电力电子模拟测试试卷(附答案)

一、填空题(本题共8小题，每空1分，共20分)

1、电子技术包括_信息电子技术__和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在―开关 _______ 状态。当器件的工作频率较高时，__

开关______损耗会成为主要的损耗。

3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为___________ 载波比__________ ，当它为常数时的调制方式称

为—同步________ 调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之

比为桓定的调制方式称为_______ 分段同步_________ 调制。

4、面积等效原理指的是，—冲量________ 相等而—形状—不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相

同。

5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是___________ M OSFET________ ，单管输出功

率最大的是___ GTO _______________ 应用最为广泛的是_______ IGBT __________ 。

6设三相电源的相电压为U2,三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即—■' ■亠 ____________ ，其承受的最大正向电压为: I _ ■

7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为________ 有源____ 逆变，如果接到负载，则称为_______ 无源—逆变。

&如下图，指岀单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2 表示)。

(1) 0~t1时间段内，电流的通路为—VD1 __________ ; (2) t1~t2时间段内，电流的通路为—V1 _________ ;

(3) t2~t3时间段内，电流的通路为—VD2 _________ ; (4) t3~t4时间段内，电流的通路为—V2 _________ ; (5) t4~t5

时间段内，电流的通路为—VD1 ________ ;

t1~t2时间段内，P 组晶闸管变流装置与 N 组晶闸管变流装

、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14 分）

1、单相桥式PWM 逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（

B ）

A 、 V1与V4导通，V2与V3关断

B 、 V1常通，V2常断，V3与V4交替通断

C 、V1与V4关断，V2与V3导通

D 、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断 2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（

D ） A 、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时， 晶

管的导通角小于180度

B 、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常 工作

C 、 晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为 180 度

D 、 晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为 180度

3、在三相三线交流调压电路中，输岀电压的波形如下图所示，在 t1~t2时间段内，有（C ）晶

闸管导通。

B 、2个

C 、3个

D 、4个

4、对于单相交交变频电路如下图，在

置的工作状态是（

C ）

A 、P 组阻断，N 组整流 C 、N 组阻断，P 组整流

B 、P 组阻断，N 组逆变 D 、N 组阻断，P 组逆变

5、电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（ D ）

A、30 ° 150

B、0° 120°

C、15 ° 125°

D、0° 〜150 °

6、桓流驱动电路中加速电容 C 的作用是（ A ）

A、加快功率晶体管的开通

B、延缓功率晶体管的关断

C、加深功率晶体管的饱和深度

D、保护器件

7 、直流斩波电路是一种（ C ）变换电路。

A、 AC/AC

B、 DC/AC

C、 DC/DC

D、 AC/DC

8、为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（ B ）

A、du/dt抑制电路

B、抗饱和电路

C、di/dt抑制电路

D、吸收电路

9、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流（ A ）

A 、减小至维持电流以下B、减小至擎住电流以下

C、减小至门极触发电流以下 D 、减小至 5A 以下

10、 IGBT 是一个复合型的器件，它是（ B )

A 、 GTR 驱动的 MOSFET

B 、 MOSFET 驱动的 GTR

C、MOSFE驱动的晶闸管 D 、MOSFE驱动的 GTO

三、简答题（共 3 小题，22分）

1、简述晶闸管导通的条件与关断条件。（7 分）

1、（ 7分）

晶闸管导通的条件是：阳极承受正向电压，处于阻断状态的晶闸管，只有在门极加正向触发电压，才能使其导通。门极所加正向触发脉冲的最小宽度，应能使阳极电流达到维持通态所需要的最小阳极电流，即擎住电流IL以上。导通后的晶闸管管压降很小。（3分）

使导通了的晶闸管关断的条件是：使流过晶闸管的电流减小至某个小的数值一维持电流IH以下。其方法有二：

（1）减小正向阳极电压至某一最小值以下，或加反向阳极电压；（2分）