相控阵雷达——毫米波TR组件研究

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TR组件

TR组件

有源相控阵的天线设计的核心:T/R组件有源相控阵天线设计的核心是T/R组件。

T/R组件设计考虑的主要因素有:不同形式集成电路的个数,功率输出的高低,接收的噪声系数大小,幅度和相位控制的精度。

同时,辐射单元阵列形式的设计也至关重要。

1 芯片设计普遍的做法是将电路按功能进行了分类,然后放置于不同的芯片上,再通过混合的微电路进行连接,如图所示。

一个T/R模块的基本芯片设置包括了3个MMICs组件和1个数字大规模集成电路(VLSI),如图所示。

•高功率放大器(MMIC)•低噪声放大器加保护电路(MMIC)•可调增益的放大器和可调移相器(MMIC)•数字控制电路(VLSI)大多数X波段及以上频段T/R组件都采用基于GaAs工艺的MMICs技术。

该技术有个缺点就是热传导系数极低,因此基于GaAs的电路需要进行散热设计。

未来T/R组件的发展方向是基于GaN和SiGe的设计工艺。

基于GaN的功率放大器可实现更高的峰值功率输出,从而提升雷达的灵敏度或探测距离,输出功率是基于GaAS工艺电路的5倍以上。

SiGe工艺虽然传输的功率不如GaAs,然而该材料成本较低,适用于未来低成本、低功率密度雷达系统的设计。

2 功率输出通常情况下,在给定阵列的口径后,雷达系统所需要的平均功率输出也基本确定了。

天线可实现的最大平均功率与每个TR组件的输出功率、T/R组件的个数、T/R组件的效率和散热等条件相关。

在高功率放大器设计时,需要的峰值功率是重要的指标,定义为平均功率除以最小的占空比。

雷达系统的峰值功率是由整个天线阵列实现的,也就是说当峰值功率确定后,所需要的最少T/R组件个数也随之确定。

雷达系统TR组件设计需要综合考虑天线口径、T/R模块的输出功率以及T/R组件布局等因素,如为了实现同样的雷达探测性能且T/R组件个数相同,对于4m2口径天线,假定每个T/R组件的输出功率为P,那么对于2m2口径天线,每个T/R组件的输出功率为2P,如图所示。

有源相控阵的天线设计的核心:TR组件

有源相控阵的天线设计的核心:TR组件

有源相控阵的天线设计的核心:TR组件电子万花筒平台核心服务电子元器件:价格比您现有供应商最少降低10%射频微波天线新产品新技术发布平台:让更多优秀的国产射频微波产品得到最好的宣传!发布产品欢迎联系管理,专刊发布!强力曝光!有源相控阵天线设计的核心是T/R组件。

T/R组件设计考虑的主要因素有:不同形式集成电路的个数,功率输出的高低,接收的噪声系数大小,幅度和相位控制的精度。

同时,辐射单元阵列形式的设计也至关重要。

文章转自:XingXing 雷达通信电子战1 芯片设计理想情况下,所有模块的电路需要集成到一个芯片上,在过去的几十年,大家也都在为这个目标而努力。

然而,由于系统对不同功能单元需求的差别,现有的工程技术在系统性能与实现难度上进行了折衷的考虑,因此普遍的做法是将电路按功能进行了分类,然后放置于不同的芯片上,再通过混合的微电路进行连接,如图所示。

一个T/R模块的基本芯片设置包括了3个MMICs组件和1个数字大规模集成电路(VLSI),如图所示。

•高功率放大器(MMIC)•低噪声放大器加保护电路(MMIC)•可调增益的放大器和可调移相器(MMIC)•数字控制电路(VLSI)根据不同的应用需求,T/R模块可能还需要其他一些电路,如预功放电路需要将输入信号进行放大以满足高峰值功率需求。

大多数X波段及以上频段T/R组件都采用基于GaAs工艺的MMICs技术。

该技术有个缺点就是热传导系数极低,因此基于GaAs 的电路需要进行散热设计。

未来T/R组件的发展方向是基于GaN和SiGe的设计工艺。

基于GaN的功率放大器可实现更高的峰值功率输出,从而提升雷达的灵敏度或探测距离,输出功率是基于GaAS工艺电路的5倍以上。

SiGe工艺虽然传输的功率不如GaAs,然而该材料成本较低,适用于未来低成本、低功率密度雷达系统的设计。

2 功率输出通常情况下,在给定阵列的口径后,雷达系统所需要的平均功率输出也基本确定了。

天线可实现的最大平均功率与每个TR组件的输出功率、T/R组件的个数、T/R组件的效率和散热等条件相关。

毫米波TR组件的研究与设计

毫米波TR组件的研究与设计

抑制使用的Alpha的AM038RI.00,工作频带33GHz.43GHz,型变频损耗9dB,镜像抑制18dB,引出的两路中
频信号其中一路多走入。/4,最后用T型结连接。
Ftotal=F。+掣+铡+..·矗去
公式,
中频滤波器采用交指型,如图3,通带2.2.7GHz,在1.3.5GHz以外衰减>40dB,尺寸小于20mm X 16.4mm,仍作在6010基片上,而毫米波部分作在Duriod 5880上,两种基片上的微带通过金丝跳接。中频 放大器采用Mini的ERA.5,增益20dB,NF为4.3dB。
为了减小功耗提高收发隔离度,对各单片即工作即供电,发射时接收支路低噪放、中频放大器断电, 并只保持差或和支路的功放有电,接收时相反,供断电由开关驱动器BHDl4推动的4个N沟道MOSFET 管控制。并制作单片电源保护电路,避免了因加电顺序不当而烧毁,功放漏压供电受TTL电平及栅压加 电条件控制,如图9所示。
关键词:毫米波通信;T/R组件;鳍线滤波器;参数抽取
The Design of Millimeter T/R Module
Yang Feil,Yah B02,Xu RuiIIlin3 College of Electronic Engineering,UETSC,Chengdu,China 610054
Ka band.And a new type of parameter extraction from different width of printed inductive strips is pro‘
posed.A E—plane 7.resonator unilateral fin—li filter is fabricated and tested,excellent outskirt’S attenua-

TR组件

TR组件

开关电路
一般称为天线收发模块应用在收发器,其功能是在发送状态将天 线和发射器进行连接,而在接受状态时,将天线与接收器进行连 接。
PIN 二极管作为一个基本单元在这些开关中的使用时,他们就 会比电子 - 机械开关提供更高的可靠性,更好的机械强度和更 快的开关速度。
PIN二极管开关电路技术指标
插入损耗和隔离度:PIN管实际存在一定数值的电抗和损耗电阻, 因此开关在导通时衰减不为零,成为正向插入损耗,开关在断开时 其衰减也非无穷大,成为隔离度。二者时衡量开关的主要指标,一 般希望插入损耗小,而隔离度大。
隔离器基本原理
隔离器是一种采用线性光耦隔离原理 , 将输入信号进行转换 输出。输入 , 输出和工作电源三者相互隔离 , 特别适合与需要 电隔离的设备仪表配用。 隔离器又名信号隔离器 , 是工业控制系统中重要组成部分。
隔离器主要技术参数
1. 隔离强度:也叫隔离能力、耐压强度或测试耐压,这是 衡量信号隔离器的主要参数之一。单位:伏特 @1 分钟。它 指的是输入与输出,输入与电源,输出与电源之间的耐压 能力。它的数值越大说明耐压能力越好,隔离能力越强, 滤波性能越高。一般的,这种耐压测试是通过一次性样品 的耐压检验来确定的。
• 理论分析以单节限幅电 路为基础 ,单节二极管并
联时的等效电路图如图
1所示。其中: Cj、Rf为 PIN限幅二极管的高阻、 低阻状态时的等效元件; Z0、L分别是传输线的特 性阻抗和二极管两端的 等效电感 ,Z0 =50Ω。
微波限幅器主要参数定义
1.限幅电平:限幅器开始限幅时的功率值。 2.插入损耗:输入电平低于门限电平时输入信号 损耗,一般在-10dBm下测试。 3.承受功率:能承受的最大输入功率(脉冲功率, 脉冲平均功率,连续波功率)。 4.恢复时间:以输入脉冲终止开始,到限幅器损 耗比插入损耗大3dB为止的时间。

相控阵雷达TR组件自动测试系统的研究与实现

相控阵雷达TR组件自动测试系统的研究与实现

相控阵雷达TR组件自动测试系统的研究与实现作者:程浩然伍进进来源:《电子技术与软件工程》2016年第10期摘要随着雷达系统的广泛应用,对其系统综合性能也提出更高的要求。

以往雷达发射天线控制中,多以伺服系统为主,用于完成波束传播方向改变、雷达信号多方位发射与接收等工作。

而在当前相控阵雷达运用下,其无需将伺服系统引入,便可实现伺服系统的功能。

本文将对微波测量相关概述、TR组件测试系统硬件与软件设计以及误差问题控制进行探析。

【关键词】TR组件相控阵雷达自动测试系统误差控制作为计算机技术、信号处理技术以及雷达信号理论发展的重要产物,相控阵雷达可在移相器作用下,对发射与接收天线波束进行控制,对于该控制过程中涉及的电路功能组合,便可叫做TR组件。

由于TR组件本身可被纳入微波电路范畴,涉及较多功能部件,且制造工艺较为复杂,若忽视组件质量控制,将使整个系统性能受到影响。

因此,本文对TR组件测试相关研究,具有十分重要的意义。

1 微波测量相关概述针对TR组件测试中功能部件多、部件的制造工艺复杂等难题,要求做好TR组件自动测试系统构建工作。

该系统在构成上集中表现为控制软件、主控计算机、被测件控制器、可程控开关矩阵与测量仪器等。

系统测试过程中,对于TR组件,可将其看作为微波二端口网络,这样在实际测量中,主要需对发射驻波、接收相位精度、接收增益等进行判断,便可完成组件测试过程。

从微波网络测量的基本原理看,集中在元器件特性、低频网络与微波网络等表征方法上。

同时需注意该测量的实现应将微波网络分析仪引入其中,其可对散射参数进行准确测量。

该设备应用下,主要对被测网络下的传输、反射等信号进行分离,通过采样变频,并对比入射信号,以此使相位、幅度等信息从ADC电路中分离出来,在此基础上通过微处理器的利用,完成最终的处理与运算过程。

尽管该设备应用下取得的效果较为明显,但对于脉冲大功率信号很难测量,此时要求将脉冲矢量网络分析设备引入,其可保证测试更为快速、准确。

毫米波TR组件

毫米波TR组件

7级发夹线滤波器(BJ320波导接口) 测试(红色)与仿真(HFSS蓝色、CST绿色)
毫米波腔体滤波器 在毫米波频段较为常用的两种类型:
并联电感型
① 契比雪夫函数型
E面金属膜片或鳍线型
K、J变换
一腔多膜式 —— 不同模式不同路径
② 准椭圆函数型交叉耦合式 —— 同一模式不同路径
并联电感型

X 0
P1DB=21dBm
DEVICE=T GA1141-EPU MS21=17 P1DB=31dBm PSAT =33dBm
to receiver
to link
HMC329——Hittite公司的双平衡混频器, 25-40GHz HMC263——Hittite公司的低噪声放大器, 24-36GHz AMMC-5040——Agilent公司的放大器, 20-45GHz TGA1141-EPU——TriQuint公司的功率放大器, 33-36 GHz TGS4302-EPU——TriQuint公司的单刀双掷开关, 27-46GHz
缺点: 分离的结构太多; 加工精度上难以保证; 抗振性能差; 膜片调节起来也不方便;
一种毫米波小型化收发前端, 其具有输出功率大 (>287mW), 开关响应速度快(<3ns), 噪声小(<7.7dB), 输 出调相信号载波抑制度高(>32dB), 体积小重量轻等特点, 在雷达、通讯等领域有广阔的应用前景。
LTCC——电子科大的夏磊、潘光胜等人研制的LTCC双 通道低噪声接收前端取得了较满意的结果, 两通道的增益 大于25dB, 噪声系数<7dB。
PNUM=2
NF=4.3
RZ=50Ohm
P1DB=18.4dBm
IZ=0Ohm

相控阵雷达TR 组件

相控阵雷达TR 组件

相控阵雷达TR 组件Thank you * 隔离器基本原理隔离器是一种采用线性光耦隔离原理,将输入信号进行转换输出。

输入,输出和工作电源三者相互隔离,特别适合与需要电隔离的设备仪表配用。

隔离器又名信号隔离器,是工业控制系统中重要组成部分。

隔离器主要技术参数 1.隔离强度:也叫隔离能力、耐压强度或测试耐压,这是衡量信号隔离器的主要参数之一。

单位:伏特@1分钟。

它指的是输入与输出,输入与电源,输出与电源之间的耐压能力。

它的数值越大说明耐压能力越好,隔离能力越强,滤波性能越高。

一般的,这种耐压测试是通过一次性样品的耐压检验来确定的。

2.精度:这是衡量一个信号隔离变送器质量的标尺。

业内一般能做到量程±0.2[%]。

个别品牌如M-SYSTEM 、ACI 等能做到±0.1[%]。

3温度系数:表示隔离器等仪表在环境温度发生变化时,精度的变化情况。

大多情况下用百分数表示(也有用单位250ppm/K表示的),如:M-SYSTEM温度系数±0.015[%]/℃(相当于150ppm/K)。

4.响应时间:表征信号隔离器的反应速度。

5.绝缘电阻:内部电源与外壳之间隔离直流作用的数值化表征。

6.负载电阻:反映了信号隔离器的带载能力。

开关电路一般称为天线收发模块应用在收发器,其功能是在发送状态将天线和发射器进行连接,而在接受状态时,将天线与接收器进行连接。

PIN二极管作为一个基本单元在这些开关中的使用时,他们就会比电子-机械开关提供更高的可靠性,更好的机械强度和更快的开关速度。

PIN二极管开关电路技术指标插入损耗和隔离度:PIN管实际存在一定数值的电抗和损耗电阻,因此开关在导通时衰减不为零,成为正向插入损耗,开关在断开时其衰减也非无穷大,成为隔离度。

二者时衡量开关的主要指标,一般希望插入损耗小,而隔离度大。

开关时间:由于电荷的存储效应,PIN管从截止转变为导通状态,以及从导通状态转变为截止状态都需要一个过程,这个过程所需要的时间成为开关时间。

基于雷达系统中TR组件的研究与分析

基于雷达系统中TR组件的研究与分析

基于雷达系统中TR组件的研究与分析雷达系统是一种利用无线电波进行探测和测量的技术,广泛应用于军事、航空、航海、气象和资源勘探等领域。

TR组件(Transmit/Receive)是雷达系统中至关重要的部分,负责发射和接收无线电波信号。

本文将对TR组件进行研究与分析,并讨论其在雷达系统中的功能和性能。

首先,TR组件在雷达系统中的功能是实现发射和接收无线电波信号。

发射功能包括产生高频连续波(CW)信号和脉冲信号,并将其转换为无线电波信号进行传播;接收功能则是接收到来的无线电波信号,并将其转换为电信号进行后续的信号处理和分析。

TR组件在雷达系统中的性能对整个系统的性能和性价比都有着重要的影响。

首先是发射功率和频率范围。

发射功率决定了雷达系统的探测范围和分辨率,而频率范围决定了雷达系统对目标的检测和跟踪能力。

因此,TR组件需要具备较高的功率放大和频率调谐能力。

其次是接收灵敏度和动态范围。

接收灵敏度决定了雷达系统对弱信号的检测能力,而动态范围则决定了雷达系统对强信号的处理能力。

TR组件需要具备低噪声放大和宽动态范围的特性,以提高雷达系统的信号处理性能。

此外,TR组件的可靠性和稳定性也是考虑的重要因素。

雷达系统通常在恶劣环境条件下工作,如高温、低温、湿度变化和机械震动等。

TR组件需要具备良好的耐受性和抗干扰能力,以保证系统在各种环境下的正常运行。

最后,TR组件的尺寸和成本也是需要考虑的因素。

随着雷达系统在民用领域的应用扩大,对TR组件的尺寸和成本有着越来越高的要求。

TR 组件需要实现小型化和集成化,以提高雷达系统的便携性和成本效益。

综上所述,TR组件是雷达系统中至关重要的部分,负责发射和接收无线电波信号。

其功能和性能对整个雷达系统的性能和性价比有着重要的影响。

因此,研究和分析TR组件的特性和参数,以满足雷达系统在不同应用场景下的需求,是非常重要的。

未来,随着技术的发展和创新,TR 组件将会继续不断进化,以适应更加复杂和多样化的雷达应用需求。

T/R组件幅相快速测试研究

T/R组件幅相快速测试研究

T/R组件幅相快速测试研究摘要T/R组件的批生产能力已经成为大型有源相控阵雷达系统研制的重要保障,更加快速地测试组件性能是T/R组件生产部门的重要课题,本文介绍了使用PXI高速I/0卡提高T/R组件自动测试系统性能,提升TR组件幅相测试速度的方法。

关键词T/R组件;自动测试系统;PXI前言大型有源相控阵雷达对T/R组件的需求数以万计,一般T/R组件的电性能测试项目达到几十项之多,再结合组装过程、环境试验的反复测试、大带宽下的多频点测试要求,测试工作量巨大。

在T/R组件生产过程中采用全自动测试系统对其进行电性能测试是行业内的普遍选择。

T/R组件自动测试系统一般由以下测试仪器组成:矢量网络分析仪、信号源、频谱仪、噪声仪、功率计、示波器、直流电源,还包括进行测试通路切换的开关系统、控制被测件工作状态的控制器以及系统控制计算机。

T/R组件的幅相测试因其测试状态多,数据量大,耗时多,在组件测试中具有重要地位。

幅相测试涉及矢量网络分析仪,组件控制器,开关系统的结合使用。

提高幅相测试速度,对提升T/R组件批生产能力具有重要意义。

1 T/R组件幅相测试T/R组件幅相的测试流程,一般先切换开关系统形成测试通道,组件上电,发送控制信号使组件工作在指定状态,等待状态稳定,从矢量网络分析仪读取幅度、相位、驻波数据,再进入下一状态。

所有状态测试完成后,关电。

再切换到下一测试通道,重复测试状态循环。

发送控制信号的过程实质是计算机将指令传输到组件控制器,组件控制器再输出信号到组件。

这一过程的时间取决于计算机与组件控制器的数据传输速度已经组件控制器的信号生产速度。

组件控制器通常使用串口连接计算机,速度较慢。

组件控制器为定制非标设备,效率难以保证。

数据读取的速度取决于矢量网络分析仪的性能,以及与计算机的连接方式和数据量。

数据量取决于测试要求,宽频带T/R组件的频点数多,数据量相应较大。

幅相测试的耗时也取决于对T/R组件的测试状态要求。

基于雷达系统中TR组件的研究与分析

基于雷达系统中TR组件的研究与分析

机械工程学院2019年10月一T/R组件技术发展 (2)1微波集成电路T/R组件 (2)2单片微波集成电路T/R组件 (3)3多功能芯片T/R组件 (4)4单芯片T/R组件 (5)二T/R组件介绍 (5)1T/R组件的结构 (5)1.1移相器 (6)1.1.1移相器指标 (6)1.1.2移相器分类 (6)1.2T/R收发开关 (7)1.3限幅器 (7)1.3.1限幅二极管电路 (8)1.3.2限幅二极管 (9)1.3.3限幅二极管特点 (9)1.4功率放大器 (10)1.4.1工作原理 (10)1.4.2性能指标 (11)1.4.3主要应用 (12)1.5射频 (12)1.6环形器 (12)1.6.1环形器的基本原理 (13)1.6.2环形器的技术指标 (14)1.7低噪声放大器LNA (14)1.7.1低噪声放大器主要指标 (14)1.7.2一般系统对低噪声放大器的主要技术要求 (15)1.7.3低噪声放大器的主要特点 (16)1.8衰减器 (16)1.8.1衰减器技术指标 (16)1.8.2衰减器用途 (16)2T/R组件的工作原理 (17)2.1发射通道 (17)2.2接收通道 (18)3T/R组件指标 (18)4数字T/R组件 (18)4.1主要功能 (18)4.2主要技术指标 (18)4.3工作原理 (19)4.4T/R组件DBF发射通道 (20)4.4.1DBF发射技术 (20)4.4.2DDS的工作原理 (20)4.5DBF接收技术 (21)三T/R组件设计 (21)1芯片设计 (21)2功率输出 (22)3发射机噪声限值 (22)4接收机噪声系数 (22)5幅度和相位控制 (22)6阵列物理结构设计 (22)四T/R组件常见故障问题 (23)1移相器故障(T/R组件故障的主要来源) (23)2功率放大器故障 (26)2.1无功率输出 (26)2.2输出功率低 (26)2.3组件自激 (27)3环形器故障 (27)4限幅器故障 (27)4.1二极管限幅电路及故障处理 (27)4.2电路分析思路说明 (28)4.3二极管限幅电路 (29)4.4电路分析细节说明 (29)5低噪声放大器故障 (30)6衰减器故障 (30)7T/R开关故障 (30)五数字T/R组件测试方法研究 (31)1数字T/R组件测试系统组成和工作原理 (31)2数字T/R组件核心参数测试方法 (33)2.1发射通道间幅相一致性 (33)2.2I/Q通道间平衡 (33)2.3接收支路幅相一致性 (35)2.4接收通道增益及互调 (35)2.5噪声系数 (36)3值得注意的几个问题 (37)3.1谱平均 (37)3.2频谱泄露与频率分辨率 (38)3.3量化噪声 (38)六相控阵雷达T/R组件自动测试维修系统的设计 (39)1T/R组件自动测试的必要性 (39)2自动测试维修系统总体设计方案 (39)2.1测试系统硬件设计方案 (40)2.1.1信号矩阵转接单元设计技术 (41)2.1.2可编程雷达状态控制器设计技术 (41)2.2测试系统软件设计方案 (41)2.2.1测试系统通用软件平台设计 (42)2.2.2辅助故障诊断技术 (43)3T/R组件自动测试系统的校准 (43)3.1系统精度保证措施 (44)3.2系统校准主要措施 (44)3.2.1噪声系数测试补偿校准 (44)3.2.2幅相一致性测试延伸校准 (44)3.2.3功率测试修正校准 (44)1雷达是通过天线向给定的外部区域辐射并接收电磁波,以获得目标的物理位置和其它与跟踪目标有关的信息的电子设备。

Ka波段相控阵雷达TR组件幅相控制芯片的大功率微波非线性效应研究

Ka波段相控阵雷达TR组件幅相控制芯片的大功率微波非线性效应研究

第38卷第5期红外与毫米波学报Vol. 38, No. 52019 年 10 月J. Infrared Millim. WavesOctober ,2019文章编号:1001 -9014(2019)05 - 0572 - 06 DOI : 10.11972/j. issn. 1001 -9014.2019.05.005Investigation of large power microwave nonlinear effects on amplitude-phasecontroller chip for Ka-band phased array radar T/R modulesGUO Guo 1** , XU Xiong 2 , WEI Yan-Yu 1, GUO Chang-Yong 3Received date : 2018-08- 11, revised date : 2018-11-19收稿日期:2018-08- 11,修回日期:201 乩 11-19Foundation items : Supported by the Fundamental Research Funds for the Central Universities ( ZYGX2018J 032 ) , the National Natural Science Foundation ofChina (61571078, 61801088, 11505043) and the National Key R&D Program of China (2017YFE0300200, 2017YFE0300201)Biography :GUO Guo (1985-) , male, Hehan, Docter , assistant researcher. Research area involves millimeter system and vacuum electron devices. E-mail : guoguouestc@ 126. com* Corresponding author : E-mail : guoguouestc@ 126. com(1. School of Electronic Science and Engineering , University of Electronic Science and Technology of China , Chengdu 610054, China ;2. State Key Laboratory of Complex Electromagnetic Environment Effects on Electronics and Information System ( CEMEE ),Luoyang 471003 , China ;3. Department of mechanical and electrical engineering , Nanyang Technician College , Nanyang 473000, China)Abstract : Large power microwave nonlinear effects on amplitude-phase controller chip were experimentally testedand theoretical analyzed. This chip had the typical application on Ka-band phased array radar (PAR) transmit/re-ceive (17R) modules. The test platform was built up by a solid source and a pulsed magnetron to generate large power Ka-band microwave. The degradation and destroy phenomenon were observed distinctly as the input poweramplitudes were improved. The total-state phase characteristics and the degradation thresholds of the selected chip are obtained through a series of experimental tests. At last, the results are given by figures and the damage mecha ­nism is theoretically analyzed.Key words : radio physics , nonlinear effects , experimental test, amplitude-phase controller chip, T/R modules ,large power microwavePACS : 07.57.-c, 85.30. -z, 84.40.Xb, 41.20. -qKa 波段相控阵雷达TR 组件幅相控制芯片的大功率微波非线性效应研究郭鑛:许t 2,魏彥玉1,郭长永3(1•电子科学与工程学院,电子科技大学,四川成都610054;2.电子信息系统复杂电磁环境效应国家重点实验室,河南洛阳471003;3•南阳技师学院,河南南阳473000)摘要:采用实验测试和理论分析的方法研究了幅相控制芯片的大功率微波非线性效应•该芯片应用于Ka 波段相控阵雷达收发组件中.测试平台利用固态源和脉冲磁控管来产生Ka 波段大功率微波.随着输入功率幅 值的提高,在实验中很明显地观测到了芯片的降级和毁伤现象•通过一系列的实验测试得到了芯片的全态相 移特性和降级阈值,并通过图片给出了实验结果.最后,通过理论分析给出了该芯片的毁伤机理.关 键 词:无线电物理学;非线性效应;实验测试;幅相控制芯片;T/R 组件;大功率微波中图分类号:TN62 文献标识码:AIntroductionIn recent years , the operational capabilities of phased array radar, especially the modem active digital- controlled phased array radar ( PAR ) , offers previously unknown advantages to users -1-3 ]. In modem radar sys ­tem ,transmit/receive ( T/R ) modules occupy about 70% percent weights of the PAR antenna 4-5]. T/R mod ­ules are comprised of semiconductor devices and chips , which are always the typical “front door ” attacking target of the high power microwave ( HPM )"刃. For most ca ­ses ,the large power microwave signals are coupled through a receiving antenna to cause the degradation andGUO Guo et al:Investigation of large power microwave nonlinear effects on amplitude-phasecontroller chip for Ka-band phased array radar T/R modules5期573damage of the chips and the systems.As a critical part in T/R modules,once the amplitude-phase controller chip is attacked,the phase scanning function in any direction of the PAR in the digital domain could be lost.So the re­liability and the input power capacity of the T/R modules always determine the performance of the whole radar sys­tem.As the most important components in the amplitude-phase controller chip,phase shifters have lots of types according to different operational principles'8'9^.Of all types,ferrite phase shifters and semiconductor phase shifters are potential candidates applied in T/R modules. Ferrite phase shifters are slow to respond to control sig­nals and difficult to be used in rapid beam scanning.Al­though with the disadvantages of relative higher losses at microwave and millimeter-wave frequencies,semicon­ductor device phase shifters have much faster response speeds.As a result,semiconductor phase shifter inte­grated in the amplitude-phase controller chip is widely used in modem PAR systems⑻.However,the major drawback with semiconductor phase shifters is that they have linked power-handling capability.So it is necessary to investigate the linear and nonlinear power effects of the amplitude-phase controller chips under the HPM irradiation.Unfortunately,rare re­searches on this field have been reported until now.In this paper,we focus on this problem and select a chip of amplitude-phase controller as the experimental target of the large microwave power.At first,the test fix­tures are designed and assembled with the chip according to the chip structure in the datasheet.After that,the low power linear characteristics of the chip are tested by a fixed-output continuous wave(CW)source.Moreover, the large power nonlinear characteristics are investigated by the high power pulsed magnetron.The degradation thresholds and mechanism are analyzed theoretically fi­nally.1Test platform and systemAmplitude-phase controller components and their positions in the T/R module are shown in Fig. 1.In modern T/R module,the RF switch,the phase shifter, and the attenuator are always designed together as a chip of amplitude-phase controller.The amplitude-phase con­troller chip is always located behind the amplifier alongFig.1Amplitude and phase controller components of the T/ R module图1T/R组件中的幅度和相位控制器件the receiving branch in the whole system.Based on the structure analysis of the T/R module, we select one type of the amplitude-phase controller chip as the experimental target because it is the significant control core in the whole system.According to the criti­cal parameters in the datasheet of the selected chip shown in Table1,test fixtures are designed and fabrica­ted for the matching and connections from the chips to the outside circuit by using the gold wire-bounding. Fig.2gives the sketch of the fixture,together with the assembled amplitude-phase controller chip.Table1Critical parameters of the selected amplitude-phase controller chip in its datasheet表1幅相控制芯片数据表中的关键参数Operation frequency/G Hz34-36Operation voltage/V-5/5Insertion loss of the full-state/dB10phase shifter b让6phase shifter stepping/degrees 5.625phase shifter precision/degrees2phase shifter range/degrees0-360Fig.2Sketches of the chip dimensions and thetest fixture for the amplitude-phase controller chip图2幅相控制芯片的尺寸和测试夹具示意图Test platform is comprised of more than ten components, which is shown in Fig.3.The whole system is built on the basis of the signal coupling path from the microwave source to the targets.A large power signal is generated from the source through the20d B adapted attenuator, and transmitted by a rectangular horn antenna.Then the signal is received by another rectangular horn antenna and sampled by a lOdB directional coupler.After a90°curved waveguide,the signal is attenuated by a fixed at­tenuator.Two pairs of converters including waveguide-coaxial converters and coaxial-SMP converters are used to achieve matching between the test fixture and the outside circuit.At last,the output signal is detected by the de­tector and analyzed by the equipment.In the test platform above,a Ka-band solid-state CW source with fixed output power and a Ka-band high power pulsed magnetron are employed as microwave sources.The output power of the Ka-band solid-state CW source is fixed on about1W and the frequency can be ad­justed from34GHz to36GHz.The power level of the pulsed magnetron is above a kilowatt and we canadjust574红外与毫米波学报38卷Fig.3Test platform and each component图3测试平台和各部件the power amplitude by different attenuators.The whole system also includes other assistant equipment,such as power supply,radiator and so on.2Experimental test processesAt the beginning of the experiments,the initial phase shifting characteristics of the chip are tested by the vector network analyzer(VNA).At34.9GHz,the ini­tial phase state is tested and shown in the Fig.4(a). For comparison,half phase shift state(180degrees)of this chip from the VNA is shown in Fig.4(b).We can see that the initial phase state is-41.4degrees and the half phase shift state is146.4degrees after180-degree ph a se shifting,which indicates that the phase shift func­tion of the amplitude-phase controller chip is normal and the phase shift precision is acceptable according to the data shown in Table.I.The S21parameters in the fre­quency band of34GHz to36GHz are around-10dB, which illustrates the total insertion losses of the chip are parisons of the phase and the S21parameters between the two states above are draw in Fig.4(c)and Fig.4(d),respectively.Our tests are divided into two steps as below,inclu­ding the CW lower power test and the pulsed larger power test:In the first experimental stage,the solid-state CW source is used to test the lower power level(below25 dBm)characteristics of the chip.For the maximum out­put power of the solid-state CW source is30dBm,the maximum power injected to the chip is about25dBm be­sides all insertion losses of the test platform.To investi­gate the gain property more accurately,the input power is measure every time.The input power can be obtained directly as the power meter indication at the end of the system.In the large power(above25dBm)test,a magne­tron is employed to generate several kilowatts pulsed sig­nal.For the pulsed power level is far beyond the capacity of the power meter,a detector and an oscilloscope are needed to calibrate the microwave power.Before that,a power calibration for the detector is necessary to build up the relationship between the voltage levels revealed in the oscilloscope and the accurate power amplitude of the pulsed signal,which is shown in Fig.5.After each test, the fixture is taken down from the test platform and off­line test for the phase shifting performance is carried outFrequency/GHzFig.4Initial phase state(a)and the half phase shift state (180degrees),(b)shown in the VNA and the comparisons of the phase,(c)and the S21parameters,(d)between the two states before test图4实验前矢网显示初始状态(a),半全态移相状态(180度)(b),两种状态相位的对比(c)和两种状态参数的对比(d)Frequency/GHz(d)by using a VNA.The off-line test method could protect the expensive VNA from the large power signal irradia­tion.By repeating the process above for several times as the improvement of the input power and comparing the phase shift capacity before and after receiving the large power signal,the linear and nonlinear characteristics of the chip can be obtained.Fig.5Power calibration for the detector before test图5实验前对检波器的功率标定3Test resultsAs the most significant parameters of the amplitude-phase controller chip,the phase shifting capacity and the insertion loss can directly reflect the performance and the damage level.Both two parameters can be investigated by the VNA.Results from the two-step test are as fol­lows:①CW input power is improved starting from-15 dBm per ldBm and the off-line test results are observed for every irradiation.When the CW signal from thesolid-GUO Guo et al : Investigation of large power microwave nonlinear effects on amplitude-phasecontroller chip for Ka-band phased array radar T/R modules5期575state source reaches the upper limitation 30 dBm, the phase shifting capacity and the insertion loss shown in the VNA are still normal.② Large power pulsed signals generated from the magnetron are employed in the following test. The phase shift capability of the chip keeps normal until the input voltage level reaches 1. 25 V in the oscilloscope , which is shown in Fig. 6(a). The typical data can be extracted and drawn as Fig. 6 ( b). The pulse width of the signal is 168. 4 ns. According to the power calibration between the voltage level and the accurate power amplitude shown in Fig. 5, this input power amplitude is 31 dBm. Fig. 7 gives the off-line test results from the VNA after one pulse irradiation.after 180-degree phase shifting. Totally , the difference between these two state is only 42. 4 degrees.③ Thirdly , the insertion loss of the half phase shift state increases sharply from 9. 48 dB to 22. 94 dB.Based on the performance comparison results be ­tween the first test and the last test, we can make the conclusion that the chip has been degraded after irradia ­ted by the large power signal with the threshold of 31 dBm. At last, the comparisons for typical parameters of the chip before and after the experiments are summa ­rized in Table 2, in which the destroy points under the mi ­croscope after the experiments are shown in Fig. 10 (b).Fig. 6 Microwave signals displayed in the oscilloscope (a) and extracted pulsed wave profile (b)图6示波器上的微波信号显示(a)和提取的脉冲波形(b)(b)the experimentsTable 2 Parameters of the chip comparison before and afterthe experiments表2实验前后芯片参数的对比Ground-state phase/degrees -41.4160.5Phase shifting capacity/degrees187.842.4Insertion loss of the half phase shift state/dB9.4822.94Destroy points under the microscopeNoneHave Status NoimalUnrecoverabledamage4 Damage mechanism analysisOn the device level , the phase shifter can be simpli ­fied as a two-port network that provides the phase differ ­ence between output and input signals , which is shown in the Fig. 8. The two single pole double throw switch ( SP- DT) is used to control the signal path with the reference phase $1. When the input signal switches from the net ­work 1 to the network 2, the phase difference (①2 - ①1) shift can be achieved.34.6 34.7 34.8 34.9 35.0 35.135.2Frequency/GHz Frequency/GHz(d)Fig. 7 Initial phase state (a) and the half phase shift state (180 degree) (b) shown in the VNA after 31 dBm pulsed sig ­nal irradiation and the comparisons of the phase (c) and the S 21 parameters (d) between the two states after test图7 31 dBm 脉冲信号辐照后示波器上显示的初始相位(a),半全态相位(180度)(b),两种状态相位的对比(c)和 两种状态S21参数的对比(d)Input OntputOFig. 8 Basic structure of phase shifter图8移相器的基本结构Compared to the initial phase shifting characteristics shown in Fig. 4, three abnormal phenomena suddenly ap ­pear from the off-line test results :① The initial phase state changes from - 41.4 de ­grees to 160. 5 degrees.② Secondly , the initial phase state is 160. 5 de ­grees and the half phase shift state is - 157. 1 degreesThe six-bit digital phase shifters are cascaded by 5. 625°, 11. 25°, 22.5。

相控阵tr组件芯片

相控阵tr组件芯片

相控阵tr组件芯片
相控阵(Phased Array)是一种使用多个天线元件组成的阵列,能够通过调整各个元件的相位来控制波束的方向。

相控阵技术在雷达、通信、声纳等领域有广泛的应用。

TR(Transmit/Receive)组件是相控阵的一个重要部分,负责发射和接收信号。

相控阵TR组件芯片通常包含以下关键元素:
1.相控阵阵列: TR组件包含多个天线元件,它们排列成一个阵列。

这些天线元件可以是射频(RF)天线、微波天线等,具体取决于应用领域和工作频段。

2.相位调控电路: TR组件内部包含相位调控电路,用于调整每个天线元件的相位。

通过调整相位,可以实现波束的电子扫描,使得相控阵能够快速、灵活地改变信号的发射和接收方向。

3.收发切换器: TR组件需要在发射和接收模式之间切换。

收发切换器(T/R switch)负责在不同工作模式之间切换,以确保天线既能发射又能接收。

4.功率放大器:为了确保信号的传输和接收质量,TR组件通常包含功率放大器,用于放大发射信号或接收的微弱信号。

5.控制电路: TR组件需要受控制系统的指令,以实现相位调控、切换等功能。

因此,控制电路是TR组件的一个关键组成部分。

这些元素共同组成了一个相控阵TR组件,该组件通过先进的微电子技术实现了对信号的精确控制和处理。

相控阵技术的发展使得雷达系统、通信系统等能够更加灵活地适应多样化的应用场景。

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浅析TR组件的原理及其在雷达中的应用

浅析TR组件的原理及其在雷达中的应用

浅析TR组件的原理及其在雷达中的应用摘要:时间反转技术,即TR技术,通常在其他系统中应用TR组件来实现。

声学和地理是TR技术主要应用的两个方面之一,其次,雷达的理论方面、无线网络方面和系统方面均是需要研究的重点,同时,该项技术的拓展应用也在迅速发展,未来将会涌现更多应用领域。

关键词:时间反转;多输入多输出雷达;克拉美罗界;距离估计;到达方向估计对于目前而言,TR组件应用是一个备受关注的话题,但是实际上,TR组件在雷达领域的应用早已达到成熟水平。

本文结合多年经验和目前TR组件的最新发展,介绍了TR组件在多种雷达应用中的应用。

本文还详细介绍了多输入多输出雷达中TR组件的应用,并通过实验分析了各种雷达应用中TR组件的性能表现。

一、TR组件(一)TR组件的介绍TR组件即收发组件,是T/R(Transmitter and Receiver)的简写。

一般来说,T/R组件指无线视频传输系统中连接视频与天线的部分。

T/R组件的一端连接天线,一端连接中频处理单元,从而形成完整的无线收发系统。

它的作用是扩大、调整和削弱信号。

通常包含收发两个支路,单元电路涵盖本振、上下变频、滤波器、低噪声放大器、功率放大器、双工电路等模块。

(二)基本原理为了介绍TR组件技术原理,首先需要知道两个方面:目标源头的存在情况(也就是有源或无源)以及TR组件应用时是模拟计算得出结果还是通过物理传输。

这两个方面将会对TR组件技术的基本应用产生影响。

通常,我们使用TR组件对现实中存在的物体进行物理传输,如下图所示,这在有源目标的情况下是非常有用的。

图1图片展示的是探测脉冲的向前传播,考虑到实际情况,图片中包含了许多干扰杂波,介质为强多径介质,与真实应用接近。

在正向探测阶段中,每个小部分的传感阵列都会接收到延迟且失真的探测信号,这些探测信号是从多个路径传输回来的,并与实际探测信号进行比较。

以下图片展现了另一种时间反转信号的传播方式:反向传播。

这种情况与之前描述的情况相似,但同时考虑现实因素,引入了大量干扰信号,从而形成了一个强多径介质。

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1.2毫米波雷达及相控阵雷达特性
工作在毫米波频段低端的毫米波雷达的许多工作特性与微波雷达(例如X 频段或Ku频段雷达)是一样的,只是由于其波长更短,所以工作特性更极端 一些。例如,对于给定的天线孔径,毫米波雷达天线波束比较窄,仅仅是X频 段或Ku频段雷达的1/2—1/20。毫米波雷达的窄波束特性具有某些重大的工作 优点:(1)小天线孔径可有较高天线增益;(2)高的跟踪精度和(或)制导精
毫米波的发展由其本身的固有特点所确定。短波长,宽频带以及与大气的 相应作用,是促进毫米波发展的三个基本因素。
在毫米波频段,电磁能量在大气中传播时与大气中气体、悬浮微粒以及含 水物质的相互作用要比微波能量与它们的相互作用强的多,这些相互作用通过 三种机理,即吸收、散射和折射产生。
毫米波的大气传输特性,决定了各频率的用途。毫米波频段有四个低损耗 大气“窗口”,它们的中心频率在35,94,140和220GHz附近,其对应波长分 别为8.6,3.2,2.1和l_4ram,一般地面与卫星通信系统大都工作于这些“窗口” 频率,其可用带宽分别为16,23,26和70GHz,任何一个毫米波“窗口”的可 用带宽几乎都可以把包括微波频段在内的所有低频频段容纳在内。这些带宽特 性,在雷达中可用窄脉冲和宽带调频技术获得目标的细部特征。在通信系统中 能传送更多的信息,大大拓宽已十分拥挤的通信频谱,为更多用户提供互不干 扰的通道。宽带特性也能为各种系统提供高质量的电磁兼容特性。同样,对应 的中心频率为22,60,120和183GHz这些大气高衰减区频段成为保密通信的 首选工作频率。
第二章首先简单介绍了微带传输线的特性;随后介绍了微带一波导过渡和 低通滤波器的基本理论并实际设计了微带一脊波导一标准波导的过渡和低通滤 波器。
第三章讨论了毫米波控制电路。本章有四部分内容,第一部分介绍了PIN 二极管的特性;接下来的两部分分别介绍了毫米波开关和毫米波衰减器的基本 理论;每四部分较详细的介绍了毫米波移相器的分类,并具体分析了各种类型 移相器的优缺点,同时还设计了一个五位移相器,给出了测试结果并对结果进 行了分析。
waveguide-to-microstrip transition and low pass filter.At last,give a design of ridged wave transition and a low pass filter.
Chapter 3 discusses millimeter contr01 circuit.It includes four part contents.
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度;(3)不易受电子干扰;(4)低仰角工作时多径效应和地杂波干扰小;(5) 多目标鉴别(甚至辨识)性能好;(6)雷达图形分辨力好。
下列毫米波雷达另外一些独特的工作特性使它在可能的军用和民用方面都 很有吸引力:
(1).在结构小、重量轻的实际天线下获得窄波束; (2).大的带宽和多普勒频移可用于:扩谱抗电子干扰、雷达目标特征处 理、高距离分辨力、增强抗电子干扰能力、动目标检测等方面; (3).大气衰减“谐振点”频率可保密传输,供隐蔽使用; (4).毫米波的海面回波低,具有目标~杂波比高的优点,可用于检测海 杂波环境中的目标:
Chapter 1 iS a survey oftIle whole dissertation.First.dissert the characteristic
of millimeter wave simply;second,overview the millimeter radar and phased—array radar basic theory;third,summary development of T/R modules and phase shifter on
Key words:
Ka band,T/R moudles,phase shifter,Gain,output power
独创性声明
本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工 作及取得的研究成果。据我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地 方外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含 为获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。 与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明 确的说明并表示谢意。
第四章是有关毫米波放大器基础理论的一章。分别讨论了HEMT管的大、小 信号的建模以及低噪声放大器和功率放大器设计方法。
第五章对毫米波T/R组件的性能进行了测试,并根据在测试中发现的现象 进行分析,给出了一些改进的措施,特别是对毫米波移相器的研究,得出了设 计中需要注意的问题,可为以后的设计制作提供重要的经验。
amplifier design methods ofthe low-noise
and power amplifier respectively.
Chapter 5 tests the function of millimeter T,R modules and西yes some
improving measures based on discovering phenomena during the testing.By studying the phase shifter,we find some problems noticed in the next design.All of those carl provide important experience for later research on it.
(3).由于设备的限制和大气中水蒸汽及氧分子的吸 synthesized comparison and the possessive condition,the structure of millimeter hybrid integrated circuit iS chosen as the target.As the frequency of
电子科技大学 硕士学位论文 相控阵雷达——毫米波T/R组件研究 姓名:李桂萍 申请学位级别:硕士 专业:电磁场与微波技术 指导教师:徐军
20040201
电子科技大学硕士论文
摘要
本课题来源于电子科技大学电子工程学院,本课题要求研制Ka频段收发组 件样机,具体要求为:工作频率为35+0.3 GHz,组件内要求包括5位移相器; 在接收支路中,要求接收机的增益不小于20dB,开关衰减可以在6~30dB可调: 同时要求发射支路的发射功率增益不低于20dB,输出功率要高于0.7Ⅳ,信号 的要求从H面输入输出。
与红外、和可见光相比,毫米波的传输受干燥污染物(灰尘、烟等)和其 他一些大气效应(如雾、干雪等)的影响小。
象任何工程设计一样,与毫米波雷达好的工作特性联系在一起的也有一些 缺点或需要协调折衷的一些方面:
(1).目前,毫米波部件的价格高,可靠性和可用性较低;
(2).穿透树叶的能力有限,树叶的反射率较高(不过这在有些应用中又 是个优点);
Ka-band iS very high.the research of phase shifter is very dimcult WOrked in this band.The血esis designs and fabricates a T/R modules and a 4一bit phase shifter at the same time.based ofthe result ofthe 4.bit phase shifter,we test the modules.
签名:签越薄
硷军 导师签名:
日期: 口伞年多月/日
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第一章 绪论
1.1毫米波及其特点
毫米波是波长介于l~lOmm的电磁波谱,对应频率范围300~30GHz。从 频率来看,毫米波低端与微波衔接,高端与红外、光波相连,所以毫米波逐渐 发展成为--f3集微波、光学两门学科知识的综合性分支学科。其特点是波束窄、 保密和抗干扰能力强、容量大、容易实现图像、数字兼容,数模兼容。毫米波 已广泛应用于通信、雷达、制导、遥感、频谱学及生物效应等多种领域…。
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关键词:
Ka频段,收发组件,移相器,增益,输出功率
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Abstract
The proiect iS from the school of electronic and technology of UESTC.The
objective of the proiect is to develop a ka.band transmit/receive(T/R)modules.The frequency ofthe modules including a 5-bits phase shifter iS 35GHz±300MHz.The receiver’S gain isn’t lower than 20dB and 6~30dB attenuator iS requested.The Gain and output power of the transmitter iS higher thall 20 dB and 700 mW,
domestic and abroad and give the international advanced level;later,briefly
introduce the purpose and the main WOrk ofthis thesis. In chapter 2,First,gives the characteristic of microstrip.,second,discusses
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