电子线路CAD习题

+
R 1K
D1
+ Vo
VD D 5v
D
Fra Baidu bibliotek
R
1K
Vi D2 -
-
图 1-1
图 1-3
VD D 1 2 V T1
VC C
12V
ID
RB1
73K
R c1
2K
T2
A + Vi VD D 5v
图 1-2
+
D R1 2K
C 10UF R2 2K
+ Vo _
图 1-4
T3
V2 + V1 -
RB2
47K
RE
2K
图 1-5
T5
+ Vo VE E (- 6V) R1 1K R2 1K
图 2-4
图 2-5
三．反馈和运算放大器 1．电路如图 3-1 所示，已知晶体管型号为 Q2N2222， （1）试计算工作温度由室温 27℃上升到 70℃ 时中频电压源增益的相对变化量△Avfs /Avfs。 （2）若输入信号源为幅值 100mV，频率为 1KHz 的正 弦信号，试计算室温下输出信号电压二次谐波失真系数、三次谐波失真系数。 （3）去掉反馈（即断 开 Rf 、C3） ，重新计算（1） （2）问题。 2．在图 3-2 所示电路中，电路中各晶体管的型号均为 Q2N2222，试分别求出下列三种情况下的上限 频率值：①Cc=Cf =0；② Cc=10pF，Cf=10pF；③Cc=10pF，Cf=1pF。 3．试绘制运放 uA741 的幅频特性和相频特性，测出上限频率 BW 和单位增益频率 BWG
二．基本放大电路
1．电路如图 2-1 所示，已知电路中晶体管型号为 Q2N2222，试求电路的电压增益 AV，输入和输出
电阻 Ri、Ro，并读出频率为 1KHz 时的值。
2．电路如图 2-2 所示，已知电路中晶体管型号为 Q2N2222，试求电路的电压增益 AV，输入和输出
电阻 Ri、Ro，并读出频率为 1KHz 时的值。
Ω，Avd=105，V1=2V，V2=2．004V，试求输出电压与理想运放时的偏差值。 6．电路如图 3-5 所示，运放是理想的，试画出 VO 的幅频特性。作图时，对图中参数 Q 值进行扫描， 从 1 到 11，间隔为 2，电容的单位为法拉，R1=1Ω 。
R1 80K C1 10uF RS 500 + VS -
（电源电压±15V） 。 4．同相放大器电路如图 3-3 所示，已知运放的输入电阻 Ri d=2MΩ，Rod=75Ω，
Avd=2×105，试求电压增益 Av=Vo/Vs，输入电阻和输出电阻。 5．如图 3-4 所示电路，若运放是理想的，且满足 R3/R4=R1/R2，则已知电路增益表示式为 A=
R Vo 选择合适的电阻值使 A=1000， 现设运放是非理想的， 参数为 Ri d=1MΩ， Rod=100 = 1+ 2 ， V 2 − V1 R1
+ RL 10 M Vo
RE 2K
C2 10 uF
-
图 2-1
C3 10 uF RS 0.5K + VS 1K C1 10 uF 2K RL 2K C2 10uF + Vo 2K 8K 10 V
图 2-2
图 2-3
VC C (1 2 V)
T3
T4
Vo Vi T1 T2
R3 2 K
Rs 1k T1 + VS Rc1 10k T2 R L2 5k
3．电路如图 2-3 所示，已知电路中晶体管型号为 Q2N2222，试求电路的电压增益 AV，输入和输出
电阻 Ri、Ro，并读出频率为 1KHz 时的值。
4．两级共发级联放大器交流等效电路如图 2-4 所示，已知管子参数为 rbb’1= rbb’2=50Ω，
β1=β2=100，Cb’c1= Cb’c2=1pF,ICQ1=1mA,ICQ2=2mA,Cb’e1=14pF,Cb’e2=29pF。试用混合∏型等效电路计 算两级放大器的上限频率 fH。 5．电路如图 2-5 所示，已知图中 NPN 管型号为 Q2N2222，PNP 管型号为 Q2N3550，试求放大器增 益、输入电阻和输出电阻。
Rf 0.6 4 K R E1 0.1K R5 1 2 K C B2 10uF R E3 0.1K
图 3-2
C1 0.5×Q
Rf 10K R1 1K
R1 1 C2 0.5×Q R2 4Q×Q + A
+
A
+ VS 图 3-3
+ + V o Vi - -
+ Vo -
图 3-5
R3 R4 + + V1 A1
一．二极管 三极管 场效应管 1．电路如图 1-1 所示，图中二极管为 D1N914，试在二极管伏安特性上作出直流负载线，以确定工 作点 VDQ 和电流 IDQ。 2．电路如图 1-2 所示，已知二极管为 D1N3606，Vi=20Sin2×103πt (mv) ，试求 VA 和 Vo 。 3．如图 1-3 所示电路中，D1 管为 D1N914，D2 管为 D1N746，试绘出 Vi 在-25V~25V 范围内变化时 电路的传输特性。若 Vi= 5Sin2π×103 t (v)，观察并记录输出波形。 4．以 VCE 为参变量绘出 NPN 晶体三极管 Q2N760 的输入特性曲线，并求 VBE=1V，VCE 分别为 0V、 0．3V、1V、10V 时的 IB 值。 5．试以发射结电压 VBE 为参变量，绘出 NPN 晶体三极管 Q2N696 的输出特性曲线，并求 VBE=1V， VCE 分别为 2V、12V 时的值。 6．在图 1-4 所示电路中，已知晶体管为 Q2N2222，试计算室温下的直流工作点 ICQ、VBEQ、VCEQ， 当温度升高到 40℃时工作点的变化情况。 7．试绘制 N 沟道 MOS 场效应管 IRFPG42 的输出特性和转移特性，确定 VGS=5V，VDS=20V 时的 ID 值。 8．在图 1-5 所示电路中，若 T2 为 M2N6756，T3 为 IRFPG42，试再求 V1、V2 和电流 ID。
RC 8K
VC C (15V)
C4 10uF R2 10k RE 1K C2 10u F RE 4K RL 4K + Vo -
Rf 4k
图 3-1
C3 10uF
R1 9K I1 C B1 1000uF
R2 5K Cc
RL 0.6K T4 T3 I5 T2 T5
VC C (1 2 V)
T1 Vi Cf R3 3K I6 T6 T7 R4 6K T8 Vo
R1
R2
+ + V2 图 3-4
A2 RL 2K
+ Vo -
VC C (1 2 V)
R B1 93K C1 10uF RS 0.5K + VS R B2 27 k
RC 2K
C2 10 uF
R B1 93K C1 10 uF RS 0.5K + VS R B2 27 k
RC 2K C3 10 uF
VC C (1 2 V)
C3 10 uF + RE 2K RL 10 M Vo -