毫米波数控移相器的设计与制作

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一种毫米波大相移量移相器设计方法

一种毫米波大相移量移相器设计方法
20 0 8年 l 2月
信 息 与 电 子 工 程
I NFORM ATI ON AND EL TRONI EC C ENGI NEERI NG
Vo 6. . 1. No 6
De , 0 C. 2 08
文 章 编 号 :1 7 — 8 2 2 0 )6 0 7 —4 6 2 2 9 ( 0 80 —4 8 0
ta iin ls t h d lneph s h fe tl w r q e c r d to a wic e — i a es it ra o fe u n y, t e mo et e s it d p a e, t em o e t e p a e h r h h fe h s h r h h s
中 图 分 类 号 :T 2 N6 3 文 献 标 识 码 :A
A sg f h wic e - i ePh s hfe t i i tr a eL r eP a eS i De ino eS th d ln a eS i rwi M l mee v a g h s hf t t h l W t
段 实 现 9  ̄ 1 0 大 相 移 量 的 原 理 和 关 键 技 术 ,使 用 A S仿 真 软 件 进 行 建 模 仿 真 。仿 真 结 果 满 足 0和 8 ̄ D
在频 带 内驻波 比小 于 1 ,移相精 度在 3 以内 ,验证 了该 方案 的可行 性。 . 3 。 关键 词 :谢 夫 曼开关 线型移 相器 ;大 相移量 ;毫米 波 ;A S仿真软件 D
Байду номын сангаас
匹配是行 波管 的固有 特性 , 合成 效率 的影响更 明显 。移相 器就是 用来改变 传输信号 相位 的器件 , 多路 行波管 对 使 之 间 的 相 位 通 过 移 相 达 到 均 衡 。 一 般 结 构 简 单 、 易 于 实 现 的 开 关 线 型 移 相 器 主 要 用 于 设 计 相 移 量 较 小 的 移 相 器 (25 和 4 。。由于 开关线 型移相 器带 内相移 变化量 与 中心频 率处相 移量成正 比 , 以移 相器所 要求 的相移越 大 , 2. 。 5) 所 频带 内的相 移变化量 就越 大 。因此 ,传 统 的开关线型移 相器很 少用于 实现较 大的相移量 (0和 10) 9 。 8 。。而对 于毫米

单片射频微波集成电路技术与设计 MMIC移相器

单片射频微波集成电路技术与设计 MMIC移相器

&8.2 数字移相器
电子科技大学
• 数字移相器种类
(1)开关线型; (2)反射型; (3)负载线型; (4)开关滤波; (5) 天然的1位数字移相器。
•开关线型数字移相器
开关线型延迟线
4位移相器设计和加工制造基于90微米厚的 GaAs基片上的0.6微米MESFET工艺,芯片尺寸为 2.5×1.3平方毫米。所有16个相位状态下的测量性 能表明在中心频率处,插入相位偏移预期值的最大 值3.3度,在42GHz到46GHz频率范围内,所有相位 18 状态的插入损耗小于1.5dB。
2
真实移相器频率特性 (a)插入相位,(b)相对移相,(c)群延迟
2.真实时移器(真实延迟线 )
电子科技大学
在确定的工作频段内具有平坦的群延迟频率响 应,群延迟量不随插入相位变化而变化的控制 设备,其具有下列两个特征: (1)线性的相对移相频率响应,斜率随移相量 值改变而变化; (2)平坦的群延迟延频率响应的改变,其量值 变化将导致输入RF脉冲包络的时间特征发生变 化。 群延迟相对移动量
电子科技大学
23 嵌入式MESFET开关滤波器移相器(a)基本拓扑结构,(b)等 效高通滤波器结构,(c)等效低通滤波器结构
对于宽带应用,需要增加滤波元件的数量。然 电子科技大学 而滤波器的带宽不仅取决于两个滤波器的特性,同 时也依赖于两个SPDT开关的带宽和隔离度性能。由 于采用非常小的集总元件代替了长分布式传输线, 开关滤波移相器芯片尺寸比等效的开关线型、反射 型或加载线型器件实现小得多。
•4.4-16.1GHz单片移相器
F20工艺;多层耦合器; 2.75 ×2.0mm2 。
在C(0)/C(10V)约为4.6条件下, 最大相对移相量98度。4.416.1GHz内,各种偏置条件下,最 11 二倍频程带宽单片集 大均方根相位误差仅为±2.8度。

毫米波四位数字移相器设计 (2)

毫米波四位数字移相器设计 (2)

毫米波四位数字移相器设计张大炜,延波,徐锐敏电子科技大学电子工程学院,成都(610054)E-mail :microwavezhang@摘 要:本文以Ka 波段数字移相器为例,经过分析和试验研究,采用加载线和反射型移相方式,并利用PIN 二极管作为开关元件,实现了在毫米波频率(33.9GHz ~34.5GHz )工作的四位数字移相器。

此移相器具有低插入损耗,低相位误差以及电压驻波小等特点。

关键词:毫米波,数字移相器,加载线,3dB 支线耦合器1. 引言毫米波介于微波与红外激光之间[1],一般指的是波长介于 1~10mm 的一段电磁波频谱,其相应的频率范围为 30~300GHz 。

本文设计的移相器位于Ka 波段。

Ka 波段就是指频率范围在26.5-40GHz 的电磁波。

移相器在移动通信、电子战、相控阵和智能天线中得到了广泛的应用[1]。

在微波频率,设计数字式移相器有三种不同的方法。

一种方法是用铁磁性材料的特性以获得可变换的相移。

第二种设计数字移相器的主要手段是利用半导体器件。

根据所用的半导体器件的不同,又可以分为PIN 二极管移相器和FET 场效应管移相器。

最后一种方法是利用新兴技术微电子机械实现的MEMS 移相器。

常用的半导体数字移相器电路有五种[4] [2]:开关线移相器、负载线移相器、反射式移相器、谢夫曼(schifman)移相器(3)和平衡式移相器。

开关线移相器是利用移相线和参考线的电长度的不同实现相移。

负载线移相器是利用其并联支节的开路接地和短路接地的不同来实现。

加载线型移相器的工作带宽窄,因此这种移相器多用在较小的相移量情况。

反射式移相器是在微波传输线的终端接有可变反射系数的元件构成的。

在微带式移相器中,分隔输入信号和输出信号的网络多采用分支电桥或定向耦合器。

谢夫曼移相器是利用谢夫曼观察到的耦合线的相移响应具有色散特性这一特点研制的宽带移相器.平衡式移相器是利用路径完全相同的两条通道.而且两只PIN 开关总是一只通、一只断,使两种相移状态保持相等损耗,因而从原理上讲不产生寄生调幅。

基于CMOS工艺毫米波数控移相器研究与设计

基于CMOS工艺毫米波数控移相器研究与设计

基于CMOS工艺毫米波数控移相器研究与设计基于CMOS工艺毫米波数控移相器研究与设计摘要:随着无线通信技术的快速发展,对于高性能射频(RF)解决方案的需求日益增加。

毫米波通信作为下一代无线通信技术的重要组成部分,其频率高、传输速率快的特点使其受到广泛关注。

而毫米波数控移相器作为毫米波射频前端电路中重要的功能模块,对于实现频率合成和信号处理等功能起到关键作用。

本文将基于CMOS工艺对毫米波数控移相器进行研究与设计,以提高其性能和应用范围。

关键词:毫米波通信,数控移相器,CMOS工艺,射频前端1. 引言毫米波通信作为一种新兴的无线通信技术,其频率范围从30GHz到300GHz,相比传统的无线通信频段,具有更大的带宽和更高的传输速率。

这使得毫米波通信可以满足日益增长的无线数据传输需求,成为解决现有无线通信瓶颈的有效途径。

数控移相器是一种能够实现信号的相位调节的电路,其通过调节输入信号的相位,可以实现频率合成、相位锁定等功能。

在毫米波通信中,数控移相器广泛应用于频率合成、信号调制和正交解调等关键模块。

因此,研究和设计基于CMOS工艺的毫米波数控移相器是非常必要的,可以提高其集成度、性能和应用范围。

2. CMOS工艺在毫米波通信中的应用前景CMOS工艺是一种低功耗、低成本的集成电路制造工艺,广泛应用于数字集成电路的设计与制造。

然而,在过去的几十年里,CMOS工艺一直无法满足高频率和高速度要求。

而随着科技的进步,CMOS工艺逐渐发展出了适用于高频率应用的版本,使得其在毫米波通信中的应用前景逐渐被看好。

CMOS工艺具有低功耗、集成度高、成本低等优点,可以实现大规模的集成电路设计。

与传统的GaAs工艺相比,CMOS工艺在射频前端电路设计中具有更高的灵活性和可行性。

因此,基于CMOS工艺的毫米波数控移相器具有巨大的发展潜力。

3. 毫米波数控移相器的设计原理毫米波数控移相器是一种能够实现射频信号相位调节的电路,其工作原理主要基于电容变化或电感变化。

15~17GHz高精度单片数控移相器的研制

15~17GHz高精度单片数控移相器的研制

Ab t a t s r c :Th s p p rd s rbe e i o sde a i n a r o man e o — nd mon lt — i a e e c i s d sgn c n i r to nd pe f r c fa Ku ba o ih
P AN a f n 。 S Xi o e g ’ HE Ya HONG e N W i
(Na jn eto i vcsI siue nig Elcr ncDe ie n t t ,Na n t g,2 0 1 1 0 6,C N ) H
( col fIfr ai c ne n gneig, otesUnvri , nig 1 0 6 C Z ho o om t nS i c dEn iern S uhat iesy Naj ,2 09 , HN) S n o e a t n
t a . B r r m 5 t 7 GH z o l 6 t t s t e me s r d i s r i n l S S 9d n h h n 0 4 d ms fo 1 o 1 .F r al 4s a e , h a u e e to Si B a d t e n O
i p a es it ru i zn c h s h fe tl i g NEDIO 2 m AsPHE T r c s .Th e eo e 一 i p a e s i e i . 5 Ga M p oes ed v l p d 6 b t h s h f r t
・ 联 系 作 者 :— i x8 42 h t i cr E mal f5 0@ omal o :p . n
潘晓枫 沈 洪 亚 伟
( 南 京 电 子器 件 研 究 所 , 京 , 10 6 ( - 南 2 0 1 ) 东南 大 学 信 息 科学 与工 程 学 院 , 南京 , 10 6 209)

毫米波数控移相器的设计与制作

毫米波数控移相器的设计与制作

A bstract : Phase sh ifters is an i m portant c ircuit for T /R syste m s o f the m illi m eter w ave phased array radar. B ased on the Ag lient IC CAP and G a A s foundry process lin e , the test and mode ling techn iques for the G a A s sw itch dev ice and its applicat io n w ere stud ied . A Ka band 5 b it dig ita l phase sh ifterMM IC w as successfu lly fabricated usin g 0 15 m G aAs PHEMT process . T he desig n and process w ere illu strated , and the practica l test results were g iv en. A sw itch filter topo logy w as em ployed in the desig n o f the phase shifter . T he phase shifter w as m easured by on w afer m easure m ent system. It de m onstrates a m ax i m um RM S phase erro r of 5 , a nom in al IL o f 8 dB, a nom ina lVS W R of 2 over 34 GH z to 36 GH z bandw idth. T he chip size of th e phase shifter is 2 5 mm 1 5 mm 0 1 mm. K ey words : m illi m eter w ave ; sw itch ; phase shifter ; GaA s ; PHEMT EEACC: 1350 H

矩形桥式共面波导结构的毫米波微机电系统移相器[发明专利]

矩形桥式共面波导结构的毫米波微机电系统移相器[发明专利]

专利名称:矩形桥式共面波导结构的毫米波微机电系统移相器专利类型:发明专利
发明人:吴群,傅佳辉,孟繁义,杨国辉,靳炉魁,唐恺,贺训军
申请号:CN200810064370.6
申请日:20080423
公开号:CN101276950A
公开日:
20081001
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:矩形桥式共面波导结构的毫米波微机电系统移相器,它涉及微机电系统移相器。

它解决了现有MEMS移相器存在单桥相移量小、相位精度低的问题。

本发明的金属槽形矩形桥(8)覆盖在n个金属桥(5)的上方,金属槽形矩形桥(8)的桥壁下端固定在共面波导(1)上的两根地线(4)上,金属槽形矩形桥(8)顶部的桥梁与共面波导(1)平行。

本发明的金属槽形矩形桥覆盖了MEMS金属桥及跨接了两侧的地线,使得电磁波的传输被限制在矩形桥以内,因而降低移相器的辐射损耗,由于信号线和地线之间的耦合度增大,表面电流得到分散,进而降低了传导损耗,减少了相邻器件间的电磁干扰,有效地减小了附加的波导桥尺寸。

申请人:哈尔滨工业大学
地址:150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
国籍:CN
代理机构:哈尔滨市松花江专利商标事务所
代理人:吴国清
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11.25°毫米波数字移相器的设计

11.25°毫米波数字移相器的设计

11.25°毫米波数字移相器的设计
刘玥玲;杨永辉;周邦华
【期刊名称】《固体电子学研究与进展》
【年(卷),期】2010(30)1
【摘要】设计了一种Ka波段11.25°数字移相器。

采用一前一后加载支线的方式,在Ka波段内研制出11.25°数字移相器。

该移相器在30~31GHz工作频带内,驻波比小于1.65,插入损耗小于3dB,固定相移11.25°,相位精度达到±3°。

【总页数】5页(P80-84)
【关键词】毫米波;数字移相器;负载线移相器;相移
【作者】刘玥玲;杨永辉;周邦华
【作者单位】中国工程物理研究院电子工程研究所
【正文语种】中文
【中图分类】TN623
【相关文献】
1.一种毫米波大相移量移相器设计方法 [J], 刘玥玲;杨永辉;周邦华
2.基于混合量化移相器的毫米波大规模MIMO预编码设计 [J], 丁青锋;罗静;高鑫鹏;石辉
3.一种新颖的共享一个兰格耦合器的22.5°和11.25°MMIC多倍频程移相器(英文) [J], 戴永胜;陈堂胜;杨立杰;李辉;俞土法;陈新宇;郝西平;陈效建;林金庭
4.数字/模拟兼容的超宽带90°、45°、22.5°、11.25°单片移相器 [J], 戴永胜;陈堂
胜;岑元飞;俞土法;李辉;李拂晓;陈效建
5.过尺寸毫米波铁氧体移相器的工程设计 [J], 刘明宇;张江华
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基于开口谐振环的毫米波差分移相器设计

基于开口谐振环的毫米波差分移相器设计

基于开口谐振环的毫米波差分移相器设计
周汉西;王平;严仲明;王豫
【期刊名称】《压电与声光》
【年(卷),期】2022(44)5
【摘要】该文提出了一种工作于30~32 GHz的毫米波差分移相器,其尺寸为30 mm×18 mm×0.127 mm。

该移相器以微带线为基础进行设计,由中心圆环及一对开口谐振环(SRR)共同组成。

通过改变中心圆环的半径大小实现在工作频段内的S
参数优化。

以参考线的输出相位为基准,通过改变开口谐振环半径依次实现22.5°、45°、90°的差分移相。

结果表明,在所设计的频段内,该移相器的回波损耗小于-10 dB,插入损耗小于1.4 dB,仿真最大移相误差小于5°。

该移相器结构简单,便于制造。

通过实物样品测试,验证了其仿真结果的可靠性。

【总页数】4页(P822-825)
【作者】周汉西;王平;严仲明;王豫
【作者单位】西南交通大学电气工程学院
【正文语种】中文
【中图分类】TN623
【相关文献】
1.一种基于开口谐振环的高增益宽带双极化天线设计
2.基于多开口谐振环的双频左手材料设计
3.基于开口谐振环的K波段超材料微带天线尺寸优化设计
4.基于双面
多开口谐振环的THz微带天线优化设计5.一种基于半圆形开口谐振环结构的太赫兹环偶极子超表面设计
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A bstract : PБайду номын сангаасase sh ifters is an i m portant c ircuit for T /R syste m s o f the m illi m eter w ave phased array radar. B ased on the Ag lient IC CAP and G a A s foundry process lin e , the test and mode ling techn iques for the G a A s sw itch dev ice and its applicat io n w ere stud ied . A Ka band 5 b it dig ita l phase sh ifterMM IC w as successfu lly fabricated usin g 0 15 m G aAs PHEMT process . T he desig n and process w ere illu strated , and the practica l test results were g iv en. A sw itch filter topo logy w as em ployed in the desig n o f the phase shifter . T he phase shifter w as m easured by on w afer m easure m ent system. It de m onstrates a m ax i m um RM S phase erro r of 5 , a nom in al IL o f 8 dB, a nom ina lVS W R of 2 over 34 GH z to 36 GH z bandw idth. T he chip size of th e phase shifter is 2 5 mm 1 5 mm 0 1 mm. K ey words : m illi m eter w ave ; sw itch ; phase shifter ; GaA s ; PHEMT EEACC: 1350 H
图 1 PHEM T 开关示意图 F ig 1 D iag ra m o f the PHEM T sw itch
修正。 1 3 移相器的设计 GaAsMM IC 数控移相 器的拓扑有开 关线、加 载线、开关滤波等多种结构, 其中开关滤波器结构 是 GaA s MM IC 数控移相器 普遍采用的结 构之一 , 本文在毫米波数控移相器的研制中也采用这一实现 方式。 180 , 90 和 45 移相单元移相网络采用图 3 所示 T 型高 /低通滤波网络。
基金项目 : 国家重点实验室资助项目 ( 9140C0610010905)
GaAs PH EMT 工艺的单片集成数控移相器具有体积 小、无功耗、性能稳定的优点。 T r i Q uint公司 2004 年 9 月 报 道 了一 款 5 位 毫 米 波 数 控 移相 器 ( TGP2102 EPU ), 插 入 损 耗 典 型 值 7 dB, 32~ [ 1] 37 GH z 频 率范围内 RMS 移相误差小于 5 。 2006 年 8 月 报 道 了 一 款 180 毫 米 波 数 控 移 相 器 ( TGP2104) , 插入损耗典型值 3 5 dB, 30~ 40 GH z 频率范围内移相误差小于 15 。 本文以 G a A s 0 15 m PHEMT 工艺平 台为基 础 , 概述了毫米波移相器的关键器件 PH EMT 开关 器件的版图设计及模型提取过程, 介绍了毫米波数 控移相器的设计方法 , 并给出了研制结果。
当材料结构、器件版图结构和工艺条件确定的 情况下, 提取单位栅宽参数 , 然后根据总栅宽与单 位栅宽参数的换算关系 , 便可得到不同栅指、栅宽 的器件模型参数 1 2
[ 3- 7]

PHE M T模型提取 提取模型采用安捷仑 IC CAP 软件, 基于器件
导通、关断状态 S 参数测量数据, 通过直接计算或 优化的方法提取全部模型参数。包含本征参数及寄 生参数 的 等效 电 路 模 型 如图 2 所 示, 其 中 C p s, C pd, L s, L d和 L f 为 器件 的寄生 电容 和寄 生电 感, R g为起栅极射频隔离作用的特定外接大电阻 , 器件 自身栅电阻很小 , 可 忽略。 R d s和 C g 在器件导 通、 关断时具有不同的阻值和容值, 本文测试提取的开
( 2)
-
Bn + 2 X n - B nX 2 1- B nX n
2 n
( 3) 保持相
当 X n和 B n两者都改变符号时 , 相位 高通网络之间切换引起的相移为 2 Bn+ 2 X n - B nX n - 1 ! = 2 tan 2 1- B nX n 移相器带宽可以通过考虑
1
同幅度而改变符 号, S 21幅度不 变。因此在 低通和
态时电阻 R ds为每毫米栅宽 1 22 , 关态时电阻 R ds 为每毫 米 栅宽 1 1 M , 关 态 电容 为 每毫 米 栅宽 0 29 pF。所有元件都表征为器件栅宽和栅指数的 函数, 便于电路的设计、优化、仿真。在器件版图 结构相同的情况下, R ds随着总栅宽的增加而减小 , C g 随着总栅宽的增加而变大, 开态时的 R d s和关态 时的 C g参数对开关器件的高频性能至关重要 , 提 取时需特别注意
2
DRC 等检查 , 提高设计成功率。 ( 1)
2 移相器制作
移相器设计完成后进行掩模版制作, 最后由中 国电 子 科 技集 团 公 司 第 十 三 研 究 所 4 英 寸 ( 100 mm ) GaA s 0 15 m PHEMT 工艺生产线进行 加工制作, 在圆片加工过程中采用了 PCM 工艺监 控技术 和 SPC 统 计 过 程 控制 技 术 , 保 证 了 高成 品率。 毫米波电路对工艺加工精度要求较高 , 需要对 薄膜电容氮化硅介质厚度、 T 型栅栅长、挖槽深度 等参数严加控制 , 采用电子束直写、选择性挖槽和 电子束蒸发等技术制作。螺旋电感内部端子引出和 电容上极板引出采用空气桥跨接方式 , 尽量减小寄 生参数影响。芯片背面大面积镀金, 正面采用打孔 到背面进行接地 , 减少电路寄生影响 , 又减小了布 线难度和复杂性。最后在芯片表面, 除输入 /输 出 微波压点及直流压点外覆盖氮化硅进行保护, 提高 芯片可靠性。
D esign and Fabrication of D igitalM illi m eter W ave Phase Shifters
W ang X iangw e,i Gao Xuebang, W u H ongjiang , L i Fuqiang
( The 13 th Research Institute, CETC, Shijiazhuang 050051 , China )
0 引言
毫米波系统相比微波系统, 具有设备小型化、 波束方向性强、频带宽的特点。可广泛用于大容量 及保密通信、雷达等领域, 随着毫米波技术的日趋 成熟 , 各种新的应用不断出现, 对毫米波产品的需 求也越加迫切。 数控移相器是毫米波相控阵雷达收发系统重要 电路 , 典型应用是通过改变信号相位实现电磁波空 间合成, 主要 采用 GaA s PHEMT 工 艺实现。采用
[ 4]

图 2 PHEM T 开关模型 F ig 2 M odel o f the PHEM T sw itch
器件建模需要进行大量的测试、统计工作 , 非 常繁琐 , 需要细心做好每一个细节, 并做好测试记 录
[ 4]
。在毫米波频 段必要时还需结 合电磁场仿真
方法, 分析开关器件开态、关态时空间电磁耦合的 影响。提取的模型参数必须经过统计确认后, 方可 带入电路设计中 , 日常工作中还需通过多种实际电 路进行不断验证 , 当工艺等条件改变时进行及时地
F ebruary 2011 图 3 T 型高通与低通 滤波网络 F ig 3 H igh and low pass filters Sem iconductor T echnology Vo l 36 N o 2
141
王向玮
等 : 毫米波数控移相器的设计与制作
图 3 中所示网络归一化 ABCD 矩阵可写作 1- B nX n Bn j j( 2 X n - B nX n ) 1- B nX n
( 4)
2

随频率的变
1
化加以讨论。 T 型结构低通滤波器相位延迟

频率升高而增加, 而高通滤波器相位超前 2随频 率的升高而减小, 因此两个变化趋向互补, 从而可 以使 ! =
2
-
1
=
2
+
1
相对保持不变。
3 测试结果与讨论
K a波段 5 位数控移相器的芯片照片如图 5 所 示 , 微波信号的输入端设置在芯片的左边 , 输出端 设 置 在 芯 片 的 右 边, 直 流 控 制 端 ( 压 点 间 距 150 m ) 设置在芯片下方 , 输入 /输出均为共面波 导接口便于在片测试 , 芯片外形尺寸为 2 5 mm 1 5 mm 0 1 mm。
2011 年 2 月
[ 2]
140 半导体技术第 36 卷第 2 期
王向 玮
等 : 毫米波数控移相器的设计与制作
1 移相器设计
PHEMT 开关器件模型是毫米波数控移相器设计 中的关键 , 单片电路规模越大, 指标和频段越高, 对器件模型要求越高, 准确的器件模型对提高设计 成功率、缩短研制周期非常重要。器件模型参数容 易受工艺条件、工艺设备及工艺流程差异的影响, 需要采用直流、微波测试技术和电磁场分析相结合 的方法进行建模。考虑到毫米波频段对性能指标、 工艺容差、加工成本等方面的要求, 在选取电路拓 扑结构时, 本文选用了开关滤波器结构进行设计。 这种结构工艺偏差对性能影响较小、设计简单、易 于调整, 另外这种结构驻波较好、易于级联、组合 态插入损耗幅度变化、相移误差较小、易于应用。 1 1 PHE M T开关器件的工作原理 器件工作在无源状态, 栅极外接射频隔离电阻 时, 栅对漏、源射频信号近似开路 , 开关器件可用 R, L, C 集总 元件表征。器件导通 时, 可看 作是 阻值很小的电阻, 如图 1 ( a) 所示; 器件关断时, 可看作阻值很大的电阻与容值很小的电容并联, 如 图 1 ( b) 所示。
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