硅晶振 集成 芯片
MEMS晶振与石英晶振的比较分析
４００－８８８－２４８３MEMS硅晶振VS石英晶振（连载一）之前言好久没写点东西了，最近抽空写了篇《MEMS硅晶振VS石英晶振》（连载），文章从石英晶振基础开始讲，涉及到石英晶振的生产工艺、以及MEMS硅晶振的详细介绍。
并对两个者进行了相关比较。
意在让大家更多的了解些新的产品技术，当然也推一下产品哈。
下面写一下目录：一、认识石英晶振二、石英晶振的工艺三、石英晶振的危机四、STIME MEMS硅晶振五、STIME MEMS硅晶振的十二大优势六、SITIME MEMS硅晶振的七大种类产品七、SITIME MEMS硅晶振的机会八、SITIME MEMS硅晶振专业推广商---北京晶圆简介九、后记MEMS硅晶振VS石英晶振（连载二）之认识石英晶振其实石英晶振这种说法本身并不十分准确，但长久以来大家已经形成了习惯，那就这样写呵。
石英晶振大体可以分为有源与无源两大种类，我们分别介绍一下：首先是无源晶振，无源晶振也叫晶体、谐振器。
英文名称是：crystal或Xtal。
无源晶振是大陆的叫法，其主要由石英晶片、基座、外壳、银胶、银等成分组成。
根据引线状况可分为直插（有引线）与表面贴装（无引线）两种类型。
现在常见的主要封装型号有HC-49U、HC-49S、UM-1、UM-4、UM-5与SMD。
其工作时，自身不能产生振荡，需借外围电路（电容）配合才可产生振荡。
常见的形状如下图所示：同样，有源晶振也是大陆的叫法，又叫钟振、晶振、振荡器。
英文名称是：oscillator。
其除了石英晶片、基座、金属外壳、银胶、银等成分组成之外，还需要起振芯片（也叫线路）。
正是因为将振荡电路嵌入了产品之内，所以只要给其所需要的电压，便可以产生振荡。
基中压控振荡器（VCXO）、温补振荡器（TCXO）等也属于有源晶振的范畴。
一般普通的有源晶振都是四脚表贴的，常见的主要封装型号有7050、5032、3225、2520。
如下图所示：目前国内很少有能生产2520封装尺寸的振荡器厂商。
硅光子集成电路
硅光子集成电路
硅光子集成电路（Silicon Photonic Integrated Circuit，简称SiPh IC）是一种利用硅基材料制造的集成电路，旨在实现光子和电子设备的集成。
它涵盖了多种光电子元件，例如激光器、调制器、光检测器、波导器等，可以实现复杂的光通信和信息处理功能。
硅光子集成电路的制造使用了类似于传统CMOS电路制造的工艺。
该工艺首先在硅衬底上开刻出各种工作区域，然后在这些区域内进行多层蒸镀和光刻工艺，最终形成三维结构。
由于硅基材料具有良好的光学特性、热特性和生产成本低等优点，它可以被广泛用于制造光子集成电路。
硅光子集成电路优势包括：
1. 高速：与传统电连接电路相比，硅光子集成电路具有更高的速度和带宽。
2. 低能耗：相同带宽下，硅光子集成电路的能耗更低。
3. 集成度高：硅光子集成电路将多种光电子元件进行集成，可以实现更加紧凑的电路板，占用更少的空间。
硅光子集成电路具有广阔的应用前景，例如高速数据传输、光路由、数据中心、医学成像和传感器等。
相信随着科技的进步，硅光子集成电路将会得到更加广泛的应用。
晶振芯片的作用
晶振芯片的作用
嘿，朋友们！今天咱来聊聊晶振芯片，这玩意儿可真是个神奇的小宝贝呀！
你想想看，晶振芯片就像是电子产品的心跳起搏器。
没有它，那些电子设备不就跟丢了魂似的，啥也干不了啦！它就像是一个精准的节拍器，稳定而有节奏地为整个电路系统提供着时钟信号。
比如说咱每天都离不开的手机吧，要是没有晶振芯片，那手机还能那么顺畅地运行各种程序吗？肯定不行呀！它就没法准确地知道什么时候该干啥，说不定屏幕一会儿亮一会儿暗，操作起来也变得慢吞吞的，那多闹心呀！晶振芯片在这儿就起着至关重要的作用，让手机的一切都变得有条不紊。
再看看电脑，那可是我们工作和娱乐的好帮手。
要是没有晶振芯片，电脑不就跟没头苍蝇似的乱撞啦？屏幕显示没准都会变得怪怪的，操作起来也会变得磕磕绊绊。
晶振芯片就像是一个幕后的小英雄，默默地保障着电脑的正常运转。
还有那些智能家电，什么智能电视呀、智能音箱呀，都得靠晶振芯片来保持它们的“聪明才智”呢！要是没了它，这些家电可能就变得傻乎乎的，该响应的时候不响应，不该出声的时候乱出声，那可咋整呀！
你说晶振芯片这东西神奇不神奇？它虽然小小的，不起眼，但却有着大大的能量！它就像是一个低调的大师，在背后默默地掌控着一切。
咱生活中的各种电子设备都离不开晶振芯片呀，它就像是电子世界的基石一样。
没有它，这个电子世界不就乱套了吗？它让一切都变得有序，变得可靠。
所以说呀，可别小瞧了这小小的晶振芯片，它可是有着大作用呢！咱得好好珍惜它，感谢它为我们的生活带来的便利和精彩呀！它真的是太重要啦！
原创不易，请尊重原创，谢谢!。
晶振电路知识讲解之晶体参数详解
晶振电路知识讲解之晶体参数详解1. 晶振与晶体的区别晶振是有源晶振的简称，又叫晶体则是无源晶振的简称，也叫（无源）一般是直插两个脚的无极性元件，需要借助（有源）一般是表贴四个脚的封装，内部有时钟电路，只需供电便可产生振荡信号。
一般分7050、5032、3225、2520几种封装形式。
2. MEMS硅晶振与石英晶振区别MEMS硅晶振采用硅为原材料，采用先进的半导体工艺3. 晶体谐振器的等效电路4. 关键参数4.1 标称频率4.2 调整频差4.3 温度频差在整个温度范围内工作频率相对于基准温度时工作频率的允许偏离。
常用ppm表示。
4.4 老化率指在规定条件下，由于时间所引起的频率漂移。
这一指标对精密晶体是必要的，但它“没有明确的试验条件，而是由制造商通过对所有产品有计划抽验进行连续监督的，某些晶体元件可能比规定的水平要差，这是允许的”（根据IEC的公告）。
老化问题的最好解决方法只能靠制造商和用户之间的密切协商。
4.5 谐振电阻（Rr）指晶体元件在谐振频率处的等效电阻，当不考虑C0的作用，也近似等于所谓晶体的动态电阻R1或称等效串联电阻(ESR)。
这个参数控制着晶体元件的品质因数，还决定所应用电路中的晶体振荡电平，因而影响晶体的稳定性以致是否可以理想的起振。
所以它是晶体元件的一个重要指标参数。
一般的，对于一给定频率，选用的晶体盒越小，ESR的平均值可能就越高；绝大多数情况，在制造过程中并不能预计具体某个晶体元件的电阻值，而只能保证电阻将低于规范中所给的最大值。
4.6 负载谐振电阻（RL）指晶体元件与规定外部电容相串联，在负载谐振频率FL时的电阻。
对一给定晶体元体，其负载谐振电阻值取决于和该元件一起工作的负载电容值，串上负载电容后的谐振电阻，总是大于晶体元件本身的谐振电阻。
4.7 负载电容（CL）与晶体元件一起决定负载谐振频率FL的有效外界电容。
晶体元件规范中的CL是一个4.8 静态电容（C0）等效电路静态臂里的电容。
Sitime MEMS硅晶振介绍
Confidential
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硅晶振内部框图/温度补偿
Programmable Oscillator
MEMS Resonator
VDD
Oscillator
5MHz
Frac-N PLL
CLK
(1~800MHz)
Prog. frequency Temperature Sensor GND A/D Digital Temperature Compensation
OSC、震盪器、晶振、 有源晶振
長晶
切割 清洗、抛光
披银
測試 校正
封装、黏贴 氮气密封
老化 测试
测试 筛选
打标
卷带封装
自日系起振芯片厂商采购起振芯片以及基座
Confidential
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石英振荡器与MEMS硅晶振的区别
石英振荡器
• • • 石英切割组合简单三极管电路，易受环境 影响（湿度、温度、震动等） 金属封装，存在气密性问题 人工切割，人工的参与质量不稳定，产能 扩充困难，每一个频点需要不同的晶片
SiTime整合 8 个供应商
Confidential
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SiTime MEMS时脉产品价值和优势
SiTime可编程 MEMS振荡器
交货期 质量
库存管理及风险
２-4周 全自动生产，质量稳定
只需2-4周存货，节省库存成本
传统固定频率 石英振荡器
８－１6周 人工切割，质量受工人素质影响
进货周期长，需存货不同频点，电压，等
SiTime 全硅 MEMS 时钟方案
可靠性更高、任意频点可编程、成本更低
Confidential
SiTime 概览
• 美国硅谷VC投资Fabless IC创业公司具有业界 唯一量产，Bosch验证成熟的MEMS时脉技术及 最小，最薄的封装（<0.30um) 2007年三季量产，无一客户产品质量问题 高性能可编程MEMS时脉产品支持低抖动，高 频率，展频，低功耗，差分输出，多锁相环 (PLL)、多输出频率等功能 在九大应用领域里(网通,通讯,消费,服务器等） 超过800个客户,1500个计划进行测试或量产 与石英振荡器比较,超短交货期(2周),24小时克 制化样品,10倍的质量稳定性及无温飘的烦恼 业界标准封装，焊接管脚，直接替代石英组件 全球硅机电时钟领导者，年出货超越三千五百 万，并以指数快速增长。
SiTime MEMS硅晶振增强基于FPGA的系统
SiTime MEMS硅晶振增强基于FPGA的系统摘要如今的FPGA 是包含许多功能块的复杂系统，并且经常使用多个时钟来驱动不同的块。
系统设计人员必须决定如何结合外部振荡器和内部资源以实现最佳时钟树设计。
本文将讨论当今可用于满足时钟速度和抖动要求的选项，重点是SiTime可编程MEMS振荡器作为基于FPGA 的系统的时序参考。
主题包括高分辨率频率选择带来的灵活性、EMI 降低技术和基于FPGA 的抖动清除器。
1 简介复杂的FPGA 包含大量功能块或单元，它们需要相互通信以执行广泛的复杂操作。
除了基本的逻辑阵列，FPGA 还包括内部存储器(RAM)、DSP 模块、处理器、锁相环(PLL) 和延迟锁定环(DLL)，用于时序生成、标准I/O、高速数字收发器和并行接口（PCI、DDR 等）。
许多设计使用多个时钟来驱动不同的模块，每个模块可能需要不同的频率。
这些时钟通常使用外部振荡器和内部PLL 和DLL 的组合生成，具体取决于时钟速度和抖动要求。
某些功能的时钟速度由应用决定，而设计人员可以为系统的其他部分选择频率。
2 多个时钟频率与I/O 接口相关的时钟需要以行业标准频率运行，以确保不同系统之间的互操作性。
示例包括PCI Express 的100 MHz、SATA 的75 MHz 或PCI 的33.333 MHz。
用户通常可以选择驱动处理器或状态机引擎的时钟频率。
这种灵活性允许设计人员选择优化速度、功率或资源使用的频率。
在优化速度时，使用尽可能高的频率来最大化每秒的操作数似乎很简单。
然而，时钟周期抖动必须足够低，以便最小时钟周期大于设计中的关键时序路径。
FPGA 中的内部PLL 可用于从较低频率的外部参考振荡器合成较高频率的时钟。
如果PLL 具有高频率分辨率和低抖动，这可能是一种有效的频率选择方法。
当由简单的外部振荡器驱动时，低噪声、小数N 分频PLL 可以满足大多数规范。
然而，许多FPGA 使用带有环形压控振荡器(VCO) 的整数PLL，因为它们易于设计且功耗极低。
硅基光互连芯片技术-概述说明以及解释
硅基光互连芯片技术-概述说明以及解释1.引言1.1 概述概述部分的内容可以从以下几个方面进行叙述：硅基光互连芯片技术作为一种新兴的通信技术，在信息传输领域具有广阔的应用前景。
它是利用硅材料的特性和光学器件的优势，将数据通过光信号传输，实现高速、大容量的数据传输。
硅基光互连芯片技术的出现，使得电信、数据通信、云计算等领域的通信速度和性能有了质的飞跃。
本文旨在介绍硅基光互连芯片技术的基本原理、特点以及应用领域等方面的内容。
首先，我们将详细阐述硅基光互连芯片技术的工作原理和基本构成，包括硅材料的特性、光学器件的结构以及光传输的原理等。
通过对硅基光互连芯片技术的介绍，读者将了解到硅基光互连芯片技术在实现高速传输和大容量数据处理方面的优势。
其次，我们将探讨硅基光互连芯片技术在通信领域的应用。
由于硅基光互连芯片技术具有低能耗、高速度和高集成度的特点，它可以应用于数据中心内部连接、片上网络、高性能计算等领域。
在这些应用领域中，硅基光互连芯片技术可以提供更快的数据传输速度和更高的带宽，满足现代通信系统对于高速、高带宽的要求。
最后，我们将对硅基光互连芯片技术的前景进行展望。
随着信息技术的不断发展，智能手机、物联网、人工智能等新兴领域的快速发展，对通信速度和处理能力的要求越来越高。
硅基光互连芯片技术将能够满足这些需求，并为未来的通信技术发展提供更加可靠和高效的解决方案。
通过对硅基光互连芯片技术的概述，读者将对该技术有一个初步的了解，并能够进一步深入学习和研究其原理和应用。
详细的介绍将在下文的内容中逐一展开。
1.2 文章结构文章结构的设计对于一篇长文的组织和呈现非常重要。
一个清晰的结构可以帮助读者更好地理解文章的内容，并且使得整篇文章更具逻辑性和连贯性。
本文将按照以下结构展开：1. 引言：在引言部分，我们将简要介绍硅基光互连芯片技术的背景和意义。
硅基光互连芯片技术作为集集电、光、热一体的新一代互连技术，具有重要的应用前景和市场需求。
不同晶振分类
晶振分类1.陶瓷晶振陶瓷晶振是属于压电材料频率元件，常规分为两种压电材料，1）压电陶瓷材料，2）压电石英材料。
陶瓷晶振别名又叫陶振；在中国晶振厂家经常这样叫法。
陶瓷晶振是根据他内部的芯片采用的“压电陶瓷芯片材料”而得名，封装一般采取塑封外形尺寸为7.5*9*3.5（单位：毫米），代表产品：455KHZ系列；还有一种是采取环氧树脂和酚醛混合物作为包封材料，经过高温固化形成为硬质陶瓷材料的外壳，一般为棕色和蓝色，代表产品：ZTT4.0MHZ。
频率精度按照国际通用标准表示为：千分之三和千分之五2.石英晶振石英晶振就是用石英材料做成的石英晶体谐振器，俗称晶振。
起产生频率的作用，具有稳定，抗干扰性能良好的特性，广泛应用于各种电子产品中。
3.硅晶振MEMS振荡器，俗称：硅晶振。
是一种采用半导体标准半导体工艺制程，将先进的MEMS 微机电系统（Micro-Electro-Mechanical System）与CMOS电路技术相结合的高性能全硅时钟频率元件，彻底解决有人工大量参与生产的石英振荡器稳定性不高，频率有限，尺寸较大，品质一致性差，易停振、不起振、温漂大、备货时间长，并且受材料特性限制产能等一系列问题。
2.1石英晶振2.1.1有源晶振在电子学上，通常将含有晶体管元件的电路称作“有源电路”(如有源音箱、有源滤波器等)，而仅由阻容元件组成的电路称作“无源电路”。
电脑中的晶体振荡器也分为无源晶振和有源晶振两种类型。
无源晶振与有源晶振的英文名称不同，无源晶振为crystal(晶体)，而有源晶振则叫做oscillator(振荡器)。
无源晶振是有2个引脚的无极性元件，需要借助于时钟电路才能产生振荡信号，自身无法振荡起来，所以“无源晶振”这个说法并不准确;有源晶振有4只引脚，是一个完整的振荡器，其中除了石英晶体外，还有晶体管和阻容元件，因此体积较大。
石英晶体振荡器的频率稳定度可达10^-9/日，甚至10^-11。
例如10MHz的振荡器，频率在一日之内的变化一般不大于0.1Hz。
硅基光电芯片
硅基光电芯片硅基光电芯片是一种利用硅基材料作为光电元件的核心部件，通过在硅基材料上生长电极、光接收层和电光转换层，实现光电信号的转换和放大。
相比传统光学芯片，硅基光电芯片具有更高的集成度和更低的功耗。
硅基光电芯片的核心部件是硅基光电二极管（SiO2/GeO2光电二极管），它是一种具有极高光电转换效率的半导体器件。
硅基光电二极管是由p型半导体和n型半导体组成的，两种半导体通过应变制冷的工艺形成耗尽态，形成一个p-n结。
在光照下，p-n结产生电荷，形成一个电流，从而实现光电信号的转换。
硅基光电芯片的电极结构通常采用平衡电容电极结构，包括一个n 型半导体、一个p型半导体和一个中心电极。
电极之间通过扩散实现p-n结的形成，从而形成一个耗尽态的半导体器件。
这种结构具有极高的光电转换效率，可以在低光照强度下将光信号放大100倍。
硅基光电芯片的光接收层采用GeO2材料作为光电接收材料的基底，通过隧穿效应实现电光转换。
在光照下，GeO2中的Ge离子被光子激发，产生电子空穴对，这些电子空穴对与GeO2中的Ge离子形成一个电子-空穴对，实现电光转换。
通过这种结构，硅基光电芯片可以在低光强度下将光信号放大50倍。
在电光转换过程中，由于GeO2的截止电压较高，可以有效地将大部分光信号耗散掉，从而提高硅基光电芯片的光电转换效率。
此外，GeO2还可以形成一个耗尽态半导体器件，使得硅基光电芯片具有更低的功耗和更高的集成度。
总之，硅基光电芯片是一种具有极高光电转换效率的半导体器件，可以在低光强度下实现信号的放大和光电信号的转换。
随着科学技术的不断发展，硅基光电芯片在光学通信、生物医学、智能交通等领域具有广泛的应用前景。
晶振和芯片工作频率
晶振和芯片工作频率
晶振，全称为“晶体振荡器”，在电路中起到产生振荡频率的作用。
它是单片机的心脏，为单片机提供时钟驱动，使单片机能够持续工作，并控制着计算机的工作节奏。
晶振有多种频率，如32.768kHz、1MHz、2MHz、4MHz、8MHz、12MHz等。
芯片则是在特定的时钟频率下工作的。
例如，电脑主板上的晶振有几种类型，它们都与不同类型的芯片相连，并为这些芯片提供所需的工作频率：
•时钟晶振：与时钟芯相连，频率为14.318MHz，其输出的频率信号源是主板上几乎所有频率的基础。
•实时晶振：与南桥相连，频率为32.768kHz。
•声卡晶振：与声卡芯片相连，频率为24.576MHz。
•网卡晶振：与网卡芯片相连，频率为25.000MHz。
这些晶振的正常工作电压也有所不同，例如时钟晶振的正常工作电压为1.1~1.6V，实时晶振为0.4V左右，声卡晶振和网卡晶振则为1.1~2.2V。
如果晶振损坏，相应的芯片功能可能会受到影响，甚至导致主板无法正常工作。
晶圆级芯片硅基板
晶圆级芯片硅基板
晶圆级芯片硅基板是一种高纯度硅单晶片，广泛应用于半导体芯片的制造。
它是半导体材料中最重要的材料之一，具有优异的电学和机械性能。
硅基板的结构和完美的晶体结构，可以提供一个理想的平台来制造高质量的电子设备。
晶圆级芯片硅基板的生产过程十分严格，必须在超洁净的环境下进行。
它的制造需要从高纯度硅块中拉出一根长丝，然后割成片状。
这些薄片要经过多次的研磨和抛光，以获得平整的表面和一致的厚度。
硅基板的表面还需要被处理成一种特殊的结构，以便在制造芯片时提供更好的附着力。
晶圆级芯片硅基板的质量对于芯片的性能影响巨大。
它的晶体结构和纯度必须达到极高的标准，以确保芯片的稳定性和可靠性。
此外，晶圆级芯片硅基板的物理和电学特性也必须非常均匀，以确保芯片的性能一致性。
总的来说，晶圆级芯片硅基板是半导体芯片制造中不可或缺的材料。
它的高纯度、优异的电学和机械性能，以及严格的生产过程，使得硅基板成为了半导体行业的基石。
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硅芯片拆解：早期 555 定时器芯片内部一览
555定时器如果你玩过电子电路，你大概率是知道 555 定时器集成电路的，据说是世界上最畅销的集成电路，已售出数十亿。
由模拟 IC 奇才 Hans Camenzind 设计的555 被称为有史以来最伟大的芯片之一。
一个带有 Signetics 标志的 8 针 555 定时器。
它没有 555 标签，而是标有“52B 01003”和 7304 日期代码，表示 1973 年的第 4 周。
乏味地打磨环氧树脂封装以露出芯片（下图），并确定芯片是 555 定时器。
Signetics 在 1972 年年中发布了 555 定时器，下面的芯片有一个 1973 年 1 月的日期代码（7304），所以它一定是最早的 555 定时器之一。
奇怪的是，它没有标为 555，所以它可能是原型或内部版本。
我拍摄了详细的模具照片，在这篇博文中进行了讨论。
555 定时器的封装被打磨，露出硅芯片，中间的小方块。
简要说明555 定时器有数百种应用，从定时器或锁存器到压控振荡器或调制器的任何操作。
下图说明了 555 定时器如何作为一个简单的振荡器工作。
在 555 芯片内部，三个电阻形成一个分压器，产生 1/3 和 2/3 的电源电压的参考电压。
外部电容器将在这些限制之间充电和放电，从而产生振荡。
更详细地说，电容器将通过外部电阻器缓慢充电 (A)，直到其电压达到 2/3 参考电压。
在该点 (B)，上（阈值）比较器关闭触发器并关闭输出。
这会打开放电晶体管，使电容器 (C) 缓慢放电。
当电容器上的电压达到 1/3 参考电压 (D) 时，较低（触发）比较器打开，设置触发器和输出，循环重复。
电阻器和电容器的值控制时间，从微秒到几小时。
显示 555 定时器如何作为振荡器工作的图表。
在 555 定时器的控制下，外部电容器通过外部电阻器进行充电和放电。
总而言之，555 定时器的关键组件是检测电压上限和下限的比较器、设置这些限制的三电阻分压器以及跟踪电路是充电还是放电的触发器。
硅光芯片知识点总结
硅光芯片知识点总结一、硅光芯片的基本原理硅光芯片是利用硅材料制作的光电子元件，它利用了硅的半导体特性和光学特性，实现了光子与电子之间的耦合。
硅材料本身是一种优良的半导体材料，它的电学性能十分稳定，而且可以通过控制材料的成分和结构来调节光学性能。
因此，硅材料非常适合用来制作光电子元件。
硅光芯片的基本原理是利用硅材料的等离子共振（Plasmon Resonance）效应和非线性光子效应来实现光的操控和调制。
等离子共振效应是指当金属或半导体纳米结构中的自由载流子与光子相互作用时，会产生共振现象，使得光子的能量被转换为电子能量或者反之。
而非线性光子效应则是指当光子与介质中的原子或分子相互作用时，会产生非线性的光学响应。
通过这些效应，硅光芯片可以实现光的调制、放大、滤波等功能。
硅光芯片的另一个重要原理是利用微纳米结构来实现光子的传输和调控。
微纳米结构包括光波导、光栅、光阱、耦合器等元件，它们可以有效地控制光子的传输和波长选择，从而实现光的分布和调制。
二、硅光芯片的结构与工艺硅光芯片的结构包括光源、光调制器、光放大器、光滤波器等几个重要部分。
其中，光源是产生光子的设备，通常采用激光二极管或者等离子共振器。
光调制器是利用电场或者光场来调控光子的强度和频率的装置，通常采用木排极化调制器或者马赛克调制器。
光放大器是将光子的能量转换为电子能量的装置，通常采用掺杂式放大器或者分布式反馈激光器。
光滤波器是将特定波长的光子滤出的装置，通常采用阵列波导光栅或者光栅滤波器。
硅光芯片的制作工艺是一种复杂的光电子集成制备技术，它包括了多种材料的沉积、光子器件的制作、光子器件的测试等多个步骤。
一般来说，硅光芯片的制备流程包括了SOI(Silicon on Insulator)晶圆的制备、光波导的制备、光子器件的模拟与设计、光子器件的制作与沉积、器件的测试与包装等几个关键步骤。
SOI晶圆的制备是利用硅晶片和绝缘层晶片组成的双层结构，它可以在硅层上进行光波导的制作和光子器件的沉积。
SITIME硅晶振SiT3921数控振荡器规格书
Parameter Storage Temperature VDD Electrostatic Discharge Soldering Temperature (follow standard Pb free soldering guidelines) Program Retention over -40 to 125°C, Process, VDD (0 to 3.65V) Min. -65 -0.5 – – 1,000+ Max. 150 4 2000 260 – Unit °C V V °C years
Thermal Consideration
Package 7050, 6-pin 5032, 6-pin 3225, 6-pin
JA, 4 Layer Board
(°C/W) 142 97 109
JC, Bottom
(°C/W) 27 20 20
Environmental Compliance
Parameter Mechanical Shock Mechanical Vibration Temperature Cycle Solderability Moisture Sensitivity Level Condition/Test Method MIL-STD-883F, Method 2002 MIL-STD-883F, Method 2007 JESD22, Method A104 MIL-STD-883F, Method 2003 MSL1 @ 260°C
晶振晶片的工艺流程
晶振晶片的工艺流程晶振晶片（Crystal oscillator chip）是一种电子元件，用于产生稳定的高频时钟信号，广泛应用于各种电子设备中。
晶振晶片的工艺流程可以分为以下几个步骤：1. 片基制备：晶振晶片的制备从选择合适的基片开始。
通常使用石英石作为基片，石英具有优异的机械和热学特性，能够提供稳定的振荡频率。
然后，在脱脂、清洗等工序后，将基片切割成合适的尺寸。
2. 衬底膜制备：在基片上制备衬底膜，通常使用化学蒸镀、溅射、离子束沉积等工艺。
衬底膜的主要作用是提高晶振晶片的机械强度和硬度，并提供良好的晶圆黏附性。
3. 结晶层生长：在经过衬底膜制备的基片上进行结晶层生长。
结晶层通常是以蒸镀或者溅射的方式进行，材料可以是金属、化合物或混合物。
结晶层的厚度和材料的选择对晶振晶片的振荡频率和性能有重要影响。
4. 掩膜制备：在结晶层上制备掩膜。
掩膜是根据晶振晶片的设计要求，在结晶层上形成排列有序的电极和电路图案。
制备掩膜通常采用光刻、溅射等技术，将光刻胶涂布在结晶层上，然后通过曝光、显影等步骤，形成所需的电路结构。
5. 金属电极制备：在掩膜上制备金属电极。
金属电极是晶振晶片用于输入和输出振荡信号的接触点。
金属电极通常通过蒸镀、溅射或电镀等工艺制备。
制备金属电极包括先进行金属表面处理，然后利用掩膜进行电极定义，最后剩余掩膜被去除。
6. 封装和测试：最后一步是对晶振晶片进行封装和测试。
封装是将制备好的芯片放置在合适的封装盒中，通常使用双引线封装或其他特定形式的封装。
封装完成后，通过仪器设备进行测试和调试，以确保晶振晶片的性能和稳定性。
总结起来，晶振晶片的工艺流程包括片基制备、衬底膜制备、结晶层生长、掩膜制备、金属电极制备、封装和测试等步骤。
这些步骤中每一步都十分关键，影响着晶振晶片的性能和质量。
通过不断的优化和改进，可以提高晶振晶片的工艺制程，提高产品的性能和可靠性。
晶振和芯片的关系
晶振和芯片的关系
嘿，咱今儿来唠唠晶振和芯片这对好搭档呀！你说这晶振就像是芯片的最佳拍档，那关系可铁了呢！
咱就拿乐队打个比方吧，芯片就像是乐队里的主唱，是绝对的主角，那光芒四射啊！而晶振呢，就好比是那个稳稳当当的鼓手，虽然不是最耀眼的，但没了它，整个节奏可就全乱套啦！晶振给芯片提供了稳定的时钟信号，就像鼓手给乐队打出了稳定的节奏一样，让芯片能够有条不紊地工作。
你想想看呀，如果没有晶振，芯片那不就抓瞎啦？就好比一个人走路没了方向感，东撞西撞的。
晶振就是那个给芯片指引方向的存在呀！它让芯片知道啥时候该干啥，一步一步稳稳当当的。
而且呀，晶振的种类还挺多，就像不同风格的鼓手一样。
有各种频率的晶振呢，它们就像是不同节奏的鼓点，适应着不同芯片的需求。
有些芯片需要快节奏的晶振，有些则需要慢悠悠的那种。
这多有意思呀！
你说芯片能离开晶振吗？那肯定不行呀！它们俩那是相互依存的关系。
晶振保证了芯片的正常运转，芯片呢，又让晶振的作用得到了充分的发挥。
这就像是鱼和水，谁也离不开谁呀！
咱再说说生活里，这不就跟咱人和好朋友一样嘛！好朋友能在你需要的时候给你支持和帮助，就像晶振给芯片提供稳定的信号。
你们一起面对困难，一起成长，多棒呀！
所以啊，可别小瞧了晶振这个小家伙，它虽然不大，但作用可大着呢！它和芯片的完美配合，才让我们的各种电子设备能够正常工作呀！没有它们，咱的手机、电脑啥的还不知道会变成啥样呢！
总之呢，晶振和芯片就是一对好伙伴，它们相互扶持，共同为我们的科技生活贡献着力量。
咱得好好感谢它们呀，让我们的生活变得这么丰富多彩，这么便捷高效！你说是不是呀？。
含集成电路的晶振
含集成电路的晶振
含集成电路的晶振是一种将晶体振荡器和集成电路集成在一起的电子元件。
它通常被用于各种电子设备中，如计算机、手机、家用电器、汽车电子等，以提供稳定的时钟信号。
含集成电路的晶振通常由一个石英晶体和一个集成电路组成。
石英晶体是一种具有高稳定性和高精度的振动元件，它可以产生稳定的机械振动，而集成电路则包含了晶体振荡器所需的电路，如振荡电路、放大电路、温度补偿电路等。
这些电路可以控制晶体的振动频率和振幅，并将其转换为数字信号输出。
含集成电路的晶振的优点是体积小、重量轻、稳定性高、精度高、可靠性高、成本低等。
它可以在宽温度范围内工作，并且具有良好的抗干扰性和抗震动性。
此外，含集成电路的晶振还可以通过编程来实现不同的频率输出，以满足不同应用的需求。
含集成电路的晶振的应用非常广泛，它可以用于各种数字电路和微控制器中，如时钟电路、定时器、计数器、串口通信等。
它还可以用于各种频率控制设备中，如无线电收发器、卫星通信设备、雷达设备等。
总之，含集成电路的晶振是一种高稳定性、高精度、高可靠性的电子元件，它在各种电子设备中都有广泛的应用。
PureEdge硅晶体振荡器时钟模块产品系列
PureEdge硅晶体振荡器时钟模块产品系列
佚名
【期刊名称】《今日电子》
【年(卷),期】2011(000)008
【摘要】NBX系列新增的6款器件具有双电压能力和同类领先的总频率稳定度（低至±20×10^-6），提供高性价比、高精度的参考时钟方案。
这些新器件符合路由器、交换机、服务器及基站等应用中最新2．5V／3．3V压正射极耦合逻辑（LVPSCL）设计的时钟产生要求。
【总页数】1页(P60-60)
【正文语种】中文
【中图分类】TN752.2
【相关文献】
1.安森美半导体推出用于电信、网络和消费应用的PureEdge高性能时钟产生器件[J],
2.安森美半导体推出新的PureEdge系列硅压控晶体振荡器（VCXO） [J],
3.PureEdge硅频率模块成为安森美时钟市场杀手锏 [J], 徐俊毅
4.PureEdge硅频率模块成为安森美时钟市场杀手锏 [J], 徐俊毅; Homey Xu
5.Silicon Labs Si5332产品系列替代时钟、振荡器、缓冲器和完整时钟树 [J],因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。