高玉良《电路与模拟电子技术》第2版,课后习题答案,第六章

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模拟电子技术基础2 6 7章课后答案

模拟电子技术基础2 6 7章课后答案

第二章 习题解答2-1 电话线路上的直流电压约为50V ,用于电话机通话时的直流电源。

话机内部电路对电压有极性的要求。

话机电路中有一个导向电路,如题2-1图所示。

外线与话机引线相接时不必考虑电压极性。

试说明其工作原理。

答:当外线与话机引线相接时,如果话机引线的上端接正、下端接负,则电源正端经过D 1,话机内的其他电路、D 4到电源负端,形成电流回路,此时二极管D 1、D 4正向导通,D 2、D 3截止。

如果话机引线的下端接正、上端接负,则电源正端经过D 2、话机内的其他电路、D 3到电源负端,形成电流回路。

由此或见,无论话机引线的上端接正还是下端接正,对于话机内的其他电路来说都符合对电压极性的要求,这就是导向电路所起的作用。

2-2 已知硅和锗PN 结的反向饱和电流分别为10-14A 和10-8A 。

若外加电压为0.25V 、0.45V 、0.65V 时,试求室温下各电流I ,并指出电压增加0.2V 时,电流增加的倍数。

解:根据式(1-2-4) ()1/-=T v v S e I I ,室温时mV V T 26≈对于硅PN 结:A I S 1410-=,则外加电压V0.25V 0.45V 0.65V TV V e/I14993.7A 10105.1-⨯3285 7556 AA μ33.0103.37=⨯-7.20×1010mAA72.0102.74=⨯-电压增加0.2V 时电流增加的倍数为倍219126/20026/2.0≈=mV mv mV V e e对于锗PN 结,A I S 810-=,则 外加电压V0.25V 0.45V 0.65V T V V e /14993.73285 7556 7.20×1010ImAA15.0105.14=⨯-A 33.0A 2102.7⨯电压增加0.2V 时电流同样增加2191倍。

2-3 在室温时锗二极管和硅二极管的反向饱和电流分别为1μA 和0.5pA ,若两个二极管均通过1mA 正向电流,试求它们的管压降分别为多少。

模拟电路第六章课后习题答案

模拟电路第六章课后习题答案

第六章习题与思考题◆◆习题6-1在图P6-1所示的的各放大电路中,试说明存在哪些反馈支路,并判断哪些是负反馈,哪些是正反馈;哪些是直流反馈,哪些是交流反馈。

如为交流反馈,试分析反馈的组态。

假设各电路中电容的容抗可以忽略。

◆◆习题6-3 在图P6-1所示的各电路中,试说明哪些反馈能够稳定输出电压,哪些能够稳定输出电流,哪些能够提高输入电阻,哪些能够降低输出电阻。

解:(a) ① R e1引入第一级的交直流负反馈,其中交流电流串联负反馈可稳定本级的工作电流,提高输入电阻,直流负反馈可稳定本级的静态工作点;② R e2和Ce也引入第一级的直流负反馈,可稳定本级的静态工作点;③ R e3引入第二级的交直流负反馈,交流电压串联负反馈可稳定输出电压,提高本级的输入电阻,降低输出电阻,而直流负反馈可稳定本级的静态工作点;④ R F和C F引入级间(整体)交流电压串联正反馈,故总体来说不能稳定输出电压或输出电流。

(b) ① R e1引入第一级的交直流负反馈,其中交流电流串联负反馈可稳定本级的工作电流,提高输入电阻,直流负反馈可稳定本级的静态工作点;② R e2和Ce引入第二级的直流负反馈,可稳定本级的静态工作点;③ R e3引入第三级的交直流负反馈,交流电流串联负反馈可稳定输出电流,提高本级的输入电阻,提高输出电阻,而直流负反馈可稳定本级的静态工作点;④ R F引入级间(整体)交直流负反馈,其中交流电流串联负反馈可稳定输出电流,提高输出电阻,提高输入电阻,而直流负反馈可稳定各级静态工作点。

(c) ① R e1引入第二级的交直流负反馈,其中交流电流串联负反馈可稳定本级的工作电流,提高本级输入电阻,提高输出电阻,而直流负反馈可稳定本级的静态工作点;② R e2和Ce引入第二级的直流负反馈,可稳定本级的静态工作点;③ R F引入级间(整体)交直流负反馈,其中交流电流并联负反馈可稳定输出电流,提高输出电阻,降低输入电阻,而直流负反馈可稳定各级静态工作点。

《电路与模拟电子技术》第二版第二章习题解答

《电路与模拟电子技术》第二版第二章习题解答

第二章电路的基本分析方法2.1 求题2.1图所示电路的等效电阻。

解:标出电路中的各结点,电路可重画如下:(b)(a)(c)(d)6Ω7Ω3Ωa aabbbddcb(a)(d)(c)(b)6Ωb4Ω(a )图 R ab =8+3||[3+4||(7+5)]=8+3||(3+3)=8+2=10Ω(b )图 R ab =7||(4||4+10||10)=7||7=3.5Ω(c )图 R ab =5||[4||4+6||(6||6+5)]=5||(2+6||8)=5||(2+3.43)=2.6Ω(d )图 R ab =3||(4||4+4)=3||6=2Ω(串联的3Ω与6Ω电阻被导线短路)2.2 用电阻的丫-△的等效变换求题2.2图所示电路的等效电阻。

解:为方便求解,将a 图中3个6Ω电阻和b 图中3个2Ω电阻进行等效变换,3个三角形连接的6Ω电阻与3个星形连接的2Ω电阻之间可进行等效变换,变换后电路如图所示。

(a )R ab =2+(2+3)||(2+3)=4.5Ω(b ) R ab =6||(3||6+3||6)=6||4=2.4Ω2.3 将题2.3图所示电路化成等效电流源电路。

baba(b)(a)题2.2图(b)(a)题2.3图b abΩ(b)解:(a )两电源相串联,先将电流源变换成电压源,再将两串联的电压源变换成一个电压源,最后再变换成电流源;等效电路为(b )图中与12V 恒压源并联的6Ω电阻可除去(断开),与5A 恒流源串联的9V 电压源亦可除去(短接)。

两电源相并联,先将电压源变换成电流源,再将两并联的电流源变换成一个电流源,等效电路如下:2.4 将题2.4图所示电路化成等效电压源电路。

解:(a )与10V 电压源并联的8Ω电阻除去(断开),将电流源变换成电压源,再将两串联的电压源变换成一个电压源,再变换成电流源,最后变换成电压源,等效电路如下:(b )图中与12V 恒压源并联的6Ω电阻可除去(断开),与2A 恒流源串联的4Ω亦可(a)(b)题2.4图aa bababababbbb b除去(短接),等效电路如下:2.5 用电源等效变换的方法,求题2.5图中的电流I 。

模拟电子技术(第2版)课后习题答案第6章

模拟电子技术(第2版)课后习题答案第6章

第六章波形发生电路7.1 试用振荡相位平衡条件判断图P7.1所示各电路能否产生正弦波振荡,为什么?答:(a):相位不平衡,不能振荡。

(b):ϕA+ϕF=2nπ(n=0,1,2 ),能振荡。

(c):ϕA=180︒,ϕF=180︒,ϕA+ϕF=2nπ(n=0,1,2 ),能振荡。

(d):ϕA+ϕF≠2nπ(n=0,1,2 ),不能振荡。

7.2 已知RC振荡电路如图P7.2所示。

(1)求振荡频率f0=?(2)求热敏电阻Rt 的冷态电阻(3)说明Rt应具有怎样的温度特性?解:(1) f0=11==971Hz2πRC6.28⨯2⨯10-8⨯8.2⨯103Rt<11Rf=⨯10=5kΩ22 (2)Rf>Rt,(3)Rt应具有正温度特性胡应洪第 1 页2013-4-77.3 RC桥式振荡电路如图P7.1.4所示,已知R1=10kΩ,试分析Rt的阻值分别为下列三种情况时,输出电压波形的形状?(1)Rf=10kΩ;(2)Rf=100kΩ;(3)Rt 为的负温度系数的热敏电阻,冷态电阻值大于20kΩ1、当Rf=10kΩ时:Au=1+RfR1=1+10=2<310电路不能起振,无输出波形。

2、当Rf=100kΩ时:Au=1+RfR1=1+100=11>310电路能振荡,但波形会严重失真,输出为矩形波。

3、当Rf>20kΩ,且具有负温度特性时:Au=1+RfR1>3电路能振荡,且具有Rt的负温度特性输出波形稳定,是正弦波。

7.4 设计一个频率为500Hz的RC桥式振荡电路,已知,并用一个负温度系数、20kΩ的热敏电阻作为稳温元件,试画出电路并标出各电阻值。

解:1=500Hz2πRCC=0.047uFR=6.8kΩ f0=胡应洪第 2 页 2013-4-7。

电路与模拟电子学课后习题详解 第6章

电路与模拟电子学课后习题详解 第6章
华中农业大学 计算机系
编辑:徐进
2012.02
6.1 试说明晶体三极管参数的含义及互相之间的关系。 (1) 、 、 I 、 I 及其互相关系;
CBO CEO
(2) g m 定义, g m 与
、 rbe 之间的关系;
(3) f 、 f T 的含义,以及二者之间的关系。 解 (1) 表示共基极电流放大倍数,有
I CN 。 表示共射极电流放大倍数, I BN

IC 。 和 两种电流放大倍数均表示 BJT 的电流控制作用,它们的值主要 IB
取决于基区、 集电区和发射区的杂质浓度以及器件的几何结构。 而 BJT 内部载流 子的传输过程是一样的,所以 和 可换算。

1
I CBO 为发射极开路时,集电极于基极之间的反向饱和电流。 I CEO 为基极开路时,集电极与发射极之间的穿透电流。 I CBO 、 I CEO 均由本征激发产生的少子形成, 它们的大小直接反映管子的热稳定性。

编辑:徐进
2012.02
+5V
100k
+12V
3k
+6V
+6.4V
+1V
T1
T2
1k
3k
+5V
T3
+0.3V
+3.6V
题图 6.7
解 (1)由若二极管导通,则 VE =0.3+0.7=1V ,此时三极管 PN 结却截止,所以电 路中 I B =0mA ,发射结零偏,三极管截止; (2)由图易知,发射结与集电结均正偏,所以三极管处于饱和状态; (3)由图算得, VB =3.6+0.7=4.3V ,所以 I B >0 , I C I B >0 ,发射结与集电结均 正偏,三极管处于饱和状态。 6.8 有哪些方法可以增大放大电路的输入阻抗?

电路与模拟电子技术 第六章习题解答

电路与模拟电子技术 第六章习题解答

第六章二极管与晶体管6.1半导体导电和导体导电的主要差别有哪几点?答:半导体导电和导体导电的主要差别有三点,一是参与导电的载流子不同,半导体中有电子和空穴参与导电,而导体只有电子参与导电;二是导电能力不同,在相同温度下,导体的导电能力比半导体的导电能力强得多;三是导电能力随温度的变化不同,半导体的导电能力随温度升高而增强,而导体的导电能力随温度升高而降低,且在常温下变化很小。

6.2杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的?杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比,哪个大?为什么?答:杂质半导体中的多数载流子主要是由杂质提供的,少数载流子是由本征激发产生的,由于掺杂后多数载流子与原本征激发的少数载流子的复合作用,杂质半导体中少数载流子的浓度要较本征半导体中载流子的浓度小一些。

6.3什么是二极管的死区电压?它是如何产生的?硅管和锗管的死区电压的典型值是多少?答:当加在二极管上的正向电压小于某一数值时,二极管电流非常小,只有当正向电压大于该数值后,电流随所加电压的增大而迅速增大,该电压称为二极管的死区电压,它是由二极管中PN的内电场引起的。

硅管和锗管的死区电压的典型值分别是0.7V和0.3V。

6.4为什么二极管的反向饱和电流与外加电压基本无关,而当环境温度升高时又显著增大?答:二极管的反向饱和电流是由半导体材料中少数载流子的浓度决定的,当反向电压超过零点几伏后,少数载流子全部参与了导电,此时增大反向电压,二极管电流基本不变;而当温度升高时,本征激发产生的少数载流子浓度会显著增大,二极管的反向饱和电流随之增大。

6.5怎样用万用表判断二极管的阳极和阴极以及管子的好坏。

答:万用表在二极管档时,红表笔接内部电池的正极,黑表笔接电池负极(模拟万用表相反),测量时,若万用表有读数,而当表笔反接时万用表无读数,则说明二极管是好的,万用表有读数时,与红表笔连接的一端是阳极;若万用表正接和反接时,均无读数或均有读数,则说明二极管已烧坏或已击穿。

电子技术(非电类)第六章课后习题答案

电子技术(非电类)第六章课后习题答案

第六章习题参考答案6-1 在图6-23中,已知直流电压表V 2的读数为90V ,负载电阻Ω100=L R ,二极 管的正向压降忽略不计。

试求:①直流电流表A 的读数;②交流电压表V 1的读数;③变压器二次侧电流有效值。

图6-23 习题6-1图解 1)直流电流表A 的读数 A 9.0100902===L A R U I 2)交流电压表1V 的读数 V 20045.09045.021===U U 3)变压器二次侧电流有效值 A 245.0==A I I 6-2 图6-24为变压器二次侧绕组有中心抽头的单相整流电路,二次侧电压有效值为U ,试分析:1)标出负载电阻L R 上电压o u 和滤波电容C 的极性;2)分别画出无滤波电容和有滤波电容两种情况下o u 的波形。

整流电压平均值o U 与变压器二次侧电压有效值U 的数值关系如何?3)有无滤波电容两种情况下,二极管上所承受的最高反向电压DRM U 各为多大?4)如果二极管VD 2虚焊;极性接反;过载损坏造成短路,电路会出现什么问题?5)如果变压器二次侧中心抽头虚焊;输出端短路两种情况下电路又会出现什么问题?图4-2 题4-2图图6-24 习题6-2图解 1)负载电阻L R 上电压o u 和滤波电容C 的极性如题6-2解图(a )所示。

2)无滤波电容和有滤波电容两种情况下o u 的波形分别如题6-2解图(b )和题6-2解图(c )所示。

无滤波电容时U U o 9.0=有滤波电容时 U U o 2.1= 3)有无滤波电容两种情况下,二极管上所承受的最高反向电压皆为U U DRM 22=。

4)二极管V 2虚焊时相当于开路,电路变为单相半波整流电路,输出电压将降为原来的一半。

极性接反和过载损坏造成短路时,在输入电压正半周,1V 、2V 通路导通,由于二极管正向电阻很小,产生很大电流,将造成电源、变压器和二极管烧毁。

5)变压器二次侧中心抽头虚焊时相当于断路,无论是u 的正半周还是u 的负半周都不会构成电流的通路,因此负载电阻没有电压输出。

模电课后答案-第六章课后答案

模电课后答案-第六章课后答案

第六章答案负反馈放大电路1.试通过反馈的组成框图说明反馈的概念和特点。

反馈:就是将电路的输出电压(或电流)的一部分(或全部),通过一定的电路元件(反馈网络),以一定的方式送回到输入端,以影响输入电压(或电流)的过程。

图反馈放大电路的组成框图反馈必须包括正向传输的基本放大电路部分和将输出信号反馈回输入端的反向传输部分形成的闭环回路,反馈体现了输出信号对输入信号的反作用。

其中x i为输入信号,x o为输出信号,x f为反馈信号,x id为输入信号与反馈信号进行比较求和后得到的净输入信号。

所以有:x id=x i-x f 或x id=x i+x f,前者使净输入量减小,称为负反馈;反者使净输入量增大,称为正反馈。

2.什么是正反馈、负反馈?如何判断放大电路的正、负反馈?负反馈:引入的反馈信号x f削弱了原来输入信号x i,使净输入信号x id减小,增益|A|下降。

负反馈多用于改善放大器的性能。

正反馈:引入的反馈信号x f加强了原来输入信号x i,使净输入信号x id增大,增益|A|上升。

正反馈多用于振荡电路。

判断正、负反馈常采用“瞬时极性法”。

瞬时极性法的思路是:先假定放大电路的输入信号在某一瞬间有一个正极性的变化,用符号“+”(或↑)表示,然后从输入到输出逐级标出放大电路各点的瞬时极性或有关支路电流的瞬时流向,再得到反馈信号的极性。

最后判断反馈信号是增强还是削弱了净输入信号,如果削弱,则是负反馈,反之则是正反馈。

3.什么是电流反馈、电压反馈?如何判断?它们的作用是什么?反馈信号的采样对象是输出电压,称为电压反馈。

反馈信号的采样对象是输出电压,称为电压反馈。

电压反馈和电流反馈的判断方法可以用“输出短路法”,即假设输出电压v o=0,即令输出端交流负载短路(R L=0),若反馈信号仍然存在,则说明反馈信号与输出电压无直接关系,证明是电流反馈,否则为电压反馈。

4.什么是串联反馈、并联反馈?如何判断?串联反馈:反馈信号是串接在输入回路中,与输入信号在输入回路以电压相加减形式决定净输入电压,即v id=v i-v f。

模拟电子技术教程第6章习题答案

模拟电子技术教程第6章习题答案

第6章习题答案1. 概念题:(1)由运放组成的负反馈电路一般都引入深度负反馈,电路均可利用虚短路和虚断路的概念来求解其运算关系。

(2)反相比例运算电路的输入阻抗小,同相比例运算电路的输入阻抗大,但会引入了共模干扰。

(3)如果要用单个运放实现:A u=-10的放大电路,应选用 A 运算电路;将正弦波信号移相+90O,应选用 D 运算电路;对正弦波信号进行二倍频,应选用 F 运算电路;将某信号叠加上一个直流量,应选用 E 运算电路;将方波信号转换成三角波信号,应选用 C 运算电路;将方波电压转换成尖顶波信号,应选用 D 运算电路。

A. 反相比例B. 同相比例C. 积分D. 微分E. 加法F. 乘方(4)已知输入信号幅值为1mV,频率为10kHz~12kHz,信号中有较大的干扰,应设置前置放大电路及带通滤波电路进行预处理。

(5)在隔离放大器的输入端和输出端之间加100V的电压会击穿放大器吗?(不会)加1000V的交流电压呢?(不会)(6)有源滤波器适合于电源滤波吗?(不适用)这是因为有源滤波器不能通过太大的电流或太高的电压。

(7)正弦波发生电路中,输出端的晶体管一定工作在放大区吗?(一定)矩形波发生电路中,输出端的晶体管一定工作在放大区吗?(不一定)(8)作为比较器应用的运放,运放一般都工作在非线性区,施密特比较器中引入了正反馈,和基本比较器相比,施密特比较器有速度快和抗干扰性强的特点。

(9)正弦波发生电路的平衡条件与放大器自激的平衡条件不同,是因为反馈耦合端的极性不同,RC正弦波振荡器频率不可能太高,其原因是在高频时晶体管元件的结电容会起作用。

(10)非正弦波发生器离不开比较器和延时两个环节。

(11)当信号频率等于石英晶体的串联谐振或并联谐振频率时,石英晶体呈阻性;当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时,石英晶体呈感性;其余情况下石英晶体呈容性。

(12)若需要1MHz以下的正弦波信号,一般可用 RC 振荡电路;若需要更高频率的正弦波,就要用 LC 振荡电路;若要求频率稳定度很高,则可用石英晶体振荡电路。

高玉良《电路与模拟电子技术》全部习题答案

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第一章 电路的基本概念和基本定律1.1 在题1.1图中,各元件电压为 U 1=-5V ,U 2=2V ,U 3=U 4=-3V ,指出哪些元件是电源,哪些元件是负载?解:元件上电压和电流为关联参考方向时,P=UI ;电压和电流为非关联参考方向时,P=UI 。

P>0时元件吸收功率是负载,P<0时,元件释放功率,是电源。

本题中元件1、2、4上电流和电流为非关联参考方向,元件3上电压和电流为关联参考方向,因此P 1=-U 1×3= -(-5)×3=15W ;P 2=-U 2×3=-2×3=-6W ;P 3=U 3×(-1)=-3×(-1)=3W ;P 4=-U 4×(-4)=-(-3)×(-4)=-12W 。

元件2、4是电源,元件1、3是负载。

1.2 在题1.2图所示的RLC 串联电路中,已知)V 33t t C e e (u ---= 求i 、u R 和u L 。

解:电容上电压、电流为非关联参考方向,故电阻、电感上电压、电流为关联参考方向+U 4-题1.1图+u L-1/题1.2图1.3 在题1.3图中,已知I=2A,求U ab和P ab。

解:Uab=IR+2-4=2×4+2-4=6V,电流I与Uab为关联参考方向,因此P ab =UabI=6×2=12W1.4 在题1.4图中,已知 IS =2A,US=4V ,求流过恒压源的电流I、恒流源上的电压U及它们的功率,验证电路的功率平衡。

解:I=IS=2A,U=IR+US=2×1+4=6VPI=I2R=22×1=4W,US 与I为关联参考方向,电压源功率:PU=IUS=2×4=8W,U与I为非关联参考方向,电流源功率:PI =-ISU=-2×6=-12W,验算:PU +PI+PR=8-12+4=01.5 求题1.5图中的R和U ab、U ac。

(高玉良-一到十一章)《电路与模拟电子技术》第3版-课后习题标准答案-全版

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第一章电路的基本概念和基本定律1.1 在题1.1图中,各元件电压为U1=-5V,U2=2V,U3=U4=-3V,指出哪些元件是电源,哪些元件是负载?解:元件上电压和电流为关联参考方向时,P=UI;电压和电流为非关联参考方向时,P=UI。

P>0时元件吸收功率是负载,P<0时,元件释放功率,是电源。

本题中元件1、2、4上电流和电流为非关联参考方向,元件3上电压和电流为关联参考方向,因此P1=-U1×3= -(-5)×3=15W;P2=-U2×3=-2×3=-6W;P3=U3×(-1)=-3×(-1)=3W;P4=-U4×(-4)=-(-3)×(-4)=-12W。

元件2、4是电源,元件1、3是负载。

1.2 在题1.2图所示的RLC串联电路中,已知求i、u R和u L。

解:电容上电压、电流为非关联参考方向,故电阻、电感上电压、电流为关联参考方向1.3 在题1.3图中,已知I=2A,求U ab和P ab。

解:U ab=IR+2-4=2×4+2-4=6V,电流I与U ab为关联参考方向,因此P ab=U ab I=6×2=12W1.4 在题1.4图中,已知I S=2A,U S=4V,求流过恒压源的电流I、恒流源上的电压U 及它们的功率,验证电路的功率平衡。

解:I=I S=2A,U=IR+U S=2×1+4=6VP I=I2R=22×1=4W,U S与I为关联参考方向,电压源功率:P U=IU S=2×4=8W,U与I为非关联参考方向,电流源功率:P I=-I S U=-2×6=-12W,验算:P U+P I+P R=8-12+4=01.5 求题1.5图中的R和U ab、U ac。

解:对d点应用KCL得:I=4A,故有RI=4R=4,R=1ΩU ab=U ad+U db=3×10+(-4)=26VU ac=U ad-U cd=3×10- (-7)×2=44V1.6 求题1.6图中的U1、U2和U3。

大学电路与模拟电子技术基础(第2版) 习题解答-第1章习题解答

大学电路与模拟电子技术基础(第2版) 习题解答-第1章习题解答

20XX年复习资料大学复习资料专业:班级:科目老师:日期:第1章直流电路习题解答1.1 在图1.1所示电路中,(1)选d 为参考点,求a V 、b V 和c V ;(2)选c 为参考点,求a V 、b V 和d V 。

图1.1 习题1.1电路图解 (1) 当选d 为参考点时, V 3ad a ==u VV 112cd bc bd b =-=+==u u u V ;V 1cd c -==u V (2) 当选c 为参考点时, 4V 13dc ad a =+=+=u u VV 2bc b ==u V ;V 1dc d ==u V1.2 求图1.2中各元件的功率,并指出每个元件起电源作用还是负载作用。

图1.2 习题1.2电路图解 W 5.45.131=⨯=P (吸收); W 5.15.032=⨯=P (吸收) W 15353-=⨯-=P (产生);W 5154=⨯=P (吸收); W 4225=⨯=P (吸收)元件1、2、4和5起负载作用,元件3起电源作用。

1.3 求图1.3中的电流I 、电压U 及电压源和电流源的功率。

图1.3 习题1.3电路图解 A 2=I ;V 13335=+-=I I U电流源功率:W 2621-=⋅-=U P (产生),即电流源产生功率6W 2。

电压源功率:W 632-=⋅-=I P (产生),即电压源产生功率W 6。

1.4 求图1.4电路中的电流1I 、2I 及3I 。

图1.4 习题1.4电路图解 A 1231=-=IA 1322-=-=I由1R 、2R 和3R 构成的闭合面求得:A 1223=+=I I 1.5 试求图1.5所示电路的ab U 。

图1.5 习题1.5电路图解 V 8.13966518ab -=⨯+++⨯-=U 1.6求图1.6所示电路的a 点电位和b 点电位。

图1.6 习题1.6电路图解 V 4126b =⨯-=VV 13b a =+-=V V1.7 求图1.7中的I 及S U 。

模拟电子书后习题答案第6章

模拟电子书后习题答案第6章

【6-1】在图6.11.1所示的电路中,A 均为理想运算放大器,其中的图(e)电路,已知运放的最大输出电压大于U Z ,且电路处于线性放大状态,试写出各电路的输出与输入的关系式。

AR2RA∞R 2R FR 1u I +_u O +_u I +_u O +_(a) (b)(c) (d) (e)图6.11.1题6-1电路图解:图(a ):u O =-2u I ; 图(b ): 2O I 12R u u R R =⋅+;图(c ):u O =-u I +2u I =u I ; 图(d ):I1I2O 121()d u u u t C R R =-+⎰;图(e ): 2O Z O 23,R u U u R R =++ 故得2O 3(1)Z R u U R =+。

【6-2】电路如图6.11.2(a)所示。

1. 写出电路的名称。

2. 若输入信号波形如图(b)所示,试画出输出电压的波形并标明有关的电压和所对应的时间数值。

设A 为理想运算放大器,两个正、反串接稳压管的稳压值为±5V 。

3. 对电路进行仿真,验证计算结果。

u i t (s)10-101234(V)图6.11.2 题6-2电路图解:1. 带限幅的反相比例放大电路;2. 当| u I |≤1V 时,电路增益A uf =-5;当| u I |≥1V 时,| u O |被限制在5V 。

波形如图4-3。

u I t /s10-101234/Vu O t 5-5/V0.1 1.92.1/s图4-3【6-3】在图6.11.3所示的增益可调的反相比例运算电路中,已知R 1=R w =10kΩ、R 2=20kΩ、U I =1V ,设A 为理想运放,其输出电压最大值为±12V ,求:1. 当电位器R w 的滑动端上移到顶部极限位置时,U o = 2. 当电位器R w 的滑动端处在中间位置时,U o = 3. 电路的输入电阻R i =图6.11.3 题6-3电路图解:1. 2o o1I 12V R U U U R ==-⋅=- 2. o o124V U U ==-3. r i =R 1=10k Ω。

《电路与模拟电子技术》第二版(殷瑞祥主编) 课后习题答案 高等教育出版社要点

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第1章 电 阻 电 路1.1 正弦交流电 交流电 1.2 电流 电压 功率 1.3 电压 电流 功率 1.4 幅值 相位 频率 1.5 幅值 相位 频率 1.622 22 1.7 相电压 线电压 220V 380V 1.8 星型 三角形 1.9 31.10 超前 滞后 同相 1.1131.12——1.25 F F T T F F T F F T T F T T1.26 答:(1) 固定电阻器可分为碳膜电阻器、金属氧化膜电阻器、金属膜电阻器、线绕电阻器和贴片式电阻器等。

① 碳膜电阻器:碳膜电阻器以碳膜作为电阻材料,在小圆柱形的陶瓷绝缘基体上,利用浸渍或真空蒸发形成结晶的电阻膜(碳膜)。

电阻值的调整和确定通过在碳膜上刻螺纹槽来实现;② 金属氧化膜电阻器:金属氧化膜电阻器的电感很小,与同样体积的碳膜电阻器相比,其额定负荷大大提高。

但阻值范围小,通常在200Kω以下;③ 金属膜电阻器:金属膜电阻器的工作稳定性高,噪声低,但成本较高,通常在精度要求较高的场合使用;④ 线绕电阻器:线绕电阻器与额定功率相同的薄膜电阻相比,具有体积小的优点 ⑤ 贴片式电阻器:贴片式电阻器的端面利用自动焊接技术,直接焊到线路板上。

这种不需引脚的焊接方法有许多优点,如重量轻、电路板尺寸小、易于实现自动装配等。

(2) 电位器根据电阻体的材料分有:合成碳膜电位器、金属陶瓷电位器、线绕电位器、实心电位器等① 合成碳膜电位器:分辨率高、阻值范围大,滑动噪声大、耐热耐湿性不好; ② 金属陶瓷电位器:具有阻值范围大,体积小和可调精度高(±0.01%)等特点; ③ 线绕式电位器:线绕式电位器属于功率型电阻器,具有噪声低、温度特性好、额定负荷大等特点,主要用于各种低频电路的电压或电流调整;④ 微调电位器:微调电位器一般用于阻值不需频繁调节的场合,通常由专业人员完成调试,用户不可随便调节。

⑤ 贴片式电位器:贴片式电位器的负荷能力较小,一般用于通信、家电等电子产品中。

模拟电子技术基础 第6章习题解答(高吉祥 电子工业出版社)-

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6.18 图示电路中, 若 UA〈UB,能否实现双限比较,试画出此时的输入、输出关系曲线。

UA UI UB U I /V UB:10 R R R R A2 A1 VD1 VD2 Uo RL 解:不能实现双限比较。

输入、输出关系曲线如图示。

0 UA:-10 t UO /V 11.3 0 t 6.19 在图示电路中, A B (1将图中 A、B、C、D 四点正确连接, 使之成为一个正弦振荡电路,请将连线画在图上; (2根据图中给定的电路参数,估算振荡频率 f0; (3为保证电路起振,R2 应为多大?A 0.02μF C 0.02μF7.5KΩ 7.5KΩ R2 Uo D R1 10KΩ 解:(1将 A、D 相连,B、C 相连,如图红线示;即R2 〉20(kΩ )略。

6.20、6.21、6.22、6.23、6.24、6.25 第 11 页6.26 在图示的矩形波发生电路中, R 10KΩ VD2 0.01μF C A R2 RP 假设集成运放和二极管均为理想的, 元件参数见图,如果电位器的滑动端调在中间位置: RP’ 100KΩ RP” R3 2KΩ uo ± 6V (1画出输出电压 uo 和电容上电压 uc 的波形; (2估算输出电压的振荡周期T; R1 15KΩ VD Z 12KΩ (3分别估算输出电压和电容上电压的峰值 UOM 和 UCM 。

解:(1输出电压波形如图示; u c /V U TH1 0 U TH2 uO /V 6 0 T/2 -6 T tUOM=± UZ =±6V, UCM =±2.67V R 10KΩ VD2 0.01μF C A R2 RP’ 100KΩ RP” R3 2KΩ uo ± 6V 6.27 在图示的矩形波发生电路中: RP (1当电位器的滑动端分别调至最上端和最下端时,电容的充电时间 T1、放电时间 T2,输出波形的振荡周期 T 以及占空比 D 各等于多少?R1 15KΩ VD Z 12KΩ 第 12 页(2试画出当电位器滑动端调至最上端时的输出电压 uo 和电容上电压 uc 的波形图,在图上标出各电压的峰值以及 T1、T2 和 T 的数值。

模拟电路第二版习题册答案

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模拟电路第二版习题册答案模拟电路第二版习题册答案模拟电路是电子工程中的重要学科之一,它研究的是电子信号的传输、处理和控制。

在学习模拟电路的过程中,习题册是非常重要的辅助材料。

本文将为大家提供模拟电路第二版习题册的答案,帮助大家更好地理解和掌握相关知识。

第一章:基础电路理论1. 电流和电压的关系是通过欧姆定律来描述的,即I=V/R,其中I表示电流,V 表示电压,R表示电阻。

根据题目给出的电流和电压值,可以计算出电阻的数值。

2. 串联电路中的电阻相加,即R=R1+R2+R3+...,并联电路中的电阻求倒数后相加再取倒数,即1/R=1/R1+1/R2+1/R3+...3. 电路中的功率可以通过P=VI来计算,其中P表示功率,V表示电压,I表示电流。

根据题目给出的电流和电压值,可以计算出功率的数值。

第二章:放大电路1. 放大电路中常用的放大器有共射放大器、共基放大器和共集放大器。

根据题目给出的电路图,可以分析出放大器的工作方式和参数。

2. 放大电路中的增益可以通过A=Vout/Vin来计算,其中A表示增益,Vout表示输出电压,Vin表示输入电压。

根据题目给出的输入和输出电压值,可以计算出增益的数值。

3. 放大电路中的频率响应可以通过Bode图来描述,其中包括幅频特性和相频特性。

根据题目给出的电路参数,可以绘制出对应的Bode图,并进行相应的分析。

第三章:运算放大器1. 运算放大器是一种非常重要的电子元件,它可以用来放大和处理电压信号。

根据题目给出的电路图,可以分析出运算放大器的工作方式和参数。

2. 运算放大器中的输入电阻可以通过Rin=Vcm/Iin来计算,其中Rin表示输入电阻,Vcm表示共模电压,Iin表示输入电流。

根据题目给出的参数,可以计算出输入电阻的数值。

3. 运算放大器中的输出电阻可以通过Rout=Vout/Iout来计算,其中Rout表示输出电阻,Vout表示输出电压,Iout表示输出电流。

电路与模拟电子技术(高玉良第二版)第2章

电路与模拟电子技术(高玉良第二版)第2章

电 路 与模拟 电子

2.2.1
a I2 I3 R3 R2 10Ω R4 10Ω Us2 c b I4 I5 R5 15Ω
用支路电流法求图示电路中的各支路电流。 结点a : 结点b: 回路Ⅰ: 回路Ⅱ: 回路Ⅲ:
I1 I 2 I 3 0
I 2 I 4 I 5 0
I1 R1 5Ω
I3 Il 2 , I 4 Il3 I 5 I l 2 I l 3 , I 6 I l1 I l 3
Il2
+US3-
+US4-
所以,网孔电流决定了,支路电流也就决定了, 但独立变量的数目减少。
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22
电 路 与模拟 电子
网孔分析法
I1 I2 I3 R3 Il2 R2 R1 Il1 +US2- I5 R5 +US1I6 R6 I4 Il3 R4
2V
-
2Ω 2Ω
+ 4V I 6Ω
2A I 6Ω
2V
2Ω 1A

+
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15
电 路 与模拟 电子
例 2.1.5

将图示电路变换成等效电流源
2A 3Ω + 12V 6Ω 8Ω
2A 3Ω + 12V 6Ω

2A
2A



6V + + 12V -

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16
电 路 与模拟 电子
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13
电 路 与模拟 电子
例题
求如图所示电路的等效电路。
+ 5V 2A
1A 20 2A

电路与模拟电子技术基础(第2版)_习题解答_第6章习题解答

电路与模拟电子技术基础(第2版)_习题解答_第6章习题解答

M i9习 题 66.1 确定图中晶体管其它两个电流的值β=200Iβ=100β=120(a)(b)(c)图6.1 习题6.1图(a) I C =βI B =200×0.125=25(mA) I E =I B +I C =25.125(mA) (b) I B =I E /(1+β)=5/(1+100)=49.5(μA) I C =I E -I B =4.95(mA) (c) I B =I C /β=3/120=25(μA) I E =I B +I C =3.025(mA)6.2 测得放大电路中的晶体三极管3个电极①、②、③的电流大小和方向如图6.1所示,试判断晶体管的类型(NPN或PNP ),说明①、②、③中哪个是基极b 、发射极e 、集电极c ,求出电流放大系数β。

图6.2 习题6.2图(a) ①-c ②-b ③-e PNP β=1.2/0.03=40 (b) ①-b ②-e ③-c NPN β=1.5/0.01=1506.3 有两只工作于放大状态的晶体管,它们两个管脚的电流大小和实际流向如图6.3所示。

求另一管脚的电流大小,判断管子是NPN 型还是PNP 型,三个管脚各是什么电极;并求它们的β值。

①② ③(a)①② ③(b)图6.3 习题6.3图(a) ①-c ②-e ③-b NPN I E =I B +I C =4+0.1=4.1(mA) β=4/0.1=40 (b) ①-e ②-c ③-b NPN I C =I E -I B =5.1-0.1=5(mA) β=5/0.1=506.4 试判断图6.4所示电路中开关S 放在1、2、3哪个位置时的I B 最大;放在哪个位置时的I B 最小,为什么?+V CC图6.4 习题6.4图在①时,发射极相当于一个二级管导通,此时I B 就等于此导通电流。

在②时,三极管相当于两个并联的二极管,此时I B 等于两个二级管导通电流之和,所以此时的电流最大。

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第六章二极管与晶体管
6.1半导体导电和导体导电的主要差别有哪几点?
答:半导体导电和导体导电的主要差别有三点,一是参与导电的载流子不同,半导体中有电子和空穴参与导电,而导体只有电子参与导电;二是导电能力不同,在相同温度下,导体的导电能力比半导体的导电能力强得多;三是导电能力随温度的变化不同,半导体的导电能力随温度升高而增强,而导体的导电能力随温度升高而降低,且在常温下变化很小。

6.2杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的?杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比,哪个大?为什么?
答:杂质半导体中的多数载流子主要是由杂质提供的,少数载流子是由本征激发产生的,由于掺杂后多数载流子与原本征激发的少数载流子的复合作用,杂质半导体中少数载流子的浓度要较本征半导体中载流子的浓度小一些。

6.3 什么是二极管的死区电压?它是如何产生的?硅管和锗管的死区电压的典型值是多少?
答:当加在二极管上的正向电压小于某一数值时,二极管电流非常小,只有当正向电压大于该数值后,电流随所加电压的增大而迅速增大,该电压称为二极管的死区电压,它是由二极管中PN的内电场引起的。

硅管和锗管的死区电压的典型值分别是0.7V和0.3V。

6.4 为什么二极管的反向饱和电流与外加电压基本无关,而当环境温度升高时又显著增大?
答:二极管的反向饱和电流是由半导体材料中少数载流子的浓度决定的,当反向电压超过零点几伏后,少数载流子全部参与了导电,此时增大反向电压,二极管电流基本不变;而当温度升高时,本征激发产生的少数载流子浓度会显著增大,二极管的反向饱和电流随之增大。

6.5 怎样用万用表判断二极管的阳极和阴极以及管子的好坏。

答:万用表在二极管档时,红表笔接内部电池的正极,黑表笔接电池负极(模拟万用表相反),测量时,若万用表有读数,而当表笔反接时万用表无读数,则说明二极管是好的,万用表有读数时,与红表笔连接的一端是阳极;若万用表正接和反接时,均无读数或均有读数,则说明二极管已烧坏或已击穿。

6.6 设常温下某二极管的反向饱和电流I S=30×10-12A,试计算正向电压为0.2V、0.4V、
0.6和0.8V 时的电流,并确定此二极管是硅管还是锗管。

解:由)1(/-=T U U S e I I ,mV U T 26=得
V U 2.0=时,12200/2693010(1)661066I e A nA --=⨯-=⨯= V U 4.0=时,12400/2663010(1)144100.144I e A mA --=⨯-=⨯= V U 6.0=时,mA A e I 316106.31)1(1030226/60012=⨯=-⨯=--
V U 8.0=时,A e I 226/80012109.6)1(1030⨯=-⨯=-
由此可见,此二极管是硅管。

6.7 在题6.7图(a)的示电路中,设二极管的正向压降为0.6V ,输入电压i u 的波形如图(b)所示,试画出输出电压o u 波形。

解:u I =1V 和2V 时,二极管导通,u 0=u I -0.6V ,u I ≤0.5V 时,二极管截止,R 中无电流,故u 0=0,输出电压u 0的波形如图C 所示。

6.8 在题6.8图所示电路中,设二极管为理想二极管,输入电压
t u i ωsin 10=V ,试画出输入电压o u 的波形。

解:u i >-5V ,二极管导通,由于二极管是理想的二极管,正向压降等于零,故此时u 0=u i ; u i <-5V ,二极管截止,电阻中无电流,u 0=-5V ,u 0波形如图b 所示。

6.9 在题6.9图所示电路中,
设各二极管均为理想二极管,求下列三种情况下的输出电压o U 和通过各二极管的电流。

(1)
0==B A V V ;(2)0,4==B A V V V ;(3)V V V B A 4==。

解:(1)0==B A V V 时,D A 、D B 导通,V D =0,D C
截止,I C =0,U 0=0。

设D A 、D B 为相同的二极管,则
I A =I B =mA R 5.1122
11
=⨯
(2)V A =4V ,V B =0,D B 导通,V D =0,D A 、D C 截止,
V D
(a)
题6.7图
s
D
题6.8图
(a)
O
I A =I C =0,U 0=0
mA I B 34
12==
(3)V A =V B =4V ,设D A 、D B 均导通,则V D =4V ,D C 也导通,m A V I D
C 41
==,而mA R V I D R 24
4
121211=-=-=
,I R1=I A +I B +I C 不成立,故D A 、D B 应截止,I A =I B =0,D C 导通,此时
mA I C 4.21
412
=+=
, U 0=2.4×1=2.4V
6.10 现有两个稳压管,V U Z 61=,V U Z 92=,正向压降均为0.7V ,如果要得到15V ,9.7V ,6.7V ,3V 和1.4V 的稳定电压,这两个稳压管和限流电阻应如何连接?画出电路。

解:15V 电压可由两只稳压管串联得到;9.7V 可由9V 稳压管的稳压值与另一稳压管的正向压降得到;3V 是两稳压管稳定电压的差值;1.4V 是两只稳压管的正向压降,电路如图所示。

6.11 为什么三极管的基区掺杂浓度小而且做得很薄?
答:由于基区和发射区载流子是不同类型的,因此发射区的多数载流在正向电压的作用下扩散到基区后,要与基区的多数载流子复合。

为使较多的载流子到达集电区,发射区扩散到基区的载流子应尽快通过基区,因而基区要做得薄一些。

另外,基区的多数载流子浓度要较小,即掺杂浓度要小。

6.12 要使PNP 三极管具有电流放大作用,E B 和E C 的正负极应如何连接,画出电路图并说明理由。

解:晶体管要有电流放大作用,发射结应正偏,集电结应反偏,对PNP 型晶体管来说,基极接E B 的负极,发射极接E B 的正极,集电极接E C 的负极,电路如图所示。

C C
6.13 在一放大电路中,测得某正常工作的三极管电流I E =2mA ,I C =1.98mA ,若通过调节电阻,使I B =40μA ,求此时的I C 。

解:晶体管正常工作时,B C E I I I ==+β
β1 故
β
β98
.112=
+, 99=β 当A I B μ40=时
mA I I B C 96.31040993=⨯⨯==-β
6.14 在一放大电路中,有三个正常工作的三极管,测得三个电极的电位U 1、U 2、U 3
分别为
(1)U 1=6V ,U 2=3V ,U 3=2.3V (2)U 1=3V ,U 2=10.3V ,U 3=10V (3)U 1=-6V ,U 2=-2.3V ,U 3=-2V
试确定三极管的各电极,并说明三极管是硅管还是锗管?是NPN 型还是PNP 型。

解:晶体管正常工作时,发射结电压硅管为0.7V 左右,锗管为0.3V 左右,由此可先确定哪二个极是基极和发射极,剩下的一个极则是集电极。

另外,由于集电结反偏,因此,对PNP 型晶体管,集电极电位最低,对NPN 型晶体管,集电极电位最高。

(1)U 23=0.7V ,1是集电极,U 1最大,因此,晶体管是NPN 型硅管,这样2是基极,3是发射极。

(2)U 23=0.3V ,1是集电极,U 1最小,因此,晶体管是PNP 型锗管,2是发射极,3是基极。

(3)U 32=0.3V ,1是集电极,U 1最小,因此,晶体管PNP 型锗管,2是基极,3是发射极。

6.15 已知某三极管的极限参数为P CM =100mW ,I CM =20mA ,U (BR )CEO =15V 。

试问在下列几种情况下,哪种是正常工作?
(1)U CE =3V ,I C =10mA ; (2)U CE =2V ,I C =40mA ; (3)U CE =10V ,I C =20mA ;
解:晶体管的安全工作区是:U CE <U (BR)CEO ,I C <I CM ,P=U CE I C <P CM ,现在P 1=30mW , P 2=80mW , P 3=200mW ,因此,第一种情况下,晶体管正常工作,第二种情况下,I C >I CM ,第三种情况下,P>P CM ,第二、第三种情况下晶体管均不能正常工作。

6.16 试画出PNP型三极管的微变等效电路,标出各极电流的方向。

解:对PNP型晶体管,由题6.12电路图知,基极电流从基极
如右图所示。

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