模电期中(附答案)
模拟电子技术期中考试卷
模拟电子技术期中考试卷
1.（10分）两级阻容耦合放大电路如图所示，已知T 1的g m =1ms ，r ds =200k Ω， T 2的β=50，r be =1k Ω，⑴画出该放大电路的微变等效电路；
⑵求放大电路的电压放大倍数i O U U A .
../ ；
⑶求放大电路的输入电阻R i 和输出电阻R o ;
2. （10分）已知电路如图所示，T1和T2管的饱和管压降│U CES │＝3V ，V CC ＝15V ， R L ＝8Ω。
选择正确答案填入空内。
（1）电路中D1和D2管的作用是消除 。
A ．饱和失真
B ．截止失真
C ．交越失真
（2）静态时，晶体管发射极电位U EQ 。
A ．＞0V
B ．＝0V
C ．＜0V
（3）最大输出功率P OM 。
A ．≈28W
B ．＝18W
C ．＝9W
（4）当输入为正弦波时，若R 1虚焊，即开路，则输出电压 。
A ．为正弦波
B ．仅有正半波
C ．仅有负半波
（5）若D1虚焊，则T1管 。
A ．可能因功耗过大烧坏
B ．始终饱和
C ．始终截止
U
o
CC。
期中考试答案模电
(a)增大
(b)不变
(c)减小
(d)不能确定
8．某扩音器的高音不丰富，主要是因为其放大电路的 b 。（(a)非线性失真大 (b)通频带窄）
9．放大电路如右图所示，已知：RB＝240k W，RC＝3k W，晶体管β＝40，UCC＝12V，现该电
路中的三极管损坏，换上一个β＝80 的新管子，若要保持原来的静态电流 IC 不变且忽略 UBE，
、
，则输出电压 ＝？
1．经推导，电路的电压放大倍数为
6
当
时，反馈最强，
，即
故
5
2．当
时，
10
2．放大电路如图所示，试回答下列问题： (1)图中各晶体管分别组成了什么电路，起到了什么样的作用？
（2）写出电路的直流参数 IC5，IC2 的表达式；
(3)写出电压放大倍数
的表达式。
7
4.电路如图 1 所示，晶体管 T 的 UBE=0.7V，电流放大系数 =50，RB=300k ，RE=3k ，晶体
管 T 处于 a 。
(a)放大状态
(b)截止状态
(c)饱和状态
（d）恒流状态
学号
密封装订线
班级
密封装订线
图1
图2
5．电路如图 2 所示，设二极管 D1，D2，D3 的正向压降忽略不计，则输出电压 uO= a
当 f ＝ fH 时， 与 的相位关系是 C （A. －45˚ B. －135˚ C. －225˚）。
13． 电路如下图所示，二极管 D 为理想元件，输入信号 ui 为如图所示的三角波，则输出电压
uO 的最大值为 d
。
(a)5V
(b)10V
(c)2V
(d)7V
模电期中考试卷答案
40 -20dB/dec 20 0 10 102
10. 交流放大电路和三极管的输出特性、交、直流负载线如图所示, 失真输出电压的峰峰值是 3 V
负载上获得的最大不
2
iC (mA)
3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5
0
50µA 40µA 30µA 20µA i B = 10µA
Rb C1
+
+ 20V —
DZ1 DZ 2
+ 500Ω VO1 3 —
则电压 V O =（ A．3V C．9V
A
）
B．6V D．0V iD /mA 5
7．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D
A.P 沟道增强型 MOS 管 C.N 沟道增强型 MOS 管
） 。
B.P 沟道结型场效应管 D.N 沟道耗尽型 MOS 管 -4 0 uGS/V B 。
Rd ≈ 11.2kΩ
8
2．
gm =
2 U GS( th )
I DO ⋅ I DQ ≈ 1.73mS
= − g ( R //R ) ≈ −11 A u m d L Ri = Rg + ( Rg1 // Rg2 ) ≈ 1.08MΩ
Ro = Rd ≈ 11.2kΩ
八、 （ 6 分）在如图所示 OCL 电路中，已知输入电压 u i 为正弦波，三极管 VT1 、 、VT 2 的电
3.
已知某三极管的P CM＝800mW，IC M＝500mA, ， VBR(CEO) ＝30V。若该管子在电路中工作 电压V CE ＝10V，则工作电流IC不应超过 80 mA ；若V CE ＝1V，则IC 不应超过
1
500 4.
mA。 小 。 ；绝缘栅
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10、判断下面三级管的工作状态（
C．-4V ）
三、判断题（每题 1 分，共 10 分）
1、晶体二极管击穿后立即烧毁。 （）
2、用万用表测二极管正向电阻，插在万用表标“+”号插孔的测试棒（通常是红色棒 ）
所连接的二极管的管脚是二极管正极，另一为负极。 （ ）
3、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（P 型或 N 型）构成的，所以 极 e 和 c 极可以互换使用。（）
4、三极管处于截止状态时，发射结正偏 （）
5、晶体三极管具有能量放大功能。 （）
6、硅和锗是制作半导体器件的主要材料。 （）
7 、 二 极 管 两 端 加 上 0.7V 的 电 压 就 能 导 通 。 （ ）8 、 无论是 NPN 还是 PNP 三极管处于放大状态时都要求 Vc>Vb>Ve 。 （ ）
A．一定导通 B．超过死区电压才能导通 C．超过 0.7 伏才导通 D．超过 0.3 伏才导通 2.下列 元器件中，（）可将电信号转化成光信号。 A．二极管 B．三极管 C．发光二极管 D．光电二极管 3.处于饱和状态时，三极管的发射结和集电结分别处于（ ） A. 发射结和集电结都处于正偏 B. 发射结处于正偏，集电结处于反偏 C. 发射结处于反偏，集电结处于正偏 4.对直流通路而言，放大电路中的电容应视为 。 A、直流电源 B、开路 C、短路 5、测得放大电路中三极管的各极电位如图，则该三极管为（ ）
Rb1 Rc
C2 C2
+ +
++
V
C1
+
V
RL
Re
+ Ce
_
（a）
Rb2
Re
Ce
_
模拟电子技术期中测验题及答案
模拟电子技术期中测验题及答案————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：2013－2014学年第(2)学期期中考试答案课程代码 0471003/3122200 课程名称 模拟电子技术A/模拟电子技术教师签字一、选择及填空题:（共52分，每空2分）1．在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为－1.2mA 、－0.03mA 、1.23mA 。
由此可判断电极①是 C ，电极②是__B __，电极③是_A ___（A ．发射极， B ．基极， C ．集电极）； 该晶体管的类型是_ A ___（A ．PNP 型， B ．NPN 型）；该晶体管的共射电流放大系数约为_ A ___（A ．40 ，B ．100，C ．400）。
2．写出图示各电路的输出电压值（设二极管导通电压V U D 7.0=），=1O U 1.3V ，=2O U 0v 。
3.已知下面图（a ）所示电路的幅频响应特性如图（b ）所示。
影响f L 大小的因素是 C ，影响f H 大小的因素是 A 。
（A ．晶体管极间电容，B ．晶体管的非线性特性，C ．耦合电容）ff Hf LOC R b R c+V CCu i( a )( b ).A u20lg u o当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的 B （A. 0.5 B. 0.7 C.0.9）倍。
当f ＝ f L 时，o U 与iU 相位关系是 C （A. 45˚ B. -90˚ C. －135˚）。
题号 一 （52分） 二.1 （18分） 二.2 （14分） 二.3（16分） 总成绩 得分 班 级 学 号 姓 名密封装订线密封装订线R b +V CCC 2R LC 1u i u o 120236u CE V60μA 40μA50μA 30μA 51448=10μA I B 20μA 2610VTR c Qi C mA4．有一放大电路对一电压信号进行放大，当输出端开路时输出电压是5V ；接入2k Ω负载后，输出电压降为 4V ，这说明放大电路的输出电阻为 0.5K Ω 。
模电期中解答及部分典型习题全解
一 填空题（每空1分，共38分）1. 实际电路的组成是多种多样的，但通常由（ 电源 ）、（负载 ）和（ 中间环节 ）三部分组成。
电荷在电场力的作用下的定向移动形成（ 电流 ），电流的实际方向规定为（ 正电荷 ）运动的方向。
电路中a,b 两点间电压等于电场力把单位正电荷从a 点移动到b 点所作的（ 功 ），规定电压的实际方向是从（高电位指向低电位 ）。
取同一元件上电压和电流的参考方向一致，称（ 关联 ）的参考方向。
2. 理想电压源输出的电压是（保持定值(直流)或一定的时间函数(交流) 3. ），实际电压源模型可等效为一个电压源Us 和内阻R0的（串联 ），其端口的伏安关系式为（ ），电压源与电流源模型的等效变换是指对（ 外电路 ）的等效。
实际电压源模型“20V 、1Ω”等效为电流源模型时，其电流源=S I （ 20 ）A ，内阻=i R （ 1 ）Ω。
4. 实际应用的电表交流指示值和我们实验的交流测量值，都是交流电的（ 有效 ）值。
工程上所说的交流电压、交流电流的数值，通常也都是它们的（ 有效 ）值，此值与交流电最大值的数量关系为：（ 有效 值=最大值/2 ）。
已知一正弦量A )30314sin(07.7︒-=t i，则该正弦电流的最大值是（ 7.07 ）A ；有效值是（ 5 ）A ；角频率是（ 314 ）rad/s ；频率是（ 50 ）Hz ；周期是（ 0.02 ）s ；初相是（ -π/6 ）弧度。
5. 电路分析中，电路状态的改变称为换路。
电路在换路时能量不能跃变，即换路瞬间，电容两端的（ 电压 ）不能跃变，通过电感的（ 电流 ）不能跃变。
一阶电路含有（ 1 ）个动态元件，若换路和电路的外加激励为零，仅由储能元件的初始储能的产生的电路响应，称为（ 零状态 ）响应；求解一阶电路完全响应的方法称为（ 三要素 ）法。
6. 本征半导体中载流子是（电子-空穴 ）对，N 型半导体中多子是（自由电子 ），Ｐ型半导体中多子是（空穴 ），PN 结具有（单向导通 ）特性。
华东师范大学2011年模电期中考试题及答案
《模拟电子技术》期中考试题一、填空题：（每题5分共40分）1、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。
2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成断开；4、三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（），集电结（）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。
二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。
A、正偏B、反偏C、大于D、小于E、导通F、截止2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（），该管是（）型。
A、（B、C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B）D、（NPN）E、（PNP）3、对功率放大器的要求主要是（）、（）、（）。
A、U0高B、P0大C、功率大D、Ri大E、波形不失真4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（），此时应该（）偏置电阻。
A、饱和失真B、截止失真C、交越失真D、增大E、减小5、差分放大电路是为了（）而设置的。
A、稳定AuB、放大信号C、抑制零点漂移6、共集电极放大电路的负反馈组态是（）。
A、压串负B、流串负C、压并负7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（）倍。
A、1B、2C、38、为了使放大器带负载能力强，一般引入（）负反馈。
A、电压B、电流C、串联9、分析运放的两个依据是（）、（）。
A、U-≈U+B、I-≈I+≈0C、U0=UiD、Au=1三、分析计算题1、已知电力如下图示：为理想二极管，试分析：①二极管导通还是截止？②UA0=？（4分）解：2、已知电力如图示：Vcc=12V，RB=300KΩ，RE=RL=2KΩ，Rs=500Ω，UBEQ≈0，C1=C2=30uF，rbe=1.5K，β=100，Us=10sinwt mV 求：①ICQ ②UCEQ ③Au（取小数点后2位）④Ri⑤R0（10分）解：3、具有电流源的差分电路如图所示，已知UBEQ=0.7V，β=100，rbb=200Ω，试求：（1）V1、V2静态工作点ICQ、UCQ；（2）差模电压放大倍数Aud；（3）差模输入电阻Rid和输出电阻RO；（6分）4、电路如图所示，设UCES=0试回答下列问题：（6分）（1）ui=0时，流过RL的电流有多大？（2）若V3、V4中有一个接反，会出现什么后果？（3）为保证输出波形不失真，输入信号ui的最大幅度为多少？管耗为多少？5、根据自激振荡的相位条件，判断下图能否产生振荡？如果能振荡，求出F0；（4分）答案一、填空（每空1分共40分）1、导通截止单向2、反向少数温度无关3、零无穷大4、电流电压5、正偏反偏6、增加减小7、共射极共集电极共基极8、直流电流二、选择题（每空2分共30分）1、B C F2、C D3、B C E4、B E5、C6、A7、B8、A9、A B三、分析与计算题（共30分）4分1、1）二极管V截止2）UA0=-4V10分2、1）ICQ=2.4mA UCEQ=7.2V 2）AU=0.99 3）Ri=122k 4) Ro=20Ω6分3、1）ICQ1=0.5mA UCEQ1=6V6分4、1）ui=0时，RL电流为零2）V3、V4有一个反接电路不能工作3）Uim=12V 4)Pcl=[Vcc2(4-3.14)]/(4*3.14RL)=0.099W4 分5、1）能振荡2）fo=280KHZ。
模电期中考试题库及答案
模电期中考试题库及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，三极管工作在放大区的条件是（）。
A. 基极电流大于集电极电流B. 发射结正向偏置，集电结反向偏置C. 发射结反向偏置，集电结正向偏置D. 发射结和集电结都正向偏置答案：B2. 理想运算放大器的输入电阻是（）。
A. 0ΩB. ∞ΩC. 1ΩD. 1kΩ答案：B3. 共发射极放大电路中，若基极电流增大，则集电极电流将（）。
A. 增大B. 减小C. 不变D. 无法确定答案：A4. 在多级放大电路中，耦合方式为（）可以避免零点漂移。
A. 直接耦合B. 阻容耦合C. 变压器耦合D. 光电耦合答案：A5. 差分放大电路中，若输入信号为共模信号，则输出电压将（）。
A. 增大B. 减小C. 基本不变D. 无法确定答案：C6. 场效应管的控制量是（）。
A. 漏极电流B. 漏极电压C. 栅源电压D. 漏极电流和漏极电压答案：C7. 正弦波振荡电路中，若要产生正弦波，则相位移动网络的相位移动量应为（）。
A. 90°B. 180°C. 270°D. 360°答案：A8. 理想二极管的正向导通电压为（）。
A. 0VB. 0.7VC. 0.3VD. 1V答案：A9. 电源滤波电路中，若要提高滤波效果，可以（）。
A. 增大电感B. 增大电容C. 增大电阻D. 减小电感答案：B10. 负反馈放大电路中，反馈信号与输入信号相位（）。
A. 相同B. 相反C. 无法确定D. 有时相同有时相反答案：B二、填空题（每题2分，共20分）1. 三极管的三个极分别是发射极、集电极和______。
答案：基极2. 运算放大器的差模输入电压是两个输入端电压的______。
答案：差值3. 共基极放大电路的电流增益为______。
答案：14. 差分放大电路的差模输入电压是两个输入端电压的______。
答案：差值5. 场效应管的漏极电流与栅源电压之间的关系是______。
2019-2020-1-模电期中试卷
考核人数______ 考核班次_______________ 任课教员_________ 出题教员签名________ 任课教研室主任签名_______日期_______ 队别__________ 教学班次___________ 学号___________ 姓名____________…………………………密………………………………封………………………………线………………………………………南京信息工程大学《模拟电子电路》期中考试试卷题目部分，（卷面共有25题，100分，各大题标有题量和总分）1.二极管具有_______导电性，稳压二极管在稳压时，工作在_______区域。
2.当温度升高时，二极管的正向压降将________；反向饱和电流将________。
3.某放大器空载时，输出电压为6V ，接入3kΩ负载后输出电压为3V ，则该放大器的输出电阻为________；接入负载后输出电压几乎没有变化，说明输出电阻__________（很大/很小）。
4.在放大电路中，能实现阻抗变换的耦合方式是________；集成电路中一般采用的耦合方式是_________。
5.根据器件的工作原理，晶体三极管是_________控制器件，场效管是__________控制器件。
6.实验室中现有以下仪器（仪表）：A 、0~1kHz 的3位半数字万用表，B 、20Hz~1MHz 电子毫伏表，C 、0~30MHz 示波器。
为测量下列性能指标应选择最合理的仪器（仪表），测电路的静态工作点，应选用________；测视频（6MHz ）放大器输出电压，应选用________。
1.在本征半导体中加入 元素可形成P 型半导体。
（ ） A. 五价B. 四价C. 三价2.测得某放大电路中三极管三个电极ABC 对地的电位分别为12V ，0.7V ，0V ，则该管是______管，ABC 分别为_____。
（ ） A. 硅；集电极，基极，发射极 B. 硅；集电极，发射极，基极C. 锗；发射极，基极，集电极D. 锗；集电极，基极，发射极3.三极管共射、共集、共基三种放大电路中，频率特性最好的是______。
模电期中考试答案+试卷
温州大学期中考试试卷A二、选择题（26分）1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 。
[ ]A.减弱B.不变C.增强2.PN 结外加反向电压时，其内电场 [ ]A.减弱B.不变C.增强3.测得BJT 三个管脚1、2、3对地电位分别为0V ，—0.2V ，—3V ，则1、2、3脚对应的三个极是 [ ] A 、ebc B 、ecb C 、cbe D 、bec a4. 某只硅稳压管的稳定电压Vz = 4v ，其两端施加的电压分别为+5v （正向偏置）和－5v （反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为 。
［ ］ A +5v 和-5v B -5v 和+4v C +4v 和-0.7v D +0.7v 和-4v5.在单级放大电路的三种接法中，它们相互比较起来正确的说法是： 。
[ ] A 共发射极电路的A V 最大、R I 最小、R O 最小 B 共集电极电路的A V 最小、R I 最大、R O 最小C 共 基极电路的A V 最小、R I 最小、R O 最大D 共发射极电路的A V 最小、R I 最大、R O 最大 6．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。
[ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区 7．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。
[ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响8．组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使 。
[ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 9．差动放大电路的主要特点是 。
[ ] A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号 C 有效放大共模信号，有力抑制差模信号；D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。
10互补输出级采用射极输出方式是为了使 。
[ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小学院-------------------------------------- 班级---------------------------------- 姓名------------------------------------- 学号-------------------------------------C 输出电阻增大D 带负载能力强11.OTL 功放电路的输出端通过耦合电容与负载相联。
模电期中考试试题
电路分析期中考试试题一、填空题（10分）1实际电路的电路模型由元件连接而成。
2.一个元件的电流电压参考方向可以指定。
如果指定流过元件的电流的参考方向是从标以电压的负极性的一端指向正极性一端，两者的参考方向称为方向。
3.电气设备或电路部件实际消耗的功率不能其标定的额定功率，否则会造成设备损坏或不能正常工作。
4.KCL是在之间施加的线性约束关系；KVL则对施加线性约束关系。
5.将阻值为R星形连接的电阻，等效为三角形连接，电阻阻值相应变为。
6.对于一个具有b条支路和n个节点的电路其具有的独立回路数为。
7.从减少方程数量的角度考虑，应将支路选作连支。
8.所谓节点电压法是以为未知量，列节点电压方程。
二、选择题(20分)1、必须设立电路参考点后才能求解电路的方法是（）A、支路电流法B、回路电流法C、结点电压法2、如下定理或定律只适应于线性电路是（）A、基尔霍夫定律B、戴维南定理C、叠加定理3、必须设立电路参考点后才能求解电路的方法是（）A、支路电流法B、回路电流法C、结点电压法4、两个电阻串联，R1：R2=1：2，总电压为60V，则U1的大小为（）A、10VB、20VC、30V5、一电阻R上u、i参考方向不一致。
已知u=－10V，消耗功率为0.5W，则电阻R为（）A、200ΩB、－200ΩC、20ΩD、－20Ω6、电阻元件上电压电流参考方向不一致，电阻元件吸收的功率计算方法正确的是（）A 、p=ui B、p=u2/R C、p=i2R D、p=-i2R7、容量为5μF的电容两端电压为1KV,则电容上存储的电场能为（）A、2.5焦耳B、2500焦耳C、2.5×10-3焦耳D、250焦耳8、已知空间有a、b两点，电压U ab=10V，a点电位为V a=4V，则b点电位V b 为（）A、6VB、－6VC、14VD、－14V9、如图一所示电路，电压U=（）A.-12VB.-6VC.-4VD.4V10、一个电容与一个4uf的电容串联，总电容为3uf，则该电容为（）A. 31μF；B. 2μF；C. 7μF；D. 12μF；R。
模电期中考试题
一、（30％）简要回答下列问题。
（1）什么是放大器中的密勒效应？ 见课件。
（2）当负载电阻为1k Ω时，放大器的输出电压幅度比负载开路时下降20％，则该放大器的输出电阻为多少？()()Ω250%201%20%201=-=⇒+=-L o oppLo LoppR r V R r R V（3）要使双极型晶体管达到正常放大作用，其发射结（be 结）应该_正向偏置，集电结（bc 结）应该_反向_偏置。
所以，对于pnp 型晶体管，其发射极电位应该比基极电位_高_ __，集电极电位应该比基极电位__低 __。
（4）当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时，放大倍数的数值将下降到中频时的 0.707 。
（5）组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使 输出阻抗减小 。
（6）当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is 将增大，为什么？ 是因为少数载流子的浓度随着环境温度的升高而增大了。
二、（15%）单级放大电路如下图所示：在输入信号的中频段C 1、C 2、C 足够大且对交流短路，试求：（1）该放大电路的I BQ ，I CQ ，V CEQ 的表达式；（5%）（2）画出该放大电路的交流小信号等效电路，并推导出A V 、R in 、R out 的的表达式；（5%） （3）该电路为何能稳定工作点？若要提高电压增益，可采取哪些措施？（5%）解：① 画出直流通路如下图，求解各Q 点参数：212BQ CC R V V R R =⋅+ ()()553451BQ BEQEQ CQBQ BEQBQ CEQ CC CQ EQ V V I Z R V V I R V V I R R I R β-=≈-=+=-+-② 画出交流小信号等效电路如图：()()()'451250411////1T be bb EQv be i be V r r I R A r R R R R r R R R ββββ=++=-++=++⎡⎤⎣⎦=③ 由于该电路具有分压式偏置电路，BQ V 固定不变，静态工作点就基本稳定,同时射极电阻5R 引入直流电流负反馈作用，可以自动跟踪CQ I 的变化，使晶体管的Q 点受温度的影响减小，从而进一步稳定了工作点。
2019-2020-1-模电期中试卷
南京信息工程大学《模拟电子电路》期中考试试卷题目部分，（卷面共有25题，100分，各大题标有题量和总分）1.二极管具有_______导电性，稳压二极管在稳压时，工作在_______区域。
2.当温度升高时，二极管的正向压降将________；反向饱和电流将________。
3.某放大器空载时，输出电压为6V ，接入3kΩ负载后输出电压为3V ，则该放大器的输出电阻为________；接入负载后输出电压几乎没有变化，说明输出电阻__________（很大/很小）。
4.在放大电路中，能实现阻抗变换的耦合方式是________；集成电路中一般采用的耦合方式是_________。
5.根据器件的工作原理，晶体三极管是_________控制器件，场效管是__________控制器件。
6.实验室中现有以下仪器（仪表）：A 、0~1kHz 的3位半数字万用表，B 、20Hz~1MHz 电子毫伏表，C 、0~30MHz 示波器。
为测量下列性能指标应选择最合理的仪器（仪表），测电路的静态工作点，应选用________；测视频（6MHz ）放大器输出电压，应选用________。
1.在本征半导体中加入 元素可形成P 型半导体。
（ ） A. 五价B. 四价C. 三价2.测得某放大电路中三极管三个电极ABC 对地的电位分别为12V ，0.7V ，0V ，则该管是______管，ABC 分别为_____。
（ ） A. 硅；集电极，基极，发射极 B. 硅；集电极，发射极，基极C. 锗；发射极，基极，集电极D. 锗；集电极，基极，发射极3.三极管共射、共集、共基三种放大电路中，频率特性最好的是______。
（ ）A 、共射B 、共集C 、共基D 、无区别4.差分放大电路中，共模抑制比越小，说明电路中_______。
（ ） A. 差模放大倍数越小 B. 共模放大倍数越大 C. 抑制温漂的能力越弱D. 共模放大倍数越小5.在一个由NPN 管构成的单管共射放大电路中，输出波形正弦波下半周发生失真，属于_____失真。
模电期中复习题
模电期中复习题模电期中复习题模拟电子技术（模电）是电子工程专业中的一门重要课程，它涉及到电路的设计、分析和调试等方面。
模电期中复习题是考试前的重要准备工作，通过复习题的解答，可以巩固知识，提高解题能力。
下面将就一些常见的模电期中复习题进行讨论。
一、放大器电路放大器是模电中的重要部分，它可以将输入信号的幅度放大到需要的程度。
在放大器电路中，常见的有共射放大器、共基放大器和共集放大器等。
这些电路有不同的特点和应用场景，需要我们了解其工作原理和特性。
1. 共射放大器的工作原理是什么？它的电压增益如何计算？共射放大器是一种常见的放大器电路，其工作原理是基极输入，集电极输出。
在共射放大器中，输入信号通过耦合电容进入基极，经过放大后，输出信号从集电极输出。
电压增益的计算公式为：Av = -gm * Rc。
2. 共基放大器的特点是什么？它的电流增益如何计算？共基放大器是一种特殊的放大器电路，其特点是输入信号通过发射极输入，集电极输出。
共基放大器的特点是电流增益较大，电压增益较小。
电流增益的计算公式为：Ai = -gm * Rc。
3. 共集放大器的工作原理是什么？它的电压增益如何计算？共集放大器是一种常见的放大器电路，其工作原理是基极输入，发射极输出。
在共集放大器中，输入信号通过耦合电容进入基极，经过放大后，输出信号从发射极输出。
电压增益的计算公式为：Av = -gm * Rc / (1 + gm * Re)。
二、运算放大器运算放大器（Operational Amplifier，简称Op-Amp）是模电中常见的电子元件，它具有高增益、高输入阻抗和低输出阻抗等特点，广泛应用于模拟电路中。
1. 什么是运算放大器的共模和差模输入？运算放大器的共模输入是指两个输入端口上的信号具有相同的幅度和相位。
差模输入是指两个输入端口上的信号具有不同的幅度和相位。
2. 运算放大器的虚短等效电路是什么？它的作用是什么？运算放大器的虚短等效电路是将运算放大器的两个输入端口看作短路，输出端口看作开路的等效电路。
模电-2012期中考试试卷+答案
物理与电信工程学院2011－2012学年（二）学期期中考试《模拟电子电路》试题年级班级姓名学号一、填空题(9小题，每空1分，共28分)__变大_____，发射结压降变1. 当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic小，共射电流放大倍数___变大______。
2. PN结正偏时导通，反偏时截止，所以PN结具有单向导电性。
3. 本征半导体掺入 +5 价元素可生成N型半导体，其少数载流子的浓度主要取决于空穴，二极管的最主要特性是单向导电性。
4.NMOS管的衬底是__P______型半导体，使用时应接到比源极和漏极电位___低_____的电位上。
5. 某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为 4kΩ。
两级放大电路的第一级电压放大倍数为100，即电压增益为40 dB，第二级电压增益为26dB，则两级总电压增益为66 dB。
R0 //R L / R0 =3/4 解得R0=4kΩ6.在共射、共集、共基三种基本放大电路中，可以放大电压、不能放大电流的是__共基_____，不能放大电压、可以放大电流的是__共集_____，输入电阻最小的是__共基_____，输出电阻最小的是__共集_____。
7. 结型场效应管的栅源极间必须加_反向______偏置电压才能正常放大；P沟道MOS管的栅源极间必须加__反向____偏置电压才能正常放大。
8. 三极管的共射输出特性可以划分为三个区：饱和区、截止区和放大区。
为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在放大区内。
当三极管的静态工作点过分靠近截止区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近饱和区时容易产生饱和失真。
9. 二极管电路如图所示，设二极管具有理想特性，图中二极管是V1截止，V2导通(导通还是截止)，U AO= -6 V。
二、判断题（8小题，每题1分，共8分）1. 双极型三极管是电流控制器件，场效应管是电压控制器件。
模拟电子技术期中试卷
天津市第一轻工业学校2003年上学期01级《模拟电子技术》期中试卷班级_______姓名______学号____成绩_____一、填空1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是，掺杂越多，则其数量一定越，相反，少数载流子应是掺杂越多，其数量一定越。
室温下，若多数载流子的浓度达到1015/cm3,则少数载流子的浓度为。
2、PN节空间电荷区又称为，在平衡条件下，电性呈，因为区中所带的电量相等。
P区侧应带，N区侧带。
空间电荷区内的电场为，其方向从指向。
3、场效应管的导电机理为，而晶体三极管为。
比较两者受温度的影响优于。
4、场效应管属于式器件，其G、S间的阻抗要晶体三极管B、E间的阻抗，后者则应属于式器件。
5、晶体三极管3种工作区域是、、，与此不同，场效应管常把工作区域分为、、。
6、场效应管3个电极G、D、S类同晶体三极管的电极，而N沟道、P沟道场效应管则分别类同于、两种类型的晶体三极管。
7、掺杂半导体中影响多数和少数载流子数量的主要的因素是，温度变化时受影响更大的是载流子。
8、半导体二极管按制造工艺分为、、三种。
通常流过的电流最大，流过的电流最小。
而对工作频率而言，最高，最低。
9、在放大电路中，若测的某管的三个电极的电位分别为-2.5v，-3.2v，-9v，则分别代表管子的三个电极是，，。
10、一个单端输出的差动放大电路，要提高共模抑制比的方法为。
二、判断1、交流放大电路中，耦合电容C1、C2和发射极旁路电容总是可看作对交流短路。
（）2、晶体管放大电路中，耦合电容C1、C2取得较大，而场效应管放大电路中取得较小，是由于晶体管是电流控制元件，而场效应管是电压控制元件。
（）3、直流负载线是静态下，负载开路时工作点移动的轨迹。
（）4、交流负载线是动态下，接负载工作点移动的轨迹。
（）5、单管放大电器的电压放大倍数A u= -βR c/r be，所以R c越大，电压放大倍数就越大。
（）6、单管放大电路中，当电源电压U cc和集电极电阻R c决定后，若基极电流I B太大会引起饱和失真，I B太小会引起截止失真。
模电期中试卷平行班标准答案A
………密………封………线………以………内………答………题………无………效……电子科技大学2012-2013学年第 一 学期期 中 考试 A 卷课程名称： 模拟电路基础 考试形式： 开卷 考试日期：20 12年 11月 10日 考试时长：_120分钟 本试卷试题由_四_部分构成，共_4_页。
一、填空题（每空2分，共20分）1、半导体器件特性易受外界环境温度影响,其中 少子 载流子是影响其温度稳定性的主要因素。
半导体元器件的最高工作频率受限是由于PN 结存在 电容效应 。
2、晶体管工作在放大区的条件是 BE on u U >（发射结正偏）并且 C B C E B E0u u u ≥≥，即（集电结反偏） 。
3、某晶体管的极限参数CM CM (BR)CEO P = 240 mW I = 120 mA U = 28 V ，，，若它的工作电压CEQ U 为10 V ，则工作电流不得超过 24 mA ；若工作电流C I = 1 mA ，则工作电压不得超过 28 V 。
4、放大电路的带负载能力是指 输出电压不受负载阻值变化影响的能力 ，一般来说，输出电阻 越小，带负载能力越强。
5、有一只P 沟道的FET 和一只PNP 的BJT 管，则由它们正确复合的管子类型应该是 P-FET 。
6、某两级放大电路的空载电压增益分别为122040u u A dB A dB ==，,输入输………密………封………线………以………内………答………题………无………效……出电阻分别为1o125030010050i i R R R R ΩΩΩΩ====o2，，，,则该电路将输入信号电压放大了 250 倍。
二、 简答题（每题6分，共24分）1、试说明晶体管和场效应管放大电路的几种常用基本连接方法，分析比较其各自动态参数()u i o A R R 、、的状况。
答: 接法 共射 共集 共基 共源 共漏 Au 大 小于1 大 大 小于1 Ri 中 大 小 极大 极大 Ro 大 小 大 大 小2、讨论互补输出级消除放大电路失真的工作原理，并举例说明。
模电期中(附答案)
一、填空（10个）1、反向电流是由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。
少数温度无关2、稳定二极管稳压时是处于（）偏置状态，而二极管导通时是处于（）偏置状态。
反向正向3、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放大电路。
共射极共集电极共基极4、晶体三极管的集电极电流Ic=( ) 所以它是（）控制元件βIb 电流5、场效应管的漏极电流ID=( ),所以它是（）控制元件。
g m u gs 电压6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β（）。
增加增加7、当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO（）所以Ic也（) 。
增加也增加8、两个放大系数β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为（）。
β29、在共基、共集、共射三种放大电路中输出电阻最小的电路是（）；既能放大电流，又能放大电压的电路是（）。
共集共射10、当Ucs=0时，漏源之间存在导电沟道的称为（）型场效应管，漏源之间不存在导电沟道的称为（）型场效应管。
耗尽增强二、简答（2个）1、下图图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u0。
二极管D导通，-3V二、指出下图所示各放大电路的名称，并画出它们的交流电路（图中电容对交流呈现短路）。
共集电极放大电路共基极放大电路三、计算（2个）1、电路如下图所示，试求：1、输入电阻；2、放大倍数。
50K 3002、三极管放大电路如下图所示，已知三极管的U BEQ=0.7V，β=100，各电容在工作频率上的容抗可不计。
（！）求静态工作点I CQ、U CEQ；（2）画出放大电路的微变等效电路；（3）求电压放大倍数Au=uo/ui；（4）求输入电阻Ri和输出电阻Ro。
(1)I CQ=2.2mA U CEQ=2.1V(2)(3) A u≈–100(4) R i≈1.5K R0≈3K四、分析（1个）简要分析下图电路的功能与工作原理。
（此图在小班课上简要分析过）。
模拟电子技术期中考试题及答案汇编
2013－2014学年第(2)学期期中考试答案课程代码 0471003/3122200 课程名称 模拟电子技术A/模拟电子技术:（共52分，每空2分）1.2mA 、－0.03mA 、1.23mA 。
C ，电极②是__B __，电极③是_A ___（A ．发射极， B ．基极， C ．集电极）； 该晶体管的类型是_ A ___（A ．PNP 型， B ．NPN 型）；该晶体管的共射电流放大系数约为_ A ___（A ．40 ，， C ．400）。
V U D 7.0=），=1O U 1.3V ，=2O U 。
a ）所示电路的幅频响应特性如图（b ）所示。
影响f L 大小的因素是 C ，影响f H 大小的因素是 A 。
（A ．晶体管极间电容，B ．晶体管的非线性特性，C ．耦合电容）HLV CC( a )( b )f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的 B （A. 0.5 B. 0.7 C. 0.9）f ＝ f L 时，o U 与iU 相位关系是 C （A. 45˚ B. -90˚ C. －135˚）。
5V ；接入2k Ω负载后，输出电压降为 班 级 学 号 姓 名R L12E4826104V，这说明放大电路的输出电阻为0.5KΩ。
5．为下列不同的要求分别从图示电路中选择合适的电路形式。
（1）．电压放大倍数uA >10，并具有较大的电流放大能力的电路是 A 。
（2）．电压放大倍数uA >10，并且输出电压与输入电压同相的电路是 C 。
（3）．电压放大倍数uA ≈1，输入电阻iR>100kΩ的电路是 B 。
L( a )L( b )L( c )6．放大电路及相应的晶体管输出特性如下图所示，直流负载线和Q点也标在图上（设U BEQ＝0.7V）。
（1）电源电压V CC= 12 V，cR= 2 Ωk，bR= 377 Ωk；最大不失真输出电压幅值=omU 4.5 V；；为获得更大的不失真输出电压，bR应减小（增大、减小）（2）若Ω=KR6L，画出交流负载线，要标出关键点的数值；(2分)7. 欲将方波电压转换成三角波电压，应选用哪种运算电路 B 。
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一、填空（10个）
1、反向电流是由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。
少数温度无关
2、稳定二极管稳压时是处于（）偏置状态，而二极管导通时是处于（）偏置状态。
反向正向
3、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放大电路。
共射极共集电极共基极
4、晶体三极管的集电极电流Ic=( ) 所以它是（）控制元件
βIb 电流
5、场效应管的漏极电流ID=( ),所以它是（）控制元件。
g m u gs 电压
6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β（）。
增加增加
7、当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO（）所以Ic也（) 。
增加也增加
8、两个放大系数β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为（）。
β2
9、在共基、共集、共射三种放大电路中输出电阻最小的电路是（）；既能放大电流，又能放大电压的电路是（）。
共集共射
10、当Ucs=0时，漏源之间存在导电沟道的称为（）型场效应管，漏源之间不存在导电沟道的称为（）型场效应管。
耗尽增强
二、简答（2个）
1、下图图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u0。
二极管D导通，-3V
二、指出下图所示各放大电路的名称，并画出它们的交流电路（图中电容对交流呈现短路）。
共集电极放大电路共基极放大电路
三、计算（2个）
1、电路如下图所示，试求：1、输入电阻；
2、放大倍数。
50K 300
2、三极管放大电路如下图所示，已知三极管的U BEQ=0.7V，β=100，各电容在工作频率上的容抗可不计。
（！）求静态工作点I CQ、U CEQ；（2）画出放大电路的微变等效电路；（3）求电压放大倍数Au=uo/ui；（4）求输入电阻Ri和输出电阻Ro。
(1)I CQ=2.2mA U CEQ=2.1V
(2)
(3) A u≈–100
(4) R i≈1.5K R0≈3K
四、分析（1个）
简要分析下图电路的功能与工作原理。
（此图在小班课上简要分析过）。