教你看懂内存编码
识别内存编号
条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。当开机时，支持SPD功能的主
板BIOS就会读取SPD中的信息，按照读取的值来设置内存的存取时间。我们可以借助SiSoft Sandra2001（下载
地址/index.htm）这类工具软件来查看SPD芯片中的信息，例如软件中显示的
SDRAM PC133U-333-542就表示被测内存的技术规范。内存技术规范统一的标注格式，一般为PCx-xxx-xxx，但是
不同的内存规范，其格式也有所不同。
，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代
表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；h代表内存芯片内部由几个Bank组
成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；I代表接口（0=LVTTL［Low Voltage TTL］接口
中红色金条是PC133内存；金色金条Ｐ针对PC133服务器系统，适合双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A
其格式为：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示内存带宽，单位为MB/s；a*1/16=内存的标
准工作频率，例如2100代表内存带宽为2100MB/s，对应的标准工作频率为2100*1/16=133MHZ；b代表模块类型(R
代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；cc表示CAS延迟时间，用时钟周期数表示，表达时不带小数点，如25
轻松识别DDR内存颗粒编号!
轻松识别DDR内存颗粒编号！现在DIY爱好者们在帮朋友或者是自已攒机的时候，往往会选择性价比最高的内存，呵呵，DDR内存就是目前最好的选择了。
可是DDR到底是什么呀？（我倒～～～）DDR顾名思义就是双倍速率同步动态随机存储器，通常简称其为DDR。
由于它在时钟触发沿的上、下沿都能够进行数据传输，所以在相同的总线频率下DDR内存具有更高的数据带宽。
DDR与SDRAM在外观上没什么太大的差别，二者具有相同的长度与同样的管脚距离。
但是，DDR内存具有184只管脚，比传统的SDRAM多16只，这些管脚主要包含了新的阀门控制、电源、时钟、和接地等信号接口。
（明白什么是DDR了吧！）既然我们现在已经知道了DDR为何物了，那么我们就开始选够吧。
可是目前市场上充斥着很多假冒名牌内存，以低容量内存冒充高容量，以低速内存冒充高速度内存的情况时有发生，为了能让哪些刚入门的DIYer们在够机的时候作一个明白白的消费者，我特地教给你们一手，如何从内存芯片的编号上识别那些识别假冒内存，不让JS的奸计得成！一般方法是看SPD芯片中的信息和内存芯片上的编号，由于SPD芯片内的信息是内存的技术规范，因此一般用户在柜台购买内存时是看不到的，所以用户只能依靠内存颗粒上的编号来识别。
由于各生产厂家的内存编号不近相同，因此下面我们就举例说明内存编号上代表的信息。
现代DDR内存：随着各大内存和主板厂商的跟近，使得我们有理由相信DDR的时代终于来临了。
既然DDR内存已经下滑到传统的SDRAM价格水平，支持DDR的主板芯片组技术日益成熟，那我们就没有理由去买一台配备SDRAM的ATHLON计算机。
双倍速传输速率的SDRAM在Geforce2、Geforce3、RADEON等显卡上应用也已经快2年了，并得到了大家的认可。
HY作为SDRAM的颗粒生产大厂自然早已加入了DDR 的生产行列，但是我们对其颗粒编号的认识还是很模糊的，下面我们就来给大家介绍介绍HY颗粒编号的秘密。
电脑技术提高之读懂内存条编码来识别内存
电脑技术提高之读懂内存条编码来识别内存常听人们说到“内存颗粒”，其实这是对内存芯片的一种称呼（仅对内存）。
内存颗粒上包含了它的信息，知道了内存颗粒编码主要数位的含义，就非常容易计算出它的容量。
以一条三星内存颗粒为例。
它的编码主要含义：
第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2)
；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。
根据内存颗粒编码的含义来可以计算它的容量。
三星DDR内存使用18片SAMSUNG
K4H280838B-TCB0颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位） × 16
片/8bits=256MB（兆字节）。
就是我们说的256M内存。
英睿达内存编码规则-概述说明以及解释
英睿达内存编码规则-概述说明以及解释1.引言1.1 概述概述部分的内容可以从以下几个方面展开：引言部分可以介绍英睿达内存编码规则的重要性和背景。
你可以提及英睿达作为一家专注于内存技术的公司，致力于提供高性能和可靠的内存产品。
内存编码规则是为了确保内存系统的正常运行和数据的可靠传输而制定的一系列规定和标准。
通过遵守这些规则，可以有效地提高内存系统的稳定性和性能。
接下来，可以介绍本文的结构和目的。
本文旨在全面介绍英睿达内存编码规则，并强调其在内存系统中的重要性和应用。
具体内容包括规则要点的详细解释和示例，并总结规则的关键意义和未来的发展方向。
最后，可以简要总结本文的主要内容并展望未来的研究方向。
概述部分可以概括为几句话，如下：本文将全面介绍英睿达内存编码规则，通过详细解释规则要点和示例，强调其在内存系统中的重要性和应用。
通过遵守内存编码规则，可以提高内存系统的稳定性和性能，确保数据的可靠传输。
未来的研究方向将进一步探索和完善内存编码规则，以满足不断发展的内存技术需求和挑战。
1.2文章结构1.2 文章结构本文将按照以下结构进行分析英睿达内存编码规则的要点：1. 引言：介绍英睿达内存编码规则的背景和重要性。
2. 正文：详细讨论英睿达内存编码规则的要点。
包括以下内容：2.1 英睿达内存编码规则要点一：详细解释并举例说明第一个要点。
2.2 英睿达内存编码规则要点二：详细解释并举例说明第二个要点。
3. 结论：总结对英睿达内存编码规则的分析，并指出其在实际应用中的重要性。
3.1 总结：回顾英睿达内存编码规则要点，并总结其优点和适用范围。
3.2 展望：展望英睿达内存编码规则的未来发展趋势并提出相关建议。
通过以上结构，本文将全面深入地介绍和分析英睿达内存编码规则的要点，并对其实际应用和未来发展进行展望，为读者提供指导和参考。
1.3 目的本文旨在介绍英睿达内存编码规则的目的。
通过阐述该编码规则的重要性和必要性，读者将能够深入了解为何需要遵守这些规则以及它们对内存管理的影响。
内存颗粒的型号
内存条可以通过查看内存颗粒的型号来确认其容量大小。
下面就以几个大厂的内存颗粒编码规则为例来说明内存容量的辨识方法。
三星内存颗粒目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。
由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。
三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。
这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。
编码规则：K 4 X X X X X X X - X X X X X主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit 的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。
例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits （兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。
内存序列号识别
内存序列号从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片，SPD芯片是内存条正面右侧的一块8管脚小芯片，里面保存着内存条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。
当开机时，支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中的信息，按照读取的值来设置内存的存取时间。
我们可以借助SiSoft Sandra2001这类工具软件来查看SPD芯片中的信息，例如软件中显示的SDRAM PC133U-333-542就表示被测内存的技术规范。
内存技术规范统一的标注格式，一般为PCx-xxx-xxx，但是不同的内存规范，其格式也有所不同。
1、PC66/100 SDRAM内存标注格式（1）1.0---1.2版本这类版本内存标注格式为：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS 的延时），用时钟周期数表示，一般为2；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示，一般为2；e表示最大的tAC（相对于时钟下沿的数据读取时间），一般为6（ns）或6。
5，越短越好；f表示SPD版本号，所有的PC100内存条上都有EEPROM，用来记录此内存条的相关信息，符合Intel PC100规范的为1。
2版本以上；g代表修订版本；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。
（2）1.2b+版本其格式为：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示；d表示TRP（RAS 的预充电时间），用时钟周期数表示；ee代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本为1.2；g代表修订版本，如2代表修订版本为1.2；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。
内存条编号意义--怎么看内存条型号大小
内存条编号意义--怎么看内存条型号大小A部分标明的是生产此颗粒企业的名称——Hynix。
B部分标明的是该内存模组的生产日期，以三个阿拉伯数字的形式表现。
第一个阿拉伯数字表示生产的年份，后面两位数字表明是在该年的第XX周生产出来的。
如上图中的517表示该模组是在05年的第17周生产的。
C部分表示该内存颗粒的频率、延迟参数。
由1-3位字母和数字共同组成。
其根据频率、延迟参数不同，分别可以用“D5、D43、D4、J、M、K、H、L”8个字母/数字组合来表示。
其含义分别为D5代表DDR500（250MHz），延迟为3-4-4；D43代表DDR433（216MHz），延迟为3-3-3；D4代表DDR400（200MHz），延迟为3-4-4；J代表DDR333（166MHz），延迟为2.5-3-3；M代表DDR266（133MHz），延迟为2-2-2；K代表DDR266A（133MHz），延迟为2-3-3；H代表DDR266B （133MHz），延迟为2.5-3-3；L代表DDR200（100MHz），延迟为2-2-2。
D部分编号实际上是由12个小部分组成，分别表示内存模组的容量、颗粒的位宽、工作电压等信息。
具体详细内容如图二所示。
D部分编号12个小部分分解示意图采用现代颗粒的内存颗粒特写第1部分代表该颗粒的生产企业。
“HY”是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代生产制造。
第2部分代表产品家族，由两位数字或字母组成，“5D”表示为DDR内存，“57”表示为SDRAM内存。
第3部分代表工作电压，由一个字母组成。
其中含义为V代表VDD=3.3V &VDDQ=2.5V；U代表VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W代表VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S代表VDD=1.8V & VDDQ=1.8V来分别代表不同的工作电压。
第4部分代表内存模组的容量和刷新设置，由两位数字或字母组成。
内存参数解释
18片SAMSUNGK4H280838B-TCB0第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。
16片KINGMAXKSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间 × 4位数据宽度；KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间 × 8位数据宽度；KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间 × 4位数据宽度；KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间 × 8位数据宽度；KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 × 16位数据宽度8片现代HY5DU1GB81622DT-HHY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4Krefresh cycles/64ms，8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。
内存条编码识别
先举2个例子:有两条SD内存，一条编号是HY57V28820AT-H，双面16片，一条是GM72V66841XT7J，单面8片，是多大的内存？怎样识别那些代码啊？一直都不会看。
答案:HY57V28820AT-H，-H表示这是符合PC-133规范的内存,CAS参数为3，也就是原来的T75。
封装形式为TSOP。
HY57指的是现代SDRAM颗粒，V指的是COMS 工艺3.3电压。
后面跟的28意思指的是128Mb、4K的刷新。
也就是这个颗数的组织形式是*8。
也就是16M * 8的颗粒。
GM72V66841XT7J，原LGS的，后与HY公司的内存部门合并，这片内存是10ns 的，PC100，64M的SDRAM内存下面是识别方法:HY 5a b ccc dd e f g h ii-jj其中5a中的a表示芯片类别,7---SDRAM; D—DDR SDRAM.b表示电压,V—3.3V; U---2.5V; 空白—5V.CCC表示容量,16—16M; 65—64M; 129—129M; 256—256M.dd表示带宽。
f表示界面，0—LVTTL； 1—SSTL（3）； 2—SSTL_2.g表示版本号，B—第三代。
h表示电源功耗， L—低功耗；空白—普通型。
ii表示封装形式， TC—400mil TSOP—H.jj表示速度，7—143MHZ; 75—133MHZ;8—125MHZ;10P—100MHZ(CL=2);10S—100MHZ(CL=3)10—100MHZ(非PC100)。
例：1） HY57V651620B TC-75按照解释该内存条应为：SDRAM， 3.3V, 64M, 133MHZ.2) HY57V653220B TC-7按照解释该内存条应为：SDRAM， 3.3V, 64M, 143MHZ下面给各位个参考数据:各厂商内存芯片编号（1）HYUNDAI（现代）现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，其SDRAM芯片编号格式为：HY 5a b cde fg h i j k lm-no 其中HY代表现代的产品；5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；b 代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；I代表接口（0=LVTTL［Low Voltage TTL］接口）；j代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）；k 代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-II，TD=13mm TSOP-II，TG=16mm TSOP-II）；no代表速度（7=7ns ［143MHz］，8=8ns［125MHz］，10p=10ns［PC-100 CL2或3］，10s=10ns［PC-100 CL3］，10=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=5ns［66MHz］）。
教大家识别内存颗粒上的编号
教大家识别内存颗粒上的编号教大家识别内存颗粒上的编号2009/2/181、海力士(Hynix)/image/upload/memory/200731012431014077801.jpg海力士DDR2内存颗粒的第一排编号通常由HY开头·第3、4位“5P”代表DDR2·第5位“S”代表VDD电压为1.8V、VDDQ电压为1.8V·第6、7位代表容量，本例中“12”代表512Mb，其它如“28”为128Mb、“56”为256Mb、“1G”为1Gb、“2G”为2Gb。
该值除以8即为单颗容量，再乘以颗粒数便是整条内存的容量·第8、9位代表颗粒位宽，如果为“4”和“8”，则只占编号中的第8位，如本例所示；如果为“16”和“32”，则占第8、9位·第10位代表逻辑Bank数。
其中“1”为2Banks，“2”为4Banks，而“3”为8Banks·第11位代表接口类型。
比如“1”为SSTL_18，另外，“2”为SSTL_2·第12、13位代表产品的规格，比如C4：速度为DDR2 5333 4-4-4，如果是S6则为DDR2 800 6-6-6、S5则为DDR2 800 5-5-5、Y6为DDR2 677 6-6-6、Y5为DDR2 677 5-5-5、Y4为DDR2 677 4-4-4、C5为DDR2 533 5-5-5、C3为DDR2 533 3-3-3，字母越靠后越好海力士内存颗粒的超频性一向不错，比如C5、C3，特别是目前代号S6的DDR2-800内存颗粒比较好超，一般都可以超到1000MHz 的水准，因此对于组建扣肉、AM2超频平台的朋友来说，是极不错的选择常采用的内存模块厂商：很多品牌的DDR2内存都有采用海力士DDR2内存颗粒，如创见、威刚、超胜等。
2、三星(Samsung)/image/upload/memory/200731012431048477802.jpg·三星DDR2内存颗粒的第一排编号通常由K4开头，代表Memory DRAM的意思·第三位“T”代表内存为DDR2内存·第四、第五位代表容量，其中51代表512MB容量，如果为56则是256MB容量，1G为1GB容量，2G为2GB容量·第六、第七位代表位宽，08：×8位宽，如果是04则位宽为×4、06为×4 Stack、07为×8 Stack、08为×8、16为×16·第八位代表逻辑Bank，其中“3”的逻辑Bank数量为4Banks，如果是4则为8Banks·第九位代表接口类型，一般为“Q”，表示接口类型工作电压为SSTL 1.8V·第十位代表颗粒版本，其中“B”代表的产品版本为3rd Generation，C为4th Generation，DEFGH依此类推、越新越好·第十一位代表封装类型，其中“G”代表封装类型为FBGA，如果是S则为FBGA(Small)、Z为FBGA-LF、Y则为FGBA-LF(Small) ·第十二位代表功耗类型，其中“C”表示普通能耗，如果是L则为低能耗·第十三、十四位代表内存速度，其中D5：速度为DDR2 533 4-4-4，如果是D6则为DDR2 677 4-4-4，如果是E6则为DDR2 677 5-5-5，如果是F7则为DDR2 800 6-6-6。
内存条上文字及字母标识的含义
内存条上文字及字母标识的含义一、Samsung内存具体含**释：例：SAMSUNGK4H280838B-TCB0主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G 代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns(CL=3)；7C为7.5ns(CL=2)；80为8ns；10为10ns(66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。
例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNGK4H280838B -TCB0颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）×16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。
关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC 内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。
通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。
所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。
内存条上面的编码的含义
内存条上面的编码的含义一、LGS（乐金LG）：LGS的内存可以说是目前市场上见到的最多，也是最广泛的内存了，所以LGS应该首先排第一位。
LGS的内存编码规则：GM 72 X XX XX X X X X X XXX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11定义：1、GM代表LGS公司。
2、72代表SDRAM。
3、V代表3V电压。
4、内存单位容量和刷新单位：其中：16：16M，4K刷新；17：16M，2K刷新；28：128M，4K刷新；64：64M，16K刷新。
65：64M，8K刷新；66：64M，4K刷新。
5、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位。
6、芯片组成：1：1BAND，2：2BANK，4：4BANK，8：8BANK7、I／O界面：一般为18、产品系列：从A至F。
9、功耗：空白则是普通，L是低功10、封装模式：一般为T（TSOP）11、速度：其中：8：8NS，7K：10NS（CL2），7J（10NS，CL2&3），10K（10NS[一说15NS]，PC66），12（12NS，83HZ），15（15NS，66HZ）二、HY（现代HYUNDAI）现代是韩国著名的内存生产厂，其产品在国内的占用量也很大。
当然，今后就会看不到HY的产品了，因为现代的内存厂已经并入LGS了！HY的编码规则：HY 5X X XXX XX X X X X－ XX XX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11定义：1、HY代表现代。
2、一般是57，代表SDRAM。
3、工艺：空白则是5V，V是3V。
4、内存单位容量和刷新单位：16：16M4K刷新；64：64M，8K刷新；65：64M，4K刷新；128：128M，8K刷新；129：128M，4K刷新。
5、数据带宽：40：4位，80：8位，16：16位，32：32位。
6、芯片组成：1：2BANK，2：4BANK；3：8BANK；7、I／O界面：一般为08、产品线：从A－D系列9、功率：空白则为普通，L为低功耗。
内存条上文字及字母标识的含义
内存条上文字及字母标识的含义一、SamSUng内存具体含** 释：例：SAMSUNGK4H280838B-TCB0主要含义：第 1 位——芯片功能K ，代表是内存芯片。
第 2 位——芯片类型4，代表DRAM 。
第 3 位——芯片的更进一步的类型说明，S 代表SDRAM 、H 代表DDR、G 代表SGRAM 。
第4、 5 位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6A 代表64Mbit 的容量；28、27、2A 代表128Mbit 的容量；56、55、57、5A 代表256Mbit 的容量；51 代表512Mbit 的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08 代表8位数据；16代表16位数据；32 代表32 位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns; 70为7ns；7B为7.5ns(CL=3); 7C 为7.5ns(CL=2); 80 为8ns；10 为10ns(66MHz)°知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。
例如一条三星DDR 内存，使用18片SAMSUNGK4H280838B -TCB0 颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”表该颗粒是128MbitS ,第6、7位“08”表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128MbitS (兆数位)×16 片/8bits=256MB (兆字节)。
注：“bit为数位” “B w字节“byte,” 一个字节为8位则计算时除以&关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC 内存，每8 片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8 位的ECC 校验码。
通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。
学会识别内存的颗粒编号
学会识别内存的颗粒编号一、现代（hynix）DDR2内存颗粒编号规则现代DDR2内存颗粒HY5PS12821 F-C4就是这颗现代DDR2内存颗粒的编号，我们现在将其分为9部分，一一为大家作个解释。
1、HY：现代内存2、5P：DDR23、S：工作电压1.8V4、12：512MB容量，如果是28则为128MB、56则为256MB、1G则为1GB、2G则为2GB5、8：位宽×8，如果是4则位宽为×4、16则为×16、32则为×326、2：逻辑Bank数量为4Banks，如果是1则为2Banks、3则为8Banks7、1：接口类型为SSTL-18，如果是2则为SSTL-28、F：封装类型为FBGA Single Die，如果是S则为FBGA Stack、M则为FBGA DDP9、C4：速度为DDR2 5333 4-4-4，如果是S6则为DDR2 800 6-6-6、S5则为DDR2 800 5-5-5、Y6为DDR2 677 6-6-6、Y5为DDR2 677 5-5-5、Y4为DDR2 677 4-4-4、C5为DDR2 533 5-5-5、C3为DDR2 533 3-3-3。
二、三星DDR2内存颗粒编号规则三星DD2内存颗粒K4T51083QB-GCD5就是这颗三星DDR2内存颗粒的编号，我们将其分为10部分，下面就为大家一一解释。
1、K4：Memory DRAM2、T：DDR23、51：512MB容量，如果为56则是256MB容量，1G为1GB容量，2G为2GB容量4、08：×8位宽，如果是04则位宽为×4、06为×4 Stack、07为×8 Stack、16为×165、3：逻辑Bank数量为4Banks，如果是4则为8Banks6、Q：接口类型工作电压为SSTL 1.8V7、B：产品版本为3rd Generation，C为4th Generation，DEFGH依此类推8、G：封装类型为FBGA，如果是S则为FBGA（Small）、Z为FBGA-LF、Y则为FGBA-LF（Small）9、C：普通能耗，如果是L则为低能耗10、D5：速度为DDR2 533 4-4-4，如果是D6则为DDR2 677 4-4-4，如果是E6则为DDR2677 5-5-5，如果是F7则为DDR2 800 6-6-6。
教你看懂内存编码
教你看懂内存编码！内存大小识别方法(详)内存芯片如按厂家所属地域来分主要有日，韩厂家，欧美及中国（含台湾省）厂家等等。
看编号识内存芯片是了解内存的一个好方法，下面就是内存识别资料，供大家参考：主要的内存芯片厂商的名称既芯片代号如下：现代电子HYUNDAI：HY［注：代号］三星SAMSUNG：KM或M NBM：AAA 西门子SIEMENS：HYB高士达LG-SEMICON：GM HITSUBISHI：M5M 富士通FUJITSU：MB摩托罗拉MOTOROLA：MCM MATSUSHITA：MN OKI：MSM美凯龙MICRON：MT 德州仪器TMS：TI 东芝TOSHIBA：TD或TC 日立HITACHI：HM STI：TM 日电NEC：uPDIBM：BM NPNX：NN一.日本产系列：主要厂家有Hitachi［日立］，Toshiba［东芝］，NEC［日电］，Mitsubishi ［三菱］等等，日产晶圆的特点是品质不错，价格稍高。
［日立］。
1 日立内存质量不错，许多PC100的皆可稳上133MHz。
它的稳定性好，做工精细，日立内存芯片的编号有HITACHI HM521XXXXXCTTA60或B60,区别是A60的CL是2，B60的CL是3。
市面上B60的多，但完全可超133MHz 外频，HITACHI的SDRAM芯片上的标识为以下格式：HM 52 XX XX 5 X X TT-XXHM代表是日立的产品，52是SDRAM，如为51则为EDO DRAM。
第1、2个X代表容量。
第3、4个X表示数据位宽，40、80、16分别代表4位、8位、16位。
第5个X表示是第几个版本的内核，现在至少已经排到"F"了。
第6个X如果是字母"L"就是低功耗。
空白则为普通。
TT为TSOII封装。
最后XX代表速度：75：［133MHz］80：8ns［125MHz］A60：10ns［PC-100 CL2或3］B60：10ns［PC-100 CL3］例如：HM5264805F-B60，是64Mbit，8位输出，100MHZ时CL是3。
海力士内存编码规则
海力士内存编码规则
海力士是一家知名的内存存储设备制造商，其内存编码规则是它在生产内存产品时所遵循的一系列规则和标准。
海力士内存编码规则包括以下几个方面：
1. 容量编码规则：海力士内存产品通常以基于二进制的容量规格进行编码。
例如，常见的8GB内存模块将被标记为8GB，其中1GB等于1,024MB，而1MB等于1,024KB，1KB等于1,024字节。
通过这种编码规则，用户能够快速准确地了解内存产品的容量。
2. 速度编码规则：海力士内存产品还采用了速度编码规则，用于标识内存模块的传输速度。
速度编码通常以DDR标记，代表“双倍数据率”。
例如，DDR2表示内存模块的传输速度为DDR（即原始速度）的两倍。
DDR速度编码依次递增，如DDR3、DDR4等，随着技术的进步，传输速度也不断提高。
3. 接口编码规则：海力士内存产品还遵循不同的接口编码规则。
最常见的接口是DIMM（双列直插式内存模块）和SODIMM（小型双列直插式内存模块），它们分别应用于台式机和笔记本电脑。
接口编码规则有助于确保内存模块与计算机硬件的兼容性。
4. 电压编码规则：海力士内存产品还根据其工作电压进行编码。
例如，DDR3内存模块通常分为工作电压为1.5V和1.35V的两种。
通过电压编码规则，用户可以选择适合其计算机硬件要求的内存产品。
综上所述，海力士内存编码规则是该公司在生产内存产品时所遵循的一系列规则和标准，包括容量编码规则、速度编码规则、接口编码规则和电压编码规则。
这些规则有助于用户快速准确地了解和选择适合其需求的海力士内存产品。
内存序列号识别
内存序列号从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片，SPD芯片是内存条正面右侧的一块8管脚小芯片，里面保存着内存条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。
当开机时，支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中的信息，按照读取的值来设置内存的存取时间。
我们可以借助SiSoft Sandra2001这类工具软件来查看SPD芯片中的信息，例如软件中显示的SDRAM PC133U-333-542就表示被测内存的技术规范。
内存技术规范统一的标注格式，一般为PCx-xxx-xxx，但是不同的内存规范，其格式也有所不同。
1、PC66/100 SDRAM内存标注格式（1）1.0---1.2版本这类版本内存标注格式为：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS 的延时），用时钟周期数表示，一般为2；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示，一般为2；e表示最大的tAC（相对于时钟下沿的数据读取时间），一般为6（ns）或6。
5，越短越好；f表示SPD版本号，所有的PC100内存条上都有EEPROM，用来记录此内存条的相关信息，符合Intel PC100规范的为1。
2版本以上；g代表修订版本；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。
（2）1.2b+版本其格式为：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示；d表示TRP（RAS 的预充电时间），用时钟周期数表示；ee代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本为1.2；g代表修订版本，如2代表修订版本为1.2；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。
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教你看懂内存编码！内存大小识别方法(详)内存芯片如按厂家所属地域来分主要有日，韩厂家，欧美及中国（含台湾省）厂家等等。
看编号识内存芯片是了解内存的一个好方法，下面就是内存识别资料，供大家参考：主要的内存芯片厂商的名称既芯片代号如下：现代电子HYUNDAI：HY［注：代号］三星SAMSUNG：KM或M NBM：AAA 西门子SIEMENS：HYB 高士达LG-SEMICON：GM HITSUBISHI：M5M 富士通FUJITSU：MB摩托罗拉MOTOROLA：MCM MATSUSHITA：MN OKI：MSM 美凯龙MICRON：MT 德州仪器TMS：TI 东芝TOSHIBA：TD 或TC日立HITACHI：HM STI：TM 日电NEC：uPDIBM：BM NPNX：NN一.日本产系列：主要厂家有Hitachi［日立］，Toshiba［东芝］，NEC［日电］，Mitsubishi ［三菱］等等，日产晶圆的特点是品质不错，价格稍高。
1.HITACHI［日立］。
1 日立内存质量不错，许多PC100的皆可稳上133MHz。
它的稳定性好，做工精细，日立内存芯片的编号有HITACHIHM521XXXXXCTTA60或B60,区别是A60的CL是2，B60的CL是3。
市面上B60的多，但完全可超133MHz外频，HITACHI的SDRAM芯片上的标识为以下格式：HM 52 XX XX 5 X X TT-XXHM代表是日立的产品，52是SDRAM，如为51则为EDO DRAM。
第1、2个X代表容量。
第3、4个X表示数据位宽，40、80、16分别代表4位、8位、16位。
第5个X表示是第几个版本的内核，现在至少已经排到"F"了。
第6个X如果是字母"L"就是低功耗。
空白则为普通。
TT为TSOII封装。
最后XX代表速度：75：7.5ns［133MHz］80：8ns［125MHz］A60：10ns［PC-100 CL2或3］B60：10ns［PC-100 CL3］例如：HM5264805F-B60，是64Mbit，8位输出，100MHZ时CL是3。
2.NEC。
NEC的SDRAM芯片上的标识通常为以下格式：μPD45 XX X X XG5-AXX X-XXXμPD4代表是NEC的产品。
"5"代表是SDRAM。
第1、2个X代表容量。
第3或4个X表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位。
当数据位宽为16位和32位时，使用两位，即占用第4个X。
由于NEC 的标识的长度固定，这会对下面的数字造成影响。
第4或5个X代表Bank。
"3"或"4"代表4个Bank，在16位和32位时代表2个Bank；"2"代表2个Bank。
第5个X，如为"1"代表LVTTL。
如为16位和32位的芯片，第5个X已被占用，则第5个X有双重含义，如"1"代表2个Bank和LVTTL，"3"代表4个Bank和LVTTL。
G5为TSOPII封装。
-A后的XX是代表速度：80：8ns［125MHz］10：10ns［PC100 CL 3］10B：10ns较10慢，Tac为7，不完全符合PC100规范。
12：12ns70：［PC133］75：［PC133］速度后的X如果是字母"L"就是低功耗，空白则为普通。
-XXX：第一人X通常为数字，如64Mbit芯片上常为准，16Mbit芯片上常为7，规律不详。
其后的XX的"JF"、"JH"、"NF"等。
估计与封装外型有关："NF"对应: 44-pinTSOP-II；"JF"对应54-pin TSOPII；"JH"对应86-pin TSOP-II。
例如：μPD4564841G5-A80-9JF，64Mbit，8位，4个Bank，在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2。
3.TOSHIBA东芝。
TOSHIBA的芯片上的标识为以下格式：TC59S XX XX X FT X-XXTC代表是东芝的产品。
59代表是SDRAM系列。
其后的S为普通SDRAM，R为Rambus SDRAM，W为DDR SDRAM。
第1、2个X代表容量。
64为64Mbit，M7为128Mbit。
第3、4个X表示数据位宽，04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。
第5个X估计是用来表示内核的版本。
目前常见的为"B"。
FT为TSOPII封装。
FT后如果有字母"L"就是低功耗，空白则为普通。
最后的XX是代表速度：75：7.5ns［133MHz］80：8ns［125MHz］10：10ns［100MHz CL=3］例如：TC59S6408BFTL-80，64Mbit，8位，可正常工作在125MHz，且为低功耗型号。
二.韩国产系列：韩国现在的SEC三星和HY（现代，它还将LGS给兼并了）占据了世界内存产量的多半份额，韩国产晶圆的特点是质量比较稳定，价格也较合理。
1.SEC［Samsung Electronics］三星。
三星的SDRAM芯片的标识为以下格式：KM4 XX S XX 0 X X XT-G/FXKM代表是三星的产品。
三星的SDRAM产品KM后均为4，后面的"S"代表普通的SDRAM，如为"H"，则为DDR SDRAM。
"S"前两个XX表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。
三星的容量需要自己计算一下。
方法是用"S"后的X乘S前的数字，得到的结果即为容量。
"0"后的第一个X代表由几个Bank构成。
2为2个Bank，3为难个Bank。
"0"后的第2个X，代表interface，1为SSTL，0为LVTTL。
"0"后的第3个X与版本有关，如B、C等，但每个字母下又有各个版本，在表面上并不能看得出来。
"T"为TSOP封装。
速度前的"G"和"F"的区别在自刷新时的电流，"F"需要的电流较"G"小，相当于一般的低功耗版。
"G/F"后的X代表速度：7：7ns［143MHz］8：8ns［125MHz］H：10ns［PC100 CL2或3］L：10ns［PC100 CL3］10：10ns［100MHz］例如：KM416S4031BT-GH，是64Mbit［16*4］，16，4个Bank，在100MHZ 时CL=2。
三星公布的标准PC133芯片：Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GARegistered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA2.HYUNDAI现代现在国内常见的有HY57V65XXXXATC 10和HY57V651XXXXXATC10。
现代的HY PC 100 SDRAM的编号应是ATC 10或BTC，没有A的或B的，就不是PC 100内存。
经测试，发现HY编号为ATC10的SDRAM上133MHz时相当困难。
而编号ATC8的上133MHz也不行，但可超到124MHz。
编号BTC 的SDRAM上133MHz很稳定。
66841XT75为PC133的，66841ET7K为PC100的。
现代的SDRAM芯片上的标识为以下格式：HY 5X X XXX XX X X X X XX -XXHY代表是现代的产品。
5X表示芯片类型，57为一般的SDRAM，5D为DDR SDRAM。
第2个X代表工作电压，空白为5V，"V"为3.3V, "U"为2.5V。
第3-5个X代表容量和刷新速度，分别如下：16：16Mbits，4K Ref。
64：64Mbits，8K Ref。
65：64Mbits，4K Ref。
128：128Mbits，8K Ref。
129：128Mbits，4K Ref。
256：256Mbits，16K Ref。
257：256Mbits，8K Ref。
第6、7个X代表芯片输出的数据位宽，40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。
第8个X代表内存芯片内部由几个Bank组成，1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank。
是2的幂次关系。
第9个X一般为0，代表LVTTL［Low Voltage TTL］接口。
第10个X可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新。
第11个X如为"L"则代表低功耗的芯片，如为空白则为普通芯片。
第12、13个X代表封装形式，分别如下：JC：400mil SOJTC：400mil TSOP-IITD：13mm TSOP-IITG：16mm TSOP-II最后几位为速度：7：7ns［143MHz］8：8ns［125MHz］10p：10ns［PC-100 CL2或3］10s：10ns［PC-100 CL3］10：10ns［100MHz］12：12ns［83MHz］15：15ns［66MHz］例如：常见的HY57V658010CTC-10s，HY是现代的芯片，57说明是SDRAM，65是64Mhbit和4K refresh cycles/64ms，下来的8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S 代表CL=3的PC-100。
需要指出的是-10K不是PC100的产品，-7J和-7K也不是PC133的产品。
-8的性能要好于-7K和-7J。
3.LGS［LG Semicon］LGs早已被HY现代纳入麾下，但还是有必要单独介绍下它。
LG现有的内存条编号后缀为7J、7K、10K、8。
其中10K是非PC100规格的，速度极慢。
7J和7K才是PC 100的SDRAM，7J和7K工作模式的速度参数不同，LGs 7J 编号在1073222，LGs 7K编号是1072222，两者的主要区别是第三个反应速度的参数上。
而8才是真正的8ns PC 100内存，但国内没有出现。
现在市面上还有很多10K的LGs内存，速度比7J和7K差很远，但因外型相差不大，所以不少*商把10K冒充7J或7K的来卖。
而7J和7K经过测试比较，7K比7J的更优秀，上133MHz时7K比7J更稳定，但7K的市面上不多见。