最新07届半导体物理考试

07届半导体物理考试

A ．符合机构

B ．散射机构

C ．能带结构

D ．晶体结构

4. 在光电转换过程中，硅材料一般不如砷化镓量子效率高，因其

________ A ．禁带较窄

B ．禁带是间接跃迁型

C ．禁带较宽

D ．禁带是直接跃迁型

5. 公式*q m τμ=中的τ是载流子的___________

A ．渡越时间

B ．寿命

C ．平均自由时间

D ．扩散系数

二、解释下列概念（10分）

1. 空穴

2. 浅能级杂质

3.声子

4.迁移率

5.光电导

三、问答题（20分）

1.如下图是有三种原子构成的二维晶体网格

（1）画出布拉菲格子

（2）画出两种形式的原胞，并分别指出每个原胞的原胞个数2.画出砷化镓的晶体结构示意图，并说明其能带特点

四、证明题（20分）

当n p μμ≠且载流子的浓度n n =，p n =时，半导体材料的电导率最小，并求min σ的表达式

五、计算题（20分）

光照如图所示，n 型半导体样品，假设光被均匀吸收，电子空穴对的产生率是G ，（小注入）在以下两种情况下分别求出稳态的非平衡空穴浓度分布

（1） 不考虑表面复合

（2） 在x=0的表面的表面复合速度S

X

O

六、计算题(20分)

由金属-SiO2-P 型硅组成的MOS 结构，当外加电压使半导体表面少数载流子浓度ns 与内部载流子浓度PP0相等时，作为临界强反型条件

(1) 试证明临街强反型时，半导体表面势022ln A S B i k T N V V q n ==，其中i F B E E V q -=

(2) 画出临界强反型是半导体的能带图，标明相关符号，并把反型、耗尽、中

性区各部分用竖线分开，用文字指明