第三章-真空蒸镀
第三章真空蒸发镀膜-55页PPT资料
h2
3
)2
1
3
1
(
b h
)
2
2
④常用计算——以 点源正对固定圆基片的蒸发为例
膜厚最大绝对偏差：t0 tmin 相对偏差：1— t r
平均膜厚：t
1
R 2
tdA
A
膜材利用率：
R2 t
m
膜厚分布均方差： D 1
2
t t dA
P39，表3-2： 常用材料的熔化温度及蒸汽压达到1 Pa 时 的蒸发温度，
铬等材料先蒸发，后熔化
② 温度条件：使饱和蒸汽压Pv达到1Pa 的蒸发温度T
材料蒸汽压Pv与温度的关系：克—克方程
式,可以推算温度T
简化为（3—5）式：logPv AB T
P41，（3—3）
③ 蒸发速率： 按余弦定律
达到热阴极弧光放电程度。
工作中气压较高，能够产生足够多的电子. HCD枪电子束蒸发， 空心阴极离子镀 P60 图3—15
4)感应加热式蒸发源
①原理：高频电源——感应圈高频电流、电场— —高频交变磁场——坩埚、膜材中感应涡流
——涡流焦耳热——膜材热能 结构：
P57图3—13
②特点：功率大；蒸发速率大；蒸发源温度（蒸 发速率）稳定；一次装料多；适合连续工作
3.1 真空蒸发镀膜原理 Principle of Vacuum Evaporative Coating
1) 原理、结构与特点
principle, structure, characteristics
真空蒸发镀膜原理图
真空室 Coating chamber 蒸发源 Evaporation Sources 加 热 器 heater 蒸 发 舟 boat
薄膜制备技术 part 3 真空蒸镀 I 基本方法
第三章：真空蒸镀第三章：真空蒸镀真空蒸镀薄膜沉积中的共性问题：超净室镀膜中的气泡是影响膜的特性和附着强度的最大障碍之一，灰尘是产生气泡的主要原因。
超净室＋超净真空室超净真空室：除尘，抽气时防止产生湍流。
薄膜沉积中的共性问题：超净室超净室，不能产生灰尘：1、油封机械泵所排出的气体要接到室外；2、用无皮带的直连泵或将泵装在室外；3、用塑料纸张或使用不产生灰尘的纸；4、不能用铅笔；人体污染：呼出气体中颗粒的污染距离0.6-1m ，打喷嚏的污染距离4~5m 。
主要是含有矿物质和盐如钠，钙，铁，镁，氯，铝，硫，钾，磷。
百级超净室：测试一立方英尺/分钟，0.5微米的尘小于100个大气中的尘埃粒子及其大小范围芯片特征尺寸和沾污控制物理气相沉积定义：物理气相沉积(Physical vapor deposition）是利用某种物理过程，如物质的热蒸发或在受到粒子轰击时物质表面原子的溅射等现象，实现物质原子从源物质到薄膜的可控转移的过程。
物理气相沉积特点（与CVD相比）(1) 需要使用固态的或者熔融态的物质作为蒸发源；(2) 源物质经过物理过程而进入气相；(3) 需要相对较低的气体压力环境；a) 其它气体分子对于气相分子的散射作用较小，b) 气相分子的运动路径近似为一条直线；c) 气相分子在衬底上的沉积几率接近100％。
(4) 在气相中及在衬底表面大多不发生化学反应。
真空蒸发原理定义：真空蒸发镀膜法（简称真空蒸镀）是在真空室中，加热蒸发容器中待形成薄膜的原材料，使其原子或分子从表面气化逸出，形成蒸气流，入射到基片表面，凝结形成固态薄膜的方法。
真空蒸发原理主要组成：(1) 真空室；(2) 蒸镀材料；(3) 激活源；(4) 衬底；(5) 其它：加热器、测温器等。
P≤10-6Torr薄膜形成“s-g-s”蒸发的基本过程（1）蒸发过程：通过能量转移，凝聚相→气相该阶段的主要作用因素：饱和蒸气压（2）输运过程：蒸气流在蒸发源与基片之间的飞行该阶段的主要作用因素：分子平均自由程（3）淀积过程：在衬底表面，凝聚→成核→核生长→连续薄膜。
第三章-真空蒸镀
式中，A，B分别为与材料性质有关的常数，可以直接由实 验确定或由文献查得。 对大多数材料，在蒸汽压小于1Torr的温度范围内，此式是蒸
发材料的饱和蒸汽压与温度之间一个比较精确的表达式。
上式的准确度较差，但方便实用。
一些金属的蒸汽压方程中的计算常数
金属 Li Na K Cs Cu Ag Au Be Mg Ca Mo W U Mn Fe A 10.99 10.72 10.28 9.91 11.96 11.85 11.89 12.01 11.64 11.22 11.64 12.40 11.59 12.14 12.44 B 8.07×103 5.49×103 4.48×103 3.80×103 1.698×104 1.427×104 1.758×104 1.647×104 7.65×103 8.94×103 3.085×104 4.068×104 2.331×104 1.374×104 1.997×104 金属 Sr Ba Zn Cd B Al La Ga In C Co Ni Ru Rh Pd A 10.71 10.70 11.63 11.56 13.07 11.79 11.60 11.41 11.23 15.73 12.70 12.75 13.50 12.94 11.78 B 7.83×103 8.76×103 6.54×103 5.72×103 2.962×104 1.594×104 2.085×104 1.384×104 1.248×104 4×104 2.111×104 2.096×104 3.38×104 2.772×104 1.971×104 金属 Si Ti Zr Th Ge Sn Pb Sb Bi Cr Os Ir Pt V Ta A 12.72 12.50 12.33 12.52 11.71 10.88 10.77 11.15 11.18 12.94 13.59 13.07 12.53 13.07 13.04 B 2.13×104 2.32×104 3.03×104 2.84×104 1.803×104 1.487×104 9.71×103 8.63×103 9.53×103 2.0×104 3.7×104 3.123×104 2.728×104 2.572×104 4.021×104
3.真空蒸镀、溅射制膜的原理
真空蒸镀和溅射制膜是现代材料制备领域中常用的薄膜沉积工艺。
它们通过将材料加热至高温并在真空环境下进行薄膜沉积，可以制备出具有特定性能和特征的薄膜材料。
本文将对真空蒸镀和溅射制膜的原理进行详细介绍。
1. 真空蒸镀的原理真空蒸镀是一种将固态材料加热至其蒸发温度并在真空环境中进行沉积的工艺。
其原理如下：1) 加热源：真空蒸镀加热源通常为电阻加热或电子束加热。
当材料加热至其蒸发温度时，固态材料会逐渐转变为气态，形成蒸气。
2) 蒸镀材料：蒸镀材料通常以固态块状形式置于加热源附近，通过加热源使其升温并蒸发。
蒸镀材料的选择对于薄膜的成分和性能具有重要影响。
3) 沉积物质传输：蒸气在真空腔体中扩散并沉积到基底表面上，形成所需的薄膜。
沉积过程受到气体分子的影响，需要在高真空环境下进行以确保薄膜的纯净性和均匀性。
4) 控制薄膜厚度：通过控制蒸镀时间和材料的蒸发速率，可以实现对薄膜厚度的精确控制。
旋转或倾斜基底也可影响薄膜的均匀性和结构。
2. 溅射制膜的原理溅射制膜是一种利用离子轰击固体材料表面，将其溅射成粒子并沉积在基底表面上的工艺。
其原理如下：1) 离子轰击：在真空环境中，通过加速器使惰性气体（如氩气）成为离子，并将其加速至高能量。
这些离子以高速撞击固体材料表面，将固体材料溅射成细小粒子。
2) 溅射材料：溅射材料通常为固态块状形式，其固体材料会被离子轰击成粒子，并在基底表面上形成薄膜。
3) 质量选择：通过选择离子轰击的惰性气体、溅射材料的种类和形状，可以实现对薄膜成分和结构的调控。
不同的溅射条件可以实现对薄膜的特定性能要求。
4) 控制薄膜厚度：通过控制溅射时间和离子轰击能量，可以实现对薄膜厚度的精确控制。
旋转或倾斜基底也可影响薄膜的均匀性和结构。
3. 比较与应用真空蒸镀和溅射制膜是两种常用的薄膜沉积工艺，在各自领域具有独特的优势和应用。
真空蒸镀工艺适用于加热蒸发易挥发材料的制备，例如金属薄膜和氧化物薄膜的制备。
溅射制膜工艺适用于制备高纯度金属薄膜、合金薄膜和复合薄膜等。
《真空蒸镀概述》课件
真空度：确保蒸镀过程中无空气干扰，提高薄膜质量 温度：控制蒸镀材料的蒸发温度，保证薄膜厚度均匀 压力：控制蒸镀腔内的压力，防止薄膜破裂 速度：控制蒸镀材料的蒸发速度，保证薄膜厚度均匀 角度：控制蒸镀材料的蒸发角度，保证薄膜厚度均匀 时间：控制蒸镀过程的时间，保证薄膜厚度均匀
均匀性：蒸镀过程中，材料在真空环境下均匀分布，保证涂层质量 精确性：蒸镀技术可以精确控制涂层厚度和成分，提高产品质量 环保性：蒸镀过程中无有害气体排放，符合环保要求 适用性：蒸镀技术适用于多种材料和基材，应用广泛
珠宝首饰：真空蒸镀 技术可以应用于珠宝 首饰的表面处理，如 镀金、镀银等，使首 饰更加美观、耐用。
家居装饰：真空蒸镀 技术可以用于家居装 饰品的表面处理，如 镀金、镀银等，使装 饰品更加美观、耐用。
汽车装饰：真空蒸镀 技术可以用于汽车装 饰品的表面处理，如 镀金、镀银等，使装 饰品更加美观、耐用 。
汇报人：
添加 标题
其他表面处理技术：包括电镀、化学镀、喷涂 等，各有优缺点。
添加 标题
比较：真空蒸镀技术具有更好的薄膜质量、更均匀 的薄膜厚度、更好的附着力等优点，但也存在成本 高、设备复杂等缺点。
添加 标题
结合：真空蒸镀技术与其他表面处理技术可以结合使用， 以实现更好的表面处理效果。例如，真空蒸镀技术可以用 于制备薄膜，而其他表面处理技术可以用于改善薄膜的性 能或外观。
在基材上
离子镀法：利 化学气相沉积
用离子轰击材 法：利用化学
料，使其在真 反应生成蒸汽， 空中形成蒸汽， 然后在真空中 然后沉积在基 沉积在基材上
材上
激光蒸镀法： 利用激光加热 材料，使其在 真空中形成蒸 汽，然后沉积
在基材上
半导体制造：用于 制造集成电路、太 阳能电池等
真空蒸发镀膜蒸镀
文档仅供参考，如有不当之处，请联系改正。
2. 残余气体对制膜旳影响
（1）残余气体旳蒸发速率Ng： N g 3.5131022
g Pg
M gTg
(13)
（2）到达基片旳气体分子与蒸气分子之比(面源)：
N g Pg Nd P
MT
r 2
Pg K
M gTg Acos cos P
(14) （ g）
文档仅供参考，如有不当之处，请联系改正。
（2）电子束加热蒸发源 电子束集中轰击膜料旳一部分而进行加热旳措施。
图8.2.5 电子束加热蒸发源
电子束加热蒸发源由： 阴极、加速电极、阳极 （膜料）构成。
还有高频加热蒸发源、 激光蒸发源等。
文档仅供参考，如有不当之处，请联系改正。
优点:
（1）能够直接对蒸发材料加热； （2）装蒸发料旳容器能够是冷旳或者用水冷却，从而 可防止
点e
4 r
cos 2
m cos 4 r 2
（7）
小型平面蒸发源： m cos cos t r 2
令： cos cos h / r h /
h2 x2 ，
在x=0处：cos=cos=1
m
∴ t0 4 h2 (点源) (9)
m
t0 h2
（8） (面源) (10)
(1/cm2·s)
(5)
小型圆平面源：
Nd
AN e
cos r 2
cos
(1/cm2·s)
(6)
β、θ为蒸气入射方向分别与蒸刊 登面和接受表面法向旳夹角 。
图8.2.3 、角旳意义
文档仅供参考，如有不当之处，请联系改正。
（4）蒸发制膜旳厚度
∵τ时间内，蒸发材料旳总量：m =ANe，密度：
真空蒸镀法
真空蒸镀法真空蒸镀法是一种广泛应用于表面处理领域的技术。
它是利用真空环境下的热蒸发、电子轰击等物理过程，将金属、合金等材料蒸发成气态，沉积在基材表面形成一层薄膜的过程。
这种技术可用于制备金属、合金、氧化物、硅、钻石等材料的薄膜，具有广泛的应用前景。
一、真空蒸镀法的工艺流程真空蒸镀法的工艺流程主要包括以下几个步骤：1、基材处理。
在进行蒸镀前，需要对基材进行表面处理，以保证薄膜的附着力和均匀性。
表面处理通常包括机械抛光、化学处理等。
2、真空系统抽真空。
在进行蒸镀过程前，需要将真空腔体内的气体抽出，以保证真空度能够满足蒸镀要求。
真空度的大小对蒸镀薄膜的质量和均匀性有着重要的影响。
3、材料蒸发。
在真空腔体内加热材料，使其蒸发成气态，然后通过控制蒸发速率和蒸发时间，将其沉积在基材表面。
4、薄膜成型。
蒸镀过程中，材料沉积在基材表面形成一层薄膜。
薄膜的厚度、成分和结构等可以通过调节蒸发速率、蒸发角度、沉积时间等参数来控制。
5、退火处理。
薄膜沉积后需要进行退火处理，以提高薄膜的致密性和结晶度，从而提高其物理性能和化学稳定性。
二、真空蒸镀法的应用真空蒸镀法在现代工业中具有广泛的应用。
以下是一些常见的应用领域：1、光学薄膜。
真空蒸镀法可用于制备光学薄膜，如反射镜、滤光片、透镜等，具有优异的光学性能。
2、电子器件。
真空蒸镀法可用于制备电子器件，如集成电路、显示器件等，其中金属、合金薄膜可用作电极、导体等。
3、防腐蚀涂层。
真空蒸镀法可用于制备防腐蚀涂层，如金属氧化物薄膜、合金薄膜等，具有优异的耐腐蚀性。
4、装饰涂层。
真空蒸镀法可用于制备装饰涂层，如金属薄膜、合金薄膜等，具有良好的装饰效果和耐久性。
5、生物医学材料。
真空蒸镀法可用于制备生物医学材料，如人工关节、牙科材料等，其中金属、合金薄膜可用作植入物表面涂层，具有良好的生物相容性。
三、真空蒸镀法的优缺点真空蒸镀法作为一种表面处理技术，具有以下优缺点：1、优点：（1）可制备高质量、高纯度的薄膜。
真空蒸镀原理
真空蒸镀原理真空蒸镀原理是一种常用的表面处理技术，广泛应用于电子、光学、装饰、汽车等行业。
它通过在真空环境中利用物理气相沉积的原理，将金属、合金等材料以薄膜的形式沉积到基材上，从而改变基材的表面性质和外观。
真空蒸镀原理的核心在于利用高温电子束或热阴极电子束激发金属靶材产生蒸发，蒸发的金属原子经过碰撞和扩散作用，最终沉积在基材的表面上。
整个过程需要在高度真空的环境中进行，以防止金属原子与空气中的氧化物发生反应。
将待蒸镀的基材放置在真空腔室内，通过抽气系统排除腔室内的气体，形成高度真空的环境。
然后，加热金属靶材，使其达到蒸发温度。
金属靶材可以是纯金属或合金材料，根据需要选择不同的靶材。
当金属靶材被加热到蒸发温度时，靶材表面的金属原子会蒸发，形成金属蒸汽。
这些蒸汽会在真空腔室中扩散和碰撞，最终沉积在待蒸镀基材的表面上。
蒸发的金属原子在扩散过程中会与气体分子或其他金属原子发生碰撞，使其能量减小，最终停在基材表面。
为了控制蒸镀过程中沉积膜的厚度和均匀性，通常还会在真空腔室中设置补偿装置，如旋转装置或磁控溅射装置。
这些装置可以使靶材或基材相对运动，使得蒸镀过程更加均匀，从而获得均匀的沉积膜。
除了金属靶材，有时还可以加入其他材料，如氮、氧等气体，以控制蒸镀膜的成分和性质。
例如，加入氮气可以制备金属氮化物膜，加入氧气可以制备金属氧化物膜。
通过调节气体的流量和腔室压力，可以控制沉积膜的成分和性质。
在真空蒸镀过程中，还需要注意一些问题。
首先，由于蒸镀过程需要在高度真空的环境中进行，所以需要保证真空系统的密封性，以防气体泄漏进入腔室。
其次，蒸镀前需要对基材进行表面处理，以提高膜的附着力。
常用的表面处理方法包括清洗、抛光、溶液处理等。
真空蒸镀原理是一种常用的表面处理技术，通过在高度真空的环境中利用物理气相沉积的原理，将金属、合金等材料以薄膜的形式沉积到基材上。
它广泛应用于电子、光学、装饰、汽车等行业，可以改变基材的表面性质和外观，提高产品的质量和附加值。
OLED真空蒸镀
OLED真空蒸镀一、基本知识真空蒸镀：真空中通过电流加热，电子束轰击加热和激光加热等方法，使被蒸材料蒸发成原子或分子，它们随即以较大的自由程作直线运动，碰撞基片表面而凝结，形成薄膜。
所以要求镀膜室里残余分子的自由程大于蒸发源到基片的距离，保证镀膜的纯净和牢固。
真空测量工具：测量真空的装置称为真空规，常用的热偶真空规和电离真空规。
热偶真空规可以测量0.1～10Pa的压强，利用低压下气体的热传导与压强成正比的原理；电离真空规利用电子与气体分子碰撞产生电离电流随压强变化的原理制成，可测量范围是10－1～10－6Pa。
注意，电离真空规必须在0.1Pa以下使用，否则会损坏装置。
真空膜层检测系统：石英芯片微量天平系统（QCM），其工作原理为蒸镀过程中随着材料的蒸发，石英芯片质量增加，从而改变石英芯片的固有振荡周期，将石英振荡器组装到振荡回路中使薄膜质量的变化作为频率的变化读出。
二、蒸镀设备简介功能：实现有机膜层的蒸镀和无机膜层的蒸镀。
工作原理：利用电阻产生热能，将待成膜的物质置于真空中进行蒸发或升华，使之在基片表面析出的过程。
OLED蒸镀分为有机材料蒸镀和无机蒸镀，有机材料蒸镀：在高真空腔室中设有多个放置有机材料的蒸发源，加热蒸发源蒸镀有机材料，并利用石英晶体振荡器来控制膜厚。
ITO玻璃基板放置在样品托架上，其下面放置的金属掩膜板控制蒸镀图案；无机蒸镀：在有机材料薄膜蒸镀完成后进行蒸镀，用于金属电极蒸镀的源通常采用钼、钽和钨等材料制作，以便用于不同的金属电极蒸镀(主要是防止舟金属与蒸镀金属发生化学反应)。
从如下两方面——蒸镀系统和其系统功能的描述对蒸镀设备系统进行简要概括。
（一）蒸镀系统蒸镀系统结构包括：操作接口、Infeed Load/Lock传输腔体、Plasma真空腔体、有机蒸镀真空腔体、金属蒸镀真空腔体、材料蒸镀控制柜、手套箱、气体循环系统。
1、操作接口控制软件的各操作接口与设备各组成部分一一对应，以控制设备的相应气阀及机动操作。
真空蒸镀讲义
图1-1 真空蒸发镀膜原理示意图 真空蒸镀真空蒸镀法（简称真空蒸镀）是在真空室中，加热蒸发器中待形成薄膜的原材料，使其原子或分子从表面气化逸出，形成蒸气流，入射到基体表面，凝结形成固态薄膜的方法。
由于真空蒸镀法主要物理过程是通过加热蒸发材料而产生，所以又称热蒸发法。
采用这种方法制造薄膜，已有几十年的历史，用途十分广泛。
介绍蒸发原理、蒸发源的发射特性、膜厚测量与有关蒸发的工艺技术。
§1—1真空蒸发原理真空蒸镀的特点、原理与过程真空蒸镀设备比较简单、操作容易；制成的薄膜纯度高、质量好，厚度可较准确控制；成膜速率快、效率高，用掩模可以获得清晰图形；薄膜的生长机理比较单纯。
主要缺点是，不容易获得结晶结构的薄膜，所形成薄膜在基板上的附着力较小，工艺重复性不够好等。
图1-1为真空蒸镀原理示意图。
主要部分有：（1）真空室，为蒸发过程提供必要的真空环境；（2）蒸发源或蒸发加热器，放置蒸发材料并对其进行加热；（3）基板，用于接收蒸发物质并在其表面形成固态蒸发薄膜；（4）基板加热器及测温器等。
真空蒸镀包括以下三个基本过程：（1）加热蒸发过程。
包括由凝聚相转变为气相的相变过程。
每种蒸发物质在不同温度时有不相同的饱和蒸气压；蒸发化合物时，其组分之间发生反应，其中有些组分以气态或蒸气进入蒸发空间。
（2）气化原子或分子在蒸发源与基片之间的输支，即这些粒子在环境气氛中的飞行过程。
（3）蒸发原子或分子在基片表面上的淀积过程，即是蒸气凝聚、成核、核生长、形成连续薄膜。
上述过程都必须在空气非常稀薄的真空环境中进行。
否则，蒸发物原子或分子将与大量空气分子碰撞，使膜层受到严重污染，甚至形成氧化物；或者蒸发源被加热氧化烧毁；或者由于空气分子的碰撞阻挡，难以形成均匀连续的薄膜。
§1-2 蒸发源的蒸发特性及膜厚分布在真空蒸镀过程中，能否在基板上获得均匀膜厚，是制膜的关键问题。
基板上不同蒸发位置的膜厚，取决于蒸发源的蒸发特性、基板与蒸发源的几何形状、相对位置以及蒸发物质的蒸发量。
真空蒸镀技术
真空蒸镀技术1. 简介真空蒸镀技术是一种重要的表面处理技术，主要用于金属、合金、陶瓷等材料的表面涂层，以更好地改善材料的性能。
该技术是将材料表面暴露在真空状态下，并使熔化的金属蒸气在材料表面沉积，形成一层致密的金属膜。
2. 工艺流程真空蒸镀技术主要包括三个主要步骤，即清洗处理、真空气化和涂层蒸镀。
2.1 清洗处理清洗是真空蒸镀技术的首要步骤。
其目的是去除材料表面的污垢、油脂和氧化物，并提高表面的粗糙度和增加涂层的附着力。
清洗处理一般有机械清洗、溶剂清洗、电解清洗等多种方法，不同的方法可以根据实际应用情况进行选择。
2.2 真空气化真空气化就是将材料带入真空室，通过机械或电子泵抽出室内气体，使气体压力小于10-3Pa，建立真空环境。
蒸镀室主要由真空室、蒸发室和泵吸系统组成，其内部摆放材料待处理。
为确保工艺成功，在气化过程需要严格控制一些参数：真空度、抽气速率等等。
2.3 涂层蒸镀涂层蒸镀是重要的制备步骤之一。
要获得良好的涂层质量，需要合适的蒸发材料和蒸发温度，(1)首先加热蒸发源，将蒸发材料熔化；(2)在真空气氛下，游离的蒸发材料自发地向上定向地扩散充满整个蒸发器室；(3)沉积在材料上，形成一层金属膜；(4)最后，将蒸发源加温停止，压降蒸发材料使形成良好的密封涂层。
3. 设备真空蒸镀设备性质复杂，系统安全高等标准，要确保技术成功。
常用的真空蒸镀设备包括离子镀膜机、溅射镀膜机等。
其中最广泛使用的是离子镀膜机，其具有高效的气体成分控制，因此可以精确控制膜厚度和成分，使制备的膜更具适应性。
4. 应用真空蒸镀技术在材料科学、光学制造、电子工业等领域具有广泛应用。
例：(1) 金属薄膜应用领域，可以修饰金属表面属性、美观、性能，提高金属表面硬度和耐腐蚀性；(2) 光学薄膜应用领域中，制备的金属膜能够使镜面反射率提高至90%以上；(3) 电子工业，制备的电触点和插座等膜能更好地增强导电性、抗氧化性和耐磨性等等。
5. 综述随着科学技术的不断发展，真空蒸镀技术将继续拓展应用领域，并在未来的材料科技和工业制造领域发挥重要作用。
真空蒸镀的详细介绍
真空蒸镀的详细介绍真空蒸镀即真空蒸发镀膜。
这种方法是把装有基片的真空室抽成真空，气体压强达到10-2Pa以下加热镀料，使其原子或分子从表面气化逸出形成蒸气流，入射到基片表面，凝结形成固态薄膜。
1.真空蒸镀原理（1）膜料在真空状态下的蒸发特性。
单位时间内膜料单位面积上蒸发出来的材料质量称为蒸发速率。
理想的最高速率Gm（单位为kg/（m²·s））∶Gm=4.38×10-3Ps（Ar/T）1/2，式中，T为蒸发表面的热力学温度，单位为K，Ps为温度T时的材料饱和蒸发压，单位为Pa，Ar为膜料的相对原子质量或相对分子质量。
蒸镀时一般要求膜料的蒸气压在10-2~10-1Pa。
材料的Cm通常处在10-4~10-1Pa，因此可以估算出已知蒸发材料的所需加热温度。
（2）蒸气粒子的空间分布。
蒸气粒子的空间分布显著地影响了蒸发粒子在基体上的沉积速率以及基体上的膜厚分布。
这与蒸发源的形状和尺寸有关。
最简单的理想蒸发源有点和小平面两种类型。
2.真空蒸镀方式（1）电阻加热蒸发。
它是用丝状或片状的高熔点金属做成适当形状的蒸发源，将膜料放在其中，接通电源，电阻加热膜料而使其蒸发。
对蒸发源材料的基本要求是高熔点，低蒸气压，在蒸发温度下不会与膜料发生化学反应或互溶，具有一定的机械强度。
另外，电阻加热方式还要求蒸发源材料与膜料容易润湿，以保证蒸发状态稳定。
常用的蒸发源材料有钨、钼、钽、石墨、氮化硼等。
（2）电子束蒸发。
电阻加热方式中的膜料与蒸发源材料直接接触，两者容易互混，这对于半导基体元件等镀膜来说是需要避免的。
电子束加热方式能解决这个问题。
它的蒸发源是e形电子枪。
膜料放入水冷铜坩埚中，电子束自源发出，用磁场线圈使电子束聚焦和偏转，电子轨迹磁偏转270°，对膜料进行轰击和加热。
（3）高频加热。
它是在高频感应线圈中放入氧化铝或石墨坩埚对膜材料进行高频感应加热。
感应线圈通常用水冷铜管制造。
此法主要用于铝的大量蒸发。
真空蒸镀的概念及其原理
真空蒸镀的概念及其原理概念：
在真空环境中，将材料加热并镀到基片上称为真空蒸镀，或叫真空镀膜(vacuum evaporating; vacuum evaporation)。
真空蒸镀是将待成膜的物质置于真空中进行蒸发或升华，使之在工件或基片表面析出的过程。
真空蒸镀中的金属镀层通常为铝膜，但其它金属也可通过蒸发沉积。
原理：
金属加热至蒸发温度。
然后蒸汽从真空室转移，在低温零件上凝结。
该工艺在真空中进行，金属蒸汽到达表面不会氧化。
在对树脂实施蒸镀时，为了确保金属冷却时所散发出的热量不使树脂变形，有必须对蒸镀时间进行调整。
此外，熔点、沸点太高的金属或合金不适合于蒸镀。
真空蒸镀法
真空蒸镀法摘要：本文简单的的介绍了与薄膜制备技术相关的基础知识，涉及薄膜制备系统、物理制膜和化学制膜及薄膜的应用，并重点讲解了真空蒸发镀膜技术。
关键词：镀膜、单晶、真空、成膜、加热、溅射、衬底、外延生长。
一、薄膜的概念和分类采用一定的方法，使处于某种状态的一种或几种物质（原材料）的基因以物理或化学方式附着于衬底材料的表面，在衬底材料表面形成一层新的物质，这层新物质就是薄膜。
简而言之，薄膜就是由离子、原子或分子的沉积过程形成的二维材料。
薄膜分类（1）按物态分类：气态，液态，固态。
（2）按结晶态分类：非晶态：原子排列短程有序，长程无序。
晶态：又分为单晶和多晶；单晶为外延生长，在单晶基地上同质和异质外延，多晶在一衬底上生长，由许多取向相异单晶集合体组成。
（3）按化学角度分类：有机薄膜和无机薄膜。
（4）按组成分类：金属薄膜和非金属薄膜（5）按物性分类：硬质薄膜、声学薄膜、热学薄膜、金属导电薄膜、半导体薄膜、超导薄膜、介电薄膜、磁阻薄膜、光学薄膜。
二、制备工艺薄膜制备工艺包括：薄膜制备方法的选择，基体材料的选择及表面处理，薄膜制备条件的选择等。
（一）基体的选择在薄膜制备过程中，基体的选择与其他制备条件同样重要，有时可能更重要，基体选择的原则是：（1）是否容易成核和生长成薄膜；（2）根据不同的应用目的，选择金属（或合金）、玻璃、陶瓷单晶和塑料等作基体；（3）薄膜结构与基体材料结构要对应；（4）要使薄膜和基体材料的性能相匹配，从而减少热应力，不使薄膜脱落；（5）要考虑市场供应情况、价格、形状、尺寸、表面粗糙度和加工难易程度等。
（二）基片的清洗1、概述由于薄膜厚度很薄，基片表面的平整度、清洁度都会对所生长的薄膜有影响。
基片表面的任何一点污物都会影响薄膜材料的性能和生长情况。
由此可见，基片的清洗是十分重要的。
基片的清洗方法主要根据薄膜生长方法和薄膜使用目的选定，因为基片表面状态严重影响基片上生长出的薄膜结构和薄膜物理性质。
真空蒸镀
加热方式
真空蒸镀使用的加热方式主要有：电阻加热、电子束加热。射频感应加热、电弧加热和激光加热等几种。不 论哪一种加热方式，都要求作为蒸发源的材料具有以下性能：熔点高；蒸气压低；在蒸发温度下不与大多数蒸发 材料发生化学反应或互溶，同时具有一定的机械强度。
设备
真空蒸镀装置由真空抽气系统和蒸发室组成。
真空抽气系统由（超）高真空泵、低真空泵、排气管道和阀门等组成。此外，还附有冷阱(用以防止油蒸气的 返流)和真空测量计等。蒸发室大多用不锈钢制成。在蒸发室内配有真空蒸镀时不可缺少的蒸发源、基片和蒸发空 间。此外，还置有控制蒸发原子流的挡板，测量膜厚并用来监控薄膜生长速率的膜厚计，测量蒸发室的真空变化 和蒸发时剩余气体压力的(超)高真空计，以及控制薄膜生长形态和结晶性的基片温度调节器等。
工艺流程
真空蒸镀工艺一般包括基片表面清洁、镀膜前的准备、蒸镀、取件、镀后处理、检测、成品等步骤。
(1)基片表面清洁。真空室内壁、基片架等表面的油污、锈迹、残余镀料等在真空中易蒸发，直接影响膜层 的纯度和结合力。镀前必须清沽干净。
(2)镀前准备。镀膜室抽真空到合适的真空度，对基片和镀膜材料进行预处理。加热基片，其目的是去除水 分和增强膜基结合力。在高真空下加热基片，能够使基片的表面吸附的气体脱附。然后经真空泵抽气排出真空室， 有利于提高镀膜室真空度、膜层纯度和膜基结合力。然后达到一定真空度后．先对蒸发源通以较低功率的电，进 行膜料的预热或者预熔，为防止蒸发到基板上，用挡板遮盖住蒸发源及源物质，然后输入较大功率的电，将镀膜 材料迅速加热到蒸发温度，蒸镀时再移开挡板。
简述真空蒸镀的原理及过程
简述真空蒸镀的原理及过程
真空蒸镀是一种常用的表面处理技术，通过在真空环境下对物体进行镀膜，使其表面具有一定的功能和装饰效果。
其原理及过程如下：
1. 原理：
真空蒸镀利用真空环境下的物理气相沉积过程，将蒸发源中的固态材料加热至蒸发温度，使其表面分子获得足够的能量而蒸发。
蒸发的材料分子在真空环境中沉积到待处理物体表面，形成一层薄膜。
2. 过程：
（1）准备工作：清洗待处理物体，并将其放置在真空蒸镀设备的装置中。
（2）抽真空：将装置内的气体抽出，建立一定的真空环境，以防止与大气中的气体发生反应。
（3）加热蒸发源：将蒸发源中的固态材料进行加热，使其表面分子获得足够的能量而蒸发。
（4）形成薄膜：蒸发的材料分子在真空环境中沉积到待处理物体表面，形成一层薄膜。
（5）膜层调节：根据需要，可通过控制薄膜的厚度、结构和成分来调节薄膜的性能。
（6）结束工作：待处理物体经过一定的时间后，形成所需的镀膜，完成真空蒸镀过程。
真空蒸镀可用于金属、陶瓷、塑料等材料的表面处理，常见的应用包括镀金、镀银、镀铜等装饰性镀膜，以及光学镀膜、防腐蚀镀膜等功能性镀膜。
真空蒸镀法
真空蒸镀法真空蒸镀法是一种常见的金属表面处理技术，它的原理是通过高温蒸发，让金属蒸发成气体，然后在材料表面沉积形成金属膜层。
该方法广泛应用于制造电子器件、光学元件、化工设备、汽车外壳等领域。
本文将从原理、优点、应用等方面进行详细介绍。
1.原理真空蒸镀法是一种物理气相沉积技术，它基于高温下的蒸发使金属形成气态，随后将气态金属传输到材料表面并沉积。
在用真空将待沉积物品内外排气至较低压力的同时，使用高频电源加热，使得源材料蒸发成气体。
经过一系列反应、传输、降温过程后，源材料最终在被镀的物品表面沉积，形成金属膜层。
2. 优点真空蒸镀法具有诸多优点，如下：（1）厚度均匀：真空蒸镀法利用原子或分子沉积在表面，可以使膜层厚度均匀，避免有些地方厚度过薄而某些地方过厚的情况出现。
（2）适用范围广：真空蒸镀法可以涂覆各种固态材料并可以制备出不同特性的材料，能够适应各种特殊要求的镀膜需求。
例如，可以制备出金属膜、合金膜、氧化膜、硝化膜等。
（3）反应过程可控：真空蒸镀法具有反应过程可控的特点，可以控制源材料的温度，控制气体条件，从而控制所制备膜层的成分和性质等。
（4）成本低廉：相对于其他镀膜技术，真空蒸镀法设备的制造成本较低，其实施所需的能源和材料成本也比其他技术少得多。
（5）对环境的影响小：它是对周围环境的污染很小，因为它不仅不需要水，而且产生残留的化学物，如涂料时。
3. 应用范围真空蒸镀法广泛应用于建筑、机械、航空、电器、电子、医疗、通讯、照明等领域。
其中，最常用的是在光学镜片表面镀上透明金属膜，使得透明度更高，光学性能更优越。
此外，真空蒸镀法也被用于生产太阳能电池板，从而提高其转换效率，也被用于制造触摸屏显示器、复合材料等。
4. 应用案例（1）汽车外观：汽车的外观对其销售很重要，镀膜可以使车身更加光滑并且具有抗蚀性。
汽车上的镉电池灯、车轮、后视镜等经过真空蒸镀法镀上铬层，使得它们看起来更加美观。
（2）光学器件：在制造望远镜、摄像机、摄影设备等装置时，通常需要使用反射镜或反射镜。
真空蒸镀概述
真 空 蒸 镀 原 理
1. 真空蒸发镀膜的三种基本过程：
① 热蒸发过程 ② 气化原子或分子在蒸发源与基片之间的输运，即这 2. 些粒子在环境气氛中的飞行过程。
③ 蒸发原子或分子在基片表面上的淀积过程，即是蒸气凝聚、成核、核生长、形成连续 薄膜。
3. 真空蒸镀的优缺点：
4. 优点：是设备比较简单、操作容易；制成的薄膜纯 度高、质量好，厚度可较准确控制； 成膜速率快、效率高；薄膜的生长机理比较单纯。
膜厚的测量方法
介绍以下几种方法
○ 称重法：微量天平法、石英晶体振荡法 ○ 电学方法：电阻法、电容法、电离式监控计法 ○ 光学方法：光吸收法、光干涉法、等厚干涉条纹法
(1)触针法：差动变压器法、阻抗放大法、压电元件法
称重法:微量天平法
原理：是将微量天平设置在真空室内，把蒸镀的基
片吊在天平横梁的一端，测出随薄膜的淀积而产生
触针测厚计的传感器 差动变压器法；(b)阻抗法
(b) 阻抗放大法
由于触针上下运动使电感器的间隙d发生相 应的变化时，感抗随之变化，导至线圈阻抗 改变。再利用放大电路放大并显示该阻抗的 变化量，即可表征触针上下运动的距离。
电阻蒸发源
○ 采用钨等高熔点金属，做成适当形状的蒸发源，其上装入待蒸发材料， 让电流通过，对蒸发材料进行直接加热蒸发，或者把待蒸发材料放入 Al2O3、BeO 等坩埚中进行间接加热蒸发 。
电子束蒸发源
将蒸发材料放入水冷铜坩埚中，直接利用电子束加热，使蒸发材料气化蒸发后凝结 在基板表面成膜，是真空蒸发镀膜技术中的一种重要的加热方法和发展方向。
测量的薄膜膜厚t为：
触针法
(a) 差动变压器法
原理:在针尖上镶有曲率半径为几微米的蓝宝石或金刚石的触针，使其在薄膜表面上移动时，由 于试样的台阶会引起触针随之作阶梯式上下运动。再采用机械的、光学的或电学的方法，放大触 针所运动的距离并转换成相应的读数，该读数所表征的距离即为薄膜厚度。
薄膜课件真空蒸镀3
中南大学物理学院
15 /64
2014-10-14
3）高频感应加热
高频线圈通以高频电流后，产生涡流电流，致内置材料升温，熔化成膜。
4）电弧加热
高真空下，被蒸发材料作阴极、内接铜杆作阳极，通电压，移动阳 电极尖端与阴极接触，阴极局部熔化发射热电子，再分开电极，产生弧 光放电，使阴极材料蒸发成膜。
5）激光加热 非接触加热。用激光作热源，使被蒸发材料汽化成膜。 常用CO2、Ar、YAG钕玻璃，红宝石等大功率激光器。
优点：（1）电子束轰击热源的束流密度高，能获得远比电阻加热源更大的能量密 度。可达到104~109W/cm2的功率密度，可以使高熔点（可高达3000℃以上）材料蒸发， 并且能有较高的蒸发速度。如蒸发W、Mo、Ge、SiO2、Al2O3等。 （2）由于被蒸发材料是置于水冷坩埚内，因而可避免容器材料的蒸发，以及容器材 料与蒸镀材料之间的反应，这对提高镀膜的纯度极为重要。 （3）热量可直接加到蒸镀材料的表面，因而热效率高，热传导和热辐射的损失少。 缺点：（1）电子枪发出的一次电子和蒸发材料发出的二次电子会使蒸发原子和残 余气体分子电离，这有时会影响膜层质量。但可通过设计和选用不同结构的电子枪加 以解决。 （2）多数化合物在受到电子轰击会部分发生分解，以及残余气体分子和膜料分子会部 分地被电子所电离，将对薄膜的结构和性质产生影响。 （3）电子束蒸镀装置结构较复杂，因而设备价格较昂贵。 （4）当加速电压过高时所产生的软X射线对人体有一定伤害。
中南大学物理学院
5 /64
1, 真空蒸发镀膜 1. 工艺原理
2014-10-14
真空室内加热的固体材料被蒸发汽化或升华后，凝结沉积到一定温
度的衬底材料表面。加热使材料气化是关键。形成薄膜经历三个过程：
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
重要的实际意义，可以查到。
Table and Figure
一些常用材料的蒸气压与温度的关系
周期表I族元素的蒸气压
周期表II族元素的蒸气压
周期表III族元素的蒸气压
此外，材料的蒸汽压与温度之间有一近似关系，为：
B lg p A T
T 绝对温度（K） p 蒸汽压，单位：微米汞 柱（mHg）
电的缺点。
缺点:
1) 长时间工作，激光进入钟罩窗口处的透镜会受到
影响; 2) 激光蒸发器较昂贵，且并非对所有材料都显示其 优越性； 3) 由于蒸发材料温度太高，蒸发粒子（原子、分子、
簇团等）多易离子化，从而会对膜结构和特性产
生一定影响。
4、高频感应蒸发源
工作原理
优点
缺点
高频感应加热源的工作原理
真空蒸发镀膜法
本章的基本要求
理解饱和蒸汽压、蒸发温度等基本概念； 掌握真空蒸发的原理、设备要求、不同类型蒸发源的蒸发特
点、各种蒸发材料的特点、基本的蒸发镀膜操作过程；
理解并掌握真空蒸发镀膜时真空室内起始压强的确定方法； 了解真空蒸发镀膜法的应用情况。
第三章 真空蒸发镀膜法
4、蒸发速率
1) 纯金属（或单质材料）的蒸发速率 2) 合金的蒸发速率
（1）纯金属（或单质材料）的蒸发速率
已知根据气体分子运动论，处于热平衡状态时，压强为p的
气体，单位时间内碰撞单位面积器壁的分子数为：
p J 2mkT pv Jc 2mkT
m——分子质量； T——绝对温度； k——玻耳兹曼常数
优点:
1) 它是面蒸发，蒸发速率大，可以比电阻蒸发源 大10倍左右； 2) 蒸发源的温度均匀稳定，不易产生飞溅现象； 3) 蒸发源一次装料，无需送料机构，温度控制较 容易，操作比较简单。
缺点:
1) 因为接触易造成污染； 2) 只能蒸发导电的膜料； 3) 设备必须屏蔽，且需要复杂和昂贵的高频 发生器。
e为蒸发系数 ；
t为时间（秒） ； pv和ph分别为饱和蒸汽压和液相静压（Pa）。
当e＝1且 ph ＝0时，得最大蒸发速率为：
pv Jm 2mkT
(个 cm -2 s -1 )
pv 由 Jm 2mkT
(个 cm -2 s -1 )
得到单位面积的质量蒸发速率为：
m G mJ m pv 2kT
蒸发温度高，蒸发速率就高，膜的致密度差； 蒸发温度低，蒸发速率就低，膜容易被氧化。
一般规定物质在饱和蒸汽压为10-2Torr
时的温度为该物质的蒸发温度。
饱和蒸汽压
在一定温度下，真空室内蒸发物质的蒸汽与固体
或液体平衡过程中所表现出的压力称为该物质的
饱和蒸汽压。
饱和蒸汽压与温度的关系曲线对薄膜制作技术有
式中： nr 指残余气体分子的密度； r’ 指残余气体分子的半径； r 指蒸发的膜料分子（或原子） 半径。
所以，
kT 2 Pr (r r ' )
现已知从蒸发源到基片间的距离为Lcm，为使蒸发源出来 的膜料分子（或原子）大部分不与残余气体分子发生碰撞
直接到达基片表面，通常要使得：
λ>>L
§3.1 概念 §3.2 真空蒸发镀膜的原理 §3.3 常用的蒸发源及蒸发材料 §3.4 影响薄膜生长和性能的几个因素及真空蒸发 镀膜技术的应用
§3.5 分子束外延（MBE）技术
§3.1 概念
真空蒸发镀膜法（简称真空蒸镀）是在真空
室中，加热蒸发容器中待形成薄膜的原材料， 使其原子或分子从表面气化逸出，形成蒸汽 流，入射到固体（称为衬底或基片）表面， 凝结形成固态薄膜的方法。
（1）与器壁碰撞的气体只有部分发生凝结，因此：
——冷凝系数 ( ≤1 ）；
pv——饱和蒸汽压；
（2）假设蒸发材料表面液相、气相处于动态平衡中，那么， 单位时间单位面积的蒸发分子数为：
式中，
dN为蒸发分子（原子）数； A为蒸发表面积；
dN e ( pv ph ) Je Adt 2mkT
2、起始蒸发真空度的确定
（1）为什么要确定起始蒸发的真空度？
起始蒸发的真空度高好？还是低好？
（2）如何确定起始蒸发的真空度？
（两种方法）
Answer 1 Answer 2
工
件
L
L是源－基距，属于设备参数
假设残余气体处于同样的温 度，膜料分子在残余气体中 的平均自由程为：
因为: P=nrkT
1 nr (r r ' ) 2
§3.2 真空蒸发镀膜的原理
四个主要内容：
1. 真空蒸发装置 2. 蒸发真空度的确定 3. 蒸发温度 4. 蒸发速率
1、真空蒸发装置
加热源 衬底 真 空 室 挡板
支 架
蒸发源 A
高阀
往机械泵
B
扩 散 泵
加热器
电阻式真空蒸发 设备示意图
1、真空蒸发装置
蒸发镀膜的基本过程：
关闭充气阀和高真空阀等阀门，通 过图中的 A-B右路系统对钟罩进行 预抽气。当压强达到预真空度后， 关闭低真空阀，打开高真空阀，通 过A-C-B左路系统用高真空机组进 行抽气。一旦钟罩内的压强达到所 需要的数值后，便可对蒸发源加热 进行蒸镀。蒸镀完毕后，关闭高真 空阀，通过充气阀向钟罩放气。然 后打开钟罩，取出蒸镀好的基片或 工件，重新装入膜料，更换待镀的 基片或工件，放下钟罩。重复以上 步骤，再次进行蒸镀。
>>More
蒸发材料
2、铜（Cu） m.p. 1083oC pv=10-2Torr时，T＝1257oC
导电性好，可焊性好，常用作导线。 加过渡层改 善附着性
缺点：
（2）易氧化。
（1）铜与玻璃、陶瓷、硅片的附着力不是很好；
上一层保护层以防氧化
蒸发材料
2、铜（Cu） 对铜建议采用钨螺旋丝或者钨、钽舟，并且必须 注意维持蒸发温度恒定。
>>More
蒸发材料
3、金（ Au ） m.p. 1064oC
蒸发源温度的变化对蒸发速率的影响极大！
例如, 对金属有:
dG dT (20 ~ 30) G TGO（2）合金的蒸发速率
制造合金薄膜时，蒸发合金或者化合物的结果
在相同温度下，各元素的蒸气压不相同，其蒸发速率就不
相同，导致制备的合金薄膜与原料的化学计量比不同。
如何蒸镀才能得到符合预计要求的合金薄膜？
瞬时蒸发法（“闪烁”蒸发法）
双（多）源蒸发法
§3.3 常用的蒸发源及蒸发材料
蒸发源
常用的蒸发材料
蒸发源
蒸 接触式蒸发源 发 源 非接触式蒸发源
常用的蒸发源
1. 电阻式蒸发源
2. 电子束加热蒸发源
3. 激光蒸发源 4. 高频感应蒸发源
1、电阻式蒸发源
采用高熔点金属做成适当的形状装上待蒸
发材料，对蒸发材料进行直接加热蒸发。
GO
蒸发材料
常用的蒸发材料介绍
1、铝（Al） m.p. 660oC pv=10-2Torr时，T＝1217oC
铝薄膜可用作导体、电容器电极、反射器及装饰品等。
因铝与玻璃、陶瓷、硅片的附着力好，常用作引线。
蒸发材料
1、铝（Al）
1100℃以上开始迅速蒸发。在蒸发温度时，铝 是一种高度流动的液体，它对难熔材料极易相湿并 在其表面上流动，同时可以深入到难熔材料的微孔 中。熔化的铝在真空中化学活性非常强，因此必须 认真选择蒸发源。目前，多采用钨丝或者钽丝作为 蒸发源。
式中，A，B分别为与材料性质有关的常数，可以直接由实 验确定或由文献查得。 对大多数材料，在蒸汽压小于1Torr的温度范围内，此式是蒸
发材料的饱和蒸汽压与温度之间一个比较精确的表达式。
上式的准确度较差，但方便实用。
一些金属的蒸汽压方程中的计算常数
金属 Li Na K Cs Cu Ag Au Be Mg Ca Mo W U Mn Fe A 10.99 10.72 10.28 9.91 11.96 11.85 11.89 12.01 11.64 11.22 11.64 12.40 11.59 12.14 12.44 B 8.07×103 5.49×103 4.48×103 3.80×103 1.698×104 1.427×104 1.758×104 1.647×104 7.65×103 8.94×103 3.085×104 4.068×104 2.331×104 1.374×104 1.997×104 金属 Sr Ba Zn Cd B Al La Ga In C Co Ni Ru Rh Pd A 10.71 10.70 11.63 11.56 13.07 11.79 11.60 11.41 11.23 15.73 12.70 12.75 13.50 12.94 11.78 B 7.83×103 8.76×103 6.54×103 5.72×103 2.962×104 1.594×104 2.085×104 1.384×104 1.248×104 4×104 2.111×104 2.096×104 3.38×104 2.772×104 1.971×104 金属 Si Ti Zr Th Ge Sn Pb Sb Bi Cr Os Ir Pt V Ta A 12.72 12.50 12.33 12.52 11.71 10.88 10.77 11.15 11.18 12.94 13.59 13.07 12.53 13.07 13.04 B 2.13×104 2.32×104 3.03×104 2.84×104 1.803×104 1.487×104 9.71×103 8.63×103 9.53×103 2.0×104 3.7×104 3.123×104 2.728×104 2.572×104 4.021×104