电路基础知识 PPT

四、变压器
不可做成标准件出售。对于特定的电路单独进行设计。后面专讲。
四、二极管
参数：导通最大电流，反向耐压， 电流恢复时间是其主要 参数。 类别：小反压开关管，稳压管，高反压大电流二极管， 肖特基二极管： 用于3.3V--5V之间电压整流， 如1N5819、SB560、MBR10100 （适合输出低电压，大电流） 正向压降0.4~0.8V； 反向恢复时间短10~40ns； 反向耐压低：200V 快恢复二极管： 恢复时间小于100ns。如FR 、HER、MUR开头的二极 管，FR107、HER304、MUR860等
NPN型三极管的物理结构和电路符号如下图所示。
发射结（EBJ） 发射极（E） N型
+
集电结 （CBJ） P型 N型 集电极（C） B
C
发射区
基区
基极（B）
(a)
集电区
金属接触
(b)
E
NPN型(a)物理结构
(b)电路符号
PNP型三极管的物理结构和电路符号如下图所示。
发射结（EBJ） 发射极（E） P型
三、电感
电感是一种储能元件，但能量不能长期储存，要立即释放掉。 单位：亨利 H 参数：电感量，误差，通过电流的最大值是其主要参数。 符号：
特性：电流连续，电压跳变。 完成电能--磁能--电能的转换。在转换的时候能量 是连续变化，不能跳变。
1、电感串联算法：
L1=4.7uH L2=5.6uH L(等效电感)=L1+L2 L(等效电感)=4.7+5.6=10.3uH 2、电感并联算法： L1=4.7uH L2=5.6uH L1*L2 4.7*5.6 L(等效)=---------=---------=2.56uH L1+L2 4.7+5.6
3、热敏电阻： NTC负温度系数：一般用在消除浪涌电路。小电流可 恢复保险丝小于10A。 PTC正温度系数：用于消磁等电路 4、光敏电阻： 一般用在环境光控制上。 5、压敏电阻：防止过电压保护。安全件。 6、电位器：种类繁多。是电阻类。
7、电阻串联算法： R1=4.7k R2=5.6K R(等效电阻)=R1+R2 R(等效电阻)=4.7+5.6=10.3欧姆 8、电阻并联算法： R1=4.7K R2=5.6K R1*R2 4.7*5.6 R(等效)=---------=---------=2.56欧姆 R1+R2 4.7+5.6
图1
2、热地 （1）、热地是带电的地，是不安全的。 下面我们来分析带多少伏特电压，带什么波 形的电压，见图（2）。
图2
（2）、由图（2）可得结论： 热地带220Vrms 交流50Hz半波电压。最高电压是310V。 是很危险的，必须隔离! 产品设计过程中，产品生产过程中，产品 到了消费者使用过程中都要十分注意这个电压。 安规就是各个国家管理这个电压法律文件、操作规 程。
基础篇
一、电阻
物体对电流的阻碍作用称为电阻。
利用这种阻碍作用做成的元件称为电阻器，简称电阻。
单位：欧姆 参数：功率，阻值，误差是其主要参数。 符号：
1、贴片碳膜电阻：0603,0805,1206型编带电阻。 误差有5%，1%。多用于12V一下电路。 2、1/2W, 1W, 2W碳膜，金属膜，金属氧化膜电阻： 在脉冲电路选择电阻功率时，绝不能用万用表直流档 测得电阻两端电压值来计算电阻功率。而要用示波器测电 阻两端电压波形的最高值来计算电阻功率。这样才能保证 可靠性。对于高压脉冲电路要用实芯电阻，不能用薄膜电 阻。
电路基础知识
安全篇
一、安全知识！
1、定义： （1）BUS电容：220VAC 经全桥整流后滤波、储 能电容称为BUS电容。 BUS电压：BUS电容上的电压称谓BUS电压。 （2）热地： BUS电容负端称为热地。 （3）冷地： 经安全隔离后变压器次边第一个整流 后滤波、储能电容负端称为冷地。 见图（1）
二极管符号：
伏安特性曲线
五、三极管
晶体三极管：Bipolar Junction Transistors (BJT) 三端器件，应用时易于控制； 用来实现受控源，它是放大器设计的基础。 晶体三极管是由两个靠得很近并且背对背排列的PN结，它是由 自由电子与空穴作为载流子共同参与导电的，因此晶体三极管 晶体三极管：Bipolar Junction Transistors (BJT) 三端器件，应用时易于控制； 用来实现受控源，它是放大器设计的基础。也称为双极型 晶体管(Bipolar Junction Transistors)，简称BJT。
二、电容
电容器是一种能储存电荷能量的元件。能量可以长期保存。 单位：法拉 F 瓷片电容：CT低频、CC高频；Pf--nF 薄膜电容：nF--uF 电解电容：1u--几千uF 钽电容： 稳定性能好。 超大型法拉电容1F--几百F 参数：耐压，容量，损耗角ESR ，误差，温度特性，频率特 性是其主要参数。 电解电容要注意损耗角低ESR 。
+
集电结 （CBJ） N型 P型 集电极（C） B
E
发射区
基区
基极（B）
(a)
集电区
金属接触
(b)CΒιβλιοθήκη PNP型(a)物理结构(b)电路符号
结构特点：基区的宽度很薄(μ m级)，发射区的掺杂浓度远大于
基区，集电结的面积大于发射结面积。
3、三极管的工作模式 依据晶体管的发射结 (EBJ) 和集电结(CBJ) 的偏置情况， 晶体管的工作模式如下表所示： 晶体管的工作模式 工作模式 放大模式 截止模式 发射结（EBJ） 正偏 反偏 集电结（CBJ） 反偏 反偏
符号：
主要作用：隔直通交。 注意：电源次级整流后第一个电容要用高频低漏 电解电容
1、电容串联计算 C1=4.7uF C2=5.6uF
C1*C2 4.7*5.6 C(等效电容)=------=---------=2.56uF C1+C2 4.7+5.6
2、电容并联计算 C(等效电容）=C1+C2=4.7+5.6=10.3uF
1、 晶体管的实际结构 (以NPN为例)
E B
C
NPN型晶体管的横截面如左图所示。 结构特点： 集电区是包围着发射区的，所 以集电结比发射结有更大的结面积， 这样使得被注入到薄基区的自由电 子很难逃脱被收集的命运。因此， 就非常接近于1， 非常大。
P
N N
2、物理结构与电路符号
根据PN结的排列方式不同，晶体三极管NPN型和PNP型两种。