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存储器介绍及存储卡使用(与“存储器”相关文档)共13张PPT

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4. “PLC > Save to Memory Card”
SFC84“WRIT_DBL”
第7页,共13页。
S7300/400存储
被动格式化
• 1) 装入应用程序指令由于掉电而中断
• 2) SFC83“READ_DBL”:读装载内存(Load M向emoryM)中M的C数据卡块 写数据时由于掉电而中断
第3页,共13页。
S7300/400存储
S7 300/400 存储区概述
• 1.
系统存储器:
系统存储器用于存放输入输出过程映像区(PII,PIQ)、位存储器(M)、定时器(T)和 计数器(C))、块堆栈和中断堆栈以及临时存储器(本地数据堆栈)。
• 2.
工作存储器:
工作存储器仅包含运行时使用的程序和数据。RAM
开关在 MRES 位置,直到 STOP 灯常亮,格式化完成。
注意:一定要使用规定的操作顺序。否则,MMC就不能进行格式化,而是返回存储器复位

态。这种情况是在 CPU 的 STOP 灯慢速闪烁时使用,是一种被动的格式化,在正常使用的情况下
无法用 MRES 格式化 MMC 卡。
第8页,共13页。
S7300/400存储
• 2. 外界影响。
例如周围温度。 当周围温度超过为60℃时,会影响MMC的使用寿命,0-60℃的工作环境下,MMC卡可进行删除 / 写 操作100,000次
• 3. MMC 卡严禁带电插拔。务必在电源关闭的条件下拆卸该卡。
带电插拔时会使卡烧坏。
• 4.一些意外情况情况也会损坏 MMC 卡
1) 当装载用户程序时突然断电 2) 当执行 “copy RAM to ROM”时突然断电。 3) 当存储器复位时出现模块存储赋值错误。

《MOS存储器》PPT课件

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(2)动态DRAM,利用电容来存储信息,需刷新.
优点:存储单元的元件数少,单元面积小,功耗低,适
合大规模集成;
缺点:需要复杂的刷新电路,对时序有严格要求,速度
比静态慢.
精选课件ppt
3
4.顺序存取存储器SAM(sequential access memory)
非随机存取的,存取次序受到限制: (1)先进先出存储器FIFO(first-in first-out ); (2)后进先出存储器LIFO(last-in first-out ); (3)移位寄存器(shift register); (4)按内容存取存储器(contents-addressable memory,CAM).
C S :电荷转移比
C S C BL
C S 一般为0.05PF CBL约为1PF,电荷转移比一般在
1%-10%之间.△V≈250m精v选课件ppt
9
讨论: ① △V很小,要有灵敏放大器; ②转移比要尽量大,在小面积得到尽可能大的电容是设计关
键; ③读取过程是“破坏性”的,CS中的电荷量发生了变化,读
• 谁也不连接,称为浮栅
• 2 因为有浮栅,跨导↓,VT ↑(相比普通MOS管) • 3 VT可以改变,即可以编程。当在源与栅漏之间加
15~20V的编程电压时,DS方向强电场会引发雪崩效应, 电子获得足够的能量(>3.2ev),借助VGS而穿过SiO2 进入浮栅。所以浮栅晶体管也称为浮栅雪崩注入MOS 管(floating gate avalanche-injection MOS transistor-FAMOS)
N+
N+
p
字线
位线
SiO2
W
公共电容

计算机组成原理4第四章存储器PPT课件精选全文

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4.2
11
4.2
请问: 主机存储容量为4GB,按字节寻址,其地址线 位数应为多少位?数据线位数多少位? 按字寻址(16位为一个字),则地址线和数据线 各是多少根呢?
12
数据在主存中的存放
设存储字长为64位(8个字节),即一个存 取周期最多能够从主存读或写64位数据。
读写的数据有4种不同长度:
字节 半字 单字 双字
34
3. 动态 RAM 和静态 RAM 的比较
主存
DRAM
SRAM
存储原理
电容
触发器
集成度


芯片引脚


功耗


价格


速度


刷新


4.2
缓存
35
内容回顾: 半导体存储芯片的基本结构 4.2
…… ……










线



线



片选线
读/写控制线
地址线(单向) 数据线(双向) 芯片容量
D0
…… D 7
22
(2) 重合法(1K*1位重合法存储器芯片)
0 A4
0,00

0,31
0 A3
X 地
X0
32×32
… …
0址
矩阵
A2

0码
31,0

31,31
A1
器 X 31
0 A0
Y0 Y 地址译码器 Y31 A 9 0A 8 0A 7 0A 6 0A 5 0

《存储器管理》PPT课件

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地址转换过程是:
CPU获得的逻辑地址首先与下限寄存器 的值相加,产生物理地址;然后与上限寄存 器的值比较。 1、若大于上限寄存器的值,产生“地址越界” 中断信号,由相应的中断处理程序处理; 2、若不大于上限寄存器的值,则该物理地址 就是合法地址,它对应于内存中的一个存储 单元。
案例分析
【例3-1】在某系统中采用固定分区分配管理 方式,内存分区(单位字节)情况如图3-10a所 示。现有大小为1KB、9KB、33 KB、121KB 的多个作业要求进人内存,试画出它们进入 内存后的空间分配情况,并说明内存浪费有 多大?
内存的在系统中的地位
CPU
内存
I/O 系统
外设
内存在计算机系统中的地位
3.1.1 存储体系
存储器存取 时间减少 存储器存取 速度加快 每位存储器 成本增加 存储器容量 减少 外 存 高速缓存器
程序和数据 可以被CPU 直接存取 内 存
程序和数据必 须先移到内存, 才能被CPU访问
三级存储器结构
存储器管理
单一连续分配仅适用于 单道程序设计环境,处 理机、主存都不能得到 充分的利用。
操作系统
32 KB
作业 分配给用户作 业的空间 未用
64 KB
1 60 KB
浪费
单一连续分配
特点:
( 1 )管理简单。它把主存分为两个区,用户区一 次只能装入一个完整的作业,且占用一个连续的 存储空间。它需要很少的软硬件支持,且便于用 户了解和使用。 ( 2 )在主存中的作业不必考虑移动的问题,并且 主存的回收不需要任何操作。 ( 3 )资源利用率低。不管用户区有多大,它一次 只能装入一个作业,这样造成了存储空间的浪费, 使系统整体资源利用率不高。 (4)这种分配方式不支持虚拟存储器的实现。

第五章 存储器

第五章 存储器
微 机 原 理 汇 编 接 口 技 术
部分译码
部分片外地址参与译码 线路较简单 地址有重叠
第 19 页
存储器与CPU的连接 的连接 存储器与
微 机 原 理 汇 编 接 口 技 术
线选
个别片外地址线直接连至存储芯片的片选输入端 有大量的地址重叠 只适用于小存储容量需求的场合
第 20 页
存储器与CPU的连接 的连接 存储器与
微 机 原 理 汇 编 接 口 技 术
16位系统的连接
第 21 页
存储器与CPU的连接 的连接 存储器与
微 机 原 理 汇 编 接 口 技 术
第 22 页
存储器与CPU的连接 的连接 存储器与
微 机 原 理 汇 编 接 口 技 术
第 23 页
存储器与CPU的连接 的连接 存储器与
微 机 原 理 汇 编 接 口 技 术
微 机 原 理 汇 编 接 口 技 术
第 26 页
存储器空间的分配和使用
微 机 原 理 汇 编 接 口 技 术
实模式
8086的工作模式,20条地址线能寻址1MB的空间 逻辑地址——段地址:偏移地址 实际地址——段地址×16+偏移地址
所有的系统开机后首先进入实模式
第 27 页
存储器空间的分配和使用
第4 页
存储器概述
微 RAM 机 SRAM 原 DRAM 理 ROM MROM 汇 PROM 编 EPROM 接 EEPROM 口 技 术
第5 页
存储器概述
微 存储器的引脚特征 机 地址线 原 数据线 片选 理 输出允许 汇 读/写控制 编 接 口 技 术
第6 页
随机存取存储器RAM 随机存取存储器
微 XMS,扩充存储器 机 将扩充存储器分为若干个16KB的数据页,同一时刻可将四页COPY 至UMB中的页框内进行处理 原 利用EMM386.EXE,将扩展存储器模拟成扩充存储器使用 理 速度相对较慢 汇 编 接 口 技 术

计算机原理第三章存储器

计算机原理第三章存储器

解:(1)需要26根地址线。

(2)有24根地址线

(3)共用8片。

(4)连线图如下图所示。
〔例6〕半导体存储器容量为7K×8位,其中固化区为4k×8 位,可选用 EPROM芯片:2K×8/片。随机读/写区为3K×8, 可选SRAM芯片:2K×4/片和1K×4/片。地址总线为A15~A0,
为“0”。
★ 注意:读出 “1” 信息后,电容Cs上无电荷,不能再 维持“1”,这种现象称为“破坏性读出”,须进行“恢复”操 作。
(3) 保持,字选线为“0”,T截止,电容Cs无放电 回路,其电荷可暂存数毫秒,即维持“1”数毫秒;无电荷 则保持“0”状态。
★ 注意:保持“1”信息时,电容Cs也要漏电,导致Cs上 无电荷,须定时“刷新”。
写1:数据线I/O=1、 I / O =0,使位线D=1、 D =0;
推出T1截止,T2导通使Q=1、 Q =0,写入“1”。
(2)读出
行选线xi,列选线yj加高电平,使T5 、T6导通和V1 、V2导通。
如果原存信息Q=0,则T1导通,从位线D将通过T5、T1到地 形成放电回路,有电流经D流入T1,使I/O线上有电流流过,经放 大为“0”信号,表明原存信息为“0”。而此时因T2截止,所以D 上无电流。
〔例〕32位地址线的计算机: 232=220×210×22=4千兆=4G 但现在实际配的主存假设为512兆,
即 512兆=220×29
所以,32 位地址线寻址的是逻辑地址, 29位地址线寻址的是物理地址。
3.1.3 存储器的分类
一、根据存储介质来分
1. 半导体存储器:
静态存储器 动态存储器
2. 磁表面存储器:磁盘、磁带等。(磁性材料)

11第十一讲DRAM存储器-PPT精选文档

11第十一讲DRAM存储器-PPT精选文档
内存的读写工作过程。

4
一 DRAM存储最小单元
8
DRAM存储元的记忆原理
1、MOS 管作为 2 、写 1—— 输出缓冲 5 后存储位 4 、读出 1 —— 输入 3、写0——输出缓 开关使用,信 器和刷新缓冲器关闭; 元重写 1 (1的读出是 缓冲器和刷新缓冲 冲器和刷新缓冲器 息由电容器上 输入缓冲器打开 (R/W 器关闭;输出缓冲 破坏性的 )——输入 关闭;输入缓冲器 的电荷量体 为低 ),DIN=1 送到存 缓冲器关闭,刷新 器 /读放打开 (R/W 打开,输入数据 现—— 电容器 储元位线上;行选线 缓冲器和输出缓冲 为高 ) ;行选线为 DIN=0送到存储元 充满电荷代表 为高,打开 MOS 管, 器 / 读放打开, 高,打开 MOS 管, 位线上;行选线为 存储了 1;电容 位线上的高电平给电 D =1 经刷新缓冲 电容上存储的 1管, 送 OUT 高,打开MOS 器放电没有电 容器充电 器送到位线上,再 到位线上,通过输 电容上的电荷通过 荷代表存储了 0 经 MOS 管写到电容 出缓冲器 /读出放 MOS 管和位线放电 上 大器发送到DOUT, 即DOUT=1
13
实例
例1:某一动态RAM芯片,容量为64K×1,
除电源线,接地线和刷新线外,该芯片最 小引脚数目为多少?
14
三 DRAM的周期

读周期:行地址和列地址要在行选通信号
与列选通信号之前有效,并在选通信号之 后一段时间有效。保证行地址与列地址能 正确选通到相应的锁存器。

写周期:写命令信号必须在选通信号有效 前有效。
读 /写 7.8μs 刷新 读 /写 7.8μs 刷新
8ms 异步刷新方式
四 刷新方式
例3:有一个16K×16的存储器,用1K×4位

第五章 存储器

第五章 存储器
a. 静态RAM (速度快,存储容量小,集成度低,无需刷新 ) b. 动态RAM (速度慢,存储容量大,集成度高,需刷新 )
1.静态SRAM 构成
• 存储元由双稳态触发器构成。双稳态触发器有两个稳定 状态,可用来存储一位二进制信息。只要不掉电,其存 储的信息可以始终稳定地存在。
• 集成度较高,功耗比双极型的低 • 存取速度较动态RAM快。 • SRAM一般采用“字结构”存储矩阵:
读写存储器RAM
组成单元 速度 集成度
应用
SRAM 触发器 快 低 小容量系统
DRAM 极间电容 慢 NVRAM 带微型电池 慢
高 大容量系统 低 小容量非易失
第二节 随机存取存储器RAM
1、定义:在计算机正常工作状态下,存储器的信息既可以随 机读,又可以随机写。
2、性质:RAM中的信息具有易失性。 3、分类:
也可以接地址线高位,或接地址译码器的输出端。 ③ 读写控制信号并联接到控制总线中的读写控制线上。 ④ 数据线分高低部分分别与数据总线相应位连接。
33
2.存储容量的扩展 • 线选法译码电路:用高端地址线作为芯片片选控制线。
D7~D0 A12~A0
A12~A0
0 0000 0000 0000 D7~D0 A12~A0
A19~A0 M/IO 1
WR D7~D0
CE A19~A0 1M×1(0#)
CE A19~A0 1M×1(1#)
CE A19~A0 1M×1(2#)
WE I/O
WE I/O
WE I/O
D0
D1
D2
CE A19~A0 1M×1(7#) WE I/O
D7
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例2、2114(1K×4位)扩展1K×8位存储器
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⑶ 字位同时扩展:在字向和位向上同时进行扩展 一个的容量假定为 M ×N 位,若使用 l × k 位的芯
片( l < M, k < N),需要在字向和位向同时进行扩展。此时共需 要
( M / l )) × ( N / k )个存储器芯片。 思考题:
1、32K × 16表什么意思?(32K=215,15根地址线,16根数据线) 2、构成 4M× 32存储器需要16K × 8的芯片多少片? ( 16K= 214 , 4M= 222,故需要芯片: (4M/ 16K)*(32/8)=1024,
外存储器:简称外存,它是大容量辅助存储器。目前主要使用磁盘 存储器、磁带存储器和光盘存储器。
4、主存储器的技术指标:主存储器的性能指标主要是存储容量、 存取时间、存储周期和存储器带宽。
存入一个机器字的存储单元,通常称为字存储单元,相应的 单元地址叫字地址。而存入一个字节的单元,称为字节存储单元, 相应的地址称为字节地址。
第三章
第三章:存储系统
一、存储器分类 1、概念:存储器是计算机系统中的记忆设备,用来存放程序和数据。
构成存储器的存储介质,目前主要采用半导体器件和磁性材料。 一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材料的存储元,均 可以存储一位二进制代码。这个二进制代码位是存储器中最小的存 储单位,称为一个存储位或存储元。由若干个存储元组成一个存储 单元,然后再由许多存储单元组成一个存储器。 2、存储器的分类:(1)按存储介质分:半导体器件和磁性材料。 (2)按存取方式分:随机存储器和顺序存储器。(3)按存储器的 读写功能分:只读存储器(ROM)、随机读写存储器(RAM)。 (4)按信息的可保存性分:非永久记忆的存储器、永久性记忆的 存储器。磁性材料做成的存储器是永久性存储器,半导体读写存储 器RAM是非永久性存储器。(5)按在计算机系统中的作用分:主存 储器、辅助存储器、高速缓冲存储器、控制存储器等。
存取时间又称存储器访问时间,是指从启动一次存储器操作 到完成该操作所经历的时间。具体讲,从一次读操作命令发出到该 操作完成,将数据读入数据缓冲寄存器为止所经历的时间,即为存 储器存取时间。1s=103ms=106μs=109ns
存储周期是指连续启动两次读操作所需间隔的最小时间。通 常,存储周期略大于存取时间,其时间单位为ns(纳秒)。
3、存储器的分级结构:CPU能直接访问的存储器称为内存储器,它 包括高速缓冲存储器和主存储器。CPU不能直接访问外存储器,外 存储器的信息必须调入内存储器后才能为CPU进行处理。
高速缓冲存储器:高速缓冲存储器(简称cache),它是计算机系 统中的一个高速小容量半导体存储器。
主存储器:简称主存,是计算机系统的主要存储器,用来存入计算 机运行期间的大量程序和数据。它能和cache交换数据和指令。
4、存储器与CPU连接:位扩展法、字扩展法、字位同时扩展法。 ⑴ 位扩展法(位并联):假定使用8K × 1的RAM存储器芯片,那 么组成8K × 8位的存储器,可采用图3.6所示的位扩展法。此时只 加大字长(位数增加),而存储器的字数与存储器芯片字数一致。
⑵ 字扩展法(地址串联):字扩展是仅在字向扩充,而位数不变,因此将
驱动器、 I/O电路、 片选与读/写控制电路、 输出驱动电路。
3、SRAM存储器芯片实例:图3.5示出2114存储器芯片逻辑结构方框图。它是一
个1K × 4位的SRAM,片上共有4096个六管存储元电路,排成64 × 64的矩阵。 因为是1K字,故地址线10位(A0-A9),其中6根用于行译码产生64根行选择线,4根 用于列译码产生16条列选择线。
地址译码器:用来存放所要访问(写入或读出)的存储单元 的地址。CPU要选择某一存储单元,就在地址总线A0—A11上输出此单元的 地址信号给地址译码器。地址译码器把用二进制代码表示的地址转换成 输出端的高电位,用来驱动相应的读写电路,以便选择所要访问的存储 单元。地址译码的方式:单译码方式, 双译码方式。 思考题:地址输入线n=12,经地址译码器译码可译出多少个状态?
在一个存储器中可以容纳的存储单元总数通常称为该存储器 的存储容量。存储容量越大,能存储的信息就越多。存储容量常用 字数或字节数(B)来表示,如64K字,512KB,64MB。外存中为了 表示更大的存储容量,采用GB,TB等单位。
其中1KB=210B,1MB= 220B,1GB= 230B ,1TB= 240B。B表示字节, 一个字节(Byte)定义为8个二进制位,所以计算机中一个字的字长 通常是8的倍数。存储容量这一概念反映了存储空间的大小。
芯片的地址线、数据线、读/写控制线并联,而由片选信号来区分各片地址,故 片选信号端连接到片译在码器的输出端。图3.7所示出用16K × 8位的芯片采用 字扩展法组成64K × 8位的存储器连接图。图中4个芯片的数据线与数据总线D0D7相连,地址总线低位地址A0-A13与各芯片的14位地址端相连,两位高位地址A14, A15经译码器和4个选端相连。
存储器带宽是单位时间里存储器所存取的信息量,通常以位 /秒或字节/秒做度量单位。带宽是衡量数据传输速率的重要技术指 标。 二、随机读写存储器
1、SRAM存பைடு நூலகம்器:基本存储元是组成存储器的基础和核心, 它用来存储一位二进制信息0或1。
图3.2示出了六管SRAM存储元的电路图,它是由两个MOS反 个器交叉耦合而成的触发器。一个存储元存储一位二进制代码,如 果一个存储单元为 n位,则需由n个存储元才能组成一个存储单元。
2、SRAM组成:一个SRAM存储器由存储体、读写电路、地址译码 电路和控制电路等组成,其框图示于图3.3中。
存储体:是存储单元的集合。在较大容量的存储器中,往往 把各个字的同一位组织在一个集成片中。例如图3.3中的4096 × 1位, 是指4096个字的同一位。由这样的16个片子则可组成4096 × 16的存储 器。同一位的这些字通常排成矩阵的形式,如64 × 64=4096。由X选择 线(行线)和Y选择线(列线)的交叉来选择所需要的单元。
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