固体物理第四章答案

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固体物理(胡安)课后答案(可编辑)

固体物理(胡安)课后答案(可编辑)

固体物理(胡安)课后答案第一章晶体的结构及其对称性1.1石墨层中的碳原子排列成如图所示的六角网状结构,试问它是简单还是复式格子。

为什么?作出这一结构所对应的两维点阵和初基元胞。

解:石墨层中原子排成的六角网状结构是复式格子。

因为如图点A和点B的格点在晶格结构中所处的地位不同,并不完全等价,平移A→B,平移后晶格结构不能完全复原所以是复式格子。

1.2在正交直角坐标系中,若矢量,,,为单位向量。

为整数。

问下列情况属于什么点阵?(a)当为全奇或全偶时;(b)当之和为偶数时。

解:当为全奇或全偶时为面心立方结构点阵,当之和为偶数时是面心立方结构1.3 在上题中若奇数位上有负离子,偶数位上有正离子,问这一离子晶体属于什么结构?解:是离子晶体,属于氯化钠结构。

1.4 (a)分别证明,面心立方(fcc)和体心立方(bcc)点阵的惯用初基元胞三基矢间夹角相等,对fcc为,对bcc为(b)在金刚石结构中,作任意原子与其四个最近邻原子的连线。

证明任意两条线之间夹角θ均为解:(1)对于面心立方 (2)对于体心立方 (3)对于金刚石晶胞1.5 证明:在六角晶系中密勒指数为(h,k,l)的晶面族间距为证明:元胞基矢的体积倒格子基矢倒格矢:晶面间距1.6 证明:底心正交的倒点阵仍为底心正交的。

证明:简单六角点阵的第一布里渊区是一个六角正棱柱体底心正交点阵的惯用晶胞如图: 初级晶胞体积: 倒易点阵的基矢: 这组基矢确定的面是正交底心点阵1.7 证明:正点阵是其本身的倒易点阵的倒格子。

证明:倒易点阵初级元胞的体积:是初基元胞的体积而由于而或:现在证明: 又令又:代入同理 1.8 从二维平面点阵作图说明点阵不可能有七重旋转对称轴。

解: 1.9 试解释为什么:(a)四角(四方)晶系中没有底心四角和面心四角点阵。

(b)立方晶系中没有底心立方点阵。

(c)六角晶中只有简单六角点阵。

解:(a)因为四方晶系加底心,会失去4次轴。

(b)因为立方晶系加底心,将失去3次轴。

固体物理参考答案(前七章)

固体物理参考答案(前七章)

固体物理习题参考答案(部分)第一章 晶体结构1.氯化钠:复式格子,基元为Na +,Cl -金刚石:复式格子,基元为两个不等价的碳原子 氯化钠与金刚石的原胞基矢与晶胞基矢如下:原胞基矢)ˆˆ()ˆˆ()ˆˆ(213212211j i a a i k a a k j a a +=+=+= , 晶胞基矢 ka a j a a ia a ˆˆˆ321===2. 解:31A A O ':h:k;l;m==-11:211:11:111:1:-2:1 所以(1 1 2 1) 同样可得1331B B A A :(1 1 2 0); 5522A B B A :(1 1 0 0);654321A A A A A A :(0 0 0 1)3.简立方: 2r=a ,Z=1,()63434r 2r a r 3333πππ===F体心立方:()πππ833r4r 342a r 3422a 3r 4a r 4a 33333=⨯=⨯=∴===F Z ,,则面心立方:()πππ622r 4r 34434442r 4a r 4a 233ar 33=⨯=⨯=∴===F Z ,,则 六角密集:2r=a, 60sin 2c a V C = a c 362=,πππ622336234260sin 34223232=⨯⨯⨯=⨯=⎪⎭⎫ ⎝⎛a a c a r F a金刚石:()πππ163r 38r 348a r 3488Z r 8a 33333=⨯=⨯===F ,, 4. 解:'28109)31arccos(312323)ˆˆˆ()ˆˆˆ(cos )ˆˆˆ()ˆˆˆ(021*******12211=-=-=++-⋅+-=⋅=++-=+-=θθa a k j i a k j i a a a a a kj i a a kj i a a 5.解:对于(110)面:2a 2a a 2S =⋅=所包含的原子个数为2,所以面密度为22a2a22=对于(111)面:2a 2323a 22a 2S =⨯⨯= 所包含的原子个数为2,所以面密度为223a34a 232=8.证明:ABCD 是六角密堆积结构初基晶胞的菱形底面,AD=AB=a 。

固体物理习题带答案

固体物理习题带答案

第二章:原子的结合
1. 设原子间的互作用能表示为 u (r ) 态,则 n>m. 解:原子间的相互作用能为: u (r )
作用能处于极小值: 这时有

r
m


rn
。证明:要使两原子处于平衡状

r
m


rn
。若两原子处于平衡状态时,则其相互
du (r ) (m) m 1 (n) n 1 dr r r
子晶格的情形比较, 与 q 之间存在着两种不同的色散关系。一维复式晶体中可以存在两 种独立的格波。两种不同的格波的色散关系:
2 2
(m M ) 4mM {1 [1 sin 2 aq]1 / 2 } 2 mM (m M ) (m M ) 4mM {1 [1 sin 2 aq]1 / 2 } 2 mM (m M )
xn (t ) A cos(t 2 naq) 。试求格波的色散关系。
解:一维单原子链中,牛顿方程为:
n ( x n 1 xn 1 2 xn ) m x
若将其振动位移写成 xn (t )
A cos(t 2 naq) 代入牛顿方程,则有
2

2 [1 cos(2aq)] 因此其色散关系为 m
0 。 所 以 有
r0
m

r0
m 1
n

r0
n 1
。所以
m nm r0 。 n
0
r0



d 2u ( r ) (m)( m 1) m 2 (n)( n 1) n 2 2 dr r r


固体物理吴代鸣第四章习题答案

固体物理吴代鸣第四章习题答案

23
1300
1 . 79 10
8
二者差约
Байду номын сангаас
3 个量级。
4 2 试求产生 热容的贡献。
解:产生
n 个肖脱基缺陷后晶体体
积的变化以及对晶体
n 个肖脱基缺陷就意味着
有 n 个原子从晶体内移动 N 个增加到 N n 个,
到表面上,这样,晶格
的格点就由原来的
令原来的晶体体积为
V 0,那么每个原子所占的
4- 1铜的空位形成能约为 试估计接近熔点( 两者的数量级。
1 . 26 eV ,间隙原子的形成能约
为 4 eV ,
1300 K )时空位和间隙原子的
浓度,并比较
解:对于空位,主要由
u k BT
肖脱基缺陷引起,
n 空 Ne
空位浓度
n空 N

u k BT
e
e

1 . 26 1 . 6 10 1 . 38 10
体积为
V0 N

后来的体积
n V V0 n V0 1 N N V0
体积变化为
V V0
V0 N
n
能量变化为 nu ,
产生 n 个肖脱基缺陷,晶体的
而 CV
E T V
CV
n E nu u T T V T V
23
19
1300
1 . 32 10
5
对于间隙原子,由夫伦
1 u 2 k BT
克尔缺陷引起:
u 2 k BT
n 间 ( NN ) 2 e
'

固体物理第四章作业答案

固体物理第四章作业答案


x

na

b



x

na
i 2 n x
b e a dx

Байду номын сангаас
2V0 a
cos
n
2 b a
• 按照近自由电子模型,第一布里渊区边界的能隙
Eg 2 V1
Eg
2 V1
2 2V0 a
cos b
a

4V0 a
cos 2b
a

第一布里渊区

a
k
a
, k 的个数为:
• (2)试讨论分别同A、B两种材料组成的一维超晶格量子 阱的能带变化。*(如下图)
ECA A
B
EVA
8a a
ECB
EVB
克朗尼格-朋奈模型 (基泰尔,固体物理导论,P119)
克朗尼格-朋奈模型得到结果:
超晶格得到结果与克朗尼格-朋奈模型类似,但是不同的是上 图中每段红色的能带都会分裂成八条子能带。

r


eik r u k
r

uk r uk r Rl


2
u k
r

2
由此可知,电子密度分布具有周期性。
• 思考题
(1)对有限尺寸晶体(如量子点,量子线或量子井),你 认为其晶体能带相对于理想晶体会有什么变化?
周期性边界条件破坏,边界效应开始变得明显能带不再是准 连续的。
第四章作业
1. (1)能带论的结论是什么?
(2)这个结论是考虑了晶体内部电子运动受到了什么作用后得 出的?
(3)以一维晶体为例, 如果作自由电子近似,把上述作用看作是 微扰, 应用非简并微扰理论得出电子的能量与k的关系是:

固体物理答案第四章1

固体物理答案第四章1

化简为习惯的表示式
E0
3 5
EF0
4.8 对于单位面积的样品,二维电子气的状态密度为g 4m
h2
试求二维电子气的比热。
解: 设g(E)为单位体积样品的状态密度,当系统由0K加热直至 温度T时, 它的总能量
ET
4m
Ef (E)g(E)dE
0
h2
2m
Ef (E)dE
0
h2
E 2 f (E) dE
k 空间中,状态密度等于V,计入自旋,在波矢 k ~ k dk
的球壳内的状态数为 2V 4k 2dk , 由此得到,费密球内
电子的总能量
E0
k kF
h2k 2 2m
2V
4k 2dk
式中 kF 是费密球半径。当V比较大时,波矢 k 在 k 空间的
分布非常密集,可以看作准连续,上式的求和可用积分代替,
L 因而在波矢空间每个状态的代表点占有面积为

2

L
在k
~
k
dk 面积元
dk
dk x dk y
中含有的状态数为
L 2π
2
dk 。
每个波矢状态可容纳自旋相反的两个电子,则在面积元 dk 中
容纳电子数为
dz 2
L
2
dk
2
L
2 2 π kdk



E 2k2 2m
dE 2k dk m
所以E到E+dE之间的状态数

L 2

m 2
dE
L2m π 2
dE
(2)在E到E+dE内的电子数为dN
dN f Edz

固体物理第四章答案

固体物理第四章答案
在直角坐标系下画出倒格子基矢
y
b1+b2 b2 3 2 1 b1
2 a
-b1
2 a
-b2
x
-b1-b2
4.11设一维晶体晶格常数为a,系统的哈密顿量为 其中
H
2 d2
2m dx
2
V ( x),
V ( x) A ( x la)
l 1
N
若已知孤立原子的势和波函数为
Va A ( x la), a a e
J1 * [V ( x) Va ]a dx a
Na
* ( x na)[ A ( x na) A ( x na a )] a ( x na a )dx a
Na n 1
N
* ( x na)[ a
Na
n n1
1一维周期场中电子的波函数
满足 k ( x ) Bloch定理,若晶格常数为a的电子波函数为:
(a) k ( x) sin
x
a 3 x a
(b) k ( x) i cos (c) k ( x)

l
f ( x la)
试求电子在这些态的波失。
jka 解:根据Bloch定理 k ( x a) e k ( x) 可得:
Na N Na n 1 N
* ( x na)[ A ( x na) A ( x na)]a ( x na)dx a * ( x na)[ A ( x na) ]a ( x na)dx a
Na n n
根据 函数的性质,上式的值为0。而积分
=-U 上面计算中取 kn (
2 2 , ) ,Brayy 反射出现的第一布里渊区的四个顶点处。能隙为 2U。

固体物理第4章 固体电子论 2011 参考答案

固体物理第4章 固体电子论 2011 参考答案

第四章 固体电子论 参考答案1. 导出二维自由电子气的能态密度。

解:二维情形,自由电子的能量是:22222()()22x y k E k k mm==+k2πLx xk n =,2πLy yk n =在/k =到d k k +区间:22222d 2d 2π(2π)2ππS Lm L Z kdk dE=⋅=⋅=k那么:2d ()d Z Sg E E=其中:22()πm g E =2. 若二维电子气的面密度为n s ,证明它的化学势为:2π()ln exp 1s B B n T k T m k T μ⎡⎤⎛⎫=-⎢⎥⎪⎝⎭⎣⎦解:由前一题已经求得能态密度:22()πm g E =电子气体的化学势μ由下式决定:()()222E-/E-/01d ()d πe1e1B B k Tk TL mE N g E LE μμ∞∞==++⎰⎰令()/B E k Txμ-≡,并注意到:2s Nn L =()12/1d πB xB s k Tk T mn exμ-∞-=+⎰()2/d π1B x B xxk Tk Tm e ee μ∞-=+⎰2/lnπ1BxB xk Tk T m ee μ∞-=+()/2ln 1πB k TB k T m eμ=+那么可以求出μ:2π()ln exp 1s B B n T k T m k T μ⎡⎤⎛⎫=-⎢⎥⎪⎝⎭⎣⎦证毕。

3. He 3是费米子,液体He 3在绝对零度附近的密度为0.081 g /cm 3。

计算它的费米能E F 和费米温度T F 。

解:He 3的数密度:N N M N n V M VMmρρ==⋅=⋅=其中m 是单个He 3粒子的质量。

()1123233π3πF k n m ρ⎛⎫== ⎪⎝⎭可得:2222322/33π(3)22F E n mm m ρπ⎛⎫== ⎪⎝⎭代入数据,可以算得: E F =6.8x 10-16erg = 4.3x 10-4eV .则:FF E T k ==4.97 K.4.已知银的密度为310.5/g cm ,当温度从绝对零度升到室温(300K )时,银金属中电子的费米能变化多少?解:银的原子量为108,密度为310.5/g cm ,如果1个银原子贡献一个自由电子,1摩尔物质包含有6.022x 1023个原子,则单位体积内银的自由电子数为2232310.55.910()108/6.02210n cmmρ-===⨯⨯在T=0K 时,费米能量为202/3328FhnEm π=()代如相关数据得2/3272227302812(6.6310)()3 5.910()29.110()8 3.148.8710() 5.54()Ferg s cmEg erg eV -----⎛⎫⨯⋅⨯⨯=⎪⨯⨯⨯⎝⎭≈⨯≈在≠T0K时,费米能量2020]12B F FFK TE E E π=[1-()所以,当温度从绝对零度升到室温(300K )时, 费米能变化为202012B F FFk TE E E π-=-()代如相关数据得4F FE E -⨯⨯-⨯≈⨯≈2-162-12-163.14(1.3810300)=-128.8710-1.610(erg)-10(eV )可见,温度改变时,费米能量的改变是微不足道的。

固体物理学答案朱建国版完整版

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固体物理学答案朱建国版3HUA system office room 【HUA16H-TTMS2A-HUAS8Q8-HUAH1688】固体物理学·习题指导配合《固体物理学(朱建国等编着)》使用2022年4月28日第1章晶体结构 0第2章晶体的结合 (11)第3章晶格振动和晶体的热学性质 (17)第4章晶体缺陷 (26)第5章金属电子论 (30)第1章 晶体结构1.1 有许多金属即可形成体心立方结构,也可以形成面心立方结构。

从一种结构转变为另一种结构时体积变化很小.设体积的变化可以忽略,并以R f 和R b 代表面心立方和体心立方结构中最近邻原子间的距离,试问R f /R b 等于 多少?答:由题意已知,面心、体心立方结构同一棱边相邻原子的距离相等,都设为a :对于面心立方,处于 面心的原子与顶角原子的距离为:R f =2a对于体心立方,处于体心的原子与顶角原子的距离为:R b那么,RfRb =31.2 晶面指数为(123)的晶面ABC 是离原点O 最近的晶面,OA 、OB 和OC 分别与基失a 1,a 2和a 3重合,除O 点外,OA ,OB 和OC 上是否有格点若ABC 面的指数为(234),情况又如何答:晶面族(123)截a 1,a 2,a 3分别为1,2,3等份,ABC 面是离原点O 最近的晶面,OA 的长度等于a 1的长度,OB 的长度等于a 2长度的1/2,OC 的长度等于a 3长度的1/3,所以只有A 点是格点。

若ABC 面的指数为(234)的晶面族,则A 、B 和C 都不是格点。

1.3 二维布拉维点阵只有5种,试列举并画图表示之。

答:二维布拉维点阵只有五种类型,两晶轴b a 、,夹角 ,如下表所示。

1 简单斜方2 简单正方3 简单六角4 简单长方5 有心长方二维布拉维点阵1.4 在六方晶系中,晶面常用4个指数(hkil )来表示,如图所示,前3个指数表示晶面族中最靠近原点的晶面在互成120°的共平面轴a 1,a 2,a 3上的截距a 1/h ,a 2/k ,a 3/i ,第四个指数表示该晶面的六重轴c 上的截距c/l.证明:i=-(h+k ) 并将下列用(hkl )表示的晶面改用(hkil )表示:(001)(133)(110)(323)(100)(010)(213) 答:证明设晶面族(hkil )的晶面间距为d ,晶面法线方向的单位矢量为n °。

春季-固体物理-第四章习题解答参考解析PPT精品课件

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eika1
k 2 a n 1 ,n 0 , 1 , 2 ,
k 2 n 1 , n 0 , 1 , 2 , a
在第一布里渊区内,ka,,a得到,
0
2021/3/1
k
a
a
k
a
1
(2)
电子波函数 k(x)ico3sax
k(xa)icos3a(xa)icos3ax3
ico3sxco3sisin3xsin3
一组 (k1,k2代,k表3一) 个电子状态点,波矢点均匀分布。
b3
b2
b1 波矢空间原胞体积,
k N b 1 1 N b 2 2 N b 3 3 N 1 ( 2 ) 3 ( 2 V ) 3
波矢密度,
2021/3/1
k
V
(2 )3
9
4.4 用能带图说明导体、绝缘体、半导体的导电性质
电阻率 半导体
价带
0
T1
T2
温度 14
4.5
E (k)m 2 2 8 7 a co k)s a8 1 (co 2 ks ) a (
(1) 由极值条件找到极值点,
d d E k m 2 2 a a sikn ) a a 4 ( si2 k n ) a (0
sikn ) a ( 1 si2 k n)a (sikn ) a ( 1 2 sikn )c a (o k)a s(
i 1,2,3
7
eikNiai 1
kN ia i2h i
k1
2 h1
N1a
k2
2 h2
N2a
k3
2 h3
N3a
(h1 0, 1, 2, ) (h2 0, 1, 2, ) (h3 0, 1, 2, )

固体物理一四章测验答案

固体物理一四章测验答案

第一、四章测验一、填空根据是否具有长程有序和周期性特征,固体可分为晶体和非晶体两类,晶体的结构特征是长程有序,非晶体的结构特征是长程无序;NaCl属于立方晶系的面心晶胞,NaCl的结晶学原胞包含8个Na离子和8个Cl离子,NaCl的固体物理学原胞包含1个Na离子和1个Cl离子;CsCl属于立方晶系的体心晶胞,CsCl的结晶学原胞包含2个Cs离子和2个Cl 离子,CsCl的固体物理学原胞包含1个Cs离子和1个Cl离子;金刚石属于立方晶系的面心晶胞,金刚石的结晶学原胞包含8个C原子,金刚石的固体物理学原胞包含2个C原子;硅属于立方晶系的面心晶胞,硅的结晶学原胞包含8个Si原子,硅的固体物理学原胞包含2个Si原子;立方ZnS晶体为闪锌矿结构,它属于六方晶系的六方密堆积晶胞,立方ZnS的结晶学原胞包含3个Zn原子和3个S原子,立方ZnS的固体物理学原胞包含1个Zn原子和1个S原子;GaAs属于立方晶系的面心晶胞,GaAs的结晶学原胞包含4个Ga原子和4个As原子,GaAs的固体物理学原胞包含1个Ga原子和1个As原子;钛酸钡属于立方晶系的简单晶胞,钛酸钡的结晶学原胞包含1个Ba原子、1个Ti原子和3个氧原子,钛酸钡的固体物理学原胞包含1个Ba原子、1个Ti原子和3个氧原子;晶体宏观对称操作中包含1、2、3、4、6、i、m、4共8种独立基本对称操作元素;若某晶体的某一个轴为四度旋转对称轴,则意味着晶体绕该轴转动90°能自身重合;若某晶体的某一个轴为三度旋转对称轴,则意味着晶体绕该轴转动120°能自身重合;若某晶体的某一个轴为六度旋转对称轴,则意味着晶体绕该轴转动60°能自身重合;若某晶面在三个基矢上的截距分别为3,2,-1,则该晶面的晶面指数为(236),晶向32132a a a R+-=的晶向指数为(231);已知倒格子原胞基矢为1b ,2b ,3b,则()100晶面的法线方程为1h R b =,()110晶面的法线方程为12h R b b =+,()111晶面的法线方程为123h R b b b =++,()100晶面的面间距为12b π,()110晶面的面间距为122b b π+,()111晶面的面间距为1232b b b π++;刃型位错伯格斯矢量与位错线的几何关系为平行; 螺位错伯格斯矢量与位错线的几何关系为垂直;根据缺陷的尺度和几何构形特征,缺陷可分为点缺陷、线缺陷、面缺陷、体缺陷共四种类型;根据对称性由低到高的顺序,七大晶系为:三斜晶系、单斜晶系、正交晶系、三方(角)晶系、四方(角)晶系、六方(角)晶系、立方晶系。

黄昆版固体物理学课后答案解析答案

黄昆版固体物理学课后答案解析答案

黄昆版固体物理学课后答案解析答案Prepared on 24 November 2020《固体物理学》习题解答黄昆 原着 韩汝琦改编 (陈志远解答,仅供参考)第一章 晶体结构、解:实验表明,很多元素的原子或离子都具有或接近于球形对称结构。

因此,可以把这些原子或离子构成的晶体看作是很多刚性球紧密堆积而成。

这样,一个单原子的晶体原胞就可以看作是相同的小球按点阵排列堆积起来的。

它的空间利用率就是这个晶体原胞所包含的点的数目n 和小球体积V 所得到的小球总体积nV 与晶体原胞体积Vc 之比,即:晶体原胞的空间利用率, VcnV x =(1)对于简立方结构:(见教材P2图1-1) a=2r , V=3r 34π,Vc=a 3,n=1∴52.06r8r 34a r 34x 3333=π=π=π=(2)对于体心立方:晶胞的体对角线BG=x 334a r 4a 3=⇒= n=2, Vc=a 3∴68.083)r 334(r 342a r 342x 3333≈π=π⨯=π⨯=(3)对于面心立方:晶胞面对角线BC=r 22a ,r 4a 2=⇒=n=4,Vc=a 3(4)对于六角密排:a=2r 晶胞面积:S=6260sin a a 6S ABO ⨯⨯=⨯∆=2a 233晶胞的体积:V=332r 224a 23a 38a 233C S ==⨯=⨯ n=1232126112+⨯+⨯=6个(5)对于金刚石结构,晶胞的体对角线BG=3r 8a r 24a 3=⇒⨯= n=8, Vc=a 3、试证:六方密排堆积结构中633.1)38(ac 2/1≈=证明:在六角密堆积结构中,第一层硬球A 、B 、O 的中心联线形成一个边长a=2r 的正三角形,第二层硬球N 位于球ABO 所围间隙的正上方并与这三个球相切,于是: NA=NB=NO=a=2R.即图中NABO 构成一个正四面体。

…、证明:面心立方的倒格子是体心立方;体心立方的倒格子是面心立方。

黄昆版固体物理学课后答案解析答案 (3)

黄昆版固体物理学课后答案解析答案 (3)

《固体物理学》习题解答黄昆 原着 韩汝琦改编 (陈志远解答,仅供参考)第一章 晶体结构、解:实验表明,很多元素的原子或离子都具有或接近于球形对称结构。

因此,可以把这些原子或离子构成的晶体看作是很多刚性球紧密堆积而成。

这样,一个单原子的晶体原胞就可以看作是相同的小球按点阵排列堆积起来的。

它的空间利用率就是这个晶体原胞所包含的点的数目n 和小球体积V 所得到的小球总体积nV 与晶体原胞体积Vc 之比,即:晶体原胞的空间利用率, VcnVx = (1)对于简立方结构:(见教材P2图1-1) a=2r , V=3r 34π,Vc=a 3,n=1∴52.06r8r34a r 34x 3333=π=π=π= (2)对于体心立方:晶胞的体对角线BG=x 334a r 4a 3=⇒= n=2, Vc=a 3∴68.083)r 334(r 342a r 342x 3333≈π=π⨯=π⨯= (3)对于面心立方:晶胞面对角线BC=r 22a ,r 4a 2=⇒= n=4,Vc=a 3(4)对于六角密排:a=2r 晶胞面积:S=6260sin a a 6S ABO ⨯⨯=⨯∆=2a 233 晶胞的体积:V=332r 224a 23a 38a 233C S ==⨯=⨯n=1232126112+⨯+⨯=6个(5)对于金刚石结构,晶胞的体对角线BG=3r 8a r 24a 3=⇒⨯= n=8, Vc=a 3、试证:六方密排堆积结构中633.1)38(ac 2/1≈=证明:在六角密堆积结构中,第一层硬球A 、B 、O 的中心联线形成一个边长a=2r 的正三角形,第二层硬球N 位于球ABO 所围间隙的正上方并与这三个球相切,于是:NA=NB=NO=a=2R.即图中NABO 构成一个正四面体。

…、证明:面心立方的倒格子是体心立方;体心立方的倒格子是面心立方。

证明:(1)面心立方的正格子基矢(固体物理学原胞基矢):123()2()2()2a a j k a a i k a a i j ⎧=+⎪⎪⎪=+⎨⎪⎪=+⎪⎩r r r r r rr r r由倒格子基矢的定义:1232()b a a π=⨯Ωr r r31230,,22(),0,224,,022a a a a a a a a a a Ω=⋅⨯==r r rQ ,223,,,0,()224,,022i j ka a a a a i j k a a ⨯==-++r rr r r r r r 同理可得:232()2()b i j k ab i j k aππ=-+=+-r rr r r r r r 即面心立方的倒格子基矢与体心立方的正格基矢相同。

固体物理-课后思考题答案

固体物理-课后思考题答案

1。

以堆积模型计算由同种原子构成的同体积的体心和面心立方晶体中的原子数之比。

[解答]设原子的半径为R, 体心立方晶胞的空间对角线为4R,晶胞的边长为,晶胞的体积为,一个晶胞包含两个原子, 一个原子占的体积为,单位体积晶体中的原子数为;面心立方晶胞的边长为,晶胞的体积为, 一个晶胞包含四个原子,一个原子占的体积为,单位体积晶体中的原子数为。

因此,同体积的体心和面心立方晶体中的原子数之比为=0。

272。

2.解理面是面指数低的晶面还是指数高的晶面?为什么?[解答]晶体容易沿解理面劈裂,说明平行于解理面的原子层之间的结合力弱,即平行解理面的原子层的间距大。

因为面间距大的晶面族的指数低, 所以解理面是面指数低的晶面。

3。

基矢为, , 的晶体为何种结构? 若+, 又为何种结构?为什么?[解答]有已知条件,可计算出晶体的原胞的体积。

由原胞的体积推断,晶体结构为体心立方. 按照本章习题14,我们可以构造新的矢量,,。

对应体心立方结构. 根据14题可以验证, 满足选作基矢的充分条件.可见基矢为,,的晶体为体心立方结构。

若+,则晶体的原胞的体积,该晶体仍为体心立方结构.4.若与平行, 是否是的整数倍? 以体心立方和面心立方结构证明之.[解答]若与平行, 一定是的整数倍. 对体心立方结构,由(1.2)式可知,, ,=h+k+l=(k+l)(l+h)(h+k)=p=p(l1 +l2 +l3), 其中p是(k+l)、(l+h)和(h+k)的公约(整)数。

对于面心立方结构, 由(1.3)式可知,,,,=h+k+l=(—h+k+l)+(h—k+l)+(h+k—l)=p'=p’(l1+l2 +l3),其中p’是(—h+k+l)、(-k+h+l)和(h-k+l)的公约(整)数.5. 晶面指数为(123)的晶面ABC是离原点O最近的晶面,OA、OB和OC分别与基矢、和重合,除O点外,OA、OB和OC上是否有格点? 若ABC面的指数为(234),情况又如何?[解答]晶面族(123)截、和分别为1、2、3等份,ABC面是离原点O最近的晶面,OA的长度等于的长度,OB的长度等于的长度的1/2,OC的长度等于的长度的1/3,所以只有A点是格点. 若ABC面的指数为(234)的晶面族, 则A、B和C都不是格点。

固体物理第四章习题及答案

固体物理第四章习题及答案

第四章 晶体的缺陷思 考 题1.设晶体只有弗仑克尔缺陷, 填隙原子的振动频率、空位附近原子的振动频率与无缺陷时原子的振动频率有什么差异?[解答]正常格点的原子脱离晶格位置变成填隙原子, 同时原格点成为空位, 这种产生一个填隙原子将伴随产生一个空位的缺陷称为弗仑克尔缺陷. 填隙原子与相邻原子的距离要比正常格点原子间的距离小,填隙原子与相邻原子的力系数要比正常格点原子间的力系数大. 因为原子的振动频率与原子间力系数的开根近似成正比, 所以填隙原子的振动频率比正常格点原子的振动频率要高. 空位附近原子与空位另一边原子的距离, 比正常格点原子间的距离大得多, 它们之间的力系数比正常格点原子间的力系数小得多, 所以空位附近原子的振动频率比正常格点原子的振动频率要低.2.热膨胀引起的晶体尺寸的相对变化量L L /∆与X 射线衍射测定的晶格常数相对变化量a a /∆存在差异, 是何原因?[解答]肖特基缺陷指的是晶体内产生空位缺陷但不伴随出现填隙原子缺陷, 原空位处的原子跑到晶体表面层上去了. 也就是说, 肖特基缺陷将引起晶体体积的增大. 当温度不是太高时, 肖特基缺陷的数目要比弗仑克尔缺陷的数目大得多. X 射线衍射测定的晶格常数相对变化量a a /Δ, 只是热膨胀引起的晶格常数相对变化量. 但晶体尺寸的相对变化量L L /Δ不仅包括了热膨胀引起的晶格常数相对变化量, 也包括了肖特基缺陷引起的晶体体积的增大. 因此, 当温度不是太高时, 一般有关系式L L Δ>a aΔ.3.KCl 晶体生长时,在KCl 溶液中加入适量的CaCl 2溶液,生长的KCl 晶体的质量密度比理论值小,是何原因?[解答]由于+2Ca 离子的半径(0.99o A )比+K 离子的半径(1.33oA )小得不是太多, 所以+2Ca 离子难以进入KCl 晶体的间隙位置, 而只能取代+K 占据+K 离子的位置. 但+2Ca比+K 高一价, 为了保持电中性(最小能量的约束), 占据+K 离子的一个+2Ca 将引起相邻的一个+K 变成空位. 也就是说, 加入的CaCl 2越多, +K 空位就越多. 又因为Ca 的原子量(40.08)与K 的原子量(39.102)相近, 所以在KCl 溶液中加入适量的CaCl 2溶液引起+K 空位, 将导致KCl 晶体的质量密度比理论值小.4.为什么形成一个肖特基缺陷所需能量比形成一个弗仑克尔缺陷所需能量低?[解答]形成一个肖特基缺陷时,晶体内留下一个空位,晶体表面多一个原子. 因此形成形成一个肖特基缺陷所需的能量, 可以看成晶体表面一个原子与其它原子的相互作用能, 和晶体内部一个原子与其它原子的相互作用能的差值. 形成一个弗仑克尔缺陷时,晶体内留下一个空位,多一个填隙原子. 因此形成一个弗仑克尔缺陷所需的能量, 可以看成晶体内部一个填隙原子与其它原子的相互作用能, 和晶体内部一个原子与其它原子相互作用能的差值. 填隙原子与相邻原子的距离非常小, 它与其它原子的排斥能比正常原子间的排斥能大得多. 由于排斥能是正值, 包括吸引能和排斥能的相互作用能是负值, 所以填隙原子与其它原子相互作用能的绝对值, 比晶体表面一个原子与其它原子相互作用能的绝对值要小. 也就是说, 形成一个肖特基缺陷所需能量比形成一个弗仑克尔缺陷所需能量要低.5.金属淬火后为什么变硬?[解答]我们已经知道 晶体的一部分相对于另一部分的滑移, 实际是位错线的滑移, 位错线的移动是逐步进行的, 使得滑移的切应力最小. 这就是金属一般较软的原因之一. 显然, 要提高金属的强度和硬度, 似乎可以通过消除位错的办法来实现. 但事实上位错是很难消除的. 相反, 要提高金属的强度和硬度, 通常采用增加位错的办法来实现. 金属淬火就是增加位错的有效办法. 将金属加热到一定高温, 原子振动的幅度比常温时的幅度大得多, 原子脱离正常格点的几率比常温时大得多, 晶体中产生大量的空位、填隙缺陷. 这些点缺陷容易形成位错. 也就是说, 在高温时, 晶体内的位错缺陷比常温时多得多. 高温的晶体在适宜的液体中急冷, 高温时新产生的位错来不及恢复和消退, 大部分被存留了下来. 数目众多的位错相互交织在一起, 某一方向的位错的滑移, 会受到其它方向位错的牵制, 使位错滑移的阻力大大增加, 使得金属变硬.6.在位错滑移时, 刃位错上原子受的力和螺位错上原子受的力各有什么特点?[解答]在位错滑移时, 刃位错上原子受力的方向就是位错滑移的方向. 但螺位错滑移时, 螺位错上原子受力的方向与位错滑移的方向相垂直.7.试指出立方密积和六角密积晶体滑移面的面指数.[解答]滑移面一定是密积面, 因为密积面上的原子密度最大, 面与面的间距最大, 面与面之间原子的相互作用力最小. 对于立方密积, {111}是密积面. 对于六角密积, (001)是密积面. 因此, 立方密积和六角密积晶体滑移面的面指数分别为{111}和(001).8.离子晶体中正负离子空位数目、填隙原子数目都相等, 在外电场作用下, 它们对导电的贡献完全相同吗?[解答]由(4.48)式可知, 在正负离子空位数目、填隙离子数目都相等情况下, −+B A 离子晶体的热缺陷对导电的贡献只取决于它们的迁移率μ. 设正离子空位附近的离子和填隙离子的振动频率分别为+v A ν和+i A ν, 正离子空位附近的离子和填隙离子跳过的势垒高度分别为+v A E 和+i A E , 负离子空位附近的离子和填隙离子的振动频率分别为−v B ν和−i B ν, 负离子空位附近的离子和填隙离子跳过的势垒高度分别−v B E 为−iB E , 则由(4.47)矢可得 T k E B A A B v A v v e Tk ea /2+++−=νμ, Tk E B A A B i A i i e T k ea /2+++−=νμ,T k E B B B B v B v v e Tk ea /2−−−−=νμ, Tk E B B B B i B i i e T k ea /2−−−−=νμ.由空位附近的离子跳到空位上的几率, 比填隙离子跳到相邻间隙位置上的几率大得多, 可以推断出空位附近的离子跳过的势垒高度, 比填隙离子跳过的势垒高度要低, 即+v A E <+i A E , −v B E <−i B E . 由问题 1.已知, 所以有+v A ν<+i A ν, −v B ν<−i B ν. 另外, 由于+A 和−B 的离子半径不同, 质量不同, 所以一般−+≠B A E E , −+≠B A νν.也就是说, 一般−−++≠≠≠i v i vB B A A μμμμ. 因此, 即使离子晶体中正负离子空位数目、填隙离子数目都相等, 在外电场作用下, 它们对导电的贡献一般也不会相同.9.晶体结构对缺陷扩散有何影响?[解答]扩散是自然界中普遍存在的现象, 它的本质是离子作无规则的布郎运动. 通过扩散可实现质量的输运. 晶体中缺陷的扩散现象与气体分子的扩散相似, 不同之处是缺陷在晶体中运动要受到晶格周期性的限制, 要克服势垒的阻挡, 对于简单晶格, 缺陷每跳一步的间距等于跳跃方向上的周期.10.填隙原子机构的自扩散系数与空位机构自扩散系数, 哪一个大? 为什么?[解答]填隙原子机构的自扩散系数 Tk E u B ae D /)(0222221+−=ν,空位机构自扩散系数Tk E u B ae D /)(0111121+−=ν.自扩散系数主要决定于指数因子, 由问题4.和8.已知, 1u <2u ,1E <2E , 所以填隙原子机构的自扩散系数小于空位机构的自扩散系数.11.一个填隙原子平均花费多长时间才被复合掉? 该时间与一个正常格点上的原子变成间隙原子所需等待的时间相比, 哪个长?[解答]与填隙原子相邻的一个格点是空位的几率是N n /1, 平均来说, 填隙原子要跳1/n N 步才遇到一个空位并与之复合. 所以一个填隙原子平均花费T k E u B e n N t /)(0221211+==ντ的时间才被空位复合掉.由(4.5)式可得一个正常格点上的原子变成间隙原子所需等待的时间T k E u u B e n n N P /)(022********++===νττ.由以上两式得2/2n Ne t T k u B ==τ>>1.这说明, 一个正常格点上的原子变成间隙原子所需等待的时间, 比一个填隙原子从出现到被空位复合掉所需要的时间要长得多.12.一个空位花费多长时间才被复合掉?[解答]对于借助于空位进行扩散的正常晶格上的原子, 只有它相邻的一个原子成为空位时,它才扩散一步, 所需等待的时间是1τ. 但它相邻的一个原子成为空位的几率是N n /1, 所以它等待到这个相邻原子成为空位, 并跳到此空位上所花费的时间T k E u B e n N t /)(0111111+==ντ.13.自扩散系数的大小与哪些因素有关?[解答]填隙原子机构的自扩散系数与空位机构自扩散系数可统一写成RTN T k e a e a D B /20/2002121εενν−−==.可以看出, 自扩散系数与原子的振动频率0ν, 晶体结构(晶格常数a ), 激活能(ε0N )三因素有关.14.替位式杂质原子扩散系数比晶体缺陷自扩散系数大的原因是什么?[解答]占据正常晶格位置的替位式杂质原子, 它的原子半径和电荷量都或多或少与母体原子半径和电荷量不同. 这种不同就会引起杂质原子附近的晶格发生畸变, 使得畸变区出现空位的几率大大增加, 进而使得杂质原子跳向空位的等待时间大为减少, 加大了杂质原子的扩散速度.15.填隙杂质原子扩散系数比晶体缺陷自扩散系数大的原因是什么?[解答]正常晶格位置上的一个原子等待了时间τ后变成填隙原子, 又平均花费时间21τn N后被空位复合重新进入正常晶格位置, 其中2τ是填隙原子从一个间隙位置跳到相邻间隙位置所要等待的平均时间. 填隙原子自扩散系数反比于时间21ττn N t +=.因为τ>>21τn N ,所以填隙原子自扩散系数近似反比于τ. 填隙杂质原子不存在由正常晶格位置变成填隙原子的漫长等待时间τ, 所以填隙杂质原子的扩散系数比母体填隙原子自扩散系数要大得多.16.你认为自扩散系数的理论值比实验值小很多的主要原因是什么?[解答]目前固体物理教科书对自扩散的分析, 是基于点缺陷的模型, 这一模型过于简单, 与晶体缺陷的实际情况可能有较大差别. 实际晶体中, 不仅存在点缺陷, 还存在线缺陷和面缺陷, 这些线度更大的缺陷可能对扩散起到重要影响. 也许没有考虑线缺陷和面缺陷对自扩散系数的贡献是理论值比实验值小很多的主要原因.17.−+B A 离子晶体的导电机构有几种?[解答]离子晶体导电是离子晶体中的热缺陷在外电场中的定向飘移引起的. −+B A 离子晶体中有4种缺陷: +A 填隙离子, −B 填隙离子, +A 空位, −B 空位. 也就是说, −+B A 离子晶体的导电机构有4种. 空位的扩散实际是空位附近离子跳到空位位置, 原来离子的位置变成了空位. −+B A 离子晶体中, +A 空位附近都是负离子, −B 空位附近都是正离子. 由此可知, +A 空位的移动实际是负离子的移动, −B 空位的移动实际是正离子的移动. 因此, 在外电场作用下, +A 填隙离子和−B 空位的漂移方向与外电场方向一致, 而−B 填隙离子和+A 空位的漂移方向与外电场方向相反.。

固体物理 课后习题解答(黄昆版)第四章

固体物理 课后习题解答(黄昆版)第四章

4.1,根据 k黄昆 固体物理 习题解答第四章 能带理论= ± π 状态简并微扰结果,求出与 E − 及 E +相应的波函数ψ − 及ψ+?,并说明它 a们的特性.说明它们都代表驻波,并比较两个电子云分布 ψ2说明能隙的来源(假设V n =V n *)。

<解>令 k= + π , k ′ = − π ,简并微扰波函数为ψ=A ψk( ) + B ψk( )a*a⎡E k ( ) − E A V B n= 0( )V A n+ ⎡E k − E B =取 E E +带入上式,其中 E += E k0( )+ V nV(x)<0,V n < 0 ,从上式得到 于是A ⎡ n π− n π ⎤πψ = A ⎡ψ 0( )−ψk0′( )⎤ =ixe a − e i x a =2A sin n x+⎣k⎢ L ⎣⎥ ⎦L a 取 E E − , E −=E k0( )− V nV A n= −V B n,得到A BA ⎡ i nπx−i n πx⎤πψ = A ⎡ψ 0( )−ψk0′( )⎤ =e a − ea=2A cos n x−⎣ k⎦⎢ ⎣L a由教材可知,Ψ+及 Ψ − ν ( ) 为零.产生驻波因为电子波矢n kπ=时,电子波的波长aλ =2π=2a ,恰好满足布拉格发射条件,这kn时电子波发生全反射,并与反射波形成驻波由于两驻波的电子分布不同,所以对应不同代入 能量。

4.2,写出一维近自由电子近似,第 n 个能带(n=1,2,3)中,简约波数 k π= 的 0 级波函数。

2a11r2π1π 2π1i2π1xi mx i x i mx(m+ )ψ* <解>( ) = ikx=eikx ae e= e2a⋅ea= e a 4k L⋅π=L*Lπ1 i2xL第一能带:m0, m = 0,ψ( ) = e a2ab b′则b′ →,k2π⋅= −L2π, m= −1,i2πx i π∴ψ *( )= 13πi xe第二能带:a a即(e a=e )2a k L2a2π2π 1 π2π 1 5π第三能带:c′ →, ⋅=aa即m =,*1,ψk( ) = Li x i xe2a⋅ea= L i xe2a解答(初稿)作者季正华- 1 -4.3 电子在周期场中的势能.黄昆 固体物理 习题解答1 2 2 2 2 m ω ⎡b − −( x na ⎤) ,当na b x na b + V x ( ) =0 ,当(n-1)a+b ≤ ≤x na b −其中 d =4b , ω 是常数.试画出此势能曲线,求其平均值及此晶体的第一个和第二个禁带 度.<解>(I)题设势能曲线如下图所示.(2)势能的平均值:由图可见, V x ( ) 是个以 a 为周期的周期函数,所以V x ( )= 1∫ V x L( )=1∫a( )=1a b( )L a ba ∫−b题设 a = 4b ,故积分上限应为 a b − = 3b ,但由于在 [b b ,3 ] 区间内[− , ] 区间内积分.这时, n = 0 ,于是V x ( ) 0=,故只需在= 1∫b= m ω2∫b22=m ω2 ⎡ 2b− 1x 3b ⎤ = 1m ωb 2V( )b − x dx )( b x ⎢ −b −b⎥ 。

固体物理习题答案

固体物理习题答案

第四章 思考题
2、周期场是能带形成的必要条件吗? 答:周期场是由布洛赫函数描述的能带结构的必要条件。 布洛赫定理推导出周期场中单电子状态的一般属性(主要是能带 结构,参见图4.2-1 一维能带结构的表示图式),而晶格周期 势场是布洛赫定理的前提条件。 在晶体周期性结构(平移对称性)中,电子波函数 (k) 是布洛赫 函数,能量本征值和本征函数在 k 空间具有倒格矢反演和 周期性,电子波矢 k 是与平移对称性相联系的量子数 。 非晶态也具有相似的基本能带结构,即:导带、价带和禁带。 但非晶态的电子态与晶态比较有本质区别。非晶态不存在 周期性,因此 k 不再是具有类似特征的量子数。 非晶态能带中电子态分扩展态和局域态二类。扩展态的电子为 整个固体共有,可在整个固体内找到,在外场中运动类似 晶体中电子;局域态的电子基本局限在某一区域,状态波 函数只能在围绕某一不大的尺度内显著不为零,它们依靠 声子协助,进行跳跃式导电。
第一章 思考题
5、试画出体心立方和面心立方(100)、(110)、(111)面上格点的 分布图。 (100) (110) (111)
体心立方
面心立方
第一章 思考题
6、怎样判断一个体系对称性的高低?讨论对称性有何物理意义。 答: 一个物理体系对称性用其具有的对称操作集合来描述。一个体 系具有的对称操作越多,其对称性就越高。在数学上,基 本操作的集合构成 “群”,每个基本操作称为群的一个元 素。由于晶格周期性限制,描述晶体宏观对称性的“点群” 只有32种。描述晶体微观对称性的“空间群”只有230种。 一个物理体系,如知道其几何对称性,就可在一定程度上确定 它的某些物理性质。例如,若原子结构具有中心反演对称 性,则原子无固定偶极矩;若一个体系具有轴对称性,偶 极矩必在对称轴上;若有对称面,偶极矩必在对称面上。 由此可见,不必讨论体系结构细节,仅从体系的对称性,就可 对其物理性质作出某些判断。对称理论已成为定性和半定 量研究物理问题的重要方法。

固体物理学答案(朱建国版)

固体物理学答案(朱建国版)

固体物理学·习题指导配合《固体物理学(朱建国等编著)》使用2020年6月21日第1章晶体结构 0第2章晶体的结合 (13)第3章晶格振动和晶体的热学性质 (22)第4章晶体缺陷 (35)第5章金属电子论 (39)第1章晶体结构有许多金属即可形成体心立方结构,也可以形成面心立方结构。

从一种结构转变为另一种结构时体积变化很小.设体积的变化可以忽略,并以R f和R b代表面心立方和体心立方结构中最近邻原子间的距离,试问R f/R b等于多少答:由题意已知,面心、体心立方结构同一棱边相邻原子的距离相等,都设为a:对于面心立方,处于面心的原子与顶角原子的距离为:R f=2a对于体心立方,处于体心的原子与顶角原子的距离为:R b=2a那么,Rf Rb晶面指数为(123)的晶面ABC是离原点O最近的晶面,OA、OB和OC分别与基失a1,a2和a3重合,除O点外,OA,OB和OC上是否有格点若ABC面的指数为(234),情况又如何答:晶面族(123)截a1,a2,a3分别为1,2,3等份,ABC面是离原点O最近的晶面,OA的长度等于a1的长度,OB的长度等于a2长度的1/2,OC的长度等于a3长度的1/3,所以只有A 点是格点。

若ABC面的指数为(234)的晶面族,则A、B和C都不是格点。

二维布拉维点阵只有5种,试列举并画图表示之。

答:二维布拉维点阵只有五种类型,两晶轴ba、,夹角ϕ,如下表所示。

4长方2,πϕ=≠ba简单长方(图中4所示)有心长方(图中5所示)1mm,2mm1 简单斜方2 简单正方3 简单六角4 简单长方5 有心长方二维布拉维点阵在六方晶系中,晶面常用4个指数(hkil)来表示,如图所示,前3个指数表示晶面族中最靠近原点的晶面在互成120°的共平面轴a1,a2,a3上的截距a1/h,a2/k,a3/i,第四个指数表示该晶面的六重轴c上的截距c/l.证明:i=-(h+k)并将下列用(hkl)表示的晶面改用(hkil)表示:(001)(133)(110)(323)(100)(010)(213)答:证明设晶面族(hkil)的晶面间距为d,晶面法线方向的单位矢量为n°。

固体物理学课后题答案

固体物理学课后题答案

第一章 晶体结构1.1、 如果将等体积球分别排成下列结构,设x 表示钢球所占体积与总体积之比,证明:结构 X简单立方52.06=π体心立方68.083≈π 面心立方74.062≈π 六角密排74.062≈π 金刚石34.063≈π解:实验表明,很多元素的原子或离子都具有或接近于球形对称结构。

因此,可以把这些原子或离子构成的晶体看作是很多刚性球紧密堆积而成。

这样,一个单原子的晶体原胞就可以看作是相同的小球按点阵排列堆积起来的。

它的空间利用率就是这个晶体原胞所包含的点的数目n 和小球体积V 所得到的小球总体积nV 与晶体原胞体积Vc 之比,即:晶体原胞的空间利用率, VcnVx = (1)对于简立方结构:(见教材P2图1-1) a=2r , V=3r 34π,Vc=a 3,n=1 ∴52.06834343333====πππrra r x (2)对于体心立方:晶胞的体对角线BG=x 334a r 4a 3=⇒= n=2, Vc=a 3∴68.083)334(3423423333≈=⨯=⨯=πππr r a r x (3)对于面心立方:晶胞面对角线BC=r 22a ,r 4a 2=⇒= n=4,Vc=a 374.062)22(3443443333≈=⨯=⨯=πππr r a r x (4)对于六角密排:a=2r 晶胞面积:S=6260sin a a 6S ABO ⨯⨯=⨯∆=2a 233晶胞的体积:V=332r 224a 23a 38a 233C S ==⨯=⨯ n=1232126112+⨯+⨯=6个 74.062)22(3443443333≈=⨯=⨯=πππr r a r x (5)对于金刚石结构,晶胞的体对角线BG=3r 8a r 24a 3=⇒⨯= n=8, Vc=a 334.06333834834833333≈=⨯=⨯=πππr r a r x 1.3、证明:面心立方的倒格子是体心立方;体心立方的倒格子是面心立方。

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在直角坐标系下画出倒格子基矢
y
b1+b2 b2 3 2 1 b1
2π a
-b1
2π a
-b2 -b1-b2
x
4.11设一维晶体晶格常数为a,系统的哈密顿量为 其中
H =−
η2 d2
2m dx
2
+ V ( x),
V ( x) = −∑ Aδ ( x − la )
l =1
N
若已知孤立原子的势和波函数为
Va = − Aδ ( x − la ), ϕ a = a e
1 2 − a x − la
, Ea = −
η 2a2
2m
试用紧束缚近似法求s态电子的能带公式,能带宽度,带底的有效质量。 解:值计及最近邻格点的相互作用时,其能带表示为:
E (k ) = Es − J 0 − J1 ∑ e
n
ikRn
, Rn是最近邻格矢
4.13某晶体中电子的等能面是椭球面 求能量
E − E + dE
k z2 E (k ) = ( + + ) 2 m1 m2 m3
η 2 k x2
2 ky
之间的状态数
解:等能面满足的方程为:
ky k x2 k z2 + + =1 2m1 E 2m2 E 2m3 E
2
η2
η2
η2
这是个椭球面,椭球的体积为:τ = 4 π 2 3
* Na n ≠ n′
根据 δ 函数的性质,上式的值为0。而积分
J1 = − ∫ ϕ * [V ( x) − Va ]ϕa dx a
Na *
= −∫ ϕ a ( x − n′a)[−∑ Aδ ( x − na) +Aδ ( x − n′a − a)]ϕa ( x − n′a − a)dx
Na n =1
所以电子的波失为 k = 0, ±
若只取第一布里渊区

π
a
π
a

k =0
4.8平面正六角形晶格,六角形两个对边的间距是a,基矢为

1 → 3 →→ 1 → 3 → a1 = a i + a j, a2 = − a i + aj 2 2 2 2
试画出此晶体的第一、第二、第三布里渊区。
解: 取单位矢量
N
= −∫ ϕ a ( x − n′a)[−
* Na ′ Na
n ≠ n′+1

N
Aδ ( x − na)]ϕa ( x − n′a − a)dx

= −α ∫ e−α x−n a [− Aδ ( x − n′a)]e−α x−n a −a dx = α Ae−α a
假设x轴是水平方向,在上式积分中只取参考格点右边的最近邻,取左边的最近邻也 有同样的结果。因此
∑e
n
ikRn
= eika + e−ika = 2cos ka
所以s态电子的能带为
E ( k ) = Es − 2 Aα e −α a cos ka
能带宽度为
E (0) − E ( ) = 4 Aα e −α a a
能带底的有效质量为
π
η2 η2 * mxx = 2 = ∂ E 2 Aα a 2 e −α a ∂k 2 k=0
叶系数 V(kn) (b)对近似自由电子而言,在哪些布里渊区界限上有 Brayy 反射?并写出相应的能隙。
r 1 −u −i(2πx+2πy) 2πx 2πy 解: V(kn) = V(r)e−ikh dr = 2 ∫∫e ∂ ∂ (4cos cos )drdy Nα2 ∫ α ∂ ∂
=-U 上面计算中取 kn =(±
k =± ,± ,± ,..........
a
<k≤
π

a
k=
π
a
a a a π π π 若只取第一布里渊区 − < k ≤ 则 k= a a a
(c)
Ψ k ( x + a ) = f ( x + a − la ) = f ( x − la ) = eika f ( x − la )
2π 4π ,± ,...... a a <k≤
3 η
2m1m2 m3 E 3 2
由上式可知
dτ =

η3
2m1m2 m3 E1 2 dE
能量
E − E + dE
之间的状态数为
Vc Vc dz = 2 dτ = 2 3 2m1m2 m3 E1 2 dE πη (2π )3
2πx 2π y .设两维正方格子和周期势。 V(r) =V(x, y) =−4 cos 。a 为晶格常数。求: (a) V(r) 按倒格失展开的傅里 V cos ∂ ∂
1一维周期场中电子的波函数 (a) Ψ k ( x ) = sin
Ψ k ( x满足Bloch定理,若晶格常数为a的电子波函数为: )
πx
a 3π x a
f ( x − la )
(b)Ψ k ( x) = i cos (c) Ψ k ( x ) =
l =−∞


试求电子在这些态的波失。 解:根据Bloch定理 Ψ k ( x + a ) = e (a) Ψ k ( x + a ) = sin

k
垂直于

i



则a 1 、 2 和 k a



构成的体积为 Ω= 3 a 2
2
所以倒格子原胞的基失为
2π ( a2 × k ) 2π → 2π → b1 = = i+ j Ω a 3a → 2π ( k × a1 ) 2π → 2π → b2 = =− i+ j Ω a 3a 2π 可见倒格子原胞基矢的夹角是 3
jka
Ψ k ( x ) 可得:
π ( x + a)
a
= − sin
πx
a
= e jka sin
πx
a
3π 5π ,± ,.......... 所以电子的波失为 k = ± , ± a a a
若只取第一布里渊区 − (b)
π
π
所以电子的波失为
3π ( x + a ) 3π x 3π x ika Ψ k ( x + a ) = i cos = −i cos = e i cos a a a π 3π 5π
2π 2π , ± ) ,Brayy 反射出现的第一布里渊区的四个顶点处。能隙为 2U。 ∂ ∂
其中积分
J 0 = − ∫ ϕ * [V ( x) − Va ]ϕa dx a
Na * N Na n =1 N
= −∫ ϕ a ( x − n′a)[−∑ Aδ ( x − na) +Aδ ( x − n′a)]ϕa ( x − n′a)dx = −∫ ϕ a ( x − n′a)[− ∑ Aδ ( x − na) +]ϕa ( x − n′a)dx
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