教你3种方法抑制功率二极管反向恢复
开关电源电磁干扰(EMI)抑制措施总结
摘要：开关电源的电磁干扰对电子设备的性能影响很大，因此，各种标准对抑制电源设备电磁干扰的要求已越来越高。
对开关电源中电磁干扰的产生机理做了简要的描述，着重总结了几种近年提出的新的抑制电磁干扰的方法，并对其原理、应用做了简单介绍。
1 引言随着电子设备的大量应用，电源在这些设备中的地位越来越重要，而开关变换器由于体积小、重量轻、效率高等特点，在电源中占的比重越来越大。
开关电源大多工作在高频情况下，在开关器件的开关过程中，寄生元件（如寄生电容、寄生电感等）中能量的高频变化产生了大量的电磁干扰（ ElectromagneticInterference ， EMI ）。
EMI 信号占有很宽的频率范围，又有一定的幅度，经过在电路、空间中的传导和辐射，污染了周围的电磁环境，影响了与其它电子设备的电磁兼容（ ElectromagneticCompatibility ）性。
随着近年来各国对电子设备的电磁干扰和电磁兼容性能要求的不断提高，对电磁干扰以及新的抑制方法的研究已成为开关电源研究中的热点。
本文对电磁干扰产生、传播的机理进行了简要的介绍，重点总结了几种近年来提出的抑制开关电源电磁干扰产生及传播的新方法。
2 电磁干扰的产生和传播方式开关电源中的电磁干扰分为传导干扰和辐射干扰两种。
通常传导干扰比较好分析，可以将电路理论和数学知识结合起来，对电磁干扰中各种元器件的特性进行研究；但对辐射干扰而言，由于电路中存在不同干扰源的综合作用，又涉及到电磁场理论，分析起来比较困难。
下面将对这两种干扰的机理作一简要的介绍。
2.1传导干扰的产生和传播传导干扰可分为共模（ CommonMode CM ）干扰和差模（ DifferentialMode DM ）干扰。
由于寄生参数的存在以及开关电源中开关器件的高频开通与关断，使得开关电源在其输入端（即交流电网侧）产生较大的共模干扰和差模干扰。
2.1.1 共模（ CM ）干扰变换器工作在高频情况时，由于 dv/dt 很高，激发变压器线圈间、以及开关管与散热片间的寄生电容，从而产生了共模干扰。
二极管反向恢复emi问题
二极管反向恢复emi问题二极管反向恢复 EMI 问题电子设备广泛应用于各个领域，但其工作所产生的电磁干扰也日益引起人们的关注。
其中，二极管反向恢复 EMI 问题被认为是一项重要的挑战。
本文将探讨二极管反向恢复 EMI 问题的本质、影响以及相应的解决方案。
一、二极管反向恢复 EMI 问题的本质二极管是一种常见的电子元件，其在电路中具有重要的作用。
当二极管在工作时，由于其特性导致存在反向恢复现象。
这种反向恢复过程会引发电磁干扰，产生不利影响，特别是在高频电路中更加明显。
二极管反向恢复 EMI 问题的本质即在于二极管内部电荷重新组合的过程中所产生的电磁辐射。
二、二极管反向恢复 EMI 问题的影响二极管反向恢复 EMI 问题对于电子设备的正常运行可能会带来多方面的负面影响。
首先，它可能导致信号的失真，从而影响整个电路的工作性能。
其次，由于电磁辐射的存在，会对周围的电子设备或系统造成干扰，干扰范围由近及远，严重时可能导致设备的故障甚至损坏。
此外，二极管反向恢复 EMI 问题还可能影响系统的抗干扰能力，增加系统的噪声水平，降低系统的可靠性和稳定性。
三、解决二极管反向恢复 EMI 问题的方法针对二极管反向恢复 EMI 问题，人们提出了多种解决方法和技术手段。
下面将介绍几个常用的方法：1. 选用合适的二极管不同类型的二极管在反向恢复特性方面存在差异，因此选择合适的二极管具有重要意义。
例如，快恢复二极管或肖特基二极管具有较低的反向恢复时间和较小的反向恢复电流，能够有效地减小二极管反向恢复 EMI 问题。
2. 电磁屏蔽通过在电路设计过程中添加电磁屏蔽措施，可以有效地降低二极管反向恢复 EMI 问题。
例如，在关键的电子元件或电路之间增加金属屏蔽罩，或使用特殊材料进行电磁屏蔽处理，都可以有效抑制电磁辐射，减少电磁干扰。
3. 过渡滤波器过渡滤波器是一种有效的解决二极管反向恢复 EMI 问题的方法。
过渡滤波器能够对二极管反向恢复过程中所产生的高频干扰信号进行滤波，从而减少电磁辐射。
二极管反向恢复emi问题
二极管反向恢复emi问题
二极管的反向恢复电压（Reverse Recovery V oltage，简称RRV）是在二极管从正向导通状态切换到反向截止状态时所产生的反向电压峰值。
而EMI （Electromagnetic Interference，电磁干扰）是指电子设备在操作过程中产生的电磁能量，可能会对周围的设备或系统造成干扰。
反向恢复电压对EMI有一定的影响。
当二极管从正向导通状态切换到反向截止状态时，反向恢复电压会引起电压尖峰和电流尖峰的产生，这可能会产生高频噪声和干扰信号，进而导致EMI问题。
为了减小二极管的反向恢复电压对EMI造成的影响，以下是一些可能采取的措施：
1. 选择合适的二极管：选择反向恢复电压较低的二极管，或选择具有较低反向恢复电压的快速恢复二极管或超快速二极管。
2. 使用瞬态电压抑制器（Transient V oltage Suppressor，简称TVS）：TVS可以提供更好的电压抑制能力，限制反向恢复电压峰值，减少EMI问题。
3. 增加滤波电路：通过添加合适的滤波电路，如电容、电感等元件，可以减小高频噪声和干扰信号的传播。
需要根据具体的电路设计和应用场景选择合适的方法来减小二极管反向恢复电压对EMI问题的影响。
在实际设计中，还需要进行电磁兼容性测试和调试，确保系统能符合相关标准和要求。
二极管反向恢复电压尖峰
二极管反向恢复电压尖峰
二极管在电路中的应用十分广泛，其中一种常见的应用是作为整流器使用。
当二极管正向偏置时，电流可以流过它，而当反向偏置时，电流则不能通过。
当反向电压在二极管上升到一定程度时，二极管会被击穿，导致电流突然流过二极管，产生一个瞬时的尖峰电压，这就是所谓的二极管反向恢复电压尖峰。
二极管反向恢复电压尖峰对于电路中的稳定性和可靠性都有很
大的影响。
当二极管反向恢复电压尖峰的幅值较大时，可能会导致电路中的其他器件受到损坏或过载。
因此，我们需要采取措施来减小二极管反向恢复电压尖峰的幅值。
一种常见的减小二极管反向恢复电压尖峰的方法是使用快恢复
二极管。
与普通二极管相比，快恢复二极管的恢复时间更短，能够更快地将反向电压降至零。
这就可以减小二极管反向恢复电压尖峰的幅值，从而提高电路的可靠性和稳定性。
除了使用快恢复二极管，还有其他一些方法可以减小二极管反向恢复电压尖峰的幅值，如使用反向并联二极管、加装反向并联电感等。
这些方法需要根据具体的电路和应用来进行选择和优化，以达到最佳的效果。
总之，二极管反向恢复电压尖峰是电路中需要注意的一个问题，我们需要采取措施来减小其幅值，确保电路的稳定性和可靠性。
- 1 -。
双管正激中二极管反向恢复的研究和抑制
在满足震荡条件时，我们可以计算出整流二极管的反向 恢复电流ix(t)。二极管两端的反向恢复电压尖峰主要与模态3 的反向恢复电流下降斜率有关，求出电流的震荡频率为：
２．２ 续流二极管反向恢复过程
根据双管正激的模态分析，设在t=0时，开关管S1和S2由 截止变为导通，变压器副边电压由0阶跃至V2，将续流二极管 反向恢复过程分为3个模态：
摘 要：在大功率场合，双管正激副边二极管承受电压和电流应力大，其上的反向恢复问题比 较严重。本文研究了整流二极管和续流二极管的反向恢复电路等效模型，从理论上指出：续流二极 管的反向恢复问题要远严重于整流二极管。最后，本文研究了一种ＣＤＤ吸收电路，仿真和实验证明 该吸收电路具有良好的抑制效果。
关键词：双管正激；反向恢复；ＣＤＤ吸收
理论上，该吸收电容越大，其吸收效果越好，但其过度 时间过长容易影响主电路的正常工作，一般取二极管两端等 效结电容的10～20倍。图8为加入CDD吸收电路后，副边整流 管和续流管两端的波形。从图可以看出，该CDD吸收电路有 着良好的效果。
４、结束语
本文通过理论分析和仿真实验结果验证，指出了双管 正激变换器副边续流管反向恢复电压尖峰远高于整流管的原 因，对设计双管正激电路具有一定的指导作用；并研究了一 种CDD吸收电路，实验证明该吸收电路能够有效降低续流管 两端的反向恢复电压尖峰。
模态3[t2<t<t3] t2时刻之后，D2反向阻断能力恢复，二极管电流从IRM2迅
速衰减到反向饱和漏电流。假设在t2时刻二极管的反向阻断
５８ 电源技术 ＜ ２０１０年１－２月合刊
○技术交流
电源技术
能力完全恢复，则二极管的反向电流全部流经其结电容，本 模态的等效电路如图4(c)所示，其电路方程如下：
双管 防止电池电流倒流的方法
双管防止电池电流倒流的方法说实话防止电池电流倒流这事儿，我一开始也是瞎摸索。
我折腾了好久，总算找到点门道。
我试过最简单的方法，就是加个二极管。
二极管这东西就像一个单行道的门，电流只能沿着一个方向走，这就可以在很大程度上防止电池电流倒流。
但是这里面也有坑，我开始的时候没注意二极管的规格，随便拿了一个就用，结果发现虽然电流不倒流了，但是这个diode对于整个电路的电压和电流产生了特别大的影响，比如说我原本的小电器需要3V的稳定电压，结果加上这个不合适的二极管以后，电压直接降到2V左右了，那小电器根本没法好好工作啊。
然后我就仔细研究了一下二极管的规格。
要根据电路中的电压、电流大小去选择合适的二极管才行。
像是电池如果是2节的干电池串联，那就要找那种能承受这个3V电压并且在这个小电流环境下正常工作的二极管，不能马虎。
我还试过用继电器的方法。
继电器就像是一个自动开关的大闸。
我设置好它，让它在电流流向正确的时候处于闭合状态，如果一旦检测到电流有倒流的趋势，就立马断开电路。
不过呢，这继电器也不好摆弄。
我开始的时候接错线了，那个电路简直乱成一团麻，有次甚至差点把电池给鼓包了。
后来我就找了些电路基础的书好好看，又找懂行的朋友请教了一番，才慢慢弄明白该怎么正确接线。
它的好处就是比较直观，很容易控制，但不好的地方就是体积有点大，如果电路空间很小的话就不太适用了。
前几天我又试了个新方法，就是使用那种带有防倒流功能的电路模块。
现在市场上有专门针对电池防倒流设计的模块，这些模块把那些防止倒流的原理和功能都集成到一起了。
当初用的时候其实也有点担心不好用，但是买回来一测试，发现真的很方便。
只要把电池的正负极按照模块上的标识接好就可以了。
我感觉如果不是特别精通电路原理的人，用这种模块是最省事的。
不过就是这种模块可能不太适合那些对成本控制很严格的项目，因为模块相对来说成本会高一些，但如果是自己在家做做小实验或者简单电路，那还是挺不错的。
双管正激中二极管反向恢复的研究和抑制
双管正激中二极管反向恢复的研究和抑制双管正激中二极管反向恢复指的是在单向导电的二极管中，当正向电
压施加于二极管时，电流可以流过。
然而，当电压为负向时，二极管会反
向恢复，即导电能力下降或停止导电。
这种现象会对电路的正常工作产生
影响，因此需要进行研究和抑制。
研究双管正激中二极管反向恢复的目的是为了找到有效的控制方法，
以提高电路的性能和稳定性。
研究在以下几个方面进行。
首先，研究者可以通过模拟和测量电流-电压曲线，了解反向恢复现
象的特点。
这将有助于理解反向恢复的机理和原因，从而引导后续的研究
和抑制措施。
其次，可以通过调整材料和工艺制造二极管，来改善反向恢复现象。
例如，选择合适的材料，可以增加二极管的载流子扩散速度，减少反向恢
复时间。
此外，优化接触电阻和电极结构，也可以减小反向恢复现象。
此外，研究者还可以通过应用外部电路进行抑制。
例如，使用电容、
电感和二极管等元器件组成滤波电路，将反向恢复的负面影响降到最低。
此外，使用快速继电器等特殊元件，也可以帮助抑制反向恢复。
最后，研究者还可以通过数值仿真和实验验证来评估抑制方法的有效性。
通过比较实验结果和数值仿真结果，可以验证研究的正确性，并进一
步改进抑制方法。
综上所述，双管正激中二极管反向恢复的研究是一个重要的课题，目
的是为了提高电路的性能和稳定性。
通过理解反向恢复现象的机理和原因，选择合适的材料和工艺制造二极管，应用外部电路进行抑制，以及通过数
值仿真和实验验证等方法，可以有效地抑制和改善反向恢复现象，为电路的可靠性和稳定性提供有力的支持。
整流二极管的尖峰抑制的10种方法介绍
整流二极管的尖峰抑制的10种方法介绍
概述副边整流二极管的尖峰
开关电源产生噪声的主要部位是功率变换和输出整流滤波电路。
包括开关管，整流管，变压器，还有输出扼流线圈，等。
不采取任何措施时输出电压的峰值可能是输出基波的好多倍。
出现在开关脉冲的上升沿和下降沿。
即开关管的导通和截止，通常导通时尖峰更大一些。
整流二极管的尖峰抑制的10种方法！
前沿尖峰的一些抑制方法
1选用软恢复特性的肖特基二极管，或采用在整流管前串联电感的方法比较有效，或在开关管整流管的磁珠。
磁芯材料选用对高频振荡呈高阻抗衰减特性的铁氧体材料，等。
二极管的反向恢复过程
二极管的反向恢复过程二极管的反向恢复过程是指当二极管由正向导通状态突然切换到反向电压状态时，二极管内部电荷分布和电流特性的恢复过程。
这个过程是二极管正向关闭时，快速从电导状态切换到封锁状态的过程。
本文将详细介绍二极管的反向恢复过程。
一、二极管的反向导电当二极管处于正向导通状态时，使得P型半导体处于正偏电压，N型半导体处于负偏电压。
在这种情况下，二极管通过电流。
然而，一旦施加在二极管上的电压改变方向，使得N型半导体达到阳极的电位，而P型半导体达到阴极的电位，二极管便会切换到封锁状态，并且相当数量的电子和空穴重新组合。
这个过程是由于$e^{-}$在N型半导体的表面融合和电子从P型半导体进入技术N型半导体的缺陷引起的。
如果这些载流子没有重新组合，反向瞬态提供的能量会在二极管中积累，导致电压浪涌、瞬态电流和过度电击等问题。
因此，理解和解决二极管反向恢复问题对于二极管在电力电子系统中的应用至关重要。
二、弛豫过程在二极管反向电压达到一定程度之后，二极管将进入弛豫过程。
在这个阶段，N型半导体中的电场逐渐增强，电子开始从P型半导体向N型半导体运动。
同时，电子会逐渐从N型半导体重新组合到P型半导体，直到两个半导体之间的势垒完全恢复。
三、反向恢复时间反向恢复时间是指二极管从正向导通状态切换到封锁状态所需的时间。
它包括两个关键时间参数：反向恢复时间 (Trr) 和反向恢复峰值电流(Irr)。
1. 反向恢复时间 (Trr)反向恢复时间是指从二极管输入反向电压时，电流从峰值下降到反向电流的10%所需的时间。
反向恢复时间的长短对系统的稳定性和效率都有重要影响。
较大的反向恢复时间会导致能量损失和电容电流的产生，从而加剧二极管的耗损。
幸运的是，由于现代技术的进步，新型二极管已经提高了反向恢复时间的性能。
2. 反向恢复峰值电流 (Irr)反向恢复峰值电流是指二极管在切换到封锁状态时，使得电流呈现出一个峰值的电流大小。
较大的反向恢复峰值电流可能会在电路中产生电磁干扰，并使系统不稳定。
二极管反向恢复电压
二极管反向恢复电压二极管是一种基础的电子器件，常用于电路中的整流、调节和保护等方面。
作为一种非线性电子元件，其最重要的特性之一就是反向恢复电压（Reverse Recovery Voltage，简称RRV）。
本文将对二极管反向恢复电压进行详细介绍。
一、二极管基本原理二极管由两种导电材料——P型半导体和N型半导体构成，通过P-N结连接而成。
当正向电压施加在二极管上时，电流可以通过二极管流动；而反向电压施加时，二极管会被击穿，导致电流大幅度增加。
因此，正向电压下，二极管处于导通状态，而反向电压下，二极管处于截止状态。
二、二极管反向恢复电压的定义当二极管从正向工作状态切换到反向截止状态时，二极管内部储存的电荷需要被有效清除，这个过程就是反向恢复过程。
在反向恢复过程中，二极管内部的电荷类似于一个电容器，当反向电压施加到二极管上时，这个电荷需要被电压逐渐清除，直到达到反向电压稳定值。
这个反向电压稳定值就是二极管的反向恢复电压。
三、二极管反向恢复电压的影响因素1. 二极管的结构和材料：二极管的结构和材料决定了它的导电特性和电压容忍能力，进而影响反向恢复电压。
不同的材料和结构导致的二极管电压容忍能力不同，从而反向恢复电压也有所差异。
2. 正向工作电流：正向工作电流越大，二极管中储存的电荷越多，反向恢复电压也就越大。
3. 正向导通时间：正向电流截止到开始反向恢复的时间越短，反向恢复电压也就越小。
四、反向恢复过程反向恢复过程分为两个阶段：存储时间和减少时间。
1. 存储时间阶段：当正向工作电流截止时，二极管内部的电荷不会立即消失，而是在一个相当短的时间内逐渐减少。
这个阶段被称为存储时间（tst）。
2. 减少时间阶段：存储时间结束后，剩余的电荷开始被有效地消除，直到二极管的反向电压稳定下来。
这个阶段被称为减少时间（trr）。
五、减小二极管反向恢复电压的方法1. 选择合适的二极管：根据具体应用需求，选择具有较小反向恢复电压的二极管。
防止电流反向回流的方法
防止电流反向回流的方法防止电流反向回流的方法在电子电路中，电流的反向流动会导致一系列问题，如芯片损坏、稳压器过热等。
为了解决这些问题，我们需要采取一些措施来防止电流的反向回流。
1.使用二极管二极管是一种非常常用的电子元件，可以用于防止电流反向回流。
在电路中，我们可以将二极管正极接在电源的正极上，负极接在负极上，这样即可防止电流反向回流。
此时，当电流由负极流向正极时，二极管正极处的电势高于负极，电流可以正常流动；反之，当电流由正极流向负极时，二极管反向极化，电势低于负极，电流无法流动。
这样一来，就可以有效地防止电流反向回流。
2.使用保护二极管保护二极管通常是由Schottky二极管实现的。
与一般的二极管相比，保护二极管具有更低的反向漏电流和更高的阻抗，可以提供更强的保护效果。
在电路中，我们可以将保护二极管正极和负极分别与电源和负载连接，这样就可以避免电流反向回流导致的各种问题。
3.使用反向电源保护器反向电源保护器可以有效地防止电流反向回流。
在电路中，我们可以将反向电源保护器置于电源和负载之间，这样当电流反向回流时，保护器会自动切断电路，避免电源的损坏。
反向电源保护器一般可以分为负载保护器和电源保护器两种，根据实际的应用场景进行选择。
总结在电子电路中，防止电流反向回流是非常重要的，不仅可以保护芯片、稳压器等元件，还可以提高电路的工作效率。
以上介绍了三种常见的防止电流反向回流的方法，可以根据实际情况进行选择。
在实际应用中，我们也可以采用多种方式进行组合，以达到更好的保护效果。
简述二极管的反向恢复
简述二极管的反向恢复二极管是一种电子器件，它具有只允许电流在一个方向通过的特性。
当正向偏置时，电流可以自由流动，而当反向偏置时，电流被阻断。
然而，在某些情况下，二极管在反向电压下可能会发生击穿，导致反向电流的流动。
为了防止这种击穿现象，二极管反向恢复技术被广泛应用。
二极管的反向恢复是指在二极管处于反向电压状态时，当电压突变时，二极管能够快速恢复到正常导通状态的能力。
这是非常重要的，因为在许多电子电路中，二极管会承受反向电压的冲击。
如果二极管不能迅速恢复，将会导致电路的稳定性和可靠性受到影响。
二极管的反向恢复可以通过多种方式实现。
其中一种常用的方法是使用快恢复二极管。
快恢复二极管是一种专门设计用于快速恢复的二极管。
它具有较低的反向恢复时间和较高的反向电压能力，能够有效地防止二极管的击穿现象。
快恢复二极管的反向恢复时间通常在几纳秒到几十纳秒之间。
快恢复二极管的反向恢复时间主要由以下几个因素决定。
首先是二极管的材料。
不同的材料具有不同的载流子迁移速度，从而影响反向恢复时间。
其次是二极管的结构。
快恢复二极管通常具有优化的结构，如缩小的结电容和减少的扩散区域，从而减少了二极管的反向恢复时间。
最后是二极管的工作温度。
温度越高，载流子迁移速度越快，反向恢复时间越短。
除了快恢复二极管，还有其他方法可以实现二极管的反向恢复。
例如，可以通过并联电阻或电感来减缓反向电流的上升速度，从而降低二极管的反向恢复时间。
这种方法可以在一些特定的应用中发挥重要作用，如电源电路和开关电源。
在实际的电子电路设计中，需要根据具体的应用场景选择合适的反向恢复技术。
对于一些对反向恢复时间要求较高的应用，如高频电路和高速开关电路，通常会选择快恢复二极管。
而对于一些对反向恢复时间要求不那么严格的应用，可以选择其他更经济或更简单的反向恢复技术。
二极管的反向恢复是确保二极管在反向电压下具有良好性能的重要技术。
通过选择适当的反向恢复技术，可以有效地提高电子电路的稳定性和可靠性。
防止电流反向回流的方法
防止电流反向回流的方法引言防止电流反向回流是电子电路设计中非常重要的一个问题。
在电子设备中，电流反向回流会导致电路故障、元器件烧毁甚至设备损坏。
因此，我们需要采取一些方法来有效地解决这个问题。
本文将全面、详细、完整地探讨防止电流反向回流的方法。
为什么电流会反向回流电流反向回流的主要原因是根据基础的物理学原理所形成的。
当电流通过一个电感元件时，在其所产生的磁场的作用下，电感元件会储存磁能。
当电流突然中断时，电感元件会释放之前储存的磁能，产生一个反向的电势。
这个反向的电势会引起电流的反向，从而导致电流反向回流。
防止电流反向回流的方法为了防止电流反向回流，我们可以采取以下几种方法。
1. 硬件解决方案1.1 使用反向电压保护二极管反向电压保护二极管（TVS二极管）是一种常用的硬件解决方案，它可以在电压超过其正向阈值时快速导通，从而保护电路不受电流反向回流的影响。
1.2 使用瞬态电压抑制器瞬态电压抑制器（TVS）是另一种常用的硬件解决方案，它可以提供更高的电流保护能力。
它工作原理与TVS二极管类似，通过在电压超过其阈值时导通，从而将电流引导到地线，保护电路。
1.3 使用继电器或开关电源继电器或开关电源可以通过控制电流的通断来解决电流反向回流的问题。
当电流反向时，可以通过继电器或开关电源将电路切断，防止电流继续反向回流。
2. 软件解决方案2.1 使用二极管桥二极管桥可以将电流反向回流转变为正向回流，从而解决电流反向回流的问题。
通过合理地选择二极管和使用电路设计来实现。
2.2 使用微型开关微型开关可以根据电流的反向来切断或通断电路，从而防止电流反向回流。
通过控制微型开关的触发条件和切断条件来实现对电流方向的控制。
2.3 使用防反向电路防反向电路是一种使用电阻、电容、二极管等元件组成的电路，可以将电流反向回流转变为正向回流。
通过合理地设计电路参数和选择元件来达到防止电流反向回流的目的。
结论电流反向回流是电子电路设计中一个需要引起重视的问题。
如何解决电路中的反串问题
如何解决电路中的反串问题电路中的反串问题是指电流或电压在电路中的流向与设计意图相反的情况。
它可能会导致电路无法正常工作，严重时甚至可能损坏电路元件。
因此，解决电路中的反串问题对于保证电路的正常运行至关重要。
本文将介绍几种常见的解决电路反串问题的方法。
一、使用二极管防止电流反串二极管是一种具有单向导电性的元件，可以很好地解决电路中的反串问题。
一种常见的应用场景是直流电源的输入端，通过合理放置二极管可以防止电流反串。
具体操作方法是：将二极管的正极连接到电路的正极，将负极连接到负极。
这样，当电源的正负极连接正确时，电流可以顺利通过二极管进入电路。
但当电源的正负极接反时，二极管的导通状态会被阻断，从而防止电流反串。
二、使用继电器控制电路开关在一些需要控制电路开关的场合，如交流电路中的正反转控制，可以使用继电器来解决电路反串问题。
继电器是一种电气控制设备，可以根据输入信号的变化，控制一个或多个输出电路的开闭。
具体操作方法是：将继电器的控制端和电源正确连接，然后将要控制的电路连接到继电器的输出端。
当继电器的控制端输入正确信号时，继电器的输出端正常导通，电路可以正常工作。
而当输入信号反串时，继电器的输出端不会导通，从而避免电路反串问题的发生。
三、使用回路保护元件在一些特殊的电路中，使用回路保护元件也可以解决电路反串问题。
回路保护元件是一种能够自动切断电流回路的设备，可以防止电流在反串情况下造成的损坏。
具体操作方法是：将回路保护元件正确连接到电路中，当电流反串时，回路保护元件会自动切断电路，避免电流继续流过，从而保护电路正常运行。
四、增加标识和检测步骤为了避免电路反串问题，我们可以在电路设计和使用过程中增加标识和检测步骤。
在电路设计中，应当给出明确的正负极标识，以指导正确的电路接线。
在电路使用时，可以使用万用表等工具进行电路的检测，确认电路的连接是否正确。
此外，还可以使用专用的标志牌或标识贴纸，将正负极位置醒目地标出，为工作人员提供正确的连接指引。
开关电源常见尖峰的产生原因和抑制方法
开关电源的尖峰干扰及其抑制2 滤波电路为减小电源尖峰干扰需要在电源进线端和电源输出线端分别加入滤波电路。
2.1电源进线端滤波器在电源进线端通常采用如图1所示电路。
该电路对共模和差模纹波干扰均有较好抑制作用。
图中各元器件的作用：（1）L1L2C1用于滤除差模干扰信号。
L1L2磁芯面积不宜太小，以免饱和。
电感量几毫亨至几十毫亨。
C1为电源跨接电容，又称X 电容。
用陶瓷电容或聚脂薄膜电容效果更好。
电容量取0.22μF～0.47μF。
（2）L3，L4，C2，C3用于滤除共模干扰信号。
L3，L4要求圈数相同，一般取10，电感量2mH左右。
C2，C3为旁路电容，又称Y电容。
电容量要求2200pF左右。
电容量过大，影响设备的绝缘性能。
在同一磁芯上绕两个匝数相等的线圈。
电源往返电流在磁芯中产生大小相等、方向相反的磁通。
故对差模信号电感L3、L4不起作用（见图2），但对于相线与地线间共模信号，呈现为一个大电感。
其等效电路如图3所示。
由等效电路知：表明，对共模信号Ug而言，共模电感呈现很大的阻抗。
2.2输出端滤波器输出端滤波器大都采用LC滤波电路。
其元件选择一般资料中均有。
为进一步降低纹波，需加入二次LC滤波电路。
LC滤波电路中L值不宜过大，以免引起自激，电感线圈一般以1～2匝为宜。
电容宜采用多只并联的方法，以降低等效串联电阻。
同时采样回路中要加入RC前馈采样网络。
如果加入滤波器后，效果仍不理想，则要详细检查公共地线的长度、线径是否合适。
因为地线分布电感对抑制纹波极为不利。
导线长度l，线径d与其电感量的关系为： L(μH)=0.002l[ln（4l/d)－1](2)3二极管反向恢复时间引起之尖峰及其抑制图3共模电感等效电路以单端反激电源为例（见图4）Us为方波，幅值为Um。
功率管V截止时，VD1导通，而VD2截止。
但当V导通时，Us极性反转。
VD2导通，由于二极管之反向恢复特性，VD1不能立即截止，而是VD1，VD2同时导通。
防止DC电源反接的方法——SS14的用法
防止DC电源反接的方法——SS14的用法电源是PCB板的重要部分，每个芯片都需要电源供给。
芯片其实是挺脆弱的，只要正负接反得话，大多数就会挂掉，相信很多人都有惨痛经历，我也不例外，从开始到现在估计也废了好几百RMB。
大多数反接的情况其实是可以避免的，所以要想办法防止电源反接。
防止DC电源输入反接的3种 1)串联有4只二极管的全桥。
优点是无论正接、反接，电源都能正常工作。
缺点是要损失1.2V ~ 1.4V的电压。
2)串联有1只二极管。
优点是电路简单、可靠。
但有0.7V的压降。
3)串联自恢复保险，在保险后面的电源正、负极反向并联1只二极管。
优点输入电压没有损耗。
缺点是成本较高。
当然亦可把自恢复保险换成普通保险丝。
这样材料成本虽然降低，但维护成本反而大大增加。
对于第一种方法，可以用肖特基二极管SBD（Schottky Barrier Diode）代替普通的二极管。
肖特基二极管的优点在于正向偏置电压较低，这样的话损失的压降小。
至于肖特基二极管SBD的具体原理，可以参考下面一篇文章： 肖特基势垒二极管- EEWiki 整理桥式防护电路 Altera的DE2的原理图上有这样的防护设计。
无论输入电源正接还是反接，都可以正向导通。
具体整流桥的原理可以参考网友Yoghourt的《初学者对于Cyclone II 开发板电源选择的看法》一文。
1、3脚是连在一起的。
当2脚接正(+)，3脚/1脚接负(-)时，①通道导通(D6、D8正向导通，D6、D7反向截止)。
当2脚接负(-)，3脚/1脚接正(+)时，②通道导通(D6、D8反向截止，D6、D7正向导通)。
肖特基二极管SS14 在这种整流桥式的防护电路中用的比较多的肖特基二极管是SS14。
同系列的有SS12、S13、S14、S15、S16、SS18、S100。
后面一个数值分别表示反向耐压值(Maximum Repetitive Reverse Voltage)，SS12反向耐压为20V，S100反向耐压值为100V。
抑制二极管的
抑制二极管的
二极管是一种非常重要的电子元件，它广泛应用于各种电子设备中，例如变频器、电源逆变器等。
二极管是一种半导体器件，由于其特殊的电学性质，它能够实现电流的单向导通。
但是，当二极管中的电压超过了其耐压值时，它就会出现击穿现象，这样就会导致二极管的故障，严重影响电子设备的稳定性和可靠性。
因此，抑制二极管的击穿现象是非常重要的。
抑制二极管的击穿现象的方法有很多种，常用的方法包括增加二极管的耐压能力、增加电容滤波电路、减小电压梯度等。
其中，增加二极管的耐压能力是最直接、最有效的方法。
二极管的耐压能力取决于其结构、材料和尺寸等因素，因此在设计电子设备时，需要选择合适的二极管，以满足设备的工作要求。
另外，增加电容滤波电路也是一种有效的抑制二极管击穿的方法。
电容滤波电路能够抑制电源中的高频噪声和干扰，从而减小二极管的电压梯度，提高其耐压能力。
此外，增加电容滤波电路还能够提高电子设备的稳定性和可靠性。
除了增加二极管的耐压能力和增加电容滤波电路外，减小电压梯度也是一种有效的抑制二极管击穿的方法。
在实际设计中，可以采用分级电路、限流电路等方式来减小电压梯度，从而提高二极管的耐压能力。
总之，抑制二极管的击穿现象是非常重要的，它关系到电子设备的稳定性和可靠性。
在电子设备的设计中，需要选择合适的二极管，
并采用合适的抑制方法，以保证设备的正常工作。
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教你3种方法抑制功率二极管反向恢复
高频功率二极管在电力电子装置中的应用极其广泛。
但PN结功率二极管在由导通变为截止状态过程中，存在反向恢复现象。
这会引起二极管损耗增大，电路效率降低以及EMI增加等问题。
这一问题在大功率电源中更加突出。
常用RC吸收、串入饱和电抗器吸收、软开关电路等开关软化方法加以解决，但关于其效果对比的研究报道尚不多见。
本文以Buck电路为例，对
这几种方案进行了比较，通过实验及仿真得出有用的结论。
1、二极管反向恢复原理
以普通PN结二极管为例，PN结内载流子由于存在浓度梯度而具有扩散运动，同时由于电场作用存在漂移运动，两者平衡后在PN结形成空间电荷区。
当二极管两端有正向偏压，空间电荷区缩小，当二极管两端有反向偏压，空间电荷区加宽。
当二极管在导通状态下突加反向电压时，存储电荷在电场的作用下回到己方区域或者被复合，这样便产生一个反向电流。
2、解决功率二极管反向恢复的几种方法
为解决功率二极管反向恢复问题已经出现了很多种方案。
一种思路是从器件本身出发，寻找新的材料力图从根本上解决这一问题，比如碳化硅二极管的出现带来了器件革命的曙光，它几乎不存在反向恢复的问题。
另一种思路是从拓扑角度出发，通过增加某些器件或辅助电路来使功率二极管的反向恢复得到软化。
目前，碳化硅二极管尚未大量进入实用，其较高的成本制约了普及应用，大量应用的是第二种思路下的软化电路。
本文以一个36V输入、30V/30A输出、开关频率为62.5kHz电路（如图1所示）为例，比较了几种开关软化方法。