天津大学2014考研半导体物理真题(回忆版)

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2011-2015天大半导体物理答案

2011年半导体物理真题个人答案一．1.对于深能级杂质在禁带中产生的施主能级距离导带较远，产生的受主能级距离价带较远，而且这些深能级杂质能够产生多次电离，每次能够电离能够产生相应的能级，而浅能级杂质在禁带中产生的施主能级离导带很近，产生的受主离价带很近。

2.由于深能级杂质其电离能比较大，能级较深，故它对半导体的载流子浓度和导电类型的影响没有浅能级那么显著，但对于半导体的的其他性质有显著影响，它对于载流子的复合作用比浅能级杂质强，故也称为复合中心，可以缩短非平衡载流子的寿命。

二．引进有效质量的意义在于它概况的半导体内部势场的作用，使的在解决半导体中电子在外力的作用下的运动规律时，可以不涉及内部势场的作用，有效质量可以直接由实验测定，因而可以很方便的解决电子的运动规律。

性质一，内层电子的能带窄二次微商小有效质量大，外层电子的能带宽，有效质量小。

性质二，能带底部附近，有效质量为正值，在能带顶部附近有效质量为负值。

因为最低能谷的能带宽二次微商大，故有效质量小，而次能谷能带窄，有效质量大，故m*n2大于m*n1 。

三．请分别写出n型半导体和本征半导体在低温弱电离区、强电离区、过渡区、本征激发区的电中性方程n。

=nD+低温弱电离区n。

=nD 强电离区n。

=nD+P。

过渡区n。

=P。

本征激发区本征半导体电中性始终满足：n。

=P。

四：五：六：1,对于平衡能带图，见书上原图2.对于pn结来说，同一种载流子，在势垒区的两边的浓度关系满足玻尔兹曼分布函数。

对于隧道二极管来说，由于两边重掺杂，发生载流子的简并化，载流子统计分布不再满足玻尔兹曼的分布，必须用费米分布函数来分析。

七：对于Ws>Wm的n型半导体金属结构，由于半导体的表面态的问题，当半导体表面受主态密度很高它可以屏蔽金属接触的影响，使半导体的势垒高度和金属的功函数几乎无关，而基本由半导体的的表面的性质决定。

八：对于异质结和同质结能带都会发生弯曲，但是对于以外质结来说能带发生了弯曲，单丝对于n型半导体来说，导带底和价带底弯曲量为qVD2，且在交界面上有一个向上的尖峰，p型半导体的导带底和价带底的弯曲量为qVD1，而且导带底在交界面上有一个乡下的凹口，此外能带在其交界面不连续，有一个突变的过程。

2007年天津大学硕士研究生入学考试半导体物理学试题

2007年天津大学硕士研究生入学考试半导体物理学试题
一．什么是空穴，说明其概念并简述其性质
二．试从能带结构角度分析金属与半导体导电原理有何不同
10V/m，由能带底到能带顶运动的时间三．设晶格常数为 2.5A，计算电子在E=7
10 JS)
（h=6.625*34
四．简述理想半导体与实际半导体的区别
五．两块硅材料的电子浓度比是n1/n2=e（e为科学常数），第一块材料的费米能级在导带一下3KT处，问第二块材料的费米能级EF的位置，两块材料中空穴浓度比p1/p2是多少？
六．解释海恩斯-肖克莱实验的基本原理
七．画出杂质半导体电导率随温度变化的曲线，并解释原因。

八．画出P-N结能带结构（零偏，正偏，反偏），注明导带，价带，费米能级，解释耗尽近似现象。

九．解释pn结与SDB的电流特性区别，SDB的优点与其在VISL上的应用。

十．画出P型MIS结构的电容随电压变化的曲线，包括反型，高频，低频，深耗尽状态，解释原因
十一．推导爱因斯坦关系式
十二．试述导质结能带结构特点，解释异质结比pn结高光注入率的原因
十三．从能量，动量，能带结构出发解释硅与砷化镓跃迁原理，若作发光材料，选用哪种材料比较好？
十四．简述太阳能电池原理，画出开路电压，短路电流随光照强度增强变化曲线。

十五．简述制冷器的原理
十六．分别试述热探针法与Hall法测半导体类型的原理。

2014年高考天津卷物理试题全解全析

绝密★ 启用前2014 年一般高等学校招生全国一致考试（天津卷）理科综合物理部分物理试卷分为第Ⅰ卷（选择题）和第Ⅱ卷两部分，第Ⅰ卷1至3页，第Ⅱ卷4至8页，共 120 分。

答卷前，考生务势必自己的姓名、准考号填写在答题卡上，并在规定地点粘贴考试用条形码。

答卷时，考生务势必答案涂写在答题卡上，答在试卷上的无效。

考试结束后，将本试卷和答题卡一并交回。

祝各位考生考试顺利！第Ⅰ卷注意事项：1.每题选出答案后，用铅笔将答题卡上对应题目的答案标号涂黑。

如需变动，用橡皮擦洁净后，再选涂其余答案标号。

2.本卷共 8 题，每题 6 分，共 48 分。

一、单项选择题（每题 6 分，共 30 分。

在每题给出的四个选项中，只有一个选项是正确的）1．质点作直线运动的速度—时间图像以下图，该质点A ．在第 1 秒末速度方向发生了改变B．在第 2 秒末加快度方向发生了改变C．在前 2 秒内发生的位移为零D．第 3 秒末和第 5 秒的地点同样1．【答案】 D【考点】速度图像【分析】依据图像表示的物理意义可知，图线与时间轴围城的面积表示物体的位移，斜率表示加快度；依据图象可知1s 末质点的速度方向没有变化，加快度的方向发生了变化， A 项错误；第 2s 末质点的加快度没有变化，速度方向发生了变化， B 项错误；前2s 内质点的位移为正， C 项错误； 3~5s 内图象与时间轴围城的面积绝对值为零，这段时间内质点的位移为零，所以第3s 末和第 5s 末质点在同一地点， D 项正确。

2．以下图，电路中R1、 R 2均为可变电阻，电源内阻不可以忽视，平行板电容器 C 的极板水平搁置。

闭合电建 S，电路达到稳准时，带电油滴悬浮在两板之间静止不动。

假如仅改变以下某一个条件，油滴还能静止不动的是A ．增大R1的阻值B．增大R2的阻值C．增大两板间的距离D．断开电键S2．【答案】 B【考点】电场力能的性质、电容器的动向剖析【分析】开始时辰油滴静止状态，说明遇到的电场力与重力等大反向。

2014年天津大学805工程热力学考研试题(回忆版)(1)

回忆版）
）
（回忆版
工程热力学考研试题（
8055工程热力学考研试题
2014年天津大学80
第一道题是选择(15个三十分)
第一道题是选择
a)三个温度比较大小
b)三类压缩功比大小
c)热电联产
第二道题是论述
第二道题是论述
a)热一律热二律的含义。

b)为什么评价空气潮湿用相对湿度，而不用绝对湿度，
c)水蒸汽定压发生过程各个阶段状态，过程，及状态参数的变化。

d)蒸汽制冷循环，的代价，收益，及cop如何表示等等。

第三道题是计算
第三道题是计算
a)t-s图，两个等压线，从低压到高压两个过程，一个熵增，一个熵减。

让分
析多变指数k的范围
b)是个热一律的大计算题，一个容器，中间一个板，无摩擦，绝热。

参考何亚
玲，热一律部分一个容器用电热丝加热那道题，缓慢移动看成可逆绝热过程，按等熵算。

c)一个简单可压缩系统，工质co，给出定容比热，有T1P1变化到T2P2，此过
程对外做功w，算此过程是否可逆（数值都是给出的）。

d)用热二律证明卡诺定理。

第四道题是简答
第四道题是简答
a)蒸汽压缩式制冷，设备，各点蒸汽状态，及过程；吸收式制冷设备，过程，
各点蒸汽状态
b)学硕，朗肯循环，设备，各点蒸汽状态，及过程
c)专硕，锅炉供热，热泵供热，论述。

东南大学硕士研究生考试2014半导体物理初试试题回忆版

2014半导体物理（回忆版）一．填空题（41分）比较简单，只要按照历年真题看，就没有什么大问题。

二．简答题（8*8=64分）1.处于本征激发的半导体载流子浓度，会随着时间一直增大吗？为什么？半导体中的载流子在电厂作用下，漂移速度会一直增大吗？为什么？2.准费米能级的定义，它与费米能级的区别与联系。

3.电子的连续性方程为g xn D n n n n x nq x n q t n +∆+∂∂+∂∂+=∂∂∂∂τεε22，分别写出以下三种情况的载流子连续性方程，并指出它们的区别： (i)半导体受光照，体内均匀产生载流子；(ii)半导体受光照，表层产生载流子；(iii)半导体受光照，半导体内均匀产生载流子且存在表面复合。

4.器件的饱和速度它与哪些因素有关，并解释饱和速度形成的机制？（答案就在就在唐洁影教材的155页）5.器件击穿时，以Si 为例说明它的击穿电压与温度变化的关系（亦即雪崩和隧道击穿的温度系数），并解释为什么会出现这种变化。

（指定的初试参考教材上好像没有这方面的解释，器件的教材上有）6.浓度从左到右依次为N N N N A A D D 2121,,,的半导体如下，试问：(i)两种重掺杂有什么目的，解释原因并画出图示PN 结的能带图（要标出费米能级EF ）；(ii)写出PN 结的内建电势；(iii)半导体左端接负电压，右端接正电压，画出它的电流电压曲线。

7.为提高半导体开关的速度，为什么在半导体之中掺入金？金的施主能级和受主能级同时起作用吗？P 型半导体之中的金呈什么状态？8.好像是解释GaAs 的多能谷效应的题目。

记得不是很清楚，但是不难。

三．计算题（15*3=45分）1.唐洁影电子工程物理第二版第四章课后第15题原题（162页）。

2.P 型硅中cm N A 31710-=，电子亲和能为4.01eV ，禁带宽度Eg=1.12eV 。

本征载流子浓度cm n i 310105.1-⨯=，求(i)费米能级EF 与禁带中央Ei 的的位置相距多少；(ii)硅的功函数为多少；(iii)该半导体与Ag 接触能带图是形成阻挡层吗？画出接触能带图，已知Ag 对的功函数为eV W Ag 81.4=。

2004年天津大学硕士研究生入学考试半导体物理学试题

2004年天津大学硕士研究生入学考试半导体物理学试题一．（15分）1.以硅，砷化镓能带结构不同来说明制作发光器件应选用哪种材料更好？（或用图表示）2.设半导体有两个价带，带顶均在k=0处且能量相等。

但带顶空穴有效质量不等，m m 213=，试定性画出两者的E-k 关系图，加以解释。

二．（10分）一热平衡非简并N 型半导体，写出其少数载流子浓度求解表达式。

为什么制造半导体器件一般都用含有适当杂质的半导体材料？VLSI 为什么基本选用硅材料而不用锗材料？三．（10分）某半导体Si 材料，室温下cm P 31601025.2-⨯=，请计算E F 的位置，指明其导电类型。

（设室温：cm n i 310105.1-⨯=，kT=0.026eV ）四．（15分）设半导体中主要以杂质电离散射和晶格振动散射为主要散射机构，其散射几率分别为：T p Ni i 5.1-∞和T p s 5.1∞,(1) 试写出半导体迁移率的表达式。

（2）根据图一中的a,b 两曲线，分析曲线c(设N 型掺杂)。

五．（10分）图二为某半导体能谷间散射示意图，请画出其对应的漂移速度示意图，并加以物理解释。

六．（10分）假定一束光均匀照射一N型半导体，内部均匀产生非平衡载浪子。

当光照在t=0时刻突然停止（1）写出此时少子遵循的连续性方程（2）写出非平衡少子随时间的变化规律。

七．（10分）图三为P型半导体光照前后的能带图。

问哪一个简图能正确的说明这一过程。

简述金在硅中影响少子寿命的原理。

如何控制寿命值。

八（20分）分别画出P-N结正偏下的能带图（表明E F）和反偏下的少子分布图。

分析影响硅P-N 结I-V特性偏离理想方程的各种因素。

九．（17分）一P型硅衬底MIS结构。

定性画出其理想C-V特性曲线；画出MIS结构等效电路图，写出总电容表达式；指出半导体表面处于耗尽，堆尽，反型状态时外加电压的情况。

十.（8分）对一P 型硅衬底MIS 结构，设表面处少子浓度]/exp[0kT qVs p n n s ,试推导表面发生强反型的条件。

2014年考研天津大学《803机械工程》考研真题(回忆版)

2014年考研天津大学机械工程803回忆版
首先感觉知识点考得很细，都是书上的内容，在书上能找到原话，所以要勤翻书，不光是看看还要多写写。

一.选择题，都是一些往年的知识点，像去年考转动副的摩擦今年又考了，所以大家在看往年真题选择时多注意下，相关知识点，问题应该不大
二.自由度计算今年计算部分很简单但后面有杆组级别分析机构级别分析（楼主已瞎平时看书不细遭报应了大家以后对任何知识点都不要掉以轻心）
后面的顺序就不记得了
三.画图部分
1.今年考的是凸轮机构
但考查形式有变化往年总考从动滚子转到哪了，求压力角啦blabla..今年考的是摆动从动滚子，问在摆动一定角度后的压力角凸轮转过角度考察角度有变化
2.力分析
蜗杆传动已知蜗杆转向旋向画出涡轮旋向转向
从动斜齿轮的力分析这次与以往不同这次要用圈点圈叉表示Ft
3.改错
看书要细要有蚂蚁啃大树的精神遇事不要慌复习不要心浮气躁.。

2014年高考物理真题(天津卷)(试题+答案解析)

2014年普通高等学校招生全国统一考试（天津卷）理科综合物理部分第Ⅰ卷一、单项选择题（每小题6分，共30分。

每小题给出的四个选项中，只有一个选项是正确的）1．质点做直线运动的速度—时间图象如图所示，该质点（）A．在第1秒末速度方向发生了改变B．在第2秒末加速度方向发生了改变C．在前2秒内发生的位移为零D．第3秒末和第5秒末的位置相同2．如图所示，电路中R1、R2均为可变电阻，电源内阻不能忽略，平行板电容器C的极板水平放置。

闭合开关S，电路达到稳定时，带电油滴悬浮在两板之间静止不动。

如果仅改变下列某一个条件，油滴仍能静止不动的是（）A．增大R1的阻值B．增大R2的阻值C．增大两板间的距离D．断开开关S3．研究表明，地球自转在逐渐变慢，3亿年前地球自转的周期约为22小时。

假设这种趋势会持续下去，地球的其他条件都不变，未来人类发射的地球同步卫星与现在的相比（）A．距地面的高度变大B．向心加速度变大C．线速度变大D．角速度变大4．如图所示，平行金属板A、B水平正对放置，分别带等量异号电荷。

一带电微粒水平射入板间，在重力和电场力共同作用下运动，轨迹如图中虚线所示，那么（）A．若微粒带正电荷，则A板一定带正电荷B．微粒从M点运动到N点电势能一定增加C．微粒从M点运动到N点动能一定增加D．微粒从M点运动到N点机械能一定增加5．平衡位置处于坐标原点的波源S在y轴上振动，产生频率为50Hz的简谐横波向x轴正、负两个方向传播，波速均为100m/s。

平衡位置在x轴上的P、Q两个质点随波源振动着，P、Q的x轴坐标分别为x P＝3.5 m、x Q＝－3 m。

当S位移为负且向－y方向运动时，P、Q两质点的（）A．位移方向相同、速度方向相反B．位移方向相同、速度方向相同C．位移方向相反、速度方向相反D．位移方向相反、速度方向相同二、不定项选择题（每小题6分，共18分。

每小题给出的四个选项中，都有多个选项是正确的。

全部选对的得6分，选对但不全的得3分，选错或不答的得0分）6．下列说法正确的是（）A．玻尔对氢原子光谱的研究导致原子的核式结构模型的建立B．可利用某些物质在紫外线照射下发出荧光来设计防伪措施C．天然放射现象中产生的射线都能在电场或磁场中发生偏转D．观察者与波源互相远离时接收到波的频率与波源频率不同7．如图1所示，在匀强磁场中，一矩形金属线圈两次分别以不同的转速，绕与磁感线垂直的轴匀速转动，产生的交变电动势图象如图2中曲线a、b所示，则（）A．两次t＝0时刻线圈平面均与中性面重合B．曲线a、b对应的线圈转速之比为2∶3C．曲线a表示的交变电动势频率为25 HzD．曲线b表示的交变电动势有效值为10 V8．一束由两种频率不同的单色光组成的复色光从空气射入玻璃三棱镜后，出射光分成a、b两束，如图所示，则a、b两束光（）A．垂直穿过同一块平板玻璃，a光所用的时间比b光长B．从同种介质射入真空发生全反射时，a光临界角比b光的小C．分别通过同一双缝干涉装置，b光形成的相邻亮条纹间距小D．若照射同一金属都能发生光电效应，b光照射时逸出的光电子最大初动能大第Ⅱ卷注意事项：本卷共4题，共72分。

2014年天津高考物理试题及答案

2014年普通高等学校招生全国统一考试（天津卷）理科综合物理部分一、单项选择（每小题6分，共30分。

每小题给出的四个选项中，只有一个选项是正确的）1. 质点作直线运动的速度—时间图像如图所示，该质点（）A. 在第1秒末速度方向发生了改变B. 在第2秒末加速度方向发生了改变C. 在前2秒内发生的位移为零D. 第3秒末和第5秒的位置相同2. 如图所示，电路中1R 、2R 均为可变电阻，电源内阻不能忽略，平行板电容器C 的极板水平放置。

闭合电建S ，电路达到稳定时，带电油滴悬浮在两板之间静止不动。

如果仅改变下列某一个条件，油滴仍能静止不动的是（）A.增大1R 的阻值B.增大2R 的阻值C.增大两板间的距离D.断开电键S3. 研究表明，地球自转在逐渐变慢，3亿年前地球自转的周期约为22小时。

假设这种趋势会持续下去，地球的其他条件都不变，未来人类发射的地球同步卫星与现在相比（）A.距地球的高度变大B.向心加速度变大C.线速度变大D.加速度变大4. 如图所示，平行金属板A 、B 水平正对放置，分别带等量异号电荷。

一带点微粒水平射入板间，在重力和电场力共同作用下运动，轨迹如图中虚线所示，那么（）A.若微粒带正电荷，则A 板一定带正电荷B.微粒从M 点运动到N 点电势能一定增加C.微粒从M 点运动到N 点动能一定增加D. 微粒从M 点运动到N 点机械能一定增加5. 平衡位置处于坐标原点的波源S 在y 轴上振动，产生频率50HZ 的简谐波向x 轴正、负两个方向传播，波速均为s m /100。

平衡位置在x 轴上的P 、Q 两个质点随波源振动着，P 、Q 的x 轴坐标分别为m x P 5.3=、m x Q 3-=。

当S 位移为负且向-y 方向运动时，P 、Q 两质点的（）A.位移方向相同、速度方向相反B. 位移方向相同、速度方向相同C.位移方向相反、速度方向相反D. 位移方向相同、速度方向相同二、不定项选择题（每小题6分，共18分。

(NEW)北京大学半导体物理历年考研真题汇编

2009年北京大学半导体物理考研真题（回忆版）
2010年北京大学半导体物理考研真题（回忆版）
说明：以下试题均来自网络的回忆版，仅供借鉴参考！
一、名词解释
1．有效质量近似
2．E-K关系
3．迁移率
4．过剩载流子
5．简并半导体
6．异质结
二、有一非均匀掺杂的N型半导体，其掺杂浓度随距表面的深度满足关系式为：N(x)＝N0x/L，其中L为半导体的厚度。试画出该半导体在平衡状态下的能带图，并求该半导体的形成的自建势。
四、一半导体存在两种掺杂杂质，施主杂质浓度和受主杂质浓度分别为 ND，NA，并且ND＞NA，试求出在低温下和本征情形下费米能级在禁带中的位置和随温度变化的趋势。
五、有一突变型PN结，结两边掺杂浓度为N0。
（1）在耗尽近似下，试求出在反向偏置电压VR下PN结势垒电容；
（2）在正向电压V下求出PN结边界处的载流子浓度；
五30分设nmospis衬底结构的栅氧化层厚度为ost氧化层的介电常数为os?金属栅和半导体功函数相同即ms???is的费米势??fifeeq???其中fe和ie分别为is的费米能级和本征费米能级
目录
2007年北京大学半导体物理考研真题
2008年北京大学半导体物理考研真题
2009年北京大学半导体物理考研真题（回忆版）
（2）假设N型的掺杂浓度为，写出该半导体的电中性条件表达式。在热平衡和完全电离条件下，分别写出电子和空穴浓度的表达式。
三、（30分）已知N型半导体和P型半导体均为非简并半导体，其掺杂浓度分别是和。
（1）在完全电离条件下，写出平衡PN结的自建势表达式；
（2）在突变结耗尽近似条件下，推导出PN结耗尽电容的C-V关系；

半导体物理真题

第一章1、Si、GaAs半导体材料的导带底、价带顶分别在k空间什么位置？其晶体结构和解理面分别是什么？哪个是直接带隙，哪个是间接带隙？(2006)2、对于金刚石结构的硅Si和闪锌矿结构的砷化镓GaAs，在（111）晶面上，其原子面密度和面间距都是最大，为什么Si的解理面是（111），而GaAs不是？(2007)3、半导体材料的禁带宽度Eg、N型半导体杂质激活能△Ed以及亲和势X分别表示半导体电子的什么状态特性？（2009年简答题7分）4、与真空电子运动相比，半导体中电子的运动有何不同？（2009年简答题7分）（1-9题63分，每小题7分(2010)）Array 5、如图是一个半导体能带结构的E–k关系；1）哪个能带具有x方向更小的有效质量？2）考虑两个电子分别位于两个能带中的十字线处，哪个电子的速度更大些？6、写出硅(Si)和砷化镓(GaAs)的晶体结构、禁带宽度和解理面。

？（2011年简答题6分）第二章3、高阻的本征半导体材料和高阻的高度补偿的半导体材料的区别是什么？(2006)• 1 深能级杂质和浅能级杂质概念（西交大）•1以硅为例，举例说明掺入浅能级和深能级杂质的目的和作用？（西电）• 2.什么是浅能级杂质？什么是深能级杂质？列举出半导体硅中各一种杂质元素的例子。

半导体中掺入这些杂质分别起什么作用? (2011)• 11、定性画出N 型半导体样品，载流子浓度n 随温度变化的曲线（全温区），讨论各段的物理意义，并标出本征激发随温度的曲线。

设该样品的掺杂浓度为ND 。

比较两曲线，论述宽带隙半导体材料器件工作温度范围更宽。

(2006-20分)• ４、室温下，一N 型样品掺杂浓度为Nd ，全部电离。

当温度升高后，其费米能级如何变化？为什么？一本征半导体，其费米能级随温度升高如何变化？为什么？（2007）• 4、一块N 型半导体，随温度升高，载流子浓度如何变化？费米能级如何变化？（2009）• 7、定性说明掺杂半导体费米能级与掺杂浓度和温度的关系是怎样的？（2010）• 10、（20分）设某一种半导体材料室温下（300 K ）本征载流子浓度为1.0 × 1010cm−3，价带和导带有效状态密度N V = N C = 1019 cm−3， • 1）求禁带宽度；• 2）如果掺入施主杂质N D = 1016 cm−3，求300 K 下，热平衡下的电子和空穴浓度；• 3）对于上面的样品，在又掺入N A = 2 × 1016 cm−3的受主杂质后，求新的热平衡电子和空穴浓度（300 K ）。

天津大学微电子学与固体电子学专业考研真题

天津大学微电子学与固体电子学专业考研真题天津大学微电子学与固体电子学专业考研复习都是有依据可循的,考研学子关注事项流程为：考研报录比-大纲-参考书-资料-真题-复习经验-辅导-复试-导师，缺一不可。

天津大学微电子学与固体电子学专业一共有四个研究方向，研究方向不一样，专业课的考试科目也有所不同，具体的初试科目情况如下：①101思想政治理论；②201英语一或202俄语或203日语；③301数学一；④811电路、813半导体物理或电介质物理、815信号与系统、839物理化学。

鉴于此，本人实在没办法回答和我报考科目不一样的考生的问题，最多只能分享一下我选的专业课科目---813半导体物理的复习资料，希望可以帮到大家一点点。

我用的真题复习资料是：天津大学813半导体物理考研全套复习资料。

资料中包含了如下的真题内容：天津大学半导体物理95－04、06-2011、2014、2015、2016年考研试题（2007-2011、2014、2015、2016年为本站特约考生团队回忆，全国独家特供，其余年份均为原版试卷），其中95-07年考研试题大部分附有参考答案。

而且按照我去年的经验，现在的这个时候，天津考研网会把17年真题及答案快递给我们，同学们可以上网咨询一下。

另外我在复习真题的时候，至少是做了三遍的，我认为真题是有反复做的价值的，所以我也建议大家多多做真题，认真地研读真题。

下面是我从资料中摘抄的部分真题，同学们可以参考参考：天津大学招收2016年硕士学位研究生入学考试试题考试科目名称：半导体物理考试科目代码：813所有答案必须写在答题纸上，并写清楚题号，写在试题上无效。

提示：本套试卷的部分试题对于学术型硕士研究生考生和全日制专业学位研究生考生有所区分，前面未标注的试题为所有考生必答题，前面有标注的试题请考生务必选择相应类型作答，选错不得分。

一、用能带理论解释导体、半导体、绝缘体的导电特性。

二、写出在热平衡状态下电子和空穴浓度，并解释本证半导体在T=OK时费米能级在禁带中央的位置。

2014年北京大学938半导体物理考研试题(回忆版)

2.一块 p-i-n 的结，如图，p 型半导体与 n’型半导体之间隔着一块本征半导体，设掺杂浓度分别为 Na，Nd，在突变耗尽的条件下求：

P 型半导体本证半导体 N 型半导体 -Xp 0
d Xn
（1）列出泊松方程。（2）求出最大场强 Em （3）验证总的电压降 ψm=，Wd=Xp+Xn （4）求出总的耗尽层宽度
2014 年北京大学 938 半导体物理考研试题（回忆版）
一、名词解释（30 分） 1.半导体载流子 2.超晶格 3.爱因斯坦关系 4.声子散射 5.俄歇复合 6.施主电离能
二、计算题 1.一块 n 型半导体，掺杂浓度在体内是呈线性关系，在 x=0 处为掺杂浓度为 N(0)，载流子浓度分别为 n，p，电势为 0，距离 X 处的电势为 V。画出该半导体在平衡时的能带图，求出 X 处的载流子浓度分别为多少。
3.异质结原题（2009 年第四题）
4.Mos 原题（2009 年第六题）
5.金半接触，金属功函数 φm＜n 型半导体功函数 φs，半导体亲和势 X，禁带宽度 Eg 画出该接触的在正向偏压与反向偏压下的能带图，分析 C-V 关系
6.假设距离导带底部三分之一禁带宽度有一个界面态，界面态密度很大，求此时该样品的接触电流。