
5.1.坩埚驱动装置
坩埚轴为两段组装空心水冷结构,在轴的下部设有一水套可以引入冷却水。坩埚轴的旋转密封采用磁流体密封,升降密封采用焊接波纹管密封。
坩埚驱动装置包括坩埚的升降、快速升降、及坩埚的旋转驱动。坩埚的升降结构采用滚珠丝杠及双直线导轨导向的结构,系统刚性好,运动精度高。升降运动由直流伺服电机经蜗轮蜗杆减速器、齿形带、諧波减速器减速之后,通过牙嵌式电磁离合器驱动丝杠,由螺母带动升降架升降。快速电机通过蜗轮蜗杆减速后驱动丝杠转动,实现坩埚的快速升降。手动装置通过一对斜齿轮带动丝杠旋转,达到坩埚升降目的。安装在升降支架侧面的旋转电机通过楔形带实现坩埚轴的平稳转动。
6.设备的基本保养维护方法
单晶炉在使用时,炉体处于高温工作状态,并要求各运动部件的运动稳定可靠,精度高(尤其是坩埚驱动装置和籽晶旋转及提升机构),工作时间长。因此,在使用过程中,要注意设备的维护与保养。
6.1.坩埚驱动装置
坩埚驱动装置要求的运动精度比较高,是设备的核心运动部件,应重点维护。坩埚轴是石墨坩埚的支撑轴,应随时检查其冷却水的情况,以免烧损。
1.用途:
本设备为软轴提拉型单晶炉,是在惰性气体(氩气)环境中,用石墨电阻加热器将硅半导体材料溶化,用直拉法生长单晶的设备。9001型炉采用18"热场,投料量60Kg,可拉制6"或8"的单晶。(1201型炉,采用18”或20”热场,投料量最大120Kg,,可拉制6"~10"的单晶。)
2.设备的工作原理概述:
功率:大于150KW/台
配电盘应装有500V、400A的空气开关,及380V、400A的隔离开关。厂房内不应有会对单晶炉机电系统正常运行造成不良影响的射电干扰和电磁干扰。建议用户为本设备的“热场加热电源”配备谐波抑制装置,以利于提高电能利用效率,减少干扰。
4.4.氩气源
氩气应使用纯度≥99.999%的氩气源,与设备连接部位应采用专用接口,管道为不锈钢材料。其具体要求为:
5.2.主炉室
主炉室由炉底、下炉筒、上炉筒和炉盖组成。各部件均采用SUS304L不锈钢焊接而成,并采用双层水冷结构。炉底固定在机架上平面上,其中心孔是坩埚轴的找正基准,孔下端与坩埚驱动装置用波纹管密封连接。炉底上还设有两个电极孔,电极杆通过此孔与加热器连接。电极杆也为空心水冷结构。
下炉筒用压板压紧在炉底上,通常清炉时,下炉筒留在炉底上,特殊情况下才拆除下炉筒。下炉筒上有两个对称布置的真空抽口,交汇后与主真空管道相连。上炉筒放在下炉筒上,并留有一高温计接口。
5.8.真空及充气系统
真空系统的所有管路都采用不锈钢管,所有连接处采用“O”形橡胶密封圈。真空系统由主炉室真空系统和副炉室真空系统组成。主室真空系统包括滑阀泵、带放气真空电磁阀、除尘器、电动碟阀、压力变送器等。真空管道与炉体的连接采用波纹管连接,减少振动的传播,并补偿管路连接的位置误差。副炉室真空系统包括旋片式真空泵、带放气电磁阀、电磁截止阀等。副室的真空泵在旋阀关闭时对副室抽真空。在拉晶过程中,主室一面抽真空,一面充氩气。氩气系统由质量流量计与三路电磁阀组成,气源端设有可调进气阀及压力表,通过高压软管连接气源及炉体。氩气通过副室上部的充气环充入炉体以减少气体的紊乱。质量流量计可以精确设定充入炉体的氩气,三路电磁阀分别控制副室充气、主室充气和副室快速充气,满足不同的工艺要求。
其具体要求为:
压力:0.1~0.2MPa
流量:≥20m3/h
PH值:7~9
电阻值:>104~106Ω/cm
硬度:≤8de
氯离子:≤10ppm
铁离子:≤0.1ppm
进水温度:≤25℃
本设备电源部分单独供水,要求水压0.2~0.3MPa,水质要求同设备主体部分。
4.3.电源
电压:3相380V±10%,50HZ
3.22.主机最大高度:6300mm6500mm
4.设备的安装与要求
4.1.设备安装环境
本设备应在清洁、减震的工作环境中运行,应放置在专用的混凝土基础上,环境条件应选在恒温、恒湿车间。也可在能与空气中粉尘、振动和冲击波隔离的较好环境中工作,地面应尽量平整,并且有自然排水管孔,使回水能自然排放。
突然的外界较强烈的冲击振动,有可能影响晶体的内在质量。因此,厂房应尽量选择在避开振源的地方。当条件限制而不能避开时,则要做必要的隔振措施。其具体要求是:
本设备采用软籽晶轴提升机构,显著降低了单晶炉的高度,因而在一般厂房中即可安装使用,便于装配维修和拉晶操作,同时实现了籽晶轴转速稳定的效果。
本设备在性能和控制上都进行了改进。在机械结构方面采用了先进的磁流体密封技术、拱形封头式炉盖结构以及合理的主、副室提升机构。单晶的提升采用的是可承受190Kg的不锈钢丝绳。
5.6.炉体升降装置
炉体升降包括主炉室的升降、副炉室升降及炉盖升降。副炉室和炉盖升降用一个升降电机。电机通过减速器带动螺母丝杠机构,炉盖和副炉室分别通过连接支臂与提升杆连接,实现升降。
主炉室有一套单独的提升机构,与副炉室升降机构对称置于立柱的两面。在炉盖上升并向右旋转偏离炉体后,主炉室才可上升。主炉室旋开后,可以对炉室内进行清理。
室温20±5℃
相对湿度≤65%
外界振源当大于10HZ时,振幅应小于0.003mm
可腐蚀性气体尽量杜绝。
本设备在氩气环境中工作,开炉时应通风使氩气扩散后再进行操作,厂房应保持良好的通风条件,防止氩气沉积。
4.2.冷却水源与排水
本设备主体的进水共分3路,一路冷却主机下部各冷却部位,一路冷却主机上部,一路冷却电缆及机械泵。水管与主机相连时,以软胶管连接,以防止振动干扰主机。排水相应地也有3路,连接管路终端为开式管路,以免炉室及各冷却部分水压过大而造成管路变形,排水管如为多台共用时,应为无压排水,总排水管应畅通无阻,水质应以软水质循环供水为好。
炉室结构为顶开式,主炉室和副炉室开启时由螺母丝杠装置实现上移。上升到位后对称旋出,便于机动取出晶体,拆除热场系统和清理炉内各部。
主炉室和副炉室之间,设有翻板阀,可在维持主炉室工艺条件不变的情况下取出晶体,更换籽晶。
3.主要技术数据:9001型1201型
3.1.电源3相380V±10%,50HZ3相380V±10%,50HZ
氩气纯度:>99.999%
氩气压力:0.05~0.2MPa
氩气流量:100L/
氩气管道泄漏率:<0.01Pa/min
4.5.泵组系统
泵与主机之间设置有电动阀及除尘器,中间用波纹管连接,以减少振动传递。
泵与主机之间最好设隔断墙、并具备良好的废气排放及防污染工作环境。
5.炉子结构说明
单晶炉包括机架、坩埚驱动装置、主炉室、翻板阀、副炉室、籽晶提升机构、炉体升降驱动装置、真空系统、充气系统及水冷系统等组成。机架由型材焊接而成,是炉子的支撑装置。坩埚驱动装置安装在机架下部的平板上。主炉室固定机架的上平面上,翻板阀连接在主室与副室之间,籽晶提升机构安装在副室上。炉体升降驱动装置安装在机架后侧的立柱上。
坩埚驱动采用滚珠丝杠和直线导轨结构,是坩埚驱动的关键部件,需保持清洁,严禁灰尘、杂物附着,并定期涂抹润滑脂。
6.2.籽晶旋转及提升机构的维修
籽晶旋转及提升机构也是单晶炉的关键部件,该部件运行的好坏直接影响单晶的生长。因此,也须重点维护。
卷轮箱是籽晶提升的核心,卷轮箱内的零件一般情况下不得随意拆除,必须拆除时,重新安装时必须保证软轴对中。软轴钢丝绳在使用中不准有死弯现象,并在每次开炉时检查钢丝绳是否烧损,如有烧损应及时修整或更换新的钢丝绳。
3.2.变压器容量:200KVA230 KVA
3.3.加热器最大加热功率:150KVA150 KVA
3.4.加热器最高加热电压:65V65V
3.5.最高加热温度:1500℃1500℃
3.6.冷炉极限真空度:3Pa3Pa
3.7.晶体直径:φ6"/φ8"φ6"~φ10"
3.8.熔料量:90Kg120Kg
5.7.水冷系统
水冷系统分三路进水,分别用来冷却炉体下部各冷却部位、炉体上部各冷却部位、机械泵等。回水相应也有三路,各路水管通过软胶管与主机相连。电源柜采用单独水冷。水冷系统的主管路上装有水流开关、压力表,可以检测水压大小,在进水断流时,水流开关给出报警信号。回水各主要冷却部位的管路上均装有水温检测开关,当水温超过55℃时,给出报警信号。
5.4.副炉室
副室的顶部设有一充气环,在拉晶过程中氩气都由此充入。副室上部的观察窗用以观察重锤及充气环等处的情况。
5.5.籽晶旋转及提升装置
籽晶旋转机构由旋转轴、支撑座、集电环、磁流体及驱动电机组成。籽晶提升机构与旋转轴连接,旋转电机通过楔形带带动旋转轴,实现籽晶提升部件的整体旋转。籽晶提升组件经过动平衡试验以使籽晶旋转时振动降到最低。集电环用以提供籽晶提升机构的电能以及传递电信号。籽晶提升机构有快速和慢速两个驱动电机。籽晶慢速提升电机采用直流电机,闭环控制。电机通过谐波减速和两级蜗轮蜗杆减速后带动转轴旋转。转轴通过滚动花键与卷丝轮连接,卷丝轮的一端与牵引螺母连接,在卷丝轮旋转的同时带动卷丝轮平移,从而保证卷丝轮上的软轴钢丝绳始终处于对中位置。快速电机通过齿形带与蜗轮蜗杆减速器相连并通过电磁离合实现与慢速电机间的互锁。在第二级蜗轮蜗杆减速器的输出端装有旋转电位器,可以计算晶体的长度和位置。