模拟集成电路基础知识整理

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模拟电子技术基础知识集成电路的制造与封装技术

模拟电子技术基础知识集成电路的制造与封装技术模拟电子技术基础知识：集成电路的制造与封装技术集成电路（Integrated Circuit，简称IC）作为现代电子技术的核心组成部分，广泛应用于电子设备、通信系统、计算机等领域。

而集成电路的制造与封装技术则是实现IC产品生产的关键环节。

本文将介绍模拟电子技术基础知识之集成电路的制造与封装技术，以帮助读者更好地了解和应用这一领域的知识。

一、集成电路的制造技术集成电路的制造技术主要包括晶圆加工、薄膜制备、光刻、扩散与离子注入、接触制作、金属化、封装等过程。

1. 晶圆加工晶圆加工是集成电路制造的第一步，它是以硅为原料，通过一系列工艺步骤将硅晶圆加工成初具集成电路结构的基片。

晶圆加工主要包括晶圆切割、去除表面氧化层、清洗等过程。

2. 薄膜制备薄膜在集成电路中发挥着重要作用，用于隔离电路层与电路层之间、保护电路元件以及形成电路元件等功能。

常见的薄膜制备技术有化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）等。

3. 光刻光刻是一种利用光刻胶和光源对薄膜进行图案转移的技术。

通过将光刻胶覆盖在薄膜上，然后使用光刻机将光源照射在光刻胶上，再进行显影、洗涤等步骤，最终形成期望的图案结构。

4. 扩散与离子注入扩散与离子注入是实现集成电路器件电学特性控制的关键步骤。

扩散是指将某种掺杂原子通过高温热处理使其在晶体中进行扩散，形成所需的电学特性。

离子注入则是利用离子注入设备将掺杂离子注入晶圆，以实现器件性能的控制。

5. 接触制作接触制作是在薄膜表面形成金属与半导体之间的接触，以实现电流的传输。

通过光刻和金属热蒸发等技术，将所需的金属导线和接触结构形成在晶圆表面。

6. 金属化金属化是在制造过程中，将金属层覆盖在晶圆上，实现器件之间电路的连通。

金属化过程包括金属蒸发、光刻、蚀刻等步骤。

二、集成电路的封装技术集成电路的封装技术是将芯片封装到塑料或金属封装中，以保护和连接芯片，同时便于与外部电路的连接。

27个模拟电路基础知识总结

27个模拟电路基础知识总结01基尔霍夫定理的内容是什么？基尔霍夫电流定律：在电路任一节点，流入、流出该节点电流的代数和为零。

基尔霍夫电压定律：在电路中的任一闭合电路，电压的代数和为零。

02戴维南定理一个含独立源、线性电阻和受控源的二端电路，对其两个端子来说都可等效为一个理想电压源串联内阻的模型。

其理想电压源的数值为有源二端电路的两个端子的开路电压，串联的内阻为内部所有独立源等于零时两端子间的等效电阻。

03三极管曲线特性04反馈电路的概念及应用。

反馈，就是在电子系统中，把放大电路中的输出量（电流或电压）的一部分或全部，通过一定形式的反馈取样网络并以一定的方式作用到输入回路以影响放大电路输入量的过程。

反馈的类型有：电压串联负反馈、电流串联负反馈、电压并联负反馈、电流并联负反馈。

负反馈对放大器性能有四种影响：提高放大倍数的稳定性，由于外界条件的变化（T℃，Vcc，器件老化等），放大倍数会变化，其相对变化量越小，则稳定性越高。

减小非线性失真和噪声。

改变了放大器的输入电阻Ri和输出电阻Ro。

有效地扩展放大器的通频带。

电压负反馈的特点：电路的输出电压趋向于维持恒定。

电流负反馈的特点：电路的输出电流趋向于维持恒定。

引入负反馈的一般原则为：为了稳定放大电路的静态工作点，应引入直流负反馈；为了改善放大电路的动态性能，应引入交流负反馈（在中频段的极性）。

信号源内阻较小或要求提高放大电路的输入电阻时，应引入串联负反馈；信号源内阻较大或要求降低输入电阻时，应引入并联系反馈。

根据负载对放大电路输出电量或输出电阻的要求决定是引入电压还是电流负反馈，若负载要求提供稳定的信号电压或输出电阻要小，则应引入电压负反馈；若负载要求提供稳定的信号电流或输出电阻要大，则应引入电流负反馈。

在需要进行信号变换时，应根据四种类型的负反馈放大电路的功能选择合适的组态。

例如，要求实现电流——电压信号的转换时，应在放大电路中引入电压并联负反馈等。

05有源滤波器和无源滤波器的区别无源滤波器：这种电路主要有无源元件R、L和C组成。

第6章模拟集成电路基础

T8与T9组成镜像电流源产生I8，决定输入级T1 与T2组的集电极电流
T12与T13 组成镜像电流源，产生IC13，提供中间级放大管T16、 T17的静态电流
T10与T11组成微电流源，IC10比IC11小得多，但更稳定
I B3, I B4
I REF
I C11 I C12
6.3 F007通用型集成运放电路简介
对于集成运放电路，应首先找出偏置电路，然后根据信号流通顺序，将其分为输入级、中间级和输出级电路。
找出偏置电路
若在集成运放电路中能够估算出某一支路的电流，则这个电流往往是偏置电路中的基准电流。
由图可知流过电阻R5的基准电流IREF可由下式估算
I REF
V CCV EEU BE 12 U BE 11 R5
T7和T5、 T6可以抑制输入的共模信号，放大差模信号
中间级
中间级是主放大器，它所采取的一切措施都是为了增大放大倍数。以T16、T17复合管为放大管、采用恒流源Ic13的作为有源负载的共射放大电路，可以提高电压放大倍数
中间级输出级
输出级
1、 D1和D2起过流保护作用，未过流时，两只二极管均截止。
若 2，则I C I R
2. 改进型镜像电流源
I
R
I c1 I B 3
IE3 I R I c1 1 2 I B1 I R I c1 1
2 I c1 I R I c1 (1 )
I
o

2 I

R

1 2 1 (1 )
=UBE1+IE1Re1
=UBE2+IE2Re2

1_第一讲_基础知识

p+
D B
+ v DS -
+ -
G
vGS
S
v DS
vGS
+ +
G D
B S
n+
n+
p-
耗尽层
15
（2）当VGS>0，VGB>0，VDS＝0
衬底中的电子受到吸引，向衬底表面运动；空穴受到排斥，向衬底内部运动。向上运动的电子与表面的空穴复合，形成了一层耗尽层，形成一个栅极指向衬底的垂直电场EV 。
＝1/Ron
深线性区等效电阻
29
（四）IV特性总结
截止区： VGS VTH 深线性区：线性区： VDS VGS VTH 饱和区：
ID 0
I D n Cox
I D nCox
W VGS VTH VDS L
ID
1 W 2 nCox VGS VTH 2 L
模拟CMOS集成电路设计
Design of Analog CMOS Integrated Circuit
Institute of VLSI Design, Hefei U.of Tech
第一讲基础知识
1
1.1 概述
2
1、为什么需要模拟集成电路？
（1）为什么需要模拟电路
自然界的信号大多是模拟信号
8
仿真验证电路性能
修改电路参数、拓扑

版图设计

版图参数提取
测试方案设计
工艺

芯片制造
测试与分析
单元库
系统要求
综合
系统设计和功能划分
系统及功能级设计
门级仿真

完整版)模拟电子技术基础-知识点总结

完整版)模拟电子技术基础-知识点总结共发射极、共基极、共集电极。

2.三极管的工作原理---基极输入信号控制发射结电流，从而控制集电极电流，实现信号放大。

3.三极管的放大倍数---共发射极放大倍数最大，共集电极放大倍数最小。

三.三极管的基本放大电路1.共发射极放大电路---具有电压放大和电流放大的作用。

2.共集电极放大电路---具有电压跟随和电流跟随的作用。

3.共基极放大电路---具有电压放大的作用，输入电阻较低。

4.三极管的偏置电路---通过对三极管的基极电压进行偏置，使其工作在放大区，保证放大电路的稳定性。

四.三极管的应用1.放大器---将弱信号放大为较强的信号。

2.开关---控制大电流的通断。

3.振荡器---产生高频信号。

4.稳压电源---利用三极管的负温度系数特性，实现稳定的输出电压。

模拟电子技术复资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体是介于导体和绝缘体之间的物质，如硅Si、锗Ge。

2.半导体具有光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体是纯净的具有单晶体结构的半导体。

4.载流子是带有正、负电荷的可移动的空穴和电子，是半导体中的两种主要载流体。

5.杂质半导体是在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

根据掺杂元素的不同，可分为P型半导体和N型半导体。

6.杂质半导体的特性包括载流子的浓度、体电阻和转型等。

7.PN结是由P型半导体和N型半导体组成的结，具有单向导电性和接触电位差等特性。

8.PN结的伏安特性是指在不同电压下，PN结的电流和电压之间的关系。

二.半导体二极管半导体二极管是由PN结组成的单向导电器件。

1.半导体二极管具有单向导电性，即只有在正向电压作用下才能导通，反向电压下截止。

2.半导体二极管的伏安特性与PN结的伏安特性相似，具有正向导通压降和死区电压等特性。

3.分析半导体二极管的方法包括图解分析法和等效电路法等。

三.稳压二极管及其稳压电路稳压二极管是一种特殊的二极管，其正常工作状态是处于PN结的反向击穿区，具有稳压的作用。

模拟cmos集成电路设计知识点总结

模拟cmos集成电路设计知识点总结模拟CMOS集成电路设计是一个涉及多个学科领域的复杂课题，包括电子工程、物理、材料科学和计算机科学等。

以下是一些关键知识点和概念的总结：1. 基础知识：半导体物理：理解半导体的基本性质，如本征半导体、n型和p型半导体等。

MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）工作原理：理解MOSFET的基本构造和如何通过电压控制电流。

2. CMOS工艺：了解基本的CMOS工艺流程，包括晶圆准备、热氧化、扩散、光刻、刻蚀、离子注入和退火等步骤。

理解各种工艺参数对器件性能的影响。

3. CMOS电路设计：了解基本的模拟CMOS电路，如放大器、比较器、振荡器等。

理解如何使用SPICE（Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis）进行电路模拟。

4. 噪声：理解电子器件中的噪声来源，如热噪声、散粒噪声和闪烁噪声等。

了解如何减小这些噪声的影响。

5. 功耗：理解CMOS电路中的功耗来源，如静态功耗和动态功耗。

了解降低功耗的方法，如电源管理技术和低功耗设计技术。

6. 性能优化：理解如何优化CMOS电路的性能，如提高速度、减小失真和提高电源效率等。

7. 可靠性问题：了解CMOS电路中的可靠性问题，如闩锁效应和ESD（静电放电）等。

8. 版图设计：了解基本的版图设计规则和技巧，以及如何使用EDA（Electronic Design Automation）工具进行版图设计和验证。

9. 测试与验证：理解如何测试和验证CMOS集成电路的性能。

10. 发展趋势与挑战：随着技术的进步，模拟CMOS集成电路设计面临许多新的挑战和发展趋势，如缩小工艺尺寸、提高集成度、应对低功耗需求等。

持续关注最新的研究和技术进展是非常重要的。

以上是对模拟CMOS集成电路设计的一些关键知识点的总结，具体内容可能因实际应用需求和技术发展而有所变化。

深入学习这一领域需要广泛的知识基础和持续的研究与实践。

模拟电路基础知识点总结

模拟电路基础知识点总结一、电路基本概念1. 电路电路是由电子元件（如电源、电阻、电容、电感等）连接在一起形成的电子装置。

通过这些元件可以实现电能的输送、控制和转换，从而完成各种电子设备和系统的功能。

2. 电流、电压和电阻电流是电子在导体中流动的载体，是电荷的移动速度，通常用符号I表示，单位是安培(A)。

电压是电源推动电荷流动的力量，通常用符号U表示，单位是伏特(V)。

电阻是导体对电流的阻碍，通常用符号R表示，单位是欧姆(Ω)。

3. 串联电路、并联电路和混联电路串联电路是将电子元件连接在同一电路中，依次排列，电流只有一条通路可走。

并联电路是将电子元件连接在同一电路中，相互平行排列，电流可有多条通路走。

混联电路是将电子元件混合连接在同一电路中，既有串联又有并联的特点。

二、基本电路元件1. 电源电源为电路提供驱动力，可以是直流电源或交流电源，根据需要分别选择。

2. 电阻电阻是电路中常用的元件，可以用来控制电流大小，限制电流大小，分压和分流等。

3. 电容电容是储存电荷的元件，可以用来实现一些信号处理和滤波的功能，在交流电路中有重要作用。

4. 电感电感是导体绕制的线圈，可以将电能转换为磁能，反之亦然，对交流信号传输有重要作用。

5. 二极管二极管是一种电子元件，可以将电流限制在一个方向上流动，常用于整流、开关和光电转换等应用。

6. 晶体管晶体管是一种半导体元件，可以放大电流信号，控制电流开关等，是集成电路中最基本的元件之一。

三、基本电路分析1. 基尔霍夫定律基尔霍夫定律是用来分析串联电路和并联电路中电压和电流的分布情况的定律，包括基尔霍夫电流定律和基尔霍夫电压定律。

2. 电压分压和电流分流电压分压和电流分流是串联电路和并联电路中常见的分析方法，可以通过这些方法来实现电路中电压和电流的控制。

3. 戴维南定理和戴维南等效电路戴维南定理是用来分析电路中电阻和电压之间的关系，戴维南等效电路是用来替代一些复杂电路，简化分析过程的方法。

集成电路基础知识入门

集成电路基础知识入门一、什么是集成电路集成电路（Integrated Circuit，简称IC）是将电子元器件、电子电路和电子设备等制造工艺加以综合集成在一块半导体晶片上的技术。

集成电路的问世，使得电子器件的体积大大减小，性能和功能得到了极大的提升。

集成电路分为模拟集成电路和数字集成电路两种，分别用于处理模拟信号和数字信号。

二、集成电路的基本组成集成电路由晶体管、电阻、电容等元器件组成，通过不同的电路连接方式实现特定的功能。

其中，晶体管是集成电路的核心元件，它可以实现放大、开关等功能。

电阻用于限制电流的流动，电容用于储存和释放电荷。

通过将这些元器件按照特定的方式连接在一起，形成了各种不同的集成电路。

三、集成电路的分类根据集成电路的功能和应用场景的不同，可以将集成电路分为模拟集成电路和数字集成电路。

模拟集成电路主要用于处理模拟信号，如音频信号、视频信号等。

数字集成电路主要用于处理数字信号，如计算机中的逻辑电路、存储电路等。

此外，还有混合集成电路，可以同时处理模拟信号和数字信号。

四、集成电路的制造工艺集成电路的制造工艺主要分为N型和P型两种。

N型工艺是以硅晶片为基础，通过掺杂磷或砷等杂质，形成N型半导体材料。

P型工艺是以硅晶片为基础，通过掺杂硼等杂质，形成P型半导体材料。

通过这两种材料的组合和加工，形成了复杂的电路结构。

五、集成电路的发展历程集成电路的发展经历了多个阶段。

最早期的集成电路是小规模集成电路，只能集成几个晶体管和几个电阻电容等元器件。

后来发展到中、大规模集成电路，可以集成数十个到数千个元器件。

现在的集成电路已经发展到超大规模和超大规模以上集成电路，可以集成上亿个晶体管和其他元器件。

六、集成电路的应用领域集成电路广泛应用于各个领域，如通信、计算机、消费电子、汽车电子、医疗设备等。

在通信领域，集成电路被用于手机、无线通信设备等；在计算机领域，集成电路被用于中央处理器、内存等；在消费电子领域，集成电路被用于电视、音响等；在汽车电子领域，集成电路被用于车载娱乐系统、车身控制系统等；在医疗设备领域，集成电路被用于医疗监测设备、医用影像设备等。

模拟电子技术基础知识集成电路制造与封装工艺要点

模拟电子技术基础知识集成电路制造与封装工艺要点集成电路（Integrated Circuit，简称IC）是现代电子技术中的重要组成部分，广泛应用于计算机、通信、消费电子等领域。

在IC的制造和封装工艺中，有一些关键要点需要重点注意。

本文将介绍模拟电子技术基础知识中与集成电路制造和封装相关的要点。

1. IC制造工艺要点IC的制造工艺从纯净硅片开始，经过一系列的加工步骤，最终形成复杂的电路结构。

以下是制造工艺的要点：（1）掺杂：为了实现电路中的不同功能，需要对硅片进行掺杂。

掺杂分为N型和P型两种，通过掺入不同的杂质，可以改变硅片的导电性质。

（2）光刻技术：光刻技术是制造集成电路必不可少的工艺。

它通过光影留下的痕迹，在硅片上制造出复杂的图形结构。

光刻技术要点包括选择合适的光刻胶、控制曝光和显影时间等。

（3）腐蚀与沉积：制造IC时，还需要进行腐蚀和沉积等步骤。

腐蚀可以去除不需要的材料，而沉积则是将所需材料沉积在特定位置。

这些步骤需要精确控制材料的厚度和均匀性。

（4）金属化：在制造工艺的最后一步，需要将金属导线覆盖在硅片上，以连接不同的电路元件。

金属化要点包括选择合适的金属材料、控制金属层的粗糙度和导电性等。

2. IC封装工艺要点IC的封装是将制造好的芯片封装在外部保护层中，以便于焊接和安装。

以下是封装工艺的要点：（1）封装材料：封装材料要具备良好的绝缘性、导热性和防湿性。

常用的封装材料有塑料、陶瓷和金属等。

（2）引线焊接：引线焊接是将芯片与封装好的引脚相连接的关键步骤。

焊接技术要点包括控制焊接温度、焊线直径和焊接时间等。

（3）密封：为了保护芯片不受潮气和灰尘的影响，封装过程中需要对芯片进行密封。

密封要点包括选择合适的密封环境和封装材料。

（4）测试：封装完成后，需要对芯片进行各种测试，以确保其质量符合要求。

常用的测试方法包括电性能测试、可靠性测试和温度测试等。

3. 工艺改进与研究方向随着科技的发展，集成电路制造和封装工艺也在不断改进和创新。

模电必考知识点总结

模电必考知识点总结一、基本电路理论1. 电路基本定律欧姆定律、基尔霍夫定律、电路中的功率计算等基本电路定律是模拟电子技术学习的基础，了解和掌握这些定律对于学习模拟电子技术是非常重要的。

2. 电路分析了解如何对电路进行简化、等效电路的转换、戴维南定理和诺依曼定理等电路分析的基本方法。

3. 电路稳定性掌握电路的稳定性分析方法，包括如何对直流放大电路和交流放大电路进行稳定性分析。

4. 传输线理论了解传输线的基本特性，包括传输线的阻抗、反射系数、传输线的匹配等知识。

二、放大电路1. 二极管放大电路了解二极管的基本特性和放大电路的设计原理，包括共射放大电路、共集放大电路和共基放大电路等基本的二极管放大电路。

2. 晶体管放大电路了解晶体管放大电路的基本原理和设计方法，包括共射放大电路、共集放大电路和共基放大电路等基本的晶体管放大电路。

3. 放大电路的频率响应了解放大电路的频率响应特性，包括截止频率、增益带宽积等相关知识。

4. 反馈电路掌握反馈电路的基本原理和分类，了解正反馈和负反馈电路的特点和应用。

三、运算放大电路1. 运算放大器的基本特性了解运算放大器的基本特性，包括输入输出阻抗、放大倍数、共模抑制比等相关知识。

2. 运算放大器的电路应用了解运算放大器在反馈电路、比较电路、滤波电路、振荡电路等方面的应用，掌握运算放大器的基本应用方法。

四、滤波器电路1. RC滤波器和RL滤波器了解RC滤波器和RL滤波器的基本原理、特性和应用，包括一阶和二阶滤波器的设计和性能分析。

2. 增益电路和阻抗转换电路掌握增益电路和阻抗转换电路的设计原理和方法，了解它们在滤波电路中的应用。

3. 模拟滤波器设计了解低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻（陷波）滤波器的设计方法和特性，掌握模拟滤波器的设计技巧。

五、功率放大电路1. BJT功率放大电路了解晶体管功率放大电路的基本原理和设计方法，包括类A、类B、类AB和类C功率放大电路的特点和应用。

模拟集成电路

+
ro
Io
-
+
ro v
_
6.1.1.1 镜像电流源（P258）
一、电路组成
三极管T1、T2对称
二、恒流特性
当较大(>>2)时：
VBE2 = VBE1 IE2 = IE1
IC2 = IC1 IREF 2 IREF
= VCC VBE VCC
R
R
结论：
无论Rc值如何, IC2电流值保持不变（前提：电源要稳定）
K CMR
AVD1 ro
AVC1
rbe
KCMR 越大，抑制零漂能力越强
6.2.1 基本差分式放大电路
差动放大器动态参数计算总结
(1)差模电压放大倍数
与单端输入还是双端输入无关，只与输出方式有关：
双端输出时：
Av d
单端输出时： Avd
(2)共模电压放大倍数
(Rc
//
RL 2
)
Rb rbe
Rc 2Rb
//
RL rbe
与单端输入还是双端输入无关，只与输出方式有关：
双端输出时：单端输出时：
Avc 0
Avc
R 'L 2Re
6.2.1 基本差分式放大电路
(3)差模输入电阻
不论是单端输入还是双端输入，
差倍模。输入电阻Rid是基本放大电路的两
R 2 r
id
be
单端输出时，Ro Rc 双端输出时，Ro 2Rc
= =
vic vic
vid v2id 2
差模信号输出
+ vi1
共+-v模+id信号输出
A = v VD

MOS模拟集成电路基础讲解

gmd gm2
g1 s(C1 C ) g2 sC2 sgm2C2
6.2.1.4 高共模抑制比的CMOS运放输入级
6.2.2 单片集成微功耗CMOS运放
6.2.3 斩波稳零超低漂移单片集成CMOS运放 6.2.3.1 动态校零原理
6.3 CMOS集成电压比较器
6.3.1 差动输入单片集成CMOS电压比较器
CMOS型共源放大器的小信号特性：
AV(0)=-gm1rds1//rds2=－
g m1
＝－
gds1 gds2
2n (1 1VDS )I D 1I D 2 I D
ro= rds1//rds2
2n . 1
I D2 1 2
CO=Cbd1+Cgd2+Cbd2+Cgd1
Av
(s)
Vo (s) Vi (s)
IR
输出电阻为： ro rds2
2. 比例电流源
Io2
W2 W1
/ /
L2 L1
IR
Io3
W3 W1
/ /
L3 L1
IR
3. 威尔逊电流源
Io IR
ro (gmrds3 )rds1
4. 改进型威尔逊电流源在开启电压VGS(th)较大时， T2的VDS2大于T3的VDS3＝VGS3 ，会导致T2和T3的电流失配，因此增加T4，如右图
Av
(0) 1 1
s
p
( p
1 roCo
)
6.1.3 MOS源耦对与差动放大器
大信号特性：
iD1
iD2
1 2
nvID
4d (iD1 iD2 ) dvID
vID 0
I SS nCOXW / L

模电知识点复习总结

3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法பைடு நூலகம்
1.二极管V-I 特性的建模
将指数模型 iD=IS(e分vD段VT线性1)化，得到二极管特性的等效模型。（1）理想模型
（a）V-I特性（b）代表符号（c）正向偏置时的电路模型（d）反向偏置时的电路模型
（2）恒压降模型
（3）折线模型
（a）V-I特性（b）电路模型
漂移运动：由电场作用引起的载流子的运动称为漂移运动.
扩散运动：由载流子浓度差引起的载流子的运动称为扩散运动.
3.2.2 PN结形成
在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体.此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:
因浓度差
多子的扩散运动由杂质离子形成空间电荷区
特别注意： ▪ 小信号模型中的微变电阻rd与静态工作点Q有关。 ▪ 该模型用于二极管处于正向偏置条件下，且vD>>VT 。
3.5 特殊二极管
（一）稳压二极管
I/mA
1 结构：面接触型硅二极管
2 主要特点： (a) 正向特性同普通二极管 (b) 反向特性
• 较大的 I 较小的 U •工作在反向击穿状态. 在一定范围内,反向击穿具有可逆性。
则 = ICICEO
IB
当IC
IC
时
EO
， IC
IB
是另一个电流放大系数。同样，它也只与管
子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。
一般 >> 1 。
3. 三极管的三种组态
BJT的三种组态
共发射极接法,发射极作为公共电极，用CE表示；共基极接法,基极作为公共电极，用CB表示；共集电极接法,集电极作为公共电极，用CC表示.

模拟集成电路设计知识点总结

模拟集成电路设计知识点总结《模拟集成电路设计知识点总结》嘿，大家好呀！今天咱就来唠唠模拟集成电路设计这个“高大上”又有点神秘的玩意儿。

说起这模拟集成电路设计啊，那可真是像搭积木一样，不过这积木可不普通，每一块都得放得恰到好处。

它就像是在创建一个微小的电路世界，各种元件相互配合，才能奏出美妙的“电流之歌”。

首先，什么是重要的呢？那肯定是器件模型啊！就像是给每个小零件都贴上一个“身份标签”，让咱知道它们的脾气和特点。

要是弄不清这个，那电路就可能变成一个“小调皮”，不听使唤咯！然后呢，还有放大器这个大主角。

它就像是电路世界里的大力士，能把小小的信号变得强大起来。

不过可要小心哦，调得不好可能就变成“软脚虾”啦。

反馈也是不能不提的。

这可真是个神奇的东西，就像是给电路加了个“自动驾驶”模式，让它能自动调整到最佳状态。

但是搞不好的话，嘿嘿，那就等着电路“晕车”吧。

在设计过程中，那可真是要眼观六路、耳听八方啊。

一会儿算电流，一会儿算电压，稍不注意就会犯迷糊。

不过没关系，咱就当是在和这些小玩意儿玩捉迷藏，多找找总能找对的。

还有啊，布线就像是在给电路画地图，得让电流能顺顺利利地跑起来，可不能让它们迷路啦。

有时候为了走好这几根线，真是绞尽脑汁，感觉头发都掉了几根。

总之，模拟集成电路设计就像是一个趣味十足但又充满挑战的游戏。

有时候会被它折磨得死去活来，但当看到自己设计的电路听话地工作时，那成就感简直爆棚！就好像自己是这个微小世界的造物主一样。

所以啊，朋友们，要是你们也对这个神秘的领域感兴趣，那就大胆地来尝试吧！别怕犯错，就把它当成一场有趣的冒险。

只要咱坚持不懈，总有一天能在这个小小的电路世界里闯出一片大大的天！哈哈，加油吧！。

第3章模拟集成电路基础

模电拟电子子技技术术
集成运放的电路结构特点
（1）因为硅片上不能制作大电容，所以集成运放均采用直接耦合方式。（2）因为相邻元件具有良好的对称性，而且受环境温度和干扰等影响后的变化也相同，所以集成运放中大量采用各种差分放大电路（作输入级）和恒流源电路（作偏置电路或有源负载）。
（3）因为制作不同形式的集成电路，只是所用掩模不同，增加元器件并不增加制造工序，所以集成运放允许采用复杂的电路形式，以达到提高各方面性能的目的。
由场效应管同样可以组成镜像电流源、比例电流源等。T0～T3均为N沟道增强型 MOS管，它们的开启电压UGS(th)等参数相等。在栅-源电压相等时，MOS管的漏极电流正比于沟道的宽长比。设宽长比W/L=S，且T0～T3的宽长比分别为S0、S1、 S2、S3。这样就可以通过改变场效应管的几何尺寸来获得各种数值的电流。
模电拟电子子技技术术
比例电流源
基准电流输出电流
分析
模电拟电子子技技术术比例电流源分析
微电流
输出电流可以大于或小于基准电流，与基准电流成比例关系。
模电拟电子子技技术术
微电流源
基准电流输出电流
分析
模电拟电子子技技术术
微电流源分析
在已知Re的情况下，上式对输出电流IC1而言是超越方程，可以通过图解法或累试法解出IC1。
模电拟电子子技技术术
长尾式差分放大电路
电路参数理想对称，Rb1=Rb2=Rb，Rc1=Rc2=Rc；T1管与 T2管的特性相同，β1= β 2= β ，rbe1=rbe2=rbe；Re为公共的发射极电阻。
静态分析共模信号作用
差模信号作用
模电拟电子子技技术术

模拟集成电路基本原理与分类总结

模拟集成电路基本原理与分类总结模拟集成电路（Analog Integrated Circuit）是指能够处理连续变化的电信号的集成电路。

相较于数字集成电路，模拟集成电路更适用于具有连续性变化的信号处理与传输，如声音、光学信号等。

本文将对模拟集成电路的基本原理与分类进行总结。

一、基本原理模拟集成电路的基本原理涵盖了放大器、滤波器、电源稳压器等关键概念。

下面将逐一介绍。

1. 放大器放大器是模拟集成电路中最基本的元件之一，其作用是将输入信号的幅度放大到所需的程度。

根据放大器的工作方式，可以将其分为直流耦合放大器、交流耦合放大器和隔离式放大器等。

2. 滤波器滤波器用于选择性地传递或抑制特定频率的信号。

常见的滤波器包括低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器等。

滤波器的设计和应用对于模拟电子系统来说至关重要。

3. 电源稳压器电源稳压器用于稳定电源电压，确保模拟集成电路能够在恒定的电压条件下正常工作。

线性稳压器和开关稳压器是两种常见的电源稳压器。

二、分类总结模拟集成电路根据功能和结构的不同可以分为若干类别。

下面将对几种常见的模拟集成电路进行简要介绍。

1. 运算放大器（Operational Amplifier，Op-Amp）运算放大器是模拟集成电路中最基本、最常用的一种类型。

它具有高增益、高输入阻抗和低输出阻抗的特点。

运算放大器常用于放大、滤波、积分、微分等信号处理电路中。

2. 数模转换器（Analog-to-Digital Converter，ADC）数模转换器将连续变化的模拟信号转换为离散的数字信号。

ADC广泛应用于各种数字通信、音视频处理、传感器等领域。

3. 模数转换器（Digital-to-Analog Converter，DAC）模数转换器用于将数字信号转换为模拟信号。

DAC在音频处理、通信系统等领域发挥着重要作用。

4. 时钟与定时器电路时钟与定时器电路用于产生各种精确的时序信号。

例如，计时器、闹钟、频率合成器等。

模拟集成电路基础知识整理

当GS V 恒定时，g m 与DS V 之间的关系当DS V 恒定时，g m 、DS I 与GS V 之间的关系通过对比可以发现，DS V 恒定时的弱反型区、强反型区、速度饱和区分别对应于当GS V 恒定时的亚阈值区、饱和区、线性区（三极管区）。

跨导g m 在线性区（三极管区）与DS V 成正比，饱和区与GS TH V V 成正比…………………..饱和区的跨导NMOS1、截止区条件：GS TH V V <2、三极管区（线性区）条件：TH GD V V <电压电流特性：()21 2DS n GS TH DS DS W I Cox V V V V L μ⎡⎤⎢⎥⎣=-⎦- 3、饱和区条件：THGD V V >电压电流特性：()21 (1)2DS n GS TH DS W I Cox V V V Lμλ=-+ 4、跨导: 就是小信号分析中的电流增益，DGSdI gm dV =() n GS TH Wgm Cox V V Lμ=-gm =2DSGS THI gm V V =-5、输出电阻就是小信号分析中的r0：10DSr I λ≈ PMOS1、截止区GS THp V V >2、三极管区（线性区）条件：THP DG V V <电压电流特性：()21 2DS p GS TH DS DS W I Cox V V V V L μ⎡⎤⎢⎥⎣=-⎦- 3、饱和区条件：THP DG V V > 电压电流特性：()21 (1)2DS p GS TH DS W I Cox V V V Lμλ=-- 4、跨导和输出电阻与NMOS 管一样对于MOSFET的分析，第一步就是通过大信号分析来确定MOSFET的工作范围，并通过不同工作范围下的电压电流特性来确定小信号分析下的电流增益。

MOSFET有三个工作范围：截止区、线性区、饱和区。

当MOSFET作为开关使用的时候，要控制在线性区（三极管区）；当MOSFET作为放大器使用的时候，要控制在饱和区GD C 和GS C 随GS V 的变化曲线：MOS 管交流小信号特性线性区时：饱和区输出电阻：LEVEL1 模型二极管连接作负载的阻抗等于：11()m mb m mbro g g g g ≈++ 共源放大器共源级深三极管区等效电路和饱和区小信号模型输出阻抗：输入为零时，在输出加电压激励，得到电流。

Analog集成电路设计知识点

Analog集成电路设计知识点集成电路（Integrated Circuit，简称IC）是现代电子技术中的重要组成部分，其分为模拟集成电路和数字集成电路。

而模拟集成电路（Analog Integrated Circuit）是指能够对连续时间和连续振幅进行处理的电路。

本文将针对模拟集成电路设计的知识点展开讨论，内容包括基本概念、常用模块以及相关设计技术。

1. 基本概念模拟集成电路设计的核心是基于模拟信号的处理和传输，需要了解以下基本概念：1.1 模拟信号：模拟信号是连续时间和连续振幅的信号，在模拟集成电路设计中，我们需要对模拟信号进行放大、滤波、混频等处理。

1.2 放大器：放大器是模拟集成电路中常用的基本模块，其作用是将输入信号放大到我们需要的幅度。

常见的放大器包括运算放大器（Operational Amplifier，简称Op-Amp）、差分放大器和共尺放大器等。

1.3 滤波器：滤波器用于对模拟信号进行频率选择，将感兴趣的频率范围内的信号通过，而排除其他频率的信号。

常见的滤波器有低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器等。

1.4 模数转换器（ADC）：ADC是一种将模拟信号转换为数字信号的装置。

在模拟集成电路设计中，我们常常需要将模拟信号转换为数字信号，进而进行数字信号处理。

1.5 数模转换器（DAC）：DAC是一种将数字信号转换为模拟信号的装置。

在一些应用场景中，我们需要将数字信号转换为模拟信号进行控制或输出。

2. 常用模块模拟集成电路的设计涵盖了各种不同的模块，下面是几个常用模块的介绍：2.1 运算放大器（Op-Amp）：运算放大器是一种高增益、差分输入的放大器。

它由多个晶体管和电阻以及电容等元器件组成。

运算放大器可用于各种模拟电路中，如放大器、比较器、积分器和微分器等。

2.2 信号发生器：信号发生器用于产生不同频率、幅度和波形形状的信号。

它可以用于测试和调试模拟电路，也可以作为其他电路的输入信号。

模拟集成电路版图基础讲解

• 电阻连接： – 假设最后所得结果是200ohms。接下来把这2 块用金属线连在一起，那么可以得到400ohms 加上连线阻值的测量结果。所有材料都有阻值，金属也不例外，因此电阻的和会比400ohms 大一些。
方块电阻
• 直接连接： – 如果把这2 块直接连在一起，那么可以测量得到阻值正好是 400ohms。
– 它不仅具有寄生效应小 – 与偏置电压无关 – 低的温度系数 – 单位面积的电容值很高。
– 在制作固定面积金属电容中，交叉金属来得到更大电容的方法同样可以用在POLY 电容中，我们形象的称之为“三明治电容”
几种集成电容的比较
电阻电容画法实例: 电阻画法实例
• 现在以1.5K 和250Ω的Poly 电阻为例，介绍一下电阻的画法。 – 首先查到Poly 的方块电阻值为25Ω/□ – 先做一个电阻单元，Poly 宽为2u,长为40u,两端通过引线孔用金属引出。此电阻阻值为500Ω。
• 垂直NPN 管
– 和相同水平工艺相比较，基极面积很小，从而就会有比较高的速度。
– NPN 的P 区这是在工艺中控制的，因此要更方便容易一些。
• 横向NPN 管
– NPN 做成横向的结构，由于P 区必须要通过引线孔才能把信号接出来，由于设计规则的限制， P 区面积不可能做到最小，这就完全毁掉了他的优点。因此，对于NPN 来说一定是垂直器件。
Ｎ阱电容
• 在场效应管的栅极和衬底之间，存在寄生电容。称之为恶性寄生。但是，如果正好需要电容，这个寄生是需要的。
金属电容
• 扩散电容缺点：
– 传递噪声：扩散电容在PN 结上会有一个寄生电容。任何输入到扩散电容底部平行板上的信号将会自动耦合到衬底上。在电路设计中有些情况，需要一个电容器阻断直流信号，但是允许交流信号传输到下个电路块。