干法刻蚀和湿法刻蚀

1 干法刻蚀和湿法刻蚀

干法刻蚀是把硅片外表暴露于空气中产生的等离子体，等离子体通过光刻胶中开出的窗口，与硅片发生物理或化学反响，从而去掉暴露的外表材料。

湿法腐蚀是以液体化学试剂以化学方式去除硅片外表的材料。

2刻蚀速率是指在刻蚀过程中去除硅片外表材料的速度，通常用。A/min表示

刻蚀速率=T/t(。A/min)

其中T=去掉的材料厚度

t=刻蚀所用的时间

为了高的产量，希望有高的刻蚀速率。

3刻蚀选择比指的是同一刻蚀条件下一种材料与另一种刻蚀材料相比刻蚀速率快多少。他定义为被刻蚀材料的刻蚀速率与另一种材料的刻蚀速率的比。

干法刻蚀的选择比低，通常不能提供对下一层材料足够高的刻蚀选择比。

高选择比意味着只刻除想要刻去的那层。

4干法刻蚀的主要目的完整的把掩膜图形复制到硅片外表上。

优点：刻蚀剖面是各向异性，具有非常好的侧壁剖面控制，

好的CD控制

最小的光刻胶脱落或粘附问题

好的片内，片间，批次间的刻蚀均匀性

较低的化学制品使用和处理费用

缺乏：对下层材料的差的刻蚀选择比，等离子体带来的器件损伤和昂贵的设备。

5化学机理：等离子体产生的反响元素与硅片外表的物质发生反响，为了获得高的选择比，进入腔体的气体都经过了慎重选择。等离子体化学刻蚀由于它是各向同性的，因而线宽控制差。

物理机理：等离子体产生的带能粒子在强电场下朝硅片外表加速，这些离子通过溅射刻蚀作用去除未被保护的硅片外表材料。

6根本部件：发生刻蚀反响的反响腔，一个产生等离子体的射频电源，气体流量控制系统，去除刻蚀生成物和气体的真空系统。

氟刻蚀二氧化硅，氯和氟刻蚀铝，氯，氟和溴刻蚀硅，氧去除光刻胶。

7z微波鼓励源来产生高密度等离子体。ECR反响器的一个关键点是磁场平行于反映剂的流动方向，这使得自由电子由于磁力的作用做螺旋形运动。当电子的盘旋频率等于所加的微波电场频率时，能有效把电能转移到等离子体中的电子上。这种振荡增加了电子碰撞的可能性，从而产生高密度的等离子体，获得大的离子流。

8氟基气体

三个步骤：1，预刻蚀，用于去除自然氧化层，硬的掩蔽层和外表污染物来获得均匀的刻蚀2，刻至终点的主刻蚀，用来刻蚀大局部的多晶硅膜，并不损伤栅氧化层和获得理想的各向异性的侧壁剖面。

3，过刻蚀，用于去除刻蚀残留物和剩余多晶硅，并保证对栅氧层的高选择比。

9 氮化硅掩蔽层是用热磷酸进行湿法化学剥离的，这种酸槽一般维持在160摄氏度左右并对露出的氧化硅具有所希望的高选择比，通过使用检控样片进行定时操作。在暴露的氮化硅上会形成一层氮氧化硅，在去除前，需要在氢氟酸中进行短时间的处理。