自旋电子学和自旋电子器件
自旋电子器件—自旋场效应晶体管
自旋电子器件—自旋场效应晶体管自旋电子器件——自旋场效应晶体管自旋电子学作为一种基于物理学原理的新型电子学技术,近年来受到了广泛的关注。
自旋电子学是指通过控制电子的自旋来实现信息处理和传输。
与传统的电子学技术相比,自旋电子学具有更高的速度、更低的功耗和更好的可集成性。
其中,自旋场效应晶体管(SCFET)作为一种常见的自旋电子器件,正在逐步成为自旋电子学的重要研究方向。
SCFET作为一种基于金属-半导体界面上反应的自旋电子器件,它是借鉴场效应晶体管(FET)的思路而发展而来的。
SCFET的制备过程涉及到材料的选择和器件的结构,具体过程包括:1)制备半导体材料;2)制备金属-半导体界面;3)将由半导体材料构成的通道结构与金属-半导体界面进行接触。
通道结构是指由半导体材料制成的晶体管中电子流动的路径,它对电子的输运影响重大。
金属-半导体界面则指金属和半导体钙结构中能级和势垒发生变化的区域,在SCFET中,它起到了抑制正常场效应的作用。
与传统的晶体管相比,SCFET最大的不同在于它利用了电子的自旋来控制电子的输运。
在自旋电子学中,电子的自旋分为向上和向下两个状态,分别代表0和1。
利用这一性质,SCFET可以实现电子的自旋控制和自旋转移,从而实现自旋信息的存储和传输。
在SCFET中,自旋场效应是通过施加磁场来实现的。
在磁场存在的情况下,电子的自旋会向特定的方向偏转,进而影响电子在通道结构中的输运。
当磁场加强或减弱时,电子的自旋状态也会发生变化,从而实现自旋控制。
目前,SCFET已经在一些重要的应用场景中得到了广泛的应用。
例如,在非易失性存储器方面,SCFET可以用于替代传统的闪存存储器,以实现更高的速度、更低的功耗和更好的可靠性。
在芯片设计方面,SCFET可以用于实现高速信号传输和低功耗的逻辑电路设计。
在量子计算和量子通信方面,SCFET具有很好的应用前景,因为它可以实现量子信息的输运和控制。
总之,自旋场效应晶体管作为一种基于自旋电子学的新型器件,具有很大的应用潜力。
自旋电子学与自旋器件
自旋电子学与自旋器件自旋电子学是一门研究自旋电子在材料中运动和相互作用的学科,自旋器件则是通过利用自旋电子在材料中的特性设计和制造的电子器件。
本文将探讨自旋电子学的基本概念、自旋器件的分类以及其在现代科技领域的应用。
一、自旋电子学的基本概念自旋是电子的一种属性,类似于地球上物体的旋转。
电子的自旋可以看作是围绕其自身轴心旋转产生的磁矩。
自旋电子学研究的重点在于如何控制和利用电子的自旋,以实现信息的存储和传输。
在自旋电子学中,自旋电子可以被视为一种具有两个自旋态的粒子,即自旋“上”和自旋“下”。
通过施加磁场或利用特殊材料的相互作用,可以使电子在两种自旋态之间进行转换,这就是自旋翻转。
二、自旋器件的分类根据自旋器件的功能和工作原理,可以将其分为自旋阀、自旋场效应器件和自旋传感器。
1. 自旋阀自旋阀是利用自旋选择性的非磁性材料与磁性材料之间的界面耦合效应,实现电子自旋的注入和控制。
自旋阀可以用于构建自旋电子学器件中的自旋输运和调控单元。
2. 自旋场效应器件自旋场效应器件是一种利用电场调控电子自旋输运的器件。
它通过在材料中引入外加电场,调节自旋电子在材料中的能级分布,从而控制电子的自旋转变和输运。
3. 自旋传感器自旋传感器是一种利用自旋电子特性感测外部物理量或环境变化的器件。
通过监测自旋电子在材料中的状态变化,可以实现对温度、磁场、电压等物理量的测量和监测。
三、自旋电子学在现代科技领域的应用1. 自旋磁电子学自旋磁电子学是自旋电子学的一个重要研究方向。
它利用自旋自旋转变和磁性材料的相互作用,实现磁性存储器件和磁性传感器的控制与调节。
自旋磁电子学在信息存储、计算和通信等领域具有广泛的应用前景。
2. 自旋输运与量子计算自旋输运是自旋电子学的核心内容之一,其目标是实现自旋信息的传输与控制。
自旋电子学中的自旋传输和调控单元可以用于构建量子比特和量子电路,用于实现量子计算和量子通信。
3. 自旋电子学与磁效应材料自旋电子学与磁效应材料的研究相互关联,相互促进。
自旋电子学中的自旋转移矩效应与自旋电子器件研究新进展
自旋电子学中的自旋转移矩效应与自旋电子器件研究新进展自旋电子学是一门相对较新的物理学分支,涉及自旋电子的操控和应用。
自旋转移矩效应是自旋电子学中的一个重要现象,它在自旋电子器件的研究和应用中发挥着关键作用。
本文将详细解读自旋转移矩效应的基本定律、实验准备和过程,并探讨其在自旋电子器件研究中的新进展和应用。
自旋转移矩效应(spin-transfer torque,简称STT)是指自旋极化电流对磁矩的转移作用。
在自旋电子学中,电流携带的自旋极化可引起磁矩的移动和翻转,从而实现自旋信息的读写和存储。
STT的研究对于自旋电子器件的发展具有重要意义。
首先,我们可以从磁体的逆磁电阻效应(GMR)开始解读STT的基本定律。
GMR现象表明,当电流通过一个具有磁性层的金属多层膜时,由于自旋极化电流的存在,电阻将与磁自旋方向有关。
这一效应被用于读取磁性存储介质中的自旋信息。
STT则进一步利用了这种磁性层中的自旋极化电流,通过施加一个垂直磁场,使得磁矩沿着特定方向旋转,实现了自旋信息的写入。
在进行STT实验前,我们需要准备一些实验装置和材料。
首先,需要制备一些磁性多层薄膜样品,其中包含磁性层和非磁性层,用于观察STT效应。
其次,需要配置一台实验仪器,如霍尔效应测量仪,用于测量和分析自旋极化电流和磁矩的变化。
最后,还需要一些实验材料,如电路板、导线和稳压电源等。
实验的过程如下:首先,将制备好的磁性多层薄膜样品固定在实验装置中,并连接电路板和电流源。
然后,通过电流源施加一定大小的电流并选择合适的频率,以产生自旋极化电流。
接着,通过霍尔效应测量仪测量电流和磁矩的变化,以获得STT效应的相关数据。
最后,根据实验数据分析自旋极化电流对磁矩的转移作用,并进一步探究其在读写自旋信息中的应用。
自旋转移矩效应在自旋电子器件的研究中有着广泛的应用。
例如,自旋转移矩随机存储器(ST-RAM)利用STT效应实现了高速、低功耗和非易失性的自旋极化数据存储。
自旋电子学与自旋电子器件
自旋电子学与自旋电子器件自旋电子学是一门研究将电子的自旋运动作为信息的载体进行存储、传输和操作的学科。
自旋电子器件则是应用自旋电子学原理开发的电子器件。
自旋电子学与自旋电子器件的发展具有重要的科学意义和应用价值,本文将从理论原理、器件分类以及未来发展方向等方面进行阐述。
一、理论原理自旋电子学是基于电子的自旋运动而建立的一种新型电子学理论。
电子除了具有电荷属性外,还具有自旋属性,自旋可以理解为电子围绕自身轴的旋转运动。
在经典物理学中,自旋可以类比为地球绕自转轴旋转。
自旋的特点在于它具有两种取向,分别为上旋(spin up)和下旋(spin down)。
这两种取向可以表示为"1"和"0",即可以用来储存和传输信息。
二、器件分类根据实际应用需求,自旋电子器件可以分为几个不同的分类。
常见的自旋电子器件包括自旋电子存储器、自旋场效应晶体管(spin field-effect transistor, Spin-FET)以及自旋逻辑门等。
1. 自旋电子存储器自旋电子存储器是一种利用自旋自由度实现信息存储的设备。
其中最典型的是自旋隧穿磁阻(spin-tunneling magnetoresistance, STT-MRAM)存储器。
其原理是通过调控自旋电子在磁隧道结构中的隧穿电流,实现对存储信息的读写操作。
STT-MRAM存储器具有非易失性、高速写入和低功耗等优势,被广泛应用于电子产品的存储领域。
2. 自旋场效应晶体管自旋场效应晶体管是一种利用自旋转移效应进行电子输运的器件。
通过在半导体材料中引入磁性材料,在电场调控下实现自旋电子流的控制。
自旋场效应晶体管具有高速、低功耗和可控性强等特点,被广泛应用于自旋逻辑电路和自旋电子通信等领域。
3. 自旋逻辑门自旋逻辑门是一种基于自旋操控实现逻辑运算的器件。
传统的电子逻辑门是基于电荷操控的,而自旋逻辑门则是利用自旋电子的上旋和下旋状态作为输入和输出。
自旋电子学的研究及其应用
自旋电子学的研究及其应用自旋电子学是一门近年来不断发展壮大的物理学分支,在许多领域有着广泛的应用。
自旋电子学的本质是将电子的自旋作为信息存储和处理的基本单元,与传统的电荷电子学不同,自旋电子学主要研究自旋极化和磁性材料的物性等问题。
本文将围绕自旋电子学的研究和应用展开探讨。
自旋电子学的研究基础自旋电子学最早起源于20世纪50年代,当时电子学的主要研究方向是电子的电荷性质。
然而,在20世纪60年代初期,一些科学家发现,电子不仅有电荷,还有自旋。
自旋是电子特有的一种角动量,带有一定的磁性。
磁性的自旋可以看作是一种磁场,因此,自旋可以被用来控制磁性物质的电学性质,也可以被用来存储和传输信息。
自旋电子学的研究涉及到自旋的量子力学和自旋极化的物理化学等多个领域。
其中最关键的问题是如何将电子的自旋转化为可控制的电学信号。
经过多年的研究,科学家找到了一种用自旋控制电学信号的方法,就是通过自旋极化电流来控制材料的磁性,从而实现信息的存储和处理。
自旋电子学的应用自旋电子学的应用非常广泛,可以涉及到信息技术、能源、生物医学、环境保护等多个领域。
以下将列举几个自旋电子学的应用案例。
1. 磁性存储器磁性存储器是自旋电子学最主要的应用之一。
磁性存储器是一种通过自旋极化来实现信息存储和读出的储存设备。
磁性存储器可以用来存储各种类型的数据,如音频、视频、图像等。
目前,磁性存储器已经成为了大规模数据存储的重要工具。
2. 自旋电子器件自旋电子器件是一种通过自旋控制的电子设备。
自旋电子器件可以通过调节自旋极化来控制电子的输运、逆转和操纵等。
自旋电子器件可以广泛应用于电磁学、电子器件工程、物理化学等领域。
3. 磁性减震器磁性减震器是一种通过自旋极化来减少震动的设备。
磁性减震器可以通过磁场的作用将机台内部的震动缓解,从而减少机器的噪音和振动。
磁性减震器在机械工程、制造工艺等方面有广泛的应用。
4. 纳米磁性探针纳米磁性探针是一种通过自旋极化来探测材料结构和性质的工具。
自旋电子学概述
自旋电子学概述自旋电子学是一门研究电子自旋运动和相关现象的学科领域。
自旋电子学在物理学、材料科学和电子工程等领域具有重要的理论和实际应用价值。
本文将简要介绍自旋电子学的起源、基本概念以及应用前景。
一、起源自旋电子学最早可以追溯到20世纪初。
美国物理学家斯特恩在1922年的实验中首次观测到电子的自旋。
自旋被认为是电子的基本属性之一,其类似于物体的自旋,但又有所不同。
自旋除了带有磁矩,还具有量子性质,如量子态叠加和纠缠等。
二、基本概念1. 自旋电子学中的自旋:自旋是描述电子旋转角动量的量子性质。
常见的自旋取值有“上自旋”和“下自旋”,分别对应自旋向上和向下。
2. 自旋电子学中的磁性:自旋和磁性密切相关,自旋带有磁矩。
通过利用电子自旋来操控和感知材料的磁性,可以实现磁存储、磁传输和磁传感等应用。
3. 自旋电子学中的自旋轨道耦合:自旋轨道耦合是指自旋和电子轨道运动之间的耦合效应。
它可以通过磁场、电场和材料的对称性等因素来调控。
自旋轨道耦合是实现自旋电子学功能的重要基础。
三、应用前景自旋电子学具有广阔的应用前景,以下列举几个重要的研究方向和应用领域:1. 自旋电子学器件:利用自旋来实现信息的存储、传输和处理是自旋电子学的重要应用之一。
例如,自旋晶体管、自旋场效应晶体管等器件可以用于高效的信息存储和处理。
2. 磁存储技术:自旋电子学在磁存储领域具有广泛的应用。
通过调控电子自旋来实现高密度、高速度的磁性存储,可以有效解决传统磁存储技术面临的挑战。
3. 自旋电子学材料:自旋电子学的发展离不开新型的自旋电子学材料。
例如,具有自旋劈裂特性的材料可以用于自旋传输和自旋滤波器件。
4. 量子自旋系统:自旋电子学与量子信息领域的交叉也是一个研究热点。
利用电子自旋来实现量子比特的存储和操作,有望实现量子计算和量子通信的突破。
四、总结自旋电子学作为一门新兴的学科领域,对于未来信息技术的发展具有重要意义。
随着研究的深入和技术的不断突破,自旋电子学有望在信息存储、传输和处理等领域发挥重要作用。
电子工程中的自旋电子学理论
电子工程中的自旋电子学理论自旋电子学理论是电子工程中的一个重要研究领域,其研究对象是电子的自旋,而不是电子的电荷。
随着磁性存储技术的快速发展,自旋电子学理论已被广泛应用于电子器件和计算机技术等领域。
本文将重点探讨自旋电子学理论的定义、原理及其在电子工程中的应用。
一、自旋电子学理论的定义自旋电子学理论是描述自旋与磁性相互作用的一种物理理论,主要应用于磁性材料的研究与应用,以及磁性存储设备的制造与优化。
在自旋电子学理论中,电子不仅具有电荷,而且具有自旋。
自旋指的是电子固有的自旋磁矩,是电子运动方向的磁场。
通过控制电子自旋,可以控制材料的磁性。
二、自旋电子学理论的原理首先要了解自旋的基础概念:自旋是电子的内禀属性,类似于固定轨道运动和角动量。
自旋有两个可能的方向,即“上”和“下”,可以用“+1/2”和“-1/2”表示。
在一个磁场中,电子会受到与自己自旋方向相反的力,这个力被称为磁场作用力。
因此,在一个磁场中,自旋方向相同的电子会向磁场区域集中,而相反的电子会分散在区域中。
自旋电子学理论还包括两个重要的概念:自旋极化和自旋电流。
自旋极化是指电子自旋朝向相同的概率比自旋朝向相反的概率更高。
自旋电流是指在一个导体中存在自旋向一侧的电子流。
自旋电子学理论在这两个概念的基础上,发现了一些有用的现象。
三、自旋电子学在电子工程中的应用1. 磁性存储器自旋电子学在磁性存储器中应用非常广泛。
在传统的硬盘驱动器中,数据是存储在一个矩形磁区中,每个磁区代表一个比特。
在新型的自旋电子学硬盘中,数据被存储在一个小型磁区中,即自旋填充层(Spintronic layer)。
自旋填充层包括两个分离的层,可以分别控制电子的自旋方向和运动方向。
这种技术比传统磁性存储器更加紧密和容量更大。
2. 自旋电流器件自旋电流器件是自旋电子学的一种应用,其原理是利用自旋电流控制磁性材料的自旋方向。
一个自旋电流器件由两个磁层隔着一个绝缘层组成,自旋电流会从一个层流入另一个层。
《自旋电子学》课件
探索自旋电子学在信息科学、纳米电子学和量子计算等领域的广泛应用。
自旋电子学的优势
详细阐述自旋电子学相较于传统电子学的优势和潜在价值。
自旋传输
1
自旋运输和操控
2
探索自旋如何在材料和器件中进行传输
和操控,为自旋电子学的应用提供支持。
3
自旋注入和探测
研究自旋如何被注入和探测,为后续自 旋运输和操控奠定基础。
自旋电场效应晶体管
介绍自旋电场效应晶体管的原理与设计, 展示其在信息处理中的潜力。
自旋器件
自旋触发器
介绍自旋触发器的原理与应用,探讨其在信息存储 和处理中的潜力。
自旋滤波器
详细阐述自旋滤波器的工作原理和应用场景,探讨 其在信息筛选中的优势。
自旋管
探索自旋管的原理与构建方法,展示其在自旋电子 学中的应用前景。
自旋电子学的未来
1 自旋电子学的发展趋 2 自旋电子学与量子计 3 自旋电子学在信息处
势
算的结合
理领域的应用
分析自旋电子学发展的趋 势和前景,展望未来的发 展方向。
探讨自旋电子学与量子计 算的结合,展示其在信息 处理领域的潜力。
详细介绍自旋电子学在信 息处理领域的具体应用, 展示其在实际应用中的优 势和挑战。
总结
自旋电子学的意义
总结自旋电子学的意义和重要性,强调其在信息科学领域的研究和应用价值。
自旋电子学的挑战
概述自旋电子学面临的挑战和难题,讨论未来的发展方向。
未来的方向
展望自旋电子学未来的发展方向,并提出进一步研究的建议。
自旋量子点
介绍自旋量子点的结构与特性,探讨其在量子计算 与信息处理中的潜力。
自旋电路与系统
自旋电子学开启新一代电子器件
自旋电子学开启新一代电子器件自旋电子学是一门涉及自旋和自旋相关现象的学科,近年来受到了广泛的关注和研究。
自旋电子学的发展在电子器件领域引发了一场革命,为新一代电子器件的制造和发展提供了巨大的机会和潜力。
自旋电子学的核心是利用自旋作为信息的载体,而非传统的电荷。
自旋是电子固有的特性,类似于一个微小的磁矢量,可以用来表示电子在空间中的方向和状态。
自旋电子学通过操控和控制自旋,实现更高效、更稳定的信息处理和存储。
目前,自旋电子学已经在很多领域取得了突破性的进展。
其中之一就是磁性存储器。
传统的磁性存储器使用电荷进行信息的存储和传输,而自旋电子学可以通过利用电子的自旋来实现更高速度、更高密度的存储。
自旋电子学中的一项重要技术是磁隧道结构,利用自旋极化电流在非磁性隔离层中产生自旋极化效应,实现了磁性存储器的高速读写操作。
除了磁性存储器,自旋电子学还在逻辑电路和传感器领域展示出了巨大的潜力。
在传统的逻辑电路中,信息的传输和处理都是通过电荷进行的,而自旋电子学通过利用自旋进行逻辑运算,大大提升了速度和效率。
自旋传感器可以通过探测自旋的微小变化来实现高灵敏度的传感器,例如用于医学诊断、环境监测等重要领域。
除了上述应用,自旋电子学还在量子计算和量子通信中有着重要的地位。
自旋量子位是一种很有潜力的量子比特,通过在自旋上进行量子操作,可以实现更稳定、更可靠的量子计算和通信。
自旋电子学为发展大规模的量子计算和量子通信系统提供了新的思路和技术支持。
总结起来,自旋电子学作为一门新兴的学科,为新一代电子器件的制造和发展提供了巨大的机会和潜力。
在磁性存储器、逻辑电路、传感器、量子计算和量子通信等领域,自旋电子学都展现出了独特的优势和应用前景。
随着技术的不断进步和发展,自旋电子学将成为推动电子器件革新的重要驱动力之一。
未来,我们可以期待自旋电子学带来更多令人兴奋的突破和创新,为人类的科技进步做出更大的贡献。
物理学中的自旋电子学与自旋电子输运
物理学中的自旋电子学与自旋电子输运近年来,随着纳米科技的快速发展,自旋电子学作为一门新兴的跨学科研究领域,引起了物理学界的广泛关注。
自旋电子学主要研究电子的自旋特性以及与材料中的晶格结构和自旋轨道相互作用的关系。
自旋电子学的研究领域涵盖了自旋相关器件、自旋输运和自旋电子学材料等方面。
其中,自旋输运是该领域的核心问题之一。
自旋输运是指通过外加电场或磁场来操控电子的自旋状态,实现自旋信息的传输和处理。
与传统的电子输运不同,自旋输运中的电子不仅仅携带电荷,还携带着自旋信息。
在自旋电子学中,最重要的概念是自旋。
自旋是电子的一个内禀属性,类似地球围绕自转轴旋转一样。
电子的自旋可以有两个状态,即自旋上和自旋下。
这种自旋上和自旋下的超小量子态可以用来编码信息,实现自旋计算和存储。
因此,研究自旋电子学对于开发下一代信息存储与处理技术具有重要意义。
在自旋电子学领域,自旋输运的研究是非常关键的。
自旋输运可以通过材料的自旋轨道相互作用来实现。
自旋轨道相互作用是指电子的自旋与运动轨道的相互耦合。
这种相互作用使得电子的自旋方向受到了限制,从而影响了电子的输运行为。
自旋电子学中的自旋输运可以分为两种类型:弹性自旋输运和非弹性自旋输运。
弹性自旋输运是指电子在输运过程中不改变自旋状态。
非弹性自旋输运则是指电子在输运过程中发生自旋翻转。
研究者们通过设计特殊的材料结构和施加外加电场或磁场来控制自旋输运的过程,实现自旋的操控和传输。
自旋电子学的研究对于物理学的发展具有重要的影响。
通过自旋电子学的研究,科学家们可以开发出更小、更快、更高效的电子器件,实现更强大的计算和存储能力。
此外,自旋电子学的研究还有助于解决能源和环境问题。
例如,自旋电子学材料可以应用于磁性存储器件和磁性传感器,实现高密度数据存储和高灵敏度的磁场探测。
值得注意的是,自旋电子学研究领域还面临一些挑战。
首先,要寻找稳定的自旋电子学材料,并且能够在常温下实现自旋输运。
其次,要解决自旋输运中的自旋损失和噪声问题,提高自旋传输的效率和稳定性。
自旋电子学与自旋电子器件简述
自旋电子学与自旋电子器件简述陈闽江,邱彩玉,孙连峰(国家纳米科学中心 器件研究室 北京 )一、引言2007年10月,瑞典皇家科学院宣布,将该年度诺贝尔物理学奖授予在1988年分别独立发现纳米多层膜中巨磁电阻效应的法国Albert Fert 教授和德国Peter Grunberg 教授。
其随后的应用不啻为革命性的,因为它使得计算机硬盘的容量从几十兆、几百兆,一跃而提高了几百倍,达到几十G 乃至上百G 。
越来越多的人开始了解这个工作及其对我们生活的影响,并意识到这个工作方向的重要意义。
1988年在磁性多层膜中发现巨磁电阻效应(Giant Magnetoresistance ,GMR),1993年和1994年在钙钛矿锰氧化物中发现庞磁电阻效应(Colossal Magnetoresistance ,CMR),特别是1995年在铁磁性隧道结材料中发现了室温高隧穿磁电阻效应(Tunneling Magnetoresistance ,TMR)以及后续形成的稀磁半导体等研究热潮,这些具有里程碑意义的人工合成磁性材料的成功制备和深入研究,不仅迅速推动了近20年凝聚态物理新兴学科——自旋电子学(spintronics)的形成与快速发展,也极大地促进了与自旋极化电子输运相关的磁电阻材料和新型自旋电子学器件的研制和应用。
中国科学院物理研究所朱涛研究员表示:“Albert Fert 和Peter Grunberg 种下了一粒种子,随着20世纪90年代应用的突破,这粒种子长成了一棵小苗——自旋电子学,这是一个成长很快、前景广阔的磁学分支。
”二、电子自旋与自旋电子学要阐明自旋电子学,就不得不先简述一下电子自旋这一概念。
电子自旋不是电子的机械自转,电子自旋及磁矩是电子本身的内禀属性,所以也被称为内禀角动量和内禀磁矩。
它们的存在标志电子还有一个新的内禀自由度。
所以电子状态的完全描述不但包括空间三个自由度的坐标(r ),还必须考虑其自旋状态。
理论电子学的自旋电子学材料设计
理论电子学的自旋电子学材料设计1. 引言理论电子学是研究电子性质和电子行为的学科,而自旋电子学是研究电子自旋在材料中的特性和应用的分支领域。
自旋电子学是现代电子学研究的重要方向之一,自旋作为电子的一个内禀属性,可以为信息存储和处理带来新的可能性。
本文将介绍理论电子学在自旋电子学材料设计方面的应用。
2. 自旋电子学基础在介绍理论电子学在自旋电子学材料设计中的应用之前,首先需要了解自旋电子学的基础知识。
自旋是电子的一个内禀属性,类似于一个微小的磁矩。
自旋可以取两个值,即上自旋和下自旋,分别用↑和↓表示。
自旋在材料中的运动和相互作用可以用量子力学描述。
自旋电子学主要涉及自旋的生成、操控和检测。
自旋可以通过施加磁场、电场或其他手段来操控。
自旋在材料中的传输可以通过自旋扭曲效应或自旋输运效应实现。
而自旋的检测可以通过磁性敏感器或光学方法等手段实现。
3. 理论电子学在自旋电子学材料设计中的应用3.1 自旋材料的设计原则在自旋电子学材料设计中,理论电子学发挥着重要的作用。
理论电子学可以通过计算和模拟方法预测和优化材料的自旋特性。
基于理论模型和计算方法,可以确定自旋材料的结构参数、磁性特性和电子能带结构等。
自旋材料的设计原则包括以下几个方面:•自旋轨道耦合:自旋轨道耦合是自旋电子学中的重要现象。
通过增强自旋轨道耦合,可以实现更强的自旋-轨道耦合效应,从而实现更好的自旋控制和操控。
•磁性杂质控制:通过引入适量的磁性杂质,可以实现自旋的局域化和调控。
磁性杂质可以改变自旋电子的能带结构和输运性质,从而实现对自旋的控制。
•拓扑性质:拓扑材料在自旋电子学中具有重要的应用潜力。
通过设计材料的拓扑结构,可以实现自旋电子的稳定传输和量子纠缠效应。
3.2 理论模拟和计算方法在自旋电子学材料设计中,理论模拟和计算方法是不可或缺的工具。
理论模拟可以通过构建自旋电子的量子力学哈密顿量,计算材料的能带结构、磁性特性和输运性质等。
一些常用的理论模拟和计算方法包括:•密度泛函理论(Density Functional Theory,DFT):DFT是一种基于量子力学原理的计算方法,可以计算材料的电子结构。
固体物理学基础晶体的自旋电子学与自旋子态
固体物理学基础晶体的自旋电子学与自旋子态自旋电子学作为固体物理学的重要分支,研究自旋电子在固体材料中的行为和相互作用。
自旋是电子的固有属性之一,与电子的电荷密切相关。
通过探究自旋电子在晶体中的行为,科学家们逐渐揭示了自旋电子学的丰富多样性和潜力。
在这个领域中,自旋子态是一个引人注目的研究对象,它们是可以操控和操纵的自旋激发态。
本文将深入探讨晶体的自旋电子学和自旋子态。
一、晶体中的自旋电子学晶体是由周期性排列的原子或分子组成的固体材料。
在晶体中,电子的自由度受到晶格结构的限制和调控。
当电子在晶格中运动时,晶格中的周期性势场会对其产生作用,导致电子的动量和能量量子化。
与自由空间中的电子不同,晶体中的电子可以在能带中取离散的能量值,形成能带结构。
在晶格中,电子的自旋也受到晶格调制的影响。
自旋可以理解为电子围绕自身旋转所产生的磁矩。
晶体中的电子自旋与电荷密切相关,因此可以通过外加电磁场来操控电子的自旋状态。
例如,通过磁场可以改变电子自旋的定向,在固态系统中产生磁化效应。
二、自旋子态的概念与特性自旋子态是由自旋激发引起的一种电子激发态。
自旋子态在固体物理学和自旋电子学中具有重要的研究意义。
通过在晶体中引入自旋非线性相互作用,可以形成一系列自旋子态。
自旋子态可以通过多种手段进行操控,包括外部磁场、自旋极化光激发等。
自旋子态通常具有长寿命和强耦合性质。
由于自旋子态不仅与自旋自由度相关,还与晶格和其他自旋激发相互作用,因此其行为更复杂多样。
自旋子态可以被看作是自旋电子学中的“粒子”,具有自己的能级、自旋角动量等性质。
三、自旋子态的应用与前景自旋子态在固态材料中具有广泛的应用前景。
首先,自旋子态可以作为信息载体传递和处理信息。
借助自旋子态的长寿命和耦合性质,可以实现自旋逻辑门和自旋量子比特的操作,为量子计算和量子通信提供新的思路和方法。
其次,自旋子态在自旋电子学器件中具有巨大的潜力。
传统的电子学器件基于电荷的传输和控制,而自旋子态可以提供更快速、更节能的信息处理方式。
自旋电子学及其在信息存储中的应用
自旋电子学及其在信息存储中的应用自旋电子学是一门研究电子自旋在材料中的传输、存储和控制的学科。
自旋电子学的出现,为信息存储和处理提供了新的可能性。
相比传统的电子学,自旋电子学可以在不需要外部磁场的情况下,通过控制电子自旋来实现高速、低功耗的信息存储与处理。
在自旋电子学中,最重要的组件之一是自旋电子器件。
自旋电子器件通过利用电子自旋的性质进行信息的存储和传输。
其中,磁隧道结是一种常用的自旋电子器件。
磁隧道结的工作原理是通过两层磁性材料之间的隧穿电流来控制电子自旋。
当隧穿电流通过时,两层磁性材料之间的磁矩方向可以发生翻转,从而实现信息的存储和读取。
除了磁隧道结,还有其他一些自旋电子器件,如自旋电场效应晶体管、自旋霍尔效应器件等。
这些器件在自旋电子学领域的应用不断拓展,为信息存储的技术发展提供了新的途径。
自旋电子学在信息存储中的应用主要包括磁性存储和自旋传输两个方面。
在磁性存储中,自旋电子学可以实现高密度、高速的磁性存储器。
相比传统的硬盘驱动器,在自旋电子学的磁性存储器中,可以将信息以微小的磁性域的方式进行存储,从而大大提高存储密度。
同时,由于自旋电子学的高速特性,可以实现更快的数据读取和写入速度,提高存储器的性能。
在自旋传输方面,自旋电子学可以实现低功耗的数据传输。
自旋传输采用的是自旋而不是电子电荷来传输信息,因此可以避免传统电子器件中由于电荷传输造成的热耗散。
这使得自旋传输在低功耗的信息传输中具有巨大的潜力。
此外,自旋传输还可以实现高速的信息传输,为信息处理提供更快速的可能性。
在实际应用中,自旋电子学已经在磁性随机存储器、自旋传输器件和磁性逻辑器件等领域有了广泛的应用。
例如,利用自旋电子学的磁性随机存储器可以提高存储密度,实现更高容量的硬盘驱动器。
自旋传输器件可以用于实现高速的数据传输,在云计算和大数据处理中具有重要意义。
而磁性逻辑器件则可以实现低耗能的逻辑运算,为节能计算提供支持。
虽然自旋电子学在信息存储中具有巨大的潜力,但目前仍存在一些挑战。
电子自旋与自旋电子学的物理基础
电子自旋与自旋电子学的物理基础自旋是描述电子的一种量子性质,它是电子固有的角动量,类似于物体的自转。
自旋在电子学领域起着至关重要的作用,特别是在自旋电子学中。
本文将介绍电子自旋及其与自旋电子学的物理基础。
一、电子自旋的基本概念与性质电子自旋是描述电子的一种内禀角动量,它没有经典物理学的对应物。
电子的自旋取值为1/2或-1/2,表示两个相反的自旋状态,分别称为自旋“上”态和自旋“下”态。
自旋“上”态用符号↑表示,自旋“下”态用符号↓表示。
电子自旋与电子的轨道运动是相互独立的,即电子可以具有不同的自旋态,而处于相同轨道。
这意味着一个能级最多可以容纳两个电子,分别处于上自旋态和下自旋态。
这就是著名的泡利不相容原理,否定了多个电子同时处于相同状态的可能性。
二、自旋电子学的基本思想自旋电子学是利用电子的自旋来操控和传输信息的一种新兴领域。
自旋电子学的基本思想是通过利用电子自旋的两个状态来表示信息的“0”和“1”。
与传统的电子学(即利用电子的电荷来传输信息)相比,自旋电子学具有更低的能耗和更高的速度。
在自旋电子学中,常用的一种方法是通过磁性材料来实现对自旋的操控,这种材料被称为磁性隧道结。
磁性隧道结由两层磁性材料之间夹着一层非磁性材料组成。
当施加适当的电压时,电子可以在磁性材料之间通过隧道效应进行转移,从而实现对自旋的操控。
三、自旋传输与自旋扭曲效应自旋传输是自旋电子学中的关键技术之一。
在自旋传输中,电子的自旋信息在材料中的输运过程中得以保持。
这与传统的电子输运不同,传统电子输运中,电子受到碰撞等因素的影响,自旋信息很容易被破坏。
自旋传输的实现离不开自旋扭曲效应。
自旋扭曲效应是指由于材料中存在非均匀磁场或自旋轨道耦合等因素,导致电子的自旋在空间中发生扭曲。
这种自旋扭曲可以用来操控和传输自旋信息。
四、应用与展望自旋电子学具有广泛的应用前景。
一方面,它可以用于构建更快、更低功耗的电子器件,如自旋晶体管、自旋存储器等,以满足现代信息技术对高性能电子器件的需求。
电子器件中自旋电子学的研究和应用
电子器件中自旋电子学的研究和应用随着现代电子工业的不断发展,越来越多的电子器件涌入了市场并被人们广泛使用。
在这些电子器件中,自旋电子学正逐步崭露头角,成为一个备受瞩目的研究领域。
自旋电子学作为一种新兴的研究方向,既有基础理论的探索,也有实际应用的开发。
本文主要从自旋电子学的基础理论、实验方法和最新应用方面阐述其研究现状和未来展望。
一、自旋电子学的基础理论自旋电子学是基于自旋电子的特性来研究电子器件的一门学科。
所谓自旋,是指电子固有的一个属性,类似于电荷、质量等物理量。
与电子的电荷不同,自旋(通常用符号S表示)具有方向性,可以是“上旋”,也可以是“下旋”。
在自旋电子学中,人们不仅仅探讨电子的电荷属性,更加注重电子的自旋属性,并通过控制自旋属性,来实现电子器件的控制和调控。
基于自旋的电子器件,最初源于对磁性材料的研究。
人们发现,在磁性材料中,电子需要同时具有自旋和向心向力才能在材料中存在,而在非磁性材料中,电子只需要具有向心向力就能存在。
由此可以看出,自旋和磁场密切相关。
此后,人们逐渐发展出一系列基于自旋的电子器件,如自旋晶体管、磁隧道结等。
二、自旋电子学的实验方法自旋电子学要想得到开发和应用,就必须在实验上进行探索和研究。
由于自旋电子的特殊性质,需要研究人员在实验中掌握一些特殊的技术手段和控制方法。
以下是自旋电子学的几种实验方法。
1. 磁吸收实验磁吸收实验是自旋电子学中最重要的实验方法之一。
该方法是通过对样品施加微弱的外加磁场来测定电子的自旋方向,从而了解材料性质。
磁吸收实验可以反映出样品中自旋向上的电子数占总电子数的比例,从而测定出自旋极化率。
2. 磁性共振实验磁性共振实验也是自旋电子学中常用的实验方法之一,它是通过对样品在恒定的外加磁场下施加一定的射频场,使得处于磁共振状态的电子发生能量吸收和放出,进而测定样品的性质。
3. 光学反演实验光学反演实验是一种利用逆光学原理测量自旋元激发的方法,可以通过极化光在样品中传播后所产生的旋转角度,得出样品中自旋元的旋转方向。
固体物理学中的电子自旋与自旋材料
固体物理学中的电子自旋与自旋材料电子自旋在固体物理学中扮演着重要的角色,而自旋材料则具有独特的电子自旋性质。
本文将介绍电子自旋的基本概念,探讨自旋材料的研究进展,并展望自旋材料在未来的应用前景。
一、电子自旋的基本概念电子自旋是描述电子运动状态的一个属性,类似于地球绕轴旋转的自转。
与电子的电荷和质量不同,电子自旋是一个量子性质,只能取两个离散的值:向上自旋和向下自旋,分别用↑和↓表示。
电子自旋与电荷、质量等物理量不同,不直接参与电子在原子核周围的轨道运动。
然而,电子自旋对于电子之间的相互作用以及材料的物理性质却有重要影响。
例如,在磁性材料中,电子自旋的相对定向决定了材料的磁性行为。
二、自旋材料的研究进展自旋材料是指具有特殊自旋性质的材料。
通过控制电子自旋,可以实现自旋电子学,这是一种利用电子自旋而非电荷进行信息处理和存储的新兴技术。
1. 磁性材料中的自旋磁性材料是研究自旋材料中最为重要的一类。
宏观上,磁性材料可以分为铁磁材料、反铁磁材料和顺磁材料。
铁磁材料由于内部电子自旋相互平行,表现出强磁性。
反铁磁材料中电子自旋方向相邻,自旋磁矩方向相互抵消,呈现出弱磁性。
顺磁材料则是由于自旋随机方向产生的稳定磁矩而表现出磁性。
2. 自旋电子学自旋电子学是一门研究利用电子的自旋进行信息处理和存储的学科。
自旋器件是自旋电子学中的核心技术,包括自旋阀、自旋晶体管等。
通过利用电子自旋的量子属性,自旋器件可以实现低功耗、高速度和高密度的信息处理。
3. 自旋霍尔效应自旋霍尔效应是固体物理学中一个重要的现象,描述了电荷运动中自旋与电荷耦合的效果。
当电子在磁场中运动时,由于自旋的存在,会出现两种通过材料的不同自旋态电子所带电荷的方向不同的现象,即自旋上型和自旋下型。
它们在材料中的运动会产生不同的电荷积累效果,从而形成自旋极化,产生自旋电流。
三、自旋材料的应用前景自旋材料具有广阔的应用前景,尤其在自旋电子学领域。
1. 自旋输运自旋输运是自旋电子学中的基础研究课题之一,主要研究自旋电子在材料中的传输过程。
自旋电子学的基本原理及应用
自旋电子学的基本原理及应用自旋电子学是一门涉及自旋概念的科学,利用电子的自旋状态进行信息传递和存储。
它是物理学和电子工程学相结合的新领域,随着科技和工业的发展,自旋电子学的应用在日常生活中越来越广泛。
下面本文将从自旋电子学的基本原理和应用入手,为大家详细阐述这一主题。
一、自旋电子学基本原理1. 电子自旋与磁性电子是电荷与自旋的带电质点,而自旋是电子具有的一种内禀角动量。
在自旋量子数中,每个电子有两个可取值,即自旋向上为“↑”或自旋向下为“↓”。
在物理学中,磁性是由带电粒子产生的磁矩所引起的现象。
而电子的自旋就是带有磁矩的粒子,因此电子具有磁性。
2. 电子的自旋和磁性关系磁性和自旋有一定的关系,当电子自旋方向相同时,它们的电子磁矩向量相加,磁性比较强,反之当它们的自旋方向相反,相互抵消,磁性减小或消失。
对于固体中的电子,电子的自旋状态具有某种统计规律,即泡利不相容原理,两个具有相同自旋方向的电子无法占据同一个能级,而相反方向的电子可以互相占据同一个能级。
3. 自旋电子学的发展自旋电子学的起源可以追溯到20世纪初的氢原子实验,而自旋电子学真正成形是在上世纪60年代,在固体中发现了自旋共振现象后,自旋电子学得以研究和应用。
在几十年的发展过程中,自旋电子学在晶体电子学、磁学、材料科学、信息技术等领域中取得了显著的成就,如磁性存储器、自旋电子晶体管分别应用在计算机等电子设备中。
二、自旋电子学的应用1. 磁性存储器自旋电子学相关技术在磁性存储器领域得到了广泛的应用,如硬盘、U盘等,这些设备都是采用磁性记忆单元实现信息存储的。
在磁性存储器中,使用通过外部磁场操控电子自旋状态形成的自旋电流,可以读写和删除存储数据,速度比传统基于电子激发的方式快得多。
2. 自旋电子晶体管传统晶体管是一种通过控制电子通道中电子的电流实现电子信息处理的半导体器件。
与之相比,自旋电子晶体管不是依靠电流而是依靠自旋来控制电子的传输。
自旋电子晶体管的制作需要特殊的材料和工艺,优点是低功耗、高速率、量子系统等,被视为下一代半导体器件的最有前景的技术之一。
自旋电子学
自旋电子学
1 自旋电子学
自旋电子学是电子技术的一个重要分支,其基础是自旋学。
自旋
学研究电子的自旋及相关的能量。
自旋电子学探讨如何利用自旋来实
现电子计算机和设备的效能提升。
自旋电子学总结了微纳米制程技术、磁控技术、量子力学理论等
综合性的知识,从而可以使用自旋来控制电子的行为。
研究团队将传
统的电子电路和最小特征尺寸材料和技术结合起来,以构建小到几个
原子尺寸的自旋电子网络,来实现电子位能转换等功能。
很多学者认为自旋电子学有望改变传统电子计算机的效能。
由于
自旋电子技术具有节能、耐候性、静电放电抗性等特征,在存储能源、生物传感器、智能尾翼励磁、地面支撑和医疗解决方案等领域都具有
重要的应用前景。
自旋电子学的核心是将自旋技术用于传统的电子器件,有助于优
化电子表现,从而可以节省能源消耗、提高芯片尺寸等。
许多企业和
研究机构正在研究自旋芯片的实现,以实现芯片的高效新技术。
概而言之,自旋电子学是将自旋投入到电子领域十分重要的一部分,它可以提高效率促进能源节约,是新技术发展的一个必要方向。
自旋电子学与自旋电子器件简述
自旋电子学与自旋电子器件简述自旋电子学是近年来快速发展的一种新兴研究领域。
它是基于电子的自旋而不是电荷构建新型电子器件的一种技术途径。
相比传统电子学,在较低的功耗下实现较高的速度和存储密度等方面具有优势。
本文将简述自旋电子学技术及其应用的一些领域。
自旋电子学技术自旋电子学技术主要研究材料中的电子自旋和磁性互作用,以及它们之间的耦合机制。
在自旋电子学技术中,可以利用一些特殊材料(如磁隧道结构)将电子自旋转化为电流和电压信号,从而将信息原用于计算和存储。
磁隧道结构是自旋电子学技术中最为常用的器件,它利用了电子的自旋和磁性作用。
该结构主要由两个磁性层和一个薄的隧道隔离层组成。
两个磁性层的磁化方向可以沿任意方向,通过控制电荷注入后的电子自旋沿隧道隔离层通过,来进行信息存储和处理。
自旋电子器件的应用领域自旋电子学技术可以被应用于多种领域,包括信息存储、计算等领域。
信息存储在信息存储领域,自旋电子学技术被应用于磁性隧道结合存储器(MTJ-RAMs)和自旋转移磁性存储器(STT-RAMs)等器件中。
这些存储器可实现高速读写和大容量存储。
计算在计算领域,自旋电子学技术被应用于逻辑门电路的实现。
自旋逻辑门可以通过控制磁性隧道结构内电子自旋的反转来实现布尔逻辑运算。
相比传统计算机逻辑门,自旋逻辑门具有较高的运算速度和较低的能耗。
传感器和无线通讯自旋电子学技术还可以被应用于传感器和无线通讯等领域。
例如,磁性隧道结合传感器(MTJ-Sensors)可以用于磁场、压力、应变等的感测。
自旋电子器件的未来展望自旋电子学在信息存储和计算领域快速发展。
它已经成为下一代电子器件的潜在替代品。
具有极高的集成度和能源效率,而像磁隧道结构这种简单器件,就已经实现了数据存储、数据的交换和及基于数据的分析。
未来,自旋电子学有可能能够更好发挥,从而推进电子学科学上的新进展,为我们的生活带来更多的便利和进步。
自旋电子学技术的发展为信息处理、计算等领域提供了全新的思路。
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C% 多层膜首次观察到了与自旋输运 相 关 的 磁 阻 变
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" D56 结 构 取 代
"56 成为硬盘的磁头 " D56 效应的本质就是和输
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#CDBEB9( 等 人 采 用 %F< 的 铁 磁 针 尖 表 明 ! 可
以通过真空隧穿得到有效的自旋注入% 进一步的 研究表明了表面结构对 %F< 自旋相关的隧穿的影 响
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% 高阻 抗 的 铁 磁 , 绝 缘 层 , 铁 磁 结 构 也 已 经
证实了隧穿过程中自旋极化可以保持! 表明隧穿 可能是比扩散输运更有效的自旋注入方法 %
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引
言
热点 ! 受到广泛的重视 ) 美国国防部在 !""" 年就 公布了每年 %&"" 万美元的专门研究自旋半导体材 料和器件的计划" 自旋电子学研究的动力主要来 自两个方面* # %$ 商 业 应 用 源 于 巨 磁 阻 # ’() $ 器件作为硬盘磁头的巨大的商业成功! 进一步的 研 究 目 标 是 有 可 能 替 代 基 于 *(+, 的 非 挥 发 存 储 器 的 磁 随 机 存 储 器 # ()-($
实现的! 另外! 纵向结构的自旋积累效应是很微 弱的 ! 需要用超导量子干涉仪 ’HNOPQ $ 测量 " 因 此 ! 这种器件无法成为实用的自旋电子器件 " 以 上 介 绍 的 都 是 基 于 D56 或 "56 的 全 金 属 的自旋相关输运的研究! 近年来! 利用半导体材 料实现自旋器件是自旋电子学新的研究方向" 包 括半导体内自旋极化电流的产生( 输运( 控制和 微纳电子技术
JKL(
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% N’O 等 人 报 道 了 室 温 下 :0 的 自 旋 注 入
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必要先对其发展作一个简要的回顾 "
"#$%&’ 和 (#)#%*#+ 在 ,-./ 年 就 用 铁 磁 金 属 0 1234/ 0 12 隧道结测量隧道磁阻 #"56 $ 证实了铁磁
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% 如果势垒足够高 ! 那么在界面
的输运就取决于结两边电极的电 子 态 密 度 #要 求 态密度是自旋相关的 $% 如果通过界面的电流足够 小! 使电极处于平衡态! 那么! 自旋相关的电导 率比例对于界面处自旋输运的影响就很小 % 因此 ! 采用铁磁电极的金属 , 绝缘层 , 半导体隧穿二极管 或者是金属 , 半导体 %&’())*+ 势垒二极管可能成为 自旋注入到半导体内的有效的方法 % 有的研究小组开始研究半导体材料上外延铁 磁 薄 膜 ! 目 标 是 获 得 陡 峭 的 ) 高 质 量 的 %&’())*+ 势 垒 ! 大 部 分 的 研 究 集 中 在 5B#$ 上 外 延 JK 或
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电子自旋简并分裂的方法克服这一问题
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自旋电子学研究的发展以及核心 问题
在讨论自旋电子学研究的核心问题之前! 有
金属 0 半导体混合结构的 ! 实际上是一个源漏为铁 磁金属电极的场效应晶体管! 因此称为自旋场效 应晶体管 ’)L;GBV"$* 通过改变栅压可以控制二维 电子气沟道中自旋极化电子的 6:)><: 进动 ! 从而 控制沟道的电导 *
专家论坛
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自旋电子学和自旋电子器件
陈培毅 ! 邓 宁
%"""01#
" 清华大学微电子研究所 ! 北京
摘要 ! 自旋电子学是近年来发展起来的微电子学和磁学的交叉学科 ! 主要研究自旋极化电流的注 入 $ 控制和检测 % 本文介绍了自旋电子学和器件的研究进展 ! 着重讨论了自旋注入和检测的问 题 ! 分析了自旋电子器件研究的核心问题和难点 % 自旋电子学的研究有着重要的理论意义 ! 自旋 器件在信息科学领域也具有十分广阔的应用前景 % 关键词 ! 自旋电子学 & 自旋电子器件 & 自旋注入 & 自旋输运 中图分类号 ! 231" +10!4& 文献标识码 ! 文章编号 ! %/5%6155/ #!""1$ "#6"""%6"&
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电子除了具有电荷的属性外! 还具有内禀自 旋角动量 ! 在外磁场中 ! 不仅受洛仑兹力的作用 ! 还通过内禀磁矩和外场发生耦合" 将自旋属性引 入半导体器件中! 用电子电荷和自旋共同作为信 息的载体! 将会发展出新一代的器件" 这种新的 器 件 利 用 自 旋 相 关 的 效 应 #载 流 子 的 自 旋 和 材 料 的磁学性质相互作用 $! 同时结合标准的半导体技 术! 将具有非挥发% 低功耗% 高速和高集成度的 优点
&2:’
56%&’789) 提出的电导率失配模型指出了理想 ,
半导体欧姆接触自旋注入的根本问题 % 该模型 基于两通道的电阻网络模型! 分析了不同区域的 电化学势分布! 指出自旋注入的效率依赖于半导 体和铁磁电极的电导率的比例 # 图 : $% 一般情况 下自旋注入效率小于 3.32; ! 只有当铁磁材料的极 化率接近 2330的时候才会产生有效的注入 %
!"#$%&’&%()(*+$%&"* ,(*-&%)%./0 !"#$% &’’(
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微纳电子技术
!""# 年第 $ 期
专家论坛
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本文介绍了自旋电子学及器件的研究进展! 讨论了自旋电子器件研究的核心问题! 分析了自 旋电子学发展面临的挑战和机遇 " 检测 ) 第 一 个 三 端 有 源 器 件 是 Q:MM: 和 Q:) 于 ,@@R 年 提 出 的 ’如 图 S 所 示 $
! 但是在开发出可以在室温下应用
的稀磁半导体之前 ! 铁磁金属 8 半导体的接触仍然 是实现从注入( 自旋操纵到检测全部电学控制的 最有希望的方法 " 下面简单介绍在铁磁金属 8 半导体结构的自旋 注入的方法和研究进展
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"
’,$ 欧姆接触自旋注入 最直接的自旋注入结构就是铁磁材料 8 半导体
!""# 年第 $ 期
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专家论坛
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形成欧姆接触! 由于在铁磁材料中电子是自旋极 化的! 因此! 希望能够在半导体中注入自旋极化 的电子" 但是! 典型的欧姆接触需要半导体表面 重掺杂! 这导致了自旋翻转的散射和自旋极化率 的 损 失 " 最 早 的 研 究 是 利 用 !"#$ 上 的 铁 磁 接 触 ! 这是少数几种可以和过渡金属形成陡峭界面和无 模型是建立在漂移扩散输运基础上的! 并不适用 于弹道输运和隧穿输运( 其次! 该模型假设界面 是没有电阻的! 没有考虑金属半导体接触可能形 成的自旋相关的界面电阻! 而界面电阻的性质是 决定自旋注入的重要因素% 因此! 不能根据这一 理论断定铁磁金属向半导体内的自旋极化注入是 不可行的 %
"56 完全是一 种 自 旋 相 关 的 界 面 效 应 ! 并 不