(2011)第4章电磁介质
第四章 电介质
第四章 电磁介质第一节 电介质一、电介质—绝缘介质1.电介质内没有可以自由移动的电荷 在电场作用下,电介质中的电荷只能在 分子范围内移动。
2.分子电矩·分子—电偶极子(模型)分子的正负电中心相对错开。
·分子电矩二、电介质的极化1.极性电介质的极化p 分+- 电介质分子(1) 极性分子·正常情况下,内部电荷分布不对称, 正负电中心已错开,有固有电矩p 分, ·极性分子:如HCl 、H 2O 、CO 等。
(2)无外电场时·每个分子p 分 ≠ 0·由于热运动,各p 分取向混乱·小体积∆V (宏观小、微观大,内有大量 分子)内 ∑ p 分= 0(3)有外电场时·各 p 分向电场方向取向(由于热运动,取向 并非完全一致)外有外电场 无外电场分 ·且外电场越强 ⇒ | ∑ p 分| 越大·这种极化称取向极化2.非极性电介质的极化(1)非极性分子·正常情况下电荷分布对称,正负电中心重 合,无固有电矩。
·非极性分子:如He 、 H 2、 N 2、 O 2、 CO 2等。
(2)无外电场时·每个分子 p 分 = 0·∆V 内∑ p 分 = 0 (3)有外电场时·正负电中心产生相对位移,p 分(称感应电矩) ≠ 0E 外分 ·且外电场越强 ⇒ | ∑ p 分| 越大·这种极化称位移极化三、电极化强度1.电极化强度·为描写电介质极化的强弱,引入电极化强度矢量。
·定义:单位体积内分子电矩的矢量和或·P 是位置的函数·单位: C/m 2·对非极性电介质,因各p 分相同,有 P = n p 分n ---单位体积内的分子数·综上,对极性、非极性电介质都有 无外电场时, P = 0 有外电场时,P ≠ 0且电场越强 ⇒ | P | 越大2.电极化强度和场强的关系·由实验,对各向同性电介质,当电介质中 电场E 不太强时,有·χe :电极化率(χe ≥ 0),决定于电介质性质。
电磁学赵凯华,陈熙谋第三版)第四章 习题及解答
习题 ! ! "
(")当金属板上带电面密度为 ("!% 时,两层介质的分界面上的极化 电荷面密度 "!);
(&)极板间电势差 *;
(!)两层介质中的电位移 +"
解:($) 设上极板带正电,面电荷密度为 "!% ,下极板带负电,面电
荷密度为 !"!% ,则可得
#
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密度。由此
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(%)极板间各处的电势( 设正极板处 ($ # $); (#)画 & !)、’ !)、( !) 曲线; (!)已知极板面积为 $" (( "% ,求电容 *,并与不加电
介质时的电容 *$ 比较。 解:(() 设本题图中电容器内部从左到右分成 !、
"、# 区。由介质中的高斯定理可解出
习题 ! ! !
从而
的介电常量是变化的,在一极板处为 !" ,在另一极板处为 !# ,其它处的介电 常量与到 !" 处的距离成线性关系,略去边缘效应。
04第四章磁与电磁感应要点
4.1磁感应强度和磁通一、教学目标1、了解磁场、磁感线的概念。
2、了解载流体与线圈产生的磁场。
3、了解磁感应强度、磁通的概念。
二、教学重点、难点分析重点:磁感应强度是描述磁场性质的物理量,建立磁感强度的基本概念。
难点:建立磁感强度的基本概念。
三、教具条形磁铁;蹄形磁铁;针形磁铁;通电直导线;通电线圈;通电螺线管。
电化教学设备。
四、教学方法讲授法,演示法,多媒体课件。
五、教学过程I.导入复习电场,为用类比法建立磁感应强度概念作准备。
提问:电场的基本特性是什么?(对其中的电荷有电场力的作用。
)空间有点电场Q建立的电场,如在其中的A点放一个检验电荷qi,受电场力Fi,如改放电荷q2,受电场力F2,则旦与旦有何关系,说明什么?(比值q i q2为包量,反映场的性质,叫电场强度。
)II.新课一、磁体与磁感线(复习巩固旧知识,扩充学习新知识)提问一:同学们在初中的学习中都了解到了哪些关丁磁体、磁场的知识啊?答:略。
归纳明确基本概念:某些物体具有吸引铁、锐、钻等物质的性质叫磁性。
具有磁性的物体叫磁体。
常见的磁体有条形磁铁、马蹄形磁铁和针形磁铁。
磁铁两端的磁性最强,磁性最强的地方叫磁极。
分别是南极,用 S 表示;北 极,用N 表示。
1、 磁场提问二:两个磁体相互接近时,它们之间的作用遵循什么规律? 答:同名磁极互相排斥,异名磁极互相吸引。
观察:同名磁极,异名磁极的相互作用.进一步加深感性认识. 提问三:磁体之间的相互作用是怎样发生的? 答:磁体之间的相互作用是同过磁场发生的。
提问四:只有磁铁可以产生磁场吗? 答:电流也可以产生磁场。
明确概念:磁极之间的作用力是通过磁极周围的磁场传递的。
在磁力作用的 空间,有一种特殊的物质叫 磁场。
学生讨论:电荷之间的相互作用是通过电场;磁体之间的相互作用是通过磁 场。
电场和磁场一样都是一种物质。
2、 磁感线设问:电场分布可以用电力线来描述,那么磁场如何描述呢? 观察:如图1条形磁铁周围小磁针静止时 N 极所指的方向是不同的.说明:磁场中各点有不同的磁场方向. 设问:磁场中各点的磁场方向如何判定呢? 将一个小磁针放在磁场中某一点,小磁针静止 时,北极N 所指的方向,就是该点的磁场方向.设问:如何形象地描写磁场中各点的磁场方 向?正像电场中可以利用电力线来形象地描写各点的电场方向一样,在磁场中可以利用磁感线来形象地描写各点的磁场方向磁感线:是在磁场中画出一些有方向的曲线,在这些曲线上,每点的曲线方向,亦即 该点的切线方向都有跟该点的磁场方向相同.@ ® ®® ____ _® ■■ZZZJ® @ ®图1磁感线的特性:(1) 磁场的强弱可用磁感线的疏密表 示,磁感线密的地方磁场强;疏的 地方磁场弱。
高中物理第4章电磁振荡与电磁波2电磁场与电磁波课后习题新人教版选择性
2电磁场与电磁波课后·训练提升基础巩固一、选择题(第1~3题为单选题,第4~6题为多选题)1.电磁波由真空进入介质中时,其波速变为原来的一半,则波长变为原来的()A.一半B.两倍C.不变D.无法判断,频率不变。
由v=λf知v减半,则λ减半。
2.在真空中传播的电磁波,当它的频率增大时,它的传播速度及其波长的变化情况是()A.速度不变,波长减小B.速度不变,波长增大C.速度减小,波长变大D.速度增大,波长不变3×108m/s,与频率无关;由c=λf,波速不变,频率增大,波长减小,故选项A正确,B、C、D错误。
3.下列关于电磁波的说法正确的是()A.电磁波必须依赖介质传播B.电磁波可以发生衍射现象C.电磁波不会发生偏振现象D.电磁波无法携带信息传播,可以发生衍射现象,故选项B正确。
电磁波是横波,能发生偏振现象,故选项C错误。
电磁波能携带信息传播,且传播不依赖介质,在真空中也可以传播,故选项A、D错误。
4.下列说法正确的是()A.电荷的周围一定有电场,也一定有磁场B.均匀变化的电场在其周围空间一定产生磁场C.任何变化的电场在其周围空间一定产生变化的磁场D.正弦交变的电场在其周围空间一定产生同频率交变的磁场,不产生磁场,运动的电荷周围的电场是变化的,所以产生磁场,选项A错误。
由麦克斯韦理论判断选项B、D正确,C错误。
5.按照麦克斯韦的电磁场理论,以下说法正确的是()A.恒定的电场周围产生恒定的磁场,恒定的磁场周围产生恒定的电场B.变化的电场周围产生磁场,变化的磁场周围产生电场C.均匀变化的电场周围产生均匀变化的磁场,均匀变化的磁场周围产生均匀变化的电场D.均匀变化的电场周围产生稳定的磁场,均匀变化的磁场周围产生稳定的电场:变化的电场产生磁场,变化的磁场产生电场。
对此理论全面正确理解为:不变化的电场周围不产生磁场;变化的电场可以产生变化的磁场,也可产生不变化的磁场;均匀变化的电场产生稳定的磁场;周期性变化的电场产生同频率的周期性变化的磁场。
电磁场与电磁波第四章时变电磁场
第 4 章 时变电磁场
电磁场与电磁波第四章时变电磁 场..
电磁场与电磁波
第 4 章 时变电磁场
2
4.1 电磁场波动方程
麦克斯韦方程 —— 一阶矢量微分方程组,描述电场与磁场 间的相互作用关系。
波动方程 —— 二阶矢量微分方程,揭示电磁场的波动性。
麦克斯韦方程组
波动方程。
无源区域中电磁场波动方程
时变电磁场唯一性定理
在以闭曲面S为边界的有界区域V 中,
V
如果给定t=0 时刻的电场强度和磁场强度 S
的初始值,并且当t 0 时,给定边界面S
上的电场强度或者磁场强度的切向分量已知,那么,在 t > 0 的
任何时刻,区域V 中的电磁场都由麦克斯韦方程组唯一确定。
唯一性定理指出了获得唯一解所必须给定的边界条件。
第 4 章 时变电磁场
17
4.5.1 简谐电磁场的复数表示
简谐场量的复数表示形式
设 A(r,t)是一个以角频率 随时间t 作余弦变化的场量,它
可以是电场或磁场的任意一个分量,也可以是电荷或电流等变量,
它与时间的变化关系可以表示为:
A ( r ,t) A 0 c o s [t ( r ) ]
实数表示法 或称瞬时表示法
只要把微分算子 用 j 代替,就可把麦克斯韦方程转换为
t
简谐电磁场复矢量之间的关系,而得到简谐场的麦克斯韦方程。
H
J D t
E
B t
B 0
D
Hm
Jm
j D m
Em
j B m
Bm 0
D m m
H J j D
E j B
D
式中A0代表振幅、 ( r )为与坐标有关的相位因子。
电动力学-第4章-第2节-电磁波在介质界面上的反射和折射
电磁波入射到介质界面发生反射和折射,其反射和折射的一、反射和折射定律在一定频率情形下,麦氏方程组不是完全独立的。
2,反射和折射定律的导出入射波、反射波和折射波的电场强度分别为:E E E ′′′,,(1) 角频率(2) 波矢分量间的关系:yy k ′′=′平面上,都在同一平面上,即分别代表入射角,反射角为电磁波在两介质中的相速度,则把波矢及它们的分量值代入它们之间的关系式,得这就是我们熟知的反射定律和折射定律!(3) 入射角、反射角和折射角的关系电磁波在介质界面上的反射和折射(9)211的相对折射率。
µ0,因此通常可认为就是两介质的相对折射率。
频率不同时,折射率亦不同,这是色散现象在折射问题中(4) 折射率电磁波在介质界面上的反射和折射(10)现应用边值关系式求入射、反射和折射波的振幅关系。
二、振幅和相位关系kr Hr k ′r k ′′r H ′′r H ′r E r E ′′r E ′r θθ′θ′′电磁波在介质界面上的反射和折射(11)1,E 入射面,如右图所示②①kr H r k ′r k ′′rH ′′r H ′r E r E ′′rE ′rθθ′θ′′xz nr利用已经推得的折射定律:2,E利用已经推得的折射定律得:(2a)(2b)三、全反射假设在情形下两介质中的电场形式上仍然不变,折射波电场:折射波磁场:电磁波在介质界面上的反射和折射(22)折射波平均能流密度:21θ分量,沿z 轴方向sin θ>n 21 情形下12122−n i θsin 则由菲涅耳公式可以求出反射波和折射波的振幅和相位。
例如在。
第4章 时变电磁场
(2)
对方程(2)两边取旋度有 E H t 2 2 E H E E ( E ) E
E t
2
对于各向同性的介质,得
2 E 2 E 2 0 t (5)
E 0 t
t
同理可得
2 H 2 H 2 0 t (6)
第四章 时 变 电 磁 场
从上方程可以看出:时变电磁场的电场场量和磁场场量在 空间中是以波动形式变化的,因此称时变电磁场为电磁波。 上两式为关于场量 E、H 的矢量波动方程,表示时变电磁场 以波的形式在空间存在和传播,其波速为
A E ex Am cos(t kz ) t
第四章 时 变 电 磁 场
§4.3 电磁能量守恒定律
能量守恒定律是一切物质运动过程遵守的普遍规律,作为特殊形态的物 质,电磁场及其运动过程也遵守这一规律。 下面讨论电磁场的能量和能量守恒定律,引入重要的坡印廷矢量和坡印廷 定理,分析讨论电磁场能量、电荷电流运动及电磁场做功之间的相互联系。
其中Am、k是常数,求电场强度、磁场强度。
解:
Ax B A ey ey kAm cos(t kz ) z k H ey Am cos(t kz )
A 0 t
C
如果假设过去某一时刻,场还没有建立,则C=0。
量位只决定于ρ,这对求解方程特别有利。只需解出A,无需
解出 就可得到待求的电场和磁场。 电磁位函数只是简化时变电磁场分析求解的一种辅助函数,应 用不同的规范条件,矢量位A和标量位 的解也不相同,但最终 得到的电磁场矢量是相同的。
电磁场与电磁波及其应用 第四章
在线性、 各向同性媒质中, 当参数不随时间变化时,
于是得到 再利用矢量恒等式
可得到 (4.3.4)
在体积V上, 对式(4.3.4)两端积分, 并应用散度定理即 可得到
(4.3.5)
由于E和H也是相互垂直的, 因此S、 E、 H三者是相互 垂直的, 且构成右旋关系, 如图4.3-1 所示。
第四章 时变电磁场
4.1 波动方程 4.2 时变场的位函数 4.3 时变电磁场的能量与能流 4.4 时谐电磁场 4.5 左手媒质 4.6 时变电磁场的应用
4.1 波 动 方 程
在无源空间中, 电流密度和电荷密度处处为零, 即 ρ=0、 J=0。 在线性、 各向同性的均匀媒质中, E和H满足 麦克斯韦方程
图4.3-1 能流密度矢量与电场及磁场的方向关系
例4.3.1 同轴线的内导体半径为a、 外导体半径为b, 其 间均匀充填理想介质。 设内外导体间电压为U, 导体中流过 的电流为 I。 (1) 在导体为理想导体的情况下, 计算同轴线 中传输的功率; (2) 当导体的电导率σ为有限值时, 计算通 过内导体表面进入每单位长度内导体的功率。
磁场仍为 内导体表面外侧的坡印廷矢量为
由此可见内导体表面外侧的坡印廷矢量既有轴向分量, 也 有径向分量, 如图4.3-3所示。
图4.3-3 同轴线中电场、 磁场和坡印廷矢量 (非理想导体情况)
进入每单位长度内导体的功率为
式中
是单位长度内导体的电阻。 由此可见,
进入内导体中的功率等于这段导体的焦耳损耗功率。
利用复数取实部表示方法, 可将式(4.5.1)写成
式中
(4.4.2)
称为复振幅, 或称为u(r, t)的复数形式。 为了区别复数形 式与实数形式, 这里用打“•”的符号表示复数形式。
第4章电磁介质
电r位移矢量r r D=e0E+P
Ñ ur 0
q0
S内
q'
Ñ SPdS S内q'
( ) r r r
ò Ñ å Se0E+P?dS
q0
S
òÑ å r r D?dS S
q0
有电介质时 的高斯定理
S
r
rr
相对介电常量
D=(1+ce)e0E= ee0E e = 1+c e (相对电容率)
解 (1)
E1 0
(r R0)
E2
Q
4π 01r 2
(R0 rR1)
E3
Q
4π 0 2 r 2
(R1rR2)
E4
Q
4π 0r 2
(r R2 )
R2 Q
R1 R0
r
ε1
ε2
(2) 紧贴导体球表面处的极化电荷
1 Q' (1 )Q
1
E1 0
(r R0)
E2
Q
4π 01r 2
(R0 rR1)
E3
Q
四 有电介质时的高斯定理 电位移
在有电介质存在的电场中,高斯定理仍成立, 但要同时考虑自由电荷和束缚电荷产生的电场
总电场
自由电荷
极化电荷
Ñ S ErdSr 10
q0
S内
q'
上式中由于极化电荷一般也是未知的,用其求解电
场问题很困难,为便于求解,引入电位移矢量,使
右端只包含自由电荷。
ε 0´
r
r
P=cee0E
质的击穿场强均为EM 。当电压升高时,哪层介质先击穿?此 时电压是多少?
外层介质先被击穿
电磁介质
(r R1 )
(r R2 )
18
§1 电介质
(3)由(1)可知
( R1 r R2 ) E 2π 0 r r
R2 U E dr
R1
dr ln R2 2π 0 r r 2π 0 r R1
Q R2 C 2π 0 r l ln U R1
L
磁介 质 I L
B dl 0 ( I 0内 I内) 0 I 0内 0 M dl L B ( 0 M ) dl I 0内 L
I0
定义
H
B
0
M
23
第六章 —— 电磁介质
§2 磁介质(一)--- 分子电流观点
B Bo B
传导电流产生 与介质有关的电流产生
B r B0
介质的相对磁导率
r 1 r 1 r >> 1
第六章 —— 电磁介质
顺磁质 抗磁质
铁磁质
22
§2 磁介质(一)--- 分子电流观点
三 有磁介质时的安培环路定理和高斯定理
1. 安培环路定理 设:I0─ 传导电流 I ─ 磁化电流
+
-
+
-+
P
+
E’ +
-
-+
第六章 —— 电磁介质
13
§1 电介质
5、电介质中高斯定理的应用 ——求解电荷和电介质都对称分布时的电场的场强。 例 如图所示,一个均匀带电球体外 有一个电介质球壳。试求场强分布。 解:如图取高斯面,则有: ε
D E
Qr 4 R 3 , r R1 0 Q E , R1 r R2 2 4r Q , r R2 4 0 r 2
第四章 电磁学基础
由电力叠
in
q
加原理 由场强定义
e 整理后得
f
fi
i 1 f
in fi
E
E
q
Ei
i1 q
in 或 E
i
i1
qi
ei
in
fi
i1 q
qi
40ri2
i
.
*若带电体可看作是电荷连续分布的,如d图q示Q
把带电体看作是由许多个电荷元组成,
然后利用场强叠加原理。
E dE
Q
Q
dq
q
q
-+ r0
.
(1)轴线延长线上一点的电场强度
E
1 4πε0
q (xr0
2)2
i
E4π1ε0
q (xr0
2)2i
E Ex E 4rπ01 ε0E 2xr 03q4iπ qε04(π1xε20 22xxr0 p320r4)2i
q
q
- O. + r0 2 r0 2
.A
x E
E
x
.
(2)轴线中垂线上一点的电场强度
《电磁学》 就此诞生!
.
法拉第提出:变化的电流、 变化的磁场、稳恒电流的运 动以及导体在磁场中的运动 都会产生感应电流。
1864年麦克斯韦总结了前人 以及自己对电磁理论的研究 成果,归纳出著名的麦克斯 韦方程组。
.
D dS q
S
Edl dm
L
dt
BdS 0
S
Hdl Ic Id
L
第四章 电磁学基础
◆静电场的基础知识 ◆静磁场的基础知识 ◆电磁感应与电磁波 .
I.静电场的基础知识
第四章 电磁波的传播 §1. 平面电磁波§2. 电磁波在介质界面上的反射和折射§3. 有导体存在时电磁波的
知 H
E
较大,非铁磁
B
可取 = 0
(2) E k 在与 k 垂直平面上可将 E 分解成两个分量
(3) H k, 且 H E
(4)
nn ((EH22EH1)1
0 )0
即 Et E't E"t Ht H 't H"t
(5) ' ,
sin 2 sin " 1
(1 2 0 )
电磁波:迅变电磁场, 导体内 = ?
电流:J
E
电荷:
E
/
,
J
E
J
0
t
t
J
,
d dt,
t
0e
t = 0 时,导体内 = 0 , 然后 随 t 按指数衰减 t = 时,( = / 特征时间) = 0 / e
导体内的自由电荷分布
t = 0 时,导体内 = 0 , 然后 随 t 按指数衰减
o
y
x
平面电磁波的特性: (证明 see next page)
(1) 电磁波是横波, E k , B k
(2) E B , E B 沿 k 方向
(3) E 和 B同相,振幅比 E / B = v
平面电磁波
证明平面电磁波的特性
E 0
E
E0
ei
(
k
xt
)
E0
ei
( k xt
)i(k
E"
2 1 cos
2sin "cos
E 1 cos 2 cos" sin( ")
振幅关系 Fresnel 公式
(2) E || 入射面: (Ht H )
第4章 时变电磁场1
2、坡印亭矢量
− ∫
S
v v v 表流入闭合面S的电磁功率, ( E × H )dS 表流入闭合面S的电磁功率,因此
v v 为一与通过单位面积的功率相关的矢量。 与通过单位面积的功率相关的矢量 E × H 为一与通过单位面积的功率相关的矢量。
v 定义:坡印廷矢量( 表示)- 定义:坡印廷矢量(用符号 S 表示)-能流密度矢量
v v 讨论:1 :1、 为与时间相关的函数(瞬时形式), ),则 讨论:1、若 E , H 为与时间相关的函数(瞬时形式),则 v v v S (t ) = E (t ) × H (t )
称为坡印廷矢量的瞬时形式。 称为坡印廷矢量的瞬时形式。 瞬时形式
v v 对某些时变场, 2、对某些时变场, , H 呈周期性变化。则将瞬 E 呈周期性变化。
v v v d v v ⇒ − ( E × H )dS = (We + Wm ) + ∫ E JdV ∫S V dt
坡印廷定理积分形式 说明: 说明:
− ∫
S
坡印廷定理物理意义: 坡印廷定理物理意义: 物理意义 流入体积V 流入体积V内的电磁功率 等于体积V 等于体积V内电磁能量的 增加率与体积V 增加率与体积V内损耗的 电磁功率之和。 电磁功率之和。
坡印廷定理描述了空间中电磁能量守恒关系。 坡印廷定理描述了空间中电磁能量守恒关系。
第4章 时变电磁场
13
1、坡印亭定理
在时变场中, 在时变场中,电、磁能量 相互依存, 相互依存,总能量密度为
1r r 1r r w = we + wm = D ⋅ E + B ⋅ H 2 2 W = ∫V 1 r r r r w dV = ∫V (D ⋅ E + B ⋅ H) V d 2
电磁学第四章答案解析全
第四章 习题2、平行板电容器(面积为S,间距为d )中间两层的厚度各为d 1和d 2(d 1+d 2=d ),介电常数各为1ε和2ε的电介质。
试求:(1)电容C ;(2)当金属板上带电密度为0σ±时,两层介质的分界面上的极化电荷密度'σ;(3)极板间电势差U;(4)两层介质中的电位移D ; 解:(1)这个电容器可看成是厚度为d 1和d 2的两个电容器的串联:12210212121d d SC C C C C εεεεε+=+=(2)分界处第一层介质的极化电荷面密度(设与d 1接触的金属板带正电)1111011111εσεεεσ)(E )(P n P '-=-=-=⋅=分界处第二层介质的极化电荷面密度:21222022211εσεεεσ)(E )(P n P '--=--=-=⋅=所以, 21021211εεσεεσσσ+-=+=)('''若与d 1接触的金属板带负电,则21021211εεσεεσσσ+--=+=)('''(3)2101221202010102211εεσεεεεσεεσ)d d (d d d E d E U +=+=+= (4)01101σεε==E D ,02202σεε==E D4、平行板电容器两极板相距3.Ocm ,其间放有一层02.=ε的介电质,位置与厚度如图所示,已知极板上面电荷密度为21101098m /c .-⨯=σ,略去边缘效应,求: (1)极板间各处的P 、E 和D 的值; (2)极板间各处的电势(设正极板处00=U );(3)画出E-x ,D-x ,U-x 曲线;解:(1)由高斯定理利用对称性,可给出二极板内:2111098m /c .D e -⨯==σ(各区域均相同),在0与1之间01==P ,r ε,m /V DE 20101⨯==ε在1与2之间210000010454112m /c .D)(E )(P ,r r r -⨯=-=-==εεεεεεε,m /V D E r500==εε 在2与3之间,01==P ,r ε,m /V DE 20101⨯==ε(2)0=A V :0-1区:,x dx E V xD 100=⋅=⎰1-2区:),x x (dx E V xx 1501-=⋅=⎰)x x x ,.x x )x x (V 2111505010050≤≤+=+-=2-3区:),x x (dx E V xx 2100021-=⋅=⎰∆)x x x (,.x ).x (,x x x x x )x x (V 3212221501000050100505010010010050≤≤-=-=+-=-++=题4图6、一平行板电容器两极板相距为d,其间充满了两种介质,介电常数为1ε的介质所占的面积为S 1, 介电常数为2ε的介质所占的面积为S 2。
电磁学(赵凯华)答案[第4章 电磁介质]
1.如图所示,一根细长的永磁棒沿轴向均匀磁化,磁化强度为。
试求图中表示的1、2、3、4、5、6、7各点的磁感应强度和磁场强度。
解永磁体被磁化,可以认为表面出现磁化电流,由磁化电流与磁化强度的关系,可知。
并且磁化电流产生的磁感应强度可与一细长螺线管产生的磁场等效,所以由细长螺线管磁场分布可知,在细长螺线管轴线上,其端部的磁感应强度恰为其中部的一半,故表明磁感应线连续。
因为沿方向的投影式为所以表明磁场不连续。
2有一圆柱形无限长载流导体,其相对磁导率为,半径为,今有电流沿轴线方向均匀分布,试求: 导体内任一点的 ; (2)导体外任一点的 ; (3)通过长为的圆柱体的纵截面的一半的磁通量。
解 (1)在导体内过距轴线为 的任一点作一个与轴垂直,圆心在轴线上,半径为 的圆周作为积分线路,如图所示。
此圆周与磁场线重合,而且沿圆周 是常数。
故得根据含介质的安培环路定理因导体内电流均匀分布,所以电流密度为在半径为 的截面中所以 ,则(2)在导体外任一点 ,以过这一点而圆心在轴线上的圆周作为积分线路,同样得因 ,故 ,所以 ,(3)如图所示,通过长为的圆柱体纵截面的一半的磁通量为3同轴电缆由两同心导体组成,内层是半径为的导体圆柱,外层是半径分别为、的导体圆筒,如图所示。
两导体内电流等量而反向,均匀分布在横截面上,导体的相对磁导率为,两导体间充满相对磁导率为的不导电的均匀磁介质。
试求在各区域中的分布。
解:对称性分析可知,在半径相等处的磁场强度大小相等,方向与电流方向成右手螺旋关系。
可用含介质时的安培环路定理求得,再由、之间的关系求得分布。
在中,,所以在中所以在中所以在中,, 各区域的方向与内层导体圆柱中的电流方向成右手螺旋关系。
4 一铁环外均匀绕有绝缘导线,导线中通有恒定电流,今若在环上开一条狭缝。
试求:(1)开狭缝前后,铁环中的,和如何变化;(2)铁环与缝隙中的,和。
解由高斯定理可知,磁场中磁感应强度总是闭合曲线,而磁场强度线却不一定连续;的环流是由回路中的传导电流决定的,而的环流是由回路中的传导电流和磁化电流(也称束缚电流)共同决定的。
第4章 恒定电场和恒定磁场汇总
第4章 恒定电场和恒定磁场
例1 一个填充有两层导电媒质的平行板电容器,媒质参数分别为 1、1 和 2、2 ,外加电压U。求介质分界面上的自由电荷密度。 解 :极板是理想导体, o 为等位面,电流沿z 方向。 U 1 , 1 d1 由 J1n J 2n J1 J 2 Jz ˆ d2 2 ,2 z J1 J1 J2 J2 ˆ, E2 ˆ E1 z z 1 1 2 2 d1 d 2 d1 d 2 J U ( ) U U1 U 2 E1d1 E2 d 2 ( ) J
tan 1 1 tan 2 2
电流由良导体进入不良导体时,在不良导体里的电流线近似与良导 体表面垂直,即良导体表面可以近似地看作等位面.
电磁场
第4章 恒定电场和恒定磁场
例如:
同轴线的内外导体通常由电导率很高(107数量级)的铜或铝制成, 而
填充在两导体间的材料不可能是理想的绝缘电介质, 总有很小的漏
恒定磁场
推论2: 当恒定电流通过电导率不同的两导电媒质时,其电流密度和
电场强度要发生突变。故分界面上必有电荷分布ρs 。
如: 两种导电媒质的分界面上, 根据D1n-D2n=ρs, 则得
J1n J 2n 1E1n 2 E2n
s E1n E2 n 0
第4章 恒定电场和恒定磁场
三、恒定电场的边界条件
• 场矢量的边界条件
J dS 0
S
ˆ ( J1 J 2 ) 0 即 J1n J 2n n
ˆ ( E1 E2 ) 0 即 E1t E2t n
ˆ n
1
E1
C
E dl 0
场矢量的折射关系
媒质1 媒质2
电磁学课件:4_1电磁介质
取一任意闭合曲面S
以曲面的外法线方向n为正
极化强度矢量P经整个闭合面S的通量等于 因极化穿出该闭合面的极化电荷总量q’
根据电荷守恒定律,穿出S的极化电荷等 于S面内净余的等量异号极化电荷-q’
P d S q' q'
S
穿出S面
S内
普遍规律
均匀介质:介质性质不随空间变化
可以证明
进去=出来——闭合面内不出现净电荷 ‘=0
有作用?
物质固有的电 磁结构
场
物质
自由电荷:宏观移动 束缚电荷:极化
磁介质:磁化
电介质
物质具有电结构 当物质处于静电场中
场对物质的作用:对物质中的带电粒子作用 物质对场的响应:物质中的带电粒子对电场力的作用
的响应
导体、半导体和绝缘体有着不同的固有电结构
不同的物质会对电场作出不同的响应,产生不同的后 果,——在静电场中具有各自的特性。 • 导体中存在着大量的自由电子——静电平衡 • 绝缘体中的自由电子非常稀少——极化 • 半导体中的参与导电的粒子数目介于两者之间。
dS上的极化电荷 dS R2 sindd
dq' 'dS P cosdS PR2 cos sindd
dEo '
1
4 0
dq' R2
P
4 0
cos
s in dd
对称性分析:
退极化场由面元指向O(如图)
只有沿z轴电分量未被抵消,且与P相反
dE'z
dE'o
cos(
)
P
4
0
cos2
s in dd
介质中一点的 P(宏观量 )
P lim p分子 V 0 V
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(2)球心处的极化电荷及球面上极化电荷面密
度。
E内
Q
4 0r
2
Q
E外 40 r 2
U外
Q
4 0
r
U内
Q (1
40 r
1) R
Q内
(1
1)Q
表 面
( 1)Q 4R 2
例3 常用的圆柱形电容器,是由半径为 R1 的长直圆柱导体和 同轴的半径为 R2 的薄导体圆筒组成,并在直导体与导体圆筒
之间充以相对电容率为 r 的电介质.设直导体和圆筒单位长度 上的电荷分别为 和 .
例如,H2 N2 O2
② 有极分子(Polar molecule) +H
分子的正电荷中心与负电荷中心 不重合。在无外场作用下存在固
有电矩。例如,H2O Hcl CO SO2
负电荷
O
中心
l
+
+H
正电荷中心
pv分子
v ql
二、电介质的极化(Polarization)
二、电介质的极化(Polarization)
第四章 电磁介质
§1 电介质 §2 磁介质(一)——分子电流观点 §3 磁介质(二)——磁荷观点 §4 磁介质两种观点的等效性 §5 磁介质的磁化规律和机理 铁电体 §6 电磁介质界面上的边界条件 磁路定理 §7 电磁场能
§1 电介质
一、电介质对电容的影响
电介质:绝缘体 (电阻率超过108 W·m)
p分子
V
2. 极化电荷 q'( '、')
从原来处处电中性变成出现了宏观的极化电荷
3. 退极化场:极化电荷产生的场
E E0 E'
r
退极化场 E '
r • 附加场E:'
在电介质内部:附加场与外电场方向相反,削弱 在电介质外部:一些地方加强,一些地方减弱
r P
与
q
的关系
r ur V l d S
电容器的电容.
A
D1 D2
E1 10
E2
2 0
S1
1
2
E1
E2
D1
D2
d1 d2
B
1
1
1
1
2
1
1
2
C
S
d1 d2
1 0 2 0
平行板电容器被电源充电后,在不断开电源的情况下
(1) 将电容器的极板间距拉大。 Q可变,U不变!
d ,
C ,
Q CU ,
E U , d
W 1 QU 2
场强及极化电荷分布。
uur
v E
q0
4 0 r 2
err
E0
1
q0
4 R
2
r
R q0 S
例2 半径为R0 ,带电量为Q 的导体球置于各向同性的均匀电介
质中,如图所示,两电介质的相对电容率分别为1和2,外
层半径分别为R1和R2 。
求 (1) 电场的分布; (2) 紧贴导体球表面处的极化 电荷; (3) 两电介质交界面处的极化 电荷。
dl 1
角θ 。
圆柱中的分子数: n S dl cos
3
S
n θ
L
穿过dl 的分子电流和:
nI S
cos θdl
nI
S dl
r nm分子
r dl
r M
r dl
rr
故 Ñ M dl I
(L)
( L内)
uur M设与面电i的流关密度系i,跨表面取环路L
1) 上下两边紧贴且平行于表面, 且垂直于磁化电流
r
相对介电常量
D = (1+ c e )e0E = ee0E e = 1+c e (相对电容率)
E线
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
电场线起于正电荷、止于负电 荷,包括自由电荷和极化电荷
r D线
+Leabharlann ++
+
+
+
+
+
+
+
电位移线起于正的自由电 荷,止于负的自由电荷
P线
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
电极化强度矢量线起于负的极化电荷,止 于正的极化电荷。只在电介质内部出现
和储存能量的变化。
例7 一无限大各向同性均匀介质平板厚度为d
相对介电常数为r ,内部均匀分布体电荷密度 为0的自由电荷。
求:介质板内、外的D E P
解:
d x
2
E 0 x 0 r d
x 2
D 0 x
P
r
1
0 x r
D 0 d
2
d
0r
S0
x
0x
E 0d 2 0
P0
Homework
思考题:
rr
òÑS D?dS
åS
q0
通过电介质中任一闭合曲面的电位移通 量等于该面包围的自由电荷的代数和。
有电介质存在时的高斯定理的应用:
分析自由电荷分布的对称性,选择适当的 高斯面求出电位移矢量。
r
r
D = ee0E
r
r
P = c ee0E
rr s e = P×n
求出电场 求出电极化强度 求出束缚电荷
例题1 一半径为R的金属球,带有电荷q0,浸埋在均匀 “无限大”电介质(电容率为ε),求球外任一点P的
P284 4-1,4-2 P285 4-3,4-4
习 题:
P287 4-3 P288 4-5,4-8,4-11 P289 4-13,4-23
§2 磁介质
一、磁介质的磁化 分子固有磁矩 分子中电子轨道磁矩和 自旋磁矩的总和
分子固有磁矩等效为分子电流
分子电流
空间中磁场由传导和磁化电流共同产生
二、磁化的描绘
L n 外
2) 其余两边很短且垂直于表面
r
只在介质内
rr
M
0
,所以有
Ñ M dl Mtl
(L)
Mt i
I i l
或
r i
r M
nr
内 i
l
uur
uur M t M
三 有磁介质时的安培环路定理 磁场强度
在有磁介质存在的磁场中,安培环路定理仍成立, 但要同时考虑传导电流和磁化电流产生的磁场
总磁场
以位移极化为模型讨论
假设l,q, n
pr 分子
r ql
ur P
r np分子
r nql
r
因极化而穿过 dS的电荷总量
r ur ur ur nqV nql d S P d S
ur ur
Ñ P d S q ' q ' 电荷守恒定律
S
穿出S面
S内
在均匀介质表面取一面元dS,面元上的极化电荷为
实验
现象:插入电介质后,电容 器极板间的电势差 减小了
电容增大了
+Q
+++++++++++++++
----------------------
-Q
极板间距不变
介质中电场减弱
二、电介质的极化(Polarization)
有极分子与无极分子
① 无极分子(Nonpolar molecule)
分子的正电荷中心与负电荷中心重合 在无外场作用下整个分子无电矩
ur r
dq nql cos dS P ndS
ur r
e
P
n
ur ur P 与E 的关系——极化规律
e 是否和场强的大小有关
否——线性介质
是——非线性介质
e 是否随空间坐标变化
P e0 E
电 极 化 率
否——均匀介质 e C 是——非均匀介质 e x, y, z
e 是否随空间方位变化
r M,
I ,
r B
1. 磁化强度矢量:单位体积内分子磁矩的矢量和
ur
uur
M
m 分子
V
2. 磁化电流
是大量分子电流叠加形成的在宏观范围内流动的
电流,是大量分子电流统计平均的宏观效果
rr r 3. 附加磁感应强度 B B0 B '
uur
M与 I 的关系
2
简化模型: 设分子数密度 n
平均分子磁矩 磁化强度
(2) 将均匀介质充入两极板之间。
C ,
Q CU ,
E
U d
E0 ,
W 1 QU 2
(3) 将一导体平板平行地插入两极板之间。
d , C ,
Q CU ,
E U , d
W 1 QU 2
试定性地讨论两板上的电荷、电容、极板之间电压、场
强和储存能量的变化。
平行板电容器被电源充电后,在断开电源的情况下
H nI
B 0H 0nI M ( 1)H ( 1)nI
代入数据 M 7.94105 A/m
i M 表
i 7.94105 A/m
O R1 r R2
i 7.94105 A/m
讨论:设想把这些磁化面电流也分成每米103 匝,相当于分到每匝有多少?
否——各向同性介质 e为标量 是——各向异性介质 e为张量
四 有电介质时的高斯定理 电位移