电子显微镜 第三章 衍射花样分析(1)

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电子显微镜 第三章 衍射花样分析

电子显微镜 第三章 衍射花样分析
18
四、二次衍射花样
在较厚单晶体或两相合金中常产生二次衍射:
电子通过晶体时,产生的较强衍射线可以作 为新的入射线,在晶体中再次产生衍射。
d1晶体Ⅰ D1: 一次衍射斑点 D3: 二次衍射斑点
19
d2晶体Ⅱ
O D3 D2 D1
两相合金中的二次衍射
20
d2晶体Ⅱ
d1晶体Ⅰ
O D3 D2 D1
O
(a)
E (-200)
R1
O
B (200)
A (020)
C (220) D
OERS零阶劳厄带 测得R1=10mm,R2= 35.7mm,R3=38.1mm, R12:R22:R32=4:51:59; S属于{711},R属于 {731}; 测得R1,R2间夹角为820; 由夹角关系可得S点为 (-1 -7 1);由矢量关 系可得R点为(-3 7 1), T点(1 -7 1);晶带轴 [uvw]为[017]。
D1
O
D2
(b)
O (c)
D2 D1 (d) 两相合金二次衍射示意图
21
五、菊池花样
花样特点: 除规则斑点之外,还出现一些亮暗成对的 平行线条。
22
菊池线花样的产生及其几何特征
菊池线是由经过非弹性相干散射失 去较少能量的电子随后又受到弹性散射 所产生的。
23
入射束
入射束
试样
A B F C I
A

当晶体点阵常数较 大(即倒易面间距 较小),导致球可 同时与几层相互平 行的倒易面上的阵 点相交,产生几套 衍射斑。
5

当晶体试样较薄 时(即倒易点成杆 状) ,Ewald球可 能与几层相平行 的倒易面上的倒 易杆相交,产生 几套衍射斑。

透射电子显微镜的电子衍射

透射电子显微镜的电子衍射
④ 移去物镜光阑,降低中间镜电流,使中间镜的物平面上升到物镜
的背焦面处,使荧光屏显示清晰的衍射花样(中心斑点成为最细 小、最圆整)。此时获得的衍射花样仅仅是选区光阑内的晶体所 产生的。
7
二、单晶体的电子衍射花样
1. 单晶体电子衍射花样的特征:
是垂直于电子束入射方向的零层 倒易面上的阵点在荧光屏上的投影。 衍射花样由规则的衍射斑点组成,斑 点指数即为零层倒易面上的阵点指数 (除去结构因子=0的阵点)。
Mi和Mp分别为中间镜与投影镜的放大倍率。
因为
(R / MiMp )d fo

Rd foMiMp
定义L'=ƒoMiMp
为“有效相机长度”,则有 Rd=λL'=K'
其中K'=λL'称为“有效相机常数”。式中L'并不直接对应于样
品至照相底片的实际距离。
5
2. 选区电子衍射: 定义:对样品中感兴趣的微区进行电子衍射,以获得该微区电子衍射图 的方法。又称微区衍射,通过移动安置在中间镜上的选区光阑实现。 原理:
斑点花样的几何图形可能所属点阵平行四边形90三斜单斜正交四方六角三角立方矩形90单斜正交四方六角三角立方有心矩形90单斜正交四方六角三角立方正方形90四方立方正六角形60六角三角立方衍射斑点的对称性及其可能所属的晶系zro标定面心立方衍射谱000002022020100体心立方相应用例000002112据此建立起衍射斑点的比值与各种晶体结构晶面间距递增规律之间的关系常数n为整数根据消光规律对应的n值为
简单立方(无消光):
1, 2, 3, 4, 5, 6, 8, 9…… 但是没有7, 15, 23
体心立方(h+k+l=奇数时消光):
2, 4, 6, 8, 10, 12……

电子衍射6(复杂电子衍射花样)—雨课堂课件

电子衍射6(复杂电子衍射花样)—雨课堂课件

第三章 电子衍射
六、复杂电子衍射花样
菊池线的产生机理 入射电子在晶体中遭受非弹性散射→散射强度随散射方向而变 →遭受非弹性散射的电子再次受到晶面的弹性散射(Bragg衍射) →Kikuchi 线
第三章 电子衍射
六、复杂电子衍射花样
菊池线的几何特征 (1) hkl菊池线对与中心斑点到hkl衍射斑点的连线正交,而且菊
第三章 电子衍射
六、复杂电子衍射花样
所谓孪晶,通常指按一定取向关系并排生长在一起的同一物 质的两个晶粒。
上图中图a和b是CaMgSi相中的(102)孪晶在不同位向下的孪晶花样,图c 是CaMgSi相中另外一种孪晶的电子衍射花样,其孪晶面是(011)面;图d是 镁中常见的(10-12)孪晶花样。
第三章 电子衍射
池线对的间距与上述两个斑点的距离相等。
(2) 一般情况下,菊池 线对的增强线在衍射 斑点附近,减弱线在 透射斑点附近。
第三章 电子衍射
六、复杂电子衍射花样
(3) hkl菊池线对的中线对应于(hkl)面与荧光屏的截线。两条中 线的交点称为菊池极,为两晶面所属晶带轴与荧光屏的交点。
(4) 倾动晶体时,菊池 线好象与晶体固定在 一起一样发生明显的 移动。精度达0.1°
FHKL 2 [ f Au fCu fCu fCu ]2 [ f Au fCu ]2
都不消光
第三章 电子衍射
六、复杂电子衍射花样
有序 无序
第三章 电子衍射
六、复杂电子衍射花样
2、高阶劳厄带 ✓ 所有与零层倒易面平行的倒易平面统称为高层倒易面
✓ 高层倒易面中的倒易阵点由于某些原因也有可能与倒易球 相交而形成附加的电子衍射斑点,这就是高阶劳埃斑。
得上下两层倒易面与零层倒易面同时与反射球相交的机会增加; 3)当电子衍射花样不正,使得零层倒易面倾斜时,增加了高层倒易阵

电子衍射及衍射花样标定讲解

电子衍射及衍射花样标定讲解
成以❖入电衍射子射电束成子照像射原束多理为晶与、多轴纳晶、米X射2晶q线体为衍时射, 衍射圆锥相2似q。不同,但各衍射圆
❖ 不产生消光的晶面均有机会产 生衍射。
3.多晶体电子衍射花样
花样
➢与X射线衍射法所得花样的几何特征相似,由一系列不同 半径的同心圆环组成,是由辐照区内大量取向杂乱无章的细 小晶体颗粒产生,d值相同的同一(hkl)晶面族所产生的衍射 束,构成以入射束为轴,2θ为半顶角的圆锥面,它与照相底 板的交线即为半径为R=Lλ/d=K/d的圆环。 ➢R和1/d存在简单的正比关系 ➢对立方晶系:1/d2=(h2+k2+l2)/a2=N/a2 ➢通过R2比值确定环指数和点阵类型。
❖微束选区衍射 ----用微细的入射束直接在样品上选择 感兴趣部位获得该微区衍射像。电子束可聚焦很细, 所选微区可小于0.5m 。可用于研究微小析出相和单 个晶体缺陷等。目前已发展成为微束衍射技术。
透射电镜光路图
电子衍射花样特征
单晶
多晶
非晶
准晶(quasicrystals)
分布集合而成一半径为1/d的 园环,因3.此多,晶样体品电各子晶衍粒射花样
[001]
晶带定律:若晶面(hkl)属于晶 带轴[uvw], 则有 hu+kv+lw=0 这就是晶带定理。
已知两晶面,求其晶带轴
如果(h1k1l1)和(h2k2l2)是[uvw]晶带中的两个晶 面,则由方程组 h1u+k1v+l1w=0和h2u+k2v+l2w=0 得出 [uvw]的解是 (这应该是在立方晶体中,因为只有在 立方晶体中与某晶面指数相同的晶向才与该晶面垂 直。)
K=Rd=( )mm.nm
2.电子显微镜中的电子衍射

电子衍射及衍射花样标定精品文档

电子衍射及衍射花样标定精品文档

4.单晶电子衍射花样标定
5)任取不在同直线上的两个斑点 (如h1k1l1和h2k2l2 ) 确定晶带轴指数[uvw]。
求晶带轴指数:逆时针法则
h2k2l2
排列按逆时针
h1k1l1
[ uvw ] R 1 R 2 h1 k1 l1 h1 k1 l1 h2 k2 l2 h2 k2 l2
17.46mm,20.06mm,28.64mm,33.48mm;对应指数 (111),(200),(220),(311); 对应面间距d分别为 0.2355nm,0.2039nm,0.1442nm,0.1230nm
K=Rd
2.电子显微镜中的电子衍射
选区电子衍射
选区衍射就是在样品上选择一个感兴趣的区域,并限制其大小,得 到该微区电子衍射图的方法。也称微区衍射。两种方法:
4 5.05
8 10.1
8
10
220 310
220 301
验证 g 110 g 211 73 1 3
11 0 1 1 0
晶带轴为 113[ ],或倒易1面 13) 为 (
21 1 2 11
此为体心立方, 数a点 0阵 .3常 88nm
11 3
4.单晶电子衍射花样标定
例2:下图为某物质的电子衍射花样 ,试指标化并求其晶 胞参数和晶带方向。
3)会聚束花样:会聚束与单晶作用产生盘、线状花样;可以 用来确定晶体试样的厚度、强度分布、取向、点群、空间
群以及晶体缺陷等。
1.电子衍射的原理
入射束
厄瓦尔德球
o
试样
1 2q 1
L1d GFra bibliotek倒易点阵
o
G 底板
R
电子衍射花样形成示意图

电子显微分析第三章 电子衍射(TEM)

电子显微分析第三章 电子衍射(TEM)

电子衍射简介1
• 金属和其它晶体物质是由原子,离子或原子集团在三维空间内周 期性地有规则排列的质点对具有适当波长的辐射波(如X射线、电 子或中子)的弹性相干散射,将产生衍射现象,在某些确定的方向 上;散射波因位相相同而彼此加强,而在其它方向上散射波的强度 很弱或等于零。电子显微镜的照明系统提供了一束波长恒定的单色 平面波,因而自然地具备着用它对晶体样品进行电子衍射分析的条 件。 电子衍射与x射线衍射的基本原理是完全一样的,两种技术所得 到的晶体衍射花样在几何特征上也大致相似。 多晶体的电子衍射花样是一系列不同半径的同心圆环。 单晶花样由排列得十分整齐的许多斑点所组成,分别如图a)和b) 所示。 单晶体的电子衍射花样比X射线劳厄法所得的花样,更能直观地反 映晶体的点阵结构和位向; 特别是当采用倒易点阵和爱瓦尔德球作图法时,这种联系将是十分 明显的,并常常可以使单晶电子衍射花样的分析方法变得相当简 单.
• 傅立叶变换: • F(x)=a0+a1x1+a2x2+a3x3+a4x4+a5x5+.… +
第一节 倒易阵点基本知识
• 所谓倒易点阵,指的是在 量纲[L]-1的倒易空间内的 另外一个点阵,它与正空 间内某一特定的点阵相对 应。如果正点阵晶胞的基 矢为a,b,c;则相应的倒易 点阵基矢为:
a b
选区衍射操作步骤
为了尽可能减小选区误差,应遵循如下操作 步骤: • 1. 插入选区光栏,套住欲分析的物相,调整 中间镜电流使选区光栏边缘清晰,此时选区 光栏平面与中间镜物平面生重合; • 2. 调整物镜电流,使选区内物象清晰,此时 样品的一次象正好落在选区光栏平面上,即 物镜象平面,中间镜物面,光栏面三面重合;
面心立方正倒点阵关系

TEM(3)衍射分析

TEM(3)衍射分析

V — 阵胞体积
则由 定义的点阵为 的点阵的倒易点阵。 的点阵的倒易点阵。
பைடு நூலகம்定义
• (2)倒易点阵的性质
• 据上式有: 据上式有: 与 分别定义的正点阵与倒易点阵互为倒易。 • 倒易矢量及其基本性质 • 在倒易点阵中,以任一倒易点为坐标原点O*(000),由倒 在倒易点阵中,以任一倒易点为坐标原点O*(000) O*(000), 易原点O*(000)指向任一坐标(HKL)的矢量称为倒易矢量 O*(000)指向任一坐标 倒易矢量, 易原点O*(000)指向任一坐标(HKL)的矢量称为倒易矢量, 表达为: 表达为:
电子衍射和X 电子衍射和X射线衍射不同之处
• 电子波的波长短,采用爱瓦德球图解时,反射球的半 电子波的波长短,采用爱瓦德球图解时, 径很大,在衍射角θ 径很大,在衍射角θ较小的范围内反射球的球面可以 近似地看成是一个平面, 近似地看成是一个平面,从而也可以认为电子衍射产 生的衍射斑点大致分布在一个二维倒易截面内。 生的衍射斑点大致分布在一个二维倒易截面内。这个 结果使晶体产生的衍射花样能比较直观地反映晶体内 各晶面的位向,给分析带来不少方便。 各晶面的位向,给分析带来不少方便。 • 最后,原子对电子的散射能力远高于它对X射线的散 最后,原子对电子的散射能力远高于它对X 射能力(约高出四个数量级), ),故电子衍射束的强度 射能力(约高出四个数量级),故电子衍射束的强度 较大,摄取衍射花样时曝光时间仅需数秒。 较大,摄取衍射花样时曝光时间仅需数秒。
倒易点阵的概念
• 从晶体结构和点阵结构的概念可知,晶体结构是 从晶体结构和点阵结构的概念可知, 物质内部最小单元的真实排列, 物质内部最小单元的真实排列,点阵结构是晶体 物质内部等同点的抽象,只有十四种。 物质内部等同点的抽象,只有十四种。 • 但在X衍射学中,用点阵结构解释一些衍射现象是 但在X衍射学中, 不方便的,因此引入一个新的概念倒易点阵。 不方便的,因此引入一个新的概念倒易点阵。 • 倒易点阵是解释衍射现象的有力工具,可以简化 倒易点阵是解释衍射现象的有力工具, 衍射理论的讨论, 衍射理论的讨论,同时又是描述晶体结构的另一 种方法。 种方法。

第三章 电子衍射

第三章 电子衍射

射几何条件在倒易空间中的描述。图3.2是应用爱瓦尔德反射球构图来表示衍射 条件。以晶体点阵原点O为球心,以1/λ为半径作球。沿平行于入射方向,从O作 入射波波矢k,并且 |k|=1/λ,其端点O﹡作为相应的倒易点阵的原点,该球称为 爱瓦尔德球,或称为反射球。当倒易阵点G与爱瓦尔德球面相截时,则相应的晶 面组(hkl)与入射束的方位必满足布拉格条件,而衍射束的方向就是OG,或者写 成衍射波的波矢k,其长度也等于爱瓦尔德球的半径1/λ。根据倒易矢量定义, O﹡G=g,则可得:
n
Fhkl f j exp 2πi hx j kyj lz j
j 1
(3.2)
式中:fj是j原子的散射振幅, xj,yj,zj是j原子的坐标,n是晶胞中的原子数。
3.2.2 物理条件
如果把那些Fhkl等于零所对应的倒易阵点从倒易点阵中去掉,借助于 倒易矢量的两个基本性质(ghkl∥Nhkl,Nhkl是(hkl)晶面的法线,ghkl=1/dhkl) 不难画出:点阵常数为的简单立方正点阵的倒易点阵也是简单立方,其点
阵常数 a0 1/ a ;点阵常数为 a 的体心立方正点阵的倒易点阵则是点阵
常数为a0 2 / a 的面心立方点阵;而面心立方正点阵的倒易点阵则是体
心立方,其点阵常数也是
a
0

2/a
。并且,立方正点阵的三个轴向与立
方倒易点阵是平行的。图3.3画出了体心立方正点阵的倒易点阵。
3.2.2 物理条件
R/L=tan 2θ
对于高能电子,2θ很小,近似有:tan 2θ 2sinθ
代入布拉格公式得
λ/d=2sinθ=R/L

Rd=λL
(3.5)
3.3.1 电子衍射仪中的衍射

衍射花样的标定

衍射花样的标定

透射电子显微镜选区电子衍射花样标定的一般过程对析出物进行选区电子衍射,得到电子衍射花样,通过标定花样,确定析出物的相结构。

花样标定方法、具体步骤如下:根据对析出物的能谱分析,找出可能存在的物质。

利用MDI Jade 5.0 软件,找出所有可能存在物质的PDF 卡片;根据衍射基本公式R =λL /d ,求出相应的一组晶面间距d ,计算得出的d 值与所查得可能物质的晶面间距一一对应,误差<0.1;所查到的d 值对应的晶面指数必须满足(h 3k 3l 3)=(h 1k 1l 1)+(h 2k 2l 2);利用θ值进行验证,若所测得的角度θ与计算得出的值相近,误差<2°,便可断定是此物质。

具体步骤如下:1. 选择一个由斑点组成的平行四边形(斑点中最好有透射斑点),测量透射斑点到衍射斑点的最小矢径、次最小矢径及平行四边形长对角线的长度和最小矢径、次最小矢径之间的夹角,R 1 、R 2 、R 3、θ;R 1 ≤R 2,θ≤90°;2. 根据衍射基本公式R =λL /d ,求出相应的晶面间距d 1 、d 2 、d 3 ;3. 在PDF 卡片里,查找面间距与d 1、d 2 、d 3一一对应的物质;4. 查得d 1对应的晶面指数为(h 1k 1l 1)、d 2对应的晶面指数为(h 2k 2l 2)、d 3对应的晶面指数(h 3k 3l 3),根据指数变换规则使(h 3k 3l 3)=(h 1k 1l 1)+(h 2k 2l 2);5. 利用在不同的晶系中cos θ 值,尝试验证θ;若不能满足要求,继续对其它物质重复以上步骤;6. 若以上步骤均能符合要求,便可确定晶带轴[uvw ];21212211k l l k l k l k u -== 21212211l h h l h l h l v -== 21212211h k k h k h k h w -==以标定一具有立方结构的析出物的衍射花样为例:根据对析出物的能谱分析可知,其应为微合金元素的碳化物。

衍射花样

衍射花样

175 2.71
200 2.51
1
1-2 晶体对电子的散射
1-2-1 布拉格定律:
晶体内部的质点是有规则的排列,由于这种组织结构的规则性,电子的弹性 散射波可以在一定方向相互加强,除此以外的方向则很弱,这样就产生一束 或几束衍射电子波,晶体内包含着许多族晶面的堆垛,每一族晶面的每一个 晶面上质点都按同样的规律排列且这族晶面的堆垛间距是一个恒定的距离, 称之为晶面间距 dhkl。 当一束平面单色波照射到晶体上时,各族晶面与电子束成不同坡度,电子束在晶面上的掠射角 θ 标记 上述特征入射束的波前 A、B,散射束的波前为 A’、B’,当第一层晶面的反射束 QA’与透射束在第二层晶 面反射束 RB’间的光程差 δ = SR + RT ,晶面间距 d,则 δ = 2d sin θ 按波的理论证明,两支散射束相干 加强的条件为波程差是波长的整数倍,即:
2d sin θ = λ 1-2-2 反射球一布拉格定律的图解:
若把晶体置于球心 O ,
1
λ
= OO1 = AO1 为半径作一个球,AO1 为入
射电子束, O1O 为透射束,反射束为 O1G ,若 ∠OAG = θ 即掠射 角则 OG = AO ⋅ sin θ 即: OG =
2
λ
sin θ ,由布拉格定律变换得: 反射球构图
133正点阵与倒易点阵的指数变换正点阵与倒易点阵互为倒易关系正点阵的hkl晶面与倒易点阵的同指数倒易方向hkl正交正点阵的uvw晶向与倒易点阵同指数倒易平面uvw正交在电子衍射分析中常需要知道hkl晶面的法线方向uvw的指数反过来要知道与晶向uvw正交的晶面指数hkl只有立方晶系中hukvlw对其它晶系无此关系一般说来hkl晶面的法线指数uvw与uvw晶向正交的晶面指数hkl不一定是整数故需下列计算

透射电子显微镜的电子衍射PPT课件

透射电子显微镜的电子衍射PPT课件
矢量和是否满足R4。
➢ 试定 R1点指数(110) R2点指数(211)则R4为(321),不符合d值
所限定的指数(310),需调整;
➢ R2点指数调为 (211) ,则R4为(301),R3为(121) ➢ 校核夹角:(110)与 (211)夹角为73.22°, (110)与(301)夹角47.87°
因为
(R / M iM p )d fo

Rd foM iM p
定义L'=ƒoMiMp
为“有效相机长度”,则有 Rd=λL'=K'
其中K'=λL'称为“有效相机常数”。式中L'并不直接对应于样品
. 至照相底片的实际距离。
4
2. 选区电子衍射: 定义:对样品中感兴趣的微区进行电子衍射,以获得该微区电子衍射图 的方法。又称微区衍射,通过移动安置在中间镜上的选区光阑实现。 原理:
的晶面间距d1、d2、d3、d4.。。。把这些d值叫做计算值。
Ri(mm) di(nm) R1 R2 R3 R4
.
12
R3 R1 R4 φ R2φ1
③ 计算d值与标准d值比较; ④ 尝试标出两个基矢量(h1k1l1)和(h2k2l2); ⑤ 由矢量运算求得其它斑点,反复验算夹角;
.
13
矢量关系: 2g(hkl)=g(2h,2k,2l), 3g(hkl)=g(3h,3k,3l). g (h1,k1,l1)- g(h2,k2,l2) = g(h1-h2, k1-k2, l1-l2) g (h1,k1,l1)+g(h2,k2,l2) =g(h1+h2, k1+k2, l1+l2)
cos
h1h2 k1k2 l1l2
h12 k12 l12 h22 k22 l22

电子衍射

电子衍射

材料研究方法
电子衍射
二维倒易点阵平面的画法
由晶带定律,找出两个基矢 ;(最短的和次 由晶带定律,找出两个基矢g1、g2 ;(最短的和次 短的两个倒易矢量,最好互为正交) 短的两个倒易矢量,最好互为正交) 计算α 画出平行四边形, ∝ 计算 12,画出平行四边形,g∝1/d 将基本平行四边形平移获得二维倒易平面 检查是否有漏点(补点) 检查是否有漏点(补点) 检查是否有多余点(消光) 检查是否有多余点(消光) 特别要注意晶体的类型
即 u=k1l2-l1k2,v=l1h2-h1l2,w=h1k2-k1h2 这也就是倒易阵 点 h1k1l1 、 h2k2l2 与 倒 易 原 点 构 成 的 二 维 倒 易 平 面 (uvw)*的指数。
材料研究方法
电子衍射
同时属于两个晶带得晶面指数
由晶带定律可以求出同属于两个晶带 )、(u 的晶面( ) (u1v1w1)、 2v2w2)的晶面(hkl) 的晶面
材料研究方法
电子衍射
晶带定理与零层倒易面
零层倒易面: 零层倒易面:通过原点的倒易面称为零层倒 易面, ,(uvw)*的法 易面,用(uvw)*表示。显然,( ) 表示。显然,( ) 线和正空间中的晶带轴[uvw]重合。 重合。 线和正空间中的晶带轴 重合 晶带定理: 晶带定理:因为零层倒易面上的各倒易矢量 都和其晶带轴r=[uvw]垂直,固有 hkl•r=0 ,即 垂直, 都和其晶带轴 垂直 固有g hu+kv+lw=0, 这就是晶带定理。 这就是晶带定理。
材料研究方法
电子衍射
晶带和它的倒易面
在正点阵中,同时平行于某一晶向 [uvw]的一组晶面构成一个晶带, 而这 的一组晶面构成一个晶带, 的一组晶面构成一个晶带 一晶向称为这一晶带的晶带轴。 一晶向称为这一晶带的晶带轴。 图示为正空间中晶体的[uvw]晶带及其 晶带及其 图示为正空间中晶体的 相应的零层倒易截面。 相应的零层倒易截面。 图 中 晶 面 ( h1k1l1 ) 、 ( h2k2l2 ) 、 的法向N (h3k3l3) 的法向 1、N2、N3和倒易矢 的方向相同, 量 gh1k1l1 、 gh2k2l2 、 gh3k3l3 的方向相同 , 且各晶面面间距d 且各晶面面间距 h1k1l1、dh2k2l、d h3k3l3 的倒数分别和gh1k1l1 、 gh2k2l2 、 gh3k3l3 的 的倒数分别和 长度相等, 倒易面上坐标原点O 长度相等 , 倒易面上坐标原点 * 就是 爱瓦尔德球上入射电子束和球面的交 点。

电子衍射及衍射花样标定

电子衍射及衍射花样标定

q
d
q L
q
G’ r
O
G’’
立方晶体[001]晶带
晶体中,与某一晶向[uvw]平行的 所有晶面(hkl)属于同一晶带, 称为[uvw]晶带,该晶向[uvw]称 为此晶带的晶带轴. 如 [001] 晶 带 中 包 括 ( 100 ) , (010)、(110)、(210)等 晶面。
[001]
晶带定律:若晶面(hkl)属于晶 带轴[uvw], 则有 hu+kv+lw=0 这就是晶带定理。
相机常数未知、晶体结构已知时衍射花样的标定
以立方晶系为例来讨论电子衍射花样的标定 电子衍射基本公式
同一物相,同一衍射花样而言, 为常数,有 R12:R22 :R32:…Rn2=N1:N2:N3:…Nn
立方晶系点阵消光规律 R12:R22 :R32:…Rn2=N1:N2:N3:…Nn
衍射 线序 号n 1 2 3 4 简单立方 体心立方
H、K、L全奇或全偶
4.单晶电子衍射花样标定

例:下图为某物质的电子衍射花样 ,试指标化并求其晶 胞参数和晶带方向。 RA=7.1mm, RB=10.0mm, RC=12.3mm, (RARB)90o, (rArC)55o.
A
C
B 000
4.单晶电子衍射花样标定
解2:
2 2 2 1)由 RA : RB : RC N1 : N2 : N3 2 : 4 : 6
晶面间距
立方晶系的晶面间距公式为:
d
四方晶系的晶面间距公式为:
a h2 k 2 l 2
1 h2 k 2 l 2 2 2 a c
d
六方晶系的晶面间距公式为:
d
a 4 2 a (h hk k 2 ) ( ) 2 l 2 3 c

电子显微镜 第三章 衍射花样分析

电子显微镜 第三章 衍射花样分析
17
镍基合金中孪晶的衍射花样
18
四、二次衍射花样
在较厚单晶体或两相合金中常产生二次衍射: 电子通过晶体时,产生的较强衍射线可以作为 新的入射线,在晶体中再次产生衍射.
d2晶体Ⅱ
d1晶体Ⅰ
O D3 D2 D1
两相合金中的二次衍射
D1: 一次衍射斑点 D3: 二次衍射斑点
19
20
d2晶体Ⅱ
d1晶体Ⅰ
<001>2*
4
当晶体点阵常数较 大〔即倒易面间距 较小),导致球可同 时与几层相互平行 的倒易面上的阵点 相交,产生几套衍 射斑.
5
当晶体试样较薄 时<即倒易点成杆 状> ,Ewald球可能 与几层相平行的 倒易面上的倒易 杆相交,产生几套 衍射斑.
6 6
当入射束不严 格平行于晶带 轴时,Ewald球 可能与几层相 平行的倒易面 上相交,产生几 套衍射斑.
可以确定试样倾转指向;
可以确定晶体的对称性.
26
不同晶体位向下菊池线对的位置
hkl
样品
hkl
样品
27
220
000
200
Cu Au
有序相 H,K,L奇偶混杂时,F不等于0
020
220
120
010
110
210
000
200
100
15
超点阵斑点的判断:出现了本不该出现的斑点,且强度低; 指标化方法:与简单花样标定方法一样
AuCu3有序相的超点阵花样
16
三、孪晶花样
在凝固、相变和再结晶 变形过程中,晶体内的一 部分相对于基体按一定 的对称关系成长,即形成 孪晶.
12
R
OERS零阶劳厄带
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4 5
6 7 8 9
200 210
211 220 300 310
4 5
6 8 9 10
220 310
222 321 400 411
8 10
12 14 16 18
311 222
400 331 420 422
11 12
16 19 20 24
9
h4k4l4
尝试-校核法确定衍射
h2k2l2
R2 O
R4 h3k3l3
R3 R1
h1k1l1
斑点的晶面指数(hkl); 测量 R 之间的夹角 (R1, R2) ;任意选定斑点 R1 指数为(h1k1l1),则R2 对应的斑点指数( h2k2 l2)由夹角公式确定
cos h1h2 k1k2 l1l2 h12 k12 l12 h22 k22 l22
六. 单晶电子衍射花样的分析
排列十分规则的斑点(平行四边形的周期重复) 大量强度不等的衍射斑点
1
1.单晶电子衍射花样的产生及其几何特征
S0
O*
2
S
r*
r*
2
r=[uvw]
(h3k3l3) (h2k2l2) (h1k1l1)
(uvw)0*
O*
hu+kv+lw=0
r3 Hale Waihona Puke O*R ( L )r *
14
A B
C
D
确定衍射斑点的晶面指数(hkl)
A {110}
{211}
{411}
C
D
B {200} E
用量角器测得R之间的夹角分别为 (RA, RB)=900, (RA, RC)=550, (RA, RD)=710, A斑N为2,{110},假定A为(1 -1 0)。 B斑点N为4,表明属于{200}晶面 族,尝试(200),代入晶面夹角 公式得f=450,不符;若选B斑点 (002), f=900,相符; RC= RA+RB,C为(1 –1 2),N=6 与实测R2比值的N一致,计算夹角 为54.740,与实测的550相符;RE= 2RB,E为(004);RD=RA+RE=(1 –1 4),计算(1 -10)与(1 -14)的 夹角为70.530,与实测相符;依此 类推。 15

27
例: 标定Al单晶衍射花样, Lλ =15.21mmÅ 3
测得 R1 = 6.5mm , R2 = 16.4
R3
2
f=82 1
mm , R3 = 16.8mm , = 820 ; f 由 Rd=Lλ计算出相应的 d1= 2.34Å, d2=0.927Å, d3= 0.905Å; 查相应的d值表,查找与d1, d2,d3对应的{h1k1l1},{h2k 2l2},{h3k3l3}
h4k4l4
族指数{hkl};
8
R12:R22:R32:….= 1/d12: 1/d22: 1/d32:… =N1:N2:N3 :…; (N=H2+K2+L2)
No 1 2 3 简单立方 HKL 100 110 111 N 1 2 3 体心立方 HKL 110 200 211 N 2 4 6 面心立方 HKL 111 200 220 N 3 4 8
确定物相
A B
C
D E
已知K=14.1mmÅ, d=K/R, dA=1.986Å, dB=1.410Å, dC=1.146Å, dD=0.656Å 与-Fe标准d值符合的 很好
确定晶带轴方向:
选取rB=(002), rA=(1-10), 求得B[110]
16
例2 Al单晶(fcc)衍射花样,K=15.21mmÅ , 标定电子衍射谱
尝试-校核法 标准衍射花样对照法
6
尝试-校核法标定斑点花样
O
7
确定斑点所属的晶面
测量不在一条直线上的 R4 衍射斑点到透射斑点之 h2k2l2 间的距离R1,R2,R3,…Rj, h3k3l3 2 以及R 2/R 2;利 计算 R j 1 R2 R3 用R2比值递增规律确定 O R1 h1k1l1 点阵类型,以及斑点所 属的晶面族指数{hkl};
113 222 004 133 024
HKL 111
002
022
d
2.338 2.025 1.432 1.221 1.169 1.012 0.929 0.906
28
3
2
1
假定斑点1为(111),尝 试斑点2 (-3 3 1) , f= 820,相符; R3= R2-R1,斑点3为(420); 同理,推出其它点指 数。 求出晶带轴指数 [uvw]

29
R3
R1
h1k1l1
u=k1l2-k2l1
v=l1h2-l2h1 w=h1k2-h2k1
12
例1 低碳合金钢基体的电子衍射花样
13

确定斑点所属的晶面族指数{hkl}
选中心附近A、B、C、D 四斑点, 测得RA=7.1mm,RB= 10.0mm,RC=12.3mm,RD =21.5mm 求得R2比值为2:4:6: 18,表明样品该区为体 心立方点阵 A、B、C、D四斑点分别 属于{110},{200}, {211},{411}
反复尝试验证 , 确定 满足上式的(h2k2l2) .
10
h4k4l4
h2k2l2
R2 O
R4 h3k3l3
R3 R1
h1k1l1
由矢量叠加原理, 得到所有斑点的指数 ( hkl); 根据斑点指 数计算 R 之间的夹角, 与测量结果进行对比 验证。如果结果吻合, 标定正确;反之重新 尝试 h,k,l ,重复上 述过程。
r1 *
r2 *
零层倒易平面 (uvw)0*
3
偏离矢量与倒易点阵扩展


针状
4
2 s0 s G y G’
r*
O*
厄瓦尔德球
s-s0=r*+y
薄晶的倒易点拉长为倒易杆产生衍射 5
2.单晶电子衍射花样的分析
斑点花样标定可以得到如下结果:可
确定斑点的晶面指数(hkl) ;晶带轴 方向[uvw];样品的结构类型;晶面间 距;物相;位向;等等 主要方法:
19
也可假定斑点1为
花样指数标定的结果
确定晶带轴指数 [uvw]
u=k1l2-k2l1
v=l1h2-l2h1
w=h1k2-h2k1
[uvw]=[123]
20
单晶花样指数化的不唯一性
[-1 –2 3] [-1 –2 3]
[111]
[-1 –1 -1]
-4 2 0
-3 3 1
4 -2 0
3 -3 -1
2
17
确定斑点所属的晶面指数{hkl}
3
R3
斑点
2
R 6.5 16.4 16.8
R2 6.52 16.42 16.82
N 3 19 20
{hkl} 111 133 024
18
1
1
2 3
确定衍射斑点的指数(hkl) 假定斑点1为(111),尝试斑点 2 (133) ,代入晶面夹角公式
{133} R3
{024} 3
2
cos
h1h2 k1k2 l1l2 h12 k12 l12 h22 k22 l22
=82。 {111}
1
得f≠820,不符;若选斑点2 (-3 3 1) , f=820,相符; R3= R2-R1 , 斑 点 3 为 (-420) ; 同理,推出其它点指数。
23
(100)*晶带 体心立方晶体的低指数晶带电子衍射图
24
(111)*晶带 体心立方晶体的低指数晶带电子衍射图
25
查表法—用d值表
当样品结构已知时,可根据其标准d值表 标定花样指数。
26
用d值表标定花样指数 测量R1,R2,R3和R1,R2间夹角ø ; 用电子衍射公式Rd=Lλ计算相应的d1, d2,d3; 查相应的d值表,查找与d1, d2,d3对应的 {h1k1l1},{h2k2l2}, {h3k3l3}; 根据晶面夹角公式得出斑点的晶面指数 (h1k1l1),(h2k2l2), (h3k3l3); 根据矢量叠加原理,标定所有斑点的指数; 求出晶带轴指数[uvw]
3 –3 1
2 –4 0
-1 –1 -1
111
111
-1 -1 -1
1 –1 -1
2 0 0
-2 4 0
-3 3 -1
B=[0 –1 1]
B=[-2 –1 3]
22
2.单晶电子衍射花样的分析
标准衍射花样对照法
如果我们预先画出各种晶体点阵主要晶带的倒 易截面,以此作为不同入射条件下的标准花样, 则实际观察、记录到的衍射花样,可以直接通 过与标准花样的对照,写出斑点指数并确定晶 带轴方向。
111 -1 –1 -1 3 -3 -1 4 -2 0
111
-1 -1 -1
B=[-1 –2 3]
-3 3 1 -4 2 0 B=[-1 –2 3] 21
º [0 –1 1] 19.1 [-1 –2 3]
[-2 –1 3]
21.8º
[-1 –2 3]
[111]
[-1 –1 -1]
-2 0 0
-1 1 1
11
任取不在一条直线上
的两斑点确定晶带轴 指数 [uvw];
h 4 k 4 l4 R4 h 2 k 2 l2 R2 O h 3 k 3 l3
H1u K1v L1w 0 H 2u K 2 v L2 w 0
u:v:w K1 K2 L1 L2 L2 : L1 H1 H2 H2 : H1 K1 K2
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