模电期中试卷

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模拟电路期中试题

一、选择题(每小题3分，共30分)1、在本征半导体中加入元素可形成N 型半导体，加入元素可形成P 型半导体。

A. 五价B. 四价C. 三价2、PN 结加正向电压时，空间电荷区将。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽3、设二极管的端电压为v D ，则二极管的电流方程是。

A. D v I e SB. T D V v I e SC. )1e (S －T D V v I4、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。

A. 增大B. 不变C. 减小5、稳压管的稳压区是其工作在。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿6、光电二极管正常工作时，工作在( )，发光二极管发光时，其工作在( )。

A ．正向导通区B ．反向截止区C ．反向击穿区7、（）如图，V为理想二极管 A V 导通，V AB =0V 。

B V 导通，V AB =15V 。

C V 截止，V AB =12V 。

D V 截止，V AB =3V 。

8、（）如图，V 为理想二极管A V 截止，V AB =12V 。

B V 导通，V AB =6V 。

C V 导通，V AB =18V 。

D V 截止，V AB =0V 。

9、（）二极管两端加上正向电压时A 一定导通B 超过死区电压才能导通B 超过0.7伏才能导通 D 超过0.3伏才能导通10、二极管的反向电阻（）。

A ．小B ．大C ．中等D ．为零11、温度上升时，半导体三极管的( )A.β和I CEO 增大，uBE 下降 B.β和u BE 增大,I CEO 减小C.β减小，I CEO 和u BE 增大D.β、I CEO 和u BE 均增大 12、测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为( )A.PNP 型硅B.NPN 型锗管C.PNP 型锗管D.PNP 型硅管13、在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，uo 与ui 相位6V －－8V －2.2V ① ③图1相反、|Au|>1的只可能是( )A.共集电极放大电路B.共基极放大电路C.共漏极放大电路D.共射极放大电路14、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（），该管是（）型。

模电期中测试题答案

模电期中测试题参考答案一、填空题：（20分）1、最常用的半导体材料有和。

硅；锗2、在半导体中，参与导电的不仅有，而且还有，这是半导体区别于导体导电的重要特征。

自由电子；空穴3、如果在本征半导体晶体中掺入五价元素的杂质，就可以形成______________型半导体。

N （电子型）4、P 型半导体中是多数载流子，是少数载流子。

空穴、自由电子5、在杂质半导体中，多子的浓度主要取决于掺入的杂质的__________，少子的浓度主要取决于__________。

浓度；温度6、当PN 结正向偏置时，PN 结处于状态；当PN 结反向偏置时，PN 结处于状态，可见，PN 结具有性。

导通、截止、单向导电性7、要使稳压二极管起到稳压作用，稳压二极管应工作在区。

反向击穿8、晶体三极管工作在放大状态的外部条件是、。

发射结正偏、集电结反偏9、当三极管工作在区时，关系式B C I I β=才成立；当三极管工作在区时，0≈C I ；当三极管工作在区时，0≈CE U 。

放大区、截止区、饱和区10、___________是衡量放大电路对不同频率输入信号适应能力的一项技术指标。

频率响应二、选择题：（20分）1、在如图所示电路中，工作于正常导通状态的二极管是（C ）2、图示电路中当开关S 闭合后，H1和H2两个指示灯的状态为（C ）。

A ．H1、H2均发光B ．H1、H2均不发光C ．H1发光、H2不发光D ．H1不发光、H2发光3、3DG6D型晶体三极管的PCM =100毫瓦，ICM=20毫安，UBR(CEO)＝30伏，如果将它接在IC＝15毫安，UCE＝20伏的电路中，则该管（C）A. 被击穿B. 工作正常C. 功耗太大过热甚至烧坏4、共射极放大电路中信号的输入端是（B）。

A 发射极B 基极C 集电极D 栅极5、某单管共发射极放大器的输出电压波形如图所示，则该放大器产生了（B）。

A、饱和失真B、截止失真C、频率失真 D．交越失真6、电路如图所示，要增加三极管集电极静态电流，最有效的方法是( D )。

模拟电子技术期中考试卷

模拟电子技术期中考试卷
1.（10分）两级阻容耦合放大电路如图所示，已知T 1的g m =1ms ，r ds =200k Ω， T 2的β=50，r be =1k Ω，⑴画出该放大电路的微变等效电路；
⑵求放大电路的电压放大倍数i O U U A .
../ ；
⑶求放大电路的输入电阻R i 和输出电阻R o ;
2. （10分）已知电路如图所示，T1和T2管的饱和管压降│U CES │＝3V ，V CC ＝15V ， R L ＝8Ω。

选择正确答案填入空内。

（1）电路中D1和D2管的作用是消除。

A ．饱和失真
B ．截止失真
C ．交越失真
（2）静态时，晶体管发射极电位U EQ 。

A ．＞0V
B ．＝0V
C ．＜0V
（3）最大输出功率P OM 。

A ．≈28W
B ．＝18W
C ．＝9W
（4）当输入为正弦波时，若R 1虚焊，即开路，则输出电压。

A ．为正弦波
B ．仅有正半波
C ．仅有负半波
（5）若D1虚焊，则T1管。

A ．可能因功耗过大烧坏
B ．始终饱和
C ．始终截止
U
o
CC。

《模拟电子技术基础》期中测试题

《模拟电子技术基础》期中测试题一、填空题:(40分1.在本征半导体中加入三价元素可形成 p 型半导体,加入五价元素可形成 n 型半导体。

2.当PN 结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变 zai ;当PN 结外加反向电压时,扩散电流小于漂移电流,耗尽层变宽。

3.二极管最主要的特性是单向导电。

在常温下,硅二极管的开启电压约 0.5 V ,导通后在较大电流下的正向压降约0.7 V ;锗二极管的开启电压约 0.1 V ,导通后在较大电流下的正向压降约0.2 V 。

4.为保证三极管处于放大状态,其发射结必须加正向偏置电压,集电结必须加反向偏置电压。

5.场效应管是一种亚控器件,它利用善缘电压控制漏极电流i D 。

6.NPN 型三极管共射放大电路的输出波形有底部失真,它属于饱和失真,消除该失真要增大 Rb 的阻值。

7.某三极管的极限参数P CM =150mW,I CM =100mA,U (BRCEO =30V,若它的工作电压U CE =10V,则工作电流I C 不得超过 mA ;若工作电压U CE =1V ,则工作电流不得超过 mA ;若工作电流I C =1mA,则工作电压不得超过 V 。

8.图1.8(a和(b是两个放大管的不完整的符号,根据图中所给数据和电流方向,判断它们的导电类型分别为型和型,用半导体材料和制成,电流放大系数β分别为和。

图1.8图1.99.根据图 1.9中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为饱和、放大、截止。

10.三极管处于放大状态时,是工作在其特性曲线的放大区;场效应管工作在放大状态时,是工作在其特性曲线的恒流区。

11.集成运放的内部电路是一种耦合的多级放大电路,它的放大倍数非常高,但是各级静态工作点Q是相互的。

12.互补对称输出电路容易产生交越失真,主要因为两个对称三极管特性有电压,在回路加偏置电压可消除该失真。

13.阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立,能够放大高频信号。

《模拟电子技术(第2版)》试题库模电期中试卷

《模拟电路》课程期中试卷班级姓名学号成绩一、选择题（将一个正确选项前的字母填在括号内）（每小题2分、共30分）1. 在实际工作中调整放大器的静态工作点一般是通过改变( )A.发射极电阻B. 基极电阻C. 集电极电阻D.三极管的值2.在三极管的基本组态电路中 ( )A.共发组态输出电阻最小B.共发组态输入电阻最小C.共基组态输出电阻最小D.共集组态输入电阻最大3. 若要稳定输出电流同时提高输入电阻，可加入下列负反馈()A.电流串联B.电压串联C.电流并联D.电压并联4. 为了稳定静态工作点，电路中应该引入()A.交流负反馈B.直流负反馈C.直流正反馈D.交流正反馈5. 差分放大器是一种直接耦合放大器，它( )A.只能放大直流信号B.只能放大交流信号C.不能放大交流信号D.可以抑制共模信号6. 直接耦合放大电路零点漂移产生的主要原因是( )A.输入信号较大B.环境温度C.各元件质量D.电压放大倍数7. 如图所示为示波器测量正弦波波形参数的画面，若“TIME/DIV”的指示值是2μs，则所测正弦波的频率为（）A．500kHz B．250kHz C．125kHz D．100kHz8. 如上图所示为示波器测量正弦波波形参数的画面，若“mV/DIV”的指示值是50，则所测正弦波的最大值为（）A.230 mV B．80 mV C．115 mV D．100 mV9. 用万用表欧姆档辨别发光二极管的阴、阳极时，应该把欧姆档拨到（）A．R×100或R×1k档B．R×1档C．R×10档D．R×10k档10. 若反馈信号与输出电压信号成比例，则引入的反馈是( )A.电流负反馈B.电压负反馈C.并联负反馈D.串联负反馈11. 在深度负反馈下闭环放大倍数比较稳定的原因是( )A.改善了非线性失真B.输入电阻增大C.输出电阻减小D.反馈网络的稳定特性12. 集成运放为了克服温漂问题，输入级大多采用的电路为( )A.共射电路B.差分放大电路C. 共集电路D. 共基电路13. 要从函数信号发生器上输出峰峰值为50mV的信号，正确的衰减设置( )A.全部弹出B.仅20dB按钮按下C.仅40dB按钮按下D.全部按下14. 电压跟随器在电路中可能起的作用有( )A.放大电压信号B.放大电流信号C.减小电路的输入电阻D.缓冲数据15. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是,后者的运放通常工作在（）A．深度负反馈状态 B. 放大状态 C. 开环或正反馈状态 D.线性工作状态二、填空题（每小题2分，共12分）1. PNP型三极管工作在放大状态，三点的电位关系为。

武夷学院13级模电期中试题答案【精选】

.武夷学院期中考试试卷级专业一、单选题（20%）1、N 型半导体（ c ）。

A ：带正电B ：带负电C ：呈中性2、在常温下，流过二极管的正向电流与其两端的外加电压（ b ）。

A ：几乎无关B ：近似按指数规律上升C ：线性关系3、P 沟道增强型MOS 管的开启电压为（ b ）。

A ：大于0B ：小于0C ：等于04、采用图解法分析基本放大器的静态特性时，必须画出晶体管特性曲线和（ a ），所求两者之交点即为Q 点。

A ：直流负载线B ：交流负载线C ：转移特性曲线5、在测量二极管反向电阻时，若用手把管脚捏紧，电阻值将会 B 。

A ．变大 B.变小 C.不变化6、在共射组态基本放大电路中，用示波器观察输出电压与输入电压的波形，它们应该 C 。

A.相同B.不相同C.反相7、用万用表测得电路中三极管各电极对地的直流电压电位分别如（a ）、(b)所示，试判断这些三极管分别处于哪种工作状态。

（ a ）。

A. (a)发射结短路，(b)放大B. (a)集电结开路，(b)截止C. (a)放大，(b)集电极开路D. (a)集截止，(b)饱和8、场效应管漏极电流由（ a ）的漂移运动形成。

A ：多子B ：少子C ：两种载流子9、某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( D )。

A ．P 沟道增强型MOS 管B ．P 沟道结型场效应管C ．N 沟道增强型MOS 管D ．N 沟道耗尽型MOS 管10、在NPN 组成的共射基本放大电路中，当输入为正弦波时，输出电压波形出现了底部失真，这种失真是 B 。

A.截止失真B.饱和失真C.频率失真党二、填空1.纯净的半导体单晶体称为__本征半导体__，它有两种载流子，即带_正_电的__空穴_和带_负__电的__自由电子_。

由于两者___电量____相等、____极性_____相反，所以半导体呈电中性。

2.根据掺入杂质的性质不同，可以分为__ P __型半导体和__ N __型半导体。

模拟电子技术期中测试

模电期中测试一、填空题(1空1分，共30分)1. 自然界的各种物质按导电能力分__导体____、_半导体______、__绝缘体________。

2. 杂质半导体具有___P______型和_____N _____型之分。

3. PN 结加正向电压，是指电源的正极接_P________区，电源的负极接_______N __区，这种接法叫___正向偏置法______。

4. N 型半导体是在本征半导体中掺入___+5_____价元素，其多数载流子是___自由电子_________，少数载流子是___空穴________。

5. P 型半导体是在本征半导体中掺入__+3______价元素，其多数载流子是____空穴________，少数载流子是___自由电子________。

6. 二极管的最主要特性是____单向导电性___________，它的两个主要参数是反映正向特性的___电流_____和反映反向特性的___电压________。

7. 稳压二极管是利用二极管的___反向击穿________特性进行稳压的。

8. .双极型晶体管从结构上可以分成__NPN____和___PNP ____两种类型，它们工作时有_自由电子____和____空穴__两种载流子参与导电。

9. 晶体三极管用来放大时，应使发射结处于__正向___偏置，集电结处于_反向____偏置。

10. 为了实现下列目的，应引入A.电压B.电流C.串联D.并联①为了稳定放大电路的输出电压，应引入_A ____。

②为了稳定放大电路的输出电流，应引入__B ___。

③为了增大放大电路的输入电阻，应引入__C ___。

④为了减小放大电路的输入电阻，应引入__D ___。

⑤为了增大放大电路的输出电阻，应引入__B ___。

⑥为了减小放大电路的输出电阻，应引入__A ___。

※电流串联电阻大，电压并联电阻小，对应出入电阻二、判断题(每题2分，共10分)1.漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。

模电期中测试

一、判断题（判断以下论述是否正确，如果正确在相应小题后面的括弧内打“√”，否则打“×” ）（10分）（√ ）1.反相比例运放是一种电压并联负反馈放大电路。

（√ ）2.放大器的负反馈深度越大，放大倍数下降的越多。

（× ）3.所谓共模输入信号是指加在差分放大器的两个输入端的电压之和。

（√ ）4.交流放大器工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量，直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。

（× ）5.直接耦合放大器是放大直流信号的，它不能放大交流信号。

（× ） 6.两个放大器单独使用时，电压放大倍数1u A 、2u A ，这两个放大器连成两级放大器后，总的放大倍数u A ，21u u u A A A +=。

（× ）7.用万用表测得某晶体二极管的正向电阻时，插在万用表标有“+”号插孔中的测试棒（通常是红色棒）所连接的二极管的管脚是二极管的正极，另一是负极。

（√ ）8.负反馈能展宽放大器的通频带。

（√ ）9.电压串联负反馈放大器可以提高输入电阻，稳定放大器输出电流。

（× ）10.静态工作点Q 点设置应合适、稳定，设置过高将会产生截止失真。

二、选择题（从每小题下面列出的几个选项中选出一个正确的，将其编号填在小题后面的括弧中）（10分）( A )1．杂质半导体中多数载流子浓度取决于，少数载流子浓度取决于。

A ．掺入杂质的数量、环境温度；B ．环境温度、掺入杂质的数量C ．环境温度、环境温度；D ．掺入杂质的数量、掺入杂质的数量( C )2．若晶体三极管基极电流mA I B 2.0=，发射极电流mA I E 8=，则集电极输出电流=C I mA 。

A ．1.6；B ．8.2；C ．7.8；D ．40( C )3．有公共发射极电阻e R 的长尾式差分放大器电路中，电阻e R 的作用是________。

A ．提高差模信号放大能力；B ．电路的对称性；C ．对共模信号构成负反馈以提高抑制零点漂移能力；D ．没有作用。

模拟电子技术期中测验题及答案

模拟电子技术期中测验题及答案————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：2013－2014学年第(2)学期期中考试答案课程代码 0471003/3122200 课程名称模拟电子技术A/模拟电子技术教师签字一、选择及填空题:（共52分，每空2分）1．在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为－1.2mA 、－0.03mA 、1.23mA 。

由此可判断电极①是 C ，电极②是__B __，电极③是_A ___（A ．发射极， B ．基极， C ．集电极）；该晶体管的类型是_ A ___（A ．PNP 型， B ．NPN 型）；该晶体管的共射电流放大系数约为_ A ___（A ．40 ，B ．100，C ．400）。

2．写出图示各电路的输出电压值（设二极管导通电压V U D 7.0=），=1O U 1.3V ，=2O U 0v 。

3.已知下面图（a ）所示电路的幅频响应特性如图（b ）所示。

影响f L 大小的因素是 C ，影响f H 大小的因素是 A 。

（A ．晶体管极间电容，B ．晶体管的非线性特性，C ．耦合电容）ff Hf LOC R b R c+V CCu i( a )( b ).A u20lg u o当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的 B （A. 0.5 B. 0.7 C.0.9）倍。

当f ＝ f L 时，o U 与iU 相位关系是 C （A. 45˚ B. -90˚ C. －135˚）。

题号一（52分）二.1 （18分）二.2 （14分）二.3（16分）总成绩得分班级学号姓名密封装订线密封装订线R b +V CCC 2R LC 1u i u o 120236u CE V60μA 40μA50μA 30μA 51448=10μA I B 20μA 2610VTR c Qi C mA4．有一放大电路对一电压信号进行放大，当输出端开路时输出电压是5V ；接入2k Ω负载后，输出电压降为 4V ，这说明放大电路的输出电阻为 0.5K Ω 。

(完整word版)电自(中期)卷模电考试题

一、选择题：（本题共10小题,每小题2分，共20分）A. P型半导体中由于多数载流子为空穴，所以它带正电； B。

N型半导体中由于多数载流子为只有电子，所以它带负电； C。

P型半导体和N型半导体本身都不带电。

2。

在题1-2图所示的电路中,U o为( ).题1-2图A。

—12V B. —9ＶC。

－３Ｖ3.在题1—3图所示的电路中，U o为( ）。

其中,忽略二极管的正向压降。

题1-3图A. 4VB. 1VC. 10V4.在题1-5图所示的电路中,稳压二极管Dz1和Dz2的稳定电压分别为5V和7V，其正向压降忽略不计，则U o为( ）。

题1-5图A。

5 V B。

7 V C. 0 V5.在放大电路中，若测得某晶体管三个极的电位分别为9 V，4 V,3.4 V,则这三个极分别为（）。

A。

C，B，E B. C,E,B C. E，C，B6。

在放大电路中，若测得某晶体管三个极的电位分别为—6 V,-2。

3 V,-2 V,则—2。

3 V那个极为（）。

A. 集电极B. 基极C. 发射极7。

在放大电路中,若测得某晶体管三个极的电位分别为6 V,1.2 V,1 V，则此管为（）。

A. NPN型硅管B. PNP型锗管 C。

NPN型锗管8.对某电路中一个NPN型硅管测试，测得UBE >0,UBC>0，UCE〉0,则此管工作在（ ).A. 放大区B. 饱和区C. 截止区 9。

晶体管的控制方式为（ )。

A 。

输入电流控制输出电压B 。

输入电流控制输出电流 C.输入电压控制输出电压 10。

场效应管的控制方式为（）。

A. 输入电流控制输出电压B.输入电压控制输出电压C 。

输入电压控制输出电流 ( ）二、判断题（正确打√，错误打×）：（本题共10小题，每小题2分，共20分) 1.半导体具有光敏性、热敏性、掺杂性。

√2。

二极管的最高反向电压就是它的反向击穿电压。

× 3.点接触型PN 结的面积小,所以不能通过较大的电流。

模电期中考试题库及答案

模电期中考试题库及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，三极管工作在放大区的条件是（）。

A. 基极电流大于集电极电流B. 发射结正向偏置，集电结反向偏置C. 发射结反向偏置，集电结正向偏置D. 发射结和集电结都正向偏置答案：B2. 理想运算放大器的输入电阻是（）。

A. 0ΩB. ∞ΩC. 1ΩD. 1kΩ答案：B3. 共发射极放大电路中，若基极电流增大，则集电极电流将（）。

A. 增大B. 减小C. 不变D. 无法确定答案：A4. 在多级放大电路中，耦合方式为（）可以避免零点漂移。

A. 直接耦合B. 阻容耦合C. 变压器耦合D. 光电耦合答案：A5. 差分放大电路中，若输入信号为共模信号，则输出电压将（）。

A. 增大B. 减小C. 基本不变D. 无法确定答案：C6. 场效应管的控制量是（）。

A. 漏极电流B. 漏极电压C. 栅源电压D. 漏极电流和漏极电压答案：C7. 正弦波振荡电路中，若要产生正弦波，则相位移动网络的相位移动量应为（）。

A. 90°B. 180°C. 270°D. 360°答案：A8. 理想二极管的正向导通电压为（）。

A. 0VB. 0.7VC. 0.3VD. 1V答案：A9. 电源滤波电路中，若要提高滤波效果，可以（）。

A. 增大电感B. 增大电容C. 增大电阻D. 减小电感答案：B10. 负反馈放大电路中，反馈信号与输入信号相位（）。

A. 相同B. 相反C. 无法确定D. 有时相同有时相反答案：B二、填空题（每题2分，共20分）1. 三极管的三个极分别是发射极、集电极和______。

答案：基极2. 运算放大器的差模输入电压是两个输入端电压的______。

答案：差值3. 共基极放大电路的电流增益为______。

答案：14. 差分放大电路的差模输入电压是两个输入端电压的______。

答案：差值5. 场效应管的漏极电流与栅源电压之间的关系是______。

2019-2020-1-模电期中试卷

考核人数______ 考核班次_______________ 任课教员_________ 出题教员签名________ 任课教研室主任签名_______日期_______ 队别__________ 教学班次___________ 学号___________ 姓名____________…………………………密………………………………封………………………………线………………………………………南京信息工程大学《模拟电子电路》期中考试试卷题目部分，（卷面共有25题，100分，各大题标有题量和总分）1.二极管具有_______导电性，稳压二极管在稳压时，工作在_______区域。

2.当温度升高时，二极管的正向压降将________；反向饱和电流将________。

3.某放大器空载时，输出电压为6V ，接入3kΩ负载后输出电压为3V ，则该放大器的输出电阻为________；接入负载后输出电压几乎没有变化，说明输出电阻__________（很大/很小）。

4.在放大电路中，能实现阻抗变换的耦合方式是________；集成电路中一般采用的耦合方式是_________。

5.根据器件的工作原理，晶体三极管是_________控制器件，场效管是__________控制器件。

6.实验室中现有以下仪器（仪表）：A 、0~1kHz 的3位半数字万用表，B 、20Hz~1MHz 电子毫伏表，C 、0~30MHz 示波器。

为测量下列性能指标应选择最合理的仪器（仪表），测电路的静态工作点，应选用________；测视频（6MHz ）放大器输出电压，应选用________。

1.在本征半导体中加入元素可形成P 型半导体。

（） A. 五价B. 四价C. 三价2.测得某放大电路中三极管三个电极ABC 对地的电位分别为12V ，0.7V ，0V ，则该管是______管，ABC 分别为_____。

（） A. 硅；集电极，基极，发射极 B. 硅；集电极，发射极，基极C. 锗；发射极，基极，集电极D. 锗；集电极，基极，发射极3.三极管共射、共集、共基三种放大电路中，频率特性最好的是______。

模电期中考试

二、选择题20分
• 1、NPN型三极管共射放大电路的输出波形有底部失真，它属于失真，消除该失真要 Rb的阻值。( ) • A.截止增大 B.饱和增大 C.截止减小 D.饱和减小 • 2、PN结加反向电压时，空间电荷区将。 • A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D.先变宽后变窄 • 3、下列放大电路中输出电压和输入电压极性相反的是。 • A.共射放大电路 B.共集放大电路 C.共基放大电路 D.共 A. 共源放大电路 B.共集放大电路 C.共基放大电路 D. 共射放大电路 • 5、直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是。 • A.电阻阻值有误差 B.晶体管参数的分散性 • C.晶体管参数受温度影响 D.电源电压不稳定
一、填空题20分
1、N型半导体是在本征半导体中掺入价元素，其多数载流子是，少数载流子是。 2、PN结和二极管具有相同的性，外加正向电压时 ,外加反向电压时。 3、稳压二极管工作在区，具有很好的稳压特性。 4、三极管工作在放大状态的外部条件是，和。 5、某NPN型硅三极管UBE=0.7V，UBC=0.7V，则该三极管工作在区。 6、场效应管是一种控器件，它利用控制漏极电流iD。 7、电压负反馈主要稳定，直流负反馈主要稳定。 8. 集成运放的四个组成部分是、、、。 9、差分放大电路放大信号，抑制信号。

模电期中考试答案+试卷

温州大学期中考试试卷A二、选择题（26分）1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将。

[ ]A.减弱B.不变C.增强2.PN 结外加反向电压时，其内电场 [ ]A.减弱B.不变C.增强3.测得BJT 三个管脚1、2、3对地电位分别为0V ，—0.2V ，—3V ，则1、2、3脚对应的三个极是 [ ] A 、ebc B 、ecb C 、cbe D 、bec a4. 某只硅稳压管的稳定电压Vz = 4v ，其两端施加的电压分别为+5v （正向偏置）和－5v （反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为。

［］ A +5v 和-5v B -5v 和+4v C +4v 和-0.7v D +0.7v 和-4v5.在单级放大电路的三种接法中，它们相互比较起来正确的说法是：。

[ ] A 共发射极电路的A V 最大、R I 最小、R O 最小 B 共集电极电路的A V 最小、R I 最大、R O 最小C 共基极电路的A V 最小、R I 最小、R O 最大D 共发射极电路的A V 最小、R I 最大、R O 最大 6．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的。

[ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区 7．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是。

[ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响8．组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使。

[ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 9．差动放大电路的主要特点是。

[ ] A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号 C 有效放大共模信号，有力抑制差模信号；D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。

10互补输出级采用射极输出方式是为了使。

[ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小学院-------------------------------------- 班级---------------------------------- 姓名------------------------------------- 学号-------------------------------------C 输出电阻增大D 带负载能力强11.OTL 功放电路的输出端通过耦合电容与负载相联。

模电期中考试试题

电路分析期中考试试题一、填空题（10分）1实际电路的电路模型由元件连接而成。

2.一个元件的电流电压参考方向可以指定。

如果指定流过元件的电流的参考方向是从标以电压的负极性的一端指向正极性一端，两者的参考方向称为方向。

3.电气设备或电路部件实际消耗的功率不能其标定的额定功率，否则会造成设备损坏或不能正常工作。

4.KCL是在之间施加的线性约束关系；KVL则对施加线性约束关系。

5.将阻值为R星形连接的电阻，等效为三角形连接，电阻阻值相应变为。

6.对于一个具有b条支路和n个节点的电路其具有的独立回路数为。

7.从减少方程数量的角度考虑，应将支路选作连支。

8.所谓节点电压法是以为未知量，列节点电压方程。

二、选择题(20分)1、必须设立电路参考点后才能求解电路的方法是（）A、支路电流法B、回路电流法C、结点电压法2、如下定理或定律只适应于线性电路是（）A、基尔霍夫定律B、戴维南定理C、叠加定理3、必须设立电路参考点后才能求解电路的方法是（）A、支路电流法B、回路电流法C、结点电压法4、两个电阻串联，R1：R2=1：2，总电压为60V，则U1的大小为（）A、10VB、20VC、30V5、一电阻R上u、i参考方向不一致。

已知u=－10V，消耗功率为0.5W，则电阻R为（）A、200ΩB、－200ΩC、20ΩD、－20Ω6、电阻元件上电压电流参考方向不一致，电阻元件吸收的功率计算方法正确的是（）A 、p=ui B、p=u2/R C、p=i2R D、p=-i2R7、容量为5μF的电容两端电压为1KV,则电容上存储的电场能为（）A、2.5焦耳B、2500焦耳C、2.5×10-3焦耳D、250焦耳8、已知空间有a、b两点，电压U ab=10V，a点电位为V a=4V，则b点电位V b 为（）A、6VB、－6VC、14VD、－14V9、如图一所示电路，电压U=（）A.-12VB.-6VC.-4VD.4V10、一个电容与一个4uf的电容串联，总电容为3uf，则该电容为（）A. 31μF；B. 2μF；C. 7μF；D. 12μF；R。

模拟电子技术期中试卷(一)(可编辑修改word版)

模拟电子技术期中试卷（一）一、选择题。

（每题3 分，共36 分）1.在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于。

A.掺杂工艺B.温度C.杂质浓度D.晶体缺陷2.在某放大电路中,晶体管三个电极的电流如图所示，已量出I 1 =-1.2mA, I2=-0.02mA, I3= 1.22mA 由此可知对应电极①是。

A.发射B.基极C.集电D.不定3.晶体三极管用来放大时,应使发射结处于偏置,集电结处于偏置.A.正向,反向B.反向,正向C.反向,反向D.不定4.如果在电路中测出某NPN 管三个电极对地电位分别为:V E = 1.0V ;VB= 1.65V ;VC= 1.3V , 则该管工作在区。

A.放大B.饱和C.截止D.击穿5.P NP 型晶体三极管处于放大状态时,各级电位关系正确的是。

A.Vc <Vb <VeB.Ve<Vc<VbC.Vc >Vb>VeD.Vc<Ve<Vb6.在图示电路中,设 C1、C2 对交流信号的影响可以忽略不计,当输入 f=1KHz 的正弦电压信号后,用示波器观察Vi和Vo ,则二者的相位关系为。

A.相差90ºB.相差45ºC.相同D.相差180º7.为了减小温漂，通用型运放的输入级大多采用。

A．共射电路 B.差动放大电路C．OCL 电路（互补对称电路） D.共集电路8.在放大器中引入直流负反馈,说法正确的是。

A.稳定输出电压B.稳定输出电流C.性能不变D.静态工作点稳定性变好9．射随器适合作多级放大电路的输出级，是因为它的（）A. 电压放大倍数近似为1B. r i很大C. r O很小10.PN 结反向击穿电压的数值增大，小于击穿电压，。

A．其反向电流增大B．其反向电流减小C．其反向电流基本不变11.由理想二级管组成的电路如图所示，其A、B 两端的电压为。

A.-12VB.+6VC.-6VD.+12V12.在甲乙类互补对称功放电路中，为了改善交越失真，应。

模拟电路期中试卷

苏州大学模拟电路课程期中试卷共 5 页考试形式闭卷年月院系年级专业学号姓名成绩一、（8分）半导体材料包括那几个种类？分别举例说明。

二、（10分）试在直角坐标系中定性绘制二极管的伏安特性曲线，并标注不同的区域。

三、（12分）说明二极管V -I 特性在正向导通区和截止区内三种简化模型的名称，分别用代数表达式和函数曲线的形式描述这三种简化模型。

四、（10分）右图所示二极管电路中，设二极管是理想的， CC 10V V =，DD 20V V =（正负极性见图），（1）当1D 断开时，求A 、B 、C 三点对地电压A V 、B V 、C V ；（2）试判断1D 导通还是截止？五、（15分）二极管电路如下图（a ）所示，其中二极管D 1、D 2的导通电压均为0.7V ，采用恒压降模型。

（1）讨论输入电压I v 分别满足什么条件时会出现仅二极管D 1导通、仅二极管D 2导通以及两个二极管都截止的状况；（2）试作出上述三种状况下的等效电路模型图；（3）若I v 在时间0到T 范围内的时域波形如下图（b ）所示，试画出输出电压O v 相应的时域波形。

（a ）（b ）六、（10分）画出BJT管工作在放大区时的小信号模型电路并作必要的标注。

七、（10分）一个三极管放大电路中，测得BJT三个引脚1、2、3对地电压分别为V1=0.7V，V2=0V , V3=5V，试分析1、2、3分别对应三极管的哪三个引脚，此BJT为NPN还是PNP管，是硅管还是锗管。

八、（25分）在图示电路中，已知晶体管静态时V BEQ=0.7V，共射电流放大系数为β0=80，小信号等效电路参数r bb'＝200Ω，r ce忽略不计，各电阻R b1=56 kΩ，R b2=20kΩ，R e=2 kΩ，R c=3.3kΩ，R s=500Ω，R L=6.2kΩ，各电容对交流信号可视为短路，电压源V CC=16V。

（1）作出电路的直流通路图，并估算电路的静态基极偏置电压V B、静态基极和集电极偏置电流I B和I C，以及集电极-射极间静态偏置电压V CE。

模电期中(附答案)

一、填空（10个）1、反向电流是由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。

少数温度无关2、稳定二极管稳压时是处于（）偏置状态，而二极管导通时是处于（）偏置状态。

反向正向3、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放大电路。

共射极共集电极共基极4、晶体三极管的集电极电流Ic=( ) 所以它是（）控制元件βIb 电流5、场效应管的漏极电流ID=( ),所以它是（）控制元件。

g m u gs 电压6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β（）。

增加增加7、当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO（）所以Ic也（) 。

增加也增加8、两个放大系数β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为（）。

β29、在共基、共集、共射三种放大电路中输出电阻最小的电路是（）；既能放大电流，又能放大电压的电路是（）。

共集共射10、当Ucs=0时，漏源之间存在导电沟道的称为（）型场效应管，漏源之间不存在导电沟道的称为（）型场效应管。

耗尽增强二、简答（2个）1、下图图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u0。

二极管D导通，-3V二、指出下图所示各放大电路的名称，并画出它们的交流电路（图中电容对交流呈现短路）。

共集电极放大电路共基极放大电路三、计算（2个）1、电路如下图所示，试求：1、输入电阻；2、放大倍数。

50K 3002、三极管放大电路如下图所示，已知三极管的U BEQ=0.7V，β=100，各电容在工作频率上的容抗可不计。

（！）求静态工作点I CQ、U CEQ；（2）画出放大电路的微变等效电路；（3）求电压放大倍数Au=uo/ui；（4）求输入电阻Ri和输出电阻Ro。

(1)I CQ=2.2mA U CEQ=2.1V(2)(3) A u≈–100(4) R i≈1.5K R0≈3K四、分析（1个）简要分析下图电路的功能与工作原理。

（此图在小班课上简要分析过）。