半导体器件参英文缩写与中文全称对照

半导体词汇(英汉对照)

半导体词汇(英汉对照)1. 半导体：semiconductor2. 晶体管：transistor3. 二极管：diode4. 集成电路：integrated circuit5. 电容：capacitor8. 金属氧化物场效应管：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET)9. 数字信号处理器：Digital Signal Processor (DSP)10. 有机发光二极管：Organic Light-Emitting Diode (OLED)11. 光纤放大器：Optical Fiber Amplifier (OFA)12. 直流-直流变换器：DC-DC Converter13. 脉冲编码调制：Pulse Code Modulation (PCM)14. 光耦合器：Optocoupler15. 调制解调器：Modem16. 电池管理系统：Battery Management System (BMS)17. 片上系统：System-on-a-Chip (SoC)18. 功率电子器件：Power Electronics Device20. 纳米技术：Nanotechnology21. 生物芯片：Biochip23. 激光器：Laser24. 双极型发射极晶体管：Bipolar Junction Transistor (BJT)28. 传感器：Sensor29. 能量收集器：Energy Harvester30. 固态驱动器：Solid State Drive (SSD)31. 磁性存储设备：Magnetic Storage Device32. 屏幕显示器：Display33. 快速门：Fast Gate35. 超高速芯片：Ultra-High-Speed Chip38. 量子计算机：Quantum Computer40. 机器人学：Robotics41. 表面声波器件：Surface Acoustic Wave (SAW) Device45. 长寿命电池：Long-Life Battery46. 红外光电探测器：Infrared Photodetector47. 树莓派：Raspberry Pi48. 可充电电池：Rechargeable Battery49. 无线充电器：Wireless Charger51. 控制电路：Control Circuit53. 逆变器：Inverter55. 拓扑优化器：Topology Optimizer57. 智能家居：Smart Home58. 传输线理论：Transmission Line Theory60. 片上调制器：On-Chip Modulator61. 内存芯片：Memory Chip63. 线性电源：Linear Power Supply64. 电机驱动器：Motor Driver66. 相变存储器：Phase-Change Memory (PCM)68. 氮化镓：Gallium Nitride (GaN)69. 自动驾驶：Autonomous Driving72. 机器学习：Machine Learning77. 差分信号：Differential Signal78. 相位锁定环：Phase Locked Loop (PLL)80. 峰值检测器：Peak Detector84. 相移器：Phase Shifter88. 滤波器：Filter91. 直流伏安表：Digital Multimeter (DMM)92. 频率计：Frequency Counter93. 降噪耳机：Noise-Canceling Headphones94. 耳返系统：In-Ear Monitoring (IEM) System95. 电学模型：Electrical Model97. 声音芯片：Audio Chip98. 跟踪器：Tracker。

半导体业中内知名公司中英文名对照

半导体业内知名公司中英文名对照全名流行缩写官方中文名总部MediaTek MTK联发科台湾Princeton PTC诚科技台湾Richtek /立崎台湾Sunplus /凌阳台湾Anapec茂达台湾EUTech德信台湾Realtek瑞煜台湾Winbond华邦台湾VIA威盛台湾体厂家EPSON爱普生日本Fujitsu富士通日本NEC日电日本OKI冲电子日本ROHM罗姆日本Renesas瑞萨日本SHARP夏普日本Sei精工日本YAMAHA雅马哈日本Toshiba东芝日本RICOH理光日本TOREX特瑞仕日本mitsubishi三菱日本Sanyo三洋日本AKM/ 日本体厂家Samsung三星韩国Corelogic/ 韩国Hynix海力士韩国LG乐金韩国Atlab/ 韩国体厂家Anal ADI 模拟器件美国Age杰尔美国安捷伦美国AMD/Spansion美国Atmel爱特梅尔美国Broadcom博通美国Cirr思睿逻辑美国Fairchild飞兆美国Freescale飞思卡尔美国Intel英特尔美国LSI/ 美国Maxim美信美国Micron美光美国National NS半导体/国半美国Nvidia恩维达美国Omnivision OV美国安森美Qualcomm通美国Sandisk晟碟美国德州仪器美国Analog AATI 研诺科技美国VISHAY威世美国Cypress赛普拉斯美国Pericom百利通美国Linear凌力尔特美国Catlyst凯特利斯美国Sipex/ 美国RFMD/ 美国Micrel迈瑞美国Microchip芯美国intersil特矽尔美国MPS芯源美国SIRF瑟孚科技美国Allegro美国Silic/ 美国Skyworks加讯（中国公司名）美国Conexant。

电子类常用缩写中英文对照表

电子类常用缩写中英文对照表：AC(alternating current) 交流(电)A／D(analog to digital) 模拟／数字转换ADC(analog to digital convertor) 模拟／数字转换器ADM(adaptive delta modulation) 自适应增量调制ADPCM(adaptive differential pulse code modulation) 自适应差分脉冲编码调制ALU(arithmetic logic unit) 算术逻辑单元ASCII(American standard code for information interchange) 美国信息交换标准码A V(audio visual) 声视，视听BCD(binary coded decimal) 二进制编码的十进制数BCR(bi-directional controlled rectifier)双向晶闸管BCR(buffer courtier reset) 缓冲计数器BZ(buzzer) 蜂鸣器，蜂音器C(capacitance，capacitor) 电容量，电容器CATV(cable television) 电缆电视CCD(charge-coupled device) 电荷耦合器件CCTV(closed-circuit television) 闭路电视CMOS(complementary) 互补MOSCPU(central processing unit)中央处理单元CS(control signal) 控制信号D(diode) 二极管DAST(direct analog store technology) 直接模拟存储技术DC(direct current) 直流DIP(dual in-line package) 双列直插封装DP(dial pulse) 拨号脉冲DRAM(dynamic random access memory) 动态随机存储器DTL(diode-transistor logic) 二极管晶体管逻辑DUT(device under test) 被测器件DVM(digital voltmeter) 数字电压表ECG(electrocardiograph) 心电图ECL(emitter coupled logic) 射极耦合逻辑EDI(electronic data interchange) 电子数据交换EIA(Electronic Industries Association) 电子工业联合会EOC(end of conversion) 转换结束EPROM(erasable programmable read only memory) 可擦可编程只读存储器EEPROM(electrically EPROM) 电可擦可编程只读存储器ESD(electro-static discharge) 静电放电FET(field-effect transistor) 场效应晶体管FS(full scale) 满量程F／V(frequency to voltage convertor) 频率／电压转换FM(frequency modulation) 调频FSK(frequency shift keying) 频移键控FSM(field strength meter) 场强计FST(fast switching shyster) 快速晶闸管FT(fixed time) 固定时间FU(fuse unit) 保险丝装置FWD(forward) 正向的GAL(generic array logic) 通用阵列逻辑GND(ground) 接地，地线GTO(Sate turn off thruster) 门极可关断晶体管HART(highway addressable remote transducer) 可寻址远程传感器数据公路HCMOS(high density COMS) 高密度互补金属氧化物半导体(器件)HF(high frequency) 高频HTL(high threshold logic) 高阈值逻辑电路HTS(heat temperature sensor) 热温度传感器IC(integrated circuit) 集成电路ID(international data) 国际数据IGBT(insulated gate bipolar transistor) 绝缘栅双极型晶体管IGFET(insulated gate field effect transistor) 绝缘栅场效应晶体管I／O(input／output) 输入／输出I／V(current to voltage convertor) 电流-电压变换器IPM(incidental phase modulation) 附带的相位调制IPM(intelligent power module) 智能功率模块IR(infrared radiation) 红外辐射IRQ(interrupt request) 中断请求JFET(junction field effect transistor) 结型场效应晶体管LAS(light activated switch)光敏开关LASCS(light activated silicon controlled switch) 光控可控硅开关LCD(liquid crystal display) 液晶显示器LDR(light dependent resistor) 光敏电阻LED(light emitting diode) 发光二极管LRC(longitudinal redundancy check) 纵向冗余(码)校验LSB(least significant bit) 最低有效位LSI(1arge scale integration) 大规模集成电路M(motor) 电动机MCT(MOS controlled gyrator) 场控晶闸管MIC(microphone) 话筒，微音器，麦克风min(minute) 分MOS(metal oxide semiconductor)金属氧化物半导体MOSFET(metal oxide semiconductor FET) 金属氧化物半导体场效应晶体管N(negative) 负NMOS(N-channel metal oxide semiconductor FET) N沟道MOSFETNTC(negative temperature coefficient) 负温度系数OC(over current) 过电流OCB(overload circuit breaker) 过载断路器OCS(optical communication system) 光通讯系统OR(type of logic circuit) 或逻辑电路OV(over voltage) 过电压P(pressure) 压力FAM(pulse amplitude modulation) 脉冲幅度调制PC(pulse code) 脉冲码PCM(pulse code modulation) 脉冲编码调制PDM(pulse duration modulation) 脉冲宽度调制PF(power factor) 功率因数PFM(pulse frequency modulation) 脉冲频率调制PG(pulse generator) 脉冲发生器PGM(programmable) 编程信号PI(proportional-integral(controller)) 比例积分(控制器)PID(proportional-integral-differential(controller))比例积分微分(控制器) PIN(positive intrinsic-negative) 光电二极管PIO(parallel input output) 并行输入输出PLD(phase-locked detector) 同相检波PLD(phase-locked discriminator) 锁相解调器PLL(phase-locked loop) 锁相环路PMOS(P-channel metal oxide semiconductor FET) P沟道MOSFETP-P(peak-to-peak) 峰--峰PPM(pulse phase modulation) 脉冲相位洲制PRD(piezoelectric radiation detector) 热电辐射控测器PROM(programmable read only memory) 可编只读程存储器PRT(platinum resistance thermometer) 铂电阻温度计PRT(pulse recurrent time) 脉冲周期时间PUT(programmable unijunction transistor) 可编程单结晶体管PWM(pulse width modulation) 脉宽调制R(resistance，resistor) 电阻，电阻器RAM(random access memory) 随机存储器RCT(reverse conducting thyristor) 逆导晶闸管REF(reference) 参考，基准REV(reverse) 反转R/F(radio frequency) 射频RGB(red／green／blue) 红绿蓝ROM(read only memory) 只读存储器RP(resistance potentiometer) 电位器RST(reset) 复位信号RT(resistor with inherent variability dependent) 热敏电阻RTD(resistance temperature detector) 电阻温度传感器RTL(resistor transistor logic) 电阻晶体管逻辑(电路)RV(resistor with inherent variability dependent on the voltage) 压敏电阻器SA(switching assembly) 开关组件SBS(silicon bi-directional switch) 硅双向开关，双向硅开关SCR(silicon controlled rectifier) 可控硅整流器SCS(safety control switch) 安全控制开关SCS(silicon controlled switch) 可控硅开关SCS(speed control system) 速度控制系统SCS(supply control system) 电源控制系统SG(spark gap) 放电器SIT(static induction transformer) 静电感应晶体管SITH(static induction thyristor) 静电感应晶闸管SP(shift pulse) 移位脉冲SPI(serial peripheral interface) 串行外围接口SR(sample realy，saturable reactor) 取样继电器，饱和电抗器SR(silicon rectifier) 硅整流器SRAM(static random access memory) 静态随机存储器SSR(solid-state relay) 固体继电器SSR(switching select repeater) 中断器开关选择器SSS(silicon symmetrical switch) 硅对称开关，双向可控硅SSW(synchro-switch) 同步开关ST(start) 启动ST(starter) 启动器STB(strobe) 闸门，选通脉冲T(transistor) 晶体管，晶闸管TACH(tachometer) 转速计，转速表TP(temperature probe) 温度传感器TRIAC(triodes AC switch) 三极管交流开关TTL(transistor-transistor logic) 晶体管一晶体管逻辑TV(television) 电视UART(universal asynchronous receiver transmitter) 通用异步收发器VCO(voltage controlled oscillator) 压控振荡器VD(video decoders) 视频译码器VDR(voltage dependent resistor) 压敏电阻VF(video frequency) 视频V／F(voltage-to-frequency) 电压／频率转换V／I(voltage to current convertor) 电压-电流变换器VM(voltmeter) 电压表VS(vacuum switch) 电子开关VT(visual telephone) 电视电话VT(video terminal) 视频终端电子工程中常见的英文缩写--中英文对照表ADC: Analog-Digital Converter 模-数转换器;A/D转换器AGP: Accelerated Graphics Port 高速图形端口AI: Artificial Intelligence 人工智能AM: Application Module 应用模件APM: Advanced Process Manager 增强型过程管理器ARM: Advanced RISC Machines 既可以认为是一个公司的名字，也可以认为是对一类微处理器的通称，还可以认为是一种技术的名字BCD: Binary-Coded-Decimal 二-十进制代码；8421码CAD: Computer Aided Desgin 计算机辅助设计CAM: Computer Aided Manufacturing 计算机辅助制造CAN: Control Area Network 控制局域网络;LCNCAN: Controller Area Network Bus 设备间网络系统总线CAT: Coputer Aided Test 计算机辅助测试CD: Compel Data 强制数据CDN: Clock Distribution Network 时钟脉冲分配网络CISC: Complex Instruction Set Computer复杂指令系统计算机CM: Caculate Module 计算模件CMMR: Common-Mode Rejection Ratio共模抑制比COB: Chip On Board 内插器CPLD: Complex Programmable Logic Divice复杂可编程逻辑装置CRC: Cyclic Redundancy Check 循环冗余校验CSIC: Customers Specified Integrated CircuitsDCS: Distributed Control System 分布式控制；集散控制/TDC；分布式控制（系统）DDC: Direcr Digital Control 直接数字控制（系统）DDL: Device Description Language 设备描述语言DHW: Data High Way 高速数据通道；数据高速公路；总线DLSAP: Data Link Service Access Point 数据链路服务访问点DAC: Digital-Analog Converter 数-模转换器;D/A转换器DD：Device Description 设备描述DDL: Device Description Language 设备描述语言DRC: Desgin Rule Check 设计规则检查DSP: Digital Signal Processor 数字信号处理EDA: Electronic Desgin Automation 电子设计自动化EDSP: Embedded Digital Signal Processor嵌入式数字信号处理器EM: Embedded Mirocontroller 嵌入式微控制器EMPU: Embedded Micro Processor Unit 嵌入式微处理器EMU: Embedded Microcontroller Unit 嵌入式微控制器EOC: End Of Convert 转换结束EOS: Enhanced Operator Station 增强型操作站ES: Expert System 专家系统EWB: Electronic WorkBench 电子工作平台EWB: Engineer Wok Station 工程师工作站FAS: Field Access Sublayer 现场总线访问子层FB: FieldBus 现场总线FBAP：Function Block Application Process功能块应用进程FCS: Fieldbus Control System 现场总线控制（系统）FMS: Fieldbus Message Specifiction 现场总线报文规范FIFO: First In First Out 先进先出FET: Field-Efect Tansistor 场効晶体管FF: Fieldbus Foundation 现场总线基金会FPGA: Field Programmable Gate Array现场可编程门阵列FSC: Fail Safe Control safety manager故障安全控制管理器FSK: Frequency Shift Keying 频移键控（通信技术）GAL: Generic Array Logic 通用阵列逻辑(可重复编程)GLB: Generic Logic Block 通用逻辑块GRP: Global Routing Pool 全局布线区GTO: Gate Turn-off thyristor 可关断晶闸管GTR: Giant Transistor 功率晶体管GUI: Graphical User Interface图形化用户界面GUS: Global User Station 全局用户操作站GW: Gateway 网关HART: Highway Addressable Remote Transducer可寻址远程传感器数据通路通信协议HC: Host Computer 主计算机HDL: Hardware Description Language硬件描述语言HM: History Module 历史模件HP: 惠普HPM: High-performace Process Manager高性能过程管理器HTD: High Way Traffic Director 高速通道控制器IC: integrated circuit 集成电路IDE: Intigrated Development Environment集成开发环境IDS: Integrated Distributed System 集成式分散系统IEC: International Electrotechnical Commission国际电工委员会IEEE: The Institute of Electrical and Electronics Engineers电工和电子工程研究所(美国)IGBT: Insulated Gate Bipolar Tansistor绝缘栅双极型晶体管IGFET: Isolated-Gate Field-Efect Transistor绝缘栅场効晶体管IOC: I/O Cell 输入/输出单元IP: Internet Protocol 互联网协议IPC: Industrial Control Computer 工控机ISA: Industrial Standard Architecture（总线）ISP: In-System Programmable 在系统可编程LAS: Link Active Scheduler 链路活动调度器LCN: Local Control Network 局部控制网络；CANMAP: Manufactuin Automation Protocol制造自动化协议MFP: Mlti-Function Processor 多功能处理器MIPS: Microprocessor without Interlocked Pipeline Stages内部无互锁流水线微处理器MIS: Managerment Information System管理信息系统MOS: Matel Oxide Semiconductor 金属氧化物半导体LCD: Liquid Crystal Display 液晶显示器LED: Light Emitting Diode 发光二极管LLI: Lower Layer Interface 低层接口LM: Logic Manager 逻辑管理器MAC: Media Access Control 介质访问控制MCU: MicroController Unit 微控制器；单片机；SOC；SCMMDI: Medium Dependent Interface 媒体接口MFCS: Multifunction Field Control Station多功能现场控制站MPU: MiroProcessor Unit 微处理器NM: Network Management 网络管理ORP: Output Routing Pool 输出布线区OCL：Output CapacitorLess 无输出电容OD: Object Dictionary 对象字典OIS: Operater Interface Station 操作员接口站PAL: Programmable Array Logic 可编程阵列逻辑PCI: Peripheral Component Interconnect外围部件互连(总线)PIN: Plant Infermation Network 工厂信息网络PIU: Process Interface Unit 过程接口单元PLA: Progammable Logic Array 可编程逻辑阵列PLD: Programmable Logic Device 可编程逻辑器件PLS: Physical Si GnallinG 物理信令PMA: Physical Medium Attachment 物理媒体附件PROM: Progammable ROM 可编程只读存储器PT: Pass Token 传递令牌OE: Output Enable 输出允许OLMC: Output Logic Macro Cell 输出逻辑宏单元OTL: Output TransformerLess 无输出变压器PDA: Personal Digital Assistant 个人数字助理PLC: programmable Logic contraller 可编程逻辑控制器RAM: Random Access Memory 随机存取存储器;读/写存储器RISC: Reduced Instruction Set Computer精简指令系统计算机ROM: Read Only Memory 只读存储器SCC: Supervisory Computer Contol 计算机监督控制（系统）SCM: Single Chip Mirocomputer 单片微机（国外）；单片机（国内）；MCU；SOC SM: System Mana Gement 系统管理SMM: System Management Module 系统管理站；系统管理模件SOC: System On a Chip 单片机;MCU；（单片机地发展经历了SCM、MCU和SOC 三个阶段）SOPC: System On a Programmable Chip可编程单片机;MCUSPC: Set Point Computer Control 给定值控制；SCCTD: Time Distribution 时间发布信息TDC: Total Distributed Control 集散控制；分布式控制；分散式控制/DCS(系统)TG: Tansmission Gate 传输门TTL: Transistor-Transistor Logic 晶体管-晶体管逻辑VCR: Virual Communication Relationships 虚拟通信关系VHDL: VHSIC(Very High Speed Integrated Circuit) HDL UCN: Universal Control Network 通用控制网络US: Universal Station 通用操作站USB: Universal Serial Bus 通用串行总线VGA: Video Graphics Array。

半导体(Semiconductor)术语字母索引中英文解析(o、P、Q、R、S、T篇)

半导体（Semiconductor）术语字母索引中英文解析（o、P、Q、R、S、T篇）hdragonf 发表于: 2011-3-17 10:20 来源: 半导体技术天地OOOxygen --氧O&MOperations & Maintenance --操作和维修OAOffice Automation --办公自动化OCOpen Collector --开路集电极OCAP1. Open Cable Specification --开放式电缆说明书2.Out of Control Action --控制失灵应急计划计划单上的动作是在无法控制的情况下执行的，由SPC探测。

通常在检查表单中定义。

OCR1) Optical Character Recognition --光学字符识别2) Operator Certification Rate --运算验证速率ODCOzone Depleting Chemicals --臭氧耗尽化学制品ODMOriginal Design Manufacturer -- 原始设备制造商ODPOzone Depleting Potential --臭氧层微耗潜能值ODSOzone Depleting Substances --臭氧耗尽物质是一个表示那些由于人类活动而产生的物质的术语，它们起反应，并且破坏臭氧层最上层的臭氧分子。

主要的臭氧耗尽物质是氯氟化碳(CFC)和Halons，两者都是化学物质，在对流层中非常稳定，典型的寿命是60至100年。

一但CFC或是Halons进入臭氧层，那里的紫外线辐射会非常强，足以使分子分裂，释放出氯原子(CFC)或是溴原子(Halons)，这些物质相至反应并且破坏臭氧层。

OECDOrganization of Economic Cooperation and Development --经济合作与发展组织OED1) Order Entry Date --定单登录日期2) Oxford English Dictionary --牛津英文字典OELOccupational Exposure Limit --占用的曝光限制OEMOriginal Equipment Manufacturer --原始设备制造商OFDMOccupational Health & Safety Assessment Series --正交频分多路用于数字传输中载波调制的方法。

各大厂家的英文缩写与中文全称对照

ML
PLESSEY(美国普利西半导体公司)
ML
MITEL SEMICONDUCTOR(加拿大米特尔半导体公司)
/
MLM
MOTOROAL(美国莫托罗拉半导体产品公司)
/
MM
NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司)
TBA
MULLARD(英国麦拉迪公司)
TC
TOSHIBA(日本东芝公司)
/
TCA
ITT(德国ITT半导体公司)
/
TCA
SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司)
/
TCA
SPRAGUE ELECTRIC(美国史普拉格电子公司)
A-
INTECH(美国英特奇公司
AC
TEXAS INSTRUMENTS [T1](美国德克萨斯仪器公司)
/
AD
ANALOG DEVICES(美国模拟器件公司)
/
AM
ADVANCED MICRO DEVICES（美国先进微电子器件公司）
NJM
NEW JAPAN RADIO(JRC)(新日本无线电公司)
OM
PANASONIC(日本松下电器公司)
/
OM
SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司)
/
RC
RAYTHEON(美国雷声公司)
RM
RAYTHEON(美国雷声公司)
/
NE
PHILIPS(荷兰菲利浦公司)
/
NE
MULLARD(英国麦拉迪公司)
NE
SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司)
/
RH-IX
SHARP[日本夏普(声宝)公司]

(整理)半导体器件的命名方法

半导体器件的命名方法1．中国半导体器件的命名法根据中华人民共和国国家标准，半导体器件型号由五部分组成，其每一部分的含义见表表2-15 国产半导体器件的型号命名方法例如3AD50C表示低频大功率PNP型锗管；3DG6E表示高频小功率NPN型硅管。

2. 美国半导体器件命名法根据美国电子工业协会（EIA）规定的半导体器件型号命名方法如表2-16所示。

表2-16 美国半导体器件型号的命名法例如1N4148表示开关二极管，2N3464表示高频大功率NPN型硅管。

3．日本半导体器件命名法日本半导体器件型号共用五部分组成，其表示方法如2-17。

表2-17 日本半导体器件命名法例如2SA53表示高频PNP型三极管，1S92表示半导体二极管。

4．欧洲半导体器件命名法由于目前欧洲各国没有明确统一的标准半导体器件型号命名法，故他们大都使用国际电子联合会的标准。

半导体器件的型号一般由四部分组成，其基本含义如表2-18。

表2-18 欧洲半导体器件命名法补充说明：欧洲半导体器件型号除以上基本组成部分外，为进一步标明器件的特性，或对器件进一步分类，有时还加有后缀，后缀用破折号与基本部分分开。

常见的后缀有以下几种。

（1）稳压二极管型号后缀的第一部分是一个字母，用来表示器件标称稳定电压值的允许误差范围。

其代表的意义如表2-19。

表2-19 稳压二极管后缀字母的含义后缀的第二部分是数字，表示稳压二极管的标称稳定电压的整数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。

（2）整流二极管和可控硅型号的后缀是数字，表示其最大反向电压值，单位是伏。

例如BZY88-C9V1表示标称稳压值是9.1V、精度为±5%的硅稳压二极管；BTX64-200表示反向耐压为200V的大功率可控硅；BU406D表示大功率硅开关三极管。

2.5.4 几种常用半导体三极管的性能1. 常用小功率半导体三极管常用小功率半导体三极管的特性见表2-20。

IC品牌中英文对照

IC品牌中英文对照全名流行缩写官方中文名总部MediaTek MTK 联发科台湾 Princeton PTC 普诚科技台湾 Richtek / 立崎台湾Sunplus / 凌阳台湾Anapec 茂达台湾EUTech 德信台湾Realtek 瑞昱台湾Winbond 华邦台湾VIA 威盛台湾日本半导体厂家EPSON 爱普生日本Fujitsu 富士通日本NEC 日电日本OKI 冲电子日本ROHM 罗姆日本Renesas 瑞萨日本SHARP 夏普日本Seiko NPC 精工日本YAMAHA 雅马哈日本Toshiba 东芝日本RICOH 理光日本TOREX 特瑞仕日本mitsubishi 三菱日本Sanyo 三洋日本AKM / 日本韩国半导体厂家Samsung 三星韩国Corelogic / 韩国Hynix 海力士韩国LG 乐金韩国Atlab / 韩国美国半导体厂家Analog Device ADI 模拟器件美国 Agere System 杰尔美国AMD/Spansion / 美国Atmel 爱特梅尔美国Broadcom 博通美国Cirrus Logic 思睿逻辑美国Fairchild 飞兆美国Freescale 飞思卡尔美国Intel 英特尔美国LSI / 美国Maxim 美信美国Micron 美光美国National NS 国家半导体/国半美国 Nvidia 恩维达美国Omnivision OV 豪威美国ON semi 安森美美国Qualcomm 高通美国Sandisk 晟碟美国TI 德州仪器美国Analogic Tech AATI 研诺科技美国VISHAY 威世美国Cypress 赛普拉斯美国Pericom 百利通美国Linear 凌力尔特美国Catlyst 凯特利斯美国Sipex / 美国RFMD / 美国Micrel 迈瑞美国Microchip 微芯美国intersil 英特矽尔美国MPS 芯源美国SIRF 瑟孚科技美国Allegro / 美国Silicon labs / 美国Skyworks 思加讯（中国公司名）美国 Conexant 科胜讯美国Dallas 达拉斯美国IR 国际整流美国其他半导体厂家infineon 英飞凌德国ST 意法欧洲ATI / 加拿大NXP 恩智浦欧洲 austria microsystems 奥地利微电子。

半导体器件参英文缩写与中文全称对照

半导体器件参英文缩写与中文全称对照半导体器件参英文缩写与中文全称对照A 宽频带放大AM 调幅CC 恒流CHOP 斩波、限幅C-MIC 电容话筒专用D 变频换流DC 直流DIFF 差分放大DUAL 配对管DUAL-GATE 双栅四极FM 调频GEP 互补类型HA 行输出级HF 高频放大（射频放大）HG 高跨导HI-IMP 高输入阻抗HI-REL 高可靠性LMP-C 阻抗变换L 功率放大MAP 匹配对管MIN 微型MIX或M 混频MW 微波NF 音频（低频）N-FET 硅N沟道场效应晶体管P-FET 硅P沟道场效应晶体管GE-N-FET 锗N沟道场效应晶体管O 振荡S 开关SW-REG 开关电源SYM 对称类TEMP 温度传感TR 激励、驱动TUN 调谐TV 电视TC 小型器件标志UHF 超高频UNI 一般用途V 前置/输入级VA 场输出级VHF 甚高频VID 视频VR 可变电阻ZF 中放V-FET V型槽MOSFETMOS-INM MOSFET独立组件MOS-ARR MOSFET陈列组件MOS-HBM MOSFET半桥组件MOS-FBM 全桥组件MOS-TPBM MOSFET三相桥组件GE-P-FET 锗P沟道场效应晶体管GaAS-FET 砷化镓结型N沟道场效应晶体管SB肖特基势垒栅场效应晶体管MES 金属半导体场效应晶体管（一般为N 沟道，若P沟道则在备注栏中注明）HEMT 高电子迁移率晶体管SENSE FET 电流敏感动率MOS场效应管SIT 静电感应晶体管IGBT 绝缘栅比极晶体管ALGaAS 铝家砷。

全球半导体器件电子元件厂商英文缩写与中文全称对照

FRE
美国FEDERICK公司
AME
挪威微电子技术公司
FUI
日本富士通公司
AMP
美国安派克斯电子公司
FUM
美国富士通微电子公司
AMS
美国微系统公司
GEC
美国詹特朗公司
APT
美国先进功率技术公司
GEN
美国通用电气公司
ATE
意大利米兰ATES公司
GEU
加拿大GENNUM公司
ATT
美国电话电报公司
GPD
美国锗功率器件公司
美国半导体技术公司
NUC
美国核电子产品公司
SUP
美国超技术公司
OKI
日本冲电气工业公司
TDY
美、德TELEDYNE晶体EL公司
TEL
德国德律风根电子公司
OPT
美国OPTEK公司
TES
捷克TESLA公司
ORG
日本欧里井电气公司
THO
法国汤姆逊公司
PHI
荷兰飞利浦公司
TIX
SOL
美、德固体电子公司
MUL
英国马德拉有限公司
SON
日本萦尼公司
NAS
美、德北美半导体电子公司
SPE
美国空间功率电子学公司
NEW
英国新市场晶体管有限公司
SPR
美国史普拉格公司
NIP
日本日电公司
SSI
美国固体工业公司
NJR
日本新日本无线电股份有公司
STC
美国硅晶体管公司
NSC
美国国家半导体公司
STI
RET
美国雷蒂肯公司
UNI
美国尤尼特罗德公司
RFG
美国射频增益公司

半导体行业术语

半导体行业术语半导体行业术语是指用于描述和解释半导体及相关技术的术语和术语缩略语。

以下是一些常见的半导体行业术语及其参考解释。

1. 半导体（Semiconductor）- 指的是电导介于导体和绝缘体之间的固态材料，通常是以硅（Si）或镓（Ga）为主要成分，用于制造电子器件。

2. 集成电路（Integrated Circuit，IC）- 也被称为芯片，是将数十亿个晶体管、电阻器、电容器和其他电子元件集成到一块半导体晶片上的技术。

3. MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）- MOSFET是一种常用的场效应晶体管，通过控制栅电压来调节源极电流。

4. CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）- CMOS是一种基于nMOS（n沟道金属－氧化物－半导体）和pMOS（p沟道金属－氧化物－半导体）技术的集成电路制造技术。

5. MEMS（Micro-Electro-Mechanical Systems）- MEMS是一种将微机械系统与电子技术相结合的技术，包括制造微型传感器、执行器和微型结构等。

6. 晶圆（Wafer）- 指的是在半导体制造过程中用于制作芯片的圆形硅片。

晶圆上会进行刻蚀、沉积、光刻等工艺。

7. 工艺（Process）- 指的是制造半导体器件所需的一系列步骤和工作流程，包括光刻、刻蚀、沉积、清洗等。

8. 掩膜（Mask）- 掩膜用于光刻工艺，上面有设计好的图案，通过光刻暴光制造电路芯片的图案。

9. Doping（掺杂）- 在半导体材料中引入杂质，以调整材料的导电性能。

常见的掺杂剂包括硼、磷、砷等。

10. 渗透磁场（Permeable Magnetic Field）- 渗透磁场是指在磁性材料的边界上产生的特殊磁场，常用于磁传感器和存储器中。

11. 氮化镓（Gallium Nitride，GaN）- 氮化镓是一种半导体材料，具有高电子流动性和较大的能隙，适用于高功率电子器件的制造。

半导体行业的英单词和术语

半导体行业的英单词和术语1. Semiconductor（半导体）：指一种导电性能介于导体和绝缘体之间的材料，广泛应用于电子器件中。

3. Integrated Circuit（集成电路）：简称IC，将大量的微小电子元件（如晶体管、电阻、电容等）集成在一块半导体芯片上。

4. Transistor（晶体管）：一种半导体器件，具有放大信号和开关功能，是现代电子设备的基础组件。

5. Diode（二极管）：一种具有单向导通特性的半导体器件，常用于整流、稳压等电路。

6. MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）：一种常见的晶体管类型，广泛应用于放大器和开关电路。

7. CMOS（互补金属氧化物半导体）：一种集成电路技术，采用NMOS和PMOS晶体管组合，具有低功耗、高集成度等优点。

8. Wafer（晶圆）：指经过切割、抛光等工艺处理的半导体材料，用于制造集成电路。

9. Photolithography（光刻）：在半导体制造过程中，利用光刻技术将电路图案转移到晶圆上的过程。

10. Etching（刻蚀）：在半导体制造过程中，通过化学反应或物理方法去除晶圆表面不需要的材料。

11.掺杂（Doping）：在半导体材料中引入其他元素，以改变其导电性能。

12. Chip（芯片）：指经过封装的集成电路，是电子设备的核心组成部分。

13. PCB（印刷电路板）：一种用于支撑和连接电子元件的板材，上面布满了导电线路。

14. Moore's Law（摩尔定律）：指集成电路上可容纳的晶体管数量大约每两年翻一番，预测了半导体行业的发展趋势。

15. EDA（电子设计自动化）：指利用计算机软件辅助设计电子系统，包括电路设计、仿真、验证等环节。

16. Foundry（代工厂）：专门为其他公司生产半导体芯片的企业。

17. Semiconductor Equipment Manufacturer（半导体设备制造商）：为半导体行业提供生产设备的公司。

半导体品牌中英文对照

全名流行缩写官方中文名总部台湾半导体厂家MediaTek MTK 联发科台湾Princeton PTC 普诚科技台湾Richtek / 立崎台湾Sunplus / 凌阳台湾Anapec 茂达台湾EUTech 德信台湾Realtek 瑞煜台湾Winbond 华邦台湾VIA 威盛台湾日本半导体厂家EPSON 爱普生日本Fujitsu 富士通日本NEC 日电日本OKI 冲电子日本ROHM 罗姆日本Renesas 瑞萨日本SHARP 夏普日本Seiko NPC 精工日本YAMAHA 雅马哈日本Toshiba 东芝日本RICOH 理光日本TOREX 特瑞仕日本mitsubishi 三菱日本Sanyo 三洋日本AKM / 日本韩国半导体厂家Samsung 三星韩国Corelogic / 韩国Hynix 海力士韩国LG 乐金韩国Atlab / 韩国美国半导体厂家Analog Device ADI 模拟器件美国Agere System 杰尔美国Agilent 安捷伦美国AMD/Spansion / 美国Atmel 爱特梅尔美国Broadcom 博通美国Cirrus Logic 思睿逻辑美国Fairchild 飞兆美国Freescale 飞思卡尔美国Intel 英特尔美国LSI / 美国Maxim 美信美国Micron 美光美国National NS 国家半导体/国半美国Nvidia 恩维达美国Omnivision OV 豪威美国ON semi 安森美美国Qualcomm 高通美国Sandisk 晟碟美国TI 德州仪器美国Analogic Tech AATI 研诺科技美国VISHAY 威世美国Cypress 赛普拉斯美国Pericom 百利通美国Linear 凌力尔特美国Catlyst 凯特利斯美国Sipex / 美国RFMD / 美国Micrel 迈瑞美国Microchip 微芯美国intersil 英特矽尔美国MPS 芯源美国SIRF 瑟孚科技美国Allegro / 美国Silicon labs / 美国Skyworks 思加讯（中国公司名）美国Conexant 科胜讯美国Dallas 达拉斯美国IR 国际整流美国其他半导体厂家infineon 英飞凌德国ST 意法欧洲Wolfson 欧胜英国ATI / 加拿大NXP 恩智浦欧洲austria microsystems 奥地利微电子无源器件EPCOS 爱普科斯德国Amphenol 安费诺美国Tyco 泰科电子美国Molex 莫仕美国FCI / 美国Innochips ICT / 韩国Yageo 国巨台湾LITEON 光宝台湾JST / 日本SMK / 日本Hirose HRS 广濑电机日本Murata 村田日本TDK / 日本Kyocera 京瓷日本Taiyo Yuden 太阳诱电（太诱）日本Rohm 罗姆日本Nichicon 尼吉康日本ALPS 阿尔卑斯日本Nais 松下电工日本Citizen 西铁城日本。

半导体行业术语

半导体行业术语半导体行业术语半导体是一种材料，通常是硅，用于制造电子器件。

半导体行业是电子行业中最重要的部分之一，因为几乎所有的电子设备都需要使用半导体器件。

以下是半导体行业中最常见的一些术语。

1. 基板(Substrate)：半导体芯片的基本材料，通常是硅。

基板是生产芯片的第一步，它作为芯片的支撑并提供必要的物理支持和电气性质。

2. MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)：一种基于MOS结构的场效应晶体管，具有高电压开关性能，被广泛应用于电源管理、放大器、驱动器和其他电路中。

3. CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)：一种半导体工艺，它是现代集成电路的主要制造工艺，通过使用p型和n型MOSFET来创建互补的电路，最终达到高带宽、低功耗和高整合度等特性。

4. IC(Integrated Circuit)：全称为集成电路，指将数百万个电子元件以微米尺度组成的半导体芯片上，从而实现了各种不同的功能。

这种集成将多个独立的电路集成到一个单一的芯片中，因此可以生产大容量、高速度和低功耗的芯片。

5. 大规模集成电路(Very Large Scale Integration)：简称VLSI，是一种集成电路的制造技术，可以将几百万到几十亿的电子元件集成到一个微处理器芯片上。

这种技术不仅将电路缩小到微小的尺寸，而且也提高了整体性能和耗能效率。

6. SoC(System-on-a-Chip)：是一种完全集成的芯片，包含数字、模拟和射频(流)功能，具有高度的可编程性。

SoC可以在移动设备、智能家居、互联汽车和其他应用中实现！7. FPGA(Field Programmable Gate Array)：可编程的逻辑芯片，可以快速重置、重新配置和重新设计电路，通过内置大量的数据存储器、处理能力和专用的高速通道，可实现快速数据处理。

半导体专业术语缩写

半导体专业术语缩写
半导体专业术语缩写较多，以下列举部分供参考：
- EPI：外延
- PM：设备维护与保养
- PCW：工艺冷却水
- PMC：生产计划与物料控制
- PLC：可编程序控制控制器
- H2：氢气
- Sb：锑
- N2：氮气
- As：砷
- SiHCl3（TCS）：三氯氢硅
- B：硼
- PH3：磷烷
- CMOS：互补金属氧化物半导体
- HCl：氯化氢
- CMP：化学机械抛光
- Hg：汞（水银）
- ESD：静电释放
- HNO3：硝酸
- H2O2：双氧水
- HF：氢氟酸
- MOS：金属氧化物半导体
- SPC：统计过程控制
- PCM：工艺控制监测
- MRB：异常评审委员会
- PCN：工艺变更通知单
- CAB：变更评审委员会
- ECN：工程变更通知单
- OCAP：失效控制计划
- PSG：磷硅玻璃
- TF：薄膜
- PVD：物理气相淀积
- PHO：光刻
- PCB：印刷电路板
- DIF：扩散
- RF：射频
- II：注入
- UV：紫外线
- CVD：化学气相淀积
- VPE：气相外延
- SPV：扩散长度
- Bubbler：鼓泡器
- CD：关键尺寸
- EMO：设备紧急按钮
- CD-SEM：线宽扫描电镜
- Scrubber：尾气处理器
- ETCH：刻蚀（腐蚀）
- Coat：包硅
- H2-BAKE：氢气烘烤
- SRP：外延层纵向电阻率分布
如果你还想了解其他缩写，可以继续向我提问。

零部件英文缩写及零部件中英文对照

零部件英文缩写及零部件中英文对照一、零部件英文缩写1. PCB：Printed Circuit Board（印刷电路板）2. MCU：Microcontroller Unit（微控制器单元）3. IC：Integrated Circuit（集成电路）4. LED：Light Emitting Diode（发光二极管）5. LCD：Liquid Crystal Display（液晶显示器）6. motor：Electric Motor（电动机）7. sensor：Sensor（传感器）8. resistor：Resistor（电阻器）9. capacitor：Capacitor（电容器）10. inductor：Inductor（电感器）二、零部件中英文对照1. 集成电路：Integrated Circuit2. 发光二极管：Light Emitting Diode3. 液晶显示器：Liquid Crystal Display4. 电动机：Electric Motor5. 传感器：Sensor6. 电阻器：Resistor7. 电容器：Capacitor8. 电感器：Inductor9. 印刷电路板：Printed Circuit Board10. 微控制器单元：Microcontroller Unit三、更多零部件中英文对照11. 开关：Switch12. 连接器：Connector13. 插头：Plug14. 插座：Socket15. 线缆：Cable16. 变压器：Transformer17. 继电器：Relay18. 晶体管：Transistor19. 二极管：Diode20. 电池：Battery四、常用零部件英文缩写补充11. CPU：Central Processing Unit（中央处理单元）12. GPU：Graphics Processing Unit（图形处理单元）13. RAM：Random Access Memory（随机存取存储器）14. ROM：ReadOnly Memory（只读存储器）15. USB：Universal Serial Bus（通用串行总线）16. HDMI：HighDefinition Multimedia Interface（高清多媒体接口）17. VGA：Video Graphics Array（视频图形阵列）18. SATA：Serial ATA（串行高级技术附件）19. SSD：Solid State Drive（固态硬盘）20. HVAC：Heating, Ventilation, and Air Conditioning（供暖、通风及空调系统）五、扩展零部件中英文对照列表21. 振动电机：Vibration Motor22. 螺线管：Solenoid23. 伺服电机：Servo Motor24. 步进电机：Stepper Motor25. 保险丝：Fuse26. 断路器：Circuit Breaker27. 滑动轴承：Plain Bearing28. 滚动轴承：Ball Bearing29. 液压缸：Hydraulic Cylinder30. 气缸：Pneumatic Cylinder六、额外零部件英文缩写补充21. Liion：Lithiumion（锂离子）22. NiMH：NickelMetal Hydride（镍氢）23. OLED：Organic Light Emitting Diode（有机发光二极管）24. FPGA：FieldProgrammable Gate Array（现场可编程门阵列）25. DSP：Digital Signal Processor（数字信号处理器）26. GPS：Global Positioning System（全球定位系统）27. RFID：RadioFrequency Identification（射频识别）28. WiFi：Wireless Fidelity（无线保真）29. Bluetooth：蓝牙（一种无线技术标准）30. IoT：Internet of Things（物联网）。

场效应管中英文对照表

场效应管中英文对照表——作者：时间：2007-11-26 来源：网络字号：小中大关键词：场效应管中英文对照元件元件制造在场效应管对照表中，收编了美国、日本及欧洲等近百家半导体厂家生产的结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场次晶体管（MOSFET）、肖特基势垒控制栅场效应晶体管（SB）、金属半导体场效应晶体管（MES）、高电子迁移率晶体管（HEMT）、静电感应晶体管（SIT）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）等属于场效应晶体管系列的单管、对管及组件等，型号达数万种之多。

每种型号的场效应晶体管都示出其主要生产厂家、材料与极性、外型与管脚排列、用途与主要特性参数。

同时还在备注栏列出世界各国可供代换的场效应晶体管型号，其中含国产场效应晶体管型号。

1．"型号"栏表中所列各种场效应晶体管型号按英文字母和阿拉伯数字顺序排列。

同一类型的场效应晶体型号编为一组，处于同一格子内，不用细线分开。

2．"厂家"栏为了节省篇幅，仅列入主要厂家，且厂家名称采用缩写的形式表示。

）所到厂家的英文缩写与中文全称对照如下：ADV 美国先进半导体公司AEG 美国AEG公司AEI 英国联合电子工业公司AEL 英、德半导体器件股份公司ALE 美国ALEGROMICRO 公司ALP 美国ALPHA INDNSTRLES 公司AME 挪威微电子技术公司AMP 美国安派克斯电子公司AMS 美国微系统公司APT 美国先进功率技术公司ATE 意大利米兰ATES公司ATT 美国电话电报公司AVA 美、德先进技术公司BEN 美国本迪克斯有限公司BHA 印度BHARAT电子有限公司CAL 美国CALOGIC公司CDI 印度大陆器件公司CEN 美国中央半导体公司CLV 美国CLEVITE晶体管公司COL 美国COLLMER公司CRI 美国克里姆森半导体公司CTR 美国通信晶体管公司CSA 美国CSA工业公司DIC 美国狄克逊电子公司DIR 美国DIRECTED ENERGR公司LUC 英、德LUCCAS电气股份公司MAC 美国M/A康姆半导体产品公司MAR 英国马可尼电子器件公司MAL 美国MALLORY国际公司MAT 日本松下公司MCR 美国MCRWVE TECH公司MIC 中国香港微电子股份公司MIS 德、意MISTRAL公司MIT 日本三菱公司MOT 美国莫托罗拉半导体公司MUL 英国马德拉有限公司NAS 美、德北美半导体电子公司NEW 英国新市场晶体管有限公司NIP 日本日电公司NJR 日本新日本无线电股份有公司NSC 美国国家半导体公司NUC 美国核电子产品公司OKI 日本冲电气工业公司OMN 美国OMNIREL公司OPT 美国OPTEK公司ORG 日本欧里井电气公司PHI 荷兰飞利浦公司POL 美国PORYFET公司POW 美国何雷克斯公司PIS 美国普利西产品公司PTC 美国功率晶体管公司RAY 美、德雷声半导体公司REC 美国无线电公司RET 美国雷蒂肯公司RFG 美国射频增益公司RTC 法、德RTC 无线电技术公司SAK 日本三肯公司SAM 韩国三星公司SAN 日本三舍公司SEL 英国塞米特朗公司 DIT 德国DITRATHERM公司ETC 美国电子晶体管公司FCH 美国范恰得公司FER 英、德费兰蒂有限公司FJD 日本富士电机公司FRE 美国FEDERICK公司FUI 日本富士通公司FUM 美国富士通微电子公司GEN 美国通用电气公司GEU 加拿大GENNUM公司GPD 美国锗功率器件公司HAR 美国哈里斯半导体公司HFO 德国VHB联合企业HIT 日本日立公司HSC 美国HELLOS半导体公司IDI 美国国际器件公司INJ 日本国际器件公司INR 美、德国际整流器件公司INT 美国INTER FET 公司IPR 罗、德 I P R S BANEASA公司ISI 英国英特锡尔公司ITT 德国楞茨标准电气公司IXY 美国电报公司半导体体部KOR 韩国电子公司KYO 日本东光股份公司LTT 法国电话公司SEM 美国半导体公司SES 法国巴黎斯公司SGS 法、意电子元件">元件股份公司SHI 日本芝蒲电气公司SIE 德国西门子AG公司SIG 美国西格尼蒂克斯公司SIL 美、德硅技术公司SML 美、德塞迈拉布公司SOL 美、德固体电子公司SON 日本萦尼公司SPE 美国空间功率电子学公司SPR 美国史普拉格公司SSI 美国固体工业公司STC 美国硅晶体管公司STI 美国半导体技术公司SUP 美国超技术公司TDY 美、德TELEDYNE晶体管电子公司TEL 德国德律风根电子公司TES 捷克TESLA公司THO 法国汤姆逊公司TIX 美国德州仪器公司TOG 日本东北金属工业公司TOS 日本东芝公司TOY 日本罗姆公司TRA 美国晶体管有限公司TRW 英、德TRN半导体公司UCA 英、德联合碳化物公司电子分部UNI 美国尤尼特罗德公司UNR 波兰外资企业公司WAB 美、德WALBERN器件公司WES 英国韦斯特科德半导体公司VAL 德国凡尔伏公司YAU 日本GENERAL股份公司ZET 英国XETEX公司3．"材料"栏本栏目注明各场效应晶体管的材料和极性，没有注明材料的均为SI材料，特殊类型的场效应晶体管也在这一栏中说明。

半导体常用缩写

半导体常用缩写词汇汇总EPI 外延PM 设备维护与保养PCW 工艺冷却水PMC 生产计划与物料控制PLC 可编程序控制控制器H2 氢气Sb 锑N2 氮气As 砷SiHCl3（TCS）三氯氢硅 B 硼PH3 磷烷CMOS 互补金属氧化物半导体HCl 氯化氢CMP 化学机械抛光Hg 汞（水银）ESD静电释放HNO3 硝酸H2O2双氧水HF 氢氟酸MOS 金属氧化物半导体SPC 统计过程控制PCM 工艺控制监测MRB 异常评审委员会PCN 工艺变更通知单CAB 变更评审委员会ECN 工程变更通知单OCAP 失效控制计划。

指制程过程中失控时所应采取的对应措施。

是一种受控文件，包含造成异常的因素等PSG 磷硅玻璃TF 薄膜PVD物理气相淀积PHO 光刻PCB 印刷电路板DIF 扩散RF 射频II 注入UV紫外线CVD 化学气相淀积VPE气相外延SPV 扩散长度Bubbler 鼓泡器CD 关键尺寸EMO 设备紧急按钮CD-SEM 线宽扫描电镜ScrubbLer 尾气处理器ETCH 刻蚀（腐蚀）Coat 包硅H2-BAKE 氢气烘烤SRP 外延层纵向电阻率分布1号液：（NH4OH:H2O2：H2O）NH4OH : H2O2 : H2O=1 : 2 : 7，2号液：（HCl：H2O2：H2O）HCl : H2O2 : H2O=1 : 2 : 53号液（Caros清洗液）：(H2SO4:H2O2) H2SO4 : H2O2=3 : 1，4#号液:H2O:HF=10:1CV：电容-电压测试BOE混酸：氟化铵氢氟酸混合腐蚀液液CZ：切克劳斯基直拉法Wafer：抛光片FZ：区熔方法THK：膜厚Rs：电阻TTV:总厚度偏差TIR：平整度STIR：局部平整度LTO：背封BOW:弯曲度CHIP:崩边SLIP：滑移线MARK:痕迹WARP：翘曲度CRACK:裂纹SPOT: 斑点HAZE：发雾CROWN：皇冠，边缘突起物OISF:氧化诱生层错ORG: 掺As单晶抛光片O2含量径向均匀性OSF：氧化层错BMV：气体流量控制阀LIFE TIME：寿命POINT DEFECT: 点缺陷Integrated circuit：集成电路epitaxial layer：外延层Buried layer：埋层interface：界面Diameter：直径chemical vapor polish 化学气相抛光Polished surface ：表面抛光back side ;反面Front side ：正面INJ：引入气体流量DIL：稀释气体流量Autodoping：自掺杂Sccm：毫升/每分钟Slm：升/每分钟CDA:压缩空气PN2：工艺氮气Cable：电缆MES：生产过程执行管理系统SFC：生产车间集中MDC：生产数据及设备状态信息采集分析管理系统PDM：制造过程数据文档管理系统MSA:量具测量系统分析KPI：关键表现指标, 销售指标Alarm ：报警MSA: 使用数据统计和图表的方法对测量系统的分辨率和误差进行分析QA: 指质量管理、品质的保证、质量的评估/评价QC: 指质量检验和控制、分析、改善和不合格品控制人员的总称OOC/oos:OOS：检验结果偏差超过规格、不合格OOC : 产品质量失去控制，需要采取返工、召回等手段。

半导体工艺英文缩写

半导体工艺英文缩写半导体工艺是半导体行业中的一个重要领域，涉及到半导体材料和器件的制造过程。

由于该领域技术含量高，专业术语较多，因此人们常常使用英文缩写来简化表达。

下面是一些常见的半导体工艺英文缩写及其解释：1.CMOS: 压缩氧化法半导体互补金属-氧化物半导体CMOS是一种常见的半导体工艺，它使用压缩氧化法在半导体材料上形成金属-氧化物半导体结构。

这种结构可以实现低功耗、低电压操作，并且在集成电路中应用广泛。

2.PVD: 物理气相沉积物理气相沉积是一种半导体材料薄膜制备的技术，它利用物理过程将固体材料转化为气体，然后在半导体表面沉积成薄膜。

这种技术可以实现高质量的薄膜制备，并且广泛用于半导体器件的制造。

3.CVD: 化学气相沉积化学气相沉积是一种半导体材料薄膜制备的技术，它利用化学反应将气体转化为固体材料，并在半导体表面沉积成薄膜。

这种技术可以实现较高的沉积速度和较大的沉积面积，并且在集成电路制造中得到广泛应用。

4.RTP: 快速热退火快速热退火是一种半导体工艺，它通过快速升温和冷却的方式来进行热处理。

这种工艺可以实现材料的结晶、再结晶和晶格调控，从而提高半导体器件的电学性能和稳定性。

5.DUV: 深紫外深紫外是一种波长较短的紫外光，通常用于半导体制造中的光刻工艺。

它具有较高的分辨率和较小的曝光误差，可以实现微细结构的制造和高精度印刷。

6.BEOL: 背端工艺背端工艺是指半导体制造中从晶圆电路层到封装层的工艺步骤，主要包括金属线路的布线、电压与数据传输的测试、集成电路封装等工作。

这些工艺步骤对于确保电路的正常运行和稳定性至关重要。

7.FEOL: 前端工艺前端工艺是指半导体制造中从晶圆加工到背端工艺之前的工艺步骤，主要包括晶圆清洁、刻蚀、沉积、光刻、扩散等工作。

这些工艺步骤对于制备高质量的半导体材料和器件起着关键作用。

总结起来，半导体工艺英文缩写是半导体行业中常用的专业术语，它简化了表达，加快了交流。

半导体常用缩写

半导体常用缩写词汇汇总EPI 外延PM 设备维护与保养PCW 工艺冷却水PMC 生产计划与物料控制PLC 可编程序控制控制器H2 氢气Sb 锑N2 氮气As 砷SiHCl3（TCS）三氯氢硅 B 硼PH3 磷烷CMOS 互补金属氧化物半导体HCl 氯化氢CMP 化学机械抛光Hg 汞（水银）ESD静电释放HNO3 硝酸H2O2双氧水HF 氢氟酸MOS 金属氧化物半导体SPC 统计过程控制PCM 工艺控制监测MRB 异常评审委员会PCN 工艺变更通知单CAB 变更评审委员会ECN 工程变更通知单OCAP 失效控制计划。

指制程过程中失控时所应采取的对应措施。

是一种受控文件，包含造成异常的因素等PSG 磷硅玻璃TF 薄膜PVD物理气相淀积PHO 光刻PCB 印刷电路板DIF 扩散RF 射频II 注入UV紫外线CVD 化学气相淀积VPE气相外延SPV 扩散长度Bubbler 鼓泡器CD 关键尺寸EMO 设备紧急按钮CD-SEM 线宽扫描电镜ScrubbLer 尾气处理器ETCH 刻蚀（腐蚀）Coat 包硅H2-BAKE 氢气烘烤SRP 外延层纵向电阻率分布1号液：（NH4OH:H2O2：H2O）NH4OH : H2O2 : H2O=1 : 2 : 7，2号液：（HCl：H2O2：H2O）HCl : H2O2 : H2O=1 : 2 : 53号液（Caros清洗液）：(H2SO4:H2O2) H2SO4 : H2O2=3 : 1，4#号液:H2O:HF=10:1CV：电容-电压测试BOE混酸：氟化铵氢氟酸混合腐蚀液液CZ：切克劳斯基直拉法Wafer：抛光片FZ：区熔方法THK：膜厚Rs：电阻TTV:总厚度偏差TIR：平整度STIR：局部平整度LTO：背封BOW:弯曲度CHIP:崩边SLIP：滑移线MARK:痕迹WARP：翘曲度CRACK:裂纹SPOT: 斑点HAZE：发雾CROWN：皇冠，边缘突起物OISF:氧化诱生层错ORG: 掺As单晶抛光片O2含量径向均匀性OSF：氧化层错BMV：气体流量控制阀LIFE TIME：寿命POINT DEFECT: 点缺陷Integrated circuit：集成电路epitaxial layer：外延层Buried layer：埋层interface：界面Diameter：直径chemical vapor polish 化学气相抛光Polished surface ：表面抛光back side ;反面Front side ：正面INJ：引入气体流量DIL：稀释气体流量Autodoping：自掺杂Sccm：毫升/每分钟Slm：升/每分钟CDA:压缩空气PN2：工艺氮气Cable：电缆MES：生产过程执行管理系统SFC：生产车间集中MDC：生产数据及设备状态信息采集分析管理系统PDM：制造过程数据文档管理系统MSA:量具测量系统分析KPI：关键表现指标, 销售指标Alarm ：报警MSA: 使用数据统计和图表的方法对测量系统的分辨率和误差进行分析QA: 指质量管理、品质的保证、质量的评估/评价QC: 指质量检验和控制、分析、改善和不合格品控制人员的总称OOC/oos:OOS：检验结果偏差超过规格、不合格OOC : 产品质量失去控制，需要采取返工、召回等手段。

半导体符号(中英)对照表

半导体符号(中英)对照表表示符号CJ : Junction Capacitance.结电容.IF : Max. Instantaneous Current.顺方向电流.IFM : Forward Contiuous Curreent.最大正向平均电流.IFSM : Non-Repetitive Peak Forward Surge Current. 正向(不重复)浪涌电流.IO : Average Rectified Output Current. 平均整流输出电流.IR : Reveries Lenkange Current.逆方向电流.IRM : Max. Revers current.反向电流.IZK :膝点测试电流.IZT : Zener Diode working voltage teat current 齐纳二极管穏压工作电压测试电流. PD : Max. Steady Power Dissipation.最大容许功率消耗.Pd : Max. Steady Power Dissipation.功率消耗.RθJA : Therma Resistance Junction Ambient. 典型热阻.TI : TSTGO perating Juntion and storage temperature renge. 工作结和存储温度.TJ : Max. Operation Temperature Range. 最大容许操作温度.TRR : Reverse Recovert time.反向恢复时间.TSTG : Storage Temperature.最大容许储存温度.VF: Max. Instantaneous V oltage顺方向压降.VFM : Max. Forward voltage.正向电压.VR : Reveries Lenkange V oltage.逆方向电压.VRM : Non-repetitive Peak Revers V oltage. 不重复锋值反向电压.VRRM : Non-repetitive Revers Voltage.反向峰值电压.VZ : Zener Diode working voltage齐纳二极管穏压工作电压. ZZK :膝点斜率.ZZT :齐纳二极管穏压工作电压点斜率.。