电子元器件的命名
常用电子元器件型号命名法与主要技术参数
常用电子元器件型号命名法与主要技术参数电子元器件是电子产品中非常重要的一部分，为了便于识别和使用，每种电子元器件都有相应的型号和技术参数。
本文将介绍常用电子元器件的命名法和主要技术参数，以帮助读者更好地了解电子元器件。
1. 电阻器电阻器通常用来限制电路中的电流，并改变电压和功率。
电阻器的命名法为“R+数字”，数字表示电阻值。
例如，R100表示100欧姆的电阻器。
电阻器的主要技术参数有：电阻值：电阻器的电阻值越大，电路中的电流越小。
功率：功率越大，电阻器发热越多。
精度：电阻器的精度越高，电路中的电流越精确。
温度系数：温度系数可以影响电阻器的电阻值。
2. 电容器电容器通常用来存储能量或阻止电流。
电容器的命名法为“C+数字”，数字表示电容值。
例如，C1μF表示1微法的电容器。
电容器的主要技术参数有：电容值：电容值越大，电容器可以存储的电力越大。
电压：电容器的电压越高，它可以承受的电力也越高。
电容器类型：电容器根据构造材料的不同，分为有机电容器和无机电容器。
3. 二极管二极管通常用来控制电流的方向。
二极管的命名法为“D+数字”，数字表示型号。
例如，D1N4148表示1N4148型号的二极管。
二极管的主要技术参数有：正向工作电压：正向工作电压是二极管正向工作时的最大电压。
反向击穿电压：反向击穿电压是二极管能承受的最大反向电压。
反向电流：反向电流是二极管反向工作时的电流。
4. 晶体管晶体管通常用来放大电流和控制电路。
晶体管的命名法为“Q+数字”，数字表示型号。
例如，Q2N3904表示2N3904型号的晶体管。
晶体管的主要技术参数有：最大工作电压：最大工作电压代表晶体管工作的最大电压。
最大功率：最大功率代表晶体管可以承受的最大功率。
放大系数：放大系数代表晶体管从输入信号到输出信号的增益。
5. 电感器电感器通常用来阻止电路中的交流电流。
电感器的命名法为“L+数字”，数字表示型号。
例如，L100表示100微亨的电感器。
国内外常用电子元器件型号命名规则比如：电阻器,电容器
(5)日本松下旗下三洋电机(Panasonic)
(6)韩国三星(SAMSUNG)
(7)美国基美(KEMET)
(8)英国Syfer
(9)中国台湾国巨(YAGEO)
(10)中国台湾华新科技(WALSIN)
3.电感器
4.变压器
5.二极管
6.三极管
7.发光二极管
8.扬声器
9.电声器件
10晶闸管
11.继电器
国外：
1.国际电子联合会半导体器件命名法
国际电子联合会晶体管型号命名法的特点：
1)这种命名法被欧洲许多国家采用。因此，凡型号以两个字母开头，并且第一个字母是A，B，C，D或R的晶体管，大都是欧洲制造的产品，或是按欧洲某一厂家专利生产的产品。
2)第一个字母表示材料（A表示锗管，B表示硅管），但不表示极性（NPN型或PNP型）。
3)第二个字母表示器件的类别和主要特点。如C表示低频小功率管，D表示低频大功率管，F表示高频小功率管，L表示高频大功率管等等。若记住了这些字母的意义，不查手册也可以判断出类别。例如，BL49型，一见便知是硅大功率专用三极管。
4)第三部分表示登记顺序号。三位数字者为通用品；一个字母加两位数字者为专用品，顺序号相邻的两个型号的特性可能相差很大。例如，AC184为PNP型，而AC185则为NPN型。
8)日本通常把Pcm≥1W的管子，称做大功率管。
5)第四部分字母表示同一型号的某一参数（如hFE或NF）进行分档。
6)型号中的符号均不反映器件的极性（指NPN或PNP）。极性的确定需查阅手册或测量。
2.美国半导体器件型号命名法
美国晶体管或其它半导体器件的型号命名法较混乱。这里介绍的是美国晶体管标准型号命名法，即美国电子工业协会（EIA）规定的晶体管分立器件型号的命名法。如下表：
常见电子元器件讲解及其命名
常见电子元器件讲解及其命名电子元器件是指用于电子设备中的各种电子零部件、器件、部件或元素。
常见的电子元器件有电阻器、电容器、电感器、二极管、三极管、场效应管、晶体管等。
这些元器件都有其特点和功能，下面对这些电子元器件进行讲解及其命名。
一、电阻器电阻器是最基本的电子元器件之一。
它的作用是将电路中的电流限制在一定的范围内，以避免电路中的电流过大而损坏周围的元器件。
通常的电阻器分为固定电阻器和变阻器两种。
固定电阻器指其阻值不可调节的电阻器，如碳膜电阻器、金属膜电阻器、电线绕制电阻器等。
变阻器则是可以通过旋转或滑动调节阻值大小的电阻器，其使用较为广泛。
电阻器的命名方式通常是以Ω（欧姆）为单位表示，阻值越大，数字表示的就越大。
例如，电路中需要一个10Ω的电阻器，通常称为10欧电阻器。
二、电容器电容器是能够存储电荷的元件，它的作用是在电路中起到蓄电的作用。
电容器分为固定电容器和可变电容器两种。
固定电容器常用于过滤电路、隔直电路、调节时序等。
可变电容器通常用于调谐电路、震荡电路、滤波电路等。
电容器的命名通常是以法拉（F）为单位。
常见的电容器有微型电容器、多层陶瓷电容器、电解电容器、有机电容器等。
三、电感器电感器是储存电能的元器件，它是电路中的电磁元件之一。
电感器的作用通常是用于隔直、滤波等领域。
常见的电感器有铁氧体电感、磁珠电感、线圈电感等。
电感器的命名通常是以亨利（H）为单位。
例如，1H的电感器表示其可以储存1秒钟内1安培电流所产生的1伏特电势能。
四、二极管二极管是半导体元件，是电子元器件中最基本的元素之一。
其作用是充当电路中的单向导体，可将电流限制在一个方向，从而可以对电路进行整流、检波、调制等操作。
二极管通常有硅二极管和锗二极管之分。
二极管的命名方式通常是以其直流电压（信号电压）值为主，后面跟着一个标志性的字母（如1N4001）。
常见的二极管有硅二极管、Zener二极管、光电二极管等。
五、三极管三极管是一种半导体放大器元件，是现代电子设备中最常用的放大器之一。
电子元器件基础知识及命名方法
电子元器件基础知识（1）--电阻电阻器（Resistor）在日常生活中一般直接称为电阻。
是一个限流元件，将电阻接在电路中后，电阻器的阻值是固定的一般是两个引脚，它可限制通过它所连支路的电流大小。
阻值不能改变的称为固定电阻器。
阻值可变的称为电位器或可变电阻器。
理想的电阻器是线性的，即通过电阻器的瞬时电流与外加瞬时电压成正比。
用于分压的可变电阻器。
在裸露的电阻体上，紧压着一至两个可移金属触点。
触点位置确定电阻体任一端与触点间的阻值。
国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）。
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第一部分：主称 ,用字母表示，表示产品的名字。
如R表示电阻，W表示电位器。
第二部分：材料 ,用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。
第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。
1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。
第四部分：序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等例如：R T 1 1 型普通碳膜电阻。
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电子元器件编号规则
电子元器件编号规则1.二极管和晶体管编号规则：二极管和晶体管通常使用美国电子工程师协会（EIA）的规则进行编号。
这些规则使用字母和数字来表示不同的参数和特性，如器件类型、封装、极性等。
其中一些常见的编号规则包括：-封装类型：DO表示二极管，TO表示晶体管。
-极性：N表示NPN型晶体管，P表示PNP型晶体管。
-功率：常用的一些数字代表电流和功率的大小。
-特殊类型：如Z表示稳压二极管，LED表示发光二极管等。
2.集成电路（IC）编号规则：集成电路通常使用不同的编号系统，包括美国军事标准（MIL-STD）、电子工业联盟（EIAJ）、国际电工委员会（IEC）和制造商自定义的编号系统。
这些编号系统通常包含以下内容：-器件类型：如数字集成电路（IC）、模拟集成电路（IC）、混合集成电路（HMIC）等。
-功能：通常使用数字或字母来表示不同的功能模块。
-封装类型：常见的封装类型包括DIP、SMD、BGA等。
3.电阻、电容和电感编号规则：电阻、电容和电感通常使用基于物理量的编号规则，如阻值、容值和电感值。
这些数值通常用标准单位表示，如欧姆（Ω）、法拉（F）、亨利（H）等。
此外，也会使用一些字母和数字来表示其他特性，如封装类型、公差、工作温度等。
4.硅控整流器（SCR）和双向可控硅（TRIAC）编号规则：SCR和TRIAC是一种特殊的功率半导体器件，其编号规则通常与二极管和晶体管类似，但会根据其特殊的功率和控制特性进行特殊说明。
5.传感器编号规则：传感器的编号规则通常包括设备类型、测量参数、输出类型等信息。
这些编号规则根据不同的传感器类型和制造商可能有所不同。
需要注意的是，虽然有一些常见的编号规则，但由于不同的制造商和行业可能会有不同的命名习惯和编号规则，因此在实际应用中还需参考具体的数据手册或制造商提供的规范。
此外，部分编号规则也可能会因为技术的进步和行业的发展而有所调整和增加。
因此，保持对最新编号规则的学习和掌握对于工程师和从业人员来说是非常重要的。
常见电子元器件讲解及其命名
常见电子元器件讲解与命名第一部分电阻器系列1、概述电阻器是电子电路中应用最广泛的基本元器件之一，在电子设备中约占元件总数的 30%以上，其性能的好坏对电路工作的稳定性有极大影响。
1.1 定义电阻器，简称电阻（Resistor，通常用“R”表示），是指具有一定阻值，一定几何形状，一定技术性能的在电路中起特定作用的元件。
1.2 作用在电子设备中，电阻器主要用于稳定和调节电路中的电流和电压，其次还可作为消耗电能的负载、分流器、分压器、稳压电源中的取样电阻、晶体管电路中的偏执电阻等。
1.3 单位电阻器的基本单位是欧姆，用希腊字母Ω表示。
在实际应用中，常常使用由Ω导出的单位，如千欧（kΩ），兆欧（MΩ）等。
2、分类电阻器种类繁多，形状各异，有多种分类方法。
2.1 按结构分：2.1.1 固定电阻器2.1.2 可变电阻器：有滑线变阻器和电位器。
滑线变阻器电位器2.1.3 敏感电阻器：有热敏电阻、光敏电阻、压敏电阻、湿敏电阻、气敏电阻等。
2.2 按外形分：有圆柱型、圆盘型、管型、方型、片状、纽扣状电阻。
2.3 按材料分：2.3.1 合金型：用块状电阻合金拉制成合金线或碾成合金箔片，制成电阻。
如线绕电阻，精密合金箔电阻等。
2.3.2 薄膜型：在玻璃或陶瓷基体上沉积一层电阻薄膜，膜的厚度一般在几微米以下。
薄膜材料有碳膜、金属膜、化学沉积膜、金属氧化膜等。
2.3.3 合成型：电阻体由导电颗粒（石墨、碳黑）和有机（无机）粘接剂混合而成，可以制成薄膜或实芯两种类型。
碳膜电阻 金属膜电阻水泥电阻2.4 按安装方式分，有插件电阻和贴片电阻。
插件电阻2.5 按用途分：贴片电阻2.5.1 普通型(通用型)：适用于一般技术要求的电阻，功率在 0.05～2W 之间，阻值为 1Ω～22M Ω，偏差为±5～±20%。
2.5.2 精密型：功率小于 2W ，阻值为 0.01Ω～20M Ω，偏差为 2%～0. 001%。
2.5.3 功率型：功率在 2～200W 之间，阻值 0.15～1M Ω，精度±5～20%，多为线绕电阻，不宜在高频电路中使用。
常用电子元器件型号命名法及主要技术参数
常用电子元器件参考资料第一节部分电气图形符号一．电阻器、电容器、电感器和变压器二．半导体管三．其它电气图形符号第二节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一．电阻器和电位器1．电阻器和电位器的型号命名方法表1 电阻器型号命名方法示例：(1)精密金属膜电阻器R J 7 3第四部分：序号第三部分：类别（精密）第二部分：材料（金属膜）第一部分：主称（电阻器）(2) 多圈线绕电位器W X D 3第四部分：序号第三部分：类别（多圈）第二部分：材料（线绕）第一部分：主称（电位器）2．电阻器的主要技术指标(1) 额定功率电阻器在电路中长时间连续工作不损坏，或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。
电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率，而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。
不同类型的电阻具有不同系列的额定功率，如表2所示。
表2 电阻器的功率等级(2) 标称阻值阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值围不同，不同精度的电阻其阻值系列亦不同。
根据国家标准，常用的标称电阻值系列如表3所示。
E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。
表3 标称值系列表中数值再乘以10，其中n为正整数或负整数。
(3) 允许误差等级表4 电阻的精度等级3．电阻器的标志容及方法(1)文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额定功率、允许误差等级等。
符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5所示。
如1R5表示1.5Ω，2K7表示2.7kΩ，表５RJ71－0.125－5k1－II允许误差±10%标称阻值(5.1kΩ)额定功率1/8W型号由标号可知，它是精密金属膜电阻器，额定功率为1/8W，标称阻值为5.1kΩ，允许误差为±10%。
(2)色标法：色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点）标注在它的外表面上。
电子元器件型号命名规则
电子元器件型号命名规则2，电容器5，半导体二、三极管一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。
五个部分的意义分别如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。
二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
电子元器件命名规则
Q/NT 天津住美信息技术有限公司企业标准Q/NTJ006—2018电子元器件命名规则电子元器件命名规则 Q/NTJ006-20181目的为使公司研发产品使用的电子元器件名称统一化、规范化，方便设计、采购、和生产，以及ERP录入工作，提高工作效率，特制定了本规则。
2范围本标准规定了电子元器件命名规则。
3职责研发部输出的元件清单应严格按此规则命名。
采购部ERP电子元器件的录入应严格按此规则命名。
4基本要求4.1总则4.1.1元件名称的表述及要求表述形式：贴装形式+元件名称+封装贴装形式：直插或贴片，当元件既非贴片也非直插时，可根据实际情况留空或填写。
封装：表述元器件的外形和封装形式，如果前面已经清楚的表述封装形式，此处可留空。
元件名称:要求能直观的体现出器件的特点,在元器件的使用过程中不应出现一个产品器件多个名称现象。
天津住美信息技术有限公司2010-XX-XX批准2010-XX-XX实施4.1.2元件规格型号的表述及要求以能够清楚直观的表述元器件的各项参数和信息为原则。
所有元器件应具备以下表述形式。
表述形式：型号-主要参数(可选)-精度(可选)。
元件型号：表述元器件生产厂家规定的型号。
主要参数：表述元器件的表征值、功率、耐压等详细参数。
当元件型号不能明确元件时，需要填写元件的主要参数。
精度：表述元器件的精度等级。
注意：当有些元件型号无法直接给出元件型号时，元件的主要参数必需详细填写。
4.2元器件参数说明4.2.1电阻精度表示：F：±1%；G：±2%；J：±5%；K：±10%4.2.2贴片电阻封装与功率对应表：0201：1/20W；0402：1/16W；0603：1/10W；0805：1/8W；1206：1/4W；1210：1/3W4.2.3贴片电容容值表述方法：容值由三位数字表示，前两位表示有效数字，第三位表示0的个数。
注意：为统一贴片电容容值表述方法，规定100PF以上容值电容，均要求按三位数字表示法表示容值。
电子元器件命名规则
电解电容类
① ②③ ④⑤⑥ ⑦ ⑧ ⑨ ⑩
①： 表原材料类
②： 表电容
③： 表规格
E=贴片型
P=插件型
④： 表电介质
AL=铝电解电容
AT=钽电解电容
⑤：表尺寸，引脚类别
0402=1.02×0.51mm
0603=1.5×0.75mm
0805=2.03×1.27mm
1206=3.18×1.58mm
147=470PF 247=4700PF=4.7NF
347=47000PF=47NF
647=47UF
R475=0.475PF
4R75=4.75PF 0475=475PF
1475=4750PF
2475=47500PF=47来自5NF6475=475 UF
电阻类（贴片电阻，有脚电阻，NTC，PTC）
① ② ③ ④⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑨
1812=4.45×3.18mm
0000=有脚电容，脚位横向引出
0001=有脚电容，脚位竖向引出
⑥：表耐压
J=4V
N=6.3V
G=10V
E=16V
H=20V
A=25V
F=35V
B=50V
I=63V
P=75V
D=100V
Q=160V
R=200V
L=250V
O=275V
S=315V
T=350V
Y=400V
K=纸带卷装13"
⑨：表容量
R47=0.47PF
4R7=4.7PF
047=47PF
147=470PF 247=4700PF=4.7NF
347=47000PF=47NF
647=47UF
常用电子元器件命名 表示图形 主要技术参数
常用电子元器件参考资料部分电气图形符号一．电阻器、电容器、电感器和变压器二．半导体管三．其它电气图形符号常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一．电阻器和电位器1．电阻器和电位器的型号命名方法示例：(1)精密金属膜电阻器R J7 3第四部分：序号第三部分：类别（精密）第二部分：材料（金属膜）第一部分：主称（电阻器）(2) 多圈线绕电位器W X D 3第四部分：序号第三部分：类别（多圈）第二部分：材料（线绕）第一部分：主称（电位器）2．电阻器的主要技术指标(1) 额定功率电阻器在电路中长时间连续工作不损坏，或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。
电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率，而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。
不同类型的电阻具有不同系列的额定功率，如表2所示。
(2) 标称阻值阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值范围不同，不同精度的电阻其阻值系列亦不同。
根据国家标准，常用的标称电阻值系列如表3所示。
E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。
(3) 允许误差等级3．电阻器的标志内容及方法(1)文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额定功率、允许误差等级等。
符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5所示。
如1R5表示1.5Ω，2K7表示2.7kΩ，表５例如：RJ71－0.125－5k1－II允许误差±10%标称阻值(5.1kΩ)额定功率1/8W型号由标号可知，它是精密金属膜电阻器，额定功率为1/8W，标称阻值为5.1kΩ，允许误差为±10%。
(2)色标法：色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点）标注在它的外表面上。
色标电阻（色环电阻）器可分为三环、四环、五环三种标法。
其含义如图1和图2所示。
标称值第一位有效数字标称值第二位有效数字标称值有效数字后0的个数允许误差图1 两位有效数字阻值的色环表示法三色环电阻器的色环表示标称电阻值（允许误差均为±20%）。
通用电子元器件命名规则
部品表推行小组: 上海忠成天野：黎虹蔚 齐华军 深圳研发中心：李艳红 中国华录集团：王爱华 2006.12.18
2
通用元器件命名规则
上海忠成天野轻工有限公司
目
录
1.目的 ……………………………………………………………………………………………1 2.适用范围 ………………………………………………………………………………………1 3.参考资料 ………………………………………………………………………………………1 4.职责 ……………………………………………………………………………………………1 5.通用元器件命名规则 …………………………………………………………………………1 5.1 电阻…………………………………………………………………………………………..1 5.1.1 贴片电阻……………………………………………………………………………………1 5.1.2 插件电阻 ...…………………………………………………………………………………2 5.2 电容….……………………………………………………………………………………….3 5.2.1 贴片电容……………………………………………………………………………………3 5.2.2 插件铝电解电容……………………………………………………………………………6 5.2.3 瓷片电容……………………………………………………………………………………7 5.2.4 聚酯膜电容 ...………………………………………………………………………………8 5.2.5 轴向色环电容………………………………………………………………………………8 5.3 电感…………………………………………………………………………………………...9 5.3.1 贴片电感 ...…………………………………………………………………………………9 5.3.2 插件电感 ………………………………………………………………………………….10 5.4 接插件 ...……………………………………………………………………………………12 5.4.1 插座 ………………………………………………………………………………………12 5.4.2 连接器 ……………………………………………………………………………………13 5.5 稳压二极管 ..………………………………………………………………………………..15 5.5.1 小型玻封稳压二极管 ……………………………………………………………………15 5.5.2 1N系列稳压二极管整形规则 ……………………………………………………………15 5.6 保险丝 ………………………………………………………………………………………15 5.7 石英晶体谐振器 ……………………………………………………………………………16 5.8 其它.…………………………………………………………………………………………16
常见电子元器件命名规则
电子元器件命名规则MAXIM 专有产品型号命名MAX XXX (X) X X X1 2 3 4 5 61．前缀： MAXIM公司产品代号2．产品字母后缀：三字母后缀：C=温度范围； P=封装类型； E=管脚数四字母后缀：B=指标等级或附带功能； C=温度范围；P=封装类型； I=管脚数3．指标等级或附带功能：A表示5%的输出精度，E表示防静电4 ．温度范围：C= 0℃ 至70℃（商业级）I =-20℃ 至+85℃（工业级）E =-40℃ 至+85℃（扩展工业级）A = -40℃至+85℃（航空级）M =-55?至+125℃（军品级）5．封装形式:A SSOP(缩小外型封装) Q PLCCB CERQUAD R 窄体陶瓷双列直插封装C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装) S 小外型封装D 陶瓷铜顶封装 T TO5,TO-99,TO-100E 四分之一大的小外型封装 U TSSOP,μMAX,SOTF 陶瓷扁平封装 H 模块封装, SBGA W 宽体小外型封装（300mil） J CERDIP (陶瓷双列直插) X SC-70（3脚，5脚，6脚） K TO-3 塑料接脚栅格阵列 Y 窄体铜顶封装L LCC (无引线芯片承载封装) Z TO-92MQUADM MQFP (公制四方扁平封装) / D裸片N 窄体塑封双列直插 / PR 增强型塑封P 塑料 / W 晶圆6．管脚数量：A:8 J:32 K:5，68 S:4，80B:10，64 L:40 T:6，160C:12，192 M:7，48 U:60D:14 N:18 V:8（圆形）E:16 O:42 W:10（圆形）F:22，256 P:20 X:36G:24 Q:2，100 Y:8（圆形）H:44 R:3，84 Z:10（圆形）I:28AD 常用产品型号命名单块和混合集成电路XX XX XX X X X1 2 3 4 51．前缀：AD模拟器件 HA 混合集成A/D HD 混合集成D/A2．器件型号3．一般说明：A 第二代产品，DI 介质隔离，Z 工作于±12V4．温度范围/性能（按参数性能提高排列）：I、J、K、L、M 0℃至70℃A、B、C-25℃或-40℃至85℃S、T、U -55℃至125℃5．封装形式：D 陶瓷或金属密封双列直插R 微型“SQ”封装E 陶瓷无引线芯片载体RS 缩小的微型封装F 陶瓷扁平封装S 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷针阵列 ST 薄型四面引线扁平封装H 密封金属管帽 T TO-92型封装J J形引线陶瓷封装U 薄型微型封装M 陶瓷金属盖板双列直插 W 非密封的陶瓷/玻璃双列直插N 料有引线芯片载体Y 单列直插Q 陶瓷熔封双列直插Z 陶瓷有引线芯片载体P 塑料或环氧树脂密封双列直插高精度单块器件XXX XXXX BI E X /8831 2 3 4 5 61．器件分类： ADC A/D转换器 OP 运算放大器AMP 设备放大器PKD 峰值监测器BUF 缓冲器 PM PMI二次电源产品CMP 比较器 REF 电压比较器DAC D/A转换器 RPT PCM线重复器JAN Mil-M-38510 SMP 取样/保持放大器LIU 串行数据列接口单元SW 模拟开关MAT 配对晶体管SSM 声频产品MUX 多路调制器TMP 温度传感器2．器件型号3．老化选择4．电性等级5．封装形式：H 6腿TO-78 S 微型封装J 8腿TO-99 T 28腿陶瓷双列直插K 10腿TO-100 TC 20引出端无引线芯片载体P 环氧树脂B双列直插V 20腿陶瓷双列直插PC 塑料有引线芯片载体X 18腿陶瓷双列直插Q 16腿陶瓷双列直插 Y 14腿陶瓷双列直插R 20腿陶瓷双列直插 Z 8腿陶瓷双列直插RC 20引出端无引线芯片载体6．军品工艺ALTERA 产品型号命名XXX XXX X X XX X1 2 3 4 5 61．前缀： EP 典型器件EPC 组成的EPROM器件EPF FLEX 10K或FLFX 6000系列、FLFX 8000系列EPM MAX5000系列、MAX7000系列、MAX9000系列EPX 快闪逻辑器件2．器件型号3．封装形式：D 陶瓷双列直插 Q 塑料四面引线扁平封装P 塑料双列直插R 功率四面引线扁平封装S 塑料微型封装 T 薄型J形引线芯片载体J 陶瓷J形引线芯片载体 W 陶瓷四面引线扁平封装L 塑料J形引线芯片载体 B 球阵列4．温度范围： C ℃至70℃，I -40℃至85℃，M -55℃至125℃5．腿数6．速度ATMEL 产品型号命名AT XX X XX XX X X X1 2 3 4 5 61．前缀：ATMEL公司产品代号2．器件型号3．速度4．封装形式：A TQFP封装 P 塑料双列直插B 陶瓷钎焊双列直插Q 塑料四面引线扁平封装C 陶瓷熔封R 微型封装集成电路D 陶瓷双列直插S 微型封装集成电路F 扁平封装T 薄型微型封装集成电路G 陶瓷双列直插，一次可编程U 针阵列J 塑料J形引线芯片载体 V 自动焊接封装K 陶瓷J形引线芯片载体W 芯片L 无引线芯片载体 Y 陶瓷熔封M 陶瓷模块 Z 陶瓷多芯片模块N 无引线芯片载体，一次可编程5．温度范围：C 0℃至70℃， I -40℃至85℃， M -55℃至125℃6．工艺：空白标准/883 Mil-Std-883, 完全符合B级B Mil-Std-883，不符合B级BB 产品型号命名XXX XXX (X) X X X1 2 3 4 5 6DAC 87 X XXX X /883B7 81．前缀：ADC A/D转换器MPY 乘法器ADS 有采样/保持的A/D转换器OPA 运算放大器DAC D/A转换器 PCM 音频和数字信号处理的A/D和D/A转换器DIV 除法器 PGA 可编程控增益放大器INA 仪用放大器 SHC 采样/保持电路ISO 隔离放大器 SDM 系统数据模块MFC 多功能转换器 VFC V/F、F/V变换器MPC 多路转换器 XTR 信号调理器2．器件型号3．一般说明：A 改进参数性能 L 锁定Z + 12V电源工作 HT 宽温度范围4．温度范围：H、J、K、L 0℃至70℃A、B、C -25℃至85 ℃R、S、T、V、W -55℃至125℃5．封装形式：L 陶瓷芯片载体 H 密封陶瓷双列直插M 密封金属管帽 G 普通陶瓷双列直插N 塑料芯片载体 U 微型封装P 塑封双列直插6．筛选等级： Q 高可靠性 QM 高可靠性，军用7．输入编码：CBI 互补二进制输入COB 互补余码补偿二进制输入CSB 互补直接二进制输入CTC 互补的两余码8．输出： V 电压输出 I 电流输出CYPRESS 产品型号命名XXX 7 C XXX XX X X X1 2 3 4 5 61．前缀： CY Cypress公司产品， CYM 模块， VIC VME总线2．器件型号：7C128 CMOS SRAM 7C245 PROM7C404 FIFO 7C9101 微处理器3．速度：A 塑料薄型四面引线扁平封装 V J形引线的微型封装B 塑料针阵列 U 带窗口的陶瓷四面引线扁平封装 D 陶瓷双列直插 W 带窗口的陶瓷双列直插F 扁平封装 X 芯片G 针阵列 Y 陶瓷无引线芯片载体H 带窗口的密封无引线芯片载体 HD 密封双列直插J 塑料有引线芯片载体K 陶瓷熔封 HV 密封垂直双列直插L 无引线芯片载体 PF 塑料扁平单列直插P 塑料 PS 塑料单列直插Q 带窗口的无引线芯片载体 PZ 塑料引线交叉排列式双列直插 R 带窗口的针阵列 E 自动压焊卷S 微型封装IC T 带窗口的陶瓷熔封 N 塑料四面引线扁平封装5．温度范围：C 民用（0℃至70℃）I 工业用（-40℃至85℃）M 军谩（-55℃至125℃）6．工艺： B 高可靠性HITACHI 常用产品型号命名XX XXXXX X X1 2 3 41．前缀：HA 模拟电路 HB 存储器模块HD 数字电路 HL 光电器件（激光二极管/LED）HM 存储器（RAM） HR光电器件（光纤）HN 存储器（NVM）PF RF功率放大器HG 专用集成电路2．器件型号3．改进类型4．封装形式：P 塑料双列 PG 针阵列C 陶瓷双列直插 S 缩小的塑料双列直插CP 塑料有引线芯片载体 CG 玻璃密封的陶瓷无引线芯片载体FP 塑料扁平封装 G 陶瓷熔封双列直插SO 微型封装INTERSIL 产品型号命名XXX XXXX X X X X1 2 3 4 5 61．前缀： D 混合驱动器 G 混合多路FETICL 线性电路 ICM 钟表电路IH 混合/模拟门 IM 存储器AD 模拟器件 DG 模拟开关DGM 单片模拟开关 ICH 混合电路MM 高压开关 NE/SE SIC产品2．器件型号3．电性能选择4．温度范围：A -55℃至125℃，B -20℃至85℃，C 0℃至70℃ I -40℃至125℃，M -55℃至125℃5．封装形式：A TO-237型 L 无引线陶瓷芯片载体B 微型塑料扁平封装P 塑料双列直插C TO-220型 S TO-52型D 陶瓷双列直插T TO-5、TO-78、TO-99、TO-100型E TO-8微型封装 U TO-72、TO-18、TO-71型F 陶瓷扁平封装V TO-39型H TO- 66型 Z TO-92型I 16脚密封双列直插 /W 大圆片J 陶瓷双列直插/D 芯片K T O-3型 Q 2引线金属管帽6．管脚数：A 8，B 10，C 12，D 14，E 16，F 22，G 24，H 42， I 28， J 32， K 35， L 40， M 48， N 18，P 20， Q 2， R 3， S 4， T 6， U 7，V 8（引线间距0.2""，绝缘外壳）W 10（引线间距0.23""，绝缘外壳）Y 8（引线间距0.2""，4脚接外壳）Z 10（引线间距0.23""，5脚接外壳）NEC 常用产品型号命名μP X XXXX X1 2 3 41．前缀2．产品类型：A 混合元件 B 双极数字电路，C 双极模拟电路D 单极型数字电路3．器件型号：4．封装形式：A 金属壳类似TO-5型封装 J 塑封类似TO-92型B 陶瓷扁平封装 M 芯片载体C 塑封双列 V 立式的双列直插封装D 陶瓷双列 L 塑料芯片载体G 塑封扁平 K 陶瓷芯片载体H 塑封单列直插 E 陶瓷背的双列直插国外IC芯片命名规则（二）2010-10-9 7:46:00MICROCHIP 产品型号命名PIC XX XXX XXX (X) -XX X /XX1 2 3 4 5 61. 前缀: PIC MICROCHIP公司产品代号2. 器件型号（类型）：C CMOS电路 CR CMOS ROMLC 小功率CMOS电路LCS 小功率保护AA 1.8V LCR 小功率CMOS ROMLV 低电压 F 快闪可编程存储器HC 高速CMOS FR FLEX ROM3．改进类型或选择4．速度标示：-55 55ns, -70 70ns, -90 90ns, -10 100ns, -12 120ns-15 150ns -17 170ns, -20 200ns, -25 250ns, -30 300ns晶体标示：LP 小功率晶体，RC 电阻电容，XT 标季 /振荡器HS 高速晶体频率标示：-20 2MHZ， -04 4MHZ， -10 10MHZ， -16 16MHZ-20 20MHZ，-25 25MHZ，-33 33MHZ5．温度范围：空白0℃至70℃，I -45℃至85℃， E -40℃至125℃6．封装形式：L PLCC封装JW 陶瓷熔封双列直插，有窗口P 塑料双列直插PQ 塑料四面引线扁平封装W 大圆片SL 14腿微型封装-150milJN 陶瓷熔封双列直插，无窗口 SM 8腿微型封装-207milSN 8腿微型封装-150 mil VS 超微型封装8mm×13.4mmSO 微型封装-300 mil ST 薄型缩小的微型封装-4.4mm SP 横向缩小型塑料双列直插 CL 68腿陶瓷四面引线，带窗口SS 缩小型微型封装 PT 薄型四面引线扁平封装TS 薄型微型封装8mm×20mm TQ 薄型四面引线扁平封装ST 产品型号命名普通线性、逻辑器件MXXX XXXXX XX X X1 2 3 4 51．产品系列：74AC/ACT 先进CMOSHCF4XXX M74HC 高速CMOS2．序列号3．速度4．封装： BIR，BEY 陶瓷双列直插M，MIR 塑料微型封装5．温度普通存贮器件XX X XXXX X XX X XX1 2 3 4 5 6 71．系列：ET21 静态RAM ETL21 静态RAMETC27 EPROM MK41 快静态RAMMK45 双极端口FIFO MK48 静态RAMTS27 EPROM S28 EEPROMTS29 EEPROM2．技术：空白…NMOS C…CMOS L…小功率3．序列号4．封装：C 陶瓷双列 J 陶瓷双列N 塑料双列 Q UV窗口陶瓷熔封双列直插5．速度6．温度：空白0℃~70℃ E -25℃~70℃V -40℃~85℃ M -55℃~125℃7．质量等级：空白标准B/B MIL-STD-883B B级存储器编号（U.V EPROM和一次可编程OTP）M XX X XXX X X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 81．系列：27…EPROM 87…EPROM锁存2．类型：空白…NMOS，C…CMOS，V…小功率 3．容量：64…64K位（X8）256…256K位（X8）512…512K位（X8）1001…1M位（X8）101…1M位（X8）低电压1024…1M位（X8）2001…2M位（X8）201…2M位（X8）低电压4001…4M位（X8）401…4M位（X8）低电压4002…4M位（X16）801…4M位（X8）161…16M位（X8/16）可选择160…16M位（X8/16）4．改进等级5．电压范围：空白 5V +10%Vcc， X 5V +10%Vcc6．速度：55 55n，60 60ns，70 70ns，80 80ns90 90ns， 100/10 100 n120/12 120 ns，150/15 150 ns200/20 200 ns，250/25 250 ns7．封装：F 陶瓷双列直插（窗口）L 无引线芯片载体（窗口）B 塑料双列直插C 塑料有引线芯片载体（标准）M 塑料微型封装N 薄型微型封装K 塑料有引线芯片载体（低电压）8．温度： 1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃快闪EPROM的编号M XX X A B C X X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 8 9 101．电源2．类型： F 5V +10%， V 3.3V +0.3V3．容量： 1 1M， 2 2M， 3 3M，8 8M，16 16M4．擦除：0 大容量 1 顶部启动逻辑块2 启动逻辑块 4 扇区5．结构：0 ×8/×16可选择， 1 仅×8， 2 仅×166．改型：空白 A7．Vcc：空白 5V+10%Vcc X +5%Vcc8．速度：60 60ns，70 70ns， 80 80ns，90 90ns100 100ns，120 120ns，150 150ns，200 200ns9．封装：M 塑料微型封装N 薄型微型封装，双列直插C/K 塑料有引线芯片载体 B/P 塑料双列直插10．温度：1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃仅为3V和仅为5V的快闪EPROM编号M XX X XXX X XXX X X1 2 3 4 5 6 71．器件系列： 29 快闪2．类型： F 5V单电源V 3.3单电源3．容量：100T （128K×8.64K×16）顶部块，100B （128K×8.64K×16）底部块 200T （256K×8.64K×16）顶部块，200B （256K×8.64K×16）底部块 400T （512K×8.64K×16）顶部块，400B （512K×8.64K×16）底部块 040 （12K×8）扇区，080 （1M×8）扇区016 （2M×8）扇区4．Vcc：空白 5V+10%Vcc， X +5%Vcc5．速度：60 60ns，70 70ns， 80 80ns90 90ns， 120 120ns6．封装：M 塑料微型封装N 薄型微型封装K 塑料有引线芯片载体P 塑料双列直插7．温度： 1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃串行EEPROM的编号ST XX XX XX X X X1 2 3 4 5 61．器件系列：24 12C ，25 12C（低电压），93 微导线95 SPI总线 28 EEPROM2．类型/工艺：C CMOS（EEPROM） E 扩展I C总线W 写保护士 CS 写保护（微导线）P SPI总线 V 低电压（EEPROM）3．容量：01 1K 02 2K，04 4K，08 8K16 16K，32 32K， 64 64K4．改型：空白 A、 B、 C、 D5．封装：B 8腿塑料双列直插M 8腿塑料微型封装ML 14腿塑料微型封装6．温度：1 0℃~70℃ 6 -40℃~85℃ 3 -40℃~125℃微控制器编号ST XX X XX X X1 2 3 4 5 61．前缀2．系列： 62 普通ST6系列63 专用视频ST6系列72 ST7系列90 普通ST9系列92 专用ST9系列10 ST10位系列20 ST20 32位系列3．版本：空白 ROM T OTP（PROM）R ROMless P 盖板上有引线孔E EPROMF 快闪4．序列号5．封装：B 塑料双列直插 D 陶瓷双列真插F 熔封双列直插M 塑料微型封装S 陶瓷微型封装CJ 塑料有引线芯片载体K 无引线芯片载体L 陶瓷有引线芯片载体QX 塑料四面引线扁平封装 G 陶瓷四面扁平封装成针阵列R 陶瓷什阵列T 薄型四面引线扁平封装6．温度范围：1.5 0℃~70℃(民用) 2 -40℃~125℃(汽车工业)61 -40℃~85℃(工业) E -55℃~125℃XICOR 产品型号命名X XXXXX X X X (-XX)1 2 3 4 5 6EEPOT X XXXX X X X1 2 7 3 4串行快闪 X XX X XXX X X -X1 2 3 4 81．前缀2．器件型号3．封装形式：D 陶瓷双列直插P 塑料双列直插E 无引线芯片载体R 陶瓷微型封装F 扁平封装S 微型封装J 塑料有引线芯片载体T 薄型微型封装K 针振列 V 薄型缩小型微型封装L薄型四面引线扁平封装X 模块M 公∑微型封装 Y 新型卡式4．温度范围：空白标准， B B级（MIL-STD-883），E -20℃至85℃I -40℃至85℃，M -55℃至125℃5．工艺等级：空白标准， B B级（MIL-STD-883）6．存取时间（仅限EEPROM和NOVRAM）：20 200NS, 25 250NS, 空白 300ns, 35 350ns, 45 450ns55 55ns, 70 70ns, 90 90ns, 15 150nsVcc限制（仅限串行EEPROM）：空白 4.5V至5.5V，-3 3V至5.5V-2.7 2.7V至5.5V，-1.8 1.8V至5.5V7．端到末端电阻：Z 1KΩ， Y 2KΩ， W 10KΩ，U 50KΩ， T 100KΩ8． Vcc限制：空白 1.8V至3.6V，-5 4.5V至5.5VZILOG 产品型号命名Z XXXXX XX X X X XXXX1 2 3 4 5 6 71．前缀2．器件型号3．速度：空白 2.5MHz， A 4.0MHz， B 6.0MHzH 8.0MHz，L 低功耗的，直接用数字标示4．封装形式：A 极小型四面引线扁平封装 C 陶瓷钎焊D 陶瓷双列直插E 陶瓷，带窗口F 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷针阵列H 缩小型微型封装I PCB芯片载体K 陶瓷双列直插，带窗口L 陶瓷无引线芯片载体P 塑料双列直插Q 陶瓷四列S 微型封装V 塑料有引线芯片载体 5．温度范围：E -40℃至100℃， M -55℃至125℃，S 0℃至70 ℃6．环境试验过程：A 应力密封，B 军品级，C 塑料标准，D 应力塑料，E 密封标准。
电子元器件命名规范
摘要本规范主要解决本公司硬件开发部门与仓库元器件命名混乱及衔接难问题。
为了改善仓库对电子元器件的管理、规范技术开发人员的文档书写习惯、更有效的提高仓库呆滞元器件的利用率而实施。
本规范对元器件实行按类划分，根据不同元器件的各自特性与外观而制定相应的命名规则，使其能形象的反映出真实属性，设立二级分类为更准确的区分元器件特性及更好的为以后新类元器件做扩展，为了解决一些确实无法用规则来命名的元器件问题，故设立“非常规元器件查询表”。
自本规范发布之日起，所有新增电子元器件的命名必需严格遵守其命名规则执行，以申请审核的方式录入通用电子元件库。
试行期间，如发现命名规则有BUG或错误，希望有关人员能积极反映，以便更好完善本规范。
目录保险丝（F） (4)放电管（G） (5)晶振（Y） (6)二极管（D） (8)三极管（Q） (9)场效应管（CS） (10)晶闸管（BT） (11)瞬间抑制二极管（TVS） (12)继电器（K） (13)模块类（MD） (14)发光二极管（LED） (15)光耦（P） (18)磁珠（FB） (19)电感（L） (20)电容（C） (21)电阻（R） (24)开关（SW） (26)2/50排阻（RP） (28)发声器（H） (30)芯片（IC） (31)插座（XS） (32)USB接口（USB） (33)SIM卡座（SIM） (34)DB系列接口（DB） (35)保险丝座（XF） (36)排针排座（J） (37)接线端子（UL） (38)插座杂类（XZ） (39)PCB天线座（AP） (40)传感器（SS） (41)互感器（TF） (42)变压器（T） (43)散热片（HS） (44)芯片座（IS） (45)注意事项 (46)3/50名称分类品名定义品名命名规则、举例封装代号封装定义封装命名规则、举例保险丝（F）贴片自恢复SMD+电流（最低位表0.01A）F+贴片封装SMD010：贴片自恢复保险丝0.1AF0805:自恢复保险丝0805封装直插自恢复PTC+电压-电流（最低位表0.01A）P模糊间距XS：1-2.9S：3-5.9M：6-8.9L：9-11.9XL：12-15.9FP-模糊脚间距PTC250-300：正温度自恢复250V-3AFP-S:自恢复保险丝脚间距在3-5mm管式保险丝管类型管状G材料玻璃G陶瓷TF-类型+材料+电压-电流（电流最低位表示0.01A）GFG-直径*长度F-GG250-050：玻璃管式250V-0.5AFG-5*20:管式保险丝5MM*20MM引线保险丝管类型引线X材料玻璃G陶瓷TF-类型+材料+电压-电流（电流最低位表示0.01A）XFX-直径*长度F-XG250-050：玻璃引线式250V-0.5AFX-5*20：引线式保险丝5MM*20MM备注4/50名称分类品名定义品名命名规则、举例封装代号封装定义封装命名规则、举例放电管（G ）贴片放电管品名实名G+贴片封装LT-BA151N G1812：贴片放电管1812封装直插放电管品名实名DGD-直径*高-脚数LCR600W03GD-8*10-3:三脚直插放电管直径*高为8*10MM备注5/50名称分类品名定义品名命名规则、举例封装代号封装定义封装命名规则、举例晶振（Y ）贴片长方形类型长方形R供电方式有源O无源CY-类型+供电方式+PPM-频率RY+贴片封装-脚数Y-RO20-8M：长方形有源20PPM-8MY6035-4:贴片长方形晶振6035-4脚椭圆形类型椭圆形E供电方式有源O无源CY-类型+供电方式+PPM-频率E封装实名-脚数Y-EC20-8M:椭圆形无源20PPM-8MSM-49S-2：贴片椭圆形-2脚，HC-49S-2：直插椭圆形-2脚圆柱形类型圆柱形C供电方式有源O无源CY-类型+供电方式+PPM-频率CYC-直径*高度-脚数Y-CC20-32.768K:圆柱形无源20PPM-32.768KYC-3*8-2:圆柱形晶振2脚，直径*高位3*8MM直插正方形类型正方形S供电方式有源O无源CY-类型+供电方式+PPM-频率SYS-长*宽*高-脚数Y-SO20-8M:正方形有源20PPM-8MYS-12.8*12.8*5.5：正方形晶振，长宽高分别为12.8*12.8*5.5备注6/50名称分类品名定义品名命名规则、举例封装代号封装定义封装命名规则、举例晶振（Y ）U型类型U形U供电方式有源O无源CY-类型+供电方式+PPM-频率封装实名-脚数Y-UC20-12M:U形无源20PPM-12MHC-49U-2：2脚U形型号为HC-49U备注7/50名称分类品名定义品名命名规则、举例封装代号封装定义封装命名规则、举例二极管（D ）单体二极管品名实名封装实名1N5819DO-204AL整流桥品名实名封装实名DB105S DB-S备注8/50名称分类品名定义品名命名规则、举例封装代号封装定义封装命名规则、举例三极管（Q ）品名实名封装实名2SC1623L6SOT-23-3备注9/50名称分类品名定义品名命名规则、举例封装代号封装定义封装命名规则、举例场效应管（CS ）品名实名封装实名IRFR310TRPBF D-PAK备注10/50名称分类品名定义品名命名规则、举例封装代号封装定义封装命名规则、举例晶闸管（BT ）品名实名-耐压+门极触发电流代号封装实名BTA08-600B：双向晶闸管8A-600V耐压，触发电流为50MATO-220-3备注门极触发电流代号由具体生产产家规定为准11/50名称分类品名定义品名命名规则、举例封装代号封装定义封装命名规则、举例瞬间抑制二极管（TVS ）贴片TVS管品名实名封装实名SMBJ6.5CA DO-214AA直插TVS管品名实名封装实名P6KE6.8CA DO-204AC备注12/50名称分类品名定义品名命名规则、举例封装代号封装定义封装命名规则、举例继电器（K ）品名实名品名系列实名G5LA-14-5VDC：G5LA-14-XVDC：G5LA-14系列继电器备注13/50名称分类品名定义品名命名规则、举例封装代号封装定义封装命名规则、举例模块类（MD ）模块系列产品品名实名品名系列实名AC220S05DC-10W：电源模块AC220SXXDC-10W:220交流10W系列电源模块单一模块品名实名品名实名EB-3531：GPRS模块EB-3531备注14/50名称分类品名定义品名命名规则、举例封装代号封装定义封装命名规则、举例发光二极管（LED ）贴片LED灯LED-颜色LED+贴片封装-脚数LED-R：贴片红色LED灯LED0805-2：贴片2脚LED封装为0805圆头灯珠类型圆头C边框有边L无边NLED-类型+边框+电流（有就注明，单位为MA）-颜色CLEDC-直径-脚数LED-CL-RB1:圆头LED灯、有边、红蓝双色LEDC-5-2：2脚直径为5MM的圆头LED灯方形灯珠类型方形R边框有边L无边NLED-类型+边框+电流（有就注明，单位为MA）-颜色RLEDR-长*宽*高-脚数LED-RN-G：无边绿色方形LED灯LEDR-2*5*7-2：长宽高为2*5*7的方形LED灯平头灯珠类型平头L边框有边L无边NLED-类型+边框+电流（有就注明，单位为MA）-颜色LLEDL-直径-脚数LED-LL-R:红色有边平头LED灯LEDL-5-2：5MM2脚平头LED灯备注命名规则中颜色注释：颜色以英文第一个字母标注，几种颜色标注几个字母，其中如果为两种颜色及以上注明共阴共阳，共阳用阿拉伯数字“1”表示，共阴用阿拉伯数字“2”表示，无共阴共阳用阿拉伯数字“0”表示。
芯片命名规则
电子元器件命名- -电子元器件,又叫电子芯片,半导体集成电路,广泛应用于各种电子电器设备上.封装形式:封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳.它不仅起着安装,固定,密封,保护芯片及增强电热性能等方面的作用,而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上,这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接.衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比,这个比值越接近1越好.封装大致经过了如下发展进程:结构方面:TO->DIP->LCC->QFP->BGA ->CSP;材料方面:金属,陶瓷->陶瓷,塑料->塑料;引脚形状:长引线直插->短引线或无引线贴装->球状凸点;装配方式:通孔插装->表面组装->直接安装.英文简称英文全称中文解释图片DIPDouble In-line Package双列直插式封装.插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种.DIP是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等.PLCCPlastic Leaded Chip CarrierPLCC封装方式,外形呈正方形,32脚封装,四周都有管脚,外形尺寸比DIP封装小得多.PLCC封装适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线,具有外形尺寸小,可靠性高的优点.PQFPPlastic Quad Flat PackagePQFP封装的芯片引脚之间距离很小,管脚很细,一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式,其引脚数一般都在100以上.SOPSmall Outline Package1968～1969年菲为浦公司就开发出小外形封装(SOP).以后逐渐派生出SOJ(J型引脚小外形封装),TSOP(薄小外形封装),VSOP(甚小外形封装),SSOP(缩小型SOP),TSSOP(薄的缩小型SOP)及SOT(小外形晶体管),SOIC(小外形集成电路)等.模拟滤波器光纤通信高速信号处理和转换无线/射频光线通讯,模拟显示支持电路高频模拟和混合信号ASIC数字转换器,接口,电源管理,电池监控DC/DC电源电压基准MAXIM前缀是"MAX".DALLAS则是以"DS"开头.MAX×××或MAX××××说明:1后缀CSA,CWA 其中C表示普通级,S表示表贴,W 表示宽体表贴.2 后缀CWI表示宽体表贴,EEWI宽体工业级表贴,后缀MJA或883为军级.3 CPA,BCPI,BCPP,CPP,CCPP,CPE,CPD,ACPA后缀均为普通双列直插.举例MAX202CPE,CPE普通ECPE普通带抗静电保护MAX202EEPE 工业级抗静电保护(-45℃-85℃) 说明E 指抗静电保护MAXIM数字排列分类1字头模拟器2字头滤波器3字头多路开关4字头放大器5字头数模转换器6字头电压基准7字头电压转换8字头复位器9字头比较器DALLAS命名规则例如DS1210N.S. DS1225Y-100IND N=工业级S=表贴宽体MCG=DIP封Z=表贴宽体MNG=DIP工业级IND=工业级QCG=PLCC封Q=QFP 下面是MAXIM的命名规则:三字母后缀:例如:MAX358CPDC = 温度范围P = 封装类型D = 管脚数温度范围:C = 0℃至70℃(商业级)I = -20℃至+85℃(工业级)E = -40℃至+85℃(扩展工业级)A = -40℃至+85℃(航空级)M = -55℃至+125℃(军品级)封装类型:A SSOP(缩小外型封装)B CERQUADC TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装)D 陶瓷铜顶封装E 四分之一大的小外型封装F 陶瓷扁平封装H 模块封装, SBGA(超级球式栅格阵列, 5x5 TQFP) J CERDIP (陶瓷双列直插)K TO-3 塑料接脚栅格阵列L LCC (无引线芯片承载封装)M MQFP (公制四方扁平封装)N 窄体塑封双列直插P 塑封双列直插Q PLCC (塑料式引线芯片承载封装)R 窄体陶瓷双列直插封装(300mil)S 小外型封装T TO5,TO-99,TO-100U TSSOP,μMAX,SOTW 宽体小外型封装(300mil)X SC-70(3脚,5脚,6脚)Y 窄体铜顶封装Z TO-92,MQUAD/D 裸片/PR 增强型塑封/W 晶圆DSP信号处理器放大器工业用器件通信电源管理移动通信视频/图像处理器等模拟A/D D/A 转换器传感器模拟器件AD产品以"AD","ADV"居多,也有"OP"或者"REF","AMP","SMP","SSM","TMP","TMS"等开头的.后缀的说明:1,后缀中J表示民品(0-70℃),N表示普通塑封,后缀中带R表示表示表贴。
很全的各类电子元器件符号实物命名规则生产厂商一览
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电子电路中常用的器件包括：
1、电阻器(含电位器)
2、电容器
3、电感器与变压器
4、二极管
5、晶体管三极管
6、场效应晶体管（含IGBT、MOSFET）
7、晶闸管(可控硅)
8、晶振
9、连接器
10、各种传感器
11、光电器件
12、电声器件
13、显示器件
14、继电器与干簧管
15、开关
16、保险丝等。
下面一起来看看它们的电路符号+实物图+命名规则+生产厂商：1.电阻器(含电位器)
举例：
RJ76表示精密金属膜电阻器
R——电阻器（第一部分）
J——金属膜（第二部分）
7——精密（第三部分）
6——序号（第四部分）
2.电容器
国外电容器命名规则不一，国外部分知名厂家命名规则如下：•(1)日本村田(muRata)
•(2)日本TDK
•(3)日本京瓷(Kyocera)
•(4)日本罗姆(ROHM)
•(5)日本松下旗下三洋电机(Panasonic) (6)韩国三星(SAMSUNG)
•(7)美国基美(KEMET)
•(8)英国Syfer
•(9)中国台湾国巨(YAGEO)
•(10)中国台湾华新科技(WALSIN)
3.电感器与变压器
4.二极管
5.晶体管三极管
6.场效应晶体管
7.晶闸管(可控硅)
8.晶振
9.连接器
10.各种传感器
11.光电器件
12.电声器件
13.显示器件
14.继电器与干簧管
15.开关
16.保险丝。
常用电子元器件命名介绍
第1 章常用电子元器件§1.1 电阻器和电位器电阻器简称电阻.它是电子电路中应用最多的元件之一.电阻器在电路中用于分压,分流,滤波(与电容器组合),耦合,阻抗匹配,负载等.电阻器用符号R 表示.电阻值的基本单位为欧姆,简称欧( ).常用的单位还有千欧(k )和兆欧(M ).三者的换算关系是:1M =1000k ,1k =1000电位器是一种具有三个接头的可变电阻器.在使用中,通过调节电位器的转轴,不但能使电阻值在最大与最小之间变化,而且当两固定端供某一电压时,还能调节滑动接头与两固定接头之间的电位高低,故称电位器.电位器在收音机,录音机,电视机等电子设备中用于调节音量,音调,亮度,对比度,色饱和度等.1.1.1 电阻器的命名,分类及参数(一) 型号命名根据部颁标准(SJ-73)规定,国产电阻器,电位器的型号由下列五个部分组成:第一部分:主称,用字母表示,R表示电阻器,W表示电位器;第二部分:材料,用字母表示,具体含义见表3.1.1;第三部分:产品分类,用数字或字母表示,见表3.1.2;第四部分:序号,用数字表示;第五部分:区别代号,用字母表示.区别代号是当电阻器(电位器)的主称,材料特征相同,而尺寸,性能指标有差别时,在序号后用A,B,C,D等字母予以区别.表3.1.1 电阻器,电位器其材料字母表示表类别名称符号字母顺序主称RW第一字母材料碳膜金属膜氧化膜合成碳膜有机实芯无机实芯沉积膜玻璃釉膜线绕硅碳膜压敏光敏热敏TJYHSNCIXPUMGR第二字母表3.1.2 电阻器与电位器的代号列表意义意义数字代号电阻器电位器字母代号电阻器电位器1普通普通G 高功率高功率2普通普通T 可调—3 超高频—W —微调4 高阻—D —多圈5 高温—X小型小型6 ——J精密精密7精密精密L 测量用—8 高压特种函数Y 被釉—9特殊特殊C 防潮—电阻器的种类很多:常用的电阻器按照导电体的结构特征分为实芯电阻器,薄膜电阻器和线绕电阻器;按电阻器的材料,结构又分为碳膜电阻器,金属氧化膜电阻器,线绕电阻器, 热敏电阻器,压敏电阻器等.另外,按照各种电阻器的特性,还可分为高精度,高稳定,高阻,高压,大功率,高频以及超小型等各种专用类型的电阻器.下面分别叙述几类常用电阻器的性能及结构.(1) 碳膜电阻器:碳膜电阻器稳定性好,噪声低,阻值范围较宽,既可制成小至几欧的低值电阻器,也能制成几十兆欧的高值电阻器,且价格较便宜.在-55～+40 ℃的环境温中, 通常按50%的额定功率之下使用.薄膜电阻是在园柱形陶瓷管体上覆一层具有一定导电能力的薄膜构成,引线在柱体两端引出.(2) 金属膜电阻器与金属氧化膜电阻器:金属膜电阻器外形和结构与碳膜电阻器相似,不同的是它采用合金粉真空蒸发制成. 它是以金属膜作导电层,表面涂以红色或棕色保护漆.金属膜电阻器的性能比碳膜电阻器更为优越,它不仅精密度高,稳定性好,阻值范围宽,噪声低,而且耐热性能好,在同样的功率条件下,体积只有碳膜电阻器的一半左右.可在- 55～70℃的环境温度中,按100%的额定功率使用.(实际工作时都降容使用) 这类电阻常用在质量要求较高的电路中.金属氧化膜电阻器的性能与金属膜电阻器相似,其长期工作稳定性不如金属膜电阻.耐热性较好.(3) 线绕电阻器:线绕电阻器是用镍铬丝或锰铜丝,康铜丝绕在瓷管上制成的,分固定式和可调式两种.外表涂以釉或酚醛作为保护层,颜色有黑色,棕色,灰色和兰色等.线绕电阻器的特点是阻值精度很高,噪声小,阻值稳定,能承受高温,在环境温度150℃下仍能正常工作.但它体积大,阻值较低,大多在十万欧以下. 同时线绕电阻器由于结构上的原因,分布电容和电感系数都比较大,不适合在高频电路中使用,这类电阻器通常在大功率电路中作降压元件或负载等用.线绕电阻由于其承受功能大小的不同,外形尺寸相应变化.(4) 热敏电阻器:热敏电阻器是用一种对温度极为敏感的半导体材料制成的非线性元件.电阻值随温度升高而变小的叫负温度系数热敏电阻器;随温度升高而增大的为正温度系数热敏电阻器.(5) 压敏电阻器:压敏电阻器是一种特殊的非线性电阻器,当加在压敏电阻器两端的电压至一定值时,它的阻值会急剧变小.在电子线路中,它常用作过压保护和稳压元件.压敏电阻器按伏安特性可分为对称型(无极性)和非对称型(有极型)两种.它们都具有电压温度系数较小,耐浪涌电流能力强的特点.不同规格的压敏电阻,具有不同规格的转折电压和浪涌电流吸收能力.(三) 主要参数1.标称阻值与允许误差标志在电阻器上的阻值称为标称阻值.但电阻的实际值往往与标称阻值不完全相符,即存在一定的误差.电阻器所允许的误差可由下式计算:%100×=RRRRRδ(3.1.1)式中δ—允许误差;R—电阻器的实际阻值;RR—电阻器的标称阻值.电阻器的阻值范围很宽,一般通用电阻器的阻值可从10 ～10M .按规定,电阻器的标称阻值应符合阻值系列所列数值.常用电阻器标称阻值系列见表3.1.3. 电阻器的精度等级见表3.1.4.表3.1.3 常用电阻器标称阻值表允许误差标称阻值/×10n (n为整数)±5%(E24系列)1.03.31.13.61.23.91.34.31.54.71.65.11.85.62.06.22.26.82.47.52.78.23.09.1±10%(E12系列)1.03.31.23.91.54.71.85.62.26.82.78.2±20%(E6系列)1.33.31.54.71.26.8表3.1.4 电阻器的精度等级表精度等级005 01(或00)02(或0) I II III允许误差±0.5% ±1% ±2% ±5% ±10% ±20%精密电阻器的精度等级分为±0.5%,±1%,±2%三个等级; 普通电阻的精度等级分为±5%,±10%和±20%三个等级.电阻的阻值和误差有两种表示方法,它们分别为:数值表示法:用文字,数字或符号直接打印在电阻上的表示法.色码表示法:用三到四个色环或色点表示电阻的阻值或允许误差.图3.1.1所示为几种常见的色码表示法.色环所代表的意义见表3.1.5.图3.1.1 电阻器阻值与误差的色码表示法表3.1.5 色环,色点所代表的意义表色环颜色第一色环(A)第一位数第二色环(B)第二位数第三色环(C)第三位数第四色环(D)黑—0 ×100±1%棕1 1 ×101±2%红2 2 ×102±3%橙3 3 ×103±4%黄4 4 ×104—绿5 5 ×105±0.5%蓝6 6 ×106±0.2%紫7 7 ×107±0.1%灰8 8 ×108—白9 9 ×109—金——×10-1±5%银——×10-2±10%本身颜色———±20以上两种表示法中,如无误差等级标志,一律表示允许误差为±20%.例如有一个电阻的色环分别为棕,黑,红和银色,则该电阻的阻值为10×102 ,即1000 ,允许误差为±10%.2.额定功率额定功率是指在正常条件下,电阻器长时间工作而不损坏或不显著改变其性能时,所允许消耗的最大功率.对于同一类电阻器,额定功率的大小取决于它的几何尺寸和表面面积. 电阻器的额定功率系列见表3.1.6, 表示电阻功率的通用符号见表3.1.7.表3.1.6 电阻器的额定功率系列表种类额定功率系列/W0.05 0.125 0.250.5 1 2 4 8 10线绕电阻器15 25 40 50 75 100 150 250 5000.05 0.125 0.250.5 1 2 5 10 25非线绕电阻器50 1000.25 0.5 1 1.6 2 3 5 10 16线绕电位器25 40 63 100非线绕电位器0.025 0.05 0.1 0.250.5 1 2 3表3.1.7 电阻功率的通用符号表图形符号名称图形符号名称略1/4W电阻略5W电阻略1/2W电阻10W电阻略1W电阻20W 20W电阻略2W电阻说明:功率大于10W和小于1/4W的电阻,用阿拉伯数字标注,例如20W电阻.3.最大工作电压(极限工作电压)每一个电阻器都有其最大的耐压程度,这一电压称为极限工作电压.电阻器的最大工作电压值用下式计算:LjRmaxRPU = (3.1.2)式中:Umax—最大工作电压; PR—额定功率; RLj—临界阻值.临界阻值由电阻器的额定功率以及它的结构,外形尺寸等因素确定.在实际使用中,当RRLj时,则必须低于最高工作电压,以免烧坏或产生极间击穿和飞弧现象.1.1.2 电阻器的测量使用电阻器时,首先要知道它是否完好,然后要确定一下它的实际阻值.下面介绍几种常用测量法.(一)用万用表测量固定电阻器测量前,将万用表进行调零,例如将万用表置于R×1k 挡,将红,黑两根表笔短接,使表头指针阻值为零,然后用表棒接被测固定电阻器的两个引出端,此时表头指针偏转的指示值,即为被测电阻器的阻值.如果指针不摆动, 则可将万用表换到R×10k 挡,并重新调零.如果指针仍不摆动,则表示该电阻器内部已断,不能再用.如果指针摆动到指示为零,可将万用表置于R×10 挡或R×1 挡(每次换挡均须调零后才能进行测量).此时指针偏转指示的值,即该值×10或×1 的值为电阻器的阻值.注意:测量时人体手指不要触碰在被测固定电阻器的两个引出端上,以免影响测量精度,特别是对大电阻影响大,因为手有时有几百千欧姆的电阻.(二)用电桥测量固定电阻器如果认为用万用表测量电阻器的阻值精度不够要求的话,则可以用电桥来测量.要注意在被测电阻器所允许的最大功耗内进行测量.1.1.3 电位器的命名,分类及参数(一) 型号命名见3.1.1 电阻器的命名,分类及参数中(一)电阻器和电位器的型号命名一节.(二) 分类电位器的种类较多,并各有特点.按所使用的电阻材料分为碳膜电位器,碳质实芯电位器,金属膜电位器,玻璃釉电位器,线绕电位器等.下面介绍几种常用的电位器.1. 碳膜电位器碳膜电位器的电阻片是用碳粉和树脂的混合物喷涂在马蹄形胶板上制成的.电阻片上旁边两端焊片间的电阻值是电位器的最大阻值,滑动臂与旁边两端焊片之间的阻值随触点位置改变而变化,改变滑动臂在碳膜片上的位置,就可以达到调节电阻的目的.它的特点是结构简单,阻值范围宽(约为100 ～4.7M ),价格便宜,但功率不太高,一般小于2W.它是目前使用最广泛的一种电位器.2. 线绕电位器线绕电位器的电阻体是用合金电阻丝制成的.它的特点是有较好的温度稳定性,噪声很低,精度高,耐热性能好,有较大的功率.在同样的功率下,线绕电位器的体积最小,但价格高.3. 单圈式电位器单圈式电位器是线绕电位器的一种, 它的滑动臂只能在不到360°的范围内旋转.4. 多圈式电位器多圈式电位器的滑动臂从一个极端位置到另一个极端位置,它的轴要转动好几圈.这种电位器的电阻丝紧紧地绕在外有绝缘层的粗金属线上,金属线圈绕成螺旋形,装在有内螺纹的壳体内.电位器的滑动臂由转轴带动,能沿着螺旋形的金属线移动.转轴每旋转一周,滑动臂仅移动一个螺距.因此,多圈式电位器可以对电阻值作细微的调节.它的特点是电压分度十分细密和行程分辨率高,但成本高.这类电阻适用于需精密微调的电路.(三) 主要参数电位器除与电阻器有相同的参数外,还有特有的几个参数.1.最大阻值和最小阻值电位器的标称阻值都是指最大阻值.最小阻值又称零位阻值.由于触点存在接触电阻,因此最小电阻值不可能为零.2.阻值变化特性它是指阻值随活动触点的旋转角度变化的关系,这种关系可以是任何函数形式.常用的有直线式,指数式和对数式,分别用X,Z,D表示.直线式电位器,其阻值变化和转角成线性关系,多用在分压电路中.指数式电位器,多用在音量控制电路中,以适应入耳听觉的需要.对数式电位器适用于与指数式相反的电路中,如音调控制电路.3.滑动噪声由于电阻器电阻分配不当,转动系统配合不当和电位器接触电阻等原因,会使电位器的电接触刷在移动时,输出端除有有用信号外,还伴有随着信号的起伏不定的噪声,这就是滑动噪声.§1.2 电容器电容器具有隔直流和通交流的能力,因此在电子技术中是个十分重要的元件.利用电容器的充放电特性,可以用电容器组成定时电路,锯齿波产生电路,微分和积分电路以及滤波电路等.电容器用符号C表示.电容的基本单位为法拉,简称法(F).但此电位过分大,平常常用的单位还有微法( F),纳法(nF)和皮法(pF)等.它们之间的换算关系是:1F=106 F;1 F=106pF1.2.1 电容器的型号命名根据部颁标准(SJ—73)规定,国产电容器的型号由下列五个部分组成:第一部分:主称,用字母表示(一般用C表示).第二部分:材料,用字母表示,具体含义见表3.2.1.第三部分:特征,用字母或数字表示,具体含义见表3.2.1.第四部分:序号,用数字表示.1.2.2 电容器的分类电容器的种类很多,分类方法也各有不同.从结构上分可分为:固定电容器和可变电容器两大类.根据介质材料不同来区分可分为:气体介质电容器(空气电容器,真空电容器,充电式电容器);液体介质电容器(油浸电容器);无机固体介质电容器(纸介电容器,涤纶电容);电解介质电容器(分液式和干式两种);复合介质电容器(纸膜混和电容器).下面分别介绍几种常用电容器的结构及特点.瓷介电容器瓷介电容器的形状与结构,常用的有管形,圆片形,瓶形,筒形,叠片形.瓷介电容器以陶瓷材料作为绝缘介质,它的电极在瓷片表面用烧结渗透的方法形成银层面构成的.瓷介电容器的特点:体积小,有很好的稳定性,绝缘电阻大,可制成高压电容器;结构简单,价格低廉,它很适合在高频电路,脉冲电路中使用.云母电容器在两块铝箔或铜片间夹上云母绝缘层,从金属箔片上接出引线,就构成一个云母电容器.这两块金属箔是电容器的极片,云母层是它的介质.另一种是在云母表面直接喷涂上银层, 而作为电容器的电极.如果把许多隔有云母的电极叠合起来,便构成一个容量较大的云母电容器.常见的云母电容器在它们外面有用胶木粉压制成的外壳.云母电容器的特点:介质损耗小,有很高的绝缘电阻,稳定性好且耐高温,因此,常使用于高频电路中和仪器仪表中.由于材料较贵及制造工艺较为复杂,通常使用日渐减少.表3.2.1 电容器材料,特征表示方法表材料意义特征意义符号符号瓷介云母玻璃电解其他C 瓷介1 圆片非密封- 箔式非密封Y 云母2 管形非密封- 箔式非密封I 玻璃釉3 迭片密封- 烧结粉固体密封O 玻璃膜4 独石密封- 烧结粉固体密封Z 纸介5 穿心- - - 穿心J 金属化纸6 支柱- - - -B 聚苯乙烯7 - - - 无极性-L 涤纶8高压高压- - 高压Q 漆膜9 - - -特殊特殊S 聚碳酸脂J 金属膜H 复合介质W 微调D 铝A 钽N 铌G 合金T 钛E 其他例:CT1-0.022 F-63V表示为圆片型低频瓷介电容器,电容量为0.022 F,额定工作电压为63V.有机薄膜介质电容器有机薄膜介质电容器是以聚苯乙烯,聚四氟乙烯,聚碳酸酯等有机薄膜作为介质,以铝箔为电极或者直接在薄膜上蒸发一层金属膜为电极,然后经卷绕封装而制成的电容器.有机薄膜电容器的特点:体积小,电容值稳定,绝缘电阻较大,漏电极小,耐压较高.其耐压小型的为3～100V,一般为250～1000V,有的高达3000V.它常被用于电视机,晶体管收音机以及各种仪器,仪表做旁路或滤波电容使用.注意:因为这类电容器的耐热性较差,因此焊接时电容器引线不宜剪得太短.否则容易因高热而损坏.纸介电容器纸介电容器是由厚度很薄的纸作为介质,铝箔作为电极,并经卷绕成圆柱形封装的电容器.纸介电容器的特点:由于介质厚度小,而且纸有较高的抗张强度,因而可做成容量大,体积小的电容器.但它漏电流和介质损耗较大,电容值的温度系数较大,热稳定性差,不宜在要求较高的电路中使用.如果电极不用金属箔,而是在纸上蒸发一层金属薄膜作为电极,这种纸介电容器为金属纸化介电容器.电解电容器电解电容器的介质是一层极薄的附着在薄金属极板上氧化膜,其阳极是附着有氧化膜的金属极,阴极则是液体,半液体和胶状的电解液.可以制成很大电容值的电容器.电解电容器按阳极材料不同可分为:铝电解,钽电解,铌电解电容器.按极性又可分为有极性和无极性两种.使用较多的是有极性的铝电解电容器.铝电解电容器一般简称为电解电容器.电解电容器的漏电较其它电容器大得多,损耗也大,因此不宜在高频电路中使用.电解电容器的允许误差较大,一般分为±10%,±20%和±20～50%几种,它的实际容量有时会和标称容量相差很大.钽电解电容器钽电解电容器是以固体二氧化锰作为电解质,其正极材料是钽薄板,钽的外面烧结一层氧化膜并沉积一层二氧化锰后,再涂上一层石墨,石墨外面喷上金属作为负极.整个电容的封装材料用塑料或环氧树脂.钽电解电容器的特点:体积小,性能稳定,绝缘电阻高,漏电流小,可长期储存使用;使用温度范围广,可在-55～+85℃下工作,但价格高.一般仅在要求高的电路中使用.当其上加有反压时,绝缘电阻会急剧下降,甚至会击穿损坏.各种有极性的电解电容器,都具有单向导电性质,因此在使用前先认好极性,将电容器的正端接电位高的一端,负端接电位低的一端.如极性接反,会使电容器击穿损坏.可变电容器可变电容器的种类很多,常用的有以下几类:(1) 单连可变电容器:它是由一个单元的动,定片组成的.空气单连可变电容器常用在直接放大式收音机中做调谐用,也使用在一些电子设备中.(2) 等容双连可变电容器:它由两组同轴可变电容器组成,采用薄膜做介质.(3) 差容双连可变电容器:它是由两组不同容量的同轴可变电容器组成.一类为差容空气介质双连可变电容器,多用于电子管超外差收音机上.另一类差容密封双连可变电容器采用薄膜做介质,多用在袖珍式收音机上.为减小收音机的体积,在双连的后面还附有两个微调电容器.注意:在使用可变电容器时,必须把动片可靠接地,否则会引起噪音信号.(4) 微调电容器:微调电容器能对电容量作微量调节,常用云母,陶瓷或聚苯乙烯等材料作介质.但在高质量的通信设备和电子仪器中,也有用空气作介质.1.2.3 电容器的主要参数电容器的参数很多,但在实用上,一般仅以电容器的容量和额定工作电压作为选择依据, 只有在要求较高的电路中,才考虑电容器的容量误差,高频损耗等参数.在电容器上标志的容量值为标称容量.在实际生产中,电容器的电容量具有一定的分散性,无法做到和标称容量完全一致.为了便于生产的管理和使用,又规定了电容器的精度等级,确定了电容器在不同等级下的允许误差.允许误差可从下式求得%100CCCRR×=δ (3.2.1)式中δ—允许误差; C—电容器的实际容量; CR—电容器的标称容量.表3.2.2 电容器的精度等级表精度级别00(01)(02)I II III IV V VI允许误差/% ±1 ±2 ±5±10 ±20 +20-10+50-20 +100-30电容器的容量和允许误差有两种表示方法:(1) 数值表示法:即用文字,数字或符号直接打印在电容器上的表示.它的规格标志一般为:型号—额定直流工作电压—标称容量—精度等级.例如:CJ3-400-0.01-II,表示密封金属化纸介电容器,额定直流工作电压400V, 电容量0.01 F,允许误差±10%.(2) 色环表示法:用三到四个色环表示电容器的容量和允许误差.各颜色所代表的意义见表3.2.3.表3.2.3 电容器的容量和允许误差色环表示法表颜色有效数字乘数允许误差/%颜色有效数字乘数允许误差/%银—10-2±10 绿5 105±0.5金—10-1±5 蓝6 106±0.2黑0 100—紫7 107±0.1棕1 101±1 灰8 108—红2 102±2 白9 109±5-20橙3 103—无色——±20黄4 104—电容器允许误差标识符号见表3.2.4.表3.2.4 电容器允许误差标识符号表符号允许误差/% 符号允许误差/% 符号允许误差/%E ±0.001 B ±0.1 K ±10X ±0.002 C ±0.2 M ±20Y ±0.005 D ±0.5 N ±30H ±0.01 F ±1 R +100-10U ±0.02 G ±2 S +50-20R ±0.05 J ±5 Z +80-20电容量通常用4位有效数字来表示,再用一个字母表示数值的量级. 如1p2 表示1.2pF; 220n表示0.22 F;3 3表示3.3 F;2n2表示2200 F等.§1.3 电感线圈1.3.1 电感线圈的型号命名电感线圈电感量的标志方法主要有以下三种:1,直标法:单位H(亨利),mH(毫亨), H(微亨),2,数码表示法:方法与电容器的表示方法相同.3,色码表示法:这种表示法也与电阻器的色标法相似,色码一般有四种颜色,前两种颜色为有效数字,第三种颜色为倍率,单位为H,第四种颜色是误差位.我们常见的是国产电感线圈,其型号由以下四部分组成:第一部分:主称,用字母表示(L为线圈,XL为阻流圈).第二部分:特征,用字母表示(G为高频).第三部分:型式,用字母表示(X为小型).第四部分:区别代号,用字母A,B,C……表示.1.3.2 电感线圈的分类电感线圈的种类很多,按其结构特点可分为单层线圈,多层线圈,蜂房线圈,带磁芯线圈及可变电感线圈等.下面分别介绍不同结构电感线圈的外形结构与特点.单层线圈单层线圈的电感量较小,约在几个微亨至几十微亨之间.单层线圈通常由高强度漆包铜线绕成,使用在高频电路中.为了提高线圈的Q值,单层线圈的骨架, 常使用介质损耗小的陶瓷和聚苯乙烯材料制作.线圈的绕制可采用密绕和间绕.间绕线圈每圈间都相距一定的距离,所以分布电容较小.当采用粗导线时,可获得高Q值和高稳定性. 但间绕线圈电感量不能做得很大,因而它可以使用在要求分布电容小,稳定性高,而电感量较小的场合.对于电感量大于H 15的线圈,可采用密绕.密绕线圈的体积较小,但它圈间电容较大, 且Q值不易作高.另外,对于有些要求稳定性较高的地方,还应用镀银的方法将银直接镀覆在膨胀系数很小的瓷质骨架表面,制成电感系数很小的高稳定型线圈.在高频大电流的条件下,为了减少集肤效应,线圈通常使用铜管绕制.多层线圈单层线圈的电感量小,如要获得较大值电感量时单层线圈已无法满足.因此,当电感量大于300 H时,就应采用多层线圈.多层线圈除了圈与圈之间具有电容之外,层与层之间也具有电容,因此使用多层线圈的分布电容大大增加.同时线圈层与层间的电压相差较多.但层间的绝缘问题较难处理.为此多层线圈常采用分段绕制,各段之间距离较大,以减少了线圈的电容和耐压问题.蜂房线圈多层线圈的缺点之一就是分布电容较大,采用蜂房绕制方法, 可以减少线圈的固有电容.所谓的蜂房式,就是将被绕制的导线以一定的偏转角(约19°～26°)在骨架上缠绕.通常缠绕是由自动或半自动的蜂房式绕线机进行的.对于电感量较大的线圈,可以采用两个, 三个以至多个蜂房线包将它们分段绕制.带磁芯的线圈线圈加装磁芯后,电感量增加.加装磁芯后还可以减小线圈的体积,减少损耗和分布电容.品质因数亦可做的提高.另外,调节磁芯在线圈中的位置,还可以改变电感量.1.3.3 电感线圈的主要参数(一)电感量电感量大小,跟电感线圈的圈线,截面积以及内部有没有铁芯或磁芯有很大关系.如果在其它条件相同的情况下,圈数越多,电感量就越大;圈数相同,其它条件不变,那么线圈的截面积越大,电感量就越大;同一个线圈,插入铁芯或磁芯后,电感量比空心时明显增大,而且插入的铁芯或磁苡质量越好,线圈的电感量就增加得越多.(二)品质因素品质因素是表示线圈质量的一个参数.它是指线圈在某一频率的交流电压下工作时,线圈所呈现的感抗和线圈电阻的比值,用公式表示为RLRfL2。
常用元器件的测量和标注规则doc
常用元器件的测量和标注规则1 、电子元器件的命名与标注熟悉了解电子元器件的型号命名及标注方法，对于选择、购买、使用元器件，与同行进行技术交流，都是非常必要的。
A、电子元器件的命名方法我国电子工业部对大多数国产电子元器件的种类命名都作出了统一的规定，可以从国家标准GB2470-81中查到。
由于电子元器件的种类繁多，这里不可能一一列出。
通常，电子元器件的名称应该反映出它们的种类材料、特征、型号、生产序号及区别代号，并且能够表示出主要的电气参数。
电子元器件的名称由字母（汉语拼音或英语字母）和数字组成。
对于元件来说，一般用一个字母代表它的主称，如R表示电阻器，C表示电容器，L表示电感器，W表示电位器等等；用数字或字母表示其它信息。
器件（半导体分立器件、集成电路）的名称也由国家标准规定了具体意义，如二极管的主称用数字2表示，三极管的主称用数字3表示，但由于近年来市场上已经很少见到国产半导体器件，而进口半导体器件（特别是模拟集成电路）的命名往往又很复杂，在选用时必须查阅它们的技术资料，所以不再详述。
B、型号及参数在电子元器件上的标注电子元器件的型号及各种参数，应当尽可能在元器件的表面上标注出来。
常用的标注方法有直标法、文字符号法和色标法三种。
例如，电阻器的表面上印有RXYC-50-T-1k5-±10%,表示其种类为耐潮被釉线绕可调电阻器,额定功率为50W,阻值为 1.5kΩ,允许偏差为±10%；又如，电容器的表面上印有CD11-16-22，表示其种类为单向引线式铝电解电容器，额定直流工作电压为16V，标称容量为22μF。
C、文字符号法以前，文字符号法主要用于标注半导体器件，用来表示其种类及有关参数，文字符号应该符合国家标准。
例如，3DG6C表示NPN型硅材料的高频小功率三极管，品种序号为6，C 表示耐压规格。
又如，集成电路上印有CC4040，表示这是一个4000系列的国产CMOS数字集成电路，查手册可知其具体功能为十二级二进制计数器。
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电子元器件命名- -（资料是刚工作时前辈们留给我的，仅供参考。
需要更多资料请咨询掌柜）电子元器件,又叫电子芯片,半导体集成电路,广泛应用于各种电子电器设备上.封装形式:封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳.它不仅起着安装,固定,密封,保护芯片及增强电热性能等方面的作用,而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上,这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接.衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比,这个比值越接近1越好.封装大致经过了如下发展进程:结构方面:TO->DIP->LCC->QFP->BGA ->CSP;材料方面:金属,陶瓷->陶瓷,塑料->塑料;引脚形状:长引线直插->短引线或无引线贴装->球状凸点;装配方式:通孔插装->表面组装->直接安装.DIPDouble In-line Package双列直插式封装.插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种.DIP是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等.PLCCPlastic Leaded Chip CarrierPLCC封装方式,外形呈正方形,32脚封装,四周都有管脚,外形尺寸比DIP封装小得多.PLCC封装适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线,具有外形尺寸小,可靠性高的优点.PQFPPlastic Quad Flat PackagePQFP封装的芯片引脚之间距离很小,管脚很细,一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式,其引脚数一般都在100以上.SOPSmall Outline Package1968～1969年菲为浦公司就开发出小外形封装(SOP).以后逐渐派生出SOJ(J型引脚小外形封装),TSOP(薄小外形封装),VSOP(甚小外形封装),SSOP(缩小型SOP),TSSOP(薄的缩小型SOP)及SOT(小外形晶体管),SOIC(小外形集成电路)等.模拟滤波器光纤通信高速信号处理和转换无线/射频光线通讯,模拟显示支持电路高频模拟和混合信号ASIC数字转换器,接口,电源管理,电池监控DC/DC电源电压基准MAXIM前缀是"MAX". DALLAS则是以"DS"开头.MAX×××或MAX××××说明:1后缀CSA,CWA 其中C表示普通级,S表示表贴,W表示宽体表贴.2 后缀CWI表示宽体表贴,EEWI宽体工业级表贴,后缀MJA或883为军级.3 CPA,BCPI,BCPP,CPP,CCPP,CPE,CPD,ACPA后缀均为普通双列直插.举例MAX202CPE,CPE普通ECPE普通带抗静电保护MAX202EEPE 工业级抗静电保护(-45℃-85℃) 说明E指抗静电保护MAXIM数字排列分类1字头模拟器2字头滤波器3字头多路开关4字头放大器5字头数模转换器6字头电压基准7字头电压转换8字头复位器9字头比较器DALLAS命名规则例如DS1210N.S. DS1225Y-100INDN=工业级S=表贴宽体MCG=DIP封Z=表贴宽体MNG=DIP工业级IND=工业级QCG=PLCC封Q=QFP下面是MAXIM的命名规则:三字母后缀:例如:MAX358CPDC = 温度范围P = 封装类型D = 管脚数温度范围:C = 0℃至70℃(商业级)I = -20℃至+85℃(工业级)E = -40℃至+85℃(扩展工业级)A = -40℃至+85℃(航空级)M = -55℃至+125℃(军品级)封装类型:A SSOP(缩小外型封装)B CERQUADC TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装)D 陶瓷铜顶封装E 四分之一大的小外型封装F 陶瓷扁平封装H 模块封装, SBGA(超级球式栅格阵列, 5x5 TQFP) J CERDIP (陶瓷双列直插)K TO-3 塑料接脚栅格阵列L LCC (无引线芯片承载封装)M MQFP (公制四方扁平封装)N 窄体塑封双列直插P 塑封双列直插Q PLCC (塑料式引线芯片承载封装)R 窄体陶瓷双列直插封装(300mil)S 小外型封装T TO5,TO-99,TO-100U TSSOP,μMAX,SOTW 宽体小外型封装(300mil)X SC-70(3脚,5脚,6脚)Y 窄体铜顶封装Z TO-92,MQUAD/D 裸片/PR 增强型塑封/W 晶圆DSP信号处理器放大器工业用器件通信电源管理移动通信视频/图像处理器等模拟A/D D/A 转换器传感器模拟器件AD产品以"AD","ADV"居多,也有"OP"或者"REF","AMP","SMP","SSM","TMP","TMS"等开头的.后缀的说明:1,后缀中J表示民品(0-70℃),N表示普通塑封,后缀中带R表示表示表贴.2,后缀中带D或Q的表示陶封,工业级(45℃-85℃).后缀中H表示圆帽.3,后缀中SD或883属军品.例如:JN DIP封装JR表贴JD DIP陶封DSP 信号处理器等嵌入式控制器高性能运放IC 存储器A/D D/A模拟器件转换接口IC等54LS军品系列CD4000军品系列工业/ 民用电表微控制器等TI产品命名规则:SN54LS×××/HC/HCT/或SNJ54LS/HC/HCT中的后缀说明:SN或SNJ表示TI品牌SN军标,带N表示DIP封装,带J表示DIP(双列直插),带D表示表贴,带W表示宽体SNJ军级,后面代尾缀F或/883表示已检验过的军级.CD54LS×××/HC/HCT:1,无后缀表示普军级2,后缀带J或883表示军品级CD4000/CD45××:后缀带BCP或BE属军品后缀带BF属普军级后缀带BF3A或883属军品级TL×××:后缀CP普通级IP工业级后缀带D是表贴后缀带MJB,MJG或带/883的为军品级TLC表示普通电压TLV低功耗电压TMS320系列归属DSP器件, MSP430F微处理器BB产品命名规则:前缀ADS模拟器件后缀U表贴P是DIP封装带B表示工业级前缀INA,XTR,PGA等表示高精度运放后缀U表贴P代表DIP PA表示高精度FLASH 快闪记忆体,嵌入式奔腾处理器,Xscale, 个人数字助理PDA StrongARM处理器及开发工具,IXA网络处理器,i960RISC处理器,PCI-PCI Bridge 芯片,8位及16位单片机INTEL产品命名规则:N80C196系列都是单片机前缀:N=PLCC封装T=工业级S=TQFP封装P=DIP封装KC20主频KB主频MC代表84引角TE28F640J3A-120 闪存TE=TSOP DA=SSOP E=TSOPSRAM,SDRAM,EDO/FPM DRAM, EEPROM,8051 系列单片机,ASIC及语音芯片以"IS"开头比如:IS61C IS61LV 4×表示DRAM 6×表示SRAM 9×表示EEPROM封装: PL=PLCC PQ=PQFP T=TSOP TQ=TQFP高性能模拟器件电压基准运算放大器数/模模数转换器电源及马达控制线路以产品名称为前缀LTC1051CS CS表示表贴LTC1051CN8 CN表示DIP封装8脚FLASH 快闪记忆体微处理器双端口RAM 先进先出器件FIFO 高速静态存储器SRAM快速逻辑器件FCT 低功耗高速TTL系列如74FCT16XXX系列IDT的产品一般都是IDT开头的.后缀的说明:1,后缀中TP属窄体DIP.2,后缀中P 属宽体DIP.3,后缀中J 属PLCC.比如:IDT7134SA55P 是DIP封装IDT7132SA55J 是PLCC IDT7206L25TP 是DIP机顶壳,消费类电子产品,MP3,Monitor IC Mosfet , Linear IC ,Chipsets单片机为主A T89C系列EPROM , FLASH , SRAM 可完全代替ATMEL ,ST ,SST ,AMD ,ISSI ,CYPRESS ,IDT ,ICSI的同类产品W24258S-70LL 32×8 SRAM 可完全替代W24257S-70LLW2465S-70LL 高稳定性的8K×8 SRAM 管脚定意完全等同6264NS的产品部分以LM ,LF开头的LM324N 3字头代表民品带N圆帽LM224N 2字头代表工业级带J陶封LM124J 1字头代表军品带N塑封以ICL开头以IMP开头,很多型号可以和AD,MAXIM,DALLAS,National,Microchip等互换以产品名称为前缀MC××××以产品功能为前缀EPE EPF EPD EPPFC PCF/taec/封装: DP代表DIP封装DG代表SOP封装DT代表TSOP封装新茂国际科技嵌入式快闪记忆体单片机我公司是其大陆北方总代理MCU SM59××,SM79××,SM89××系列FLASH S29××系列SM59××系列都可以ISP(在线编程) ,SM8951/52系列有部分是编程器烧写程序MCU单片机尾缀说明AC25P 表示5伏25频率DIP封装AC40P 表示5伏40频率DIP封装AC25J 表示5伏25频率PLCC封装AC40J 表示5伏40频率PLCC封装AC25Q 表示5伏25频率QFP封装AC40Q 表示5伏40频率QFP封装AC 表示5VAL 表示3.3V封装说明DIP简称P PLCC简称J QFP简称Q。