静态随机存储器实验实验报告
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
**大学
实验(实训)报告
实验名称运算器、存储器
所属课程计算机组成与结构
所在系计算机科学与技术
班级
学号
姓名
指导老师
实验日期
实验静态随机存储器实验
2、1、实验目的
掌握静态随机存储器RAM工作特性及数据的读写方法。
2、2、实验内容
给存储器的00H、01H、02H、03H、04H 地址单元中分别写入数据 11H、12H、13H、14H、15H,再依次读出数据。
2、3、实验设备
TDN-CM++计算机组成原理教学实验系统一台,排线若干。
2、4、实验原理
实验所用的静态存储器由一片6116(2K×8bit)构成(位于MEM单元),如图2-1所示。6116有三个控制线:CS(片选线)、OE(读线)、WE(写线),其功能如下图,当片选有效(CS=0)时,OE=0时进行读操作,WE=0时进行写操作,本实验将CS常接地。
的读写,一致,T3
时为读,WR=1
实验原理如图2-3所示,存储器数据线接至数据总线,数据总线上接有8个LED灯显示D7…D0 的内容。地址线接至地址总线,地址总线上接有8个LED灯显示A7…A0的内容,地址由地址锁存器给出。数据开关经一个三态门连至数据总线,分时给出地址与数据。地址寄存器为8位,接入6116的地址A7…A0,6116的高三位地址A10…A8接地,所以其实际容量为256字节。
MR
MW D7 —————D0D7 —————D0
A7 —————A0
OE CS
T3 IOM
RD WE
读写译码
RD WR
74LS27374LS245IN 单元
AD7
|||
AD0
LDAR
IOR IN_B
A10 —A8—————
—————
——————————----—————6116
实验箱中所有单元的时序都连接至时序与操作台单元,CLR 都连接至CON 单元的CLR 按钮。实验时T3由时序单元给出,其余信号由CON 单元的二进制开关模拟给出,其中IOM 应为低(即MEM 操作),RD 、WR 高有效,MR 与MW 低有效,LDAR 高有效。 2、5.实验步骤
2-5实验接线图
(1)关闭实验系统电源,按图2-5连接实验电路,并且检查无误。
(2)将时序与操作台单元的开关KK1、KK3设置为运行档、开关KK2设置为“单步”档。(3)将CON单元的IOR开关置为1,打开电源开关。
(4)给存储器的00H、01H、02H、03H、04H地址单元中分别写入数据11H、12H、13H、14H、15H。由于数据与地址由同一个数据开关给出,因此数据与地址要分时写入,先写地址,具体操作步骤为:
先关掉存储器的读写(WR=0,RD=0),数据开关输出地址(IOR=0),然后打开地址寄存器门控信号(LDAR=1),按动ST产生T3脉冲,即将地址写入到AR中。
再写数据,具体操作步骤为:先关掉存储器的读写(WR=0,RD=0)与地址寄存器门控信号(LDAR=0),数据开关输出要写入的数据,打开输入三态门(IOR=0),然后使存储器处于写状态(WR=1,RD=0,IOM=0),按动ST产生T3脉冲,即将数据打入到存储器中。
写存储器流程如2-6所示(以00地址单元写入11H为例):
IN单元置地址(00000000)
地址打入AR
(00000000)
IN单元置数据
(00010001)
地址打入MEM
(00010001)
WR = 0 RD = 0 IOM =0 IOR = 0 LDAR = 0WR = 0
RD = 0
IOM =0
IOR = 0
LDAR = 1
T3 = 0
WR = 0
RD = 0
IOM =0
IOR = 0
LDAR = 0
WR = 1
RD = 0
IOM =0
IOR = 0
LDAR = 0
T3 = 0
(5)依次读出第00、01、02、03、04号单元的内容,观察上述各单元的内容就是否与前面写入一致。同写操作类似,读到时候也要先给出地址,然后进行读,地址的给出与前面一样,而在进行读操作时,应先关闭IN单元的输出(IOR=1),然后使存储器处于读状态(WR=0,RD=1,IOM=0),此时数据总线上的的数就就是从存储器当前地址中读出的数据内容。
读存储器的流程如下图2-7所示(以从00地址单元读出11H为例):
IN单元置地址(00000000)
地址打入AR
(00000000)
关闭IN单元输出
(********)
读出MEM数据
(00010001)
WR = 0 RD = 0 IOM =0 IOR = 0 LDAR = 0WR = 0
RD = 0
IOM =0
IOR = 0
LDAR = 1
T3 = 0
WR = 0
RD = 0
IOM =0
IOR = 1
LDAR = 0
WR = 0
RD = 1
IOM =0
IOR = 1
LDAR = 0
2、6实验结果
给存储器的00H、01H、02H、03H、04H地址单元中分别写入数据11H、12H、13H、14H、15H,依次读出数据为:00010001、00010010、00010011、00010100、00010101。
2、7实验总结
……………