三极管特性曲线分析
三极管的伏安特性曲线
三极管的伏安特性曲线三极管的伏安特性曲线可由共射接法的输⼊特性曲线和输出特性曲线来说明:1. 输⼊特性曲线是指当U CE 不变时,输⼊电压 U BE 和输⼊电流 I B 之间的关系曲线,如图1.6所⽰。
由图可知,三极管的输⼊特性曲线和⼆极管的伏安关系曲线基本相同,不过在 U CE 增⼤时曲线略有右移。
2. 输出特性曲线是指当输⼊电流 I B 不变时,输出回路电压 U CE 和输出电流 I C 之间的关系曲线,如图1.7所⽰,可分三个区:截⽌区、饱和区、放⼤区。
(1)截⽌区把 I B ≤0的区域称为截⽌区,即图1.7中的A所指向的区域。
此时发射结上所加的电压 U BE 不⾜以克服发射结的死区电压,甚⾄发射结处于反向偏置状态( U BE <0,所以形成的 I C (或 I E )很⼩,仅有很⼩的穿透电流 I CEO 。
(2)饱和区当 U BE >0(发射结处于正偏)且克服了发射结的死区电压时,三极管即脱离截⽌区, I B 开始出现。
若 U CE < U BE ,则此时集电结处于正偏状态,不利于基区电⼦的收集,所以此时基本上不随基极电流⽽变化,这种现象称为饱和,即图1.7中的C所指的区域。
在饱和区三极管失去了放⼤作⽤,此时的 I C 和 I B 之间的关系不是β倍。
⽽当 U CE 逐渐上升直⾄开始反偏( U CE > U BE )这⼀段,随着的 U CE 上升 I C 将表现为迅速增长,最终脱离饱和进⼊放⼤区。
(3)放⼤区当 I B ⼀定时,从发射区扩散到基区的电⼦数⼤体上是⼀定的,在 U CE 超过⼀定数值后(约1V),这些电⼦绝⼤部分已被集电结收集形成 I C ,当 U CE 继续加⼤后, I C 也不再有明显的增加,具有恒流特性,即图1.7中的B所在的区域。
只有当 I B 增⼤时,相应的 I C 也增⼤,⽽且⽐ I B 增⼤的多的多,三极管的电流放⼤作⽤就体现在这⾥。
三极管特性曲线和参数
2.4.2 三极管的特性曲线
IC + mA -
Rc
Rb
IB A +
+ V UCE -
UCC
UBB
uBE V
-
图 1 – 33 三极管共发射极特性曲线测试电路
1.
输入特性
IB / mA U CE=0 V U CE=2 V
当UCE不变时, 输入回路中 的电流IB与电压UBE之间的关 系曲线称为输入特性, 即
2.3.5 三极管的主要参数
(1) 共发射极交流电流放大系数β。β体现共射极接法之下的电流放大作用。
I C I B
U CE 常数
(2) 共基极交流电流放大系数α。α体现共基极接法下的电流放大作用。
I C I E
2. 极间反向电流
ICBO
A
A ICEO
(a ) ICBO
2 - 36 三极管极间反向电流的测量
(3) 饱和区。 曲线靠近纵轴附近, 各条输出特性曲线的上升部分属于饱和区。 在这个区域, 当
UCE较小时, 管子的集电极电流IC基本上不随基极电流IB而变化, 这种现象称为
饱和。此时三极管失去了放大作用,
一般认为UCE=UNE, 即UCB=0时, 三极管处于临界饱和状态, 当UCE<UBE时称 为过饱和。三极管饱和时的管压降用UCES表示。在深度饱和时, 小功率管管压降通 常小于0.3V。
过 压 区
UCE / V
2 - 38 三极管的安全工作区
4. 反向击穿电压
BUCBO——发射极开路时, 集电极-基极间的反向击穿电压。 BUCEO——基极开路时, 集电极-发射极间的反向击穿电压。
BUEBO——集电极开路时, 发射极-基极间的反向击穿电压, 此
三极管的特性曲线
特点:曲线簇靠近纵轴附近,各条曲线的 特点:曲线簇靠近纵轴附近, 上升部分十分密集,几乎重叠在一起, 上升部分十分密集,几乎重叠在一起,可以 看出: 看出: 改变时, 当 IB 改变时,Ic 基本上不会随之而改 变。
Ε 晶体管饱和的程度将因IB和Ic的数值不同 晶体管饱和的程度将因I Ic的数值不同
3
6
9
IC(mA ) 4 3 2 1 3 6 9
此区域中 : 100µA µ IB=0,IC=ICEO 80µABE< 死区 µ ,U 电压, 电压 60µA ,称为 µ 截止区。 截止区。 40µA µ 20µA µ IB=0 12 UCE(V)
输出特性曲线簇
输出特性三个区域的特点: 输出特性三个区域的特点
Ε (2)为了保证三极管工作在放大区,在组成放大 为了保证三极管工作在放大区,
电路时, 电路时,外加的电源的极性应使三有管的发射结 处于正向偏置状态,集电结则处于反向偏置状态。 处于正向偏置状态,集电结则处于反向偏置状态。
Ε (3)即使三极管工作在放大区,由于其输入,输 即使三极管工作在放大区,由于其输入,
结论: 结论: 在放大区,UBE> 0.7V,UBC< 0,Je正 在放大区, 0.7V, 0,Je正 偏,Jc反偏,Ic随IB变化而变化,但与 反偏, 变化而变化, 的大小基本无关。 UCE的大小基本无关。 ΔIc>>ΔIB,具有很强的电流放大作 用!
3、饱和区: 饱和区:
Ε Ε Ε
晶体管工作在饱和模式下: 晶体管工作在饱和模式下: >0.7V, >0, Je、Jc均正偏 均正偏。 UBE>0.7V,UBC>0,即:Je、Jc均正偏。
(1) 放大区:发射结正偏,集电结反偏。 放大区:发射结正偏,集电结反偏。 即: IC=βIB , 且 ∆IC = β ∆ IB (2) 饱和区:发射结正偏,集电结正偏。 饱和区:发射结正偏,集电结正偏。 即:UCE<UBE , βIB>IC,UCE≈0.3V (3) 截止区: UBE< 死区电压, IB=0 , IC=ICEO ≈0 截止区: 死区电压,
常用半导体器件_三极管的输出特性曲线
第四章 常用半导体器件
4.3 双极型三极管
例4.3.1 在放大电路中测得4个三极管的各管脚对“地”电位如图所 示。试判断各三极管的类型(是NPN型还是PNP型,是硅管 还是锗管),并确定e、b、c三个电极。
3V
8V
−3V 2.3V
−5V
0V
−0.8V −1V
3.7V
2V
−0.6V
6V
(a)
0
U(BR)CEO uCE
第四章 常用半导体器件
4.3 双极型三极管
2. 三极管型号的意义 国家标准对半导体三极管的命名如下:
3 D G 110 B
用字母表示同一型号中的不同规格
用数字表示同种器件型号的序号
用字母表示器件的种类
用字母表示材料
三极管 第二位:A 锗PNP管, B 锗NPN管, C 硅PNP管, D 硅NPN管 第三位:X 低频小功率管,D 低频大功率管,
B
ic
C
发射结正偏、集电结反偏,管子放大。
第四章 常用半导体器件
4.3 双极型三极管
−1.4V 硅管
−2.8V −3.5V 1.1V
锗管
1.3V 1V
12V 硅管 2V
发射结正偏、集电结反偏,管子放大。
发射结偏、集电结均正偏,管子饱和。
UBE=2.7V,远大于发射结正偏时的电压, 故管子已损坏。
−0.7V
iC
iB
+
u+−BE
uCE −
当三极管饱和时,UCE 0,C-E iC/mA 饱和区
间如同一个开关的接通。
IB=40μA 4
当三极管截止时,IC 0 , C-E 3
之间如同一个开关的断开。
三极管特性曲线参数及场效应管
图 02.07 在输出特性曲
线上决定
图02.08 值与IC的关系
2.共基极直流电流放大系数 =(IC-ICBO)/IE≈IC/IE
显然 与 之间有如下关系: = IC/IE= IB/1+ IB= /1+
②极间反向电流 1.集电极基极间反向饱和电流ICBO ICBO的下标CB代表集电极和基极,O是
显。曲线的右移是三极
管内部反馈所致,右移
不明显说明内部反馈很
小。输入特性曲线的分
区:①死区
②非线性区 ③线性区
图02.05 共射接法输入特性曲线
(2)输出特性曲线
共发射极接法的输出特性曲线如图02.06所示,它是以 iB为参变量的一族特性曲线。现以其中任何一条加以说明, 当vCE=0 V时,因集电极无收集作用,iC=0。当vCE稍增大时, 发射结虽处于正向电压 之下,但集电结反偏电 压很小,如
的增加,特性曲线进
入与vCE轴基本平行的 区域 (这与输入特性曲 线随vCE增大而右移的 图02.06 共发射极接法输出特性曲线 原因是一致的) 。(动画2-2)
输出特性曲线可以分为三个区域: 饱和区——iC受vCE显著控制的区域,该区域内vCE的
数值较小,一般vCE<0.7 V(硅管)。此时 发射结正偏,集电结正偏或反偏电压很小。
双极型半导体三极管的特性曲线
本节介绍共发射极接法三极管的特性曲线,即
输入特性曲线—— iB=f(vBE) vCE=const 输出特性曲线—— iC=f(vCE) iB=const 这里,B表示输入电极,C表示输出电极, E表示公共电极。所以这两条曲线是共发射极 接法的特性曲线。
iB是输入电流,vBE是输入电压,加在B、E 两电极之间。
三极管的特性曲线实验
实验目的•测试三极管的输入和输出特性并绘制特性曲线小灯泡的伏安特性测试电路图集电极基极b发射极思考探究...1.R1和R2有什么作用2.电流表电压表如何选取?uAv mA实验电路图Kmv实验器材1.万用表2.直流稳压电源 6.直流微安表7.直流毫安表5.直流毫伏表 3.滑动变阻器4.电阻箱v BE i B o 实验方法:控制变量法,描点法v CEi c o 以输出口电压v CE 为参变量,反映i B 和v BE 的函数关系()|CE B BE v Ci f v ==以输入口电压v BE 为参变量,反映i C 和v CE 的函数关系()B C CE Ii f v ==常数实验总结v BEi Bv ON v BE I I B2V CE =0V V CE =3V V CE =1V 1.共射输入特性曲线门坎电压当Vbe 一定时,随着Vce 的增大,Ib 减小2. 输出特性I B 20μA 40μA 60μA 80μA 100μA I C (mA )U CE (V)9O 放大区解惑:晶体管放大的过程,实际上是指小信号控制大信号的过程。
而不是小信号独自生成大信号的过程。
所被控制放大信号的能量是由电源提供的。
而且晶体管本身也有能量的损耗。
(1)三极管具有电流放大能力,通过一定的电路还可形成电压放大能力。
换言之,三极管具有功率放大能力,这是否违背能量守恒定律?为什么?(2)测量输出特性的实验中,为什么当Uce接近零时,ib会有明显变化?(3)麦克风,音响,那么他们的放大功能对应输出曲线上的哪一区域???。
三极管的特性曲线
三极管的特性曲线
三极管外部各极电压和电流的关系曲线,称为三极管的特性曲线,又称伏安特性曲线。
它不仅能反映三极管的质量与特性,还能用来定量地估算出三极管的某些参数,是分析和设计三极管电路的重要依据。
对于三极管的不同连接方式,有着不同的特性曲线。
应用最广泛的是共发射极电路,其基本测试电路如图Z0118所示,共发射极特性曲线可以用描点法绘出,也可以由晶体管特性图示仪直接显示出来。
一、输入特性曲线
在三极管共射极连接的情况下,当集电极与发射极之间的电压UBE 维持不同的定值时,
UBE和IB之间的一簇关系曲线,称为共射极输入特性曲线,如图Z0119所示。
输入特性曲线的数学表达式为:
IB=f(UBE)| UBE = 常数 GS0120
由图Z0119 可以看出这簇曲线,有下面几个特点:。
三极管特性曲线
三极管特性曲线是衡量三极管工作性能的有效方法。
它由四种基本特性曲线构成,分别为正向电压降-电流特性曲线,反向电压降-电流特性曲线,正向电压降势垒曲线和反向电压降势垒曲线。
首先来看正向电压降-电流特性曲线,它会反映出三极管在正向电压降下的电流特性。
随着正向电压的增加,电流也会随之增加,当正向电压达到一定程度时,电流开始减少,而且最终会趋向于一个极限值。
接下来是反向电压降-电流特性曲线,它会反映出三极管在反向电压降下的电流特性。
当反向电压增加时,电流会随之减小,并最终趋向于一个极小值。
正向电压降势垒曲线反映了三极管在正向电压降下的势垒特性。
当正向电压增加时,势垒会随之增加,当正向电压达到一定程度时,势垒开始减少,最终会趋向于一个极限值。
最后是反向电压降势垒曲线,它反映了三极管在反向电压降下的势垒特性。
当反向电压增加时,势垒也会随之减少,最终会趋向于一个极小值。
以上就是三极管特性曲线的基本介绍,由四种基本特性曲线构成,反映了三极管在正反向电压降下的电流和势垒特性。
通过分析三极管特性曲线,可以更清楚地理解三极管的工作原理,并可以更好地掌握其工作性能。
三极管的特性曲线型
三极管的特性曲线型1、输入特性曲线在三极管共发射极连接的情况下,当集电极与发射极之间的电压UCE 维持不同的定值时,uBE和iB之间的一簇关系曲线,称为共射极输入特性曲线。
一般情况下,当UCE≥1V时,集电结就处于反向偏置,此时再增大UCE对iB的影响很小,也即UCE>1V以后的输入特性与UCE=1V的一条特性曲线重合,所以,半导体器件手册中通常只给出一条UCE≥1V时的输入特性曲线,如图所示。
输入特性曲线的数学表达式为:iB=f(uBE)| UCE = 常数三极管的输入特性曲线与二极管的伏安特性曲线很相似,也存在一段死区,硅管的死区电压约为0.5V,锗管的死区电压约为0.2V。
导通后,硅管的UBE约为0.7V,锗管的UBE约为0.3V。
2、输出特性曲线输出特性是指以基极电流IB为常数,输出电压uCE和输出电流iC之间的关系,即:iC=f(uCE)|IB =常数。
对于不同的IB,所得到的输出特性曲线也不同,所以,三极管的输出特性曲线是一簇曲线。
根据三极管的工作状态不同,可以将输出特性分为三个区域,如图所示。
硅管的管压降为0.7V;锗管的管压降为0.3V。
(1)截止区:指IB=0的那条特性曲线以下的区域。
在此区域里,三极管的发射结和集电结都处于反向偏置状态,三极管失去了放大作用,集电极只有微小的穿透电流ICEO。
(2)饱和区:指紫色区域。
在此区域内,对应不同IB值的输出特性曲线族几乎重合在一起。
也就是说,UCE较小时,IC虽然增加,但IC增加不大,即IB失去了对IC的控制能力。
这种情况,称为三极管的饱和。
饱和时,三极管的发射结和集电结都处于正向偏置状态。
三极管集电极与发射极间的电压称为集-射饱和压降,用UCES表示。
UCES很小,通常中小功率硅管UCES<0.5V。
紫色区域右边缘线称为临界饱和线,在此曲线上的每一点应有|UCE| = |UBE|。
它是各特性曲线急剧拐弯点的连线。
在临界饱和状态下的三极管,其集电极电流称为临界集电极电流,用Ics表示;其基极电流称为临界基极电流,用IBS表示。
晶体三极管特性曲线
晶体三极管特性曲线1、集电极输出特性曲线和二极管一样,晶体管的特性曲线可以提供很多信息。
有许多类型的晶体管特性曲线。
集电极曲线族是最常见的曲线之一。
图10-9就是这种曲线的一个例子。
垂直轴表示集电极电流(IC),以毫安为单位;水平轴表示集电极-发射极偏置电压(UCE),以伏特为单位。
该图叫做集电极曲线族,因为它是同一个三极管在给定不同基极电流的条件下描绘的。
图10-10给出了一种电路可以用来测量一个集电极曲线族的数据的电路。
用三个表来分别测量基极电流IB,集电极电流IC,集电极-发射极电压UCE。
为了画出含有三个变量的曲线,将一个变量值固定为常数而使其它两个量改变。
对一个集电极曲线族来说,常量是基极电流。
如图10-10所示,先调整可变电阻器得到需要的基极电流,然后调整可变电源,每给定为一个UCE值,记录集电极电流的值。
接着,再改变UCE值,并记录IC的值。
在图上描出这些数据点就产生了一条IC-UCE的伏安特性曲线。
改变基极电流,重复前面的操作,就可以产生这一族中的其它曲线。
从图10-9所示的曲线可得到一些结型晶体管的重要参数。
注意到集-发极间电压对集电极电流的影响很小。
注意IB=20μA时的曲线,电压从2V到18V范围内集电极电流有多大变化?电压增加16V,电流大约增加0.3mA。
由此可见,集电极电压对电流的影响很小,仅在集电极电压很小的时候对集电极电流有影响(见图10-9中1V以下部分曲线称三机关报和区)。
由输出特性曲线图,我们定义三极管的动态电阻(也称三极管集电极输出电阻):实际表示输出特性曲线的斜率。
对于上例可见三极管有较大的动态电阻。
你要学会利用图10-9读一些数据。
例如,当IC=10mA,VCE=4V时,求IB=?,这两个数据点在80μA的曲线上相交,所以答案是80μA。
读该图时,使用估值也是必要的。
例如,当UCE=10V,IC=7mA时,基极电流值为多少?这两个值的交点与族内的每条曲线都不相交,大约在40μA和60μA曲线之间,所以估值50μA是比较合理的。
晶体三极管的输入输出特性曲线
晶体三极管的输入、输出特性曲线三极管的特性曲线是指三极管各极上的电压和电流之间的关系曲线,是三极管内部性能的外部表现。
从使用三极管的角度来说,了解它的特性曲线是重要的。
由于三极管有两个PN结,因此它的特性曲线不像二极管那样简单。
最常用的有输入特性和输出特性曲线两种,在实际应用中,通常利用晶体管特性图示仪直接观察,也可用图1的电路开展测试逐点描绘。
(一)输入特性曲线输入特性是指,当三极管的集电极与发射极之间电压UCE保持为某一固定值时,加在三极管基极与发射极之间的电压UBE与基极电流IB之间的关系。
以3DG130C为例,按图1实验电路测试。
当UCE分别固定在O和1伏两种情况下,调整RPl测得的IB和UBE的值,列于表1。
它的输入特性曲线,如图2所示。
为了说明输入特性,图中画出两种曲线,表示UCE不同的两种情况。
但两条线不会同时存在。
图1晶体三极管输入、输出特性实验电路图2晶体三极管输入特性曲线表1三极管输入特性数据1.当UCE = O伏时,也就是将三极管的集电极与发射极短接,如图3所示,相当于正向接法的两个并联二极管。
图2中曲线A的形状跟二极管的正向伏安特性曲线非常相似,IB和UBE 也是非线性关系。
2.当UCE=I伏时,集电结反偏,产生集电极电流IC, 在一样的UBE条件下,基极电流IB就要减小。
(图2中a点降到b 点),因此曲线B相对曲线A右移一段距离。
可见,UCE 对IB有一定影响。
当UCE>1伏以后,IB与UCE几乎无关,其特性曲线和UCE = I优那条曲线非常接近,通常按UCE = I 伏的输出特性曲线分析。
图3 UCE=O时的等效电路图4 3AX52B的输入特性曲线图4是3AX52B错三极管的输入特性,注意横坐标是一UBE,这是指PNP型错管的基极电位低于发射极电位。
可见,错管和硅管它们的输入特性曲线都是非线性的,都有“死区”, 错管和硅管相比,错管在较小的UBE值下,就可使发射结正偏导通。
三极管的特性曲线
三极管的特性曲线三极管外部各极电压和电流的关系曲线,称为三极管的特性曲线,又称伏安特性曲线。
它不仅能反映三极管的质量与特性,还能用来定量地估算出三极管的某些参数,是分析和设计三极管电路的重要依据。
对于三极管的不同连接方式,有着不同的特性曲线。
应用最广泛的是共发射极电路,其基本测试电路如图Z0118所示,共发射极特性曲线可以用描点法绘出,也可以由晶体管特性图示仪直接显示出来。
一、输入特性曲线在三极管共射极连接的情况下,当集电极与发射极之间的电压UBE 维持不同的定值时,UBE和IB之间的一簇关系曲线,称为共射极输入特性曲线,如图Z0119所示。
输入特性曲线的数学表达式为:IB=f(UBE)| UBE = 常数GS0120由图Z0119 可以看出这簇曲线,有下面几个特点:(1)UBE = 0的一条曲线与二极管的正向特性相似。
这是因为UCE = 0时,集电极与发射极短路,相当于两个二极管并联,这样IB与UCE 的关系就成了两个并联二极管的伏安特性。
(2)UCE由零开始逐渐增大时输入特性曲线右移,而且当UCE的数值增至较大时(如UCE>1V),各曲线几乎重合。
这是因为UCE由零逐渐增大时,使集电结宽度逐渐增大,基区宽度相应地减小,使存贮于基区的注入载流子的数量减小,复合减小,因而IB减小。
如保持IB为定值,就必须加大UBE ,故使曲线右移。
当UCE 较大时(如UCE >1V),集电结所加反向电压,已足能把注入基区的非平衡载流子绝大部分都拉向集电极去,以致UCE再增加,IB 也不再明显地减小,这样,就形成了各曲线几乎重合的现象。
(3)和二极管一样,三极管也有一个门限电压Vγ,通常硅管约为0.5~0. 6V,锗管约为0.1~0.2V。
二、输出特性曲线输出特性曲线如图Z0120所示。
测试电路如图Z0117。
输出特性曲线的数学表达式为:由图还可以看出,输出特性曲线可分为三个区域:(1)截止区:指IB=0的那条特性曲线以下的区域。
三极管的特性曲线
③
2. 当UCE ≥1V时,UCB= UCE - UBE >0, 集电结已进入反偏状态,开始收集 ①②
载流子,且基区复合减少, 特性曲
线将向右稍微移动一些, IC / IB 增 大。但UCE再增加时,曲线右移很不 明显。通常只画一条。
输入特性曲线分三个区 ① 死区
Rb IB
+ Ui-
IC
IE
Uo Rc
(2) IC=.IB,IC主要受IB的控制。
24/131
三极管的四种工作状态:
重要!
放大工作状态: 发射结正偏,集电结反偏
饱和工作状态: 发射结正偏,集电结正偏 截止工作状态:发射结反偏,集电结反偏
反向工作状态:发射结反偏,集电结正偏
Rc
VCC
发射结反偏判断方法:
UBE<0.7V(Si) UBE<0.3V(Ge)
IB=
IB= IB=0
截止区: 特点:发射结反偏,集电结反偏。 IB=0 曲线的下方的区域 当IB=0 时,IC=ICEO NPN管,UBE< 0.7V(硅管)时管 子就处于截止态。
Rc
EC
NP N
E IEn
ICn
IC
C
IE
IEp
IBn ICBO
EB Rb B IB
23/131
说明:符号UCE表示直流信号。
输出特性曲线:Ic=f (Uce) Ib=C
+ U-i
Rb Ib c
be
Ie
Uo Rc
说明:符号Ube表示矢量信号。
EB
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
EC
21/131 三极管输入特性曲线 IB=f(UBE) U CE =常数
三极管3DG12输出特性曲线
三极管的输入输出的特性曲线
描述任何电学器件的时候,看数据手册都会给出一些相关特性曲线图和相关的电器性能等,三极管有三个脚,组成了输入和输出的两个端,所以三极管有输入和输出两个特性曲线图。
输入特性曲线图是指三极管的基极输入电流ib和发射结电压ube之间的关系
实验是将uce电压设置为5V,改变ube的电压,测量ib的电流与ube的关系得到如下图所示的ib与ube的关系曲线图;图中还测试了uce电压是否对ib与ube的的关系特性曲线是否有关从测试的图中可以看出除了uce=0V的曲线比较特殊之外,其余的曲线基本重合,这些曲线重合的就是三极管的输入伏安特性曲线图,它与uce的电压无关,因为大多数的三极管都是工作电压uce>0的情况下;所以根据图中曲线可以得出如下的表达式:
其中ut 被称为热电压,是一个与温度成正比的值,在27℃时约为26mv。
Is称为反向饱和电流,每个三极管的值都不一样,但是很小。
在表达式中,当ube趋于无穷小的时候ib趋向于—Is;所以当ube>ut的时候表达式才近似成为一个指数表达式;基本情况下当ube>0.7V的时候,三极管的电流ib才呈现较为明显的电流。
输出伏安特性曲线:是指ib电流一定时,集电极电流ic与uce 之间的关系;测试的电路、理想输出伏安特性曲线图与实际的输出特性曲线图。
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目录一、三极管特性曲线分析 (1).1三极管结构 (1).2 三极管输入特性曲线 (2).3 三极管输出特性曲线 (2)二、三极管应用举例 (3).1 三极管在放大状态下的应用 (3).2 三极管在开关状态下的应用 (3)三、线性电路和非线性电路 (4).1线性电路理论 (4).2 非线性电路理论 (5).3 线性电路的分析应用举例 (6).4 非线性电路的分析应用举例 (7)四、数字电路和模拟电路 (8)4.1 数字电路 (8)4.2 模拟电路……………………………………………………………………………………… (8)4.3数字电路和模拟电路区别与联系 (9)五、总结与体会 (9)六、参考文献 (10)极管输入输出曲线分析——谈线性电路与非线性电路关键词:三极管;数字电子技术;模拟电子技术一、三极管特性曲线分析1.1三极管结构图1-2 三极管三种组态体三极管的输入特性和输出特性曲线描述了各电极之间电压、电流的关系。
.2 三极管输入特性曲线入特性曲线描述了在管压降CE U 一定的情况下,基极电流B i 与发射结压降BE U 之间的函数关系,即()CE CB BE U i f u ==。
1-3 三极管输入特性曲线1. 死区2. 线性区3. 非线性区ce=0V 时,发射极与集电极短路,发射结与集电结均正偏,实际上是两个二极管并联的正向特性曲线。
当1CE U V >,0cb ce be U U U =->时,,集电结已进入反偏状态,开始1CE U V >收集载流子,且基区复合减少, 特性曲线将向右稍微移动一些, I C / I B 增大。
但U ce 再增加时,.3 三极管输出特性曲线出特性曲线描述是基极电流B I 为一常量时,集电极电流C i 与管压降CE u 之间的函数关系,即()B C CE I C i f u ==。
出特性曲线可以分为三个工作区域,如下图所示:在饱和区,发射结和集电结均处于正向偏置。
C i 主要随CE u 增大而增大,对B i 的影响不明显,即当BE u 增大时,B i 随之增大,但C i 增大不大。
在饱和区,C i 和B i 之间不再满足电流传输方程,即不能用放大区中的β来描述C i 和B i 的关系,三极管失去放大作用。
在放大区,发射结正向偏置,集电结反向偏置,各输出特性曲线近似为水平的直线,表示当B i 一定时, 图1-4 三极管输出特性曲线C i 的值基本上不随CE u 而变化。
时表现出B i 对C i 的控制作用,C B I I β=。
三极管在放大电路中主要工作在这个区域中。
般将0b I ≤的区域称为截止区,由图可知,C I 也近似为零。
在截止区,三极管的发射结和集电结都处于反向偏置状态。
二、 三极管应用举例三极管在电路中有着非常重要的应用地位。
.1 三极管在放大状态下的应用压式电流负反馈放大电路是各种电子设备中经常采用的一种弱信号放大电路,其核心部件就是三极管,当三极管工作在放大状态,那么在通电过程中,三极管静态时的工作电压必须满足发射极正偏,集电极反偏,而且随着输入信号的变化,各种电压或电流都能随着发生相应的变化, 图2-1 分压式电流负反馈放大电路不能出现信号的失真现象。
.2 三极管在开关状态下的应用极管的开关特性在数字电路中应用广泛,是数字电路最基本的开关元件。
当处于开状态时,三极管为处于饱和状态,Uce ≤Ube ,Uce 间的电压很小,一般小于PN 结正向压降(<0.7V).当处于关状态时,基极电流Ib 为0.Uce >1V 时为放大状态 。
右图是共射型三极管典型电路,同时参考三极管输出特性曲线进行分析。
三极管是以基极电流B i 作为输入,操控整个 图2-2 共射型三极管电路三极管的工作状态。
若三极管是在截止区,B i 趋近于0 (BE V 亦趋近于0),C 极与E 极间约呈断路状态,C i = 0,CE CC V V =。
三极管是在线性区, B i 的值适中 (0.7BE V V =), C fe B I h I =,呈比例放大,CE CC C C CC fe B V V R I V h I =-=-可被 B I 操控。
若三极管在饱和区,B I 很大,0.8BE V V =0.2CE V V =,0.6BC V V=,Cfe B I h I ≤,B-C 与B-E 两接面均为正向偏压,C-E 间等同于一个带有0.2 V 电位落差的通路,可得(0.2)/C CC C I V R =-,C I 与 B I 无关了,因此时的B I 大过线性放大区的B I 值,C fe B I h I <是必然的。
三极管在截止态时 C-E 间如同断路,在饱和态时C-E 间如同通路 (带有0.2 V 电位降),因此可以作为开关。
控制此开关的是B I ,也可以用BB V 作为控制的输入讯号。
下图显示三极管开关的通路、断路状态,及其对应的等效电路。
2-3 截止态如同断路图2-4 饱和态如同通路三、线性电路和非线性电路否满足叠加定理和齐次性是线性电路和非线性电路之间最主要的区别。
.1线性电路理论性电路是指完全由线性元件、独立源或线性受控源构成的电路。
线性就是指输入和输出之间关系可以用线性函数表示。
齐次,非齐次是指方程中有没有常数项,即所有激励同时乘以常数k时,所有响应也将乘以k。
性电路的最基本的特性是它具有叠加性和齐次性。
电路的叠加性是指在有几个电源共同作用下的线性电路中,通过每一个元件的电流或其两端的电压,可以看成是由每一个电源单独作用时在该元件上所产生的电流或电压的代数和。
线性电路的齐次性是指当激励信号(如电源作用)增加或减小K倍时,电路的响应(即在电路其它各电阻元件上所产生的电流和电压值)也将增加或减小K倍。
叠加性和齐次性是线性电路独有的特性,这两个定理也简化了线性电路分析的过程。
叠加性和齐次性可表示如下:3-1 线性电路的叠加性图3-2 线性电路的齐次性3-3 线性电路叠加性和齐次性的综合特性线性电路中,由多个独立电源共同作用所引起的响应等于这些独立电源分别单独作用时所引起的响应的代数和,所以对电路的分析比较简单,小信号和大信号作用下的结果基本一致。
分析线性电路时,我们采用戴维南定理和定理进行分析。
戴维南定理是指任一线性有源单口网络,可用一个电压源串联一个阻抗来代替,电压源的电压等于该网络端口的开路电压,而等效阻抗则等于该网络中全部独立源为零值时从端口看进去的阻抗。
由这一电压源和等效阻抗组成的等效电路,称为戴维南等效电路。
定理是指一个有源线性单口网络,可用一个电流源并联一个等效阻抗来代替,电流源等于该网络端口的短路电流,等效阻抗等于该网络中全部独立源为零值时从端口看进去的阻抗。
电流源和等效阻抗并联的电路,称为等效电路。
图3-4 戴维南定理图3-5 定理.2 非线性电路理论电路中至少含有一个非线性电路元件时(例如非线性电阻元件、非线性电感元件等),其运动规律就要由非线性微分方程或非线性算子来描述,我们称这样的电路为非线性电路。
百多年以来,人们对电路理论的研究,取得的较多成果在于线性电路理论方面。
而事实上自然界是千变万化的,绝大多数行为均是非线性的,电路也是如此。
与线性电路相比,非线性电路较为复杂,有其独特的地方。
首先,非线性电路不满足叠加定理,所以在线性电路中一系列行之有效的分析方法在非线性电路中就不在适用。
其次,非线性系统的解不一定存在。
非线性电路的特性一般是由一组非线性代数方程来描述。
对实际系统来说,它在一定初始条件下的解应该存在且唯一。
但当我们去求解这组方程时,方程可能有多个解,也有可能没有解。
因此,在求解之前,应对系统的解得性质进行判断。
若解肯本不存在,求解它就没有任何意义。
再者,对线性系统来说,一般存在一个平衡状态,我们很容易判断系统的平衡状态是否为稳定的。
但非线性系统一般存在多个平衡态,其中有些平衡态是稳定的,有些平衡态可能不是稳定的。
当我们在考察非线性电路的性质时,定性分析法是非常重要的方法。
定性分析法设计的数学工具有微分方程定性理论、稳定性理论、泛函分析中的不动点定理等。
其侧重于电路解的特性、解的全局性和渐进性。
除了定性分析法,近似解析法也是比较常见的方法。
分析仅含有二端非线性电阻的非线性动态电路时,可以采用分段线性化方法,用较简单的分段线性函数来逼近非线性电阻的电压电流非线性关系,从而可以用解析的方法求出较简单的非线性电路的解,并能定量的考察一些参数变化对电路响应的影响。
分析电路时,无论是线性还是非线性电路,实验方法是很重要的研究方法。
电路理论分析正确与否,应该以事实为准则。
除了理论分析和物理实验外,我们还可以采用电路的数字仿真方法。
.3 线性电路的分析应用举例一阶RC 电路是典型的线性电路,通常由一个电容器和一个电阻器组成。
RC 电路可组成简单的有源滤波器,低通滤波器或者高通滤波器。
下面简单介绍下有RC 有源电路组成的滤波器。
一阶RC 低通滤波器如图所示,电压传输系数为:111111o i HU j C Au f U j RC R j j C f ωωω====+++&&& 令1/H RC ω= ,则1/2H f RC π= ,此时 图3-6 RC 低通滤波器21(/)U H A f f =+& ,arctan /H f f ϕ=- ,处于滞后状态。
当0f = 时,1uA =& 。
当0,H f f ϕ=? 时,0uA &: 上述电路的频率特性可用特定的渐近线—波特图来表示,其幅频和相频波特图如下:图3-7 RC 低通滤波器的幅聘波特图和相频波特图由幅频特性图可知,用渐近线代替实际幅频特性时最大误差发生在转折频率H f 处,在H f f = 处偏差为-3dB 。
由相频特性图可知,用渐近线代替实际相频特性时最大误差发生在转折频率0.1H f f = 及10H f f = 处。
.4 非线性电路的分析应用举例理想二极管是我们在电子线路系列课程中接触的第一个非线性理想器件,也是最为简单的非线性器件。
理想二极管是实际二极管的理想化模型,具有单向导电性。
在通常的电压电流参考方向下,理想二极管正偏时导通,且电压为0,电流为任意正值;反偏时截止,电流为0,电压为任意负值,其伏安特性曲线如右: 图3-8 理想二极管伏安特性曲线二极管可用做整流电路、滤波电路等。
单相半波整流电路是典型的整流电路,是一种除去半周、下半周的整流方法。
半波整流以“牺牲”一半交流为代价而换取整流效果,电流利用率低。
单相半波直流电压0u 在一个周期的平均值为00122sin ()0.452U U td t U πωωπ===⎰3-9 单相半波整流电路图3-10 输入输出电压波形单相半波整流电路结构简单,只利用了电源的半个周期,整流输出电压低、脉动幅度较大,变压器利用率低。