倒易点阵基础与透射电镜计算分析中的应用

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第二部分倒易点阵和晶体衍射-总结与习题指导教学文稿

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第二部分倒易点阵和晶体衍射-总结与习题指导教学文稿第二部分倒易点阵和晶体衍射-总结与习题指导竭诚为您提供优质文档/双击可除第二部分倒易点阵和晶体衍射-总结与习题指导篇一:第十二章习题答案new1、分析电子衍射与x衍射有何异同?答:相同点:①都是以满足布拉格方程作为产生衍射的必要条件。

②两种衍射技术所得到的衍射花样在几何特征上大致相似。

不同点:①电子波的波长比x射线短的多,在同样满足布拉格条件时,它的衍射角很小,约为10-2rad。

而x射线产生衍射时,其衍射角最大可接近2。

②在进行电子衍射操作时采用薄晶样品,增加了倒易阵点和爱瓦尔德球相交截的机会,使衍射条件变宽。

③因为电子波的波长短,采用爱瓦尔德球图解时,反射球的半径很大,在衍射角θ较小的范围内反射球的球面可以近似地看成是一个平面,从而也可以认为电子衍射产生的衍射斑点大致分布在一个二维倒易截面内。

④原子对电子的散射能力远高于它对x射线的散射能力,故电子衍射束的强度较大,摄取衍射花样时曝光时间仅需数秒钟。

2、倒易点阵与正点阵之间关系如何?倒易点阵与晶体的电子衍射斑点之间有何对应关系?答:倒易点阵是与正点阵相对应的量纲为长度倒数的一个三维空间点阵,通过倒易点阵可以把晶体的电子衍射斑点直接解释成晶体相对应晶面的衍射结果,可以认为电子衍射斑点就是与晶体相对应的倒易点阵某一截面上阵点排列的像。

关系:①倒易矢量ghkl垂直于正点阵中对应的(hkl)晶面,或平行于它的法向nhkl②倒易点阵中的一个点代表正点阵中的一组晶面③倒易矢量的长度等于点阵中的相应晶面间距的倒数,即ghkl=1/dhkl④对正交点阵有a*//a,b*//b,c*//c,a*=1/a,b*=1/b,c*=1/c。

⑤只有在立方点阵中,晶面法向和同指数的晶向是重合的,即倒易矢量ghkl是与相应指数的晶向[hkl]平行⑥某一倒易基矢量垂直于正交点阵中和自己异名的二基矢所成平面。

3、用爱瓦尔德图解法证明布拉格定律。

2019-分享教案-12倒易点阵

2019-分享教案-12倒易点阵

§2.3倒易点阵与爱瓦尔德球图解法一、倒易点阵的概念X 射线衍射晶体结构分析工作是通过衍射花样(包含衍射方向和强度信息)反推出衍射晶体的结构特征。

通过衍射花样反推晶体结构是复杂而困难的工作。

1921年爱瓦尔德(P.P.Ewald )通过倒易点阵可以把晶体的衍射斑点直接解释成晶体相应晶面的衍射结果。

也可以说,电子衍射斑点就是与晶体相对应的倒易点阵中某一截面上阵点排列的像。

倒易点阵是与正点阵相对应的量纲为长度倒数的三维空间(倒易空间)点阵,它是一个虚拟点阵(通常将晶体点阵称为正点阵)。

它的真面目只有从它的性质及其与正点阵的关系中才能真正了解。

一、 倒易点阵中基本矢量的定义设正点阵的原点为O ,基矢为a 、b 、c ,倒易点阵的原点为O *,基矢为a *、b *、c *(图2-9),则有Vba c V a cb Vc b a ⨯=⨯=⨯=***,, (2-11) 式中,V 为正点阵中单胞的体积: )()()(b a c a c b c b a V ⨯⋅=⨯⋅=⨯⋅= 图2-9 倒易基矢和正空间基矢的关系 二、 倒易点阵的性质a ) 根据式(2-11)有(因为00cos *=⋅⋅=⋅=⋅b a b a b a θ)0******=⋅=⋅=⋅=⋅=⋅=⋅b c a c c b a b c a b a (2-12) 1***=⋅=⋅=⋅c c b b a a (2-13)b ) 在倒易点阵中,由原点O *指向任意坐标为hkl 的阵点的倒易矢量g hkl 为***lc kb ha g hkl ++= (2-14)Φ3在倒易空间中,画出衍射晶体的倒易点阵,以倒易原点O*为端点作入射波的波矢量k ,该矢量平行于入射束方向,长度等于波长的倒数,即λ1=k ,以O 为中心,1/λ为半径作一个球,这就是爱瓦尔德球。

若有倒易阵点G (指数为hkl )正好落在爱瓦尔德球的球面上,则相应的晶面组(hkl )与入射束的方向必满足布拉格条件,而衍射束的方向就是OG ,或者写成衍射波的波矢量k ´,其长度也等于反射球的半径1/λ。

晶体学基础-倒易点阵

晶体学基础-倒易点阵

倒易点阵晶体学中最关心通常是晶体取向,即晶面的法线方向。

倒易点阵是在晶体点阵的基础上按一定对应关系建立起来的空间几何图形(倒易空间),是晶体点阵的另一种表达形式。

将晶体点阵空间称为正空间。

倒易空间中的结点称为倒易点。

部分。

a a * = b把正点阵基矢与倒易点阵基矢的关系代入,得正点阵与倒易点阵的关系•O 点到(hkl)晶面的垂直距离就是晶面间距d hkl 。

倒数关系(大小)●d hkl =h a H H H1=•确定倒易矢量H ,就确定了正点阵晶面。

S hkl P 及Q ⊥•倒易矢量[hkl]的大小(模)就是其正点阵中相邻平行(hkl)晶面间距的倒数。

(倒—Reciprocal)进行矢量相乘并且展开。

a H hkl •在倒易点阵中,从原点指向阵点[坐标hkl ]的倒易矢量H hkl = ha* +kb* +lc*•H hkl 必和正点阵的(hkl )面垂直,•即倒易点阵的阵点方向[hkl ]*和正点阵的(hkl )面垂直:[hkl ]*⊥(hkl )。

CBAx y z(010)(100)(001)a例:由单斜点阵导出其倒易点阵•单斜点阵:b轴垂直于a和c轴。

左图图面为(010)面。

•从作图可以看出,正点阵和其对应的倒易点阵同属一种晶系。

把上面三个式子写成矩阵形式:•同理,可按下式求出与方向指数为[uvw]的方向相垂直的面的面指数(hkl):•例如,对立方系而言,a*●a* = b* ●b* = c*●c *=1/a2;a*●b* = b* ●c* = c*●a *=0;•u:v:w=h:k:l。

所以(hkl)面的法线指数和面指数同名,即为[hkl]。

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第二部分倒易点阵和晶体衍射-总结与习题指导竭诚为您提供优质文档/双击可除第二部分倒易点阵和晶体衍射-总结与习题指导篇一:第十二章习题答案new1、分析电子衍射与x衍射有何异同?答:相同点:①都是以满足布拉格方程作为产生衍射的必要条件。

②两种衍射技术所得到的衍射花样在几何特征上大致相似。

不同点:①电子波的波长比x射线短的多,在同样满足布拉格条件时,它的衍射角很小,约为10-2rad。

而x射线产生衍射时,其衍射角最大可接近2?。

②在进行电子衍射操作时采用薄晶样品,增加了倒易阵点和爱瓦尔德球相交截的机会,使衍射条件变宽。

③因为电子波的波长短,采用爱瓦尔德球图解时,反射球的半径很大,在衍射角θ较小的范围内反射球的球面可以近似地看成是一个平面,从而也可以认为电子衍射产生的衍射斑点大致分布在一个二维倒易截面内。

④原子对电子的散射能力远高于它对x射线的散射能力,故电子衍射束的强度较大,摄取衍射花样时曝光时间仅需数秒钟。

2、倒易点阵与正点阵之间关系如何?倒易点阵与晶体的电子衍射斑点之间有何对应关系?答:倒易点阵是与正点阵相对应的量纲为长度倒数的一个三维空间点阵,通过倒易点阵可以把晶体的电子衍射斑点直接解释成晶体相对应晶面的衍射结果,可以认为电子衍射斑点就是与晶体相对应的倒易点阵某一截面上阵点排列的像。

关系:①倒易矢量ghkl垂直于正点阵中对应的(hkl)晶面,或平行于它的法向nhkl②倒易点阵中的一个点代表正点阵中的一组晶面③倒易矢量的长度等于点阵中的相应晶面间距的倒数,即ghkl=1/dhkl④对正交点阵有a*//a,b*//b,c*//c,a*=1/a,b*=1/b,c*=1/c。

⑤只有在立方点阵中,晶面法向和同指数的晶向是重合的,即倒易矢量ghkl是与相应指数的晶向[hkl]平行⑥某一倒易基矢量垂直于正交点阵中和自己异名的二基矢所成平面。

3、用爱瓦尔德图解法证明布拉格定律。

证:如图,以入射x射线的波长λ的倒数为半径作一球(厄瓦尔德球),将试样放在球心o处,入射线经试样与球相交于o*;以o*为倒易原点,若任一倒易点g落在厄瓦尔德球面上,则g对应的晶面满足衍射条件产生衍射。

材料分析思考题(答案).

材料分析思考题(答案).

材料分析思考题(答案).安徽⼯业⼤学材料分析测试技术复习思考题第⼀章 X射线的性质X射线产⽣的基本原理1 X射线的本质:电磁波、⾼能粒⼦、物质2 X射线谱:管电压、电流对谱的影响、短波限的意义等连续谱短波限只与管电压有关,当固定管电压,增加管电流或改变靶时短波限λ0不变。

随管电压增⾼,连续谱各波长的强度都相应增⾼,各曲线对应的最⼤值和短波限λ0都向短波⽅向移动。

3⾼能电⼦与物质相互作⽤可产⽣哪两种X射线?产⽣的机理?连续X射线:当⾼速运动的电⼦(带电粒⼦)与原⼦核内电场作⽤⽽减速时会产⽣电磁辐射,这种辐射所产⽣的X射线波长是连续的,故称之为连续X射线。

特征(标识)X射线:由原⼦内层电⼦跃迁所产⽣的X射线叫做特征X射线。

X射线与物质的相互作⽤1两类散射的性质(1)相⼲散射:与原⼦相互作⽤后光⼦的能量(波长)不变,⽽只是改变了⽅向。

这种散射称之为相⼲散射。

(2)⾮相⼲散射::与原⼦相互作⽤后光⼦的能量⼀部分传递给了原⼦,这样⼊射光的能量改变了,⽅向亦改变了,它们不会相互⼲涉,称之为⾮相⼲散射。

2⼆次特征辐射(X射线荧光)、饿歇效应产⽣的机理与条件⼆次特征辐射(X射线荧光):由X射线所激发出的⼆次特征X射线叫X射线荧光。

俄歇效应:俄歇电⼦的产⽣过程是当原⼦内层的⼀个电⼦被电离后,处于激发态的电⼦将产⽣跃迁,多余的能量以⽆辐射的形式传给另⼀层的电⼦,并将它激发出来。

这种效应称为俄歇效应。

第⼆章 X射线的⽅向晶体⼏何学基础1 晶体的定义、空间点阵的构建、七⼤晶系尤其是⽴⽅晶系的点阵⼏种类型晶体:在⾃然界中,其结构有⼀定的规律性的物质通常称之为晶体2 晶向指数、晶⾯指数(密勒指数)定义、表⽰⽅法,在空间点阵中的互对应晶向指数(略)晶⾯指数:对于同⼀晶体结构的结点平⾯簇,同⼀取向的平⾯不仅相互平⾏,⽽且,间距相等,质点分布亦相同,这样⼀组晶⾯亦可⽤⼀指数来表⽰,晶⾯指数的确定⽅法为:A、在⼀组互相平⾏的晶⾯中任选⼀个晶⾯,量出它在三个坐标轴上的截距并以点阵周期a、b、c为单位来度量;B、写出三个截距的倒数;C、将三个倒数分别乘以分母的最⼩公倍数,把它们化为三个简单整数h、k、l,再⽤圆括号括起,即为该组晶⾯的晶⾯指数,记为(hkl)。

倒易点阵

倒易点阵

§2.3倒易点阵与爱瓦尔德球图解法一、倒易点阵的概念X 射线衍射晶体结构分析工作是通过衍射花样(包含衍射方向和强度信息)反推出衍射晶体的结构特征。

通过衍射花样反推晶体结构是复杂而困难的工作。

1921年爱瓦尔德(P.P. Ewald )通过倒易点阵可以把晶体的衍射斑点直接解释成晶体相应晶面的衍射结果。

也可以说,电子衍射斑点就是与晶体相对应的倒易点阵中某一截面上阵点排列的像。

倒易点阵是与正点阵相对应的量纲为长度倒数的三维空间(倒易空间)点阵,它是一个虚拟点阵(通常将晶体点阵称为正点阵)。

它的真面目只有从它的性质及其与正点阵的关系中才能真正了解。

一、 倒易点阵中基本矢量的定义设正点阵的原点为O ,基矢为a 、b 、c ,倒易点阵的原点为O *,基矢为a *、b *、c *(图2-9),则有V b a c V a c b V c b a ⨯=⨯=⨯=***,, (2-11) 式中,V 为正点阵中单胞的体积:)()()(b a c a c b c b a V ⨯⋅=⨯⋅=⨯⋅= 图2-9 倒易基矢和正空间基矢的关系二、 倒易点阵的性质a ) 根据式(2-11)有(因为00cos *=⋅⋅=⋅=⋅b a b a b a θ)0******=⋅=⋅=⋅=⋅=⋅=⋅b c a c c b a b c a b a (2-12)1***=⋅=⋅=⋅c c b b a a (2-13)b ) 在倒易点阵中,由原点O *指向任意坐标为hkl 的阵点的倒易矢量g hkl 为***lc kb ha g hkl ++= (2-14)Φ3在倒易空间中,画出衍射晶体的倒易点阵,以倒易原点O*为端点作入射波的波矢量k ,该矢量平行于入射束方向,长度等于波长的倒数,即λ1=k ,以O 为中心,1/λ为半径作一个球,这就是爱瓦尔德球。

若有倒易阵点G (指数为hkl )正好落在爱瓦尔德球的球面上,则相应的晶面组(hkl )与入射束的方向必满足布拉格条件,而衍射束的方向就是,或者写成衍射波的波矢量k ´,其长度也等于反射球的半径1/λ。

现代材料分析测试技术-第02章-3倒易点阵爱瓦尔德作图法 (2)精选全文

现代材料分析测试技术-第02章-3倒易点阵爱瓦尔德作图法 (2)精选全文
13
爱瓦尔德球反映的性质
• 三个矢量的相对关系 • g代表与正空间相应的(hkl)衍射晶面的
特性:大小 方向 • 应用
14
72-Biblioteka 爱瓦尔德图解法• 倒易点阵的另一个应用 • 爱瓦尔德图解法是布拉格定律的几何表达形式
8
• 由于晶体中晶面方位,面间距不同,所以 当入射线沿一定方位入射时,可能同时存 在若干束衍射线
• 采用爱瓦尔德图解法,可求得衍射线的方 向
9
爱瓦尔德作图法
10
爱瓦尔德作图法
• 1.作倒易点阵,倒易原点为O* • 2.入射波的波矢量k=oo* • 则以o为中心,1/λ=半径作球
从性质可看出,如果正点阵与倒易点阵具有 同一坐标原点,则 • 正点阵中的每组平行晶面(hkl)在倒易点阵中只须 一个阵点就可以表示,此点处于hkl的公共法线 (倒易矢量方向上) • 倒易阵点用它所代表的晶面指数标定, • 正点阵中晶面取向和面间距只须倒易矢量一个参量 就能表示。 • 若已知某一正点阵,可求出相应的倒易点阵。
• 无数倒易点组成点阵-倒易点阵 • 倒易点阵的倒易是正点阵。 • 倒易矢量及性质:
从倒易点阵原点向任一倒易阵点所 连接的矢量叫倒易矢量,表示为:
Hhkl = ha* + kb* + l c* 两个基本性质
6
两个基本性质 :
1) Hhkl垂直于正点阵中的hkl晶面 2) Hhkl长度等于hkl晶面的晶面间距dhkl的倒数
• a*·a = b*·b = c*·c =1
• a* b* c*的表达式为:V空间点阵单位晶胞
的体积
a b c ;b a c ;c a b
V
V
V
4
• 某一倒易基矢垂直于正点阵中和自己异名的二 基矢所成的平面

第四章 透射电镜电子衍射衍射花样标定解析

第四章 透射电镜电子衍射衍射花样标定解析

V
V
V
式中V为正点阵中单胞的体积:
V a (b c) b (c a) c (a b)
表明某一倒易基矢垂直于正点阵中和自己异名的 二基矢所成平面。
2.倒易点阵的性质
(1)根据倒易点阵中单位矢量的定义和矢量运算法则可推出:
a * b a * c b * a b * c c * a 0
R21 : R22 : R23 :1: 2:3: 4:5:6:8:9:10:11:12:13:14:16:17:
实际晶体要产生衍射,除要求满足布拉格定律外,还要满
足一定条件,如体心立方晶体要求 H+K+L为偶数;面心立 方晶体要求H、K、L为全奇数或全偶数,否则产生结构消光。
因此体心立方晶体和面心立方晶体遵循的规律如下:
342.25
Ri2/R12 {hkl}
3 {111}
8 {220}
11 {311}
20 {420}
表明为面心立方晶体。
②任取A为(111),尝试B为(220),并测得之间的夹角为900,
之间的夹角为580,由选取的A,B点所对应的晶面指数计算
夹角的余弦:cos
h1h2 k1k2 l1l2
(1)未知相机常数及晶体结构情况下指标化方法
铝单晶电子衍射花样及标定
①选取靠近中心O附近且不在一条直线上的四个斑点A、B、C、 D,分别测量它们的R值,并且找出Ri2/R12比值规律,确定点 阵类型及斑点的晶面组指数。
斑点
A
B
C
D
R(mm) 7
11.4
11.3
18.5
R2
49
129.96
182.25
计算晶面间距d如果相机常数未知可用标准样品计算出实验条件下电镜的相机常数kl然后根据衍射环的的相对强度查出pdf卡片确认与所测数据相对应的物r2r1r3r42多晶电子衍射分析的作用主要有两个

电镜中的电子衍射及分析

电镜中的电子衍射及分析
a*
a
这个基本关系给出了倒易基矢量的方向和长度。
倒易点阵的性质
• 倒易点阵中任一倒易点的位置用矢量r*hkl (或g hkl )可表示为:
ghkl= h a* + k b* + l c* k、l为正点阵中的晶面指数 )
( h、
上式表明,①倒易矢量的ghkl垂直于正点阵中的同名 晶面 (hkl),或平行于它的法向Nhkl;②倒易点阵中 的一个点代表的是正点阵中的一组晶面。
g / 2 = k sinq
由于g = 1/ d , k = 1/ l
故有
2d sinq = l
同时,由图可知,k与k’的夹角(即衍射束 与透射束的夹角)等于2 θ,这与布拉格定律 的结果也是一致的。
上图中应注意矢量ghkl的方向,它和衍 射晶面的法线方向一致。因为已经设定矢 量ghkl的模是衍射晶面的面间距的倒数,因 此位于倒易空间中的ghkl矢量具有代表正空 间中(hkl)衍射晶面的特性,所以它又叫作 衍射晶面矢量。
Sinθ=λ/2d≈10-2
θ= 10-2rad<1°
这说明,电子衍射的衍射角总是非常小的, 这是它的花样特征之所以区别于X射线衍射 的主要原因。
二、倒易点阵与爱瓦尔德图解法
电子衍射斑点本质上就是与晶体相对应 的倒易点阵中的某一截面上阵点排列的像。 所以有必要将前面学过的倒易点阵的基本 知识再复习一下。
根据倒易矢量的定义,O*G=g,于是我 们得到
k’-k=g (10-7) 由上图的简单分析即可证明,式(10-7)与布 拉格方程是完全一致的。
由O向O*G作垂线,垂足为D。因为g平 行于(hkl)晶面的法向Nhkl,所以OD就是正 空间中(hkl)晶面的方位,若它与入射束方向 的夹角为θ,则有:

第5章 倒易点阵及其应用-2012-4-15

第5章  倒易点阵及其应用-2012-4-15

1

*
r
O*
2
1

sin O G
衍射几何
A r=1/λ θ O[uvw] 2θ
N 法向
k’ g
G
k
O*
2 d sin
2 1

1
sin
1 dБайду номын сангаас
2

sin O G
*
O G
*
1 d
特点:衍射几何同时满
足布拉格衍射条件和圆的 几何条件.
显 然 : O N // O G
*
(hkl)
如果我们定义衍射面(hkl)的法向 量的模为1/d,则法向量与衍射面 具有一一对应关系,这样我们就可 以用衍射面的法向量表示衍射面.
显然,衍射面(hkl)的法向量为向 量O*G.
根据圆的平面几何,只有G点处 于圆周上,上述关系才成立.也就 是说,以O*为起点的衍射面的法向 量,只要它的终点落在反射球面上, 该衍射面就符合布拉格条件. 这种用圆的几何图解方式表示布 拉格方程的方法称为厄瓦尔德图解 法.
平行
面线关系 r[uvw]∥(hkl) g[hkl] * ∥ (uvw)*
第6节
倒易点阵的应用
1.
倒易空间中的衍射条件
A
反射球
r=1/λ θ
N
O[uvw]

k’ g
G
倒易点阵
k
O*
OO*+O*G=OG OG-OO*=O*G 设k、k’分别为r=1时向量 OO*、OG,则
OO*=r·k
OG=r·k’
* sin sin
a c sin V
,
c

倒易点阵与晶体衍射

倒易点阵与晶体衍射

利用透射电镜进行物相形貌观察(如图2-12中的各种结果)仅是一种较为直接的应用,透射电镜还可得到另外一类图像---电子衍射图(图2-15所示)。

图中每一斑点都分别代表一个晶面族,不同的电子衍射谱图又反映出不同的物质结构。

图2-15 金蒸发膜的多晶和钢中Mo23C6单晶的电子衍射花样按照一定规则进行分析,我们可以标定出每一斑点对应的晶面指数,再由标准物质手册,可以查出这两种物质分别是金的多晶体和Mo23C6单晶碳化物。

可见,利用电子衍射图也可以分析未知的物相。

电子衍射原理和X射线衍射原理是完全一样的,但较之其还有以下特点:1.电子衍射可与物像的形貌观察结合起来,使人们能在高倍下选择微区进行晶体结构分析,弄清微区的物象组成;2.电子波长短,使单晶电子衍射斑点大都分布在一二维倒易截面内,这对分析晶体结构和位向关系带来很大方便;3.电子衍射强度大,所需曝光时间短,摄取衍射花样时仅需几秒钟。

下面我们就来讨论为什么透射电镜中的电子束可以产生上述衍射花样----电子衍射原理。

电子衍射原理已知,当波长为l 的单色平面电子波以入射角θ照射到晶面间距为d的平行晶面组时,各个晶面的散射波干涉加强的条件是满足布拉格关系:2dsinθ =nλ(11)式中n=0,1,2,3,4….,称为衍射级数,为简单起见,至考虑n=1的情况,即可将布拉格方程写成2dsinθ =l 或更进一步写成:( )这一关系的几何意义为布拉格角的正玄函数为直角三角形的对边(1/d)与斜边(2/λ)之比,而满足上式关系的点的集合是以1/λ为半径,以2/λ为斜边的球的所有内接三角形的顶点---球面上所有的点均满足布拉格条件。

可以想象,AO'为入射电子束方向,它照射到位于O点处的晶体上,一部分透射出去,一部分使晶面间距为d的晶面发生衍射,在OG方向产生衍射束。

由于该表示方法首先由爱瓦尔德(Ewald)提出,故亦称为爱瓦尔德球。

图 2-16 爱瓦尔德球图解如果我们要想判断一个特定的晶面能否产生衍射,或者衍射的方向如何,可以假想将这个晶面放在球心O处,沿其法线方向从O'点出发,射出一长度为1/d的射线,其与球面相交处若能满足布拉格关系(入射角等于反射角),则说明其衍射成立,反之,说明不满足衍射条件。

倒易点阵基础与透射电镜计算分析中的应用

倒易点阵基础与透射电镜计算分析中的应用
v v v v L⋅c = c ⋅ N v v v v
v v v v v 因 a , b , c ,为不共面的三个矢量,故 L = N ,代入[6],[7]

v v N = d hkl Ghkl
[9]
晶面( hkl ) 衍射( hkl )
v v N = 1) 到此定理 1 得证。又因为 N 是单位矢量( ,所以从[9]
那么有: V =
1 V*
即正空间与倒易空间的单胞体积互为倒数关系。 (2)倒易点阵的性质 前面在引入倒易点阵概念时, 已提到过有关倒易点阵的性质。 现 在再归纳一下倒易点阵的两条重要定理,并给予证明。 我们用 G 表示倒易矢量,利用倒易点阵的基矢,那么 G 矢量为:
v v v G hkl = ha * + kb * + lc *
* * * * *
v
按上述定义,这个倒易矢量与晶体(112)面垂直,并且有
v v R
*
112
= R
*
112
= 1 d
112
一般指数的倒易矢量 R * hkl 与晶体点阵的关系可表示为:
* ⎧ ⎪ R khl ⊥( hkl ) ⎨ * ⎪ ⎩ R hkl = 1 d hkl v v 倒易空间就是所谓的波矢空间( k —入射波矢,k 1 ―衍射波矢) ,
v
v
(此式在倒空间成立)
定理 1:倒易矢量 Ghkl 垂直于指数为( hkl )的晶面,即
v v Ghkl // N
(晶面法线)
v v 1 ,即 Ghkl = 1 d 。 (当 h1k1l1 含 hkl d hkl
定理 2:倒易矢量 Ghkl 的模等于 有公因子 n 时 G =
n ) d hkl

透射电镜在材料分析中的应用

透射电镜在材料分析中的应用
Zhengzhou university
材料物理实验室
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材料物理实验室
透射电镜的一般知识 TEM工作原理 透射电镜的结构 电子衍射物相分析 电子显微衬度像 基本概念补充 应用举例 透射电镜样品制备
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真空部分
材料物理实验室
需要真空的原因: • 高速电子与气体分子相互作用导致电子散射,引 起炫光和减低像衬度 • 电子枪会发生电离和放电,使电子束不稳定; • 残余气体会腐蚀灯丝,缩短其寿命,且会严重污 染样品。 样品室要求真空度:~10-7 torr UHV TEM 10-9torr FEG TEM Gun 10-11to
材料物理实验室
Zhengzhou university
照明系统
材料物理实验室
• 电子枪 • 聚光镜 • 为成像系统提供一个亮度大、尺寸 小的照明光斑。 • 亮度—由电子发射强度决定 • 大小—主要由聚光镜的性能决定。
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成像系统 --物镜
形成第一幅电子像或衍 射谱,它还承担了物到像 的转换并加以放大的作用, 既要求像差尽可能小又要 求高的放大倍数(100x200x)。物镜光栏在后焦面 附近
材料物理实验室
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材料物理实验室
透射电镜的结构
电子光学 部分 真 空 部 分 照明、成象、观察和 记录 机械泵、扩散泵、吸附泵、 真空测量、显示仪表 核心
TEM
辅助
电子部 分
高压电源、透镜电源、真空电源、 辅助电源、安全系统、总调压变 压器

倒易点阵——精选推荐

倒易点阵——精选推荐

倒易点阵倒易点阵:晶体点阵结构与其电⼦衍射斑点之间可以通过另外⼀个假想的点阵很好地联系起来,这就是~零层倒易截⾯:电⼦束沿晶带轴的反向⼊射时,通过原点的倒易平⾯只有⼀个,我们把这个⼆维平⾯叫做~消光距离:透射束或衍射束在动⼒学相互作⽤的结果,在晶体深度⽅向上发⽣周期性的振荡,这种振荡的深度周期叫做~明场像:通过衍射成像原理成像时,让透射束通过物镜光阑⽽把衍射束挡掉形成的图像称为明场像。

暗场像:通过衍射成像原理成像时,让衍射束通过物镜光阑⽽把透射束挡掉形成的图像称为暗场像。

衍射衬度:由于样品中不同位向的晶体的衍射条件不同⽽造成的衬度差别叫~质厚衬度:是建⽴在⾮晶体样品中原⼦对⼊射电⼦的散射和透射电⼦显微镜⼩孔径⾓成像基础上的成像原理,是解释⾮晶态样品电⼦显微图像衬度的理论依据。

⼆次电⼦:在⼊射电⼦束作⽤下被轰击出来并离开样品表⾯的样品的核外电⼦叫~吸收电⼦:⼊射电⼦进⼊样品后,经多次⾮弹性散射能量损失殆尽,然后被样品吸收的电⼦。

透射电⼦:如果被分析的样品很薄,那么就会有⼀部分⼊射电⼦穿过薄样品⽽成为透射电⼦。

结构消光:当Fhkl=0时,即使满⾜布拉格定律,也没有衍射束产⽣,因为每个晶胞内原⼦散射波的合成振幅为零。

这叫做~分辨率:是指成像物体(试样)上能分辨出来的两个物点间的最⼩距离。

焦点:⼀束平⾏于主轴的⼊射电⼦束通过电磁透镜时将被聚焦在轴线上⼀点。

焦长:透镜像平⾯允许的轴向偏差.景深:透镜物平⾯允许的轴向偏差.磁转⾓:电⼦束在镜筒中是按螺旋线轨迹前进的,衍射斑点到物镜的⽽⼀次像之间有⼀段距离,电⼦通过这段距离时会转过⼀定的⾓度.电磁透镜:透射电⼦显微镜中⽤磁场来使电⼦波聚焦成像的装置。

透射电⼦显微镜:是以波长极短的电⼦束作为照明源,⽤电磁透镜聚焦成像的⼀种⾼分辨率,⾼放⼤倍数的电⼦光学仪器。

弹性散射:当⼀个电⼦穿透⾮晶体薄样品时,将与样品发⽣相互作⽤,或与原⼦核相互作⽤,或与核外电⼦相互作⽤,由于电⼦的质量⽐原⼦核⼩得多,所以原⼦核⼊射电⼦的散射作⽤,⼀般只引来电⼦改变运动⽅向,⽽能量没有变化,这种散射叫做弹性散射。

倒易点阵与衍射

倒易点阵与衍射

4埃
0.25埃-1
(010)
b
(110) (210)
020
120 110
220
(100) 010
210
b*
H110
H210
c
a
000
c* a*
100
200
图3. a=4埃 的立方晶体及其倒易点阵
磁学与磁性材料
Xi’an Jiaotong University
倒易点阵的应用举例 1、单胞体积 c* 单胞体积等于底面积乘高。 底面积为 a b sin γ=a×b 高是(001)面的面间 距,为 c cosδ 故体积: O V= a b sin γ c cosδ
=(a×b)· c =(b×c)· a =(c×a)· b
磁学与磁性材料
b*
δ
c b γ (001) a
a*
图2.晶体点阵基矢与倒易 点阵基矢的关系
Xi’an Jiaotong University
倒易点阵的应用举例
2、晶面间距 Hhkl=1/dhkl,两边平方得: H2=1/d2=H · H=(ha*+kb*+lc*)·(ha*+kb*+lc*)= =h2a*2+k2b*2+l2c*2+2hk(a* · b*)+2kl(b* ·c*)+2kl(b* ·c*) 对立方晶系 a*2=b*2=c*2 ,(a* · b*)=(b* ·c*)=(b* ·c*)=0 代入上式得: 1/d2=h2a*2+k2a*2+l2a*2=(h2+k2+l2)a*2= =(h2+k2+l2) / a2 故: d= a / √ h2+k2+l2 对其他晶系,把参数带入公式中,可求出晶面间距。

晶体学基础-倒易点阵

晶体学基础-倒易点阵

倒易点阵晶体学中最关心通常是晶体取向,即晶面的法线方向。

倒易点阵是在晶体点阵的基础上按一定对应关系建立起来的空间几何图形(倒易空间),是晶体点阵的另一种表达形式。

将晶体点阵空间称为正空间。

倒易空间中的结点称为倒易点。

部分。

a a * = b把正点阵基矢与倒易点阵基矢的关系代入,得正点阵与倒易点阵的关系•O 点到(hkl)晶面的垂直距离就是晶面间距d hkl 。

倒数关系(大小)●d hkl =h a H H H1=•确定倒易矢量H ,就确定了正点阵晶面。

S hkl P 及Q ⊥•倒易矢量[hkl]的大小(模)就是其正点阵中相邻平行(hkl)晶面间距的倒数。

(倒—Reciprocal)进行矢量相乘并且展开。

a H hkl •在倒易点阵中,从原点指向阵点[坐标hkl ]的倒易矢量H hkl = ha* +kb* +lc*•H hkl 必和正点阵的(hkl )面垂直,•即倒易点阵的阵点方向[hkl ]*和正点阵的(hkl )面垂直:[hkl ]*⊥(hkl )。

CBAx y z(010)(100)(001)a例:由单斜点阵导出其倒易点阵•单斜点阵:b轴垂直于a和c轴。

左图图面为(010)面。

•从作图可以看出,正点阵和其对应的倒易点阵同属一种晶系。

把上面三个式子写成矩阵形式:•同理,可按下式求出与方向指数为[uvw]的方向相垂直的面的面指数(hkl):•例如,对立方系而言,a*●a* = b* ●b* = c*●c *=1/a2;a*●b* = b* ●c* = c*●a *=0;•u:v:w=h:k:l。

所以(hkl)面的法线指数和面指数同名,即为[hkl]。

07-倒易点阵1

07-倒易点阵1

§ 3.2 倒到易点阵的定义及应用 r
r c
r b
r c′
V
r a
r b′
1 Ω= V
r a′
某方向点阵越长,倒易点阵越短
晶胞有不同的取法, 点阵是客观存在的,
倒易点阵是唯一的, 倒易点阵晶胞随晶胞变化。
L
L-1
特别注意:画在一起,但并不在同一空间
课堂练习:作出下图所示2D点阵的倒易矢量 G100、G010、G110示意图:
r k
r G hkl r k0
1
θ
R=
λ
O
R sin θ =
1 2
G
2 d hkl sin θ = λ
ห้องสมุดไป่ตู้
美以科学家分享2009年诺贝尔化学奖
3名获奖者通过独立的研究工作,分别采用 X射线蛋白质晶体学方法绘制出3D模型来体 现合成核糖体的成千上万个原子的位置, 他们绘制的模型已被广泛应用于新抗生素的 研制,以减少患者的病痛和拯救生命。
n=0
) e − in ω 0 t 0
晶体:三维空间的周期函数
晶体中原子的周期排列决定了晶体中的一切都是周期的。 例:电子密度的傅里叶变换
r r r r r ρ ( r ) = ρ ( r + n a + m b + lc ) r r − i 2 π G ⋅ rr r ρ Bloch波: ( r ) = ∑ φ ( G )e r
1 点阵常数为 a 的立方点阵
例:点阵常数为a的体心立方点阵
VP =
r cP
1 2
a3
r ′ bP
2 Ω= 3 a
r ′ cP
r bP
r aP
r ′ aP

倒易点阵介绍课件

倒易点阵介绍课件

1/
2
1/为半径作一球面,称为
A S0 /
O
反射球(Ewald 球)。衍
射矢量的端点必定在反射 球面上
5 、以S0端点O点为原点,作 倒易空间,某倒易点(代表 某倒易矢量与hkl面网)的 端点如果在反射球面上, 说明该g*=S, 满足Bragg’s Law。某倒易点的端点如果 不在反射球面上, 说明不 满足Bragg’s Law,可以直 观地看出那些面网的衍射状 况。
可见,只有当φ =2π n时,才能发生衍射,此时n应 为整数。
由于p、q、r是整数,因此满足衍射条件时h、k、l 一定是整数。于是得到结论:
(S
S0)


ha*

kb*

lc*

g hkl
满足衍射条件的矢量方程。
X射线衍射理论中的劳埃方程和布拉格方程 均可由该矢量方程导出。
布拉格方程推导 ghkl
7
晶带定理
在正点阵中,同时平行于某一晶 向[uvw]的一组晶面构成一个晶带, 而这一晶向称为这一晶带的晶带 轴。
图示为正空间中晶体的[uvw]晶带
图中晶面(h1k1l1)、(h2k2l2)、 (h3k3l3)的法向N1、N2、N3和倒 易矢量gh1k1l1、gh2k2l2、gh3k3l3的方 向相同.
即某衍射面( hkl)所对应的布拉格角的正弦等 于其倒易矢量长度的一半。
13
Ewald 图解
入射线
θ
B
1
反射方向 P
反射线
g

θ (hkl)
A
θO
反射球
Ewald 作图法
1、设以单位矢量S0代表波 长为的X-RAY,照射在晶 体上并对某个hkl面网产生 衍射, 衍射线方向为S, 二者夹角为2。
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* * * * *
v
按上述定义,这个倒易矢量与晶体(112)面垂直,并且有
v v R
*
112
= R
*
112
= 1 d
112
一般指数的倒易矢量 R * hkl 与晶体点阵的关系可表示为:
* ⎧ ⎪ R khl ⊥( hkl ) ⎨ * ⎪ ⎩ R hkl = 1 d hkl v v 倒易空间就是所谓的波矢空间( k —入射波矢,k 1 ―衍射波矢) ,
sin θ =
1 2 / d λ
并用作图的方法表达了这个方程 和赋予其中一些项以新的含义。 以一晶体为中心(O 点) ,以 为
λ
1
半径,在空间画一个球,这个球即为 爱瓦尔德球或称反射球(衍射可称为 反射,在晶体情况) (图 3) 如图令电子束沿直径 >
* * 射,经过晶体 O 点亦到达 O 点,取 O G 的长度为 1 d ,若直角三角形 hkl
图<2>
各晶面的散射波干涉加强的条件是,波程差为波长的整数倍,即 2d sinθ=nλ 这就是布拉格方程,式中 n=0,1,2,3……,称为衍射级数,考 虑到 d hkl / n = d nhnknl , ,则可以把任意(hkl)晶面组的 n 级衍射都看成是 与之平行,但晶面间距小于 n 倍的(nhnknl)晶面组的一级衍射,这 样便使布拉格方程成为更一般的表达式: 2dhkl sin θ hkl = λ 或直接写为 2d sin θ = λ
v v
*
v
有这种关系的方向矢量组合成一个新的点阵, 这样处理衍射几何问题 显然非常方便,这个新的点阵就称为倒易点阵。 我们可以这样理解倒易点阵,即该点阵的方向矢量垂直于同名指 ,它的大小等于同 数(后面将给予证明)的晶体平面; 〔如 Ghkl ⊥(hkl ) 〕 名指数晶面间距的倒数(即
v 1 G = ) 。 d hkl v
r
r

,因此有:
v v ⎧a * = A(b × c ) ⎪ v v ⎪ * ⎨b = B ( c × a ) ⎪ * v v c = (a × b ) ⎪ ⎩
[2]
式中 A,B,C 为特定系数,将上式代入定义式[1]第一式中, 则有: a * ⋅ a = 1 = A(b × c ) ⋅ a
v v v
上式也可写成:
v v ⎧a ⋅ N = hd hkl ⎪v v ⎨b ⋅ N = kd hkl ⎪v v ⎩c ⋅ N = ld hkl
[5]
现用 a * , b * , c * 分别乘以上各式,而后相加得
v v v v v v v v v v v v v ( a ⋅ N ) ⋅ a * + (b ⋅ N ) ⋅ b * + (c ⋅ N ) ⋅ c * = d hkl ( ha * + kb * + lc * ) = d hkl G hkl
[a ⋅ bv = a
*
*
v v ⋅ b cos a * , b
v v ( )] , (a ⋅ b ) = 90°,
cos 90° = 0
(从矢量叉积为 O,可导出两矢量平行, sin 0° = 0 )
a 从定义式[1]中可知,
*
c 和 b b 垂直于
r
r
r
a 垂于 c c 和 ,
r
r
*
b , a 垂直于
v
v
(此式在倒空间成立)
定理 1:倒易矢量 Ghkl 垂直于指数为( hkl )的晶面,即
v v Ghkl // N
(晶面法线)
v v 1 ,即 Ghkl = 1 d 。 (当 h1k1l1 含 hkl d hkl
定理 2:倒易矢量 Ghkl 的模等于 有公因子 n 时 G =
n ) d hkl
证明: 如图所示, 在正空间中作一最靠近原点 O 而其晶面指数 (密 勒指数) 为 ( hkl ) 的晶面, 显然, 按密勒指数的定义, 这个平面在 a , b , c 轴上的截距矢量分别为
v
在这里波长是晶面间距 d;其波矢即倒易矢量,垂于相应的晶面。下 面我们来讨论一下倒易点阵的定义和几何性质。 2 倒易点阵的定义和性质 如上所述,倒易点阵是从晶体衍射这一客观物理现像中总结出来
的规律。事实上,倒易点阵就是衍射波的方位和强度在空间的分布, 倒空间的每一阵点和正空间相应的晶面族相对应。 一般通过数字表达 式把正空间和倒空间联系起来。 (1) 倒易点阵的基矢及数学定义 设晶体空间 (即正空间) 以三个基矢
ΔAO G 中,AO 与 AG 的夹角为θ,则ΔAO G 满足布拉格方程,即此时 电子束波长λ,晶面间距 dhkl 及取向关系θhkl 之间可用直角三角形表 示出来: 即
AO * =
*
*
*
*
2
λ
, < O * AG = θ ,
O *G =
1 d
沿 AO 方向入射的电子束照射在 O 点处的晶体,一部份电子束透 射过去,一部份使晶面间距为 dhkl 的(hkl)面发生衍射,在 OG 方向 产生衍射束。若入射波卡量用 K 表示,衍射波矢量用 K 表示,含 O G = G ,其方向平行于(hkl)晶面的法线,则有
v * * * v ⎧ ⎪a ⋅ a = b ⋅ b = c ⋅ c = 1 ⎨ * v * v * v * v * v * ⎪ ⎩a ⋅ b = a ⋅ c = b ⋅ a = b ⋅ c = c ⋅ a = c ⋅ b = 0
v
[1]
v
两矢量的点积为 O, 说明这两个矢量相互垂直, 如 a * ⋅ b = 0, 则 a * ⊥b
v v v v
式中 (b × c ) ⋅ a 正好为晶胞的体积,因此 A = 同理 B = C =
1 故倒易基矢也可定义为: V v v ⎧ * b ×c ⎪a = V ⎪ v v ⎪ * c ×a ⎨b = V ⎪ v v ⎪ * a ×b ⎪c = V ⎩
1 V
[3]
从上式即可以正空间基矢求出倒易基矢。 需要注意的一个重要的事实是, 在倒易基矢的定义式中, 正基矢 与倒易基矢处于完全对称的地位, 因此正空间与倒易空间是互为倒易 关系 (即正空间和倒易空间是互为倒易的空间) 。 可不加证明地把[3] 式及其矢写成:
⎧v ⎪a = ⎪ ⎪v ⎨b = ⎪ ⎪v ⎪c = ⎩

v v b* × c* V* v c* × a* V* v a * × b* V*
[4]
式中 V 为倒易空间中的单胞体积: 从公式[3]和[4]还可得:
1 v* v* v v 1 v v (b × c ) ⋅ (b × c ) = a ⋅ a* = 1 = * VV VV * v v v v v v v v v v v v 这儿利用了 ( a ⋅ b ) ⋅ ( c × d ) = (a ⋅ c )(b ⋅ d ) − (a ⋅ d )(b ⋅ c )
v v v K '− K = G v
v
*
这即为布拉格方程的矢量形式。 (3)倒易点阵概念 从图中可知,在满足衍射产生条件时, G 必须与衍射的晶面垂直 对应直径, 晶面平行于 AG) , 即 G // N hkl(晶面法线) , (<O GA 为直角, 且 G 的大小即
v 1 G = d hkl (公式 sin θ = 1 2 / ) d λ
那么有: V =
1 V*
即正空间与倒易空间的单胞体积互为倒数关系。 (2)倒易点阵的性质 前面在引入倒易点阵概念时, 已提到过有关倒易点阵的性质。 现 在再归纳一下倒易点阵的两条重要定理,并给予证明。 我们用 G 表示倒易矢量,利用倒易点阵的基矢,那么 G 矢量为:
v v v G hkl = ha * + kb * + lc *
v v v
[6]
令上式左端等于 L ,即
v v v v v v v v v v L = (a ⋅ N ) ⋅ a * + (b ⋅ N ) ⋅ b * + (c ⋅ N ) ⋅ c *
v v v v
v
[7]
那么根据倒易基矢的定义式, L 与 a , b , c 的点乘将分别为: v v v v v v v v v v v v v v v v L ⋅ a = ( a ⋅ N ) a * ⋅ a + ( b ⋅ N )b * ⋅ a + ( c + N ) ⋅ c * ⋅ a = a ⋅ N 同样: L ⋅ b = b ⋅ N
v v v v L⋅c = c ⋅ N v v v v
v v v v v 因 a , b , c ,为不共面的三个矢量,故 L = N ,代入[6],[7]

v v N = d hkl Ghkl
[9]
晶面( hkl ) 衍射( hkl )
v v N = 1) 到此定理 1 得证。又因为 N 是单位矢量( ,所以从[9]
图<1>推导一下布拉格方程示意图 (1)布拉格方程 电子衍射与 x 射线衍射一样,都以布拉格方程为基础。现我们来 推导一下布拉格方程。 当一波长为λ的单色平面电子波以λ射角θ(即入射方向与晶面 的夹角,与光学定律不同)照射到晶面间距为 d 的平行晶面组时(如 图) , 相邻晶面的散射电子束的波程差为: δ=SR+RT=2dsinθ 单几何关系) (简
注意此时公式中 d 为广义的晶面间距,即其中一些晶面上并不包 。则下面我们看一看布拉 含原子。一段 λ 为确定值(加速电压一定) 格方程(英国布拉格父子(W.H.Bragg,W.L.Bragg)于 1912 年研究 X 射线衍射时提出)的图解注表示,并最终引出倒易点阵。 (2)爱瓦尔德球(反射球)(P.P.Ewald) 爱瓦尔德将布拉格方程 2dsinθ=λ改写为:
通常将晶体点阵称作正点阵,将倒易点阵称倒点阵。为了区分两 者,在书写习惯上将倒易点阵有关的方向指数、平面指数,矢量符号 (213) 、G 、 和单位矢量(基矢)都加以“*”号上角标,如[112] 、 a 等。对于倒易矢量[112] 可写成矢量的形式 R *112 ,它是倒易基矢有 如下关系:
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