(完整版)微电子封装必备答案
微电子封装技术知到章节答案智慧树2023年潍坊学院
微电子封装技术知到章节测试答案智慧树2023年最新潍坊学院第一章测试1.封装会使芯片包裹的更加紧实，因此提供散热途径不是芯片封装要实现的功能。
（）参考答案:错2.按照封装中组合使用的集成电路芯片的数目，芯片封装可以分为单芯片封装和多芯片封装两类。
（）参考答案:对3.按照针脚排列方式的不同，针栅排列可以提供较高的封装密度，其引脚形式为（）。
参考答案:底部引脚形态4.针栅阵列式封装的引脚分布形态属于（）。
参考答案:底部引脚5.集成电路的零级封装，主要是实现（）。
参考答案:芯片内部器件的互连;芯片内部不同功能电路的连接第二章测试1.硅晶圆可以直接用来制造IC芯片而无需经过减薄处理工艺。
（）参考答案:错2.当金-硅的质量分数为69%和31%时能够实现共熔，且共熔温度最低。
（）参考答案:对3.玻璃胶粘贴法仅适用于（）。
参考答案:陶瓷封装4.以下芯片互连方式，具有最小的封装引线电容的是（）。
参考答案:FC焊接5.集成电路芯片封装的工序一般可分为（）。
参考答案:前道工序;后道工序第三章测试1.轴向喷洒涂胶工艺的缺点为成品易受到水气侵袭。
（）参考答案:对2.碳化硅是半导体，因此它不能作为陶瓷封装的材料。
（）参考答案:错3.陶瓷封装工艺首要的步骤是浆料的制备，浆料成分包含了无机材料和（）。
参考答案:有机材料4.金属封装所使用的的材料除了可达到良好的密封性之外，还可提供良好的热传导及（）。
参考答案:电屏蔽5.降低密封腔体内部水分的主要途径有以下几种（）。
参考答案:采取合理的预烘工艺;尽量降低保护气体的湿度;避免烘烤后管壳重新接触室内大气环境第四章测试1.双列直插封装的引脚数可达1000以上。
（）参考答案:错2.球栅阵列封装形式的芯片无法返修。
（）参考答案:错3.以下封装方式中，具有工业自动化程度高、工艺简单、容易实现量产的封装形式为（）。
参考答案:塑料双列直插式封装4.载带球栅阵列封装所用的焊球，其成分为（）。
参考答案:90%Pb-10%Sn5.陶瓷熔封双列直插式封装结构简单，其三个基本零部件为（）。
微电子封装复习详细版(DOC)
1、微电子封装技术中常用封装术语英文缩写的中文名称：DIP：双列直插式封装double in-line packageQFP(J)：四边引脚扁平封装quad flat packagePGA：针栅阵列封装pin grid arrayPLCC：塑料有引脚片式载体plastic leaded chip carrierSOP(J)：IC小外形封装small outline packageSOT：小外形晶体管封装small outline transistor packageSMC/D：表面安装元器件surface mount component/deviceBGA：焊球阵列封装ball grid arrayCCGA：陶瓷焊柱阵列封装C eramic Column Grid ArrayKGD：优质芯片（已知合格芯片）Known Good DieCSP：芯片级封装chip size packageWB：引线键合wire bondingTAB：载带自动焊tape automated bondingFCB：倒装焊flip chip bondingOLB：外引线焊接Outer Lead BondingILB：内引线焊接C4：可控塌陷芯片连接Controlled Collapse Chip ConnectionUBM：凸点下金属化Under Bump MetalizationSMT：表面贴装技术THT：通孔插装技术Through Hole TechnologyCOB：板上芯片COG：玻璃上芯片WLP：晶圆片级封装Wafer Level PackagingC：陶瓷封装P：塑料封装T：薄型F：窄节距B：带保护垫2、微电子封装的分级：零级封装：芯片的连接，即芯片互连级一级封装：用封装外壳将芯片封装成单芯片组件和多芯片组件二级封装：将一级封装和其他组件一同组装到印刷电路板（或其他基板）上三级封装：将二级封装插装到母板上3、微电子封装的功能：1）电源分配：保证电源分配恰当，减少不必要的电源消耗，注意接地线分配问题。
电子封装技术基础知识单选题100道及答案解析
电子封装技术基础知识单选题100道及答案解析1. 电子封装的主要作用不包括（）A. 保护芯片B. 提供电气连接C. 提高芯片性能D. 增加芯片尺寸答案：D解析：电子封装的主要作用是保护芯片、提供电气连接以及在一定程度上优化芯片性能，而不是增加芯片尺寸。
2. 以下哪种材料常用于电子封装的基板（）A. 玻璃B. 陶瓷C. 木材D. 塑料答案：B解析：陶瓷具有良好的热性能和电性能，常用于电子封装的基板。
3. 电子封装中的引线键合技术常用的材料是（）A. 铝B. 铜C. 铁D. 锌答案：A解析：在电子封装中，铝是引线键合技术常用的材料。
4. 下列哪种封装形式具有较高的集成度（）A. DIPB. BGAC. SOPD. QFP答案：B解析：BGA（球栅阵列封装）具有较高的集成度。
5. 电子封装中用于散热的材料通常是（）A. 橡胶B. 金属C. 纸D. 布答案：B解析：金属具有良好的导热性能，常用于电子封装中的散热。
6. 以下哪种封装技术适用于高频应用（）A. CSPB. PGAC. LGAD. MCM答案：D解析：MCM（多芯片模块）适用于高频应用。
7. 电子封装中，阻焊层的主要作用是（）A. 增加电阻B. 防止短路C. 提高电容D. 增强磁场答案：B解析：阻焊层可以防止线路之间的短路。
8. 以下哪种封装的引脚间距较小（）A. QFPB. TSSOPC. PLCCD. DIP答案：B解析：TSSOP 的引脚间距相对较小。
9. 在电子封装中，模塑料的主要成分是（）A. 金属B. 陶瓷C. 聚合物D. 玻璃答案：C解析：模塑料的主要成分是聚合物。
10. 哪种封装形式常用于手机等小型电子产品（）A. CPGAB. BGAC. SPGAD. DPGA答案：B解析：BGA 由于其尺寸小、集成度高等特点，常用于手机等小型电子产品。
11. 电子封装中，芯片粘结材料常用的是（）A. 硅胶B. 水泥C. 胶水D. 沥青答案：A解析：硅胶是芯片粘结材料常用的一种。
微电子封装技术作业(一)
第一次作业1 写出下列缩写的英文全称和中文名称DIP: Double In-line Package, 双列直插式组装BGA: ball grid array, 球状矩阵排列QFP: Quad flat Pack, 四方扁平排列WLP: Wafer Level Package, 晶圆级封装CSP: Chip Scale Package, 芯片级封装LGA: Land grid array, 焊盘网格阵列PLCC: Plastic Leaded Chip Carrier, 塑料芯片载体SOP: Standard Operation Procedure, 标准操作程序PGA: pin grid array, 引脚阵列封装MCM: multiple chip module, 多片模块SIP: System in a Package, 系统封装COB: Chip on Board, 板上芯片DCA: Direct Chip Attach, 芯片直接贴装，同COBMEMS: Micro-electromechanical Systems, 微电子机械系统2 简述芯片封装实现的四种主要功能，除此之外LED封装功能。
芯片功能（1）信号分配;(2)电源分配；（3）热耗散：使结温处于控制范围之内；（4）防护：对器件的芯片和互连进行机械、电磁、化学等方面的防护LED器件（2）LED器件：光转化、取光和一次配光。
3 微电子封装技术的划分层次和各层次得到的相应封装产品类别。
微电子封装技术的技术层次第一层次：零级封装-芯片互连级（CLP）第二层次：一级封装SCM 与MCM（Single/Multi Chip Module）第三层次：二级封装组装成SubsystemCOB（Chip on Board）和元器件安装在基板上第三层次：三级微电子封装，电子整机系统构建相对应的产品如图（1）所示：图1 各个封装层次对应的产品4 从芯片和系统角度简述微电子技术发展对封装的要求（1）对于单一的芯片，片上集成的功能比较少时，对封装技术要求不太高，但是在芯片上集成系统时（SOC），随着尺寸的减小，将模拟、射频和数字功能整合到一起的难度随之增大，这样在封装工艺上难度会加大，比如，SOC芯片上包含有MEMS或者其他新型的器件，即使解决了在芯片上制作的工艺兼容问题，还将面临封装的难题。
封装技术复习提纲及答案(最新本)概论
第一章绪论1、封装技术发展特点、趋势发展特点：①、微电子封装向高密度和高I/O引脚数发展，引脚由四边引出向引出向面阵列排列发展；②、微电子封装向表面安装式封装（SMP）发展，以适合表面安装技术（SMT）；③、从陶瓷封装向塑料封装发展；④、从注重发展IC芯片向先发展后道封装再发展芯片转移。
发展趋势：①、微电子封装具有的I/O引脚数将更多；②、应具有更高的电性能和热性能；③、将更轻、更薄、更小；④、将更便于安装、使用和返修；⑤、可靠性会更高；⑥、性价比会更高，而成本却更低，达到物美价廉。
2、封装的功能：电源分配、信号分配、散热通道、机械支撑和环境保护。
3、封装技术的分级零级封装：芯片互连级。
一级封装：将一个或多个IC芯片用适宜的材料（金属、陶瓷、塑料或它们的组合）封装起来，同时在芯片的焊区与封装的外引脚间用如上三种芯片互连方法（WB、TAB、FCB）连接起来使之成为有实用功能的电子元器件或组件。
二级封转：组装。
将上一级各种微电子封装产品、各种类型的元器件及板上芯片（COB）一同安装到PWB 或其它基板上。
三级封装：由二级组装的各个插板或插卡再共同插装在一个更大的母板上构成的，立体组装。
4、芯片粘接的方法只将IC芯片固定安装在基板上：Au-Si合金共熔法、Pb-Sn合金片焊接法、导电胶粘接法、有机树脂基粘接法。
芯片互连技术：主要三种是引线键合（WB）、载带自动焊（TAB）和倒装焊（FCB）。
早期有梁式引线结构焊接，另外还有埋置芯片互连技术。
第二章芯片互连技术1、芯片互连技术各自特点及应用引线键合：①、热压焊：通过加热加压力是焊区金属发生塑性形变，同时破坏压焊界面上的氧化层使压焊的金属丝和焊区金属接触面的原子间达到原子引力范围，从而使原子间产生引力达到键合。
加热温度高，容易使焊丝和焊区形成氧化层，容易损坏芯片并形成异质金属间化合物影响期间可靠性和寿命；由于这种焊头焊接时金属丝因变形过大而受损，焊点键合拉力小（＜0.05N/点），使用越来越少。
微电子封装技术-课后习题答案
3.3简述包封技术的工艺过程。
答：
常用的包封封装法，一般是将树脂覆盖在半导体芯片上，使其与外界环境隔绝。覆盖树脂的方法有以下五种。1.涂布法，用笔或毛刷等蘸取树脂，在半导体芯片上涂布，然后加热固化完成封装。涂布法要求树脂黏度适中略低。2.浸渍法，将芯片浸入装满环氧树脂或酚树脂液体的浴槽中，浸渍一定时间后向上提拉，然后加热固化完成封装。3.滴灌法，又叫滴下法，用注射器及布液器将液态树脂滴灌在半导体芯片上，然后加热固化完成封装。4.流动浸渍法，又叫粉体涂装法。将芯片置于预加热的状态，浸入装满环氧树脂与氧化硅粉末的混合粉体，并置于流动状态的流动浴槽中，浸渍一定时间，待粉体附着达到一定厚度后，经加热固化完成封装。5.模注法，将芯片放入比其尺寸略大的模具或树脂盒中，构成模块，向模块间隙中注入液体树脂，然后加热固化完成封装，这是最常见的一种包封形式。
2.9简述微电子封装中常用的成形技术。
答：
常见的成形技术主要有金属封装、塑料封装、陶瓷封装等。塑料封装是最常用的封装方式，塑料封装的成形技术有多种，主要包括转移成形技术（Transfer Molding）、喷射成形技术（Inject Molding）和预成形技术（Premolding）等。
2.10简述常用的去飞边毛刺技术及其主要特点。
按照器件与电路板互连方式区分，封装可以分为引脚插入型（Pin-Through-Hole，PTH）和表面贴装型（Surface Mount Technology，SMT）两大类。PTH器件的引脚为细针状或薄板状金属，以供插入底座或电路板的导孔中进行焊接固定。SMT器件则先粘贴于电路板上再进行焊接，它具有海鸥翅型、钩型、直柄型的金属引脚或电极凸块引脚。
微电子封装技术-模拟题1及答案
5、
（1）确认有缺陷的BGA器件，做好标记
（2）预热电路板及有缺陷的BGA器件
（3）拆除BGA器件
（4）清洁焊区Βιβλιοθήκη 去掉残余物，休整焊区（5）涂覆焊膏或阻焊剂
（6）安装新器件
（7）再流焊
（8）焊接质量检查
四、综合题
1、
IC芯片粘接、固化→WB或TAB→装模具→预热塑料→塑料加热加压→固化后开模→切筋、打弯、去溢、引线电镀→老化筛选→测试、分选→打印包装
微电子封装技术习题练习1及答案
一．填空题
1、常用的芯片互联技术有、和。
2、在电子产品电路中常见的无源元件有、和等，有源器件有、和等。
3、常用的封装材料有、和。
4、常用铅－锡焊丝作为焊料，其含铅量越高，焊丝的熔点温度也就越，片式元器件最常用的焊接方法是。
5、未来微电子封装将由有封装向和发展。
6、BGA的焊球分布有和两种方法。
1、画出PQFP封装工艺流程（7分）
2、根据器件外形写出其相应封装类型
3、根据所学知识请简单描述元器件封装的发展史。
习题答案
一、填空题
标准答案：
1、WB、FCB、TAB。
2．电阻、电感、电容、二极管、三极管、场效应管。
3．金属、陶瓷、塑料。
4．高、再流焊接。
5．少封装、无封装
6．全阵列、部分阵列
7.L，J，。
（4）空洞；原因：沾污及焊膏问题造成空洞。
（5）浸润性差；原因：焊区或焊球的浸润性差，造成连接断开。
（6）形成焊料小球；原因：小的焊料球由再流焊接时溅出的焊料形成，是潜在短路缺陷的隐患。
（7）误对准；原因：焊球重心不在焊区中心。
微系统封装基础答案
1. A)什么是光刻胶( photo resist ) ?B)正性光刻胶与负性光刻胶的区别是什么?其刻蚀的物理过程是什么?答:A)光刻胶:指光刻工艺中,涂覆在材料表面,经过曝光后其溶解度发生变化的耐蚀刻的薄膜材料。
利用这一特性,对均勻的光刻胶的不同位置进行曝光，再通过显影液就能得到想要的图形。
B) 正性光刻胶:这种光刻胶被曝光的部分易溶于显影液,未被曝光的部分难溶于显影液。
负性光刻胶:它的被曝光的部分难溶于显影液,未被曝光的部分易溶于显影液。
2.什么是电介质常数?电介质常数低有什么好处?为什么有这样的好处(物理原理)?电介质常数高有什么好处以及坏处?低电介质常数与高电介质常数材料的应用有哪些(CMOS中的栅氧化层为什么用高电介质常数的材料,通常用什么材料)?答:电介质常数是电场在真空中时的电场强度与该电场中放入电介质后的电场强度的比值,又称为相对介电常数。
电介质常数低( low-K )有利于隔离器件,当器件尺寸很小的时候,器件与器件之间的间距也很小,此时寄生电容的效应变的很显著,电介质常数低的材料会降低寄生电容,从而达到更好的器件隔离效果。
电介质常数高时,如果材料是在器件之间,那么将无法很好的隔离器件;但电介质常数高的材料可以在其他条件不变的情况下形成更大的电容,这在用作MOS管的栅时有重要意义:器件尺寸的减小要求栅电压降低(否则会击穿),而在获得同样的驱动电流时,则需要栅电容较大,隧道效应限制了栅介质的厚度,所以需要采用高K值的材料来做栅介质。
低电介质常数的材料通常用于降低器件间的寄生电容。
高电介质常数的材料通常用作器件的栅以避免隧道效应。
栅极材料需要是良导体,以前用重掺杂多晶硅。
随着尺寸缩小, 改用了高K值的材料。
现在的一些高性能CPU中采用的是金属电极和高K 值电介质混合的技术。
3. 基板( Substrate )是什么?软基板与硬基板有什么区别?硅基板的应用有哪些?答:基板是光刻中图形刻蚀到的基底。
微电子作业答案完美版
半导体物理与器件1. 什么叫集成电路？写出集成电路发展的五个时代及晶体管的数量？(15分).集成电路：将多个电子元件集成在一块衬底上，完成一定的电路或系统功能。
小规模时代（SSI）,元件数2-50；中规模时代（MSI），元件数30-5000；大规模时代（ISI）, 元件数5000-10万；超大规模时代（visi），10万-100万；甚大规模，大于100万。
2. 写出IC 制造的５个步骤？(15分)（1）硅片制备（Wafer preparation）：晶体生长，滚圆、切片、抛光。
（2）硅片制造（Wafer fabrication）：清洗、成膜、光刻、刻蚀、掺杂。
（3）硅片测试/拣选（Wafer test/sort）：测试、拣选每个芯片。
（4）装配与封装（Assembly and packaging）：沿着划片槽切割成芯片、压焊和包封。
（5）终测（Final test）：电学和环境测试。
3. 写出半导体产业发展方向？什么是摩尔定律？(15分)发展方向：①提高芯片性能②提高芯片可靠性③降低成本摩尔定律：硅集成电路按照4年为一代，每代的芯片集成度要翻两番、工艺线宽约缩小30%， IC 工作速度提高1.5倍等发展规律发展。
4. 什么是特征尺寸CD？(10分).硅片上的最小特征尺寸称为 CD，CD 常用于衡量工艺难易的标志。
5. 什么是More moore定律和More than Moore定律？(10分) “More Moore”：是指继续遵循Moore定律，芯片特征尺寸不断缩小（Scaling down），以满足处理器和内存对增加性能/容量和降低价格的要求。
它包括了两方面：从几何学角度指的是为了提高密度、性能和可靠性在晶圆水平和垂直方向上的特征尺寸的继续缩小，以及与此关联的3D结构改善等非几何学工艺技术和新材料的运用来影响晶圆的电性能。
“More Than Moore”：指的是用各种方法给最终用户提供附加价值，不一定要缩小特征尺寸，如从系统组件级向3D 集成或精确的封装级(SiP)或芯片级(SoC)转移。
(完整版)微电子封装必备答案
微电子封装答案微电子封装第一章绪论1、微电子封装技术的发展特点是什么？发展趋势怎样？（P8、9页）答：特点：（1）微电子封装向高密度和高I/O引脚数发展，引脚由四边引出向面阵排列发展。
（2）微电子封装向表面安装式封装发展，以适合表面安装技术。
（3）从陶瓷封装向塑料封装发展。
（4）从注重发展IC芯片向先发展后道封装再发展芯片转移。
发展趋势：（1）微电子封装具有的I/O引脚数将更多。
（2）微电子封装应具有更高的电性能和热性能。
（3）微电子封装将更轻、更薄、更小。
（4）微电子封装将更便于安装、使用和返修。
（5）微电子封装的可靠性会更高。
（6）微电子封装的性能价格比会更高，而成本却更低，达到物美价廉。
2、微电子封装可以分为哪三个层次（级别）？并简单说明其内容。
（P15～18页）答：（1）一级微电子封装技术把IC芯片封装起来，同时用芯片互连技术连接起来，成为电子元器件或组件。
（2）二级微电子封装技术这一级封装技术实际上是组装。
将上一级各种类型的电子元器件安装到基板上。
（3）三级微电子封装技术由二级组装的各个插板安装在一个更大的母板上构成，是一种立体组装技术。
3、微电子封装有哪些功能？（P19页）答：1、电源分配2、信号分配3、散热通道4、机械支撑5、环境保护4、芯片粘接方法分为哪几类？粘接的介质有何不同（成分）？。
（P12页）答：(1)Au-Si合金共熔法(共晶型) 成分：芯片背面淀积Au层,基板上也要有金属化层(一般为Au或Pd-Ag)。
（2）Pb-Sn合金片焊接法(点锡型) 成分：芯片背面用Au层或Ni层均可，基板导体除Au、Pd-Ag外，也可用Cu(3)导电胶粘接法(点浆型) 成分：导电胶（含银而具有良好导热、导电性能的环氧树脂。
）(4)有机树脂基粘接法(点胶型) 成分：有机树脂基（低应力且要必须去除α粒子）5、简述共晶型芯片固晶机（粘片机）主要组成部分及其功能。
答：系统组成部分：1 机械传动系统2 运动控制系统3 图像识别（PR）系统4 气动/真空系统5 温控系统6、和共晶型相比，点浆型芯片固晶机（粘片机）在各组成部分及其功能的主要不同在哪里？答：名词解释：取晶、固晶、焊线、塑封、冲筋、点胶第二章芯片互连技术1、芯片互连的方法主要分为哪几类？各有什么特点？（P13页）答：（1）引线键合（WB）特点：焊接灵活方便，焊点强度高，通常能满足70um以上芯片悍区尺寸和节距的焊接需要。
微电子答案
1.说明导带,价带,禁带的含义.价带：被价电子填充的能带导带：被自由电子填充的能量最低的能带禁带：导带底与价带顶之间能带2.说明施主,受主,浅能级杂质, 深能级杂质的含义。
施主：向半导体提供一个电子本身成为带正电的离子的的杂质原子受主：向半导体中提供一个空穴而本身接受一个电子并成为带负电的离子的杂质原子浅能级杂质：处在离导带和价带较近的能级中的杂质深能级杂质：处在离导带和价带较远的能级中的杂质3.说明费米能级，有效质量，迁移率，扩散运动，漂移运动的含义。
费米能级：绝对零度下电子的最高能级，反映电子的填充水平。
有效质量：电子在加速运动中表现出来的质量。
迁移率：反映半导体中载流子导电能力的参数扩散运动：载流子电场作用下形成漂移运动以外，因在空间的不均匀分布，由高浓度区域向低浓度区域运动．漂移运动：载流子在电场作用下的定向运动。
4.画图说明扩散渗杂，离子注入工艺原理。
5.画图说明蒸发成膜，溅射成膜的工艺原理。
6.画图说明光刻工艺原理7.画图说明反应离子刻蚀工艺原理。
8.说明塑封DIP（双列直插式封装结构）内部封装结构。
9.画图说明多芯片组装（MCM）和三维封装的含义。
将多个裸芯片不加封装，直接装载于同一印制板上并封装于同一壳体内10.哪些效应可能会造成集成电路的失效？电迁移现象？它的模式有哪些？集成电路的失效外壳漏气；外引线松动、锈蚀、断裂，芯片与外壳衬底粘结不良或脱落，内引线有缺陷或断裂，内引线与芯片或外壳的焊接不良，产生虚焊、金属铝膜氧化、腐蚀、损伤或断开；芯片表面有多余物、外来杂质，芯片表面漏电；芯片裂纹、破碎或缺损；氧化层有针孔或龟裂；表面击穿电迁移现象;电流在布线中运动时由于电子和铝原子的相互碰撞使铝原子发生迁移短路互连布线间电迁移而产生小丘堆积，引起相邻两条互连线短路，这在微波器件或VLSI中尤为多见。
断路在金属化层跨越台阶处或有伤痕处，应力集中，电流密度大，可因电迁移而发生断开。
11.画图说明MEMS压力传感器与湿度传感器的工作原理。
微电子封装考试内容(带选择题)PLUS版
第1章：绪论微电子封装技术中常用封装术语英文缩写的中文名称。
主要封装形式: DIP、QFP(J)、PGA、PLCC、.SOP(J)、SOT、SMC/D BGA CCGA、KGD、CSP、DIP:双列直插式封装QFP(J):四边引脚扁平封装PGA:针栅阵列封装PLCC:塑料有引脚片式载体SOP(J): IC 小外形封装.SOT:小外形晶体管封装SMC/D:表面安装元器件BGA:焊球阵列封装CCGA:陶瓷焊柱阵列封装KGD:优质芯片(己知合格芯片)CSP:芯片级封装MC主要封装工艺技术: WB、TAB、FCB、OLB、ILB、C4、UBM、SMT、THT、COB、COG等。
M(P)、WLP等。
WB:引线键合TAB:载带自动焊FCB:倒装焊OLB:外引线焊接.ILB:内引线焊接C4:可控塌陷芯片连接UBM:凸点下金属化SMT:表面贴装技术THT:通孔插装技术COB:板上芯片COG:玻璃上芯片M(P):WLP:圆片级封装不同的封装材料: C、P等。
C:陶瓷封装P:塑料封装T:薄型F:窄节距B:带保护垫简写的名字DIP：双列直插式封装QFP：四边扁平封装BGA：焊球阵列封装MCP：多芯片封装/金属罐式封装MCM：多芯片组件3．芯片封装实现的5个功能。
（1）电能传输，主要是指电源电压的分配和导通。
电子封装首先要接通电源，使芯片与电路导通电流。
其次，微电子封装的不同部位所需的电压有所不同，要能将不同部位的电压分配适当，以减少电压的不必要损耗，这在多层布线基本上尤为重要，同时，还要考虑接地线的分配问题。
（2）信号传递，主要是要使电信号的延迟尽可能的小，在布线时要尽可能的使信号线与芯片的互连路径以及通过封装的I/O接口引出的路径达到最短。
对于高频信号，还要考虑到信号间的串扰，以进行合理的信号分配布线和接地线的分配。
（3）提供散热途径，主要是指各芯片封装要考虑元器件、部件长时间工作时如何将聚集的热量散发出去的问题。
微电子封装技术答案
《微电子封装技术》试卷标准答案一、填空题（每空2分，共40分）1、膜技术2、粘度3、金属氧化物4、金属5、转移成型技术6、软式印制电路板7、极性/非离子污染8、热膨胀系数9、倒线10、可靠性11、陶瓷球栅阵列12、预型片13、打线键合14、光刻工艺15、挥发性物质16、四边引脚17、凸点18、功能相19、收缩20、倒装芯片。
二、简答题（每小题6分，共30分）1、答：一般可将厚膜浆料分为：聚合物厚膜、难熔材料厚膜与金属陶瓷厚膜三种类型。
…………………………………………2分传统的金属陶瓷厚膜包括4种成分，分别为：（1）有效物质：确定膜的功能，即确定膜为导体、介质层、电阻。
…………………………………………1分（2）粘贴成分：提供与基板的粘贴以及使有效物质颗粒保持悬浮状态的基体。
…………………………………………1分（3）有机粘贴剂：提供丝网印刷印制的合适流动性能。
…………………………………………1分（4）溶剂或稀释剂：它决定运载剂的粘度。
…………………………………………1分2、答：（1）传递电能，主要是电源电压的分配和导通。
（2）传递电信号，主要是将电信号的延迟尽可能减小，在布线时应尽可能使信号线与芯片的互联路径以及通过封装的I/O接口引出的路径达到最短。
（3）提供散热途径，主要是指各种芯片封装都要考虑元器件、部件长期工作时如何将聚集的热量散失的问题。
（4）提供结构保护与支撑，主要是指芯片封装的机械可靠性。
…………………………………………6分3、答：工艺流程如下：……………………3分先划片后减薄：即在背面磨削之前先将硅片的正面切割出一定深度的切口，然后再进行背面磨削；减薄划片：即在减薄之前先用机械的或化学的方法切割出切口，然后用磨削的方法减薄到一定厚度以后，采用常压等离子体腐蚀去除剩余加工量，实现裸芯片的自动分离。
……………………3分4、答：工艺流程如下：PCB板覆铜箔——镀胶（光刻胶，正胶或负胶）——曝光（利用掩膜板，正胶的掩膜板和实际电路模型一样，负胶的掩膜板则是实际电路外地线路模型）——显影（显出实际电路图型，以正胶为例）——镀锡（保护实际电路防止污染）——去胶（显出非电路部分的铜箔，实际电路被锡覆盖）——刻蚀（刻蚀掉非线路部分的铜箔）——去锡（显出实际电路图形）。
微电子器件 (附答案) (第三版)
DE DB
−1
9、
= IC
A= E JnC
AE β= ∗ JnE
AE β
∗
qDBni2 WB NB
exp
qVBE kT
式中，β ∗
= 1− 12
WB LB
2
= 1− WB2
2DBτ B
= 0.9986
将 A=E 104 μm2 ，β=∗ 0.9986, =q 1.6 ×10−19 C,
15、
γ
= 1− DEWB NB ，γ
DBWE NE
npn
= 1− DpWB NB , DnWE NE
γ
pnp
= 1− DnWB NB DpWE NE
由 D kT 可知，D ∝ µ µq
µn > µp , ∴ Dn > Dp , γ npn > γ pnp
β∗
= 1− WB2 ,
2DBτ B
β* npn
当 xi 增大时，Emax 减小, 当 xi → ∞sh时a， nrEenmax → 0
20、
已知： = σ p σn
= 由于 Jdp
= J dn
因此
J d=p J dn
qµ= p NA µp NA >> 1 qµn ND µn ND
qDp ni2 Lp ND
exp
qV kT
−
1
qDn ni2 Ln NA
shanren
6、
ND2
ND1
由平衡时多子电流为零
Jn
=
qDn
dn dx
+
qµn nE
=
0
得： E =− Dn ⋅ 1 ⋅ dn =− kT ⋅ 1 ⋅ dn =− kT ⋅ d ln n
微电子封装作业与答案
微电子封装作业与答案麻烦各位同学在作业本上不要写上自己的名字、班级和学号，另外题目也需要抄写，答案抄的时候自己稍微改变下，谢谢！第一次作业:1.什么是摩尔定律?摩尔定律是由英特尔（Intel）创始人之一戈登·摩尔（Gordon Moore）提出来的。
当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。
2.什么是集成电路封装？集成电路封装不仅起到集成电路芯片内键合点与外部进行电气连接的作用，也为集成电路芯片提供了一个稳定可靠的工作环境，对集成电路芯片起到机械或环境保护的作用，从而集成电路芯片能够发挥正常的功能，并保证其具有高稳定性和可靠性。
3.请简述集成电路封装发展趋势。
I/O脚数发展趋势:朝多脚化发展 ; 几十個I/O到几百個I/O封裝厚度发展趋势:朝薄且表面贴装发展封裝大小发展趋势:朝向芯片大小封裝发展 ; CSP功能性发展趋势:朝向多功能，多芯片封裝发展; MCM第二次作业：1.简述晶圆减薄及其作用。
晶圆减薄是指按产品结构或客户的需求，将晶圆背面研磨至适当的厚度，以利于后续工序的封装。
其作用如下：1).封装的尺寸要求2).热可靠性3).降低分立器件的串联电阻4).应力释放2.请简述划片中冷却水的主要作用。
冷却切割晶圆表面以及切割缝，确保切割的品质，同时冷却刀片、延长刀片寿命，并可以帮助把切割产生的碎屑冲掉。
3.请简述划片刀的金刚石密度对划片质量的影响。
低密度划片刀能有效地对抗切割时的负载，晶圆背面崩裂小；高密度划片刀对抗切割负载性较差，切割后晶圆背面崩裂大。
第三次作业：1.什么是键合？将芯片上的焊点以极细的金属导线连接到引线框架上的对应的内引脚上，从而完成芯片上的信号与芯片外部信号的互连互通。
2.球焊中的Bond Force有什么作用？将金球或金线固定于焊线位置以便于超声能量的传播；焊线压力使金线与焊接表面紧密压合，并将金线延伸变形；金线延伸使其表面污染破裂，露出纯金；金线的纯金表面与键合表面相互接触即可发生金属间的分子键合。
封装课后习题总结
封装课后习题总结-标准化文件发布号：（9556-EUATWK-MWUB-WUNN-INNUL-DDQTY-KII第一章1、微电子封装技术分为哪几级？各级的定义是什么？零级封装(晶片级的连接)一级封装（单晶片或多个晶片组件或元件）二级封装（印制电路板级的封装）三级封装(整机的组装)零级和一级封装称为电子封装（技术）把二级和三级封装称为电子组装（技术）2、芯片粘接主要有哪几种方法具体如何实施(1)Au-Si合金法固定支撑芯片的基板上涂金属化层(一般为Au或Pd-Ag)。
在约370℃时，Au和Si有共熔点,根据Au-Si相图，该温度下Au和Si的比例为69:31。
(2)Pb-Sn合金片焊接法芯片背面用Au层或Ni层均可，基板导体除Au、Pd-Ag外，还可用Cu；也应在保护气氛炉中烧结，烧结温度视Pb-Sn合金片的成分而定。
(3)导电胶粘接法导电胶：含银而具有良好导热、导电性能的环氧树脂。
不要求芯片背面和基板具有金属化层，芯片粘接后，采用导电胶固化要求的温度和时间进行固化，可在洁净的烘箱中完成，操作简便。
第二章1、芯片互连技术主要有哪几种？简述其工艺过程。
为了使芯片能与外界传送及接收信号，就必须在芯片的接触电极与框架的引脚之间，一个一个对应地用键合线连接起来。
这个过程叫键合。
（1）引线键合（WB）技术将半导体芯片焊区与微电子封装的I/O引线或基板上的金属布线焊区用金属细丝连接起来的工艺技术。
焊区金属一般为Au或Al，金属丝多是数十微米至数百微米直径的Au丝、Al丝和Si-Al丝。
焊接方式主要有热压焊、超声键合(压）焊和金丝球焊。
按键合点形状可分为楔形键合和球形键合。
（2）载带自动焊（TAB）技术是芯片引脚框架的一种互连工艺,首先在高聚物上做好元件引脚的导体图样,然后将晶片按其键合区对应放在上面，最后通过热电极一次将所有的引线进行键合。
（3）倒装焊(FCB)倒焊芯片。
裸芯片封装技术之一，在LSI 芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。
(整理)微电子工艺答案,整理好的了
1.1.保护器件避免划伤和沾污2.限制带电载流子场区隔离（表面钝化）3.栅氧或存储单元结构中的介质材料4.掺杂中的注入掩蔽5.金属导电层间的电介质6.减少表面悬挂键2.化学反应：Si+2H2O->SiO2+2H2水汽氧化与干氧氧化相比速度更快，因为水蒸气比氧气在二氧化硅中扩散更快、溶解度更高3.、1.干氧：Si＋O2 SiO2氧化速度慢，氧化层干燥、致密，均匀性、重复性好，与光刻胶的粘附性好2、水汽氧化：Si+H2O SiO2（固）+H2(气)氧化速度快，氧化层疏松，均匀性差，与光刻胶的粘附性差3、湿氧：氧气携带水汽，故既有Si与氧气反应，又有与水汽反应氧化速度、氧化质量介于以上两种方法之间4.掺杂物、晶体晶向、压力、温度、水蒸气5.界面陷阱电荷、可移动氧化物电荷6.工艺腔、硅片传输系统、气体分配系统、尾气系统、温控系统4.工艺腔是对硅片加热的场所，由垂直的石英罩钟、多区加热电阻丝和加热管套组成硅片传输系统在工艺腔中装卸硅片，自动机械在片架台、炉台、装片台、冷却台之间移动气体分配系统通过将正确的气体通到炉管中来维持炉中气氛控制系统控制炉子所有操作，如工艺时间和温度控制、工艺步骤的顺序、气体种类、气流速率、升降温速率、装卸硅片...1.(1)薄膜：指某一维尺寸远小于另外两维上的尺寸的固体物质。
. （2）.好的台阶覆盖能力 ..高的深宽比填隙能力(>3:1)厚度均匀(避免针孔、缺陷） ..高纯度和高密度 ..受控的化学剂量..结构完整和低应力（导致衬底变形,..好的粘附性避免分层、开裂致漏电）2.（1）晶核形成分离的小膜层形成于衬底表面，是薄膜进一步生长的基础。
（2）凝聚成束形成(Si)岛，且岛不断长大（3）连续成膜岛束汇合并形成固态的连续的薄膜淀积的薄膜可以是单晶（如外延层）、多晶（多晶硅栅）和无定形（隔离介质，金属膜）的3.答：..多层金属化：用来连接硅片上高密度器件的金属层和绝缘层 ..关键层：线条宽度被刻蚀为器件特征尺寸的金属层。
封装课后习题总结
第一章1、微电子封装技术分为哪几级？各级得定义就是什么？零级封装(晶片级得连接)一级封装(单晶片或多个晶片组件或元件)二级封装(印制电路板级得封装)三级封装(整机得组装)零级与一级封装称为电子封装(技术)把二级与三级封装称为电子组装(技术)2、芯片粘接主要有哪几种方法？具体如何实施？(1)Au-Si合金法固定支撑芯片得基板上涂金属化层(一般为Au或Pd-Ag)。
在约370℃时,Au与Si有共熔点,根据Au-Si相图,该温度下Au与Si得比例为69:31。
(2)Pb-Sn合金片焊接法芯片背面用Au层或Ni层均可,基板导体除Au、Pd-Ag外,还可用Cu;也应在保护气氛炉中烧结,烧结温度视Pb-Sn合金片得成分而定。
(3)导电胶粘接法导电胶:含银而具有良好导热、导电性能得环氧树脂。
不要求芯片背面与基板具有金属化层,芯片粘接后,采用导电胶固化要求得温度与时间进行固化,可在洁净得烘箱中完成,操作简便。
第二章1、芯片互连技术主要有哪几种？简述其工艺过程。
为了使芯片能与外界传送及接收信号,就必须在芯片得接触电极与框架得引脚之间,一个一个对应地用键合线连接起来。
这个过程叫键合。
（1）引线键合(WB)技术将半导体芯片焊区与微电子封装得I/O引线或基板上得金属布线焊区用金属细丝连接起来得工艺技术。
焊区金属一般为Au或Al,金属丝多就是数十微米至数百微米直径得Au丝、Al丝与Si-Al丝。
焊接方式主要有热压焊、超声键合(压)焊与金丝球焊。
按键合点形状可分为楔形键合与球形键合。
（2）载带自动焊(TAB)技术就是芯片引脚框架得一种互连工艺,首先在高聚物上做好元件引脚得导体图样,然后将晶片按其键合区对应放在上面,最后通过热电极一次将所有得引线进行键合。
(3)倒装焊(FCB)倒焊芯片。
裸芯片封装技术之一,在LSI 芯片得电极区制作好金属凸点,然后把金属凸点与印刷基板上得电极区进行压焊连接。
封装得占有面积基本上与芯片尺寸相同。
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微电子封装答案微电子封装第一章绪论1、微电子封装技术的发展特点是什么？发展趋势怎样？（P8、9页）答：特点：（1）微电子封装向高密度和高I/O引脚数发展，引脚由四边引出向面阵排列发展。
（2）微电子封装向表面安装式封装发展，以适合表面安装技术。
（3）从陶瓷封装向塑料封装发展。
（4）从注重发展IC芯片向先发展后道封装再发展芯片转移。
发展趋势：（1）微电子封装具有的I/O引脚数将更多。
（2）微电子封装应具有更高的电性能和热性能。
（3）微电子封装将更轻、更薄、更小。
（4）微电子封装将更便于安装、使用和返修。
（5）微电子封装的可靠性会更高。
（6）微电子封装的性能价格比会更高，而成本却更低，达到物美价廉。
2、微电子封装可以分为哪三个层次（级别）？并简单说明其内容。
（P15～18页）答：（1）一级微电子封装技术把IC芯片封装起来，同时用芯片互连技术连接起来，成为电子元器件或组件。
（2）二级微电子封装技术这一级封装技术实际上是组装。
将上一级各种类型的电子元器件安装到基板上。
（3）三级微电子封装技术由二级组装的各个插板安装在一个更大的母板上构成，是一种立体组装技术。
3、微电子封装有哪些功能？（P19页）答：1、电源分配2、信号分配3、散热通道4、机械支撑5、环境保护4、芯片粘接方法分为哪几类？粘接的介质有何不同（成分）？。
（P12页）答：(1)Au-Si合金共熔法(共晶型) 成分：芯片背面淀积Au层,基板上也要有金属化层(一般为Au或Pd-Ag)。
（2）Pb-Sn合金片焊接法(点锡型) 成分：芯片背面用Au层或Ni层均可，基板导体除Au、Pd-Ag外，也可用Cu(3)导电胶粘接法(点浆型) 成分：导电胶（含银而具有良好导热、导电性能的环氧树脂。
）(4)有机树脂基粘接法(点胶型) 成分：有机树脂基（低应力且要必须去除α粒子）5、简述共晶型芯片固晶机（粘片机）主要组成部分及其功能。
答：系统组成部分：1 机械传动系统2 运动控制系统3 图像识别（PR）系统4 气动/真空系统5 温控系统6、和共晶型相比，点浆型芯片固晶机（粘片机）在各组成部分及其功能的主要不同在哪里？答：名词解释：取晶、固晶、焊线、塑封、冲筋、点胶第二章芯片互连技术1、芯片互连的方法主要分为哪几类？各有什么特点？（P13页）答：（1）引线键合（WB）特点：焊接灵活方便，焊点强度高，通常能满足70um以上芯片悍区尺寸和节距的焊接需要。
（2）载带自动焊（TAB）特点：综合性能比WB优越（3）倒装焊（FCB）特点：芯片面朝下，将芯片焊区与基板悍区直接相连。
2、WB的分类及特点如何？（P23页）答：（1）热压焊特点：易氧化易压伤键合力小（2）超声焊(超声键合) 特点：与热压焊相比，可提高焊接质量，接头强度也较高；无加热，所以对芯片无影响；可根据不同需求调节能量，焊不同粗细的Al丝；不产生化合物。
（3）金丝球焊特点：最具代表性的引线键合焊接技术。
压点面积大，又无方向性,可实现微机控制下的高速自动化焊接,往往带超声功能,具有超声焊优点。
3、说明金丝球焊的主要工艺过程及其工作原理。
（P24页）答：工艺过程：(1)打火烧球（EFO负电子烧球）(2)、一焊（热压超声球焊）(3)拉弧（焊头XYZ协调动作）(4)二焊（热压超声焊）(5)留尾丝(6)回打火位、送丝等，开始下一个循环工作原理：将键合引线垂直插入毛细管劈刀的工具中，引线在电火花作用下受热成液态，由于表面张力作用而形成球状,在摄像和精密控制下,劈刀下降使球接触晶片键合区,对球加压,使球和焊盘金属形成冶金结合完成第一点焊接过程,然后劈刀提起,沿着预定的轨道移动，称作弧形走线,到达第二个键合点时，利用压力和超声能量形成月牙式第二个焊点,劈刀垂直运动截断丝尾部。
这样完成两次焊接和一个弧线循环。
4、说明铝丝焊（超声焊）的主要工艺过程及其工作原理。
（P24页）答：工艺过程：（1）楔运动到待键合位置（2）施加超声波，键合第一个焊点（3）键合第一个焊点后，楔头抬起（4）准备键合第二个焊点（5）键合第二个焊点（6）去除尾丝工作原理：在常温下，利用超声波（US）发生器产生的能量，通过磁致伸缩换能器，在超高频磁场感应下，迅速伸缩而产生弹性振动，经变幅杆传给劈刀；同时在劈刀上施加一定压力，劈刀在两种力作用下带动Al丝在被焊焊区的金属化层（如Al膜）上迅速摩擦，使Al 和Al膜表面产生塑性变形，同时破坏氧化层，使Al丝和Al膜达到原子间的“键合”，形成牢固焊接。
5、TAB技术的关键材料包括哪三部分材料？（P29页）答：(1)基带材料(2)TAB的金属材料(3)芯片凸点的金属材料6、TAB的关键技术包括哪三部分技术？（P30页）答：(1)芯片凸点的制作技术；(2)TAB载带的制作技术；(3)载带引线与芯片凸点的内引线焊接技术和载带外引线的焊接技术。
7、ILB或OLB的方法主要有哪两种？答：热压焊法和热压再流焊法8、说明倒装焊的特点和优点（P44页）答：特点：FCB是芯片与基板直接安装互连的一种方法，芯片面朝下。
优点：1）芯片面朝下，连线短，互连产生的杂散电容、互连电阻和电感均比WB和TAB 小得多，因此适于高频、高速的电子产品应用。
2）FCB芯片安装互连占的基板面积小，因而芯片安装密度高。
FCB的芯片焊区可面阵布局,更适于高I/O数的芯片使用。
3）芯片的安装、互连同时完成，简化了安装互连工艺,快速、省时，适于使用先进的SMT 进行工业化大批量生产。
9、芯片凸点的多层金属化系统有哪三层，各层的主要作用是什么？（P46页）答：（1）粘附层金属: 粘附作用；数十纳米厚的Cr、Ti、Ni层。
（2）阻挡层金属: 防止凸点金属越过粘附层与Al焊区形成脆性中间金属化合物;数十至数百纳米厚的Pt、W、Pd、Mo、Cu、Ni层。
（3）凸点金属: 导电；Au、Cu、Ni、Pb-Sn、In等。
10、芯片凸点的制作方法主要有哪些？（P46页）答：1. 蒸发/溅射凸点制作法2. 电镀凸点制作法3. 化学镀凸点制作法4. 打球（钉头）凸点制作法5. 置球及模板印刷制作焊料凸点的工艺方法6. 放球法制作焊料凸点的工艺方法7. 激光凸点制作法8. 移置凸点制作法9. 柔性凸点制作法10. 叠层凸点制作法11. 喷射Pb-Sn焊料凸点制作法11、说明各向异性导电胶的焊区互连原理，并画图示意。
答：玻璃上芯片（COG）技术的原理为：先在基板上涂覆各向异性导电胶薄膜（ACAF），将带有凸点的IC芯片与基板上的金属焊区对位后，在芯片上加压并进行ACA固化，导电粒子挤压在凸点与焊区之间，上下接触而导电。
原理如图所示。
12、解释C4的含义及主要优点。
（P61页）答：俗称再流焊接发，专对各类Pn-Sn焊料凸点进行再流焊接。
优点：（1）具有一般凸点芯片FCB的优点，另外它的凸点还可整个芯片面阵分布，再流时能够弥补基板的凹凸不平或扭曲等。
因此，不但可与光滑平整的陶瓷/Si基板金属焊区互连，还能与PWB上的金属焊区互连。
（2）C4的芯片凸点使用高熔点的焊料，而PWB上的焊区使用低熔点的常规焊料，倒装焊再流时，C4凸点不变形，只有低熔点的焊料熔化，这就可以弥补PWB基板的缺陷产生的焊接不均匀问题。
（3）可使光电器件封装中的波导和光纤连接自对准精度达到预定要求。
第三章插装元器件的封装技术1、插装元器件按封装材料分为哪些类？（P80页）答：（1）金属封装（2）陶瓷封装（3）塑料封装2、插装元器件按外形结构分为哪些类？（P80页）答：圆柱形外壳封装（TO）、矩形单列直插式封装（SIP）、双列直插式封装（DIP）、针栅阵列封装（PGA）3、画框图表示PDIP的制造和封装工艺流程（P85页）装架——引线焊接——塑封——开模——去毛刺——切筋——打弯——成形——固化——检验——分色包装4、说明陶瓷熔封CDIP的主要工艺过程（P84页）5、比较PGA和BGA的关键不同点（P86页）答：PGA是面阵引脚结构，而BGA是焊球阵列结构6、金属外壳封装的常用封帽工艺有哪两种？（P92页）答：熔焊封接法、焊料封接法7、画框图表示LED的制造和封装工艺流程，并说明所采用的主要设备答：芯片检验——扩片——点胶——备胶——手工刺片——自动焊装——烧结——压焊——点胶封装——灌胶封装——压膜封装——固化——后固化——切筋和划片——测试——包装第四章表面安装元器件的封装技术1、与通孔安装（THT）元器件相比，表面安装元器件（SMD）有何优缺点？（P97页）答：(1)SMD体积小、重量轻,所占基板面积小,因而组装密度高(2)与DIP相比，具有优异的电性能(3)适合自动化生产(4)降低生产成本(5)能提高可靠性(6)更有利于环境保护2、比较SOT、SOP、QFP、PLCC的引脚布局的差别？（P99页）答：（1）(几个引脚)芝麻管形、圆柱形、SOT形：主要封装二极管、三极管，有2 ∽4个引脚；（2）(几十个引脚，两边引脚)SOP（SOJ）形：引脚两边引出,封装数十个I/O引脚的中、小规模IC及少数LSI芯片，节距多为1.27mm和0.65mm等；（3）(几百个引脚，四边引脚)PQFP形：四边引脚，主要封装I/O数为40∽304的LSI和VLSI，节距1.27、0.8、0.65、0.5、0.4、0.3mm；PLCC形：为四边引脚，塑封，J引脚，封装I/O数为16∽124的IC，节距：1.27mm；LCCC 形：为四边引脚，陶瓷封，无引脚，封装I/O数为16∽256的IC，节距：1.0、0.8、0.65mm；（4）(几千个引脚，底面引脚)BGA/CSP：基底底面面阵凸点引脚，封装数百乃至数千I/O引脚数的IC，节距1.27、1.0、0.8、0.5mm；（5）裸芯片直接芯片安装（DCA）：如COB、TAB、FCB等，节距可小于0.2mm。
3、和表面安装元器件相比，为什么塑封插装件的封装过程没有开裂问题？（P116页）答：塑料封装尽管存在普遍的吸潮问题，但并不会引起塑封外壳的开裂问题，因为湿汽压很低，产生的机械应力不足以破坏外壳。
对于表面安装器件(SMD)则不然,由于SMD的焊接无论是再流焊(大都采用)还是波峰焊,所有的SMD整体都要经历215∽240℃的高温过程。
若这时塑封壳体充满湿气,焊接时,水汽就会急剧膨胀，聚集形成较大的水汽压,从而可能出现塑封开裂现象。
4、塑料封装吸潮的危害及解决办法？（P115页）答：吸潮实效；解决方法：1. 从封装结构的改进上增强抗开裂的能力2. 对塑封器件进行适宜的烘烤是防止焊接开裂3. 合适的包装和良好的贮存条件是控制塑封器件吸潮的必要手段第五章BGA和CSP的封装技术1、什么是BGA？BGA有何特点？（P121页）答：BGA(Ball Grid Array)即“焊球阵列”。