半导体的基本分类是什么(精)
半导体材料及其基本能带结构
半导体的基本能带结构
一. 半导体材料
5. 半导体材料的应用
信息处理与存储
信息感测
通信、雷达
显示
半导体照明
半导体的基本能带结构
太阳能电池、热电转换
一. 半导体材料
半导体的 性质与用途
电子运动 的多样化
半导体的 能带结构
能带工程
能带裁剪 杂质工程 应变工程 缺陷工程
……
半导体基本能带结构
为浮力不同。换个方向思考，将球落底
所受的力只想成重力，不去计算浮力问
题，可想成两个容器中球的质量不同，
才造成落地时间不同。
水
油
同理，自由电子与晶体中电子所受的力场不同，所以能量不 同，但晶体中的力场不易得知，故换个想法，将晶体中质量 修正为有效质量，则可不直接处理力场的问题，因此自由电 子的相关公式皆可使用。
超高速、低功耗、低噪音器件和电路，光电子器件和光电集成 增大晶体直径(4~6 inch) 、提高材料的电学和光学微区均匀性 超晶格、量子阱材料
❖ 第三代半导体，宽禁带半导体(以GaN，SiC，ZnO，金
刚石等为代表)
高频大功率、耐高温、抗辐照半导体微电子器件和电路
❖ 新型半导体，以稀磁半导体，低维半导体等为代表
迁的概率要小得多
半导体的基本能带结构
二. 半导体的带隙
3. 半导体的带隙
电子-空穴对复合发光
半导体的基本能带结构
二. 半导体的带隙
Tips
带隙是半导体重要的物理参数
导电性 器件耐压 工作温度 发光 光吸收
带隙的确定、直接带隙与间接带隙
5.1 半导体及其基本能带结构
一. 引言——半导体 二. 半导体的带隙 三. 带边有效质量
半导体基础知识介绍
华润华晶产品与技术中心 2010年10月
Silicon Fab Fab 5
Marketing & Sale Dept
R&D Center Fab 2 Plant 3 Test Plant
Administration CRHJ Depts Floor 2 & 3
目
录
一、器件基础知识 二、器件特性介绍 三、晶体管可靠性分析
hFE －－电流增益（电流放大倍数） 理论上， hFE 应尽可能大，以便于用较小的基极电流控制 较大的集电极电流，可以减少驱动损耗。但开关速度、电流 特性、VCEO等限制了hFE的范围。 一般灯用晶体管选用：15~30 电源类用晶体管选用：20~40
CRHJ
二、器件特性介绍
VCE（sat)－－集电极－发射极饱和电压
CRHJ
一、器件基础知识
9、绝缘栅双极型晶体管（IGBT） Insulated Gate Bipolar Transistor MOS晶体管和双极型晶体管组成的复合 结构器件 兼具MOS晶体管的快速开关特性和双极 型晶体管的大电流特性
CRHJ
二、器件特性介绍
1、二极管 • 二极管的基本构成 由一个P-N结组成 • 二极管的电学符号：
CRHJ
二、器件特性介绍
漏电流ICBO、IEBO、ICEO ICBO、IEBO、ICEO显示晶体管反向截止时的漏电情况，反 映了工艺线的制造水平。 ICBO，IEBO一般要求小于1μA，华晶产品典型值在nA级。 ICEO理论上等于ICBO扩大hFE的倍数，一般小于10μA。
CRHJ
二、器件特性介绍
低频晶体管、高频晶体管、超高频晶体管。
• 按封装结构分类
微机原理第5章半导体存储器(精)
高速缓冲存储器(Cache)。这个存储器 所用芯片都是高速的,其存取速度可与微处 理器相匹配,容量由几十K～几百K字节,通常 用来存储当前使用最多的程序或数据。
内存储器,速度要求较快(低于Cache),有一 定容量(受地址总线位数限制),一般都在几十 兆字节以上。
3
外存,速度较慢,但要求容量大,如软盘, 硬盘,光盘等。其容量可达几百兆至几十个 GB,又称“海量存储器”,通常用来作后备存 储器,存储各种程序和数据,可长期保存,易于 修改,要配置专用设备。
M / IO
•
1
前1K
A11
•
1
后1K
23
前 1K A =0 11 0000000000000000 ～ 0000001111111111B 即 0000～03FFH
后 1K A =1 11 0000100000000000 ～0000101111111111B 即 0800～0BFFH
可见,地址不连续!
选用存储器时,存取速度最好选与CPU 时序相匹配的芯片。另外在满足存储器总 容量前提下,尽可能选用集成度高,存储容量 大的芯片。
14
5.2 读写存储器RAM
5.2.1 静态RAM(SRAM) SRAM的基本存储电路由6个MOS管
组成,为双稳态触发器，其内部结构请自 己看书。
⒈ 2114存储芯片,为1K*4位
27
图中数据总线驱动器采用74LS245,其逻
辑框图与功能表三态如下:
门
A
•
•B
使能 方向控制
G
DIR
操作
&
•
•
0
0
BA
0
1
AB
半导体的基本 知识
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第二节 半导体二极管
• 二、二极管的结构和符号 • 将PN结的两个区，即P区和N区分别加上相应的电极引线引出，并
用管壳将PN结封装起来就构成了半导体二极管，其结构与图形符号 如图6一1所示，常见外形如图6一2所示。从P区引出的电极为阳极 (或正极)，从N区引出的电极为阴极(或负极)，并分别用A,K表示。 • 三、二极管的伏安特性 • 二极管的主要特性是单向导电性，其伏安特性曲线如图6一3所示(以 正极到负极为参考方向)。 • 1.正向特性 • 外加正向电压很小时，二极管呈现较大的电队，几乎没有正向电流通 过。曲线OA段(或OA‘段)称作死区，A点(或A‘点)的电压称为死区电 压，硅管的死区电压一般为0. 5 V，锗管则约为0. 1 V 。
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第一节 半导体的基本知识
• 电阻是随着温度的上升而降低的。这是半导体现象的首次发现。 1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照 下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发 现的半导体的第二个特征。在1874年，德国的布劳恩观察到某些硫 化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端 加一个正向电压，它是导通的;如果把电压极性反过来，它就不导电， 这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种特性。同年， 舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。1873年，英国的史密斯发 现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特 有的性质。
半导体材料基础_基本特性
为直接跃迁。相当于电子由价带竖直地跃迁到导带，所以也
称为垂直跃迁。对应的材料为直接带隙半导体。k = k'+ hv
间接跃迁
c
若导带底和价带顶位于k空间的不同位置，则任
何竖直跃迁所吸收的光子能量都应该比禁带宽
度大。但实验指出，引起本征吸收的最低光子
能量还是约等于Eg。
——推论：除竖直跃迁，还存在另一类跃迁过
激子吸收不会改变半导体的导 电性。
Eenx
=
1
2 r
m* m
13.6 n2 (eV )
iii) 杂质吸收
杂质可以在半导体的禁带中引入杂质能级，占据杂质 能级的电子或空穴的跃迁可以引起光吸收，这种吸收 称为杂质吸收，可以分为下面三种类型： a.吸收光子可以引起中性施主上的电子从基态到激发 态或导带的跃迁； b.中性受主上的空穴从基态到激发态或价带的跃迁； c.电离受主到电离施主间的跃迁；
自由载流子吸收也需要声子参与， 因此也是二级过程，与间接跃迁过 程类似。但这里所涉及的是载流子 在同一带内不同能级间的跃迁。
自由载流子吸收不会改变半导体的 导电性。
v) 子带间的跃迁
电子在价带或导带中子带（sub-band）之间的跃迁。 在这种情况下，吸收曲线有明显的精细结构，而不同 于由自由载流子吸收系数随波长单调增加的变化规律 。
由于杂质能级是束缚态，因而动量没有确定的值，所 以不必满足动量守恒的要求，因此跃迁几率较大。
杂质吸收的长波长总要长于本征吸收的长波长。杂质 吸收会改变半导体的导电性，也会引起光电效应。
电子在杂质能级及杂质能级与带间的跃迁
浅能级杂质：红外区 深能级杂质：可见、紫外区
iv) 自由载流子吸收
当入射光的波长较长，不足以引起 带间跃迁或形成激子时，半导体中 仍然存在光吸收，而且吸收系数随 着波长的增加而增加。这种吸收是 自由载流子在同一能带内的跃迁引 起的，称为自由载流子吸收。（准 连续、长波长段）
第二章半导体基本器件(精)
第二章半导体基本器件内容提要【了解】半导体的相关知识【熟悉】二极管（即PN结）的单向导电性及主要参数【了解】三极管的电流放大原理【熟悉】三极管输出特性曲线的三个工作区及条件和特点、主要参数【了解】MOS管的工作原理、相应的三个工作区以及与三极管的性能区别一．复习提要二．典型例题三．本章小结复习提要：*了解半导体基础相关知识：半导体(导电性能介于┉)、本征半导体(纯净,晶体)、共价键(共用电子对)；热激发：自由电子-空穴对、载流子、复合、浓度(微量,温度影响) ；掺杂半导体：N型(五价磷)、P型半导体(三价硼)、多子、少子；PN结：扩散、离子、空间电荷区、内电场EIN、阻挡层、漂移、动态平衡。
(p38~p41)本征半导体掺杂半导体PN结一.PN结(二极管)的单向导电性：p41单向导电性1.PN结内部扩散和漂移的动态平衡(空间电荷区的调节作用)；2.外加电压(外电场)打破原有的平衡(加正向偏压，削弱了内电场的作用，有利于扩散，形成较大的正向电流，导通；加反向偏压，增强了内电场的作用，有利于漂移，形成微弱的反向电流，截止)；3.熟悉PN结的伏安特性（i~u）：硅和锗的导通电压U ON分别为0.5V和0.1V、正向电压降U D分别为0.6~0.8V和0.1~0.3V,击穿电压U(RB)、二极管符号、主要参数(p43)及应用(数字：开关；模拟：整流、限幅；稳压管：正常工作在反向击穿状态，为了使稳压管不会因过流而损坏，应当在电路中加限流电阻（见图2.1.9）。
伏安特性稳压管电路*了解三极管电流放大原理：(1)发射结正偏,其正向电流主要是由发射区的多子向基区扩散所形成的电流I E(因为发射区重掺杂而基区掺杂浓度很低,故基区的多子向发射区扩散可以忽略)；(2) 注入到基区的多子在基区的复合和继续扩散；(3) 复合所形成基极复合电流I BN(≈I B)很小,大部分扩散被集电结反向偏置电场吸引到集电区,形成较大的集电极收集电流I CN(≈I C)(因为基区薄、掺杂浓度低,集电结反偏)。
半导体面试题目(3篇)
第1篇一、基础知识部分1. 请简述半导体材料的基本概念及其分类。
2. 解释什么是本征半导体、n型半导体和p型半导体，并说明它们之间的区别。
3. 什么是掺杂？为什么掺杂对于半导体的应用至关重要？4. 什么是载流子？请分别说明电子和空穴载流子的性质。
5. 什么是能带？简述价带、导带和禁带的概念。
6. 什么是能级？请解释能级与能带之间的关系。
7. 什么是施主和受主？它们在半导体中的作用是什么？8. 请解释半导体中的电导率是如何受到温度影响的。
9. 什么是霍尔效应？它在半导体中的应用有哪些？10. 什么是PN结？简述PN结的形成过程、特性和应用。
二、器件原理部分1. 请简述晶体管的工作原理，包括NPN和PNP晶体管。
2. 什么是场效应晶体管（FET）？请解释其工作原理和特性。
3. 什么是MOSFET？请说明其结构、工作原理和优缺点。
4. 什么是二极管？请解释二极管的基本特性和应用。
5. 什么是三极管？请说明三极管的基本特性和应用。
6. 什么是整流器？请列举几种常见的整流器类型及其工作原理。
7. 什么是稳压器？请说明稳压器的工作原理和应用。
8. 什么是放大器？请解释放大器的基本特性和应用。
9. 什么是滤波器？请列举几种常见的滤波器类型及其工作原理。
10. 什么是振荡器？请解释振荡器的基本特性和应用。
三、电路设计部分1. 请简述半导体电路设计的基本流程。
2. 什么是模拟电路和数字电路？请分别说明它们的特点。
3. 什么是电路仿真？请列举几种常见的电路仿真软件。
4. 什么是版图设计？请说明版图设计的基本流程和注意事项。
5. 什么是集成电路封装？请列举几种常见的集成电路封装类型。
6. 什么是测试与验证？请说明测试与验证在半导体电路设计中的重要性。
7. 什么是电路优化？请列举几种常见的电路优化方法。
8. 什么是电源设计？请说明电源设计的基本原则和注意事项。
9. 什么是信号完整性？请解释信号完整性对电路设计的影响。
10. 什么是电磁兼容性？请说明电磁兼容性在电路设计中的重要性。
半导体的基本分类是什么(精)
半导体的基本分类是什么？
分析：半导体可以分为本征半导体和杂质半导体。
1．本征半导体
纯净晶体结构的半导体称为本征半导体。
常用的半导体材料是硅和锗，它们都是四价元素，在原子结构中最外层轨道上有四个价电子。
(如图1)
图1 硅和锗简化原子结构模型
共价键中的价电子由于热运动而获得一定的能量，其中少数能够摆脱共价键的束缚而成
为自由电子，同时必然在共价键中留下空位，称为空穴。
在外电场作用下，一方面自由电子产生定向移动，形成电子电流；另一方面，价电子也按一定方向依次填补空穴，即空穴产生了定向移动，形成所谓空穴电流。
2．杂质半导体
(1) N型半导体
在本征半导体中，掺入微量5价元素，如磷、锑、砷等，则原来晶格中的某些硅（锗）
原子被杂质原子代替。
由于5价杂质原子可提供自由电子，故称为施主杂质。
N型半导体中，自由电子称为多数载流子；空穴称为少数载流子。
(2) P型半导体
在本征半导体中，掺入微量3价元素，如硼、镓、铟等，则原来晶格中的某些硅（锗）
原子被杂质原子代替。
P型半导体中，自由电子称为少数载流子；空穴称为多数载流子。
P型半导体与N型半导体虽然各自都有一种多数载流子，但对外仍呈现电中性，它们的
导电特性主要由掺杂浓度决定。
这两种掺杂半导体是构成各种半导体器件的基础。
实训项目4 半导体元件的的检测训练实验报告
实训项目4 半导体元件的的检测训练一、实训概要本章主要介绍半导体元件的基本知识，要求读者掌握各种半导体元件的作用、命名方法、结构特点、主要参数及检测方法等内容。
特别是要能正确识别各类二极管、三极管及可控硅，并熟悉这些元件的检测及代换要领。
二、实训目的1、认识各种不同类别的半导体器件的命名规则及查询方法。
2、了解各种不同半导体的基本用途3、掌握各类半导体器件的检测方法4、掌握使用、更换半导体的基本方法。
三、实训原理1、半导体元件概述1）半导体元件的分类半导体元件是以半导体材料为基体构成的，半导体元件的种类很多，按电极数目及元件特点来分，可分为二极管、三极管、可控硅、场效应管、集成电路等类型。
按所用的半导体材料来分，可分为硅半导体元件、锗半导体元件及其他半导体元件。
2）半导体元件的命名（1）国产半导体元件的命名方法国产半导体元件的型号共由五部分组成，见教材表所示。
例如，2CW15这个元件是一个稳压二极管。
3DD15D这个元件是一个低频大功率三极管。
（2）日本半导体元件的命名方法日本半导体元件的命名方法与我国不同，它虽然也由五部分组成，但各部分含义已发生了变化。
详细情况见教材表所示。
例如，1S1555这个元件是一个普通二极管。
再如，2SA733这个元件是一个PNP型高频三极管。
（3）美国半导体元件的命名方法美国半导体元件也由五部分组成，各部分的含义见教材表所示。
例如，1N4007这个元件，“1”表示二极管，“N”代表EIA注册标志；“4007”表示EIA登记号。
再如2N3055这个元件，“2”表示三极管；“N”表示EIA注册标志；“3055”表示EIA登记号。
（4）欧洲半导体元件的命名方法欧洲半导体元件一般由四部分组成，各部分含义见教材表所示。
例如BU508A这个元件，“B”表示硅材料；“U”表示大功率开关管；“508”表示通用半导体器件登记号，“A”表示分档。
2、二极管二极管实际上就是一个PN结，它的基本特性是单向导电性。
半导体ip的分类-概述说明以及解释
半导体ip的分类-概述说明以及解释1.引言1.1 概述概述部分的内容：引言中的概述部分将简要介绍半导体IP的分类。
半导体IP是指一类可用于集成电路设计的可复用模块，它们具有特定的功能和性能，可以在不同的芯片设计中被重复使用。
半导体IP的分类是根据其功能、性能和用途等方面进行的。
在本文中，我们将讨论三类常见的半导体IP。
第一类半导体IP包括基本的数字逻辑门电路，如与门、或门和非门等，它们是构建其他更复杂电路的基本组件。
第二类半导体IP是指数据存储和处理单元，例如寄存器、存储器和算术逻辑单元(ALU)等，它们用于数据的存储和运算。
第三类半导体IP是指通信和接口模块，包括串行通信接口、以太网接口和USB接口等，它们用于设备之间的数据传输和通信。
本文将详细介绍每一类半导体IP的特点、功能和应用场景。
同时，我们还将对每一类半导体IP进行总结和分析，以便读者全面了解这些关键技术，并应用于实际的集成电路设计中。
该概述部分提供了读者对半导体IP分类的整体理解，为接下来的内容铺垫，并引导读者对不同类型的半导体IP产生兴趣。
1.2 文章结构文章结构部分的内容可以按照以下方式编写：本文主要分为三个部分来探讨半导体IP的分类。
在引言部分，我们将首先概述半导体IP的意义和重要性，以及在当今科技领域的广泛应用。
接下来，我们将介绍文章的结构和各个部分的目的，以便读者能够清楚地了解整篇文章的构成和内容安排。
在正文部分，我们将详细介绍半导体IP的分类。
首先，我们将探讨第一类半导体IP，包括其定义、特点和应用领域。
我们将分析各种不同类型的第一类半导体IP，并重点讨论它们的功能和优势。
接着，我们将介绍第二类半导体IP，同样包括定义、特点和广泛应用的领域。
我们将详细讨论第二类半导体IP的各种类型，并对其功能和优势进行分析。
最后，我们将介绍第三类半导体IP，同样包括定义、特点和应用领域。
我们将分析第三类半导体IP的各种类型，并探讨其功能和优势。
半导体的基本特性(精)
半導體的基本特性自然界的物質依照導電程度的難易，可大略分為三大類：導體、半導體和絕緣體顧名思義，半導體的導電性介於容易導電的金屬導體和不易導電的絕緣體之間。
半導體的種類很多，有屬於單一元素的半導體如矽（Si）和鍺（Ge），也有由兩種以上元素結合而成的化合物半導體如砷化鎵（GaAs）和砷磷化鎵銦（Ga x In1-x As y P1-y）等。
在室溫條件下，熱能可將半導體物質內一小部分的原子與原子間的價鍵打斷，而釋放出自由電子並同時產生一電洞。
因為電子和電洞是可以自由活動的電荷載子，前者帶負電，後者帶正電，因此半導體具有一定程度的導電性。
電子在半導體內的能階狀況，可用量子力學的方法加以分析（見圖一）。
在高能量的導電帶內（E c以上），電子可以自由活動，自由電子的能階就是位於這一導電帶內。
最低能區（E v以下）稱為「價帶」，被價鍵束縛而無法自由活動的價電子能階，就是位於這一價帶內。
導電帶和價帶之間是一沒有能階存在的「禁止能帶」（或稱能隙，E g），在沒有雜質介入的情況下，電子是不能存在能隙裡的。
在絕對溫度的零度時，一切熱能活動完全停止，原子間的價鍵完整無損，所有電子都被價鍵牢牢綁住無法自由活動，這時所有電子的能量都位於最低能區的價帶，價帶完全被價電子占滿，而導電帶則完全空著。
價電子欲脫離價鍵的束縛而成為自由電子，必須克服能隙E g，提升自己的能階進入導電帶。
熱能是提供這一能量的自然能源之一。
以矽半導體為例，能隙E g為1.1電子伏特，在室溫（300 K）下，熱能打斷價鍵而產生電子和電洞的速率，與電子和電洞的再結合速率達到平衡時，電子的密度約為1.5×1010cm-3。
因為矽的原子密度約為5×1022cm-3，可知因室溫熱能而被打斷的價鍵數，在比例上是微乎其微的。
在電子被釋放出來的同時，必然留下一帶正電荷的電洞在價帶上（見圖一（a））。
溫度越高，被熱能釋放出來的電子和電洞的數量也越多。
化合物半导体材料与器件基础教材
我们还需要更多！
Dai Xian-ying
化合物半导体器件
2.1 半导体材料的分类
2.1.5 合金半导体
合金半导体：不是化合物；由二元化合物和一种或两种普通 元素组成三元或四元合金（固溶体）半导体。 特点：1）组分可调； 2）禁带宽度随组分连续可调； 3）晶格常数随组分连续可调。 二元合金半导体：Si1-xGex 三元合金半导体：AlxGa1-xAs、AlxGa1-xN、 InxGa1-xAs、In1-xAlxAs等 四元合金半导体：InYGa1-YAsXP1-X and AlYGa1-YAsXSb1-X
化合物半导体器件
Compound Semiconductor Devices 微电子学院
戴显英
2013.8
Dai Xian-ying
化合物半导体器件
第二章 化合物半导体材料 与器件基础
• 半导体材料的分类 • 化合物半导体材料的基本特性
Dai Xian-ying
化合物半导体器件
2.1 半导体材料的分类
Dai Xian-ying
化合物半导体器件
2.1 半导体材料的分类
2.1.5 合金半导体
四元： GaAlInP and GaAlAsP
Dai Xian-ying
化合物半导体器件
2.1 半导体材料的分类
2.1.5 合金半导体
四元： AlGaInN
Dai Xian-ying
化合物半导体器件
2.1 半导体材料的分类
纤维锌矿 III-V族和II-VI族，铅盐（IV-VI族），IV族元素
Dai Xian-ying
注： W=纤锌矿，R=岩盐，D=金刚石，i=间接能隙， d=直接能隙 化合物半导体器件
常见的半导体材料
常见的半导体材料
硅是目前应用最为广泛的半导体材料之一。
它具有丰富的资源、良好的热稳定性和化学稳定性，因此被广泛用于集成电路、太阳能电池等领域。
硅材料的制备工艺成熟，生产成本相对较低，因此在电子行业中占据着重要地位。
锗是另一种重要的半导体材料，它的电子迁移率比硅更高，因此在一些高频电子器件中得到广泛应用。
与硅相比，锗的价格较高，但在特定的应用领域具有独特的优势。
砷化镓是一种III-V族半导体材料，具有较大的能隙和较高的电子迁移率，因此在光电子器件中得到广泛应用，如激光器、光电探测器等。
砷化镓材料的制备工艺较为复杂，但其在光电子领域的应用前景广阔。
砷化铟是另一种III-V族半导体材料，具有较大的能隙和较高的电子迁移率，因此在高频和光电子器件中得到广泛应用。
砷化铟材料的制备工艺相对复杂，但其在通信和光电子领域具有重要的地位。
除了上述常见的半导体材料外，还有许多其他材料在半导体器件中得到应用，如氮化镓、碳化硅等。
随着半导体技术的不断发展，新型半导体材料的研究和应用也在不断涌现，为电子和光电子领域的发展带来新的机遇和挑战。
总的来说，半导体材料在现代电子和光电子领域中起着至关重要的作用，不同的半导体材料具有不同的特性和应用领域，它们共同推动着半导体器件技术的不断进步和创新。
随着科学技术的不断发展，我们相信半导体材料必将迎来更加美好的未来。
电子元器件知识大全,一文了解所有基本元器件!
电子元器件知识大全，一文了解所有基本元器件！作为一名专业的电子元器件采购和销售，元器件有些基本知识是必须要懂的，这篇文章为大家整理了常见的电子元器件的知识，一文就可以了解所有哦！一、电阻器※电阻：导电体对电流的阻碍作用称为电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、KΩ、MΩ表示。
※电阻的型号命名方法：国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）①主称②材料③分类④序号※电阻器的分类：①线绕电阻器②薄膜电阻器：碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器③实心电阻器④敏感电阻器：压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻器、湿敏电阻器。
※电阻器阻值标示方法：1、直标法：用数字和单位符号在电阻器表面标出阻值，其允许误差直接用百分数表示，若电阻上未注偏差，则均为±20%。
2、文字符号法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，其允许偏差也用文字符号表示。
符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值。
表示允许误差的文字符号文字符号：DFGJKM，允许偏差分别为：±0.5%、±1%、±2%、±5%、±10%、±20%。
3、数码法：在电阻器上用三位数码表示标称值的标志方法。
数码从左到右，第一、二位为有效值，第三位为指数，即零的个数，单位为欧。
偏差通常采用文字符号表示。
4、色标法：用不同颜色的带或点在电阻器表面标出标称阻值和允许偏差。
国外电阻大部分采用色标法。
黑-0、棕-1、红-2、橙-3、黄-4、绿-5、蓝-6、紫-7、灰-8、白-9、金-±5%、银-±10%、无色-±20%当电阻为四环时，最后一环必为金色或银色，前两位为有效数字，第三位为乘方数，第四位为偏差。
当电阻为五环时，最後一环与前面四环距离较大。
半导体基础
半导体在微电子领域的应用
• 集成电路
• 集成电路的制备
• 晶体管
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半导体的基本分类是什么？
分析：半导体可以分为本征半导体和杂质半导体。
1．本征半导体
纯净晶体结构的半导体称为本征半导体。
常用的半导体材料是硅和锗，它们都是四价元
图1
共价键中的价电子由于热运动而获得一定的能量，其中少数能够摆脱共价键的束缚而成为自由电子，同时必然在共价键中留下空位，称为空穴。
在外电场作用下，一方面自由电子产生定向移动，形成电子电流；另一方面，价电子也按一定方向依次填补空穴，即空穴产生了定向移动，形成所谓空穴电流。
2．杂质半导体
(1) N型半导体
在本征半导体中，掺入微量5价元素，如磷、锑、砷等，则原来晶格中的某些硅（锗）原子被杂质原子代替。
由于5价杂质原子可提供自由电子，故称为施主杂质。
N型半导体中，自由电子称为多数载流子；空穴称为少数载流子。
(2) P型半导体
在本征半导体中，掺入微量3价元素，如硼、镓、铟等，则原来晶格中的某些硅（锗）原子被杂质原子代替。
P型半导体中，自由电子称为少数载流子；空穴称为多数载流子。
P型半导体与N型半导体虽然各自都有一种多数载流子，但对外仍呈现电中性，它们的导电特性主要由掺杂浓度决定。
这两种掺杂半导体是构成各种半导体器件的基础。