晶体三极管三极判断课件讲述

合集下载

三极管PPT教学讲义

收集载流
基区的少数载流子——ICBO
子
VBB
VCC
电流分配与控制 IE= IEN+ IEP 且有IEN>>IEP IEN=ICN+ IBN 且有ICN>>IBN IC=ICN+ ICBO
IB=IEP+ IBN－ICBO
IE =IC+IB
VBB
VCC
电流分配与控制
• 使晶体管具有电流分配与控制能力的两个重要条件
– ③集电结对非平衡载流子的收集作用漂移为主
4.1.3 三极管各电极的电流关系
集电极电流IC和发射极电流IE之间的关系定义:
ICN/IE
称为共基极直流电流放大系数。
表示集电极收集到的电子电流ICN与总发射极电流IE的比
值。ICN与IE相比，因ICN中没有IEP和IBN，所以的值小
于1, 但接近1，一般为0.98~0.999 。
BJT 结构
从外表上看两个N区,或两个P区是对称的,实际上: 发射区的掺杂浓度大,发射载流子集电区掺杂浓度低,且集电结面积大,收集载流子基区得很薄,控制载流子分配,其厚度一般在几个微米至几十
个微米.
+
BJT的三种组态
CB Common Base ：共基极,基极为公共电极
CE Common Emitter ：共发射极, 发射极为公共电极
强,IC增大. JC和JE都正偏, VCES约等于0.3V,
ic VCE=VBE
饱
6和放
区 4
大
区
2
IC< IB 0
饱和时c、e间电压记为VCES,深度饱和时VCES约等于0.3V.
截止区
246

优秀实用的三极管精品PPT课件

好。
• 2.三极管实现电流分配的原理
•
上述实验结论可以用载流子在
三极管内部的运动规律来解释。图1.29
为三极管内部载流子的传输与电流分配
示意图。
图1.29 三极管内部载流子的传输与电流分配示意图
•
（1）发射区向基区发射自由电
子，形成发射极电流IE。
•
（2）自由电子在基区与空穴复
合，形成基极电流IB。
极最大电流、最大反向电压等，这些参
数可以通过查半导体手册来得到。三极
管的参数是正确选定三极管的重要依据，
下面介绍三极管的几个主要参数。
• （1）共发射极电流放大系数β和β
•
它是指从基极输入信号，从集
电极输出信号，此种接法（共发射极）
下的电流放大系数。
–（2）极间反向电流
• ① 集电极基极间的反向饱和电流ICBO • ② 集电极发射极间的穿透电流ICEO
（d）三极管的集电极和发射极
近似短接，三极管类似于一个开关导通。
•
三极管作为开关使用时，通常
工作在截止和饱和导通状态；作为放大
元件使用时，一般要工作在放大状态。
SUCCESS
THANK YOU
2020/12/13
可编辑
26
• 2.三极管的主要参数
•
三极管的参数有很多，如电流
放大系数、反向电流、耗散功率、集电
这是三极管实现电流放大的内部条件。
•
三极管可以是由半导体硅材
料制成，称为硅三极管；也可以由锗
材料制成，称为锗三极管。
•
三极管从应用的角度讲，种
类很多。根据工作频率分为高频管、
低频管和开关管；根据工作功率分为
大功率管、中功率管和小功率管。常

三极管ppt课件完整版

常见故障现象及诊断方法
诊断方法
测量三极管的耐压值是否降低，观察电路是否有过载现象，若确认损坏则更换三极管。
故障现象3
三极管漏电流过大。
诊断方法
测量三极管的漏电流是否超过规定值，若过大则检查电路是否存在漏电现象，并更换三极管。
常见故障现象及诊断方法
故障现象4
三极管热稳定性差。
诊断方法
检查三极管的散热条件是否良好，测量其热稳定性参数是否在规定范围内，若异常则改善散热条件或更换适合的三极管型号。
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直流电源。
工作原理
共基放大电路的特点是输入回路与输出回路共用一个电极，即基极。输入信号加在三极管的发射极和基极之间，输出信号从集电极取出。由于共基放大电路的输入阻抗低，输出阻抗高，因此具有电压放大倍数大、频带宽等优点。
共集放大电路组成及工作原理
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直流电源。
真加剧。而截止频率则限制了三极管能够放大的信号频率范围。
03
三极管基本放大电路分析
共射放大电路组成及工作原理
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直流电源。
工作原理
利用三极管的电流放大作用，将输入信号放大并输出。输入信号加在三极管的基极和发射极之间，输出信号从集电极取出，经过耦合电容与负载相连。
共基放大电路组成及工作原理
偏置电路类型及其作用
固定偏置电路
01
提供稳定的基极电流，使三极管工作在放大区。
分压式偏置电路
02
通过电阻分压为基极提供合适的偏置电压，使三极管具有稳定
的静态工作点。
集电极-基极偏置电路
03
利用集电极电阻的压降为基极提供偏置电压，适用于某些特殊

三极管的结构及工作原理解读ppt课件

2
1
T
1
3
1
T
2
1
3
(a)
(b)
唐东自动化教研室
电子技术基础主编吴利斌
例2图所示的电路中，晶体管均为硅管,β=30，试分析各晶体管的
工作状态。解: （1）因为基极偏置电源+6V大于管子的导通电压，
故管子的发射结正偏，管子导通,基极电流：
+6V 5K IB
+10V 1K IC
-2V 5K IB
IC
10 0.3
+2V
9.7mIBA
5K
1K IC
因为IC ICS ,所以饱和
(a)
(b)
(c)
（2）因为基极偏置电源-2V小于管子的导通电压，管
子的发射结反偏，管子截止，所以管子工作在截止区。
(3)因为基极偏置电源++21V0V大于管子的导通电压+，10故V管
+10
子的发射结正偏,管子导通基极电流:：
UCC
继续增
增大大UUCCCC 0
U特U特C性EC性=E曲0=曲.15线VV线的的 UCE>1V的特性曲线
UBE /V
继续增大UCC使UCE=1V以上的多个值，结果发现：之后的所有输入特性几乎都与UCE=1V的特性相同，曲线基本不再变化。
实用中三极管的UCE值一般都超过1V，所以其输入特性通常采用UCE=1V时的曲线。从特性曲线可看出，双极型三极管的输入特性与二极管的正向特性非常相似。
电区而形成集电极电流IC 。之后即使UCE继续增大，集电极电流IC也不会再有明显的增加，具有恒流特性。
0
IB=0 UCE / V

第三讲晶体三极管

§2.2.3 三极管的主要参数
电流放大系数三极管的参数是用来表征管子性能优劣适应范围的，是选管的依据，共有以下三大类参数。
极间反向电流ICBO 、 ICEO
极限参数
• 极限参数：ICM、PCM、U（BR）CEO
最大集电极电流 c-e间击穿电压最大集电极耗散功率，PCM＝iCuCE
4.下列NPN型三极管各个极的电位，处于放大状态的三极管是（） A VC=0.3V，VE=0V， VB=0.7V B VC=-4V， VE=-7.4V，VB=-6.7V C VC=6V， VE=0V， VB=-3V D VC=2V， VE=2V， VB=2.7V 5.如果三极管工作在截止区，两个PN结状态（） A．均为正偏 B．均为反偏 C．发射结正偏，集电结反偏 D．发射结反偏，集电结正偏
三极管符号
结构特点：
基区很薄且杂质浓度很低；
发射区掺杂浓度高；集电区面积很大。
二．分类
（1）按半导体结构不同：NPN 型和 PNP 型。
（2）按功率分：小功率管和大功率管。
（3）按工作频率分：低频管和高频管。
（4）按管芯所用半导体材料分：锗管和硅管。
（5）按结构工艺分：合金管和平面管。
（6）按用途分：放大管和开关管。
放大区：发射结正向偏置，集电结反向偏置。
饱和区：发射结和集电结均正向偏置。
截止区：发射结电压小于开启电压，集电结在电路中的连接方式
共发射极连接共基极连接共集电极连接
三极管的特性曲线
概念
特性曲线是指各电极之间的电压与电流之间的关系曲线
输入特性曲线
输出特性曲线
（1）三极管的电流放大作用，实质上是用较小的基极电流信号控制集电极的大电流信号，是“以小控大”的作用。（2）三极管的放大作用，需要一定的外部条件。

晶体三极管与场效应管详解演示文稿

U11==64-V5.3，VV，U，2U=U222==V-21，V.8U，V3，=U23U=.37=5VV-，1.5V
第13页，共43页。
共射极NPN放大电路
进入基区少数电子和空穴复
结论：I =I +I 合，以及进入发射区的空穴
与电集子电复区合少而数载形E流成子电B流IBNC和
IC =ICN+集IC电BO结反发，偏射发结射正区偏多
UCE VCC IC RC 15 0.716103 5000 11.42(V )
③如果VBB=5V;RB=300kΩ,β=300 解答：
IB
VBB U BE RB
5 0.7 300000
0.01
IC IB 300 0.0143 4.29(mA)
I里IIBPEB了，空IC－－？B那穴O。么形扩复其成散漂它合移多运运电数流电动动子形去形哪成成的的电电C流流 IC－漂移运IB动ICB形O 成的电流JC
ICN
数载流子电子不断向基区扩散，形成扩散电流
IEN。
基区多数载
流子空穴不断向基区扩散，形成扩散电流
IEP。
B
RB IEP
VBB
IBP JE
集电极C
Collector
基极B 发射极E
Base Emitter
金属层
发射区：发射载流子集电区：收集载流子
基区：传送和控制载流子
P
N+
N-Si
N型硅片
（衬底）
第5页，共43页。
强化练习1
NPN型三极管
C
B E
基极 B
电符路号符号集电区的作用：
收集载流子
基区的作用：传送、控制载流子

《三极管基本知识》PPT课件

背景
三极管是电子电路中的重要元件，广泛应用于放大、开关、振荡等电路中。随着电子技术的发展，三极管的应用领域不断扩大，对电子工程师的要求也越来越高。
课程内容和结构
课程内容
本课程将介绍三极管的基本原理、结构、特性、参数以及应用等方面的知识。
课程结构
本课程将按照“由浅入深、循序渐进”的原则，先介绍三极管的基本概念和原理，然后逐步深入讲解三极管的特性和应用。具体内容包括：三极管的基本原理、结构和分类；三极管的放大原理和特性；三极管的参数和选型；三极管的应用电路和实例等。
输入特性曲线
输入特性曲线表示三极管在放大状态下，基极电流（Ib）与基极-发射极电压（Vbe）之
间的关系。
输入特性曲线与二极管的伏安特性曲线类似，呈指数关
系。
当Vbe较小时，Ib几乎为零，当Vbe超过一定值后，Ib随 Vbe的增大而迅速增大。
输出特性曲线
输出特性曲线表示三极管在放大状态下，集电极电流（Ic）与集电极-发射极电压（Vce）之间的关系。
工业控制领域
三极管在工业控制电路中也有着广泛的应用，如电机控制、
温度控制等。
消费电子领域
音响、电视、冰箱等消费电子产品中也需要使用三极管进行
信号放大或电路控制。
03
三极管结构与工作原理
三极管内部结构
掺杂浓度
发射区掺杂浓度最高，基区很薄且掺杂浓度最低，集电区掺杂浓度较高。
PN结
三极管内部包含两个PN结，分别是发射结和集电结。
三极管主要参数
01
02
03
电流放大系数
表示三极管对电流的放大能力，是判断三极管放大性能的重要参数。
极间反向电流
包括集电极-基极反向饱和电流和集电极-发射极反向饱和电流，反映了三极管的截止性能。

《晶体三极管的三极判断》说课稿

《晶体三极管的三极判断》说课稿一、说教材（一）教材分析《晶体三极管的三极判断》是电子工业出版社出版的由张大彪主编的《电子技术技能训练》第一章第六节二极管与三极管的判别和选用中的内容。

本节是电子元器件这章的重点内容之一。

本节内容是一个优秀的电子装配和维修人员必须熟练掌握的一项基本操作技能，对它的理讲解清晰与否，直接影响学生对后续专业课程的学习和生产产品的质量。

《电子技术技能训练》是《电子技术基础》的实训课程。

（二）学情分析中等职业学校的学生普遍存在学习基础较差、理解能力较弱、对理论学习不太感兴趣和实践操作较感兴趣，理论与实践往往脱节的现象。

由于三极管三极判断时用到PN结正反向电阻；NPN 、 PNP型和万用表的红、黑表笔等最容易混淆，所以很多同学学习这一节时感到很困难，按照书上方法一步一步地做可以判断出来，但离开课本就不行了。

有些同学死记硬背，现在可以但时间一长就混淆起来了。

我在三年级毕业班做了一个抽样调查，还能够迅速准确地判断三极管三极的不到四分之一，怎样让学生终生受益不忘记不混淆是我这节课的目的所在。

（三）教学目标鉴于上述原因,我确定了以下三个教学目标：1、知识与技能：①帮助学生理解判断三极管三极的步骤。

②帮助学生理解判断三极管三极原理，知其然还要知其所以然。

③帮助学生掌握快速准确判断方法。

2、过程与方法：提高学生理论指导实践的能力，提高动手操作能力。

3、情感、态度与价值观：激发学生学习这门课程的兴趣及热情,学以致用。

通过对本节教材的分析,我认为本节课的:（四）教学重点三极管三极的判断方法的理解（五）教学难点三极管三极的集电极C判断方法的理解二、说教法为了很好的实现上述教学目标，我采用了以下一些教学方法：1、参与教学法教学中把理论知识的学习与实践操作结合起来，提高学生学习热情，变被动为主动。

这样可以加强学生对知识的掌握。

2、探究启发式教学法采用提问的方式，通过做—思—导—做，引发学生讨论、思考，提高学生学习积极性。

三极管经典教程PPT课件

三极管符号
两种类型的三极管
2021
结构特点：
• 发射区的掺杂浓度最高； • 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； • 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且
掺杂浓度最低。
管芯结构剖面图
2021
三极管的电流分配与放大作用
正常放大时外加偏置电压的要求
be结正偏
bc结反偏
发射结应加正向电压（正向偏置）集电结应加反向电压（反向偏置）问：若为PNP管，图中电源极性如何？
线IB=0那条曲线- 所 +
e
对应的Y坐标的数值。
IC EO -
c b
uA
+
Ve C C
ICEO也称为集电极 I e = 0
ICEO
V CC
发射极间穿透电流。
2021
集电极最大允许电流ICM
三极管正常工作时集电极所
极
允许的最大工作电流
限
参数
集电极最大允许功率损耗PCM
PCM 值与环境温度有关，温度愈高，则 PCM 值愈小。当超过此值时，管子性能将变坏或烧
安全工作区
由ICM、V(BR)CEO、及PCM三个极限参数可画出三极管的安全工作区图。
2021
222
333
§2.2.4 三极管的模型
三极管的简化直流模型
BBB
CCC
BBB
CCC
BBB
IIBIBB
IICICC
CCC
00.07..77VVV
OOO.2..22VVV
00.07..77VVV
ββIβII BBB
2021
三极管三个电极间的分配关系

三极管教学ppt课件

为了规范事业单位聘用关系，建立和完善适应社会主义市场经济体制的事业单位工作人员聘用制度，保障用人单位和职工的合法权益
1.3.2 半导体三极管的工作原理
半导体半导体三极管有共有四种工作状态：
为了规范事业单位聘用关系，建立和完善适应社会主义市场经济体制的事业单位工作人员聘用制度，保障用人单位和职工的合法权益
1、发射区的电子大量地扩散注入到基区，基区空穴的扩散可忽略。
发射结正偏
集电结反偏
外电场方向
NP
N
++++
e ++++ ++++
+++
c + + +
++++ -
++++
IE
b
+++
UBB RB UCC RC
为了规范事业单位聘用关系，建立和完善适应社会主义市场经济体制的事业单位工作人员聘用制度，保障用人单位和职工的合法权益
很小的IB控制 IC IC = β IB
基极电流和集电极电流除直流分
量外还有交流分量，且iC = β iB。放大电路是在ui的作用下，改变iB，并通过iB控制直流电源供给集电极电流iC，使其产生相应的交流分量，并在足够大的RC上形成较大的电压降，就有了可供输出的经放大
的交流电压uo。
2.
一旦外界条件改变到
不4、再因满集电足结这反偏两，个集条电区件和，基则区形中成以少很上子小公在的结且式电与不场集作电再用结成下的立漂反移偏。，

三极管识别与检测ppt课件

如果你拿到一只三极管又无法查到它的参数，可以根
据它的外形来推测一下它的参数。目前小功率三极管最多
见的是TO-92封装的塑封管，也有部分是金属壳封装。它
们的PCM一般在100～500mW之间，最大的不超过1W。
它们的ICM一般在50～500mA之间，最大的不超过1.5A。
而其它参数是不好判断的。

20
小功率金属封装三极管，底视图位置放置，使三个引脚
构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e、 b 、c；
有管键的管子，从管键处按顺时针方向依次为e、国产中小功率塑封
三极管使其平面朝向外，半圆形朝内，三个引脚朝上放
置，则从左到右依次为e b c，其管脚识别图如图（b）
流IC上升会导致三极管的β下降，当β下降到正常值的2/3时，集电极电流即为ICM。 5.最大反向电压最大反向电压是指三极管在工作时所允许加的最高工作电压。最大反向电压包括集电极—发射极反向击穿电压UCEO、集电极—基极反向击穿电压UCBO以及发射极—基极反向击穿电压UEBO。 6.反向电流三极管的反向电流包括集电极—基极之间的反向电流ICBO和集电极—发射极之间的反向电流ICEO。
16
三、三极管的主要技术指标 1.电流放大系数β 电流放大系数是电流放大倍数，用来表示三极管放大能
力。根据三极管工作状态不同，电流放大系数又分为直流放大系数和交流放大系数。直流放大系数是指在静态无输入变化信号时，三极管集电极电流IC和基极电流IB的比值，故又称为直流放大倍数或静态放大系数，一般用hFE或β表示。交流电流放大系数也叫动态电流放大系数或交流放大倍数，是指在交流状态下，三极管集电极电流变化量与基极电流变化量的比值，一般用β表示。β是反映三极管放大能力的重要指标。

第4讲晶体三极管及场效应管

2. 绝缘栅型场效应管
增强型管
大到一定值才开启
高掺杂耗尽层空穴
衬底 SiO2绝缘层
反型层
uGS增大，反型层（导电沟道）将变厚变长。当反型层将两个N区相接时，形成导电沟道。
动画演示
增强型MOS管uDS对iD的影响
刚出现夹断
iD随uDS的增大而增大，可
uGD＝UGS（th）, 预夹断
变电阻区
夹断电压
在恒流区iD时 ID， O(UuGGSS(th)1)2 式中 IDO为uGS2UGS(t时 h) 的 iD
3. 场效应管的分类工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性
结型PN沟沟道道((uuGGS＞ S＜00，，uuDDS＜ S＞00)) 场效应管绝缘栅型耗增尽强型型 PPN N沟沟沟沟道道道道((((uuuuG GG GSS＜极 SS＞极00，性，性uu任 D任 DS＜ S＞意意 00)u)u，， DDS＜ S＞00))
区
区
低频跨导：
夹断区（截止区）
iD几乎仅决定于uGS
击穿区
夹断电压
gm
iD uGS
UDS常量
不同型号的管子UGS（off）、IDSS 将不同。
动画演示Байду номын сангаас
（1）可变电阻区
i
是uDS较小，管子尚未预夹断时
的工作区域。虚线为不同uGS是预夹
断点的轨迹，故虚线上各点
uGD=UGS(off)，则虚线上各点对应的 uDS=uGS-UGS(off)。
uDS的增大几乎全部用来克服夹断区的电阻
iD几乎仅仅受控于uGS，恒流区
用场效应管组成放大电路时应使之工作在恒流区。N 沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是什么？

第4讲晶体三极管

结构特点：内部条件
• 发射区的掺杂浓度最高；
• 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；
• 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。
++
管芯结构剖面图
基区很薄(几微米~几十微米) 发射区掺杂浓度最大
集电区的面积最大
C 集电极
集电结
N
B
P
基极
N
发射结
E
发射极
集电区：面积较大
基区：较薄， e b 掺c 杂浓度低
4.1.1 BJT结构简介
1. NPN型
集电极 c
N
基极 b
P
N
vCEvCBvBE 发射极 e
集电区集电结
基区发射结
发射区
c
b e
符号
4.1.1 BJT结构简介
1. PNP型集电极 c
集电区
基极 b
NP NN
P
集电结
c
基区
发射结 b
发射区
e
发射极 e
符号
vCEvCBvBE
4.1.2 放大状态下BJT的工作原理
___IIC B
1.5 37.5 0.04
IC 2.31.5 40
IB 0.06 0.04
在以后的计算中，一般作近似处理： =
2.集-基极反向截止电流ICBO
ICBO A
ICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。
3. 集-射极反向截止电流ICEO
集电结反 ICEO= (1+ ) ICBO
三极管内有两种载流子(自由电子和空穴) 都参与导电，
故称为双极型三极管BJT 。

晶体三极管特性课件

4
3
2
1
N
P
N 当基区的电子浓度增加到 4 时：集电极电流达到临界饱和：ICS 基区中电子积累所需时间：t r
电子浓度深饱临饱放大正偏
5
继续增加：当i b继续增加：发射结发射有余发射有余， IB≥IBS 时，发射结发射有余，集电极收集不足过剩电子在基区积累，收集不足。电极收集不足。过剩电子在基区积累， 4→5。如 4→5。这段时间就是存储时间 t s
t
0
t
VCC C1 RC
那么如何保证三极管可靠工作？ R1、R2、外加负偏压－VBB及Vi 外加负偏压－就依靠合理选择基极偏置电阻来保证。共同决定三极管工作状态，共同决定三极管工作状态，保证三极（设计问题）管在开关方波的作用下可靠工作于饱截止两种状态。当Vi = 0 时：画截止等效电路和、截止两种状态。
反相器负载有两种情况：流进反相器的电流叫灌流负载。记做 i OI 灌流负载。灌流负载流出反相器的电流叫拉流负载。记做 i op 拉流负载。拉流负载如何衡量反相器带负载能力？如何衡量反相器带负载能力？反相器在正常工作条件下：饱和状态：VO = 0.3V,反相器所允许最大灌电流IOCM是多少？ I 截止状态：VO = V CL，反相器所允许最大拉电流IOPM是多少？ I
VCC ic RC
iC = 0
icmax VCC = RC
vi
RB ib
vo
三极管开关和二极管开关一样，都存在开关惰性。三极管在作开关运用时，三极管饱和及截止两种状态不是瞬时完成。因为三极管内部存在着电荷建立和消散过程。
VI Vb 2 0 Vb1 t
iC
iCMAX

三极管的识别PPT课件

3DG12B NPN高频小功率硅三极管
3AD PNP低频大功率锗三极管
20
3DD6 NPN低频大功率硅三极管
3DK NPN硅开关三极管
3AX31 PNP低频小功率锗三极管
3CG PNP高频小功率硅三极管
表示IB控制IC的能力越强， IC/IB的比值我们用表示。
IC IB
值即为电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管
放大能力。
值越大，表示我晶体管的放大能量越强~
2021/3/12
13
2. 穿透电流（ ICEO）
穿透电流（ ICEO ）是指三极管基极（b）开路时集电极（c）与发射极（e）之间的反向电流（也叫c-e两极间的漏电电流）。
三极管的符号：
文字符号： VT
在电路中的符号：
c
c
b
b
2021/3/12
e
PNP型管
9
e
NPN型管
电源接法
c
iC
iB
VBB
VCC
iE
e
NPN型
b
iB
VBB
c
iC
VCC
iE
e
PNP型
1.电源极性不同 2.电流方向不同
2021/3/12
NPN，VC>VB>VE
PNP，VC<VB<VE NPN型电流从集电极流向发射极 PNP型电10 流从发射极流向集电极
晶体三极管
任务一、认识晶体三极管任务二、晶体三极管的特性参数任务三、晶体三极管的分类与命名任务四、晶体三极管的检测
任务一: 认识晶体三极管
神奇的三极管
如图1所示是一个扩音器的示意图：
声音信号转换为电信号声音