常用光敏电阻的规格参数.
常用光敏电阻的规格参数
常用光敏电阻的规格参数超高亮LED/5毫米聚光圆头紫光紫外光光触媒LED灯珠/发光二极管芯片来源:芯片全部由国外进口，封装方式为环氧树脂紫光LED性能参数：1、发光波段：400-405nm2、工作电压：3.2-3.6V3、工作电流：20mA4、光强参数：150-200mcd5、芯片功率：3-4mW高质量进口灯：3528(仪表改装)1210LED蓝光贴片发光二极管·产品型号：1210(3528)·产品体积：3.5*2.8*1.9·产品波长：452-462NM·产品亮度：750-800MCD·电压:3.0-3.4V·电流:20MA·焊接温度：250·发光角度：120超高亮度发光二极管5mm白光草帽LED 5流明白光LED参数:电压:3.0-3.2v电流:20mA发光强度:1500-1800mcd(4-5流明）发光角度:120度(散光)色温:6000-7000K(正白光)蓝色聚光led灯珠/LED/LED灯/led发光二极管，led节能灯专用无光衰0.32元宝贝参数：额定电压：3.0V-3.4V额定电流：20毫安亮度：5000mcd光型：蓝色聚光发光角度：20度波长：465-468光衰：首1000小时内无光衰，千小时光衰3‰。
千小时光衰值：即：在有效使用寿命内，以千小时为单位的平均光衰值。
这一标准更能充分体现灯珠的使用寿命、长效性等综合品质。
宝贝应用参数：工作电压：3.0-3.4V；工作电流：14-16mA ；工作温度：-20℃-+40℃；焊接温控：240-260℃,请在离灯管底部1.5mm以上进行焊接，烙铁头温度不得高于280℃，焊接停留时间不得超过2秒；5mm大草帽白色LED发光二极管 LED灯泡 0.12元主要参数：光管直径 5 mm波长范围 6 2 0 - 6 2 5 nm发光颜色白色外观颜色白色透明发光角度 140 度发光强度 1000-1200 mcd正常工作电压 3.2-3.4 V正常工作电流 20 mA最大反向电压 5 V产地：深圳5MM白发绿草帽灯白发绿发光二极管LED绿色二极管5MM草帽灯珠0.11元[LED管外形]直径4.8mm，即5mm（常说）透明，草帽型[发光颜色]白发绿[发光角度]120度[发光强度]1400-1600 mcd[正常工作电压]3.0-3.4V[正常工作电流]10-20 mA[最大反向电压]5 V[包装]1000只装,可拆包零卖！防静电包装[寿命]20MA工作电流约10万小时.最佳工作电流14ma左右STM - LM324N - 芯片四运算放大器低功率 1.89元IC类型: 放大器IC品牌: STSTMICROELECTRONICS - LM324N - 芯片四运算放大器低功率描述运放类型:低功率放大器数目:4带宽:1MHz针脚数:14工作温度范围:-40°C to +85°CSVHC(高度关注物质):No SVHC封装类型:DIP-3dB带宽增益乘积:1.3MHz变化斜率:0.4V/μs器件标号:324器件标记:LM324N工作温度最低:-40°C工作温度最高:85°C放大器类型:Operational电源电压最大:30V电源电压最小:3V芯片标号:324表面安装器件:通孔安装输入偏移电压最大:7mV逻辑功能号:324额定电源电压, +:5V。
常用光敏电阻的规格参数
常用光敏电阻的规格参数光敏电阻（也称为光敏电阻器或光敏电阻器件）是一种能够根据周围光照强度变化而改变电阻值的传感器。
它通常用于测量光照强度、控制光敏开关以及在各种光感应应用中使用。
以下是一些常用光敏电阻的规格参数：1.光敏电阻的灵敏度：光敏电阻的灵敏度指的是它对光照变化的响应程度。
灵敏度可以通过光照对电阻变化的比率来衡量。
一般来说，灵敏度越高，光敏电阻对光的变化越敏感。
2.光敏电阻的光照范围：光敏电阻可以适用于不同范围的光照强度。
一些光敏电阻适用于较低的光照强度，如暗室或夜间环境，而一些光敏电阻则适用于较高的光照强度，如户外或强照明环境。
3.光敏电阻的响应时间：光敏电阻的响应时间指的是它从检测到光照变化到产生电阻变化的时间。
响应时间越快，光敏电阻对光照变化的响应就越及时。
4.光敏电阻的光线谱响应：光敏电阻对不同波长光的响应程度不同。
可以通过光线谱响应来描述光敏电阻在不同波长光下的电阻变化。
5.光敏电阻的电阻范围：光敏电阻的电阻范围可以根据具体需求来选择。
一般来说，电阻范围越宽，光敏电阻适用于更广泛的应用。
6.光敏电阻的温度特性：光敏电阻的电阻值可能会受到温度的影响。
因此，在选择光敏电阻时，需要考虑温度特性以及它的工作温度范围。
7.光敏电阻的可靠性和寿命：光敏电阻的可靠性指的是它的稳定性和精准性。
而寿命则指的是光敏电阻的使用寿命，即它能够正常工作的时间。
当然，以上仅列举了一些常见的光敏电阻规格参数。
在选择光敏电阻时，还需要考虑其他因素如价格、尺寸、耐久性以及与其他电子元件的兼容性等。
不同厂商生产的光敏电阻可能存在一些差异，因此在购买时需要仔细查看产品规格表并选取适合自己应用的光敏电阻。
常用红外光敏电阻参数
相应曲线：硫化铅：硒化铅：1. 硫化铅光敏电阻系列:电气参数Test Conditions at 25°C - Typical A & AM B & BM C & CM D* (Pk.,600,1) x 1011.5-1.2 .5-1.2 .5-1.2 Wavelength Cut-off - Microns 3.0 3.0 2.7 Peak Wavelength Response - Microns 2.5 2.5 2.2 Time Constant - Microseconds <100 100-300 >300 Resistance - Megohms .2-2.0 .2-2.0 .5-10注:型号中的M为密封封装.活性区参数Code Number Active Area Bias Voltage Typical VW-1ResponsivityPackageSize Inches mm Typical Maximum.25 .010 .25 10 20 1.0x106TO-5 & TO-46.5 .020 .5 20 40 6.0x105TO-5 & TO-461 .040 1 50 100 3.0x105TO-5 & TO-462 .080 2 100 200 1.5x105TO-53 .120 3 150 300 1.0x105TO-5 5 .200 5 250 500 6.0x104TO-8 10 .400 10 500 1000 3.0x104TO-3机械参数TO-46 TO-5TO-8 TO-3 典型应用电路:2. 电子冷却硫化铅光敏电阻系列电气参数Test Condition s at 25° C-TypicalD D2 D21**D* (Pk.,600,1) x 1011 1.5 2.5 2.8Wavelength Cut-off - Microns 3.1 3.2 3.3Peak Wavelength Response -Microns2.5 2.5 2.5Time Constant - Milliseconds 1-2.5 1-2.5 1-2.5Resistance - Megohms .5-10 .5-10 .5- 5Operating Temperature - °C-20 -30 -45Cooler Power - Volts DC/Amps .8V/1.8A .8V/1.4A 2.0V/1.4ANOTE: 3-6 Stage Thermoelectric Coolers and Vacuum LN Dewars also available. Contact us for further details.**TO-8, TO-66 or TO-3 packages only.活性区参数Code Number ActiveAreaBias VoltageTypical VW-1X105Responsivity PackageSizeInches mm Typical Maximum -20 -30 -451 .040 1 50 100 6.0 9.0 13.0 TO-5-37-8-662 .080 2 100 200 3.0 4.5 6.5 TO-5-37-8-663 .120 3 150 300 2.5 3.5 4.5 TO-5-37-8-665 .200 5 250 500 1.2 2.0 3.0 TO-8-66 10 .400 10 500 1000 .6 1.0 1.5 TO-3机械参数3. 硫化铅线阵主要性能:ArrayP bS Array 1-3 micronsP bSe Array 1-5 micronsP bS D* >8 x 1010 NoteP bSe D* >3 x 109 NoteS quare or rectangular geometryP itch down to 59 micronsP ixels 256T hermoelectrically cooledT E Cooler Controller O perating temp. down to 253KO ptical filters L ow cost C ustom designs Multiplexing D C integrating D ark current subtractionS ample rates from 100 Hz to 1.2 MHzI ndependentor slave operationC ustom interfacesavailableI ntegration times from 0.05 msec to 0.66 sec.System Requirements ±12 to ±15VDC T E Cooler 5V @ 2 amps (typical) Amplifier Specifications O utput voltage range up to ±12V O utput current 2-3 mAmp typical and up to 30 mAmp available A djustable output gain available 4. 硒化铅光敏电阻电气参数Test Conditions at 25°C - TypicalF & FM FA & FAM FS & FSM D* (Pk.,1000,1) x 109 1.0 - 3.0 3.0 - 6.0 >6.0 Wavelength Cut-off - Microns 4.5 - 5.0 4.5 - 5.0 4.5 - 5.0 Peak Wavelength Response - Microns3.8 -4.3 3.8 - 4.3 3.8 - 4.3 Time Constant - Microseconds 1 - 31 - 31 - 3Resistance - Megohms .1 - 4 .1 - 4 .1 - 4活性区参数Code Number Active Area Bias Voltage Typical VW -1PackageSizeInches mm Typical Maximum1 .040 1 50 100 6,000 TO-5 &TO-462 .080 2 100 200 3,000 TO-53 .120 3 150 300 2,000 TO-55 .200 5 250 500 1,200 TO-810 .400 10 500 1000 600 TO-3 机械参数TO-46 TO-5TO-8 TO-3 5. 电子冷却硒化铅光敏电阻电气参数NOTE: 3-6 Stage Thermoelectric Coolers and LN2 Dewars available. Please contact us for further details.**TO-8, TO-66 and TO-3 packages only.活性区参数机械参数6. 硒化铅线阵主要性能:ArrayP bS Array 1-3 micronsP bSe Array 1-5 micronsP bS D* >8 x 1010 NoteP bSe D* >3 x 109 NoteS quare or rectangular geometryP itch down to 59 micronsP ixels 256T hermoelectrically cooledT E Cooler ControllerO perating temp. down to 253K O ptical filters L ow cost C ustom designs Multiplexing D C integrating D ark current subtraction S ample rates from 100 Hz to 1.2 MHzI ndependent or slave operationC ustom interfaces availableI ntegration times from 0.05 msec to 0.66 sec.System Requirements ±12 to ±15VDC T E Cooler 5V @ 2 amps (typical) Amplifier Specifications O utput voltage range up to ±12V O utput current 2-3 mAmp typical and up to 30 mAmp available A djustable output gain available Note: These D* values are for unmultiplexed arrays. D* is affected by sample rates, integration times, etc.7. InGaAs PIN 光电二极管探测器InGaAs PIN Photodiode Detectors RT 非致冷型主要性能:低暗电流,低电容,高响应. M esa 结构, 无信号时不导电. 适合于DC - 3GHz, 以及光纤应用.Part # Diameter mm Resp. A/W @1.3μm Resp. A/W @1.55μm Dark Current nA Cutoff Freq. MHz Cap. pf Shunt Res. MΩPeak D* cm*Hz½/W NEPW/Hz½I5-.04-46 .040 .85 .90 .075 3000 .6 9000 >1012 <10-14I5-.08-46 .080 .85 .90 .10 2200 .9 7000 >1012 <10-14 I5-.1-46 .100 .85 .90 .15 2000 1 6000 >1012 <10-14 I5-.3-46 .300 .85 .90 .4 350 5 900 >1012 <10-14 I5-.5-46 .500 .85 .90 .7 200 10 250 >1012 <10-13 I5-1-46 1.00 .85 .90 2 30 100 90 >1012 <10-13 I5-2-5 2.00 .85 .90 8 3 600 20 >1012 <10-13 I5-3-5 3.00 .85 .90 20 1.75 1200 9 >1012 <10-13 I5-5-8 5.00 .85 .90 30 .5 4000 2 >1012 <10-12I5-10-3 10.00 .85 .90 100 .15 14000 .5 >1012<10-12 [文档可能无法思考全面，请浏览后下载，另外祝您生活愉快，工作顺利，万事如意!]11 / 11。
光敏电阻的参数
光敏电阻的参数光敏电阻是一种能够感知光线强度的电子器件，它的参数能够影响其工作性能和应用范围。
本文将就光敏电阻的参数进行介绍和分析，帮助读者更好地了解和应用光敏电阻。
1. 光敏电阻的电阻值（Resistance）：光敏电阻的电阻值是衡量其电阻特性的重要参数。
光敏电阻的电阻值随着光照强度的变化而变化。
在强光照射下，光敏电阻的电阻值较低，光敏电阻对电流的阻碍较小；而在弱光照射下，光敏电阻的电阻值较高，光敏电阻对电流的阻碍较大。
因此，光敏电阻的电阻值能够反映光敏电阻对光照强度的敏感程度。
2. 光敏电阻的光敏度（Photosensitivity）：光敏电阻的光敏度是指单位光照强度变化下光敏电阻电阻值的变化。
光敏电阻的光敏度越高，表示它对光照强度变化的响应越敏感。
光敏电阻的光敏度可以通过光敏电阻的电阻值与光照强度的变化关系来进行计算和衡量。
3. 光敏电阻的响应时间（Response Time）：光敏电阻的响应时间是指光敏电阻从暗态到亮态或从亮态到暗态的响应时间。
响应时间越短，表示光敏电阻对光照强度变化的响应速度越快。
光敏电阻的响应时间与光敏电阻内部载流子的迁移速度有关，因此光敏电阻的材料和结构对其响应时间有一定影响。
4. 光敏电阻的频率响应（Frequency Response）：光敏电阻的频率响应是指光敏电阻对光照强度变化的响应频率范围。
频率响应越高，表示光敏电阻在更广泛的光照变化频率范围内能够保持稳定的响应。
光敏电阻的频率响应受到光敏电阻内部载流子迁移速度和外部电路频率等因素的影响。
5. 光敏电阻的温度特性（Temperature Characteristics）：光敏电阻的温度特性是指光敏电阻的电阻值随温度变化的特性。
光敏电阻的温度特性对其在不同温度环境下的稳定性和可靠性有影响。
一般情况下，光敏电阻的温度特性应在设定的工作温度范围内保持稳定。
光敏电阻的参数包括电阻值、光敏度、响应时间、频率响应和温度特性等。
光敏电阻型号
光敏电阻或光导管，常用的制作材料为硫化镉，另外还有硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋等材料。
这些制作材料具有在特定波长的光照射下，其阻值迅速减小的特性。
这是由于光照产生的载流子都参与导电，在外加电场的作用下作漂移运动，电子奔向电源的正极，空穴奔向电源的负极，从而使光敏电阻器的阻值迅速下降。
光敏电阻是用硫化隔或硒化隔等半导体材料制成的特殊电阻器，其工作原理是基于内光电效应。
光照愈强，阻值就愈低，随着光照强度的升高，电阻值迅速降低，亮电阻值可小至1KΩ以下。
光敏电阻对光线十分敏感，其在无光照时，呈高阻状态，暗电阻一般可达1.5M Ω。
光敏电阻的特殊性能，随着科技的发展将得到极其广泛应用。
光敏电阻器是利用半导体的光电导效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器，又称为光电导探测器；入射光强，电阻减小，入射光弱，电阻增大。
还有另一种入射光弱，电阻减小，入射光强，电阻增大。
光敏电阻器一般用于光的测量、光的控制和光电转换（将光的变化转换为电的变化）。
常用的光敏电阻器硫化镉光敏电阻器，它是由半导体材料制成的。
光敏电阻器对光的敏感性（即光谱特性）与人眼对可见光（0.4~0.76）μm的响应很接近，只要人眼可感受的光，都会引起它的阻值变化。
设计光控电路时，都用白炽灯泡（小电珠）光线或自然光线作控制光源，使设计大为简化。
光敏电阻规格型号:通常，光敏电阻器都制成薄片结构，以便吸收更多的光能。
当它受到光的照射时，半导体片（光敏层）内就激发出电子—空穴对，参与导电，使电路中电流增强。
为了获得高的灵敏度，光敏电阻的电极常采用梳状图案，它是在一定的掩膜下向光电导薄膜上蒸镀金或铟等金属形成的。
一般光敏电阻器结构如图所示。
常用光敏电阻（环氧树脂封装）- 导线型（DIP）规格：光敏电阻-￠3mm系列外观描述：基板：L3.3mm±0.2mm&TImes;W3.0mm±0.1mm&TImes;H1.8mm引线长：L36mm±0.2mm /引线直径：￠0.4mm封装类型：属环氧树脂封装/直插型（DIP）常用型号：LXD3526 / LXD3537 / LXD3548----------规格：光敏电阻￠4mm系列外观描述：基板：L4.1mm±0.2mm&TImes;W3.4mm±0.1mm&TImes;H1.8mm引线长：36mm±0.2mm/ 引线直径：￠0.4mm封装类型：属环氧树脂封装/直插型（DIP）常用型号：LXD4526 / LXD4537 / LXD4548------规格：光敏电阻￠5mm系列外观描述：基板：L5.1mm±0.2mm×W4.3mm±0.2mm×H2.4mm引线长：L36mm±0.2mm /引线直径：￠0.5mm封装类型：属环氧树脂封装/直插型（DIP）常用型号：LXD5516 / LXD5528 / LXD5537 / LXD5539 / LXD5549 / LXD5516D LXD5626D / LXD5637D / LXD5649D------规格：光敏电阻￠7mm系列外观描述：基板：L7.0mm±0.2mm×W5.9mm±0.1mm×H2.4mm引线长：L36mm±0.2mm /引线直径：￠0.5mm封装类型：属环氧树脂封装/直插型（DIP）常用型号：LXD7506 / LXD7526 / LXD7638 / LXD7649------规格：光敏电阻￠11mm系列外观描述：基板：L11mm±0.2mm×W9.0mm±0.2mm×H2.4mm引线长：L36mm±0.2mm /引线直径：￠0.6mm封装类型：属环氧树脂封装/直插型（DIP）常用型号：LXD11516 / LXD11528 / LXD11537 / LXD11539 / LXD11549 / ------规格：光敏电阻￠12mm系列外观描述：基板：L12mm±0.3mm×W10.5mm±0.2mm×H2.5mm引线长：L36mm±0.2mm /引线直径：￠0.4mm封装类型：属环氧树脂封装/直插型（DIP）常用型号：LXD12516 / LXD12528 / LXD12537 / LXD12539 / LXD12549 /------规格：光敏电阻￠20mm系列外观描述：基板：L20mm±0.4mm×H2.5mm引线长：L25mm±2mm /引线直径：￠1.0mm封装类型：属环氧树脂封装/直插型（DIP）常用型号：LXD20516 / LXD20528 / LXD20537 / LXD20539 / LXD20549 / ------规格：光敏电阻￠25mm系列外观描述：基板：L25.5mm±1.5mm×W3.0mm±0.1m×H2.8mm引线长：L30mm±0.2mm /引线直径：￠1.0mm封装类型：属环氧树脂封装/直插型（DIP）常用型号：LXD25516 / LXD25528 / LXD25537 / LXD25539 / LXD25549 /。
光敏电阻的主要参数与特性
光敏电阻的主要参数与特性光敏电阻（Light Dependent Resistor，简称LDR），也被称为光敏电阻器、光敏电阻元件或光敏电阻器件，是一种感光元件，其电阻值随环境光照强度的变化而变化。
光敏电阻广泛应用于光电自动控制、光敏传感器、光学测量仪器等领域。
以下是光敏电阻的主要参数与特性的详细介绍。
1.参数：1.1光敏特性：光敏电阻的一个主要参数是光敏特性，它描述了光敏电阻的电阻值随着光照强度的变化情况。
光敏特性通常表示为灵敏度曲线，以光照强度与电阻值之间的关系来表示。
1.2光敏范围：光敏电阻的光敏范围是指其对环境光照强度的响应范围。
一般来说，光敏电阻器件对可见光较敏感，但对红外和紫外光的响应范围较窄。
1.3 光阻率：光阻率是指光敏电阻在规定照明光源下单位阻值的阻值。
通常以光强度为1 lx时的电阻值作为标准进行计算。
1.4暗阻抗：暗阻抗是指光敏电阻在无照光的情况下的电阻值。
暗阻抗是光敏电阻的一个重要参考参数，它与光照强度的变化有关。
1.5环境温度特性：光敏电阻在不同环境温度下的电阻值变化也是一个重要参数。
通常情况下，光敏电阻的电阻值会随着环境温度的升高而下降。
2.特性：2.1灵敏度高：光敏电阻在可见光范围内对光照变化非常敏感，能够快速响应光照强度的变化。
2.2高分辨率：由于光敏电阻的灵敏度高，它可以提供高分辨率的光照测量结果，适用于需要高精度的应用。
2.3反应迅速：光敏电阻的响应速度快，能够在毫秒级别内对光照变化作出响应。
2.4线性度高：光敏电阻的电阻值与光照强度呈线性关系，可以实现较高的测量精度。
2.5低功耗：光敏电阻在工作时只需要较低的功率供应，能够节省能源和电池寿命。
2.6可靠性强：光敏电阻器件具有较长的使用寿命和稳定性，不容易受到外界环境的影响。
2.7尺寸小：光敏电阻器件体积小、重量轻，尺寸便于微型化设计和集成。
2.8易于控制：光敏电阻器件的电阻值可以通过改变外界光照强度来控制，便于实现自动控制和调节。
光敏电阻参数
一：以下是光敏电阻参数文字符号：“RL”、“RG”或“R”结构——通常由光敏层、玻璃基片（或树枝防潮膜）和电极等组成的。
特性——光敏电阻器是利用半导体光电导效应制成的一种特殊电阻器，对光线十分敏感，它的电阻值能随着外界光照强弱（明暗）变化而变化。
它在无光照射时，呈高阻状态；当有光照射时，其电阻值迅速减小。
作用与应用——广泛应用于各种自动控制电路（如自动照明灯控制电路、自动报警电路等）、家用电器（如电视机中的亮度自动调节,照相机的自动曝光控制等）及各种测量仪器中。
光敏电阻器种类：1）按制作材料分类：多晶和单晶光敏电阻器，还可分为硫化镉（CdS）、硒化镉(CdSe) 、硫化铅(PbS)、硒化铅(PbSe)、锑化铟(InSb) 光敏电阻器等。
光敏电阻器的主要参数1）亮电阻（kΩ）：指光敏电阻器受到光照射时的电阻值。
2）暗电阻(MΩ)：指光敏电阻器在无光照射（黑暗环境）时的电阻值。
3）最高工作电压(V)：指光敏电阻器在额定功率下所允许承受的最高电压4）亮电流：指光敏电阻器在规定的外加电压下受到光照射时所通过的电流。
5）暗电流(mA)：指在无光照射时，光敏电阻器在规定的外加电压下通过的电流。
6）时间常数（s）：指光敏电阻器从光照跃变开始到稳定亮电流的63％时所需的时间。
7）电阻温度系数：指光敏电阻器在环境温度改变1℃时，其电阻值的相对变化。
8）灵敏度：指光敏电阻器在有光照射和无光照射时电阻值的相对变化。
勒克司(lux,lx)照度(Illuminance)的单位。
等于1流明(lumen)的光通量(Luminous flux)均匀照在1平方米表面上所产生的照度。
适宜于阅读和缝纫等的照度约为60勒克司。
光照度是表明物体被照明程度的物理量。
光照度与照明光源、被照表面及光源在空间的位置有关，大小与光源的光强和光线的入射角的余玄成正比，而与光源至被照物体表面的距离的平方成反比。
光照度可用照度计直接测量。
光照度的单位是勒克斯，英文lux的音译，也可写为lx 。
光敏电阻介绍及其参数
光敏电阻介绍及其参数光敏电阻是一种常见的光电器件，也被称为光敏电阻器、光敏电阻器件或光电阻电阻器。
它是一种基于光敏效应的器件，能够根据光线强度的变化来改变电阻值。
光敏电阻主要由光敏材料和导电材料组成，其中光敏材料的电阻值会受到光线照射的影响而发生变化。
光敏电阻的工作原理是基于光敏材料的半导体材料的特性。
光敏材料通常采用硫化镉、硫化锌等化合物，它们具有良好的光敏特性。
当光线照射到光敏电阻上时，光子会激发光敏材料中的电子，使电子从价带跃迁到导带，增加了导电材料中的载流子浓度，从而降低了电阻值。
反之，当光线减弱或消失时，载流子浓度减小，电阻值增加。
光敏电阻的主要参数包括光电流、光阻、响应时间和光敏度。
1.光电流：光敏电阻的光电流是指在照射光线的作用下产生的电流。
它与光敏电阻的电阻值成反比，即光电流越大，电阻值越小。
2.光阻：光敏电阻的光阻是指在光照强度为标准值时的电阻值。
它通常以欧姆（Ω）为单位，并表示在一定光照条件下光敏电阻的电阻大小。
3. 响应时间：响应时间是指光敏电阻的电阻值从变化到稳定所需要的时间。
它通常以毫秒（ms）为单位，响应时间越短，说明光敏电阻的响应速度越快。
4.光敏度：光敏度是指光敏电阻在特定光照条件下的电阻变化与光照强度之比。
光敏电阻的光敏度越大，说明其对光照的变化更加敏感。
光敏电阻广泛应用于光电控制、光测量和光敏检测等领域。
在光电控制中，光敏电阻被用于灯光自动开关、光敏开关、光敏门铃等设备中，通过感知周围光线的强弱来实现控制功能。
在光测量中，光敏电阻被用于测量光强、亮度等参数，在光敏检测中，光敏电阻可以用于检测光线的有无、亮度变化等。
总结而言，光敏电阻是一种基于光敏效应的器件，通过光敏材料的电阻值变化来感知光线的强弱。
其主要参数包括光电流、光阻、响应时间和光敏度。
光敏电阻在光电控制、光测量和光敏检测等领域有广泛的应用。
光敏电阻阻值表
光敏电阻阻值表规格型号耐压（VDC）功耗（mW）光谱（nm）亮阻（KΩ）暗阻（MΩ）响应时间上升下降Φ3 系列3516 150 90540 5-10 0.5 0.5 30 30 3528 150 100 540 10-20 1 0.6 20 30 3537-1 150 100 540 20-30 2 0.6 20 30 3537-2 150 100 540 30-50 3 0.7 20 30 3539 150 100 540 50-100 5 0.8 20 30 3549 150 100 540 100-200 10 0.9 20 30规格型号耐压（VDC）功耗（mW）光谱（nm）亮阻（KΩ）暗阻（MΩ）响应时间上升下降Φ4 系列4516 150 90540 5-10 0.5 0.5 30 30 4528 150 100 540 10-20 1 0.6 20 30 4537-1 150 100 540 20-30 2 0.6 20 30 4537-2 150 100 540 30-50 3 0.7 20 30 4539 150 100 540 50-100 5 0.8 20 30 4549 150 100 540 100-200 10 0.9 20 30规格型号耐压（VDC）功耗（mW）光谱（nm）亮阻（KΩ）暗阻（MΩ）响应时间上升下降Φ5 系列5516 150 90540 5-10 0.5 0.5 30 30 5528 150 100 540 10-20 1 0.6 20 30 5537-1 150 100 540 20-30 2 0.6 20 30 5537-2 150 100 540 30-50 3 0.7 20 30 5539 150 100 540 50-100 5 0.8 20 30 5549 150 100 540 100-200 10 0.9 20 30规格型号耐压（VDC）功耗（mW）光谱（nm）亮阻（KΩ）暗阻（MΩ）响应时间上升下降Φ7 系列7516 150 90540 5-10 0.5 0.5 30 30 7528 150 100 540 10-20 1 0.6 20 30 7537-1 150 100 540 20-30 2 0.6 20 307537-2 150 100 540 30-50 3 0.7 20 30 7539 150 100 540 50-100 5 0.8 20 307549 150 100 540 100-200 10 0.9 20 30规格型号耐压（VDC）功耗（mW）光谱（nm）亮阻（KΩ）暗阻（MΩ）响应时间上升下降Φ11系列11516 150 90540 5-10 0.5 0.5 30 30 11528 150 100 540 10-20 1 0.6 20 30 11537-1 150 100 540 20-30 2 0.6 20 30 11537-2 150 100 540 30-50 3 0.7 20 30 11539 150 100 540 50-100 5 0.8 20 30 11549 150 100 540 100-200 10 0.9 20 30规格型号耐压（VDC）功耗（mW）光谱（nm）亮阻（KΩ）暗阻（MΩ）响应时间上升下降Φ12系列12516 150 90540 5-10 0.5 0.5 30 3012528 150 100 540 10-20 1 0.6 20 30 12537-1 150 100 540 20-30 2 0.6 20 30 12537-2 150 100 540 30-50 3 0.7 20 30 12539 150 100 540 50-100 5 0.8 20 3012549 150 100 540 100-200 10 0.9 20 30规格型号耐压（VDC）功耗（mW）光谱（nm）亮阻（KΩ）暗阻（MΩ）响应时间上升下降Φ20系列20516 150 90540 5-10 0.5 0.5 30 30 20528 150 100 540 10-20 1 0.6 20 30 20537-1 150 100 540 20-30 2 0.6 20 30 20537-2 150 100 540 30-50 3 0.7 20 30 20539 150 100 540 50-100 5 0.8 20 30 20549 150 100 540 100-200 10 0.9 20 30。
光敏电阻及其参数
什么是光敏电阻及其参数分类光敏电阻器是一种对光敏感的元件，它的电阻值能随着外界光照强弱（明暗）变化而变化。
光敏电阻器在电路中用字母“R”或“RL”、“RG”表示，图1-25是其电路图形符号。
（一）光敏电阻器的结构、特性及应用1．光敏电阻器的结构与特性光敏电阻器通常由光敏层、玻璃基片（或树脂防潮膜）和电极等组成，如图1-26所示。
光敏电阻器是利用半导体光电导效应制成的一种特殊电阻器，对光线十分敏感。
它在无光照射时，呈高阻状态；当有光照射时，其电阻值迅速减小。
2．光敏电阻器的应用光敏电阻器广泛应用于各种自动控制电路（如自动照明灯控制电路、自动报警电路等）、家用电器（如电视机中的亮度自动调节，照相机中的自动曝光控制等）及各种测量仪器中。
图1-27是光敏电阻器的应用电路。
（二）光敏电阻器的种类光敏电阻器可以根据光敏电阻器的制作材料和光谱特性来分类。
1．按光敏电阻器的制作材料分类光敏电阻器按其制作材料的不同可分为多晶光敏电阻器和单晶光敏电阻器，还可分为硫化镉（CdS）光敏电阻器、硒化镉(CdSe) 光敏电阻器、硫硫化铅(PbS) 光敏电阻器、硒化铅(PbSe) 光敏电阻器、锑化铟(InSb) 光敏电阻器等多种。
2．按光谱特性分类光敏电阻器按其光谱特性可分为可见光光敏电阻器、紫外光光敏电阻器和红外光光敏电阻器。
可见光光敏电阻器主要用于各种光电自动控制系统、电子照相机和光报警器等电子产品中。
紫外光光敏电阻器主要用于紫外线探测仪器。
红外光光敏电阻器主要用于天文、军事等领域的有关自动控制系统中。
（三）光敏电阻器的主要参数光敏电阻器的主要参数有亮电阻（RL）、暗电阻（RD）、最高工作电压（VM）、亮电流（IL）、暗电流（ID）、时间常数、温度系数灵敏度等。
1．亮电阻亮电阻是指光敏电阻器受到光照射时的电阻值。
2．暗电阻暗电阻是指光敏电阻器在无光照射（黑暗环境）时的电阻值。
3．最高工作电压最高工作电压是指光敏电阻器在额定功率下所允许承受的最高电压。