常见半导体材料特性参数

2.2 2.86 2.86 1.42 3.37 9 5
980 480 375 9340 226
电子迁移率cm /V.s 峰值迁移率(温度) 7400(60K) 11000(50K) 5000(150K)
2
空穴迁移率cm /V.s 300K 峰值迁移率(温度) 370 350 500(250K) 1250(120K)
密度 g/cm
3
300K带隙 eV 3.4
电子迁移率 300K 1245 760
6.07 6.15 6.78 3.255 2.329
GaN
InN AlN Si Al2O3
19.5 6.13 1.12间接
3100
1750
3.2142 3.211 3.2153 5.3176 5.675 2.27 3.44
泊松比 (与晶面有关) 0.38 (001) 0.337 (001)
努氏显微硬度 Gpa 10.2
10 218 (001) 170 (111) 372 314 (001) 0.323 (001) 0.262 (111) 0.25 0.267 (001) 27 12 2~16
25 85.5 (001) 0.312 (001) 7 4 71 280~310 0.16 0.22
电子亲和势 eV 3.3 4.1
功函数 eV
饱和电子速度 10 s 2.5
7
击穿电场 10 Vcm
5 -1
电导率 Ω cm 6~12
-1 -1
电阻率 Ω.cm
自由激子束缚能 meV 24 24
26~33 31 10
200~300 10-4doped -12 10 undoped 3.16E-06 14.7
-6 -1
c/10 K 3.171
-6 -1
热导率 W/cm.K 1.3
热扩散率 cm /s
2
熔点 ℃ 2518
折射率 2.29
3.6 4.15 42 2.59/3.77 7.5 28 2.9 2.9 12 155 32~37 4.2 5.75 2.9 0.5 2.8
2.6 5.27
38.4 3.19 1.56 1.47 0.9
60 50
80(210K)
0.677l,0.247t
l t 0.29 ,0.42
10940(50K) 400000(30K) 2400(40K)
100 450 180
240(150K) 28000(22K)
0.2l,0.42t 0.063 0.27 0.076lh,0.5hh 0.31∥c 0.55⊥c
-1~3.2 4.05 4.6
1.4 1.00E+00
20~117 3
3.83 2 3.34 4.15 4 0.9 4.71 2.2 2.00E+00
12~40 20 24 4 35 1014~1016 1014 2.38E-09
26.7
60 3.6 53~56
波尔半径 A 31 32
热膨胀系数300K a/10 K 5.59
晶格结构 纤锌矿 α Wurtzite 闪锌矿 β Zinc Blende 纤锌矿 纤锌矿 金刚石 纤锌矿 3C闪锌矿 SiC 4H纤锌矿 6H纤锌矿 GaAs ZnO SiO2 Si3N4 六方晶系 闪锌矿 纤锌矿
300K晶格常数(A) a c 3.1891 4.52 3.5446 3.112 5.431 4.759 4.3596 3.08065 15.11738 3.08065 15.11738 5.65325 3.253 5.213 12.991 5.7034 4.982 5.1856
1627 2752 1414
2.56
3.42
8.5
0.5 0.2 4.9 2830 2830 2830 0.31 1240 2027 0.014 0.006 1700 1900 2.48 2.648 2.56 4.025 2.2 1.46 2.05
4.68
4.9 0.46
4.75
杨氏模量Gpa (与晶面有关) 200 (001) 191 (001)
2
有效质量 电子mn/m0 空穴mp/m0 0.2 0.13 0.12 1.1 0.19lh,1.3hh
14 500000(8K) 450 350000(6K)
0.33 ，0.25
l
t
lz3.53,lx0.24 hz3.53,hx10.42 0.16lh,0.49hh
0.98l,0.19t
3000(6K)
少子寿命 （us） 电子(p型) 空穴(n型) 10
-4
少子扩散长度 (um) 电子(p型) 空穴(n型) 0.2 3.4
介电常数 εr/ε0 10.4 9.7 9.3 9.14
0.015
800
1000
1000
800
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11.9
9.72 0.08 11920 (陷阱效应引起) 0.005 0.7 8 3 1.8 10 0.2 0.68~1.46 50 10.32 10.03 12.9 7.9 3.9 7.5