第4讲内存解析

4.5.2 RAM
• DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机 存储器）目前我们所说的内存。 • SRAM（Static Random Access Memory，静态随机存储器） • 差异在于DRAM需要由存储器控制电路按一定周期对存储器 刷新，才能维系数据保存，SRAM的数据则不需要刷新过程， 在加电期间，数据不会丢失。
另1
• KVR代表是金士顿普通内存， Kingston value ram，与超频 版分开，D3代表是DDR3内 存；N代表是Non -ECC，即 不带ECC内存校验功能，9代 表CAS内存延迟是9，及9-99
另2
• KHX（HyperX）一向 是金士顿高端内存的 代名词，1600是频率， CL延迟为8，D3表示 DDR3代，K3三通道， 6G表示总容量
4.2 内存条外观及组成
4.3 主流内存
• 主要涉及项目有：品牌、价格、类型、容量和主频（工作 频率） • 现在市场上用于个人电脑的内存主要有三种，一种是老式 的DDR，一种是目前主流的DDR2和DDR3。
主流内存举例
4.4 识别内存方法——金 士顿为例
• KVR16N11/4，KVR即金士顿ValueRAM的 缩写，大意为金士顿入门级内存；16代表 1600MHz；N代表non-ecc，即无ecc校验 功能；11代表时序为CL11；/4为4GB容量 的意思。
第4讲 内存
11专1
数信科学系
4.1 内存概要
• 内存是计算机中重要的部件之一，它是与CPU进行沟通的 桥梁。计算机中所有程序的运行都是在内存中进行的，因 此内存的性能对计算机的影响非常大。 • 内存(Memory)也被称为内存储器，其作用是用于暂时存 放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数 据。只要计算机在运行中，CPU就会把需要运算的数据调 到内存中进行运算，当运算完成后CPU再将结果传送出来， 内存的运行也决定了计算机的稳定运行。 • 内存是由内存芯片、电路板、金手指等部分组成的。 • 相对CPU 、主板，内存通用性强。
4.5内存的类型
• 内存主要分为ROM和RAM两类
• ROM：ROM数据不能随意更新，但是在任何时候都可以 读取。即使是断电，ROM也能够保留数据。但是资料一 但写入后只能用特殊方法或根本无法更改 。 • RAM：在通电情况下不能长时间保持电量，需要每隔一 段时间就进行一次重新加电过程，RAM通常是作为操作 系统或其他正在运行程序的临时存储介质。
4. DDR3
DDR3是一种电脑内存规格。它属于SDRAM家族的内 存产品，提供了相较于DDR2 SDRAM更高的运行 效能与更低的电压，是DDR2 SDRAM（四倍资料 率同步动态随机存取内存）的后继者（增加至八 倍），也是现时流行的内存产品。
DRAM内存的规范（内存主频）
1.DDR SDRAM 规范
4.5.3 DRAM内存的种类
1. SDRAM（Synchronous Dห้องสมุดไป่ตู้AM）
SDRAM（Synchronous DRAM）的中文名字是“同步动态随机存储器”， 它是PC100和PC133规范所广泛使用的内存类型，其接口为168线的 DIMM类型(这种类型接口内存插板的两边都有数据接口触片)，最高速度 可达5ns， 工作电压3.3 V。SDRAM与系统时钟同步，以相同的速度同 步工作，即在一个CPU周期内来完成数据的访问和刷新，因此数据可在 脉冲周期开始传输。SDRAM也采用了多体（Bank）存储器结构和突发 模式，能传输一整块而不是一段数据，大大提高了数据传输率，最大可 达133 MHz。
2. DDR SDRAM（Double Data Rate SDRAM）
DDR就是双倍数据传输率（Double Data Rate），DDR SDRAM就是双倍 数据传输率的SDRAM， DDR内存是SDRAM 的升级版本，它是更先进 的SDRAM。SDRAM只在时钟周期的上升沿传输指令、地址和数据。而 DDR SDRAM的数据线有特殊的电路，可以让它在时钟的上下沿都传输 数据。 DDR SDRAM与普通SDRAM的另一个比较明显的不同点在于电压，普通 SDRAM的额定电压为3.3V，而DDR SDRAM则为2.5V。在物理结构上， DDR SDRAM采用采用184针（pin），金手指部分只有一个缺槽。
4.6 内存的性能指标
1.存储容量
存储容量是衡量内存非常 重要指标，是人们最为关 注的方面。
• 4.5.1 ROM
– 1.ROM – 2.PROM（Programmable Rom）即可编程ROM。 – 3.EPROM（Erasable Programmable Rom）即可擦写、可编程 ROM，它可以通过特殊的装置（通常是紫外线）反复擦除，并重写 其中的信息。 – 4.EEPROM（Electrically Erasable Programmable Rom）即电可擦 写、可编程ROM，可以使用电信号来对其进行擦写。 – 5.Flash Memory
(1)DDR200 (2)DDR266 (3)DDR333 (4)DDR400
2.DDR2
(1)DDR2 400 (2)DDR2 533 (3)DDR2 667 (4)DDR2 800
3.DDR3
(1)DDR3 800 (3)DDR3 1333 (5)DDR3 1800 (7)DDR3 2000 (9)DDR3 2200 (2)DDR3 1066 (4)DDR3 1600 (6)DDR3 1866 (8)DDR3 2133 (10)DDR3 2400
3. DDR2
由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准， 它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟 的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍 于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说， DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以 内部控制总线4倍的速度运行。