3、三极管及放大电路基础
第4章 三极管及放大电路基础1
与 的关系
IC IC ICBO I E ICBO IC I B ICBO
(1 ) IC I B ICBO
I CBO IC IB 1 1
IE
N
P
N
I'C ICBO IC
IC I B (1 ) ICBO
共射直流电流放大倍数： IC I B 1.7 42.5 0.04 共射交流电流放大倍数： IC I B 2.5 1.7 40 0.06 0.04 说明： 例：UCE=6V时： 曲线的疏密反映了 的大小； IC(mA ) 160mA 电流放大倍数与工作点的位置有关； I 5 140mA CM 120mA 交、直流的电流放大倍数差别不大， 4 100mA 今后不再区别；
3 80mA
___
4. 集电极最大电流ICM 当值下降到正常值的三分之二时的 集电极电流即为ICM。
IC
2.5 2 1.7
1 0 2 4 6 8
IB 40mA
IB=60mA 20mA IB=0 10 UCE(V)
六、主要参数
5. 集-射极反向击穿电压U(BR)CEO 手册上给出的数值是25C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。 6. 集电极最大允许功耗PCM 集电极电流IC 流过三极管， 所发出的焦耳热为： PC =ICUCE 导致结温 上升，PC 有限制， PCPCM 7. 频率参数
扩散 I C 复合 I B
IC
C
N
IB
P N
EC
或者 IC≈IB
I E IC I B (1 ) I B
EB
E
IE
二、电流放大原理
电子电工类--三极管及放大电路基础试题及答案
电子电工类--三极管及放大电路基础试题及答案一、单选题1.射极跟随器就是()A、共发射极放大电路B、共基极放大电路C、共集电极放大电路D、信号的输出是从发射极输出【正确答案】：C2.在共射基本电路中，当用直流电压表测得UCE^VCC时，有可能是因为()A、Rb开路B、Rb过小C、Rc开路D、Re过小【正确答案】：A3.对于基本共射放大电路，信号源内阻Rs增大时，输入电阻Ri()。
A、增大，B、减小,C、不变D、不能确定【正确答案】：C4.画三极管放大电路的直流通路时，应()A、将耦合电容、旁路电容、直流电源看成开路B、将耦合电容、旁路电容、直流电源看成短路C、将耦合电容、旁路电容看成开路D、将耦合电容、旁路电容看成短路【正确答案】：C5.三极管作为开关管使用时，其工作状态为A、饱和状态和截止状态B、饱和状态和放大状态C、截止状态和放大状态D、放大状态和击穿状态【正确答案】：A6.在基本放大电路中，输入电阻最大的放大电路是()A、共射放大电路B、共基放大电路C、共集放大电路D、共栅极放大电路【正确答案】：C7.以下关于输出电阻的叙述中，正确的是A、输出电阻越小，带负载能力就越强B、输出电阻越小，带负载能力就越弱C、输出电阻等于集电极电阻与负载并联的等效电阻D、输出电阻就是负载电阻【正确答案】：A8.为了使高阻输出的放大电路与低阻输入的放大负载很好地配合，可以在放大电路与负载之间插入()。
A、共射电路B、共集电路C、共基电路D、电容耦合【正确答案】：B9.多级放大器的输出电阻Ro就是()A、第一级输出电阻B、最后一级输出电阻C、每级输出电阻之和D、每级输出电阻之差【正确答案】：B10.共射基本放大电路基极偏置电阻，一般取值为()A、几欧至几十欧B、几十欧至几百欧C、几百欧至几千欧D、几十千欧至几百千欧Ik2k 10kJ 碍 VT. 7 HJVT,1一心I-12VA 、4kQ【正确答案】：D11. 如图所示，该两级放大电路的输出电阻是B 、1.3kQC 、3kQD 、1.5kQ【正确答案】：C12. 以下关于三极管的说法中，正确的是A 、三极管属于单极型器件B 、三极管内存在有三个PN 结C 、三极管的穿透电流随温度升高而增大D 、三极管的正向导通电压随温度升高而增大【正确答案】：C13.在共射放大电路中，输入交流信号vi与输出信号vo相位A、相反B、相同C、正半周时相同D、负半周时相反【正确答案】：A14.在固定偏置放大电路中，若偏置电阻Rb断开，则___。
三极管及放大电路基础教案
三极管及放大电路基础教案章节一：三极管概述教学目标：1. 了解三极管的定义、结构和工作原理。
2. 掌握三极管的类型和符号。
教学内容：1. 三极管的定义：三极管是一种半导体器件，具有放大电信号的功能。
2. 三极管的结构：三极管由发射极、基极和集电极组成。
3. 三极管的工作原理：通过基极控制发射极和集电极之间的电流。
4. 三极管的类型：NPN型和PNP型。
5. 三极管的符号：NPN型三极管符号为“N”，PNP型三极管符号为“P”。
教学活动：1. 讲解三极管的定义、结构和工作原理。
2. 展示三极管的实物图和符号图。
3. 引导学生通过实验观察三极管的工作状态。
章节二：放大电路基础教学目标：1. 了解放大电路的定义和作用。
2. 掌握放大电路的基本组成和原理。
教学内容：1. 放大电路的定义：放大电路是一种通过反馈作用放大电信号的电路。
2. 放大电路的作用：放大微弱的信号，使其具有足够的功率驱动负载。
3. 放大电路的基本组成：电源、三极管、输入电阻、输出电阻和反馈电阻。
4. 放大电路的原理：通过三极管的放大作用，实现电信号的放大。
教学活动：1. 讲解放大电路的定义、作用和基本组成。
2. 展示放大电路的原理图和实际电路图。
3. 引导学生通过实验观察放大电路的工作状态。
章节三：三极管的放大特性教学目标：1. 了解三极管的放大特性。
2. 掌握三极管的放大原理。
教学内容：1. 三极管的放大特性：三极管的放大能力与基极电流、集电极电流和发射极电流之间的关系。
2. 三极管的放大原理：通过基极电流的控制，实现发射极和集电极之间电流的放大。
教学活动：1. 讲解三极管的放大特性和放大原理。
2. 分析三极管放大电路的输入和输出特性曲线。
3. 引导学生通过实验观察三极管的放大特性。
章节四：三极管放大电路的设计与应用教学目标：1. 了解三极管放大电路的设计方法。
2. 掌握三极管放大电路的应用。
教学内容：1. 三极管放大电路的设计方法：根据输入和输出信号的要求，选择合适的三极管、电阻等元件，设计合适的电路。
晶体三极管及其基本放大电路
22
2.4、三极管的主要参数
• 1、电流放大系数 • i)共射极电流放大系数
直流电流放大系数 IC
IB
交流电流放大系 数 Vic
Vib
h（ fe 高频）
一般工作电流不十分大的情况下,可认为
Ma Liming
Electronic Technique
23
ii)共基极电流放大系数
共基极直流电流放大系数
3
6
9
IB=0 12 vCE(V)
区时, 有:VB>VC Rb
+
－
UBB
Ma Liming
+ 对于PNP型三极管,工作在饱和区 UCC 时, 有:VB<VC<VE
－
Electronic Technique
13
例:如图，已知三极管工作在放大状态, 求:1).是NPN结构还是PNP结构?
Ma Liming
Electronic Technique
20
方法二：用万用表的 hFE档检测 值
1. 拨到 hFE挡。
2.将被测晶体管的三个引脚分别插入相应的插孔 中（TO-3封装的大功率管，可将其3个电极接 出3根引线，再插入插孔），三个引脚反过来 再插一次，读数大的为正确的引脚。
3.从表头或显示屏读出该管的电流放大系数。
N
b
c PV
Rb
eN
+
－
UBB
Ma Liming
+
UCC 对于PNP型三极管,工作在放大区 － 时, 有:VC<VB<VE
Electronic Technique
10
iC(mA ) 4 3
2 1
三极管及放大电路基础
IC(mA ) 4
3
2
1 36
截止区
100A 80A
IB= 60A 40A 20A 0 9 12 VCE(V)
IC RC
IB B C
VCE
RB
VBE EB
E IE
EC
（1-13）
特点:VBE＜死区电压, IB≤0≈0, IC ≤ICEO≈ 0,VCE ≈EC
这时三极管C 、 E端相当于: 一个断开的开关。
过大，温升过高会烧坏三极管。所以要求：
PC =IC VCE≤PCM 6.集-射极反向击穿电压V(BR)CEO ——基极开路时，集电极与发射极之间允许的最大反向 电压。
（1-22）
由三个极限参数可画出三极管的安全工作区
IC ICM
ICVCE=PCM
安全工作区
O
V(BR)CEO
VCE
（1-23）
八、晶体管参数与温度的关系
IC RC
IB B
C VCE
RB
VBE EB
E IE
EC
如何判断是否截止？
若：VBE ≤0(死区电压)
或 VC＞VE ＞VB 三极管可靠截止
IC
VCE
C RC
E
EC
（1-14）
(3) 放大区：IC=IB区域 , 发射结e正偏，集电结c反偏 特点: IC=IB , 且 IC = IB , VCE＝EC－IC RC
（1-29）
三极管在电路中的应用
1、放大电路 对三极管放大电路的分析，包括静态分 析和动态分析两部分。 也就是直流方面的分析和交流方面的分 析 直流方面的分析主要是判断三极管是否 有合适的直流工作条件 交流方面的分析主要是判断放大电路是 否能够正常的放大信号。
第03章-半导体三极管及放大电路基础
退出
放大电路的动态图解分析
（1）交流负载线 1.从B点通过输出特性曲线上的Q点做一条直线，
其斜率为-1/R'L 。 2.R'L= RL∥Rc，
是交流负载电阻。
3.交流负载线是有 交流 输入信号时Q 点的运动轨迹。
退出
三极管电流分配
半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。 在放大工作状态： 发射结加正向电压，集电结加反向电压。
退出
三极的工作原理
发射结加正偏时，从发射区将
有大量的电子向基区扩散，形成
的电流为IEN。 从基区向发射区也有空穴的扩
散运动，但其数量小，形成的电
流为IEP。（这是因为发射区的掺杂浓
Av Vo /Vi
A I / I
i
oi
Ap Po / Pi Vo Io /Vi Ii
退出
(2) 输入电阻 Ri
输入电阻是表明放大电路从信号源 吸取电流大小的参数，Ri大放大电路 从信号源吸取的电流小，反之则大。
Ri
Vi Ii
退出
(3) 输出电阻Ro
输出电阻是表明放大电路带负载的能力，
Ro大表明放大电路带负载的能力差，反之则强。
退出
双极型三极管的参数
参数 型号
PCM
I CM
mW mA
3AX31D 125 125
3BX31C 125 125
3CG101C 100 30
3DG123C 500 50
3DD101D 5A
5A
3DK100B 100 30
3DKG23 250W 30A
第二章 三极管及放大电路基础
第二章三极管及放大电路基础教学重点1．了解三极管的外形特征、伏安特性和主要参数。
2．在实践中能正确使用三极管。
3．理解放大的概念、放大电路主要性能指标、放大电路的基本构成和基本分析方法。
4．掌握共发射极放大电路的组成、工作原理，并能估算电路的静态工作点、放大倍数、输入和输出电阻等性能指标。
5．能搭建分压式放大电路，并调整静态工作点。
教学难点1．三极管的工作原理。
2．放大、动态和静态以及等效电路等概念的建立。
3．电路能否放大的判断。
学时分配2.1三极管2.1.1三极管的结构与符号 通过实物认识常见的三极管三极管有三个电极，分别从三极管内部引出，其结构示意如图所示。
按两个PN 结组合方式的不同，三极管可分为PNP 型、NPN 型两类，其结构示意、电路符号和文字符号如图所示。
PNP 型 NPN 型有箭头的电极是发射极，箭头方向表示发射结正向偏置时的电流方向，由此可以判断管子是PNP 型还是NPN 型。
基区 发射区e基极 ceVTe基极 cecVT《电子技术基础与技能》配套多媒体CAI 课件 电子教案三极管都可以用锗或硅两种材料制作，所以三极管又可分为锗三极管和硅三极管。
2.1.2三极管中的电流分配和放大作用动画：三极管电流放大作用的示意做一做：三极管中电流的分配和放大作用观察分析实验参考数据：1）三极管各极电流分配关系：I E = I B + I C ，I E ≈ I C ≫I B2）基极电流和集电极电流之比基本为常量，该常量称为共发射极直流放大系数β，定义为：BCI I =β 3）基极电流有微小的变化量Δi B ，集电极电流就会产生较大的变化量Δi C ，且电流变化量之比也基本为常量，该常量称为共发射交流放大系数β，定义为：BCΔi i ∆=β1．三极管的电流放大作用，实质上是用较小的基极电流信号控制较大的集电极电流信号，实现“以小控大”的作用。
2．三极管电流放大作用的实现需要外部提供直流偏置，即必须保证三极管发射结加正向电压（正偏），集电结加反向电压（反偏）。
三极管的三种基本放大电路
二、性能指标分析
IBQ = (VCC – UBEQ) / [RB + (1 + β ) RE] ICQ = β I BQ UCEQ = VCC – ICQRE
−
−
−
rbe β ib RB + RE RL uo
−
R'L = RE // RL
第3章 放大电路基础
一、电路组成与静态工作点
IBQ C1 + RB +VCC C2 RL
Ri
R’i
例3.2.1 β =100, RS= 1kΩ, RB1= 62kΩ, RB2= 20kΩ, RC= 3kΩ Ω Ω Ω Ω RE = 1.5kΩ, RL= 5.6kΩ, VCC = 15V。求：“Q ”, Au, Ri, Ro Ω Ω 。 [解] 1）求“Q” 解 ） +VCC 20 × 15 RB1 RC C2 U BQ = ≈ 3.7 ( V ) C1 + 20 + 62 + + RL 3 .7 − 0 .7 uo I RS = 2 (mA ) + CQ = I EQ = + RB2 RE us 1 .5 CE − − I BQ ≈ 2 / 100 = 0.02 (mA) = 20 µA U = 15 − 2( 3 + 1.5) = 6 ( V ) 2）求 Au、Ri、Ro 、 Aus CEQ ）
–
RE = RL = Rs = 1 kΩ, VCC = 12V。求：“Q ”、Au、Ri、 Ω 。 、 Ro [解] 1）求“Q” +VCC 解 ） IBQ RB C1 IBQ = (VCC – UBE) / [RB + (1+ β ) RE]
β =120, RB = 300 kΩ, r’bb= 200 Ω, UBEQ = 0.7V Ω
三极管及放大电路基础教案
一、教学目标：1. 让学生了解三极管的结构、种类和功能。
2. 让学生掌握三极管的导通和截止条件。
3. 让学生了解放大电路的原理和应用。
4. 让学生能够分析判断放大电路的工作状态。
二、教学内容：1. 三极管的结构和种类教学要点：三极管由发射极、基极和集电极组成，分为NPN型和PNP型。
2. 三极管的导通和截止条件教学要点：三极管导通需要基极-发射极电压大于一定值，集电极-发射极电压小于一定值；截止则相反。
3. 放大电路的原理教学要点：放大电路利用三极管的放大作用，将输入信号放大后输出。
4. 放大电路的应用教学要点：放大电路广泛应用于电子设备中，如音频放大、信号放大等。
5. 放大电路的工作状态分析教学要点：分析判断放大电路的工作状态，包括静态工作点和动态工作状态。
三、教学方法：1. 采用讲授法，讲解三极管及放大电路的基本概念、原理和应用。
2. 利用多媒体课件，展示三极管及放大电路的实物图片和电路图，增强学生的直观认识。
3. 进行实验演示，让学生亲自动手操作，观察放大电路的工作状态。
4. 案例分析，分析实际应用中的放大电路，提高学生的应用能力。
四、教学准备：1. 教学课件和教案。
2. 三极管实物和放大电路演示电路。
3. 实验器材和工具。
五、教学评价：1. 课堂问答：检查学生对三极管及放大电路的基本概念、原理和应用的理解。
2. 实验报告：评估学生在实验中的操作技能和分析判断能力。
3. 课后作业：巩固学生对三极管及放大电路的知识点掌握。
4. 期末考试：全面考核学生对三极管及放大电路的学习效果。
六、教学内容：6. 放大电路的类型教学要点：放大电路分为三种类型：共发射极放大电路、共基极放大电路、共集电极放大电路；其中共发射极放大电路应用最广泛。
7. 放大电路的静态工作点教学要点：静态工作点是指放大电路中的三极管在直流工作状态下，各极的电位处于一种稳定的状态，对于放大电路的性能有很大影响。
8. 放大电路的动态分析教学要点：动态分析是指在输入信号的作用下，放大电路中三极管的工作状态和工作参数的变化。
第三章半导体三极管及放大电路基础2
T VBE IB IC
温度与Q点 动画五 温度每升高1 °C ， 要增加0.5%1.0%
温度T 输出特性曲线族间距增大
3.5.2 射极偏置电路
1. 稳定工作点原理
目标：温度变化时，使IC维持恒定。 如果温度变化时，b点电位能基 本不变，则可实现静态工作点的稳 定。
.
.
.
be
3.6.1 共 集电极电 路
2. 复合管
作用：提高电流放大系数，增大电阻rbe
复合管也称为达林顿管
3.6.2 共基极电路
1. 静态工作点 直流通路与射极 偏置电路相同
VB Rb2 VCC Rb1 Rb2
VB VBE IC IE Re
VCE VCC IC Rc IE Re VCC IC ( Rc Re )
得
VCC VBE IB Rb (1 ) Re
VCE VCC I E Re VCC I C Re
3.6.1 共 集电极电 路
1. 电路分析
②电压增益
26( mV ) rbe 200 (1 ) I EQ ( mA )
其中
Vi I b rbe ( I b I b ) RL I b rbe I b (1 ) RL V ( I I ) R I (1 ) R
VB VBE IC IE Re
VCE VCC I C ( Rc Re ) I IB C
3.5.2 射 极偏置电 路
3. 固定偏流电路与射极偏置电路的比较
Ib Ic I b Rc
RL VO
Vii v
Rb
第三章 双极性三极管及其放大电路基础
一、双极型三极管BJT
BJT放大的条件和电流分配关系
放大的条件： 发射结正向偏置；集电结反向偏置。 电流分配关系：
I C I B I E I B IC (1 ) I B
这是贯穿模拟电子电路分析的两个最重要的概念
无量纲 电导
三、放大电路的分析方法
小信号模型分析法（等效电路法）
1、晶体管的h参数等效模型（交流等效模型） 交流等效模型（按式子画模型）
U be h11 I b h12U CE I C h21 I b h22U CE
三、放大电路的分析方法
小信号模型分析法（等效电路法）
2、h参数的物理意义
放大的概念与放大电路的性能指标
1、放大的概念
放大的对象：变化量 放大的本质：能量的控制
判断电路能否放 大的基本出发点
放大的特征：功率放大
放大的基本要求：不失真
二、基本共射极放大电路
放大的概念与放大电路的性能指标
2、性能指标
任何放大电路均可看成为两端口网络。
输出电流 输入电流
信号源 内阻
信号源
二、基本共射极放大电路
基本共射放大电路的组成及各元件的作用
动态信号作用时：
uI ib ic iRc uCE (uo )
输入电压 uI为零时，晶体管各 极的电流、b-e间电压、管压降， 称为静态工作点Q。记作IBQ、 ICQ（IEQ）、 UBEQ、 UCEQ。 基本共射放大电路
IC 1 100 I B 0.01
IC 5 50 I B 0.1
一、双极型三极管BJT
讨论
三极管及放大电路基础
4.1 半导体三极管（BJT）
4.1.1 BJT的结构简介 4.1.2 BJT的电流分配与放大原理 4.1.3 BJT的特性曲线 4.1.4 BJT的主要参数
图4.1.1 几种BJT的外形
3
4.1.1 BJT的结构简介
1、结构和符号
c
c
2、工作原理
b
b
由结构展开联想…
集电极
Collector c
T C b2
(f)
Rc C b2
C b1
T
V CC
Rb
V BB
29
4.3 图解分析法
4.3.1 静态工作情况分析
1. 近似估算Q点 2. 用图解法确定Q点
4.3.2 动态工作情况分析
1. 放大电路在接入正弦信 号时的工作情况
2. 交流负载线 3. BJT的三个工作区域
1. 图解法确定Q点(静态) 2. 图解法动态分析 3. 几个重要概念
在放大区且当ICBO和ICEO很小时， ≈，可以不加区分。
17
4.1.4 BJT的主要参数
2. 极间反向电流
ICBO
c
uA b
(1) 集电极基极间反向饱和电流 ICBO O —— （发射极）开路
-+
e
V CC
(2) 集电极发射极间的反向饱和电流 ICEO
Ie= 0
ICE O(1)ICBO
即输出特性曲 线IB=0那条曲线所 对应的Y坐标的数 值。 ICEO也称为集 电极发射极间穿透 电流。
根据传输过程可知
IE=IB+ IC
(1)
IC= InC+ ICBO
(2)
IB= IB’ - ICBO
(3)
晶体三极管及基本放大电路
目录
• 晶体三极管简介 • 基本放大电路 • 晶体三极管在基本放大电路中的应用 • 晶体三极管放大电路的性能指标 • 晶体三极管放大电路的应用 • 晶体三极管放大电路的设计与制作
01
CATALOGUE
晶体三极管简介
晶体三极管的基本结构
01
02
03
三个电极
集电极、基极和发射极， 是晶体三极管的主要组成 部分。
THANKS
感谢观看
总结词
通频带和最高频率响应是衡量放大电路 对不同频率信号的放大能力的参数。
VS
详细描述
通频带表示放大电路能够正常工作的频率 范围，其宽度由晶体三极管的截止频率和 放大倍数决定。最高频率响应表示放大电 路能够处理的最高频率信号，其大小由晶 体三极管的截止频率决定。通频带和最高 频率响应是晶体三极管放大电路的重要性 能指标，决定了电路的应用范围和性能表 现。
05
CATALOGUE
晶体三极管放大电路的应用
在音频信号处理中的应用
音频信号放大
晶体三极管放大电路可以用于放 大音频信号，如麦克风、扬声器 等设备中的信号放大。
音频效果处理
在音频信号处理中，晶体三极管 放大电路可以用于实现各种音效 效果，如失真、压缩、均衡等。
音频功率放大
在音响系统中，晶体三极管放大 电路可以作为功率放大器使用， 将音频信号放大到足够的功率以 驱动扬声器发声。
共发射极放大电路
总结词
共发射极放大电路是晶体三极管最常用的放大电路，具有电压和电流放大作用。
详细描述
共发射极放大电路由晶体三极管、输入信号源、输出负载和偏置电路组成。输入信号加在 基极和发射极之间，通过晶体三极管的放大作用，将信号电压或电流放大后，从集电极和 发射极之间输出。
3_三极管及放大电路基础
VBB
e
位关系应为VC>VB>VE。
4. 共射极基本放大电路
（3）放大电路中电位的关系
PNP型三极管放大工作时，其电源电压VCC 极性与NPN型管相反，这时，管子三个电极的电 流方向也与NPN型管电流方向相反，电位关系则 为VE>VB>VC。
截止区：发射结反偏，集电结反偏，相当于开关的断开状态。
U BE U ON , I B 0
放大区：发射结正偏，集电结反偏，具有电流放大作用。
I C I B
三极管的前一种状态被广泛应用于信号的放大，后两种状态常被用作电子开关。
4. 共射极基本放大电路
（1）电路组成 如图所示
Rcc Rbb C11 c b VT Vcc c2
三极管引脚读取方式
任务实施
三极管器件手册查阅 三极管引脚排列
三极管引脚识读如表所示 对于中小功率塑料三极管：按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置 从左到右依次为e b c。
三极管引脚读取方式
四、三极管的使用常识
小功率三极管检测 1. 三极管基极和类型判断
如图
点击
当第一根表笔接某电极， 万用表置于R×1k挡。 用万用表的第一根表笔依次 接三极管的一个引脚，而第 二根表笔分别接另两根引脚， 以测量三极管三个电极中每 两个极之间的正、反向电阻 值。 而第二根表笔先后接触另外两个
三极管引脚排列有很多形 式，使用三极管之前应该先熟 半导体三极管也称为晶体 三极管。由于工作时，多数载 流子和少数载流子都参与运行， 因此又叫双极性晶体管，简称 BJT，是现代电子产品中必不可 少的半导体器件。 悉三极管的型号、用途、参数、 外形尺寸以及引脚的排列，以 保证能正确使用三极管。 三极 管的产生使PN结的应用发生了 质的飞跃。它分为双极型和单
第三章 半导体三极管及其放大电路基础3.1
IB/mA -0.001 IC/mA 0.001 IE/mA 0
0 0.01 0.01
0.01 0.56 0.57
0.02 1.14 1.16
0.03 1.74 1.77
0.04 2.33 2.37
0.05 2.91 2.96
I B IC I E , IC I E
IC IB
U CE
(b ) 共 发 射 极
(c) 共 集 电 极
图3 -
三极管的三种组态
下面以共发射极组态为例 分析：
1）NPN型晶体管
2）依据外部条件建立电路：
发射结（BE结）须正向偏置→ 输入回路（基极回路） 集电结（BC结）须反向偏置→ 输出回路（集电极回路） 发射极接地（原因） 3）VCC(EC)
＞VBB(EB)
第三章
半导体三极管及其放大电路 基础
3.1 半导体三极管
3.2 基本共射极放大电路
3.3 放大电路的静态分析 3.4 放大电路的动态分析 3.5 静态工作点的稳定 3.6 共集与共基极放大电路
3.1 半导体三极管
晶体管
半导体二极管（第二章） 双极型半导体三极管（第三章） 半导体三极管 单极型半导体三极管（第四章）
发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。
常用的半导体材料有硅和锗, 因此共有四种系列三极 管类型。它们对应的型号分别为： 3A(锗PNP)、3B(锗NPN)、 3C(硅PNP)、3D(硅NPN) 。
围绕内部结构阐述晶体管的电流放大作用：
二、三极管中的电流分配（内部载流子的传输过程）* 1.三极管放大的两个条件： 1）内部条件：三个区（发射区、基区和集电区）的掺杂浓度 与厚薄均不一样。两个PN结的结面积不同。从外表上看两个N
三极管及放大电路基础教案
三极管及放大电路基础教案一、教学目标：1.了解三极管的基本概念和结构；2.掌握三极管的工作原理；3.掌握三极管的基本参数和测量方法；4.理解放大电路的基本原理。
二、教学内容：1.三极管的概念和结构；2.三极管的工作原理；3.三极管的基本参数和测量方法；4.放大电路的基本原理；5.放大电路中的三极管应用。
三、教学重点：1.三极管的工作原理；2.三极管的基本参数和测量方法；3.放大电路的基本原理。
四、教学难点：1.三极管的工作原理；2.放大电路的基本原理。
五、教学过程：（一）导入新知识（5分钟）1.引入放大电路的概念；2.提问：你们知道什么是放大电路吗？3.学生回答。
（二）学习三极管的概念和结构（15分钟）1.展示三极管的实物图，并简要介绍其结构；2.学生观察三极管，了解其结构；3.解释三极管的引脚功能。
（三）学习三极管的工作原理（20分钟）1.展示三极管的工作原理原理图；2.以NPN型三极管为例，介绍其工作原理；3.以电流流动的方式讲解三极管的工作过程。
（四）学习三极管的基本参数和测量方法（20分钟）1.介绍三极管的常见参数，如放大倍数、输出电阻等；2.讲解如何测量三极管的放大倍数和输入、输出电阻；3.展示测量三极管参数的仪器，实际操作演示。
（五）学习放大电路的基本原理（15分钟）1.介绍放大电路的基本组成，包括输入端、输出端和放大电路；2.讲解放大电路的基本工作原理；3.展示一种常见的放大电路，如共射放大电路，并通过示意图进行讲解。
（六）了解放大电路中的三极管应用（20分钟）1.介绍三种常见的放大电路：共射放大电路、共基放大电路和共集放大电路；2.分别讲解三种放大电路的特点和应用；3.学生思考并回答：你认为在哪些场合下可以使用这些电路？（七）小结与反思（5分钟）1.小结本节课学习的内容；2.提问：你掌握了这节课的重点吗？3.学生回答。
六、教学资源：1.三极管实物图；2.三极管工作原理原理图；3.测量三极管参数的仪器；4.放大电路示意图。
三极管及基本放大电路教案说课讲解
三极管及基本放大电路教案2．分类：（1）按内部基本结构不同：NPN 型和PNP 型。
PNP 型和NPN 型三极管表示符号的区别是发射极的箭头方向不同， 这个箭头方向表示发射结加正向偏置时的电流方向。
（2）按功率分：小功率管、中功率和大功率管。
（3）按工作频率分：低频管和高频管。
（4）按管芯所用半导体材料分：锗管和硅管。
目前国内生产硅管多为NPN 型（3D 系列）；目前国内生产锗管多为PNP 型（3A 系列）。
（5）按结构工艺分：合金管和平面管。
（6）按用途分：放大管和开关管。
二、三极管的电流放大作用——发射结正向偏置，集电结反向偏置1．三极管各电极上的电流分配实验电路【原理】载流子的特殊运动(NPN)：发射区向基区扩散电子；电子在基区的扩散和复合；集电区收集电子【电流放大作用】(1)B C I I β=且B C I I >>;(2)B C E I I I +=注意：（1）三极管的电流放大作用，实质上是用较小的基极电流信号控制集电极的大电流信号，是“以小控大”的作用。
（2）要使三极管起放大作用，必须保证发射结加正向偏置电压，集电结加反向偏置电压。
2、三极管的基本连接方式1）．共发射极电路（CE ）：把三极管的发射极作为公共端子。
2）．共基极电路（CB ）：把三极管的基极作为公共端子。
3）．共集电极电路（CC ）：把三极管的集电极作为公共端子。
三、三极管的特性曲线——硅NPN 型三极管1．输入特性曲线输入特性：在V U CE 1 且为某定值时，加在三极管基极与发射极之间的电压BE V 和它产生的基极电流B I 之间的关系。
与二极管的正向伏安特性曲线相似。
当BE V 大于导通电压时，三极管才出现明显的基极电流。
导通电压：硅管0.7 V ，锗管0.3 V 。
2. 输出特性曲线：B I 为某定值，C I 与CE U 之间的关系，一簇几乎与横轴平行的直线。
3、三极管的三个区① 截止区：B I = 0以下的区域。
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3.1 半导体三极管（BJT） 3.2 共射极放大电路 3.3 图解分析法 3.4 小信号模型分析法 3.5 放大电路的工作点稳定问题 3.6 共集电极电路和共基极电路 3.7 放大电路的频率响应
第三章 半导体三极管及放大电路基 础
教学内容： 本章首先讨论了半导体三极管(BJT)
vCE = 0V vCE 1V
iB b +
c + iC
vCE
vBE - e -
VBB
共射极放大电路
VCC
15
2. 输出特性曲线
iC=f(vCE) iB=const
在vCE小于1V时，输出特性很陡。 原因是集电结的反向电压很小，对 到达基区的电子吸引力不够，这时， iC受vCE的影响很大。
VBC = VBE - VCE <0
+
I
–
或 VCE > VBE
IB+iB c +
VCE
+b e –
VBE+vBE IE+iE
–
+
O RL
–
VBB 放大电路 VCC
问题(2)：信号通路？与共基有何区别？
+vI
+vBE +iE
+iC
+vO 本质相同！
但希望…
+iB
vI = 20mV iB = 20A iC =0.98mA vO = -0.98 V
的结构、工作原理、特性曲线和主要参 数。 随后着重讨论了BJT放大电路的三 种组态，即共发射极、共集电极和共基 极三种基本放大电路。还介绍了图解法 和小信号模型法，并把其作为分析放大 电路的基本方法。
2
教学要求： 本章需重点掌握三极管的模型与
特性；并能熟练进行基本放大电路静 态工作点的确定和输入电阻、输出电 阻、电压放大倍数的计算。
基极 N
Base
NPN e PNP e 3、实现条件
集电结(Jc)
外部条件 内部条件
Jc反偏
集电区
结构特点：
收集载流子(电子) 掺杂浓度低于发射
bP
N
发射极
Emitter e
基区 复合部分电子 控制传送比例
发射区 发射载流子(电子)
发射结(Je) Je正偏
区且面积大 掺杂浓度远低于发
射区且很薄
掺杂浓度最高
子
子
发
集
射
电
结
结
正
反
偏
偏
基区：传送和控制载流子
7
3.1.2 BJT的电流分配 与放大原理
1. 内部载流子的传输过程
三极管的放大作用是通过载流子传输体现出来的。 本质：电流分配关系 外部条件：
发射结正偏，集电结反偏。
放大作用？ （原理）
关键： iC与iE的关系
ii IE+iE e
c IC+iC
+
vI
14
3.1.3 BJT的特性曲线 （以共射极放大电路为例）
1. 输入特性曲线
iB=f(vBE) vCE=const
(1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 (2) 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE>0，集电结已进入反偏状态， 开始收集电子，基区复合减少，同样的vBE下IB减小，特性 曲线右移。
-
VEB+vEB
b IB +iB
io
+ vO RL
1k -
VEE
放大电路
VCC
8
2. 电流分配关系 IE与IC的关系：
根据传输过程可知
IE=IB+ IC
(1)
IC= InC+ ICBO
(2)
IB= IB’ - ICBO
(3)
定义
传输到集电极的电流
发射极注入电流
所以
为共基极电流放大系
数，它只与管子的结构尺 寸和掺杂浓度有关，与外
VEE
放大电路
VCC
vI = 20mV
iE IES (e vBE /VT 1)
非线性
iE = -1mA
iC = iE
iC = -0.98mA vO = -iC• RL vO = 0.98 V
iB = -20A 电压放大倍数
AV
vO vI
0.98V 20mV
49
输入电阻
Ri= vI / iE =20
加电压无关。一般 =
0.90.99
InC IC ICBO
IE
IE
通常 IC >> ICBO
硅: 0.1A 锗: 10A
则有
IC
IE
9
3. 放大作用
= 0.98
图 3.1.5 共基极放大电路
ii IE+iE e
c IC+iC
+
vI
-
VEB+vEB
b IB +iB
io
+ vO RL
1k -
1
IC 1 IB 1 ICBO
IC = IB + (1+ )ICBO
IC = IB + ICEO （穿透电流）
IC IB
IE = IC + IB (1+)IB
ICBO 硅: 0.1A 锗: 10A
是共射极电流放大系数，只与管子的结构尺寸和掺杂浓 度有关， 与外加电压无关。一般 >> 1（10～100）
AV
vO vI
0.98V 20mV
49
Ri= vI / iB =1k
5.共射极连接方式 IC与IB的关系：
由的定义： 即 整理Байду номын сангаас得: 令：
1
InC IC ICBO
IE
IE
IC = IE + ICBO = (IB + IC) + ICBO
1
IC 1 IB 1 ICBO
10
4. 三极管（放大电路）的三种组态
共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示;
外部条件：发射结正偏，集电结反偏
如何判断组态？ 11
5.共射极连接方式
IC+iC
问题(1)：如何保证？
发射结正偏
VBE =VBB 集电结反偏
3.1.2 BJT的电流分配与放大原理
综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的 发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实 现的。 实现这一传输过程的两个条件是： （1）内部条件：发射区杂质浓度最高，基区杂质浓度 远低于发射区且很薄，集电区杂质浓度低于发射区且 面积大。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。
3
3.1 半导体三极管（BJT）
3.1.1 BJT的结构简介 3.1.2 BJT的电流分配与放大原理 3.1.3 BJT的特性曲线 3.1.4 BJT的主要参数
图3.1.1 几种BJT的外形
4
3.1.1 BJT的结构简介
1、结构和符号
c
c
2、工作原理
b
b
由结构展开联想…
集电极
Collector c
基极
发射极
集电极
ebc c
发射区
b
基区
N P
N
e
集电区
NPN型BJT
(a)管芯结构剖面图
(b)表示符号
6
3.1.2 BJT的电流分配与放大原理
1. 内部载流子的传输过程 本质:电流分配
发 射
2. 电流分配关系
集 电
区
3. 放大作用
区
发 射
4. 三极管的三种组态
收 集
载 流
5. 共射极连接方式
载 流