18602模拟电子技术思考与练习解答
模拟电子技术基础课后习题答案
第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594TV T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1e TV V >>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
模拟电子技术课后习题答案
模拟电子技术课后习题答案(总11页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--第一章题解－1第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ）（3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S 大的特点。
（ ）（6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e UB. T U U I e SC. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（5）U G S ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。
A. 结型管B. 增强型MOS 管C. 耗尽型MOS 管 解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C第二章基本放大电路自测题一、在括号内用“ ”或“×”表明下列说法是否正确。
（1）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（）（2）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（）（3）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（）（4）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（）（5）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（）（6）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（）（7）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
模拟电子技术与应用[华永平][习题解答]思考与练习题2
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模拟电⼦技术与应⽤[华永平][习题解答]思考与练习题2178 1.什么叫反馈？什么叫直流反馈和交流反馈？答：把电⼦系统的输出量（电压或电流）的⼀部分或全部，经过⼀定的电路（称为反馈⽹络）送到它的输⼊端，与原来的输⼊量（电压或电流）共同控制该电⼦系统，这种连接称为反馈。
2.试在已学过的放⼤电路中，列举⼀、两种引⼊反馈的电路，判断它们是直流反馈还是交流反馈？并⽤瞬时极性法判断它们的反馈极性和组态。
答：⼯作点稳定的放⼤电路就是引⼊反馈的电路下图中的Rf 、Re 都是反馈元件其中图（a ）（b ）中Re 、Rf 的是交、直流反馈元件，图（a ）R 和图（b ）（c ）Re 是直流反馈。
这三个电路都是串联电压负反馈。
（a ）3.为什么在串联负反馈中，信号源内阻R s 的值越⼩，其反馈效果越好？⽽在并联负反馈中情况相反，信号源内阻R s 的值越⼤，其反馈效果越好？答：增加反馈的⽬的是希望放⼤器稳定。
串联负反馈中，信号源内阻R s 的值越⼩，放⼤电路获得的净输⼊电压u’i 就越⾼，⽽且输⼊电压不会因放⼤器的输⼊电阻发⽣变化⽽发⽣变化。
因此输⼊电压会越稳定。
所以反馈效果好。
⽽在并联负反馈中情况相反，信号源内阻R s 的值越⼤，放⼤器内阻R i 越⼩，获得的净输⼊电流i i 就越⾼，⽽且输⼊电流不会因放⼤器的输⼊电阻发⽣变化⽽发⽣变化。
因此输⼊电流会越稳定。
所以反馈效果好。
4.反馈放⼤电路的闭环增益表达式中FA 1f≈的物理意义是什么？答：满⾜∣1＋F A∣>>1条件的负反馈，称为深度负反馈。
在深度负反馈条件下，闭环放⼤倍数只取决于反馈系数，⽽与基本放⼤器⼏乎⽆关。
所以∣1＋F A∣>>1时?≈+==F1F A 1A X X A i o f1795.试列举在放⼤电路中引⼊负反馈后产⽣的四种效果，并从物理概念上加以说明。
答：1、电压串联负反馈：因串联反馈可以提⾼输⼊电阻，使输⼊电阻由R i 提⾼到R if ，能从电压源分得更⾼的电压，所以适合于电压源电路，并能稳定输⼊电压。
模拟电子技术基础学习指导与习题解答谢红主编第六章 思考题与习题解答
模拟电子技术基础学习指导与习题解答(谢红主编)第六章思考题与习题解答————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：2第六章思考题与习题解答6-1 要满足下列要求，应引入何种反馈?(1)稳定静态工作点；(2)稳定输出电压；(3)稳定输出电流；(4)提高输入电阻；(5)降低输入电阻；(6)降低输出电阻、减小放大电路对信号源的影响；(7)提高输出电阻、提高输入电阻。
目的复习引入反馈的原则。
解(1)欲稳定静态工作点应引入直流负反馈，因为静态工作点是个直流问题。
(2)稳定输出电压应引入电压负反馈。
输出电压是交流参量，电压负反馈属于交流反馈组态。
在四种交流负反馈组态中，电压串联负反馈和电压并联负反馈均能达到稳定输出电压的目的。
(3)稳定输出电流应引入电流负反馈。
输出电流也是交流参量，在四种组态中，引电流串联负反馈或电流并联负反馈均可。
(4)提高输入电阻应引入串联负反馈，如电压串联负反馈或者电流串联负反馈。
(5)降低输入电阻应引入并联负反馈，如电压并联负反馈或者电流并联负反馈。
(6)降低输出电阻、减小放大电路对信号源的影响是一个减小输出电阻并提高输入电阻的问题，应引入电压串联负反馈。
(7)输入、输出电阻均提高应引入电流串联负反馈。
6-2 负反馈放大电路为什么会产生自激振荡?产生自激振荡的条件是什么?解在负反馈放大电路中，如果把负反馈引的过深会将负反馈变成正反馈，于是自激振荡就产生了。
产生自激振荡的条件是AF=-1幅度条件AF=1相位条件arg AF=±(2n+1)π,n为整数∆=±180°或者附加相移φ6-3 判断下列说法是否正确，用√或×号表示在括号内。
(1)一个放大电路只要接成负反馈，就一定能改善性能。
( )(2)接入反馈后与未接反馈时相比，净输入量减小的为负反馈。
( )(3)直流负反馈是指只在放大直流信号时才有的反馈；( )交流负反馈是指交流通路中存在的负反馈。
模拟电子技术 课后习题问题详解 康华光等编
模拟电子技术习题答案第二章2.4.1电路如图题2.4.1所示。
（1）利用硅二极管恒压降模型求电路的I D 和 V o 的值；（2）在室温（300K ）的情况下，利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。
解（1）求二极管的电流和电压mA A VR v V I D DD D 6.8106.8101)7.0210(233=⨯=Ω⨯⨯-=-=- V V V V D O 4.17.022=⨯==（2）求v o 的变化范围图题2.4.1的小信号模型等效电路如图解2.4.l 所示，温度 T ＝300 K 。
Ω≈==02.36.826mAmV I V r D T d 当r d1=r d2=r d 时，则mV V r R r V v d d DDO 6)02.321000(02.32122±=Ω⨯+Ω⨯⨯±=+∆=∆O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ∆-∆+，即1.406V ～1.394V 。
2.4.3二极管电路如图2.4.3所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO 两端电压V AO 。
设二极管是理想的。
解 图a ：将D 断开，以O 点为电位参考点，D 的阳极电位为－6 V ，阴极电位为－12 V ，故 D 处于正向偏置而导通，V AO =–6 V 。
图b ：D 的阳极电位为－15V ，阴极电位为－12V ，D 对被反向偏置而截止，VAO ＝－12V 。
图c ：对D 1有阳极电位为 0V ，阴极电位为－12 V ，故D 1导通，此后使D 2的阴极电位为 0V ，而其阳极为－15 V ，故D 2反偏截止，V AO =0 V 。
图d ：对D 1有阳极电位为12 V ，阴极电位为0 V ，对D 2有阳极电位为12 V ，阴极电位为 －6V ．故D 2更易导通，此后使V A ＝－6V ；D 1反偏而截止，故V AO ＝－6V 。
2.4.4 试判断图题 2.4.4中二极管是导通还是截止，为什么？ 解 图a ：将D 断开，以“地”为电位参考点，这时有V V k k V A 115)10140(10=⨯Ω+Ω=V V k k V k k V B 5.315)525(510)218(2=⨯Ω+Ω+⨯Ω+Ω=D 被反偏而截止。
模拟电子技术课后习题及答案
第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P 型半导体。
（ ） （2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ）（3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。
（ ）（6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e UB. T U U I e SC.)1e (S －TU U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（5）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝。
解：U O1≈，U O2＝0，U O3≈－，U O4≈2V，U O5≈，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。
求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
解：U O1＝6V，U O2＝5V。
五、某晶体管的输出特性曲线如图所示，其集电极最大耗散功率P CM＝200mW，试画出它的过损耗区。
电子技术基础 模拟部分 课后复习思考题答案
100 100 v o 2v o1 1 v o2 2(v o1 v o2 ) 2(3vi1 vi2 2vi3 ) 50 150
6．试写出图示加法器对vI1、vI2、vI3 的运算结果：vO = f (vI1、vI2、vI3)。
解：A2 的输出 vO2=-(10/5)vI2-(10/100)vI3=-2vI2-0.1vI3 vO=-(100/20)vI1-(100/100)vO2=-5vI1+2vI2+0.1vI3
vi 2
v i
5．图示电路中，A1，A2，A3 均为理想运放。 （1）A1，A2，A3 分别组成何种基本运算电路； （2）列出 vO1，vO2，vO 的表达式。
6
解： （1）同相比例运算电路、反相求和运算电路、差动运算电路。
v o1 3vi1
（2）
v o2 vi2 2vi3
模 拟 电 子 技 术 习题答案
电工电子教学部
2012.2
1
第一章 绪论
一、填空题： 1. 自然界的各种物理量必须首先经过 传感器 将非电量转换为电量，即 电信号 。 2. 信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的 频谱 。 3. 通过傅立叶变换可以实现信号从 时域 到频域的变换。 4. 各种信号各频率分量的 振幅 随角频率变化的分布，称为该信号的幅度频谱。 5. 各种信号各频率分量的 相位 随角频率变化的分布，称为该信号的相位频谱。 6. 周期信号的频谱都由 直流分量 、基波分量 以及 无穷多项高次谐波分量 组成。 7. 在时间上和幅值上均是连续的信号 称为模拟信号。 8. 在时间上和幅值上均是离散的信号 称为数字信号。 9. 放大电路分为 电压放大电路 、电流放大电路、互阻放大电路 以及 互导放大电路 四类。 10. 输入电阻 、输出电阻 、增益 、 频率响应 和 非线性失真 等主要性能指标是衡量放大电路的标准。 11. 放大电路的增益实际上反映了 电路在输入信号控制下，将供电电源能量转换为信号能量 的能力。 12. 放大电路的电压增益和电流增益在工程上常用“分贝”表示，其表达式分别是
《模拟电子技术基础》典型习题解答
《模拟电⼦技术基础》典型习题解答《模拟电⼦技术基础》典型习题解答模拟电⼦技术基础习题与解答1章绪论1.2.1在某放⼤电路输⼊端测量到输⼊正弦信号电流和电压的峰－峰值分别为5A µ和5 mV 。
输出端接2k Ω电阻负载，测量到正弦电压信号峰－峰值为1V 。
试计算该放⼤电路的电压增益V A 、电流增益IA 、功率增益P A ，并分别换算成dB 数表⽰。
解：（1）电压增益20010513=?==-iO V V V A )(46200lg 20)(dB dB A V ==∴（2）电流增益 100105102/1/63=??===-iLO iO I I R V I I A )(40100lg 20)(dB dB A I ==∴（3）功率增益20000=?=I V P A A A )(43102lg 104dB A P =?=∴1.2.4 某放⼤器输⼊电阻,10Ω=k R i 如果⽤A µ1电流源驱动，放⼤电路短路输出电流为10,mA 开路输出电压为10V 。
求放⼤电路接Ωk 4负载电阻时的电压增益V A 、电流增益I A 、功率增益P A ，并分别转换成dB 数表⽰。
解：Ω=?==-k I V R OsOO O 11010103100010101064=?===-ii OO iOO VO I R V V V A)(62106.1lg 10)(106.12000800)(662000lg 20)(200010)14(101010101010)(58800lg 20)(80010)14(1041066334463333dB dB A A A A dB dB A R R R A I I A I I A dB dB A R R R A V V A P I V P V LO O ISiO V iOS IS V OL L VOiO V =?=?=?=====?+?=+===?=====?+??=+==∴--功率增益电流增益⽽电压增益第⼀章半导体器件的基础知识1.2 电路如图P1.2（a ）所⽰，其输⼊电压u I1和u I2的波形如图（b ）所⽰，⼆极管导通电压U D ＝0.7V 。
模拟电子技术基础学习指导与习题解答(谢红主编)第二章
第二章思考题与习题解答2-1判断正确(幻与错误(X)。
电路的静态是指：(1)输入交流信号的幅值不变时的电路状态。
()(2)输入交流信号的频率不变时的电路状态。
()(3)输入交流信号且幅值为零时的状态。
()(4)输入端开路时的状态。
()(5)输入直流信号时的状态。
()目的澄清静态的概念。
解(1) X。
因为这是动态概念。
(2)X。
理由与⑴相同。
(3)即当弘=。
时的状态，也就是正弦波过零点对应的状态就是静态。
(4)X。
输入端开路时不能保证q=o的条件，可能有干扰信号从输入端窜入，因此不能保证静态。
(5) X。
这仍然是动态概念。
2-2试判断图题2-2(a)〜(i)所示各电路对交流正弦电压信号能不能进行正常放大，并说明理由。
图题2-2目的检查放大电路是否能正常放大。
分析一个能正常工作的放大电路应该同时满足四个原则，缺一不可。
这就是：①e结正偏，c结反偏。
由直流电源匕y与保证。
②信号能输入。
③信号能输出。
④波形基本不失真。
由合适的工作点保证。
检查一个电路，只要有一个原则不满足就不能正常放大。
解图⑶不能正常放大。
因为的极性接反了，使e结反偏。
图(b)不能放大。
原因是匕、c极性接反了，使c结正偏。
图(c)不能放大。
因为4=0,使信号(通过短路线以及匕《对地交流短路，加不到晶体管上，从而U0=0。
图(d)不能放大。
因为e结处于零偏置。
图(e)能正常工作。
因为四个原则均满足。
图⑴不能放大。
因为电容C有隔直作用，使不能在凡上产生偏置电流，即，BQ=。
，工作点不合理°图值)不能放大。
因为将信号q对地直接短路，不能输入到晶体管上.图(h)不能放大。
因为凡=o,信号不能输出.图⑴能放大。
四个原则均满足。
其中二极管起温度补偿作用,X 2-3电路如图题2-3所示，三极管为3Ax21, /?b=100kQ, ^C=9V,晶体管参数it图题2・3⑴要求 /c = 2mA, V BB =?⑵要求 Z c = 2mA , -i/CE=5 V,&=?⑶如果基极改为由电源匕c供电，工作点不改变，则&值应改为多少?目的已知静态工作点反算电路参数0分析这是一个由PNP楮管构成的放大电路。
模拟电子技术与应用[华永平][习题解答]思考与练习题4
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思 考与练习题44.1 常用的小功率直流稳压电源系统由哪几部分组成，试述各部分的作用。
答：一个性能良好的单相小功率直流稳压电源通常由四部分组成：电源变压器、整流电路、滤波电路和稳压电路。
4.2 整流二极管的反向电阻不够大，而正向电阻较大时，对整流效果会产生什么影响？答：整流二极管的反向电阻不够大，输入信号为负半周时，二极管不能反向截止，负载上的输出信号不能为零；而正向电阻较大时，输入信号为正半周时，负载上的输出信号幅度和输入信号的幅度不能基本相等。
4.3 在整流电路中，二极管的选择应考虑哪些参数值？答：半波整流电路中的二极管安全工作条件如下。
① 二极管的最大整流电流必须大于实际流过二极管的平均电流，即I F ＞I VD0=U L0/R L =0.45U 2/R L ② 二极管的最大反向工作电压U R 必须大于二极管实际所承受的最大反向峰值电压U RM ，即U R ＞U RM =2U 24.4 电路如图4-5所示，试分析该电路出现故障时，电路会出现什么现象？①二极管VD 1的正负极性接反；②VD 1击穿短路；③VD 1开路。
答： ①二极管VD 1的正负极性接反，输出电压为负。
②VD 1击穿短路，电路没有了整流作用。
③VD 1开路，电路没有输出。
4.5 在整流滤波电路中，采用滤波电路的主要目的是什么？就其结构而言，滤波电路有电容输入式和电感输入式两种，各有什么特点？各应用于何种场合？图4-13、图4-15、图4-16和图4-17各属于何种滤波电路？答：滤波电路的作用是对整流电路输出的脉动电压进行滤波，从而得到交变成分很小的直流电压。
滤波电路实际为低通滤波器，其截止频率应低于整流输出电压的基波频率。
电容滤波电路输出电压高，滤波效能高，但带负载能力差，适用于电压变化范围不大，负载电流小的设备。
电感滤波适用于低电压、大电流的场合。
且工频电感体积大，重量重，价格高，损耗大，电磁辐射强，因此一般少用。
图4-13属于电容滤波电路、图4-15属于电感滤波电路、图4-16属于倒L 型滤波电路、图4-17属于 型滤波电路。
【精品】模拟电子与数字电子技术复习思考题
《模拟电子与数字电子技术》复习思考题试题答案在图示电路中,已知ui=10sinωtV，US=5V，二极管的正向压降可忽略不计，试画出输出电压uo的波形。
根据二极管的单向导电性：当ui<US时，二极管D导通，uo=US;当ui〉US时，二极管D截止，uo=ui放大电路如图所示，已知三极管的UBE=0.7V，β＝50，RB=377kΩ，RC=6kΩ，RL=3kΩ，VCC=12V.试计解：（1）根据电路的直流通路，可估算电路的静态工作点:算：用估算法计算电路的静态工作点（IB，IC,UCE）；画出小信号模型电路；计算电压放大倍数Au；；计算输入电阻ri和输出电阻ro IB=（VCC－UBE）/RB＝(12－0.7）/(377×103)A=30uAIC=βIB＝50×30uA=1。
5mAUCE=VCC－RCIC＝（12－6×1。
5）V＝3V（2）小信号模型电路为：（3）电压放大倍数：因为：rbe＝300＋（1＋β）26/IEIE≈IC所以：rbe＝300＋（1＋50)26/1.5≈1。
2kΩAu=－β（RC∥RL)/rbe＝－50×（6∥3)/1。
2＝－83.3（4）输入电阻：ri=RB∥rbe≈rbe＝1。
2kΩ输出电阻：ro＝RC＝6kΩ解：反馈环节为RF指出图示放大器中的反馈环节，并判别其反馈类型和反馈方式.负反馈电流并联图示运算放大器电路中,R1=25kΩ，R2=50kΩ，RF=100kΩ，已知uI1=1V,uI2=0。
5V，求输出电压uO。
解：uo=－(RF/R1)×uI1－(RF/R2）×uI2=－(100/25)×1－100/50×0.5＝－5V已知图示逻辑电路和输入波形，写出输出F的逻辑表达式，并画出输出的波形。
输出F的逻辑表达式:F=AB输出的波形：分析图示组合逻辑电路的逻辑功能:（1）由图写出逻辑式，并进行化简；（2）列出真值表；（3)分析电路的逻辑功能解：（1）由图可写出逻辑式：（2）真值表为：（3）逻辑功能:由真值表可看出：当输入变量A、B相异时，输出F为0；当输入变量A、B相同时，输出F为1。
模拟电子技术习题及答案完整版本
习题88.1判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果填入括号内。
（1）与分立元件比较，集成电路的主要优势是低成本和优良的性能。
（）（2）集成放大器采用直接耦合的主要原因是集成电路技术很难制造大容量的耦合电容。
（3）直接耦合的主要缺点是零点漂移。
（）（4）晶体管的参数受温度的影响，但不影响零点漂移。
（）（5）零点漂移受电源电压变化、器件参数老化和温度变化的影响。
（）（6）在集成电路中元件的对称性差。
（）（1）集成放大器主要有由输入级、中间放大级、输出级和偏置电路组成。
（）答：（1）√（2）√（3）√（4）×（5）√（6）×（7）√8.2选择合适答案填入空内。
（1）集成运放电路采用直接耦合方式是因为。
A．可获得很大的放大倍数 B. 可使温漂小C．集成工艺难于制造大容量电容（2）通用型集成运放适用于放大。
A．高频信号 B. 低频信号C. 任何频率信号（3）集成运放制造工艺使得同类半导体管的。
A. 指标参数准确B. 参数不受温度影响C．参数一致性好（4）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以。
A．减小温漂 B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻（5）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用。
A．共射放大电路 B. 共集放大电路C．共基放大电路答：（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A8.3 电路如题图8.3所示，已知β1=β2=β3=100。
各管的V B E均为0.7V，试求I C2的值。
题图8.3解：分析估算如下： 100BE1BE2CC =--=RU U V I R μAC2E2C11C1C0C2C0C22C2222(2)111111()2210022B R R I I I I I I I I I I I I A ββββββββββββββμββ++==+===+++++=+=+++==++8.4 多路电流源电路题图8.4所示，已知所有晶体管的特性均相同，V B E 均为0.7V ，β0=β1=β2=β3=100。
模拟电子技术习题及解答
模拟电子技术基础第一章1.1 电路如题图1.1所示，已知)5sin i u t V ω=，二极管导通电压降D 0.7V U =。
试画出i u 和o u 的波形，并标出幅值。
解：通过分析可知：(1) 当37V i u .>时，37o u .V = (2) 当37V 37V i .u .-≤≤时，o i u u = (3) 当37V i u .<-时，37o u .V =- 总结分析，画出部分波形图如下所示：1.2 二极管电路如题图1.2所示。
（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算AO 两端的电压AO U 。
解：对于（a ）来说，二极管是导通的。
采用理想模型来说，6V AO U =- 采用恒压降模型来说，67V AO U .=-对于（c ）来说，二极管1D 是导通的，二极管2D 是截止的。
采用理想模型来说，0AO U = 采用恒压降模型来说，07V AO U .=-1.3 判断题图1.3电路中的二极管D 是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流D ?I =解：（b ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：25101515V 182255U .-⨯+⨯++左＝＝10151V 14010U ⨯+右＝＝故此二极管截止，流过的电流值为0D I ＝（c ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：151525V 255U .⨯+左＝＝，2252005V 182U ..-⨯+左＝＝10151V 14010U ⨯+右＝＝由于05V U U .-=右左，故二极管导通。
运用戴维宁定理，电路可简化为05327μA 153D .I ..==1.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。
解： T1: 硅管，PNP ，11.3V 对应b, 12V 对应e, 0V 对应cT2: 硅管，NPN ，3.7V 对应b, 3V 对应e, 12V 对应c T3: 硅管，NPN ，12.7V 对应b, 12V 对应e,15V 对应c T4: 锗管，PNP ，12V 对应b, 12.2V 对应e, 0V 对应c T5: 锗管，PNP ，14.8V 对应b, 15V 对应e, 12V 对应c T6: 锗管，NPN ，12V 对应b, 11.8V 对应e, 15V 对应c模拟电子技术基础 第二章2.2 当负载电阻L 1k R =Ω时，电压放大电路输出电压比负载开路（L R =∞）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻o r 。
模拟电子实验思考题及答案(64学时)
3
模拟电子技术实验
实验指导书思考题及答案
实验 1.1 示波器的使用
四、实验总结报告分析提示 Y 轴校零，把耦合方式放“GND”，调整输入通道的垂直“POSITION”旋钮， 将零基准线调到合适的位置。 Y 轴校零作用：确定信号零的位置，能看出波形相对于零是高还是低。 思考题 1：示波器上的信号测试线（同轴电缆）上黑夹子和红夹子在测试信 号时能否互换使用？黑夹子的正确接法？ 答：不可以互换。黑夹子必须接所测信号的“地”端。 思考题 2：当用示波器测“CAL”的波形时，说明 Y 轴输入耦合方式选“DC” 档 与“AC”档有什么不同？ 答：有不同，“CAL”有 1V 直流分量。 选“DC”档：波形的交、直流分量都能显示。 选“AC”档：输入信号要经过电容，因此只能显示交流分量，无直流
思考题 2： TFG5003 数字扫频信号发生器显示的正弦交流电压是有效值还
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模拟电子技术实验
是峰值？信号发生器显示的方波电压是峰-峰值还是峰值？ 答：信号发生器显示的正弦交流电压是有效值。
信号发生器显示的方波电压是峰值。 思考题 3：当用示波器观测信号发生器输出方波信号时，Y 轴耦合方式选择 “AC”或“DC”有什么不同？为什么？ 答：波形没有不同。因为信号发生器产生的方波信号没有直流分量。
Ui2 ) ，特点类似于反相比例电路，可运用
叠加原理求输入输出电压关系式。
误差原因
1、运放非理想状态：开环放大倍数非∞，同相、反相输入端电流非零。 2、电阻等元件参数非标称值。 3、测量仪器仪表——万用表、示波器的误差。 4、工作在非线性区域导致很大误差。 3、比例电路输入输出电压传输特性曲线除了线性区外，要画到实测的正负饱和 值。 4、思考题：当表 2-2-3 中 Ui 大于等于±4V 时，Uo 会大于等于±12V 吗？为什么？
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模拟电子技术节后思考与练习解答1.1 思考与练习1、半导体具有哪些独特性能？在导电机理上，半导体与金属导体有何区别？答：半导体只所以应用广泛，是因为它具有光敏性、热敏性和掺杂性的独特性能，在导电机理上，金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电，而半导体中有多子和少子两种载流子同时参与导电，这是它们导电机理上的本质区别。
2、何谓本征半导体？什么是“本征激发”？什么是“复合”？答：天然半导体材料经过特殊的高度提纯工艺，成为晶格结构完全对称的纯净半导体时，称为本征半导体。
由于光照、辐射、温度的影响在本征半导体中产生电子—空穴对的现象称为本征激发；本征激发的同时，共价键中的另外一些价电子“跳进”相邻原子由本征激发而产生的空穴中的现象称为复合。
复合不同于本征激发，本征激发的主要导电方式是完全脱离了共价键的自由电子载流子逆着电场方向而形成的定向迁移，而复合运动的导电方式是空穴载流子的定向迁移，空穴载流子带正电，顺电场方向定向运动形成电流。
3、N型半导体和P型半导体有何不同？各有何特点？它们是半导体器件吗？答：本征半导体中掺入五价杂质元素后可得到N型半导体，N型半导体中多子是自由电子，少子是空穴，定域的离子带正电；本征半导体中掺入三价杂质元素后可得到P型半导体，P型半导体中多子是空穴，少子是自由电子，定域的离子带负电。
这两种类型的半导体是构成半导体器件的基本元素，但它们都不能称之为半导体器件。
4、何谓PN结？PN结具有什么特性？答：在同一块晶体中的两端注入不同的杂质元素后，在两端分别形成P区和N区，而在P区和N区交界处因为浓度上的差别而出现扩散，扩散的结果在两区交界处形成一个干净的离子区，这个离子区就是PN结，PN结具有单向导电性：正向偏置时导通，反向偏置时截止。
5、电击穿和热击穿有何不同？试述雪崩击穿和齐纳击穿的特点。
答：电击穿包括雪崩击穿和齐纳击穿，前者是一种碰撞的击穿，后者属于场效应的击穿，这两种电击穿一般可逆，不会造成PN结的永久损坏。
如果上述两种击穿不加任何限制而持续增强时，由于PN结上的热量积累就会造成热击穿，热击穿过程不可逆，可造成二极管的永久损坏。
．1.2思考与练习1、二极管的伏安安特性曲线上分为几个区？试述各工作区上电压和电流的关系。
答：二极管的伏安特性曲线上分有死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区四个工作区。
死区上正向电压很小，电流基本为零；正向导通区管压降基本不变，硅管约为0.6～0.8V，其典型值通常取0.7V；锗管约为0.2～0.3V，其典型值常取0.3V，但通过管子的正向电流迅速增长；在反向截止区内，通过二极管的反向电流是半导体内部的少数载流子的漂移运动，只要二极管工作环境的温度不变，少数载流子的数量就保持恒定，由于反向饱和电流的数值很小，在工程实际中通常近似视为零值；在反向击穿区，反向电流会突然随反向电压的增加而急剧增大，造成齐纳击穿或雪崩击穿现象，如不加限流设置，极易造成“热击穿”而使二极管永久损坏。
、普通二极管进入反向击穿区后是否一定会被烧损？为什2 么？答：普通二极管工作在反向击穿区时，反向电流都很大，如不加设限流设置，极易造成“热击穿”而造成永久损坏。
、为什么把反向截止区的电流又称为反向饱和电流？3 图1.23反向截止区内通过二极管的反向电流是半导体内部少数载答：流子的漂移运动形成的。
只要二极管的工作环境温度不变，少数载流子的数量就会保持恒定，因此反向截止区的电流又被称为反向饱和电流。
反向饱和电流的数值很小，在工程实际中通常近似视为零值。
所示电路中二极管各处于什么工作状态？设各、试判断图1.234 。
0.7V二极管的导通电压为，求输出电压U AO处于反向处于正向导通状态，二极管答：图中二极管VDVD21。
＝－截止状态，输出电压U0.7V AO图1.23 的干电池直接正向联接到二极管的两端，会出现、把一个1.5V5 什么问题？的电阻，并使二干电池串一个约答：测量二极管类型及好坏时，通常采用1.5V1k?极管按正向接法与电阻相连接，使二极管正向导通。
然后用万用表的直流电压档测量二极就U为，管两端的管压降U如果测到的U0.6~0.7V则为硅管，如果测到的为0.1~0.3V DDD的干电池正向连接到二极管的两端，因为没有限流电阻，1.5V是锗管。
如果测量时直接把就可能使二极管中因电流过大而损坏。
u V，试画出输出电压t＝u1.246、理想二极管电路如图所示。
已知输入电压10sin ω0i1.24 图的波形。
答：（a）图：图中二极管若看作理想二极管，当输入正弦波电压低于－5V时，二极管D导通，输出电压u=u；当输入正弦波电压高于－5V时，二极管D截止，输出电压iO－5V，波形如下图所示：=u O u/u i o10VD时，二极管）图：图中二极管也看作理想二极管，当输入正弦波电压高于＋5Vb（＋=u=导通，输出电压uu；当输入正弦波电压低于＋5V时，二极管D截止，输出电压OOi，波形如下图所示：5V /u u i o10Vωt0思考与练习1.3、双极型三极管的发射极和集电极是否可以互换使用？为什么？1答：由于三极管的发射区和集电区掺杂质浓度上存在较大差异，且面积也相差不少，因此不能互换使用。
如果互换使用，其放大能力将大大下降甚至失去放大能力。
β？2、三极管在输出特性曲线的饱和区工作时，其电流放大系数是否也等于答：三极管工作在饱和区时，电流放大能力下降，电流放大系数β值随之下降。
射值；③集—I值；②耗散功率超过P、使用三极管时，只要①集电极电流超过3CMCM 值，三极管就必然损坏。
上述说法哪个是对的？极电压超过U CEOBR）（值时，三极管将由于过热而烧损。
答：其中只有说法②正确，超过最大耗散功率P CM型还NPN4、用万用表测量某些三极管的管压降得到下列几组数据，说明每个管子是PNP型？是硅管还是锗管？它们各工作在什么区域？是0.3V＝；，U①＝0.7V U CEBE；U0.7V＝②U，4V＝CEBE．③U＝0V，U＝4V；CEBE④U＝－0.2V，U＝－0.3V；CEBE⑤U＝0V，U＝－4V。
CEBE答：①NPN硅管，饱和区；②NPN硅管，放大区；③NPN硅管，截止区；④PNP锗管，放大区；⑤PNP 锗管，截止区。
5、复合管和普通三极管相比，具有哪些特点？通常用于哪些场合？答：和普通三极管相比，复合管的电流放大系数比普通三极管大得多，鉴于复合管的这种特点，常常用于音频功率放大、电源稳压、大电流驱动和开关控制等电路中。
1.4 思考与练习1、双极型三极管和单极型三极管的导电机理有什么不同？为什么称双极型三极管为电流控制型器件？MOS管为电压控制型器件？答：双极型三极管有多子和少子两种载流子同时参与导电；单极型三极管只有多子参与导电。
由于双极型三极管的输出电流I受基极电流I的控制，因此称其为电流控件；BC MOS管的输出电流I受栅源间电压U的控制，因之称为电压控制型器件。
GSD2、当U为何值时，增强型N沟道MOS管导通？当U等于何值时，漏极电流表现GDGS出恒流特性？答：当U=U时，增强型N沟道MOS管开始导通，随着U的增加，沟道加宽，GSGST I增大。
当U ＝U－U<U时，漏极电流I几乎不变，表现出恒流特性。
DGDDSGSDT3、双极型三极管和MOS管的输入电阻有何不同？答：双极型三极管的输入电阻r一般在几百欧～千欧左右，相对较小；而MOS管绝be缘层的输入电阻极高，趋近于无穷大，因此通常认为栅极电流为零。
4、MOS管在不使用时，应注意避免什么问题？否则会出现何种事故？答：由于二氧化硅层的原因，使MOS管具有很高的输入电阻。
受外界电压影响时，栅极易产生相当高的感应电压，造成管子击穿，所以MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。
5、为什么说场效应管的热稳定性比双极型三极管的热稳定性好？答：双极型三极管同时有两种载流子参与导电，其中少数载流子受温度影响变化较大，即其热稳定性较差，而场效应管只有多子一种载流子参与导电，而温度对多子无影响，因此其热稳定性较好。
1.5 思考与练习。
、分析下列说法是否正确，对者打“√”错者打“×”1．（1）晶闸管加上大于1V的正向阳极电压就能导通。
（×）（2）晶闸管导通后，控制极就失去了控制作用。
（√）（3）晶闸管导通时，其阳极电流的大小由控制极电流决定。
（√）（4）只要阳极电流小于维持电流，晶闸管就从导通转为阻断。
（×）（只有在门控极电流为零时，阳极电流小于维持电流时，晶闸管才会从导通转为阻断。
）2、当正向阳极电压大到正向转折电压时，晶闸管能够正常导通吗？为什么？答：当正向阳极电压超过临界极限即正向转折电压U时，漏电流会急剧增大，晶闸BO管便由阻断状态转变导通状态，这种开通不属于正常导通，称为“硬开通”。
3、何谓晶闸管的“硬开通”？晶闸管正常工作时允许“硬开通”吗？为什么？答：晶闸管的正向阳极电压超过临界极限即正向转折电压U时，晶闸管出现“硬开BO通”，硬开通时晶闸管的管压降只有1V左右，但是通过晶闸管的电流却很大，显然，晶闸管正常工作时一般是不允许硬开通。
4、选择晶闸管时，主要选择哪两个技术参数？答：选择晶闸管时，主要选择额定通态平均电流I和反向峰值电压U这两个参数。
RRMT2.1 思考与练习1、影响静态工作点稳定的因素有哪些？其中哪个因素影响最大？如何防范？答：实践证明，放大电路即使有了合适静态工作点，在外部因素的影响下，例如温度变化、电源电压的波动等，都会引起静态工作点的偏移，在诸多影响因素中，温度变化是影响静点稳定的最主要因素。
在放大电路中加入反馈环节，可以有效地抑制温度对静态工+VV+CCCCCR2R CC B 2CC1+1+VTVT++u u0u0u i R i B2（b））（aV+CCV+CCRRC CR B1 2CR C2 B1C1 C+1 ＋－VT－+VT＋u0u u0R i u R B2R i E B2（d）c（）电路图2思考与练习题 2.19 图作点的影响。
2、图2.19所示各电路，分析其中哪些具有放大交流信号的能力？为什么？答：图（a）没有放大交流信号的能力。
因为，基极电位V=U，静态工作点太高；CCB图（b）电路中，由于集电极电阻R=0，所以无法实现电压放大；图（c）分压式偏置共射C放大电路缺少负反馈环节，且电容极性反了，因此易产生失真，不能正常放大；图（d）电路中核心元件三极管应选择NPN硅管，但用成PNP管，因此不具有交流信号放大能力。
3、静态时耦合电容C、C两端有无电压？若有，其电压极性和大小如何确定？21答：静态时耦合电容C和C两端均有电压。
共射放大电路静态时，输入信号源相当21于短路，因此，耦合电容C的端电压等于三极管基极电位值V，左低右高；静态下由于B1无输出，所以输出端也相当短路短路，耦合电容C的端电压等于三极管输出电压值U，CE2左高右低。