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模拟电子技术基础试卷及答案(期末) 3
模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷三（本科）及其参考答案试卷三一、选择题（这是四选一的选择题，选择一个正确的答案填在括号内）（共16分）1．有两个增益相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（）a. 输入电阻大b. 输入电阻小c. 输出电阻大d. 输出电阻小2．共模抑制比K CMR越大，表明电路（）。
a. 放大倍数越稳定b. 交流放大倍数越大c. 抑制温漂能力越强d. 输入信号中的差模成分越大3．多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（）。
a. 变宽b. 变窄c. 不变d. 与各单级放大电路无关4．一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。
当信号频率恰好为上限频率或下限频率时，实际的电压增益为（）。
a. 43dBb. 40dBc. 37dBd. 3dB图1-4 图1-55．LC正弦波振荡电路如图1-5所示，该电路（）。
a. 满足振荡条件，能产生正弦波振荡b. 由于无选频网络，不能产生正弦波振荡c. 由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡d. 由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡6．双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。
已知静态时，V o=V c1－V c２＝０，设差模电压增益100vd =A ，共模电压增益mV 5V mV,10,0i2i1c ===V A V ，则输出电压o V 为（ ）。
a. 125mVb. 1000 mVc. 250 mVd. 500 mV图1-6 图1-77．对于图1-7所示的复合管，假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流，则复合管的穿透电流CEO I 为（ ）。
a. CEO2CEO I I =b. CEO2CEO1CEO I I I +=c. CEO1CEO I I =d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++=8．某仪表放大电路，要求R i 大，输出电流稳定，应选（ ）。
(完整版)模拟电子技术基础_知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电子技术基础完整版
rD 正向约为几-几十
第一章
半导体器件
半导体物理基础知识
电子—空穴对 当T 或光线照射下,少数价电子因热激发而获得 足够的能量挣脱共价键的束缚 ,成为自由电子. 同时在原来的共价键中留下一个空位称 空穴 在本征半导体中电子和空穴是成对出现的 本征半导体在热或光照射作用下, 产生电子空穴对-----本征激发 T↑光照↑→电子-空穴对↑→导电能力↑ 所以 半导体的导电能力 与 T，光照 有关
§1.1 PN结及二极管
二 PN结的特征——单向导电性 1.正向特征—又称PN结正向偏置 外电场作用下多子 推向耗尽层，使耗尽 层变窄，内电场削弱 扩散 > 漂移 从而在外电路中出现 了一个较大的电流 称 正向电流
Vb
V
§1.1 PN结及二极管
在正常工作范围内，PN结上外加电压 只要有变化，就能引起电流的显著变化。 ∴ I 随 V 急剧上升，PN结为一个很 小的电阻（正向电阻小） 在外电场的作用下，PN结的平衡状态 被打破，使P区中的空穴和N区中的电子 都向PN结移动，使耗尽层变窄
单向导电 性
§1.1 PN结及二极管
3.PN结伏安特性表示式
Is —— 反向饱和电流
决定于PN结的材料，制造工艺、温度 UT =kT/q ---- 温度的电压当量或热电压 当 T=300K时, UT = 26mV K—波耳兹曼常数 T—绝对温度 q—电子电荷 u—外加电压 U 为反向时，且
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模拟电子技术基础目录模拟电子技术基础目录模拟电子技术基础目录前言教学建议第1章半导体二极管及其应用1.1 半导体物理基础知识1.1.1 本征半导体1.1.2 杂质半导体1.2 pn结1.2.1 pn结的形成1.2.2 pn结的单向导电性1.2.3 pn结的反向击穿特性1.2.4 pn结的电容特性1.3 半导体二极管及其基本电路1.3.1 半导体二极管的伏安特性曲线1.3.2 半导体二极管的主要参数1.3.3 半导体二极管的电路模型1.3.4 二极管基本应用电路1.4 特殊二极管1.4.1 稳压二极管.1.4.2 变容二极管1.4.3 光电二极管1.4.4 发光二极管思考题习题第2章双极型晶体管及其放大电路2.1 双极型晶体管的工作原理2.1.1 双极型晶体管的结构2.1.2 双极型晶体管的工作原理2.2 晶体管的特性曲线2.2.1 共射极输出特性曲线2.2.2 共射极输入特性曲线2.2.3 温度对晶体管特性的影响2.2.4 晶体管的主要参数2.3 晶体管放大电路的放大原理2.3.1 放大电路的组成2.3.2 静态工作点的作用2.3.3 晶体管放大电路的放大原理2.3.4 基本放大电路的组成原则2.3.5 直流通路和交流通路2.4 放大电路的静态分析和设计2.4.1 晶体管的直流模型及静态工作点的估算2.4.2 静态工作点的图解分析法2.4.3 晶体管工作状态的判断方法2.4.4 放大状态下的直流偏置电路2.5 共射放大电路的动态分析和设计2.5.1 交流图解分析法2.5.2 放大电路的动态范围和非线性失真2.5.3 晶体管的交流小信号模型2.5.4 等效电路法分析共射放大电路2.5.5 共射放大电路的设计实例2.6 共集放大电路（射极输出器）2.7 共基放大电路2.8 多级放大电路2.8.1 级间耦合方式2.8.2 多级放大电路的性能指标计算2.8.3 常见的组合放大电路思考题习题第3章场效应晶体管及其放大电路3.1 场效应晶体管3.1.1 结型场效应管3.1.2 绝缘栅场效应管3.1.3 场效应管的参数3.2 场效应管工作状态分析及其偏置电路3.2.1 场效应管工作状态分析3.2.2 场效应管的偏置电路3.3 场效应管放大电路3.3.1 场效应管的低频小信号模型3.3.2 共源放大电路3.3.3 共漏放大电路思考题习题第4章放大电路的频率响应和噪声4.1 放大电路的频率响应和频率失真4.1.1 放大电路的幅频响应和幅频失真4.1.2 放大电路的相频响应和相频失真4.1.3 波特图4.2 晶体管的高频小信号模型和高频参数4.2.1 晶体管的高频小信号模型4.2.2 晶体管的高频参数4.3 晶体管放大电路的频率响应4.3.1 共射放大电路的频率响应4.3.2 共基、共集放大器的频率响应4.4 场效应管放大电路的频率响应4.4.1 场效应管的高频小信号等效电路4.4.2 共源放大电路的频率响应4.5 多级放大器的频率响应4.5.1 多级放大电路的上限频率4.5.2 多级放大电路的下限频率4.6 放大电路的噪声4.6.1 电子元件的噪声4.6.2 噪声的度量思考题习题第5章集成运算放大电路5.1 集成运算放大电路的特点5.2 电流源电路5.3 以电流源为有源负载的放大电路5.4 差动放大电路5.4.1 零点漂移现象5.4.2 差动放大电路的工作原理及性能分析5.4.3 具有电流源的差动放大电路5.4.4 差动放大电路的大信号分析5.4.5 差动放大电路的失调和温漂5.5 复合管及其放大电路5.6 集成运算放大电路的输出级电路5.7 集成运算放大电路举例5.7.1 双极型集成运算放大电路f0075.7.2 cmos集成运算放大电路mc145735.8 集成运算放大电路的外部特性及其理想化5.8.1 集成运放的模型5.8.2 集成运放的主要性能指标5.8.3 理想集成运算放大电路思考题习题第6章反馈6.1 反馈的基本概念及类型6.1.1 反馈的概念6.1.2 反馈放大电路的基本框图6.1.3 负反馈放大电路的基本方程6.1.4 负反馈放大电路的组态和四种基本类型6.2 负反馈对放大电路性能的影响6.2.1 稳定放大倍数6.2.2 展宽通频带6.2.3 减小非线性失真6.2.4 减少反馈环内的干扰和噪声6.2.5 改变输入电阻和输出电阻6.3 深度负反馈放大电路的近似计算6.3.1 深负反馈放大电路近似计算的一般方法6.3.2 深负反馈放大电路的近似计算6.4 负反馈放大电路的稳定性6.4.1 负反馈放大电路的自激振荡6.4.2 负反馈放大电路稳定性的判断6.4.3 负反馈放大电路自激振荡的消除方法思考题习题第7章集成运算放大器的应用7.1 基本运算电路7.1.1 比例运算电路7.1.2 求和运算电路7.1.3 积分和微分运算电路7.1.4 对数和反对数运算电路7.2 电压比较器7.2.1 电压比较器概述7.2.2 单门限比较器7.2.3 迟滞比较器7.2.4 窗口比较器7.3 弛张振荡器7.4 精密二极管电路7.4.1 精密整流电路7.4.2 峰值检波电路7.5 有源滤波器7.5.1 滤波电路的作用与分类7.5.2 一阶有源滤波器7.5.3 二阶有源滤波器7.5.4 开关电容滤波器思考题习题第8章功率放大电路8.1 功率放大电路的特点与分类8.2 甲类功率放大电路8.3 互补推挽乙类功率放大电路8.3.1 双电源互补推挽乙类功率放大电路8.3.2 单电源互补推挽乙类功率放大电路8.3.3 采用复合管的准互补推挽功率放大电路8.4 集成功率放大器8.5 功率器件8.5.1 双极型大功率晶体管8.5.2 功率mos器件8.5.3 绝缘栅双极型功率管及功率模块8.5.4 功率管的保护思考题习题第9章直流稳压电源9.1 直流电源的组成9.2 整流电路9.2.1 单相半波整流电路9.2.2 单相全波整流电路9.2.3 单相桥式整流电路9.2.4 倍压整流电路9.3 滤波电路9.3.1 电容滤波电路9.3.2 电感滤波电路9.3.3 复合型滤波电路9.4 稳压电路9.4.1 稳压电路的主要指标9.4.2 线性串联型直流稳压电路9.4.3 开关型直流稳压电路思考题习题第10章可编程模拟器件与电子电路仿真软件10.1 在系统可编程模拟电路原理与应用10.1.1 isppac10的结构和原理10.1.2 其他isppac器件的结构和原理10.1.3 isppac的典型应用10.2 multisim软件及其应用10.2.1 multisim 8的基本界面10.2.2 元件库10.2.3 仿真仪器10.2.4 仿真分析方法10.2.5 在模拟电路设计中的应用思考题习题第11章集成逻辑门电路11.1 双极型晶体管的开关特性11.2 mos管的开关特性11.3 ttl门电路11.3.1 ttl标准系列与非门11.3.2 其他类型的ttl标准系列门电路11.3.3 ttl其他系列门电路11.4 ecl门电路简介11.5 cmos门11.5.1 cmos反相器11.5.2 其他类型的cmos电路11.5.3 使用cmos集成电路的注意事项11.5.4 cmos其他系列门电路11.6 cmos电路与ttl电路的连接思考题习题参考文献延伸阅读：模拟电子技术基础50问1、空穴是一种载流子吗？空穴导电时电子运动吗？答：不是，但是在它的运动中可以将其等效为载流子。
最齐全的模拟电子技术基础参考
PN 结形成 的过程可参阅 图01.06。
图01.06 PN结的形成过程 （动画1-3）
1.2.2 PN结的单向导电性
PN结具有单向导电性，若外加电压使电流 从 P 区流到 N 区， PN结呈低阻性，所以电流 大；反之是高阻性，电流小。
如果外加电压使PN结中：P区的电位高于 N 区的电位，称为加正向电压，简称正偏；
模拟电子技术基础
绪论
1.电子技术的现状与发展趋势
2.电子技术的应用范围 3.本课程与其它专业课的关系 4.电子技术基础学习特点
参考书：
1. 《模拟电子技术基础》（第四版）： 清华大学童诗白、华成英主编
2. 《电子技术基础》（模拟部分第四版）： 华中理工大学康华光主编
第一章 晶体二极管
1.1 半导体的基本知识 1.2 PN结 1.3 半导体二
(2) PN结加反向电压时的导电情况
PN结加反向电压时的导电情况如图01.08所示。 外加的反向电压有一部分降落在PN结区，方向与
图01.03 空穴在晶格中的移动
（动画1-2）
1.1.2 杂质半导体
(1) N型半导体 (2) P型半导体
在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂 质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入 的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质后的 本征半导体称为杂质半导体。
(1）N型半导体
在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，可 形成 N型半导体,也称电子型半导体。
P 区的电位低于 N 区的电位，称为加反向电 压，简称反偏。
(1) PN结加正向电压时的导电情况
PN结加正向电压时的导电情况如图01.07
外加的正向电压有一部 分降落在 PN 结区，方向与 PN结内电场方向相反，削弱 了内电场。内电场对多子扩 散运动的阻碍减弱，扩散电 流加大。扩散电流远大于漂 移电流，可忽略漂移电流的 影响, PN 结呈现低阻性。
模拟电子技术基础参考文献
模拟电子技术基础参考文献[1]华中理工大学电子学教研室编,康华光主编.陈大钦副主编(电子技术基础)(模拟部分)第四版.北京.高等教育出版社.1999[2]西安交通大学电子学教研室编,沈尚贤主编(电子技术导论),北京.高等教育出版社,1985[3]谢嘉奎主编:[电子线路](第四版),北京高等教育出版社,1999[4]北方交通大学,冯民昌主编:[模拟集成电路系统](第2版)北京中国铁道出版社1998[5汪惠].王志华编著:[电子电路的计算机辅助分析与设计方法]北京.清华大学出版社1996[6]吴运昌编著:[模拟集成电路原理与应用],广州.华南理工大学出版社,1995[7]沙占友.李学芝.邱凯编著(新型数字电压表原理与应用),北京.国防工业出版社[8]王汝君.钱秀珍编:[模拟集成电子电路(上)(下)].南京,东南大学出版社1993[9]华中理工大学电子学教研室,陈大钦主编.杨华副主编,(模拟电子技术基础),北京,高等教育出版社,2000[10]杨素行主编(模拟电子电路),北京.中央广播电视大学出版社.1994[11]清华大学电子学教研室组编,杨素行主编:(模拟电子技术简明教程)(第二版),北京,高等教育出版社,1998[12]清华大学电子学教研组编,童诗白主编:[模拟电子技术基础](第二版)],北京高等教育出版社,1988[13]清华大学电子学教研组编,童诗白主编(模拟电子技术基础)(上下册)北京人民教育出版社,1983[14]华成英主编(电子技术)北京中央广播电视大学出版社,1996[15]A.J.Peyton V. Walsh: Analogue eletronics with Op Amps:a source book of practical, Campridge university press,New york, 1993[16]Jacob Millman and Arvin Grabel .Microelectronics.2nd ed.New York:Mcgraw-Hill book Company,1987。
完整版)模拟电子技术基础-知识点总结
完整版)模拟电子技术基础-知识点总结共发射极、共基极、共集电极。
2.三极管的工作原理---基极输入信号控制发射结电流，从而控制集电极电流，实现信号放大。
3.三极管的放大倍数---共发射极放大倍数最大，共集电极放大倍数最小。
三.三极管的基本放大电路1.共发射极放大电路---具有电压放大和电流放大的作用。
2.共集电极放大电路---具有电压跟随和电流跟随的作用。
3.共基极放大电路---具有电压放大的作用，输入电阻较低。
4.三极管的偏置电路---通过对三极管的基极电压进行偏置，使其工作在放大区，保证放大电路的稳定性。
四.三极管的应用1.放大器---将弱信号放大为较强的信号。
2.开关---控制大电流的通断。
3.振荡器---产生高频信号。
4.稳压电源---利用三极管的负温度系数特性，实现稳定的输出电压。
模拟电子技术复资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体是介于导体和绝缘体之间的物质，如硅Si、锗Ge。
2.半导体具有光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体是纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.载流子是带有正、负电荷的可移动的空穴和电子，是半导体中的两种主要载流体。
5.杂质半导体是在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
根据掺杂元素的不同，可分为P型半导体和N型半导体。
6.杂质半导体的特性包括载流子的浓度、体电阻和转型等。
7.PN结是由P型半导体和N型半导体组成的结，具有单向导电性和接触电位差等特性。
8.PN结的伏安特性是指在不同电压下，PN结的电流和电压之间的关系。
二.半导体二极管半导体二极管是由PN结组成的单向导电器件。
1.半导体二极管具有单向导电性，即只有在正向电压作用下才能导通，反向电压下截止。
2.半导体二极管的伏安特性与PN结的伏安特性相似，具有正向导通压降和死区电压等特性。
3.分析半导体二极管的方法包括图解分析法和等效电路法等。
三.稳压二极管及其稳压电路稳压二极管是一种特殊的二极管，其正常工作状态是处于PN结的反向击穿区，具有稳压的作用。
（完整版）模拟电子技术基础总结
（完整版）模拟电子技术基础总结第一章晶体二极管及应用电路一、半导体知识1．本征半导体·单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅（Si）和锗（Ge）（图1-2）。
前者是制造半导体IC的材料（三五价化合物砷化镓GaAs 是微波毫米波半导体器件和IC 的重要材料）。
·纯净（纯度>7N）且具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体。
在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发或产生）（图1-3）。
本征激发产生两种带电性质相反的载流子——自由电子和空穴对。
温度越高，本征激发越强。
+载流子。
空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶·空穴是半导体中的一种等效q+电荷的空位宏观定向运动（图1-4）。
格中的空位，使局部显示q·在一定的温度下，自由电子与空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为载流子复合。
复合是产生的相反过程，当产生等于复合时，称载流子处于平衡状态。
2．杂质半导体·在本征硅（或锗）中渗入微量5价（或3价）元素后形成N型（或P型）杂质半导体（N型：图1-5，P型：图1-6）。
·在很低的温度下，N型（P型）半导体中的杂质会全部电离，产生自由电子和杂质正离子对（空穴和杂质负离子对）。
·由于杂质电离，使N型半导体中的多子是自由电子，少子是空穴，而P型半导体中的多子是空穴，少子是自由电子。
·在常温下，多子>>少子（图1-7）。
多子浓度几乎等于杂质浓度，与温度无关；两少子浓度是温度的敏感函数。
·在相同掺杂和常温下，Si的少子浓度远小于Ge的少子浓度。
3．半导体中的两种电流在半导体中存在因电场作用产生的载流子漂移电流（这与金属导电一致）；还存在因载流子浓度差而产生的扩散电流。
4．PN结·在具有完整晶格的P型和N型材料的物理界面附近，会形成一个特殊的薄层——PN结（图1-8）。
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模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷三（本科）及其参考答案试卷三一、选择题（这是四选一的选择题，选择一个正确的答案填在括号内）（共16分）1．有两个增益相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（）a. 输入电阻大b. 输入电阻小c. 输出电阻大d. 输出电阻小2．共模抑制比K CMR越大，表明电路（）。
a. 放大倍数越稳定b. 交流放大倍数越大c. 抑制温漂能力越强d. 输入信号中的差模成分越大3．多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（）。
a. 变宽b. 变窄c. 不变d. 与各单级放大电路无关4．一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。
当信号频率恰好为上限频率或下限频率时，实际的电压增益为（）。
a. 43dBb. 40dBc. 37dBd. 3dB图1-4 图1-55．LC正弦波振荡电路如图1-5所示，该电路（）。
a. 满足振荡条件，能产生正弦波振荡b. 由于无选频网络，不能产生正弦波振荡c. 由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡d. 由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡6．双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。
已知静态时，V o=V c1－V c２＝０，设差模电压增益100vd =A ，共模电压增益mV 5V mV,10,0i2i1c ===V A V ，则输出电压o V 为（ ）。
a. 125mVb. 1000 mVc. 250 mVd. 500 mV图1-6 图1-77．对于图1-7所示的复合管，假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流，则复合管的穿透电流CEO I 为（ ）。
a. CEO2CEO I I =b. CEO2CEO1CEO I I I +=c. CEO1CEO I I =d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++=8．某仪表放大电路，要求R i 大，输出电流稳定，应选（ ）。
模拟电子技术基础知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一．半导体的基础知识1．半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性－--光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4．两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5．杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴,少子是电子)。
*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴）。
6.杂质半导体的特性*载流子的浓度--－多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻-－－通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型--－通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~０.8V,锗材料约为0.2～0.３V。
＊PＮ结的单向导电性-－-正偏导通,反偏截止。
8. PN结的伏安特性二．半导体二极管*单向导电性---－--正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性－-－-同PＮ结。
*正向导通压降-－-－--硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0．３V。
*死区电压-－--－－硅管０.5V，锗管０．1V。
3.分析方法－－-－--将二极管断开，分析二极管两端电位的高低：若V阳＞V阴（正偏）,二极管导通(短路）;若V阳＜V阴( 反偏)，二极管截止（开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Ｑ。
2) 等效电路法➢直流等效电路法＊总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路);若Ｖ阳＜Ｖ阴（反偏)，二极管截止(开路)。
＊三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路＊稳压二极管的特性-－-正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电子技术基础知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
*三种模型微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电子技术基础(第四版)完整版本
第一讲 绪论
本课程是入门性质的技术基础课
第一讲 绪论
一、电子技术的发展 二、模拟信号与模拟电路 三、“模拟电子技术基础”课程的特 点四、如何学习这门课程 五、课程的目的 六、考查方法
一、电子技术的发展
很大程度上反映在元器件的发展上 : • 1947年 贝尔实验室制成第一只晶体管 • 1958年 集成电路 • 1969年 大规模集成电路 • 1975年 超大规模集成电路
三、“模拟电子技术基础”课程的特点
2. 实践性 实用的模拟电子电路几乎都需要进行调试
才能达到预期的目标，因而要掌握以下方法： ➢ 常用电子仪器的使用方法 ➢ 电子电路的测试方法 ➢ 故障的判断与排除方法 ➢ EDA软件的应用方法
四、如何学习这门课程
1. 掌握基本概念、基本电路和基本分析方法
➢ 基本概念：概念是不变的，应用是灵活的， “万 变不离其宗”。 ➢ 基本电路：构成的原则是不变的，具体电路是多种 多样的。 ➢ 基本分析方法：不同类型的电路有不同的性能指标 和描述方法，因而有不同的分析方法。
➢ 数字信号 在时间和数值上均具有离散性，u或 i 的变化在 时间上不连续，总是发生在离散的瞬间；且它们的 数值是一个最小量值的整数倍，当其值小于最小量 值时信号将毫无意义。 大多数物理量所转换成的信号均为模拟信号。
二、模拟信号与模拟电路
4. 模拟电路
➢ 模拟电路：对模拟量进行处理的电路。 ➢ 最基本的处理是对信号的放大。 ➢ 放大：输入为小信号，有源元件控制电源使负载获
1. N型半导体
5
多数载流子
空穴比未加杂质时的数目 多了？少了？为什么？
杂质半导体主要靠多数载 流子导电。掺入杂质越多， 多子浓度越高，导电性越强， 实现导电性可控。
模拟电子技术基础参考文献
模拟电子技术基础参考文献[1]华中理工大学电子学教研室编,康华光主编.陈大钦副主编(电子技术基础)(模拟部分)第四版.北京.高等教育出版社.1999[2]西安交通大学电子学教研室编,沈尚贤主编(电子技术导论),北京.高等教育出版社,1985[3]谢嘉奎主编:[电子线路](第四版),北京高等教育出版社,1999[4]北方交通大学,冯民昌主编:[模拟集成电路系统](第2版)北京中国铁道出版社1998[5汪惠].王志华编着:[电子电路的计算机辅助分析与设计方法]北京.清华大学出版社1996[6]吴运昌编着:[模拟集成电路原理与应用],广州.华南理工大学出版社,1995[7]沙占友.李学芝.邱凯编着(新型数字电压表原理与应用),北京.国防工业出版社[8]王汝君.钱秀珍编:[模拟集成电子电路(上)(下)].南京,东南大学出版社1993[9]华中理工大学电子学教研室,陈大钦主编.杨华副主编,(模拟电子技术基础),北京,高等教育出版社,2000[10]杨素行主编(模拟电子电路),北京.中央广播电视大学出版社.1994[11]清华大学电子学教研室组编,杨素行主编:(模拟电子技术简明教程)(第二版),北京,高等教育出版社,1998[12]清华大学电子学教研组编,童诗白主编:[模拟电子技术基础](第二版)],北京高等教育出版社,1988[13]清华大学电子学教研组编,童诗白主编(模拟电子技术基础)(上下册)北京人民教育出版社,1983[14]华成英主编(电子技术)北京中央广播电视大学出版社,1996[15] V. Walsh: Analogue eletronics with Op Amps:a source book of practical, Campridge university press,New york, 1993[16]Jacob Millman and Arvin Grabel . York:Mcgraw-Hill book Company,1987。
11-2模拟电子技术基础参考文献090118
11-2模拟电子技术基础参考文献090118电子技术是现代科技领域中一门重要的基础学科，其应用广泛，涉及到众多领域。
模拟电子技术作为其中的重要分支，专注于模拟信号的处理与传输。
对于学习和应用模拟电子技术的人来说，参考文献是不可或缺的资源。
本文将介绍几本经典的模拟电子技术基础参考书籍，为读者提供学习与研究的指导。
一、《模拟电子技术基础》（作者：张三）该书是模拟电子技术的经典教材之一，被广泛应用于大学本科课程教学。
书中系统地介绍了模拟电子技术的基本原理、电路分析与设计，并提供了大量的实例和习题，有助于读者巩固知识和培养解决问题的能力。
此外，该书还对常用的模拟电子器件进行了详细描述，例如放大器、滤波器等等。
读者可以通过该书系统地学习和掌握模拟电子技术的基础知识。
二、《模拟电子技术设计导论》（作者：李四）该书主要面向模拟电子技术的实践应用领域，通过实例来介绍模拟电子技术设计的基本原理与方法。
书中首先阐述了模拟电子技术设计的基本思路和步骤，如需求分析、电路设计、电路测试等。
然后，针对不同的应用场景，详细介绍了模拟电子技术在放大器设计、滤波器设计、模拟电源设计等方面的具体应用。
通过该书的学习，读者能够更好地理解和应用模拟电子技术。
三、《模拟电子技术设计与仿真》（作者：王五）该书是一本结合了模拟电子技术设计与仿真的参考书籍。
在介绍模拟电子技术的基础知识的基础上，书中详细介绍了如何使用电子设计自动化软件进行模拟电子技术的设计与仿真。
通过该书的学习，读者不仅可以理论上掌握模拟电子技术的基本原理，还可以通过实际案例和仿真实验来深入理解和应用知识。
四、《模拟电子技术实例精讲》（作者：赵六）该书着重介绍了一些经典的模拟电子技术实例，从实际案例中分析和解决问题，帮助读者掌握模拟电子技术设计过程中常见的技巧和方法。
同时，该书还展示了一系列模拟电子电路的实际应用，如音频放大器、功率放大器等。
通过实例的学习，读者可以更好地应用模拟电子技术解决实际问题。
模拟电子技术基础 知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电子技术（西安交大）模拟考题二及参考答案
模拟电子技术基础模拟考试题二及参考答案一、填空（每题2，共2分）1．硅稳压二极管在稳压电路中稳压时，通常工作于（）。
(a) 正向导通状态 (b) 反向电击穿状态(c) 反向截止状态 (d) 热击穿状态2、整流的目的是（）。
(a) 将交流变为直流 (b) 将高频变为低频(c) 将正弦波变为方波 (d) 将方波变为正弦波3、当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时，石英晶体呈（）。
(a) 容性 (b) 阻性 (c) 感性 (d) 无法判断4、为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用的滤波电路是（）。
(a) 带阻 (b) 带通 (c) 低通 (d) 高通5、能实现函数Y＝aX1＋bX2＋cX3，a、b和c均大于零的运算电路是（）。
(a) 加法 (b) 减法 (c) 微分 (d) 积分6、欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（）。
(a) 电压串联负反馈 (b) 电压并联负反馈(c) 电流串联负反馈 (d) 电流并联负反馈7、集成运放电路采用直接耦合方式是因为（）。
(a) 可获得很大的放大倍数 (b) 可使温漂小(c) 集成工艺难于制造大容量电容 (d) 放大交流信号8、要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用，第二级应采用。
（）(a) 共射电路, 共集电路 (b) 共集电路, 共射电路(c) 共基电路, 共集电路 (d) 共射电路, 共基电路9、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（）。
(a) 电阻阻值有误差 (b) 晶体管参数的分散性(c) 电源电压不稳定 (d) 晶体管参数受温度影响10、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为（）。
(a) 83 (b) 91 (c) 100 (d) 120【解】1 、(b) 2 、(a) 3 、(c) 4 、(b) 5 、(a) 6 、(d) 7 、(c) 8 、(b) 9 、(d) 10 、(c)二、填空（共10题，每题2分，共20分）1、在室温（27℃）时，锗二极管的死区电压约 V，导通后在较大电流下的正向压降约 V，硅二极管的死区电压约 V；导通后在较大电流下的正向压降约 V。
最齐全的模拟电子技术基础参考[1]
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2020/11/17
最齐全的模拟电子技术基础参考[1]
•绪 论
• 1.电子技术的现状与发展趋 势
• 2.电子技术的应用范 围
• 3.本课程与其它专业课的关系
•4.电子技术基础学习特点
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最齐全的模拟电子技术基础参考[1]
参考书：
1. 《模拟电子技术基础》（第四版）： 清华大学童诗白、华成英主编
•
硅和锗是四价元素，在原子最外层轨道上的四个电
子称为价电子。它们分别与周围的四个原子的价电子形成
共价键。共价键中的价电子为这些原子所共有，并为它们
所束缚，在空间形成排列有序的晶体。
•这种结构的立体和平面示意图见图01.01。
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•(c)
• (a) 硅晶体的空间排列 (b) 共价键结构平面示意
•1.1.1 本征半导体及其导电 性•1.1.2 杂质半导体
•1.1.3 半导体的温度特性
• 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导
体、绝缘体和半导体。
• 半导体的电阻率为10-3～109 cm。典型的半
导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。
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最齐全的模拟电子技术基础参考[1]
• 在N型半导体中自由电子是多数载流子,它主要由
•杂质原子提供；空穴是少数载流子, 由热激发形成。
• 提供自由电子的五价杂质原子因自由电子脱离而
带正电荷成为正离子，因此，五价杂质原子也被称为
施主杂质。N型半导体的结构示意图如图01.04所示。
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最齐全的模拟电子技术基础参考[1]
•(2) P型半导体
模拟电子技术基础试卷及答案(期末)
模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷三（本科）及其参考答案试卷三一、选择题（这是四选一的选择题，选择一个正确的答案填在括号内）（共16分）1．有两个增益相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（）a. 输入电阻大b. 输入电阻小c. 输出电阻大d. 输出电阻小2．共模抑制比K CMR越大，表明电路（）。
a. 放大倍数越稳定b. 交流放大倍数越大c. 抑制温漂能力越强d. 输入信号中的差模成分越大3．多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（）。
a. 变宽b. 变窄c. 不变d. 与各单级放大电路无关4．一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。
当信号频率恰好为上限频率或下限频率时，实际的电压增益为（）。
a. 43dBb. 40dBc. 37dBd. 3dB图1-4 图1-55．LC正弦波振荡电路如图1-5所示，该电路（）。
a. 满足振荡条件，能产生正弦波振荡b. 由于无选频网络，不能产生正弦波振荡c. 由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡d. 由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡6．双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。
已知静态时，V o=V c1－V c２＝０，设差模电压增益100vd=A ，共模电压增益mV 5V mV,10,0i2i1c ===V A V ，则输出电压o V 为（ ）。
a. 125mV b. 1000 mV c. 250 mV d. 500 mV图1-6 图1-77．对于图1-7所示的复合管，假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流，则复合管的穿透电流CEO I 为（ ）。
a. CEO2CEO I I =b. CEO2CEO1CEO I I I +=c. CEO1CEO I I =d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++=8．某仪表放大电路，要求R i 大，输出电流稳定，应选（ ）。
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•图01.03 •空穴在晶格中的移动
•（动画1-2 ）
•
•1.1.2 杂质半导体
•(1) N型半导体 •(2) P型半导体
• 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂 质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入 的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质后的 本征半导体称为杂质半导体。
•
• (1）N型半导体
• 这一现象称为本征激发，也称热激发。 • 自由电子产生的同时，在其原来的共价键中 就出现了一个空位，原子的电中性被破坏，呈现 出正电性，其正电量与电子的负电量相等，人们 常称呈现正电性的这个空位为空穴。
•
• 可见因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成 对出现的，称为电子空穴对。游离的部分自由电子也 可能回到空穴中去，称为复合，如图01.02所示。
共价键。共价键中的价电子为这些原子 Nhomakorabea共有，并为它们
所束缚，在空间形成排列有序的晶体。
•这种结构的立体和平面示意图见图01.01。
•(c)
• (a) 硅晶体的空间排列 (b) 共价键结构平面示意
• 图0图1.01 硅原子空间排列及共价键结构平面示意图
•
• （2）电子空穴对
• 当导体处于热力学温度0K时，导体中没有 自由电子。当温度升高或受到光的照射时，价电 子能量增高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚 ，而参与导电，成为自由电子。
•本征激发和复合在一定温度下会达到动态平衡 。
• 图01.02 本征激发和复合的过程（动画1-1）
•
• (3) 空穴的移动
• 自由电子的定向运动 形成了电子电流，空穴的定 向运动也可形成空穴电流， 它们的方向相反。只不过空 穴的运动是靠相邻共价键中 的价电子依次充填空穴来实 现的，因此，空穴的导电能 力不如自由电子（见图 01.03的动画演示）。
•
华中理工大学康华光主编
•
•第一章 晶体二极管
•1.1 半导体的基本知识 •1.2 PN结 •1.3 半导体二极管
•
•1.1 半导体的基本知 识
•1.1.1 本征半导体及其导电 性•1.1.2 杂质半导体
•1.1.3 半导体的温度特性
• 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导 体、绝缘体和半导体。 • 半导体的电阻率为10-3～109 cm。典型的半 导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。
图
•
•1.1.3 杂质对半导体导电性的影 响• 掺入杂 质对本征半导体的导电性有很大
•的影响，一些典型的数据如下:
••1 T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度:
•
n = p =1.4×1010/cm3
••2 •掺杂后 N 型半导体中的自由电子浓度:
•
n=5×1016/cm3
••3 本征硅的原子浓度: 4.96×1022/cm3
• P 区的电位低于 N 区的电位，称为加反向 电压，简称反偏。
•
• (1) PN结加正向电压时的导电情况
• PN结加正向电压时的导电情况如图01.07
• 外加的正向电压有一部 分降落在 PN 结区，方向与 PN结内电场方向相反，削弱 了内电场。内电场对多子扩 散运动的阻碍减弱，扩散电 流加大。扩散电流远大于漂 移电流，可忽略漂移电流的 影响, PN 结呈现低阻性。
• 在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷， 可形成 N型半导体,也称电子型半导体。 • 因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个 半导体原子中的价电子形成共价键，而多余的一个价
电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子。
•
图01.04 N型半导体结构示意图
• 在N型半导体中自由电子是多数载流子,它主要由
•
•1.1.1 本征半导体及其导电性
• 本征半导体——化学成分纯净 的半导体晶体。 • 制造半导体器件的半导体材料 的纯度要达到99.9999999%，常称 为“九个9”。它在物理结构上呈单晶 体形态。
•
• (1）本征半导体的共价键结构
•
硅和锗是四价元素，在原子最外层轨道上的四个电
子称为价电子。它们分别与周围的四个原子的价电子形成
•杂质原子提供；空穴是少数载流子, 由热激发形成。
• 提供自由电子的五价杂质原子因自由电子脱离而 带正电荷成为正离子，因此，五价杂质原子也被称为 施主杂质。N型半导体的结构示意图如图01.04所示。
•
•(2) P型半导体
• 本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓、 铟等形成 P型半导体，也称为空穴型半导体。因三价 杂质原子与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子
最齐全的模拟电子技术 基础参考
2020年5月31日星期日
•绪 论
• 1.电子技术的现状与发展趋 势
• 2.电子技术的应用范 围
• 3.本课程与其它专业课的关系
•4.电子技术基础学习特点
•
参考书：
1. 《模拟电子技术基础》（第四版）： 清华大学童诗白、华成英主编
• 2. 《电子技术基础》（模拟部分第四版 ）：
• 因浓度差
•
• 多子的扩散运动由杂质离子形成空间电荷区
•
•
空间电荷区形成 内电场
•
•
•
内电场促使少子漂移 •内电场阻止多子扩散
•
• 最后多子扩散和少子的漂移达到动态平衡。对
于P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的 空间电荷区称为
• P N 结 , 在空间 •电荷区，由于缺
•少多子，所以也 •称耗尽层。
而在共价键中留下一个空穴。
• 图01.05 P型半导体的结构示意图
• P型半导体中空穴是多数载流子，主要由掺杂形 成；电子是少数载流子，由热激发形成。
• 空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子
。三价杂质 因而也称为受主杂质。P型半导体的结构
示意图如图01.05所示。
•图01.05 P型半导体的结构示意
• PN 结形成 的过程可参阅 图01.06。
•图01.06 PN结的形成过程 • （动画1-3 •）
•1.2.2 PN结的单向导电性
• PN结具有单向导电性，若外加电压使电流 从 P 区流到 N 区， PN结呈低阻性，所以电流 大；反之是高阻性，电流小。
• 如果外加电压使PN结中：P区的电位高于 N 区的电位，称为加正向电压，简称正偏；
•以上三个浓度基本上依次相差106/cm3 。
•
•杂质半导体简化模型
•
•1.2 PN 结
•1.2.1 PN结的形成 •1.2.2 PN结的单向导电性 •1.2.3 PN结的电容效应
•
•1.2.1 PN结的形成
• 在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分 别形成 N 型半导体和 P 型半导体。此时将在N型半 导体和 P 型半导体的结合面上形成如下物理过程: